JP2009161376A - Manufacturing method of silicon nitride powder - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for efficiently manufacturing a silicon nitride powder which has a low carbon content and is suppressed in generation of whisker. <P>SOLUTION: The manufacturing method of the silicon nitride powder comprises using a silica particle powder and a carbon powder of 5 μm or larger in volume-based average particle diameter (D<SB>50</SB>) as starting raw materials, and using a reduction nitriding method comprising heat-firing the mixture in a nitrogen atmosphere in the temperature range of 1,350 to 1,500°C to reduce and nitride it, and thereafter heating the nitrided material in an oxygen atmosphere at 600 to 1,000°C to decarbonize it. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、炭素含有量が低く、且つ、ウィスカーの生成が抑制された窒化ケイ素粉末を効率的に製造する方法に関するものである。   The present invention relates to a method for efficiently producing a silicon nitride powder having a low carbon content and suppressed whisker formation.

窒化ケイ素焼結体は、高耐熱性、高強度、高靱性、耐蝕性等の種々の優れた特性を有していることから、高温下において高い強度を要求される機械部品を初めとした各種の構造材料等、様々な分野へ応用展開が図られており、原料となる窒化ケイ素粒子粉末についても、高純度且つ安価であることが求められている。   Since silicon nitride sintered body has various excellent properties such as high heat resistance, high strength, high toughness, and corrosion resistance, various types including mechanical parts that require high strength at high temperatures. Application to various fields, such as structural materials, and the like, and silicon nitride particle powder as a raw material are also required to be highly pure and inexpensive.

窒化ケイ素粉末の製法としては、一般に、(1)直接窒化法、(2)イミド分解法、(3)還元窒化法等が知られている。特に、(3)の還元窒化法は反応操作が比較的容易であり、原料中に窒化ケイ素の種結晶を添加することで、粒子径及び結晶相を任意に制御することが可能であると共に、原料として安価なシリカ粒子粉末と炭素粉末を用いて窒化ケイ素粉末を得ることができるという利点を有している。   In general, (1) direct nitriding method, (2) imide decomposition method, (3) reductive nitriding method and the like are known as methods for producing silicon nitride powder. In particular, the reductive nitriding method (3) is relatively easy to operate, and by adding a silicon nitride seed crystal to the raw material, the particle diameter and crystal phase can be arbitrarily controlled, There is an advantage that silicon nitride powder can be obtained using inexpensive silica particle powder and carbon powder as raw materials.

還元窒化法におけるシリカの還元反応は、シリカ粒子の表面での固相反応であり、シリカ粒子の表面積が大きい方が反応は容易に進むと考えられている。   The reduction reaction of silica in the reductive nitriding method is a solid phase reaction on the surface of silica particles, and it is considered that the reaction proceeds more easily when the surface area of the silica particles is larger.

同様に、還元反応に用いられる炭素粉末も、生産性を考えれば表面積が大きいことが望まれるが、一般に、粉体は表面積が大きくなると粒子サイズは小さくなる傾向にあり、還元反応に用いる炭素粉末の粒子サイズが小さくなると、反応の際に炭素粉末がシリカ粒子の間に入り込み、窒化ケイ素生成後に行う過剰、もしくは未反応の炭素粉末の酸化除去が困難になり、不純物として残存しやすくなる。   Similarly, it is desirable that the carbon powder used in the reduction reaction has a large surface area in consideration of productivity, but generally, the powder tends to have a smaller particle size as the surface area increases, and the carbon powder used in the reduction reaction. When the particle size is reduced, the carbon powder enters between the silica particles during the reaction, and it becomes difficult to oxidize and remove excess or unreacted carbon powder after the formation of silicon nitride, and it tends to remain as impurities.

一方、還元反応に用いる炭素粉末の表面積が十分に大きくない場合にはウィスカーが生成しやすいため、還元窒化法においては、炭素含有量の低減とウィスカー生成の抑制とはトレードオフの関係にあり、両方の特性を満足させることは困難であった。   On the other hand, when the surface area of the carbon powder used for the reduction reaction is not sufficiently large, whiskers are likely to be generated.Therefore, in the reduction nitriding method, reduction of the carbon content and suppression of whisker generation are in a trade-off relationship, Satisfying both characteristics has been difficult.

これまでに、還元窒化法でSiCなどの不純物の含有量が少ない窒化ケイ素を製造する方法として、原料であるシリカ粒子粉末とカーボン粉末の粒子サイズ及びその組成比を限定する方法(特許文献1及び特許文献2)が開示されている。   Up to now, as a method for producing silicon nitride with a low content of impurities such as SiC by the reduction nitriding method, a method of limiting the particle size and composition ratio of silica particle powder and carbon powder as raw materials (Patent Document 1 and Patent Document 2) is disclosed.

還元窒化法における窒化ケイ素の原料となるシリカ粒子粉末の製造法は、主に乾式法と湿式法が知られている。乾式法は四塩化ケイ素を出発原料とし、これを酸素と水素で燃焼する方法であり、高純度のシリカ粒子粉末を得ることができるが、高価であるため工業的には不利である。   As a method for producing silica particle powder as a raw material for silicon nitride in the reduction nitriding method, a dry method and a wet method are mainly known. The dry method is a method in which silicon tetrachloride is used as a starting material and burned with oxygen and hydrogen, and high-purity silica particle powder can be obtained. However, it is expensive because it is expensive.

一方、湿式法は出発原料に安価なケイ酸ソーダを硫酸と反応する方法であり、得られたシリカ粒子粉末は、水溶液中で反応を行うためにシリカ粒子中に多量のシラノール基を有しており、また、純度についても出発原料に高純度の四塩化ケイ素を用いる乾式法に比べて劣ってはいるが、価格は乾式法によるシリカ粒子粉末に比べて安価である。   On the other hand, the wet method is a method in which an inexpensive sodium silicate is reacted with sulfuric acid as a starting material, and the obtained silica particle powder has a large amount of silanol groups in the silica particles for reaction in an aqueous solution. In addition, the purity is inferior to the dry method using high-purity silicon tetrachloride as a starting material, but the price is lower than that of silica particle powder by the dry method.

しかしながら、還元窒化法による窒化ケイ素粉末の製造の際に湿式法によるシリカ粒子粉末を用いた場合、シリカ粒子中のシラノール基から活性水素が発生し、Si−O−Si結合の切断・再結合を加速する。そのため、粗大結晶のクリストバライトが生成し、カーボン粉末によるシリカの還元・窒化反応が阻害されることから、安価な湿式シリカを用いて高純度の窒化ケイ素粒子粉末を得ることは困難であった。   However, when silica powder by wet method is used in the production of silicon nitride powder by reductive nitriding, active hydrogen is generated from silanol groups in the silica particles, and the Si-O-Si bond is cut and recombined. To accelerate. For this reason, cristobalite of coarse crystals is generated and the reduction / nitridation reaction of silica by the carbon powder is hindered, so it has been difficult to obtain high-purity silicon nitride particle powder using inexpensive wet silica.

出発物質として湿式法により製造されたシリカ粒子粉末を用いる方法としては、湿式シリカ粒子をカーボンで被覆後、窒素気流中で焼成を行う方法(非特許文献1)が開示されている。   As a method of using silica particle powder produced by a wet method as a starting material, a method (Non-patent Document 1) is disclosed in which wet silica particles are coated with carbon and then fired in a nitrogen stream.

かかる従来の製造方法で得られた窒化ケイ素にはウィスカーの発生が見られ、製造時に窒化ケイ素粉末に混入することでハンドリング性を著しく低下させると共に、これを用いて成型を行った際に、ブリッジングを起こし成形体密度を低下させることが知られている。   In the silicon nitride obtained by such a conventional manufacturing method, whisker is observed. When mixed with silicon nitride powder at the time of manufacturing, handling property is remarkably lowered, and when the molding is performed using this, a bridge is formed. It is known to cause sag and reduce the density of the compact.

ウィスカーの生成を回避する方法としては、これまでに、ウィスカー発生の原因となる原料の酸化ケイ素中の金属元素の総量が0.3%以下のシリカを用いること(特許文献3)、もしくはシリカ粉末の純度を99.8%以上とすること(特許文献4)が示唆されている。   As a method for avoiding the formation of whiskers, silica having a total metal element content of 0.3% or less in silicon oxide as a raw material causing whisker generation is used (Patent Document 3), or silica powder. It has been suggested that the purity of the liquid is 99.8% or more (Patent Document 4).

特開昭53−137899号公報JP-A-53-137899 特開昭61−242905号公報JP 61-242905 A 特開昭61−91007号公報JP 61-91007 A 特開平1−226708号公報Japanese Patent Laid-Open No. 1-226708 吉田裕亮、外4名、「SiO2炭素還元窒化法によるSi3N4粉末の合成に及ぼす原料粉末の影響」、日本セラミックス協会2005年年会講演予稿集、日本セラミックス協会、2005年、p.161Yusuke Yoshida and 4 others, “Influence of raw material powder on the synthesis of Si3N4 powder by SiO 2 carbon reductive nitriding method”, Proceedings of 2005 Annual Meeting of the Ceramic Society of Japan, Ceramic Society of Japan, 2005, p. 161

還元窒化法は、安価に窒化ケイ素粉末を得る製造法として有用ではあるが、炭素含有量が低く、且つ、ウィスカーの生成が抑制された窒化ケイ素を効率的に得る製造法は未だ得られていない。   The reduction nitriding method is useful as a production method for obtaining silicon nitride powder at a low cost, but a production method for efficiently obtaining silicon nitride with low carbon content and suppressed whisker formation has not yet been obtained. .

即ち、特許文献1及び2では、原料であるシリカ粒子粉末とカーボン粉末の粒子サイズ及びその組成比を限定する方法が記載されているが、特許文献1の実施例に記載されているカーボン粉末の比表面積値は100m/gと小さく、ウィスカーの生成を抑制することは困難である。 That is, Patent Documents 1 and 2 describe a method of limiting the particle size and composition ratio of silica particle powder and carbon powder as raw materials, but the carbon powder described in the Examples of Patent Document 1 The specific surface area value is as small as 100 m 2 / g, and it is difficult to suppress the formation of whiskers.

また、非特許文献1では出発物質に湿式法により製造されたシリカ粒子粉末を用い、これをカーボンで被覆後、窒素気流中で焼成を行う方法が記載されているが、クリストバライトの発生は抑制されているものの、原料の湿式シリカの精製が不十分であるために、ウィスカーの生成が抑制されているとは言い難い。   Non-Patent Document 1 describes a method in which silica particle powder produced by a wet method is used as a starting material, and this is coated with carbon and then fired in a nitrogen stream, but the generation of cristobalite is suppressed. However, it is difficult to say that the production of whiskers is suppressed due to insufficient purification of the raw wet silica.

特許文献3にはウィスカー発生の原因となる金属元素の総量が0.3%以下の酸化ケイ素粉末を用いることが記載されているが、Siを除く金属元素の総量についての記載がなされておらず、また、ウィスカー発生の原因となる金属元素についても3000ppm以下と高いため、ウィスカー生成の抑制の点で不十分である。   Patent Document 3 describes using a silicon oxide powder having a total amount of metal elements that cause whisker generation of 0.3% or less, but does not describe the total amount of metal elements excluding Si. Moreover, since the metal element that causes the generation of whiskers is as high as 3000 ppm or less, it is insufficient in terms of suppressing the generation of whiskers.

特許文献4ではシリカ粉末の純度を99.8%以上とすることが記載されているが、ウィスカー発生の原因となる金属元素の含有量については記載されておらず、Siを除く金属元素の総量が2000ppm以下であっても、ウィスカー発生の原因となる金属元素の含有量が500ppmを超える場合にはウィスカーが発生しやすいため、ウィスカーの生成が抑制されているとは言い難い。   Patent Document 4 describes that the purity of the silica powder is 99.8% or more, but does not describe the content of metal elements that cause whisker generation, and the total amount of metal elements excluding Si. Even if it is 2000 ppm or less, since the whisker is likely to be generated when the content of the metal element causing the whisker exceeds 500 ppm, it is difficult to say that the generation of the whisker is suppressed.

従って、本発明は、炭素含有量が低く、且つ、ウィスカーの生成が抑制された窒化ケイ素の製造法を提供することを技術的課題とする。   Accordingly, it is a technical object of the present invention to provide a method for producing silicon nitride in which the carbon content is low and whisker formation is suppressed.

前記技術課題は次の通りの本発明によって達成できる。   The technical problem can be achieved by the present invention as follows.

即ち、本発明は、還元窒化法における窒化ケイ素粉末の製造法において、出発原料として体積基準平均粒子径(D50)が5μm以上である炭素粉末を用いることを特徴とする窒化ケイ素粉末の製造法である(本発明1)。 That is, the present invention provides a method for producing silicon nitride powder, wherein carbon powder having a volume-based average particle diameter (D 50 ) of 5 μm or more is used as a starting material in a method for producing silicon nitride powder in a reduction nitriding method. (Invention 1).

また、本発明は、本発明1の炭素粉末のBET比表面積値が300m/g以上であることを特徴とする窒化ケイ素粉末の製造法である(本発明2)。 The present invention is also a method for producing silicon nitride powder, wherein the carbon powder of the present invention 1 has a BET specific surface area value of 300 m 2 / g or more (Invention 2).

また、本発明は、還元窒化法における窒化ケイ素粉末の製造法において、出発原料としてV、Nb、Ta、Mo、Fe、Ni、Cr、Co、Cuの含有量が合計で500ppm以下であって、且つ、Siを除く金属元素の総量が1500ppm以下であるシリカ粒子粉末を用いることを特徴とする本発明1及び2に記載の窒化ケイ素粉末の製造法である(本発明3)。   Further, the present invention, in the method for producing silicon nitride powder in the reduction nitriding method, the total content of V, Nb, Ta, Mo, Fe, Ni, Cr, Co, Cu as starting materials is 500 ppm or less, In addition, the present invention provides the method for producing a silicon nitride powder according to the first and second aspects of the invention (Invention 3), wherein a silica particle powder having a total amount of metal elements excluding Si of 1500 ppm or less is used.

また、本発明は、出発原料としてシリカ粒子が湿式法により製造されたシリカ粒子粉末であることを特徴とする本発明3の窒化ケイ素粉末の製造法である(本発明4)。   Further, the present invention is the method for producing a silicon nitride powder of the present invention 3 (invention 4), wherein the silica particles are produced by a wet method as a starting material.

本発明に係る窒化ケイ素粉末の製造法は、高純度かつ高い窒素含有量を有する窒化ケイ素粉末を安価に得ることができるため、自動車用エンジン部品やガスタービン等の高温構造用材料の窒化ケイ素粉末の製造法として好適である。   The method for producing silicon nitride powder according to the present invention can obtain silicon nitride powder having high purity and high nitrogen content at low cost, so that silicon nitride powder as a material for high-temperature structures such as automobile engine parts and gas turbines can be obtained. It is suitable as a production method.

本発明の構成をより詳しく説明すれば次の通りである。   The configuration of the present invention will be described in more detail as follows.

先ず、本発明に係る窒化ケイ素粉末の製造法について述べる。   First, a method for producing silicon nitride powder according to the present invention will be described.

本発明における炭素含有量が低く、且つ、ウィスカーの生成が抑制された窒化ケイ素粉末は、下記反応式1に示す還元窒化法により得ることができる。   The silicon nitride powder having a low carbon content and suppressed whisker formation in the present invention can be obtained by the reductive nitriding method shown in the following reaction formula 1.

<反応式1>
3SiO+6C+2N → Si+6CO
<Reaction Formula 1>
3SiO 2 + 6C + 2N 2 → Si 3 N 4 + 6CO

本発明におけるシリカ粒子粉末としては、乾式法により合成されたもの、及び、湿式法により合成されたもののいずれをも用いることができる。コスト等の工業性を考慮すれば、湿式法により合成された含水ケイ酸が有利であり、その中でも、シリカ粒子粉末の不純物の点から、酸性領域での反応により得られたゲルタイプのシリカ粒子粉末がより好ましい。   As the silica particle powder in the present invention, any of those synthesized by a dry method and those synthesized by a wet method can be used. In consideration of industrial properties such as cost, hydrous silicic acid synthesized by a wet method is advantageous, and among them, silica particles of gel type obtained by reaction in an acidic region in terms of impurities of silica particle powder A powder is more preferred.

シリカ粒子粉末中の金属不純物は、V、Nb、Ta、Mo、Fe、Ni、Cr、Co、Cuの含有量が合計で500ppm以下であり、好ましくは300ppm以下、より好ましくは200ppm以下である。また、Siを除く金属元素の総量は1500ppm以下であり、好ましくは1250ppm以下、より好ましくは1000ppm以下、更に好ましくは750ppm以下である。シリカ粒子粉末中の金属不純物が上記範囲を超える場合には、得られる窒化ケイ素粉末中にウィスカーが混入し、ハンドリング性を著しく低下させると共に、これを用いて成型を行った際に、ブリッジングを起こし成形体密度を低下させるため好ましくない。   The metal impurities in the silica particle powder have a total content of V, Nb, Ta, Mo, Fe, Ni, Cr, Co, and Cu of 500 ppm or less, preferably 300 ppm or less, more preferably 200 ppm or less. The total amount of metal elements excluding Si is 1500 ppm or less, preferably 1250 ppm or less, more preferably 1000 ppm or less, and still more preferably 750 ppm or less. When the metal impurities in the silica particle powder exceed the above range, whiskers are mixed in the obtained silicon nitride powder, and the handling property is remarkably deteriorated. This is not preferable because the density of the raised molded body is lowered.

シリカ粒子粉末のBET比表面積値は100m/g以上が好ましい。還元窒化反応における反応効率及びハンドリング性を考慮すれば、より好ましくはBET比表面積値は150〜1000m/gであり、更により好ましくは200〜800m/gである。 The BET specific surface area value of the silica particle powder is preferably 100 m 2 / g or more. Considering the reaction efficiency and handling property in the reduction nitriding reaction, more preferably a BET specific surface area value is 150~1000m 2 / g, and even more preferably 200~800m 2 / g.

シリカ粒子粉末の粒子サイズは上記と同様の理由により、平均一次粒子径が0.001〜0.2μmであることが好ましく、より好ましくは0.002〜0.1μm、更により好ましくは0.003〜0.05μmである。   As for the particle size of the silica particle powder, the average primary particle size is preferably 0.001 to 0.2 μm, more preferably 0.002 to 0.1 μm, still more preferably 0.003 for the same reason as above. ~ 0.05 μm.

炭素粉末の粒子サイズは、体積基準平均粒子径(D50)が5μm以上である。得られる窒化ケイ素の炭素含有量を考慮すれば、体積基準平均粒子径(D50)は6〜100μmが好ましく、より好ましくは7〜80μmである。 As for the particle size of the carbon powder, the volume-based average particle diameter (D 50 ) is 5 μm or more. Considering the carbon content of the obtained silicon nitride, the volume-based average particle diameter (D 50 ) is preferably 6 to 100 μm, more preferably 7 to 80 μm.

また、炭素粉末の微細粒子の含有率は、炭素粉末中の体積基準粒子径が1μm以下の粒子の割合が5%以下であることが好ましい。得られる窒化ケイ素粉末の炭素含有量を考慮すれば、より好ましくは4%以下、更により好ましくは3%以下である。   Moreover, it is preferable that the content rate of the fine particle of carbon powder is 5% or less in the ratio of the particle | grains whose volume reference particle diameter in carbon powder is 1 micrometer or less. Considering the carbon content of the obtained silicon nitride powder, it is more preferably 4% or less, still more preferably 3% or less.

炭素粉末のBET比表面積値は300m/g以上が好ましい。ウィスカー生成の抑制を考慮すれば、より好ましくは400m/g以上、更により好ましくは500m/g以上である。その上限値は好ましくは2500m/gであり、より好ましくは2000m/gである。 The BET specific surface area value of the carbon powder is preferably 300 m 2 / g or more. Considering suppression of whisker generation, it is more preferably 400 m 2 / g or more, and even more preferably 500 m 2 / g or more. The upper limit is preferably 2500 m 2 / g, more preferably 2000 m 2 / g.

本発明における炭素粉末としては、ファーネスブラック、チャンネルブラック及びアセチレンブラック等のカーボンブラック粒子粉末、活性炭、多孔質炭素及び黒鉛等、上記の条件を満たすものであれば何を用いてもよいが、好適には、活性炭、多孔質炭素である。   As the carbon powder in the present invention, any carbon black particle powder such as furnace black, channel black and acetylene black, activated carbon, porous carbon and graphite may be used as long as they satisfy the above-mentioned conditions. There are activated carbon and porous carbon.

炭素粉末の純度についても、ウィスカーの生成を抑制するためにできるだけ高純度であることが好ましく、炭素粉末中の金属不純物は、V、Nb、Ta、Mo、Fe、Ni、Cr、Co、Cuの含有量が合計で500ppm以下であり、好ましくは300ppm以下、より好ましくは200ppm以下である。また、Siを除く金属元素の総量は1500ppm以下であり、好ましくは1250ppm以下、より好ましくは1000ppm以下、更により好ましくは750ppm以下である。 The purity of the carbon powder is also preferably as high as possible in order to suppress the formation of whiskers. The metal impurities in the carbon powder are V, Nb, Ta, Mo, Fe, Ni, Cr, Co, Cu. The total content is 500 ppm or less, preferably 300 ppm or less, more preferably 200 ppm or less. Further, the total amount of metal elements excluding Si is 1500 ppm or less, preferably 1250 ppm or less, more preferably 1000 ppm or less, and even more preferably 750 ppm or less.

本発明におけるシリカ粉末と炭素粉末との混合割合は、シリカ粒子粉末100重量部に対して炭素粉末30〜200重量部である。30重量部未満の場合には、シリカ粒子に対する炭素成分が少なすぎるため、カーボンによるSiOからの還元反応が不十分となり、未反応のSiOが残存するため窒素含有量を低下させることとなる。一方、200重量部を超える場合には、生成した窒化ケイ素粒子表面の過剰酸化によって酸素含有量が増大し、得られた窒化ケイ素粉末を焼結体とした際に強度等の特性の低下が問題となる。得られる窒化ケイ素粉末の窒素含有量及び酸素含有量を考慮すれば、シリカ粒子粉末100重量部に対する炭素粉末の割合は、32〜170重量部が好ましく、より好ましくは34〜140重量部である。 The mixing ratio of the silica powder and the carbon powder in the present invention is 30 to 200 parts by weight of the carbon powder with respect to 100 parts by weight of the silica particle powder. When the amount is less than 30 parts by weight, the carbon component relative to the silica particles is too small, so that the reduction reaction from SiO 2 by carbon becomes insufficient, and unreacted SiO 2 remains, so that the nitrogen content is reduced. . On the other hand, when the amount exceeds 200 parts by weight, the oxygen content increases due to excessive oxidation of the surface of the generated silicon nitride particles, and when the obtained silicon nitride powder is used as a sintered body, deterioration of properties such as strength is a problem. It becomes. Considering the nitrogen content and oxygen content of the resulting silicon nitride powder, the ratio of the carbon powder to 100 parts by weight of the silica particle powder is preferably 32-170 parts by weight, more preferably 34-140 parts by weight.

