CN1073014A - 获得固体表面元素分布图的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明属固体表面分析技术领域,是一种获得固
体表面元素分布图的新方法。它根据出现电势谱的
原理和扫描电镜能产生聚焦电子束的特性,提出了扫
描出现电势谱的方法,即先用散焦的电子束轰击样品
表面,电子能量从小到大作线性变化,用二次电子探
头接收二次电子,获知样品表面的元素成分。然后将
电子束能量固定在该元素信号的出峰位置处,用聚焦
的电子束在固体表面逐点二维扫描,获得表面元素分
布二维图象。本发明方法简单、准确,不需要复杂的
能量分析器。
Description
本发明属固体表面分析技术领域,是一种获得固体表面元素分布二维图象的方法。
表面科学的发展已在国防和国民经济方面产生巨大影响,而表面分析方法是研究表面科学的一种有效手段。对高空间分辨率的表面分析来说,目前仅有扫描俄歇微探针(SAM)能得到二维元素图,因此被称为俄歇图(Auger map)。但它必须使用复杂的电子能量分析器,因而造价很高,不能普遍使用。常用的扫描电子显微镜(SEM)则能够给出高分辨率的表面形貌图(topographical map),但不能给出成份图。近年来在SEM上加用了电子微探针质量分析器(EMMA),但必须加用液氮冷却的金硅面垒探测器,而且更重要的是,由于探测电子的能量较高,穿透深度较大,因此所取得的信息是固体体内成份的平均值,不是表面成份。
本发明的目的在于提出一种所需设备简单,又能直接获得固体表面元素二维图象的方法。根据出现电势谱(APS)原理(如图1所示):电子枪产生的电子束轰击固体表面,电子束能量EP从小到大随时间作线性变化,当EP等于固体原子中某一芯能级电子的结合能Eb时,这些电子开始被电离,此时如以固体表面被激发产生的二次电子数γ作为探测信号,则γ将发生突变,从而得到APS。由于和APS出峰位置对应的EP等于原子的某一芯能级Eb,因此APS可用于鉴定元素。和其它的能谱仪比较,APS不使用能量分析器,从而仪器可大为简化。扫描电镜(SEM)能产生聚焦良好的电子束(束斑小于1微米),可在固体表面逐点扫描。本发明利用出现电势谱原理和扫描电镜的特点,提出了扫描出现电势谱(简称SAPS)的方法,它是一种获得固体表面元素分布图的新方法。具体步骤如下:先用电子枪产生的散焦电子束轰击固体表面,此时的电子束斑较大,覆盖了需要进行表面元素分布测量的部分固体表面,电子束能量EP从小到大随时间作线性变化,用二次电子探头接收固体表面产生的二次电子,通过前置放大器、锁相放大器分别放大后,由计算机记录信号。根据出现电势谱获知固体表面的元素成份,然后将电子束能量固定在该元素信号的出峰位置处,用聚焦的电子束在固体表面逐点扫描,同时计算机记录固体表面上每个扫描点的信号强度,并将强度转换成灰度,显示在计算机屏幕上。如果固体表面某一点没有该元素,相应的信号强度就较弱,灰度就较暗,如果某一点含该元素,相应的信号强度就较强,灰度就较亮,最终得到这一元素在固体表面的分布图,图中灰度的大小反映了元素含量的多少。以上测量都必须在超高真空环境中进行,测量前先用氩离子束轰击样品表面,以去除大气带给固体表面的污染物质,如碳、氧、硫等。
本发明可以利用扫描电子显微镜(SEM)中的大部分装置:电子枪、高压电源、二次电子探头、前置放大器、扫描控制、计算机和真空系统(做表面元素分析时要求为超高真空条件),只需再加上扫描电源、锁相放大器和氩离子枪就可以成为一台包含SAPS在内的仪器(图2,图3),这种仪器既可以显示表面形貌图,又可以得到相应的元素分布图。
本发明可用于十分之几纳米(1纳米=10-9米)至数纳米厚度内元素的检测及其在表面的分布。它的空间分辨本领和电子束斑大小有关,可以达到亚微米量级或更小。它的分析灵敏度对稀土元素较高,最低可测下限在10-3范围。
图1为出现电势谱原理示意图。其中图1(a)表示电子束轰击样品表面,电子束能量EP从小到大扫描,Eb为某一芯能级的电子结合能,EF为样品的费米能级。图1(b)表示当EP=Eb时,芯电子被激发,同时入射电子由于失去动能也落在费米能级上。图1(c)表示退激发过程(以俄歇方式)产生的二次电子。
图2为SEM结构示意图。
图3为附加APS后的SEM结构示意图(即SAPS结构示意图)图2、图3中1为电子枪,2为电子透镜,3为电子束,4为固体样品,5为二次电子,6为二次电子探头,7为前置放大器,8为计算机,9为扫描单元,10为放大率单元,11为扫描周期调节,12为锁相放大器,13为扫描电源和稳压直流电源,14为氩离子枪。
图4为稀土元素La的3d能级的APS一级微分谱。
图5为利用本发明方法获得的La在某一固体薄膜表面的二维分布图,其中扫描范围为80×100μm2,有200行扫描线,每条扫描线有200个点,共40000个扫描点。
