JP2009164109A5 - - Google Patents
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- 半導体ウェーハを電気的に試験する方法であって、
前記ウェーハの第1のデフォーカス走査領域の帯電に影響を及ぼすように、デフォーカスされた荷電粒子ビームによって第1デフォーカス走査ラインに沿って、前記第1のデフォーカス走査領域を走査するステップであって、前記デフォーカス走査領域が第1の複数N個のフォーカス走査ラインを収容するものであるステップと、
前記デフォーカス走査領域内の第1の番号の複数のフォーカス走査ラインを、フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査すると共に、前記ウェーハから散乱した電子を検出するステップであって、前記第1の番号のフォーカス走査ラインの走査は、シーケンス1、n+1、2n+1、...<Nをたどり、nは、ラインan+1の帯電が、ライン(a+1)n+1の帯電に悪影響を及ぼさないものであり、前記フォーカスされた荷電粒子ビームによる第1の番号のフォーカス走査ラインに沿った走査は、前記第1の番号のフォーカス走査ラインが前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによる前記第1のデフォーカス走査領域を走査するステップによって導入された帯電の影響を受ける状態を維持する間に、実行されるステップと、
前記ウェーハの第2のデフォーカス走査領域の帯電に影響を及ぼすように、デフォーカスされた荷電粒子ビームによって第2デフォーカス走査ラインに沿って、前記第2のデフォーカス走査領域を走査するステップであって、前記第2のデフォーカス走査領域が、前記第1の複数N個のフォーカス走査ラインから一本のフォーカス走査ライン分だけインクリメントされた第2の複数N個のフォーカス走査ラインを収容するものであるステップと、
前記第2のデフォーカス走査領域内の第2の番号の第2の複数のフォーカス走査ラインを、フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査すると共に、前記ウェーハから散乱した電子を検出するステップであって、前記第2の番号のフォーカス走査ラインの走査は、前記第1の番号のフォーカス走査ラインを走査するために用いられるシーケンスとは異なるシーケンスをたどるステップと、
その指定された部分が前記フォーカスされた荷電粒子ビームで走査されるまで、前記デフォーカスされた荷電粒子ビーム及び前記フォーカスされた荷電粒子ビームを用いて、前記ウェーハの走査を繰り返し続けるステップと、
を備える方法。 - 前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによって形成されるスポットサイズが、前記フォーカスされた荷電粒子ビームによって形成されるスポットサイズよりも実質的に大きい請求項1に記載の方法。
- 前記デフォーカス走査ラインが、前記フォーカス走査ラインに平行であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記デフォーカス走査ラインが、前記フォーカス走査ラインを横断することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記デフォーカスされた荷電粒子ビームが、第1の方向にデフォーカス走査ラインに沿って走査し、前記フォーカスされた荷電粒子ビームが、前記第1の方向とは反対である第2の方向にフォーカス走査ラインに沿って走査することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1のデフォーカス走査領域の前記第1の走査するステップは、前記ウェーハの近くにデフォーカシング静電界を導入するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1のデフォーカス走査領域の前記第1の走査するステップは、前記ウェーハから遠い位置にデフォーカシング静電界を導入するステップを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第1のデフォーカス走査領域の前記第1の走査するステップは、持続時間が2〜3の走査ラインよりも小さいデフォーカシング期間に、前記フォーカスされた荷電粒子ビームをデフォーカシングするステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査するステップが、持続期間が2〜3の走査ラインよりも小さいフォーカシング期間に、前記デフォーカスされた荷電粒子ビームをフォーカシングするステップを備える請求項1に記載の方法。
- 半導体ウェーハを電気的に試験するシステムであって、
少なくとも1つのフォーカスされた荷電粒子ビーム及び少なくとも1つのデフォーカスされた荷電粒子ビームを生成するように機能する、少なくとも1つの荷電粒子ビームフォーカス実施コンポーネントと、
前記ウェーハから散乱した荷電粒子を集めるように適合された少なくとも1つの検出器と、
を備え、
前記システムが、
(i)第1の複数N個のフォーカス走査ラインを収容する、前記ウェーハの第1のデフォーカス領域の帯電に影響するように、前記デフォーカスされた荷電粒子ビームを使用して第1のデフォーカス走査ラインに沿って、前記第1のデフォーカス領域を走査し、
(ii)前記デフォーカス走査領域内の第1の番号の複数のフォーカス走査ラインを前記フォーカスされた荷電粒子ビームを使用して走査し、及び、前記ウェーハから散乱した電子を検出し、前記第1の番号のフォーカス走査ラインの走査は、シーケンス1、n+1、2n+1、...<Nをたどり、nは、ラインan+1の帯電が、ライン(a+1)n+1の帯電に悪影響を及ぼさないものであるように適合されており、前記フォーカスされた荷電粒子ビームによる第1の番号のフォーカス走査ラインに沿った走査は、前記第1の数のフォーカス走査ラインが前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによって前記第1でフォーカス走査領域走査することによって導入された帯電の影響を受ける状態を維持する間に、実行され、
(iii)前記第1の複数N個のフォーカス走査ラインから1フォーカス走査ラインだけインクリメントされた第2の複数N個のフォーカス走査ラインを収容する、前記ウェーハの第2のデフォーカス領域の帯電に影響するように、前記デフォーカスされた荷電粒子ビームを使用して第2のデフォーカス走査ラインに沿って、前記第2のデフォーカス領域を走査し、
(iv)前記第2のデフォーカス走査領域内の第2の番号の第2の複数のフォーカス走査ラインを、フォーカスされた荷電粒子ビームによって走査すると共に、前記ウェーハから散乱した電子を検出し、前記第2の番号のフォーカス走査ラインの走査は、前記第1の数のフォーカス走査ラインを走査するために用いられるシーケンスとは異なるシーケンスをたどり、
(v)その指定された部分が前記フォーカスされた荷電粒子ビームで走査されるまで、前記ウェーハの走査を繰り返し続ける、
システム。 - 前記デフォーカスされた荷電粒子ビームによって形成されるスポットサイズが、前記フォーカスされた荷電粒子ビームによって形成されるスポットサイズよりも実質的に大きい請求項10に記載のシステム。
- 前記デフォーカス走査ラインが、前記フォーカス走査ラインに平行であることを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 前記デフォーカス走査ラインが、前記フォーカス走査ラインを横断することを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 前記デフォーカスされた荷電粒子ビームが、第1の方向でデフォーカス走査ラインに沿って走査し、前記フォーカスされた荷電粒子ビームが、前記第1の方向とは反対である第2の方向でフォーカス走査ラインに沿って走査することを特徴とする請求項10に記載のシステム。
- 前記少なくとも1つの荷電粒子ビームフォーカス実施コンポーネントが、前記ウェーハの近くに、デフォーカシング静電界を導入することによって、前記荷電粒子ビームをデフォーカシングするように適合されている請求項10に記載のシステム。
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