本発明における窒化ケイ素粉末は、前述のシリカ粒子粉末と炭素粉末を出発原料として用い、必要に応じて種晶として窒化ケイ素粉末を添加し、窒素雰囲気下、所定の温度で加熱焼成して還元・窒化後、酸化性雰囲気下600〜1000℃で加熱し脱炭素処理することで得ることができる。また、必要に応じて、フッ酸などによる残存SiOの溶解・除去処理を行ってもよい。 The silicon nitride powder in the present invention uses the above-mentioned silica particle powder and carbon powder as starting materials, and if necessary, adds silicon nitride powder as a seed crystal, and heat-fires it at a predetermined temperature in a nitrogen atmosphere for reduction and reduction. After nitriding, it can be obtained by heating at 600 to 1000 ° C. in an oxidizing atmosphere for decarbonization treatment. If necessary, it may be subjected to a dissolving and removing process of the remaining SiO 2 by hydrofluoric acid.

出発原料であるシリカ粒子粉末と炭素粉末(必要により、種晶としての窒化ケイ素粉末)とは、必要に応じて予め造粒体を形成しておいてもよい。造粒体を形成することでハンドリング性が向上し、収率を改善することができる。造粒の方法は、圧縮造粒、押出し造粒、転動造粒、噴霧造粒等が挙げられる。   The silica particles powder and carbon powder (if necessary, silicon nitride powder as a seed crystal) may form a granulated body in advance if necessary. By forming a granulated body, handling property improves and a yield can be improved. Examples of the granulation method include compression granulation, extrusion granulation, rolling granulation, spray granulation and the like.

造粒体を形成する際に用いるバインダーとしては、得られる窒化ケイ素中に不純物として残存しないものが好ましい。具体的には、でんぷん、ポリビニルアルコール、アクリル樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂等を用いることができる。   As a binder used when forming a granulated body, a binder that does not remain as an impurity in the obtained silicon nitride is preferable. Specifically, starch, polyvinyl alcohol, acrylic resin, melamine resin, phenol resin, or the like can be used.

窒素雰囲気を形成するためのガスとしては、Nガス、NHガスもしくはこれらとArガスなどの不活性ガスとの混合系を用いることができるが、装置の腐食等工業性を考慮した場合、Nガスが好ましい。 As a gas for forming a nitrogen atmosphere, N 2 gas, NH 3 gas, or a mixed system of these and an inert gas such as Ar gas can be used. N 2 gas is preferred.

本発明における種晶としては、α化率が85%以上である窒化ケイ素粉末を用いることが好ましい。種晶に用いる窒化ケイ素粉末のα化率が高いほど、得られる窒化ケイ素粉末のα化率も高くなることから、種晶の窒化ケイ素粉末のα化率は、より好ましくは90%以上である。   As the seed crystal in the present invention, it is preferable to use silicon nitride powder having an alpha ratio of 85% or more. The higher the alpha conversion rate of the silicon nitride powder used for the seed crystal, the higher the alpha conversion rate of the resulting silicon nitride powder. Therefore, the alpha conversion rate of the silicon nitride powder of the seed crystal is more preferably 90% or more. .

本発明における種晶の添加量は、シリカ粒子粉末100重量部に対して0.1〜50重量部が好ましく、より好ましくは0.5〜40重量部、更により好ましくは1〜30重量部である。0.1重量部未満の場合には、得られる窒化ケイ素粉末のα化率が低下すると共に粒子径の制御が困難であり、50重量部を超える場合には、得られる窒化ケイ素粉末の収率が低下し工業的に不利となる。   The addition amount of the seed crystal in the present invention is preferably 0.1 to 50 parts by weight, more preferably 0.5 to 40 parts by weight, and still more preferably 1 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the silica particle powder. is there. If the amount is less than 0.1 part by weight, the alpha conversion rate of the obtained silicon nitride powder is lowered and it is difficult to control the particle size, and if it exceeds 50 parts by weight, the yield of the obtained silicon nitride powder Decreases and is industrially disadvantageous.

窒素雰囲気下の加熱焼成温度は、1350〜1550℃の範囲が好ましく、より好ましくは1400〜1500℃である。加熱焼成温度が1350℃未満の場合は、窒化ケイ素粉末の生成反応が起こりにくく工業的に不利となる。1550℃を超える場合には、炭化ケイ素が生成し、得られる窒化ケイ素粉末の純度が低下するため好ましくない。   The heating and baking temperature in a nitrogen atmosphere is preferably in the range of 1350 to 1550 ° C, more preferably 1400 to 1500 ° C. When the heating and baking temperature is less than 1350 ° C., the formation reaction of the silicon nitride powder hardly occurs, which is industrially disadvantageous. When the temperature exceeds 1550 ° C., silicon carbide is generated, and the purity of the resulting silicon nitride powder is unfavorable.

窒素雰囲気下の加熱焼成による還元窒化反応の終点判定は、反応炉内のCO発生量をモニタリングすることにより行い、CO発生量が好ましくは50ppm以下、より好ましくは30ppm以下、更により好ましくは10ppm以下となった時点を終点とした。   End point determination of the reductive nitriding reaction by heating and baking in a nitrogen atmosphere is performed by monitoring the amount of CO generated in the reaction furnace, and the amount of CO generated is preferably 50 ppm or less, more preferably 30 ppm or less, and even more preferably 10 ppm or less. The end point was taken as the end point.

本発明における窒化ケイ素粉末は、上述の還元窒化処理後冷却したものを、脱炭素処理のために、更に酸化性雰囲気下、600〜1000℃の温度範囲で1時間以上、好ましくは2時間以上加熱処理を行う。   The silicon nitride powder in the present invention is heated after the above-described reductive nitriding treatment, and further heated in an oxidizing atmosphere at a temperature range of 600 to 1000 ° C. for 1 hour or more, preferably 2 hours or more for decarbonization treatment. Process.