实例 利用本发明提出的方法,对某一固体薄膜进行了元素分布分析。首先发现这种薄膜表面的成份主要为稀土元素La和氧,氧的信号较弱,在此我们只给出La的APS(图4为La的3d能级的APS谱图)。之后将电子束能量固定在La信号的出峰位置处(图4中的835.5V),经过聚焦的电子束在薄膜表面逐点扫描,同时计算机记录薄膜表面上每个扫描点的信号强度,并将强度转换成灰度,显示在计算机屏幕上,最终得到La在薄膜表面的分布图,如图5所示。
Claims (1)
- 一种获得固体表面元素分布图的方法,采用扫描电镜、扫描电源等,其特征在于用电子枪产生的散焦的电子束轰击固体样品表面,电子束能量Ep从小到大随时间作线性变化,用二次电子探头接收固体表面被激发产生的二次电子,通过前置放大器、锁相放大器分别放大后,由计算机记录信号。根据出现电势谱,获知固体表面的元素成份后,然后将电子束能量固定在该元素信号的出峰位置处,用聚焦的电子束在固体表面逐点二维扫描,计算机同时记录固体表面上每个扫描点的信号强度,并将强度转换成灰度,显示在计算机屏幕上。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN 92108617 CN1073014A (zh) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 获得固体表面元素分布图的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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CN 92108617 CN1073014A (zh) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 获得固体表面元素分布图的方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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CN1073014A true CN1073014A (zh) | 1993-06-09 |
Family
ID=4943709
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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CN 92108617 Pending CN1073014A (zh) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 获得固体表面元素分布图的方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN1073014A (zh) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1940546B (zh) * | 2001-09-10 | 2011-07-20 | 株式会社荏原制作所 | 检测设备和器件制造方法 |
CN101499433B (zh) * | 2007-11-05 | 2013-02-13 | 以色列商·应用材料以色列公司 | 用于电测试半导体晶片的系统和方法 |
CN113092507A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-07-09 | 四川大学 | 一种高效率的材料微观结构智能识别分析方法 |
-
1992
- 1992-10-28 CN CN 92108617 patent/CN1073014A/zh active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1940546B (zh) * | 2001-09-10 | 2011-07-20 | 株式会社荏原制作所 | 检测设备和器件制造方法 |
CN101499433B (zh) * | 2007-11-05 | 2013-02-13 | 以色列商·应用材料以色列公司 | 用于电测试半导体晶片的系统和方法 |
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Legal Events
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C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C01 | Deemed withdrawal of patent application (patent law 1993) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |