JP2009164109A - ウェーハの電圧コントラストを強める装置及び方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 title abstract 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 123
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 72
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 claims description 13
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 claims description 12
- 230000006870 function Effects 0.000 claims description 4
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 21
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 12
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 9
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 5
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 125000003821 2-(trimethylsilyl)ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si](C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C(OC([H])([H])[*])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000012163 sequencing technique Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/282—Testing of electronic circuits specially adapted for particular applications not provided for elsewhere
- G01R31/2831—Testing of materials or semi-finished products, e.g. semiconductor wafers or substrates
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
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- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/14—Measuring as part of the manufacturing process for electrical parameters, e.g. resistance, deep-levels, CV, diffusions by electrical means
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/244—Detection characterized by the detecting means
- H01J2237/24485—Energy spectrometers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24564—Measurements of electric or magnetic variables, e.g. voltage, current, frequency
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/245—Detection characterised by the variable being measured
- H01J2237/24592—Inspection and quality control of devices
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
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Abstract
【解決手段】半導体ウェーハを電気的に試験するシステムであって、サンプルの第1の領域の帯電に影響を及ぼすように、デフォーカスされた荷電粒子ビームによって該第1の領域を走査するステップと、該第1の領域の少なくとも一部を、フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査すると共に、該少なくとも一部から散乱した電子を検出するステップとを含み、該少なくとも一部は、該第1の領域が、該デフォーカスされた荷電粒子ビームによって導入された帯電の影響を受けたままである間に走査される。
【選択図】図3
Description
Claims (12)
- 半導体ウェーハを電気的に試験する方法であって、
前記ウェーハの第1の領域の帯電に影響を及ぼすように、前記第1の領域を、デフォーカスされた荷電粒子ビームによって走査するステップと、
走査パターンを使用して、前記第1の領域の少なくとも一部を、フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査すると共に、前記第1の領域の少なくとも一部から散乱した電子を検出するステップと、
を備え、
前記走査パターンが、走査ラインからなるセットを備え、前記セットにおける各走査ラインが、前記フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査され、その間に当該走査ラインが、前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによって導入された帯電による影響を受けたままである、方法。 - 前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによって形成されるスポットサイズが、前記フォーカスされた荷電粒子ビームによって形成されるスポットサイズよりも実質的に大きい請求項1に記載の方法。
- 前記デフォーカスされた荷電粒子ビームが、デフォーカス走査ラインに沿って走査し、前記フォーカスされた荷電粒子ビームが、フォーカス走査ラインに沿って走査し、前記デフォーカス走査ラインが、以下もの、すなわち、前記フォーカス走査ラインと平行な走査ライン、前記フォーカス走査ラインを横断する走査ライン、前記フォーカス走査ラインのうちの隣接する走査ライン間に散在された走査ライン、または、前記フォーカス走査ラインの方向と反対方向に走査される走査ラインのうちの1つである請求項1に記載の方法。
- 前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによって走査するステップが、前記ウェーハの近くにデフォーカシング静電界を導入する工程、前記ウェーハから遠い位置にデフォーカシング静電界を導入する工程、または、持続時間が2〜3の走査ラインよりも小さいデフォーカシング期間に、前記荷電粒子ビームをデフォーカシングする工程のうちの1つを含む請求項1に記載の方法。
- 前記フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査するステップが、持続期間が2〜3の走査ラインよりも小さいフォーカシング期間に、前記荷電粒子ビームをフォーカシングする工程を備える請求項1に記載の方法。
- 前記セットにおける走査ラインが離間されており、したがって前記走査ラインのうちのこれまでに走査された走査ラインが、前記走査ラインのうちの後に走査される走査ラインの、前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによって導入される帯電を実質的に変更することを実質的に防ぐ請求項1に記載の方法。
- 半導体ウェーハを電気的に試験するシステムであって、
少なくとも1つのフォーカスされた荷電粒子ビーム及び少なくとも1つのデフォーカスされた荷電粒子ビームを生成するように機能する、少なくとも1つの荷電粒子ビームフォーカス実施コンポーネントと、
前記ウェーハから散乱した荷電粒子を集めるように適合された少なくとも1つの検出器と、
を備え、前記システムが、前記ウェーハの第1の領域の帯電に影響するように、前記第1の領域を、前記デフォーカスされた荷電粒子ビームを使用して走査し、前記第1の領域の少なくとも一部を、走査パターン及び前記フォーカスされた荷電粒子ビームを使用して走査し、および前記少なくとも一部から散乱した電子を検出するように適合されており、
前記走査パターンが、走査ラインからなるセットを備え、前記セットにおける各走査ラインが、前記フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査され、その間当該走査ラインが、前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによって導入された帯電よる影響を受けたままである、システム。 - 前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによって形成されるスポットサイズが、前記フォーカスされた荷電粒子ビームによって形成されるスポットサイズよりも実質的に大きい請求項7に記載のシステム。
- 前記システムがさらに、前記デフォーカスされた荷電粒子ビームを、デフォーカス走査ラインに沿って走査し、前記フォーカスされた荷電粒子ビームを、フォーカス走査ラインに沿って走査するように適合され、前記デフォーカス走査ラインが、前記フォーカス走査ラインと平行な走査ライン、前記フォーカス走査ラインを横断する走査ライン、前記フォーカス走査ラインのうちの隣接する走査ライン間に散在された走査ライン、または、前記フォーカス走査ラインが走査される方向と実質的に反対の方向で走査される走査ラインのうちの1つである請求項7に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの荷電粒子ビームフォーカス実施コンポーネントが、前記ウェーハの近くに、デフォーカシング静電界を導入することによって、前記荷電粒子ビームをデフォーカシングするように適合されている請求項7に記載のシステム。
- 半導体ウェーハを電気的に試験する方法であって、
比較的フォーカスされた荷電粒子ビームを使用して、走査ラインごとに前記ウェーハを走査し、それによって、走査ラインの時間的シーケンスを画成するステップと、
前記粒子ビームを用いて、前記時間的シーケンスにおける各個別の走査ラインの走査の前に、および前記粒子ビームを用いて、前記時間的シーケンスにおける個別の走査ラインの直前の走査ラインを走査した後に、比較的デフォーカスされた荷電粒子ビームを使用して、前記個別の走査ラインを含む領域をプリチャージするステップと、
を備える方法。 - 前記走査ラインの前記ウェーハ上への配列が、走査ラインの物理的シーケンスを画成し、前記走査ラインの時間的シーケンスが、前記走査ラインの物理的シーケンスと異なっている請求項11に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/935,335 | 2007-11-05 | ||
US11/935,335 US7994476B2 (en) | 2007-11-05 | 2007-11-05 | Apparatus and method for enhancing voltage contrast of a wafer |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009164109A true JP2009164109A (ja) | 2009-07-23 |
JP2009164109A5 JP2009164109A5 (ja) | 2011-12-22 |
JP5465864B2 JP5465864B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=40587160
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008284303A Active JP5465864B2 (ja) | 2007-11-05 | 2008-11-05 | ウェーハの電圧コントラストを強める装置及び方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7994476B2 (ja) |
JP (1) | JP5465864B2 (ja) |
KR (1) | KR101038139B1 (ja) |
CN (1) | CN101499433B (ja) |
TW (1) | TWI389232B (ja) |
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US20090114817A1 (en) | 2009-05-07 |
KR20090046699A (ko) | 2009-05-11 |
CN101499433A (zh) | 2009-08-05 |
TW200933776A (en) | 2009-08-01 |
CN101499433B (zh) | 2013-02-13 |
TWI389232B (zh) | 2013-03-11 |
JP5465864B2 (ja) | 2014-04-09 |
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