本発明の製造法によって得られる窒化ケイ素粉末中のウィスカーの本数は、走査型電子顕微鏡写真に示される窒化ケイ素粒子500個中の視野に存在するウィスカーの本数にして6本以下であり、好ましくは5本以下、より好ましくは4本以下である。7本以上の場合は、これを用いて成型を行った際に、ブリッジングを起こし成形体密度を低下させるため好ましくない。   The number of whiskers in the silicon nitride powder obtained by the production method of the present invention is 6 or less as the number of whiskers present in the field of view in 500 silicon nitride particles shown in the scanning electron micrograph, preferably 5 or less, more preferably 4 or less. In the case of 7 or more, when molding is performed using this, bridging occurs and the density of the molded body is lowered, which is not preferable.

本発明の製造法によって得られる窒化ケイ素粉末の平均粒子径は、0.05〜5.00μmであり、好ましくは0.08〜4.0μm、より好ましくは0.10〜3.0μmである。   The average particle diameter of the silicon nitride powder obtained by the production method of the present invention is 0.05 to 5.00 μm, preferably 0.08 to 4.0 μm, more preferably 0.10 to 3.0 μm.

本発明の製造法によって得られる窒化ケイ素粉末のBET比表面積値は、1〜30m/gであり、好ましくは1〜20m/gである。 The BET specific surface area value of the silicon nitride powder obtained by the production method of the present invention is 1 to 30 m 2 / g, preferably 1 to 20 m 2 / g.

本発明の製造法によって得られる窒化ケイ素粉末のα化率は90%以上であり、好ましくは93%以上、より好ましくは95%以上である。   The alpha ratio of the silicon nitride powder obtained by the production method of the present invention is 90% or more, preferably 93% or more, more preferably 95% or more.

本発明の製造法によって得られる窒化ケイ素粉末の窒素含有量は37重量%以上であり、好ましくは37.5重量%以上、より好ましくは38.0重量%以上である。   The nitrogen content of the silicon nitride powder obtained by the production method of the present invention is 37% by weight or more, preferably 37.5% by weight or more, more preferably 38.0% by weight or more.

本発明の製造法によって得られる窒化ケイ素粉末の酸素含有量は2.5重量%以下であり、好ましくは2.25重量%以下、より好ましくは2.0重量%以下である。   The oxygen content of the silicon nitride powder obtained by the production method of the present invention is 2.5% by weight or less, preferably 2.25% by weight or less, more preferably 2.0% by weight or less.

本発明の製造法によって得られる窒化ケイ素粉末の炭素含有量は0.6重量%以下であり、好ましくは0.5重量%以下、より好ましくは0.4重量%以下である。   The carbon content of the silicon nitride powder obtained by the production method of the present invention is 0.6% by weight or less, preferably 0.5% by weight or less, more preferably 0.4% by weight or less.

<作用>
本発明において最も重要な点は、出発原料として、特定のBET比表面積値と粒子サイズを有する炭素粉末を用いることにより、炭素含有量が低く、且つ、ウィスカーの生成が抑制された窒化ケイ素粉末を得ることができるという事実である。
<Action>
The most important point in the present invention is to use a silicon nitride powder having a low carbon content and suppressed whisker formation by using a carbon powder having a specific BET specific surface area value and particle size as a starting material. The fact that you can get.

本発明に係る窒化ケイ素の製造法が、ウィスカーの生成を抑制すると共に、炭素含有量を低減できる理由として、本発明者は次のように考えている。
還元窒化法による窒化ケイ素の製造において、出発原料として用いられる炭素粉末は表面積が大きいほど反応性が高くなるため、ウィスカーの生成を抑制するという観点からも、表面積の大きい炭素粉末が望ましい。しかし、一般に、粉体は表面積が大きくなると粒子サイズは小さくなる傾向にあり、還元反応に用いる炭素粉末の粒子サイズが小さくなると、反応の際に炭素粉末がシリカ粒子の間に入り込み、窒化ケイ素粒子生成後に行う過剰、もしくは未反応の炭素粉末の酸化除去が困難になり、不純物として残存しやすくなる。
本発明においては、表面積が大きく、また、粒子サイズも大きく微細粉末の少ない炭素粉末を選択的に用いたことにより、トレードオフの関係にある上記課題を解決できたものと考えている。
The present inventor considers that the silicon nitride production method according to the present invention can suppress the formation of whiskers and reduce the carbon content as follows.
In the production of silicon nitride by the reductive nitriding method, the carbon powder used as a starting material has a higher reactivity as the surface area is larger. Therefore, a carbon powder having a large surface area is also desirable from the viewpoint of suppressing the formation of whiskers. In general, however, the powder tends to have a smaller particle size when the surface area is larger. When the particle size of the carbon powder used for the reduction reaction is smaller, the carbon powder penetrates between the silica particles during the reaction, and the silicon nitride particles Oxidation and removal of excess or unreacted carbon powder after the production becomes difficult, and it tends to remain as impurities.
In the present invention, it is considered that the above-mentioned problems in a trade-off relationship have been solved by selectively using a carbon powder having a large surface area, a large particle size, and a small amount of fine powder.

更に、ウィスカーの生成を促進することで知られているV、Nb、Ta、Mo、Fe、Ni、Cr、Co、Cuの含有量を500ppm以下にしたこと、及び上記金属以外のSiを除く金属元素についても、直接ウィスカーの生成に関与しないが融剤としてV、Nb、Ta、Mo、Fe、Ni、Cr、Co、Cuによるウィスカー生成に寄与するため、これを含めたSiを除く全金属元素の総量を1500ppm以下にしたことによってもウィスカーの生成を抑制できたものと考えている。 Furthermore, the content of V, Nb, Ta, Mo, Fe, Ni, Cr, Co, and Cu known to promote whisker formation was reduced to 500 ppm or less, and metals other than the above metals except Si All elements that do not directly participate in whisker generation but contribute to whisker generation by V, Nb, Ta, Mo, Fe, Ni, Cr, Co, and Cu as a flux. It is considered that the production of whiskers could be suppressed even by setting the total amount of slag to 1500 ppm or less.

以下、本発明における実施例を示し、本発明を具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples.

比表面積値は、BET法により測定した値で示した。   The specific surface area value was indicated by a value measured by the BET method.

