JP2009156936A - カセッテ型放射線画像撮影装置 - Google Patents

Abstract

【課題】シンチレータと検出部との位置関係にずれが生じた場合にこれを検出することにより、適切なゲイン補正を可能とし、常に診断に好適な画像を得ることのできるカセッテ型放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】シンチレータ２１１と、シンチレータ２１１によって変換された電磁波を検出して電気信号に変換する信号検出部１５１と、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置ずれを検出するセンサ２３３と、信号検出部１５１による検出結果に基づく画像信号を読み取り、画像データを生成する制御部２７と、を備え、制御部２７は、センサ２３３による検出結果に基づいて、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置ずれに関する位置ずれ情報を取得する。
【選択図】図１０

Description

本発明は、カセッテ型放射線画像撮影装置に関する。

従来から、医療診断を目的とする放射線撮影分野においては、被写体に放射線を照射してその被写体を透過した放射線の強度分布を検出することにより、当該被写体の放射線画像を得る放射線画像撮影装置が広く知られている。
また、このような放射線画像撮影装置では、従来、増感紙と放射線写真フィルムを組み合わせた、いわゆるスクリーンフィルム方式が用いられることが多かったが、近年、放射線画像をデジタル的に取り込む手法やそのための画像取得装置が種々開発されている。

中でも、多数の光電変換素子をマトリクス状に配した薄型平板状の所謂「フラットパネルディテクタ（Flat Panel Detector）（以下「ＦＰＤ」と称する。）」と呼ばれる画像取得装置は、被写体を透過した放射線を検出して電気信号に光電変換して放射線画像を電気信号として取得するものであり、ＦＰＤから出力される電気信号を画像処理することにより容易かつ迅速に被写体の放射線画像を得ることができる。

ＦＰＤには、放射線を吸収し放射線を電荷に変換するアモルファス・セレン（ａ−Ｓｅ）層を設け、このａ−Ｓｅ層の中に放射線フォトンを高電圧で引き込むことにより、検出器に照射された放射線の放射線エネルギーを直接電荷量に変換する（電気信号化する）直接変換方式と、照射された放射線を可視光に変換するシンチレータとシンチレータにより変換された可視光を検出する検出部とを備える間接変換方式とがある。
直接変換方式は高電圧により発生するノイズが内部に蓄積されてＳ／Ｎ比の低下が生じるおそれがあるのに対して、間接変換方式はこのようなノイズの発生がないためＳ／Ｎ比のよい画像を得ることができる点で優れている。

ＦＰＤでは、検出部を構成する各光電変換素子は、最小分解能となる１画素に対応しているが、各光電変換素子は独立した素子であり、それぞれに異なる特性をもつ。このため、高精度の画像を得るためには、取得された画像に対して当該光電変換素子ごとの特性ばらつきに基づく補正を行わなければならない。

光電変換素子の主な特性ばらつきは、変換効率（ゲイン）及び暗電流（放射線の照射以外の要因）によるノイズ（オフセット）についてのものであり、均一で高精細な画像を得るためには、ゲイン補正及びオフセット補正を行って、このような光電変換素子ごとの特性ばらつきを解消する必要がある。

このゲイン補正及びオフセット補正を行うための補正値（ゲイン補正値及びオフセット補正値）については、例えばＦＰＤ出荷段階において補正値を定めたテーブルが作成され、メモリ等に記憶される（例えば、ゲイン補正値について特許文献１）。
また、光電変換素子の特性ばらつきは経時的に変化するものであることから、残留電荷を補正するためのテーブル（オフセット補正用のテーブル）を定期的に更新する手法（例えば、特許文献２参照）や、撮影毎に、ゲイン補正値の変動範囲及びオフセット補正値の変動範囲についての追試を行い、最新の補正データの有効性を検証・置換する技術も知られている（例えば、特許文献３参照）。

ＦＰＤが撮影室等に固定的に設置された立位装置や臥位装置に内蔵される場合には、撮影時に直接ＦＰＤに患者荷重（体重）がかかることはないため、その影響は比較的小さい。このため、光電変換素子の特性ばらつきの経時的変化は、ほぼ通電時間に比例し、補正タイミング等を予め設定することができる。

ところで、近時ＦＰＤを構成する検出器ユニット（例えば、シンチレータ、検出部等）をハウジング（筐体）に収納した可搬型の撮影装置（可搬型のＦＰＤ）が実用化されるようになってきた（例えば、特許文献４参照）。可搬型のＦＰＤの場合には、撮影時に直接ＦＰＤに患者荷重（体重）がかかるため、ハウジング内部に収納されたシンチレータ等の破損を防止するため、ハウジングに高剛性部材を付加して、ハウジング内部に作用する応力を低減させる構成が採用されている。

さらに、放射線画像撮影を行う既存の設備は従来のスクリーン／フィルム用のカセッテにおけるＪＩＳ規格サイズに倣って設計・製造されていることから、可搬型のＦＰＤもこのような規格サイズに倣ったカセッテ型とすることが好ましい。

しかし、当該ＪＩＳ規格サイズに適合するためには、従来の可搬型のＦＰＤよりも薄型化することが必要であり、カセッテハウジング（筐体）自体に十分な強度を持たせることが難しい。
このため、ＦＰＤを構成する検出器ユニットにある程度の曲げ強度を持たせることにより、シンチレータ等の割れ耐性を向上させることが検討されている。このように検出器ユニットの構成を工夫することにより、カセッテハウジング（筐体）自体を必要以上に強靭とする必要がなく、構造の簡素化と低コスト化を実現することができる。
特開平１１−１１３８８９号公報 米国特許第６９２０１９８号明細書 米国特許第６４００７９８号明細書 特開２００６−５８１２４号公報

しかしながら、可搬型のＦＰＤの場合には、撮影時に直接、ＦＰＤに患者荷重（体重）がかかるため、ハウジング内部に収納された検出器ユニットに対する荷重影響も大きく、柔らかい布団と患者との間にＦＰＤを挿入して撮影する場合等においては、ハウジングにねじれや撓みを生じせしめることがあり、これらを繰り返している間に、シンチレータとこれに対応する検出部の各光電変換素子との相対関係がずれてしまい、工場出荷時や設置時に予め調整されている補正値（特にゲイン補正値）の範囲から逸脱するおそれがある。
特に、検出器ユニットにある程度の曲げ強度を持たせて、装置全体の薄型化を図った場合には、患者の撮影に伴う繰り返しの荷重作用等の検出器ユニットに対する影響はさらに大きくなる。

このため、当初設定されていたゲイン補正値や、あらかじめ設定されている時間経過に伴う特性変動を相殺するような補正値が適正ではなくなり、診断に相応しい画像を得ることができなくなってしまうおそれがあった。

そこで、本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、シンチレータと検出部との位置関係にずれが生じた場合にこれを検出することにより、適切なゲイン補正を可能とし、常に診断に好適な画像を得ることのできるカセッテ型放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。

前記課題を解決するために、本発明は、
入射した放射線を別の波長の電磁波に変換するシンチレータと、
前記シンチレータによって変換された電磁波を検出して電気信号に変換する検出部と、
前記シンチレータと前記検出部との位置ずれを検出する位置ずれ検出手段と、
前記検出部による検出結果に基づく画像信号を読み取り、画像データを生成する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、前記位置ずれ検出手段による検出結果に基づいて、前記シンチレータと前記検出部との位置ずれに関する位置ずれ情報を取得することを特徴とする。

本発明に係るカセッテ型放射線画像撮影装置（カセッテＦＰＤ）によれば、位置ずれ検出手段を備えているので、撮影時の荷重作用等によってシンチレータと検出部との位置関係にずれが生じた場合にはこれを検出することができる。これにより、ずれが生じている場合にはゲイン補正の補正値を更新する等の対処を行うことができ、常に診断に適した良好な画像を得ることが可能となるとの効果を奏する。

以下、図１から図１３を参照しつつ、本発明に係るカセッテ型放射線画像撮影装置の第１の実施形態について説明する。ただし、発明の範囲を図示例に限定するものではない。

図１は、本実施形態におけるカセッテ型放射線画像撮影装置（以下「カセッテ型検出器」と称する。）の斜視図である。
本実施形態におけるカセッテ型検出器１は、カセッテ型のフラットパネルディテクタ（Flat Panel Detector：以下「ＦＰＤ」と称する。）であり、カセッテ型検出器１は、照射された放射線を検出しデジタル画像データとして取得する検出器ユニット２（図３等参照）と、この検出器ユニット２を内部に収納するハウジング３とを備えている。

図２は、本実施形態におけるハウジング３の分解斜視図である。
図２に示すように、ハウジング３は、底面部４１と側壁部４２を有してほぼ箱型に形成されカセッテ型検出器１を撮影に用いる際に放射線入射側となる側に開口部４８を有するバック部材４と、カセッテ型検出器１の放射線入射側に配置されたフロント部材５とを備えている。

フロント部材５は、矩形状に形成された矩形状部である平面部５１と、この平面部５１と一体的に構成された曲げ立ち上がり部（側壁部）５２とを備えており、バック部材４と同様にほぼ箱型に形成されている。フロント部材５は、カセッテ型検出器１を撮影に用いる際に放射線入射側と反対側に開口部５８を有し、バック部材４の開口部４８を塞ぐ蓋として機能する。

ハウジング３は、バック部材４とフロント部材５とを接合することにより一体となるようになっている。バック部材４とフロント部材５との接合手法は特に限定されず、例えばねじ止めすることにより接合してもよいし、接着固定してもよい。
なお、フロント部材５の曲げ立ち上がり部５２の高さとバック部材４の側壁部４２の高さとは、ほぼ１：１であることが好ましい。

本実施形態において、ハウジング３の放射線入射方向の厚さは、１５ｍｍとなっている。なお、ハウジング３の放射線入射方向の厚さ寸法は１５ｍｍに限定されないが、従来のスクリーン／フィルム用のカセッテにおけるＪＩＳ規格サイズ（１５ｍｍ＋１ｍｍであり、かつ１５ｍｍ−２ｍｍ）の範囲内に収まる寸法であることが好ましい。ＣＲ用のカセッテやブッキーテーブル等、既存の装置のほとんどがこのスクリーン／フィルム用のカセッテにおけるＪＩＳ規格サイズに合わせて作られているため、ハウジング３の寸法をＪＩＳ規格サイズに合わせることにより、カセッテ型のＦＰＤであるカセッテ型検出器１による撮影を行う場合でも既存の設備を利用することができる。

ハウジング３は、このフロント部材５の平面部（矩形状部）５１の中央部よりも平面部５１と曲げ立ち上がり部５２との稜線近傍部の曲げ剛性（曲げ強度）が高くなるように構成されている。すなわち、平面部（矩形状部）５１の中央部はなんら支えるものがないため、フロント部材５の平面部５１の板厚のみの強度しかなく、外部から加わる力（患者の体重）等による影響が大きいのに対して、平面部５１の稜線近傍部は、平面部５１と一体的に形成された曲げ立ち上がり部５２によって支えられているため、外部から力が加わったときに、撓み、歪みを生じにくくなっている。

ハウジング３を構成する部材のうち、少なくともフロント部材５は、カーボン繊維等を含む放射線透過率の高い材料によって形成されている。また、ハウジング３は、外部からの荷重に対する撓みを極力小さくするために、少なくとも放射線の入射側の面であるフロント部材５が、例えば超強弾性率カーボン繊維を使った超強弾性率材料で形成されていることが好ましい。従来、カーボン板としては、引張弾性率が約２００ＧｐａであるＰＡＮ系カーボン繊維を使用したものが多い。これに対して、例えばピッチ（ＰＩＴＣ）系カーボン繊維を使用したカーボン板であれば、引張弾性率が約８００Ｇｐａのものも存在しており、このようなピッチ系カーボン繊維を使用したカーボン板を、フロント部材５を形成する超強弾性率材料として用いることが好ましい。
ハウジング３の形成手法は特に限定されないが、例えば、カーボン繊維にエポキシ樹脂、不飽和ポリエステル等の熱硬化性樹脂を含浸させたシートであるカーボンプリプレグ（カーボン板の材料）をフロント部材５の形状に成型された型の上に積層し、これを高温高圧で焼き固めることにより、所望の形状とすることができる。

また、本実施形態において、バック部材４は、例えばアルミニウム、マグネシウムのような軽金属で形成されている。なお、バック部材４を形成する材料は特に限定されず、例えばフロント部材５と同様にカーボン繊維等を含む材料によって形成されていてもよい。

なお、ハウジング３は、上記のような構成のものに限定されず、ＣＲシステムにおいて実用化されているカセッテの一般的な構成のものを採用することができる。すなわち、例えば、カセッテが分離可能なフロント板とバック板とから構成され、複数のロック爪を備えるロック機構によってフロント板とバック板とをロックする構成のハウジング（例えば、特開２００２−１５６７１７号公報参照）や、筐体と、筐体に装着されるとともに、少なくとも一部分が筐体に対して開閉自在なカバー部材とを備え、筐体に設けられた凹部にカバー部材に設けられた突起部を嵌合させることにより、筐体とカバー部材とをロックする構成のハウジング（例えば、特開２００１−６６７２１号公報参照）等であってもよい。

バック部材４の短辺方向の一側面上には、図１及び図２に示すように、ハウジング３の内部に設けられた充電池２５（図３等参照）を充電する際に外部の電源等と接続される充電用端子４５が形成されており、また、カセッテ型検出器１の電源のＯＮ／ＯＦＦを切り替える電源スイッチ４６が配置されている。また、フロント部材５の曲げ立ち上がり部５２の一端であって、前記電源スイッチ４６に対応する位置には、電源スイッチの上縁部が嵌め込まれる切り欠き部５５が形成されている。さらに、この切り欠き部５５が形成されている曲げ立ち上がり部５２と平面部５１とによって形成される角部には、例えばＬＥＤ等で構成され充電池２５の充電状況や各種の操作状況等を表示するインジケータ５６が設けられている。

図３は、検出器ユニット２がハウジング３に収納された状態を下側（撮影時の放射線入射側とは反対側）から見た平面図であり、図４は、図３におけるＣ−Ｃ断面図、図５は、図３におけるＤ−Ｄ断面図、図６は、図３におけるＥ−Ｅ断面図である。なお、図３では、便宜上バック部材４の底面部４１がない状態でハウジング３の内部の状態を示している。

図３から図６に示すように、検出器ユニット２は、検出パネル２１、各種の電子部品２２及びこれらを実装した回路基板２３等を備えて構成されている。本実施形態では、回路基板２３は、樹脂等の柔軟性を有する材料で形成された基台２４に固定され、この基台２４を検出パネル２１に対して接着固定等することによって回路基板２３が基台２４を介して検出パネル２１に固定されている。なお、基台２４は本発明の必須の構成要素ではなく、基台２４を介さずに回路基板２３等を直接検出パネル２１に固定する構成としてもよい。

図３に示すように、本実施形態では、電子部品２２を搭載する回路基板２３が４つに分割されている。なお、電子部品２２は、できるだけ検出パネル２１の外周に沿って配置されることが好ましい。電子部品２２を回路基板２３上にこのように配置することによって、検出器ユニット２をハウジング３に収納した際に電子部品２２がハウジング３のフロント部材５の平面部５１（矩形状部）の稜線に沿って配置される。

なお、回路基板２３の形状、数、配置、及び、回路基板２３上に設けられる電子部品２２の形状、数、配置は、図示例に限定されないが、外部からの荷重が加わった際に検出器ユニット２自体が撓んで応力を吸収しやすくすることと、回路基板２３自体の撓み量を小さくして回路基板２３の破損を防止するためには、電子部品２２及びこれを搭載する回路基板２３を一体的に形成するのではなく、複数に分割して配置することが好ましい。
また、外部からの荷重が加わった際に電子部品２２がバック部材４の底面部４１と干渉しないように、電子部品２２はできるだけハウジング３の中央部分を避けて、フロント部材５の平面部５１（矩形状部）の稜線に近い位置に配置されることが好ましい。
後述する信号検出部１５１（図１０参照）から回路基板２３に対する配線は信号検出部１５１の側面、すなわち、検出パネル２１の側面から出ているため、このように回路基板２３及びこれに搭載される電子部品２２を検出パネル２１の各角部近傍に配置し、平面部５１の稜線に沿って配置すれば、無駄な寄生容量の発生も抑えることができ望ましい。

本実施形態において、回路基板２３上に配置される電子部品２２としては、例えば検出パネル２１を構成する信号検出部１５１（図１０参照）等の制御を行う制御部２７（図１３参照）を構成するＣＰＵ（central processing unit）（図示せず）、ＲＯＭ（read only memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）等からなる記憶部（図示せず）、走査駆動回路１６（図１３参照）、信号読出し回路１７（図１３参照）、画像データを記憶する画像記憶部１８（図１３参照）等がある。

また、検出器ユニット２には、外部のコンピュータ等の外部装置（図示せず）との間で各種信号の送受信を行う通信部２８（図１３参照）が設けられている。通信部２８は、例えば、信号検出部１５１から出力された画像信号を外部装置に転送したり、外部装置から送信される撮影開始信号等を受信するようになっている。なお、通信は有線で行われる場合、無線で行われる場合のいずれでもよく、無線で通信が行われる場合には図示しないアンテナ装置を備える構成とする。

また、基台２４上には、カセッテ型検出器１を構成する複数の駆動部（例えば、後述する走査駆動回路１６（図１３参照）、信号読出し回路１７（図１３参照）、通信部２８、記憶部（図示せず）、充電量検出部（図示せず）、インジケータ５６、検出パネル２１等）に電力を供給する電力供給部として充電池２５が設けられている。

充電池２５としては、例えばニッカド電池、ニッケル水素電池、リチウムイオン電池、小型シール鉛電池、鉛蓄電池等の充電自在な電池を適用することができる。また、充電池２５に代えて、燃料電池等を適用してもよい。なお、電力供給部としての充電池２５の形状、大きさ、個数、配置等は、図３等に例示したものに限定されない。

充電池２５は、基台２４上の所定の位置に設置することにより前述の充電用端子４５と電気的に接続されるようになっており、例えば、カセッテ型検出器１を外部電源と接続されるクレードル等の充電用装置（図示せず）に装着することによって充電用装置側の端子とハウジング３側の充電用端子４５とが接続されて充電池２５の充電が行われるようになっている。

また、図３、図５及び図６に示すように、各電子部品２２や充電池２５の配置されていない箇所には、これらの部品がハウジング３と干渉して破損することのないように保護する緩衝部材２６が設けられている。なお、緩衝部材２６や電子部品２２の数、配置等はここに例示したものに限定されない。緩衝部材２６の材料は特に限定されないが、例えば、ポリウレタン等の弾性を有する樹脂等を適用することができる。

図７は、検出パネル２１の平面図であり、図８は、検出パネル２１を図７における矢視Ｆ方向から見た側面図であり、図９は、検出パネル２１の図７におけるＧ−Ｇ断面図である。
検出パネル２１は、入射した放射線を光に変換するシンチレータ２１１が一方の面に貼付された第１のガラス基材２１４、シンチレータ２１１の下側に積層されシンチレータ２１１により変換された光を検出して電気信号に変換する信号検出部１５１（図１０参照）が一方の面に形成された第２のガラス基材２１３等を備えて構成されており、これらが積層された積層構造となっている。

シンチレータ２１１は、例えば、支持体２２１上に気相成長法によりシンチレータ層２２２（発光層）を形成したものであり、シンチレータ層２２２は、蛍光体の柱状結晶からなっている。気相成長法としては、スパッタ法、蒸着法、化学蒸着法（ＣＶＤ：chemical vapor deposition）等が好ましく用いられる。いずれの手法においても、蛍光体の層を支持体２２１上に独立した細長い柱状結晶に気相成長させることができる。
図９及び図１０に示すように、支持体２２１及びシンチレータ層２２２はシンチレータ層２２２を保護するためのフィルム状の薄膜で形成された封止袋２２３内に封入されている。封止袋２２３の周縁部はシール剤２２４によって封止されており、封止袋２２３は外部から水分等が浸入しないように密封されている。支持体２２１を形成する材料は特に限定されないが例えばアルミ箔等を適用することができる。
シンチレータ２１１は、入射したＸ線等の放射線を別の波長の電磁波に変換するようになっており、例えばＸ線等の放射線が入射すると、この放射線を、波長が３００ｎｍから８００ｎｍの電磁波、すなわち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波（光）に変換して出力する。

このシンチレータ層２２２を構成する蛍光体としては、例えば、ＣａＷＯ_４等を母体材料とするものや、ＣｓＩ：ＴｌやＣｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂ、ＺｎＳ：Ａｇ等の母体材料内に発光中心物質が付活されたものを用いることができる。また、希土類元素をＭとしたとき、（Ｇｄ，Ｍ，Ｅｕ）_２Ｏ_３の一般式で示される蛍光体を用いることができる。特に、放射線吸収及び発光効率が高いことよりＣｓＩ：ＴｌやＣｄ_２Ｏ_２Ｓ：Ｔｂが好ましく、これらを用いることで、ノイズの低い高画質の画像を得ることができる。