シリカ粒子粉末及び窒化ケイ素粉末の平均一次粒子径は、透過型電子顕微鏡もしくは走査型電子顕微鏡写真に示される粒子350個の粒子径をそれぞれ測定し、その平均値で示した。   The average primary particle diameters of the silica particle powder and the silicon nitride powder were expressed by measuring the particle diameters of 350 particles shown in the transmission electron microscope or scanning electron micrograph, respectively.

炭素粉末の粒子サイズは、「レーザー回折式粒度分布測定装置 model HELOS LA/KA」(SYMPATEC社製)の乾式分散ユニットを用いて、分散圧0.3MPa(3bar)にて測定した体積基準平均粒子径(D50)で示した。 The particle size of the carbon powder is a volume-based average particle measured at a dispersion pressure of 0.3 MPa (3 bar) using a dry dispersion unit of “Laser diffraction particle size distribution analyzer model HELOS LA / KA” (manufactured by SYMPATEC). The diameter (D 50 ) is shown.

微細粒子の含有率は、「レーザー回折式粒度分布測定装置 model HELOS LA/KA」(SYMPATEC社製)の乾式分散ユニットを用いて、分散圧0.3MPa(3bar)にて体積基準粒子径を測定し、体積基準粒子径が1μm以下の粒子の積算値で示した。   The fine particle content is measured by measuring the volume standard particle size at a dispersion pressure of 0.3 MPa (3 bar) using a dry dispersion unit of “Laser diffraction particle size distribution analyzer model HELOS LA / KA” (manufactured by SYMPATEC). The integrated value of particles having a volume reference particle diameter of 1 μm or less is shown.

シリカ粒子粉末中の金属元素含有量は、シリカ粒子粉末をフッ化水素酸により溶解後、ICP発光分光分析法により各元素量を測定した。   The metal element content in the silica particle powder was measured by ICP emission spectroscopic analysis after dissolving the silica particle powder with hydrofluoric acid.

炭素粉末中の金属元素含有量は、炭素粉末をマッフル炉内で加熱燃焼を行ない、燃焼後の残留灰分の水溶液を準備し、ICP発光分光分析法により各元素量を測定した。   Regarding the metal element content in the carbon powder, the carbon powder was heated and burned in a muffle furnace, an aqueous solution of residual ash after combustion was prepared, and the amount of each element was measured by ICP emission spectroscopy.

窒化ケイ素粉末中のウィスカーの本数は、走査型電子顕微鏡写真に示される窒化ケイ素粒子500個あたりの視野に存在するウィスカーの本数で示した。   The number of whiskers in the silicon nitride powder was indicated by the number of whiskers present in the visual field per 500 silicon nitride particles shown in the scanning electron micrograph.

窒化ケイ素粉末のα化率(%)は、CuKα線によりX線回折を行い、α相の(102)面の回折強度Ia102と(210)面の回折強度Ia210、β相の(101)面の回折強度Ib101と(210)面の回折強度Ib210より、下記数1に従って算出した。 Α-conversion rate of the silicon nitride powder (%) is subjected to X-ray diffraction by CuKα-ray, the α phase (102) plane of the diffraction intensity I a102 (210) plane of the diffraction intensity I a210, the β-phase (101) From the diffraction intensity I b101 of the surface and the diffraction intensity I b210 of the (210) surface, calculation was performed according to the following formula 1.

<数1>
α化率(%)=(Ia102+Ia210)/(Ia102+Ia210+Ib101+Ib210)×100
<Equation 1>
α conversion rate (%) = (I a102 + I a210 ) / (I a102 + I a210 + I b101 + I b210 ) × 100

窒化ケイ素粉末の窒素含有量(重量%)及び酸素含有量(重量%)は、「堀場金属酸素・窒素分析装置EMGA620−W」を用いて(株式会社堀場製作所製)を用いて測定を行った。   The nitrogen content (% by weight) and the oxygen content (% by weight) of the silicon nitride powder were measured using “Horiba Metal Oxygen / Nitrogen Analyzer EMGA620-W” (manufactured by Horiba, Ltd.). .

窒化ケイ素粉末の炭素含有量(重量%)は、「堀場金属炭素・硫黄分析装置EMIA−2200型」(株式会社堀場製作所製)を用いて炭素量を測定することにより求めた。   The carbon content (% by weight) of the silicon nitride powder was determined by measuring the carbon content using a “Horiba Metal Carbon / Sulfur Analyzer EMIA-2200 Model” (manufactured by Horiba, Ltd.).

<実施例1:窒化ケイ素粉末の製造>
シリカ粒子粉末(シリカ粒子1)(粒子形状:球状、平均一次粒子径:0.004μm、BET比表面積値:798.5m/g、V、Nb、Ta、Mo、Fe、Ni、Cr、Co、Cu含有量の合計:30ppm、Siを除く金属元素の総量:510ppm)100重量部と、炭素粉末A(種類:活性炭、体積基準平均粒子径(D50):17.9μm、微細粒子の含有率:0.18%、BET比表面積値:1473.3m/g、V、Nb、Ta、Mo、Fe、Ni、Cr、Co、Cu含有量の合計:41ppm、Siを除く金属元素の総量:407ppm)120重量部を出発原料とし、種晶として窒化ケイ素粉末(α化率:92%、平均粒子径:0.66μm)を2重量部を混合し、8%ポリビニルアルコール水溶液275重量部を加えてプラネタリミキサーで混練後、押出成形機により造粒体を形成した。
<Example 1: Production of silicon nitride powder>
Silica particle powder (silica particle 1) (particle shape: spherical, average primary particle size: 0.004 μm, BET specific surface area value: 798.5 m 2 / g, V, Nb, Ta, Mo, Fe, Ni, Cr, Co , Cu content: 30 ppm, 100 parts by weight of metal elements excluding Si: 510 ppm) and carbon powder A (type: activated carbon, volume-based average particle diameter (D 50 ): 17.9 μm, fine particles contained Rate: 0.18%, BET specific surface area value: 1473.3 m 2 / g, V, Nb, Ta, Mo, Fe, Ni, Cr, Co, Cu content total: 41 ppm, total amount of metal elements excluding Si : 407 ppm) 120 parts by weight as a starting material, 2 parts by weight of silicon nitride powder (α conversion rate: 92%, average particle size: 0.66 μm) as a seed crystal are mixed, and 275 parts by weight of an 8% aqueous polyvinyl alcohol solution Additionally kneaded in a planetary mixer, to form a granule by an extrusion molding machine.