また、図１０、図１１に示すように、本実施形態において、支持体２２１のシンチレータ層２２２が形成されている側とは反対の面には、複数のマーカー２３１が設けられている。マーカー２３１は、シンチレータ２１１の画像記録に用いられる有効画像領域αを避けて配置されており、支持体２２１の各辺の両端部近傍に、それぞれ２つずつ配置されている。なお、マーカー２３１の数、大きさ、形状等はここに示したものに限定されない。例えば、支持体２２１のいずれかの辺にのみマーカー２３１を設けてもよい。また、マーカー２３１を一定の間隔を置いて配置してもよい。さらに、マーカー２３１を支持体２２１の側縁に沿って線状に設けてもよい。

シンチレータ２１１は、第１のガラス基材２１４の下側（撮影時に放射線が入射する側と反対側）に貼付されており、第１のガラス基材２１４の上側（撮影時に放射線が入射する側）にはガラス保護フィルム２１５がさらに積層されている。
また、シンチレータ２１１の下側（撮影時に放射線が入射する側とは反対側）には、第２のガラス基材２１３が積層されており、第２のガラス基材２１３の下側にはガラス保護フィルム２１６がさらに積層されている。

第１のガラス基材２１４及び第２のガラス基材２１３は、ともに厚みが０．６ｍｍ程度であり、矩形状に形成されている。両ガラス基材２１４，２１３は、レーザにより端面を切断することにより、端面、すなわち、切断面と、この切断面とガラス基材の上面との稜線部分、及び切断面とガラス基材の下面との稜線部分を平滑化する平滑化処理を施されていることが好ましい。なお、第１のガラス基材２１４及び第２のガラス基材２１３の厚みは０．６ｍｍに限定されない。また、第１のガラス基材２１４と第２のガラス基材２１３とで厚みが異なるようにしてもよい。

ここで、レーザで第１のガラス基材２１４及び第２のガラス基材２１３の端面を切断することによる平滑化処理について説明する。
ガラスを切断する場合、まずガラス表面に硬く鋭いもので筋（傷）をつけてガラスの厚さ方向に垂直クラックを形成し（スクライブ作業）、このクラックを伸ばすように応力をかけて割る（分断作業）という二つの作業工程を経るのが一般である。そして、従来は、ガラス表面に傷を付ける作業（スクライブ作業）を超硬合金、電着ダイヤモンド、焼結ダイヤモンド等を用いて行っていた。しかし、ガラス表面に超硬合金やダイヤモンド等で傷を付けた場合には、切断（分断）されたガラスの端面に微細な凹凸ができ、曲げ等の負荷をガラスにかけた場合に、この凹凸部分に応力が集中するため、割れやすいという問題があった。
この点、本実施形態では、レーザを用いて第１のガラス基材２１４及び第２のガラス基材２１３の表面に傷を付ける作業（スクライブ作業）を行う。このようにレーザを用いた場合には、切断（分断）後のガラスの端面が平滑化されるので、曲げ等の負荷に対するガラスの強度を高めることができる。
ガラス基材の割れは、外力の大きさというよりは、むしろ、ガラス基材断裁時に応力集中の元となる部分的なバリや、部分的な凸凹部が形成されることに起因しているため、このように断裁後の端面を平滑化する処理をすることにより、かなりの外力（応力）に対してもガラス基材の割れ等の発生を防止することができる。

なお、レーザにより第１のガラス基材２１４及び第２のガラス基材２１３の端面を切断する切断装置としては、例えばレーザ発振部において、ＹＡＧ（Yttrium Aluminum Garnet イットリウム・アルミニウム・ガーネット結晶）をレーザ光学媒体として用いるＹＡＧレーザ等が好適に用いられるが、切断に用いられる切断装置はこれに限定されない。

図１０に示すように、第２のガラス基材２１３の上側（シンチレータ２１１に対向する側）には、シンチレータ２１１から出力された電磁波（光）を電気エネルギーに変換して蓄積し、蓄積された電気エネルギーに基づく画像信号の出力を行う検出部である信号検出部１５１が形成されている。信号検出部１５１は、最小分解能となる１画素に対応する光電変換部（光電変換素子）１６０がマトリクス状に複数配列されたものである。

このように、本実施形態においては、信号検出部１５１が、シンチレータ２１１の下側に積層されており、信号検出部１５１の下側に配置された第２のガラス基材２１３と、シンチレータ２１１の上側に配置された第１のガラス基材２１４との間に、信号検出部１５１とシンチレータ２１１とが対向した状態で挟み込まれる構成となっている。
従来は、ハウジングを通じて内部のガラス基材に作用する応力を抑制しなければ、ガラス基材の割れは防止できないと考えられていたため、ハウジングとガラス基材との間にスペースを設け、当該スペースに外力を緩和／減少せしめる緩衝部材を多用していた。このためハウジングが一層大型化するものであった。
この点、本発明者等は、ガラス基材の割れは、当該ガラス基材に作用する外力の大きさというよりは、むしろ、ガラス基材断裁時に応力集中の元となる部分的なバリや、部分的な凸凹部が形成されることに起因していることを見出した。そこで、上記の応力集中の元となる前記のバリや、凸凹部を除去すべく、断裁後の端面を平滑化する処理を行い、これにより、前述のような構成のハウジング３に作用する患者の体重等に起因する荷重や撓みに対して、ガラス基材２１３，２１４の割れ等の発生を防止することが可能となった。

また、第１のガラス基材２１４と第２のガラス基材２１３との外周縁に沿って封止部材２１７が設けられており、この封止部材２１７によって第１のガラス基材２１４と第２のガラス基材２１３とが接着され、結合されている。これにより、曲げ等の負荷に対してより強度を高めることができる。

さらに、第１のガラス基材２１４と第２のガラス基材２１３とを接着する際は、第１のガラス基材２１４と第２のガラス基材２１３との間の空間から空気を吸引する等により脱気した後に封止部材２１７による接着、結合を行うようになっており、これにより、空気に含まれる湿気がシンチレータ２１１等に影響を及ぼすのを防ぐことができ、シンチレータ２１１等の長寿命化を図ることができる。

また、検出パネル２１の各角部及び角部同士の中間近傍には検出パネル２１を外部からの衝撃等から保護するための緩衝部材２１８が設けられている。

また、図７に示すように、検出パネル２１の上側（撮影時に放射線が入射する側）であって各辺の側縁部には、上記緩衝部材２１８を挟むようにセンサ部２３２が設けられている。センサ部２３２には、例えばレーザ等の光を照射する照射部（図示せず）と照射された光の反射光を検出する検出部（図示せず）とを備えるセンサ２３３（図１３参照）が複数設けられている。本実施形態において、センサ２３３は、前記シンチレータ２１１に設けられたマーカー２３１の位置（マーカー位置）を検出可能な位置ずれ検出手段である。なお、センサ２３３の種類、構成は特に限定されない。
このように検出パネル２１の各辺にセンサ部２３２を配置するとともに、各センサ部２３２に複数のセンサ２３３を備えることにより、図１１に示すように、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置関係がＸ方向、Ｙ方向の双方においてずれている場合にも、マーカー２３１の位置を検出することができる。各センサ２３３による検出結果は、後述する制御部２７に出力されるようになっている。

次に、カセッテ型検出器１の機能的構成について図１３を用いて説明する。
カセッテ型検出器１は、例えば、汎用のＣＰＵ（図示せず）及びＲＯＭ、ＲＡＭで構成される記憶部（図示せず）から構成される制御部２７を備えている。制御部２７は、ＲＯＭに格納される所定のプログラムを読み出してＲＡＭの作業領域に展開し、当該プログラムに従ってＣＰＵが各種処理を実行するようになっている。後述するように、制御部２７は、検出部である信号検出部１５１による検出結果に基づく画像信号を読み取り、画像データを生成する制御手段である。
本実施形態において、記憶部には、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置関係の基準となる各マーカー２３１の基準位置が記憶されている。なお、各マーカー２３１の基準位置は制御部２７の記憶部に記憶されている場合に限定されず、データ等を記憶する記憶部を別途設けて、これに記憶されていてもよい。