次いで、得られた造粒体を黒鉛製容器に入れ、Nガスを流しながら1450℃で4.5時間加熱焼成を行い、還元窒化処理を行った。反応終了時のCO濃度は10ppmであった。得られた粉末を、空気中800℃で6時間加熱処理を行い、未反応炭素を燃焼除去して窒化ケイ素粉末を得た。 Subsequently, the obtained granulated body was put into a graphite container, and calcination was performed at 1450 ° C. for 4.5 hours while flowing N 2 gas to perform reduction nitriding treatment. The CO concentration at the end of the reaction was 10 ppm. The obtained powder was heat-treated in air at 800 ° C. for 6 hours to burn off unreacted carbon to obtain a silicon nitride powder.

得られた窒化ケイ素粉末は、平均一次粒子径が1.05μmであり、BET比表面積値は4.3m/g、α化率は96%、窒素含有量は39.3重量%、酸素含有量は1.73重量%、炭素含有量は0.22重量%、窒化ケイ素粒子500個あたりの視野に存在するウィスカーの本数が1本であった。 The obtained silicon nitride powder has an average primary particle diameter of 1.05 μm, a BET specific surface area value of 4.3 m 2 / g, an α conversion of 96%, a nitrogen content of 39.3% by weight, and an oxygen content The amount was 1.73 wt%, the carbon content was 0.22 wt%, and the number of whiskers present in the field of view per 500 silicon nitride particles was one.

実施例1に従って、窒化ケイ素粉末を作製した。各製造条件、得られた窒化ケイ素粉末の諸特性を示す。   According to Example 1, silicon nitride powder was produced. Various production conditions and various characteristics of the obtained silicon nitride powder are shown.

シリカ粒子2及び3:
シリカ粒子粉末として表1に示す特性を有するシリカ粒子粉末を用意した。
Silica particles 2 and 3:
A silica particle powder having the characteristics shown in Table 1 was prepared as a silica particle powder.

Figure 2009161376
Figure 2009161376

炭素粉末B〜E
炭素粉末として表2に示す特性を有する炭素粉末を用意した。
Carbon powders B to E
A carbon powder having the characteristics shown in Table 2 was prepared as the carbon powder.

Figure 2009161376
Figure 2009161376

<窒化ケイ素の製造法>
実施例2〜4、比較例1〜3
出発原料の種類及びその配合割合、還元窒化処理における反応温度及び反応時間、脱炭素処理における加熱温度及び加熱時間を種々変化させた以外は、前記実施例1の窒化ケイ素粉末の製造と同様にして窒化ケイ素粉末を得た。
<Method for producing silicon nitride>
Examples 2-4, Comparative Examples 1-3
The same procedure as in the manufacture of the silicon nitride powder of Example 1 except that the starting material type and blending ratio, the reaction temperature and reaction time in the reduction nitriding treatment, and the heating temperature and heating time in the decarbonization treatment were variously changed. A silicon nitride powder was obtained.

このときの製造条件を表3に、得られた窒化ケイ素粉末の諸特性を表4に示す。   The production conditions at this time are shown in Table 3, and various characteristics of the obtained silicon nitride powder are shown in Table 4.

Figure 2009161376
Figure 2009161376

Figure 2009161376
Figure 2009161376

本発明に係る窒化ケイ素粉末の製造法は、炭素含有量が低い共に、製造時に発生するウィスカーが抑制された窒化ケイ素粉末を安価に得ることができるので、自動車用エンジン部品やガスタービン等の高温構造用材料用窒化ケイ素粉末の製造法として好適である。
The method for producing silicon nitride powder according to the present invention can obtain silicon nitride powder with low carbon content and reduced whisker generated during production at a low cost, so that it can be used at high temperatures such as automotive engine parts and gas turbines. It is suitable as a method for producing silicon nitride powder for structural materials.

Claims (4)

還元窒化法における窒化ケイ素粉末の製造法において、出発原料として体積基準平均粒子径(D50)が5μm以上である炭素粉末を用いることを特徴とする窒化ケイ素粉末の製造法。 In the method for producing silicon nitride powder in the reductive nitriding method, a carbon powder having a volume-based average particle diameter (D 50 ) of 5 μm or more is used as a starting material. 請求項1記載の炭素粉末のBET比表面積値が300m/g以上であることを特徴とする窒化ケイ素粉末の製造法。 A method for producing a silicon nitride powder, wherein the carbon powder according to claim 1 has a BET specific surface area value of 300 m 2 / g or more. 還元窒化法における窒化ケイ素粉末の製造法において、出発原料としてV、Nb、Ta、Mo、Fe、Ni、Cr、Co、Cuの含有量が合計で500ppm以下であって、且つ、Siを除く金属元素の総量が1500ppm以下であるシリカ粒子粉末を用いることを特徴とする請求項1乃至請求項2に記載の窒化ケイ素粉末の製造法。 In the method for producing silicon nitride powder in the reduction nitriding method, the total content of V, Nb, Ta, Mo, Fe, Ni, Cr, Co, and Cu as starting materials is 500 ppm or less, and a metal excluding Si 3. The method for producing silicon nitride powder according to claim 1, wherein a silica particle powder having a total amount of elements of 1500 ppm or less is used. 出発原料としてシリカ粒子が湿式法により製造されたシリカ粒子粉末であることを特徴とする請求項3に記載の窒化ケイ素粉末の製造法。
The method for producing a silicon nitride powder according to claim 3, wherein the silica particles are produced by a wet method as a starting material.
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