また、カセッテ型検出器１は、ＲＡＭ（Random Access Memory）やフラッシュメモリなどの書き換え可能な読出し専用メモリ等からなる画像記憶部１８を備えている。
画像記憶部１８は、検出パネル２１から出力された画像データを記憶するようになっている。本実施形態においては、画像記憶部１８に記憶される画像データには、例えばヘッダ情報として、当該画像データ取得時のセンサ２３３の検出結果又はシンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置ずれの有無・程度等を表す位置ずれ情報が付帯されている。画像記憶部１８は内蔵型のメモリでもよいし、メモリカード等の着脱可能なメモリでもよい。

制御部２７には、通信部２８から受信された情報等が電気信号として入力されるようになっており、制御部２７は、入力された信号に基づいて各部の制御を行うようになっている。

また、制御部２７は、走査駆動回路１６を駆動させて各光電変換部１６０にパルスを送り当該各光電変換部１６０を走査・駆動させるようになっている。そして、各光電変換部１６０のフォトダイオード１５２（光電変換素子）に蓄積された電気エネルギーを読み出す信号読出し回路１７によって読み出され、読み出された画像信号は制御部２７に出力されるようになっている。

また、制御部２７は信号読出し回路１７から出力された画像信号に基づいて画像データを生成する。生成された画像データは画像記憶部１８に送られ、画像データは撮影対象となった被写体と対応付けられて画像記憶部１８に記憶される。また、画像記憶部１８に記憶された画像データは、通信部２８を介して適宜外部のコンピュータ等の外部装置（図示せず）に送られるようになっている。

また、制御部２７には、センサ２３３によるマーカー位置の検出結果が入力される。制御部２７は、この検出結果を記憶部に記憶されているマーカー２３１の基準位置と比較することにより、各マーカー２３１のＸ方向及びＹ方向における位置が基準位置からどの程度ずれているかという位置ずれ情報を取得するようになっている。例えば、図１１に示す例では、マーカー２３１の位置がＸ方向、Ｙ方向の双方についてそれぞれマーカー２３１の基準位置からずれている。
制御部２７は、センサ２３３による検出結果又はこの検出結果に基づいて取得した位置ずれ情報を、通信部２８を介して外部のコンピュータ等の外部装置に出力するようになっている。なお、制御部２７は、検出結果又は位置ずれ情報を当該位置ずれ状態で撮影された画像の画像データに付帯させ、付帯情報として画像データとともに画像記憶部１８に記憶させてもよい。また、検出結果、位置ずれ情報の双方を外部装置に出力し又は画像データに付帯させてもよい。

例えば、工場出荷時からシンチレータ２１１に塵等の異物Ｄ（図１２参照）が付着していた場合、この異物Ｄの付着している部分では、シンチレータ２１１を透過する放射線量が少なくなるため、信号検出部１５１の当該部分に対応する光電変換部（画素）１６０に入射する光量も低下する。このため、光電変換部（画素）１６０に発生する電荷量（感度）が低下し、当該光電変換部（画素）１６０から出力される信号値が低下する。

例えば、図１２（ａ）では、信号検出部１５１の一部の光電変換部（画素）１６０ｂに対応するシンチレータ層２２２の表面等に異物Ｄが付着している場合、異物Ｄが付着していない部分に対応する光電変換部１６０ａ，１６０ｃ，１６０ｄ，１６０ｅ…の感度が１．０であるとき、光電変換部（画素）１６０ｂの感度が０．５である場合（すなわち、シンチレータ２１１の全面に放射線を単位線量照射した場合に、異物Ｄがない部分では各光電変換部１６０からｘ個の電荷が発生するところ、異物Ｄの付着している部分に対応する光電変換部１６０からはｘ／２個の電荷しか発生しない場合）を例として示している。この場合、画像データに対してゲイン補正を行う場合には、光電変換部１６０ａ，１６０ｃ，１６０ｄ，１６０ｅ…については、それぞれ信号値にゲイン補正係数１．０を掛け、信号値が低下している光電変換部１６０ｂの信号値にはゲイン補正係数２．０を掛けるようにゲイン補正値が設定される。これにより、異物Ｄの付着により低下していた光電変換部１６０ｂの信号値が他の光電変換部１６０ａ，１６０ｃ，１６０ｄ，１６０ｅ…と同じレベル（補正後の画像信号値はともに１．０）となり、均一な画像を得ることができる。

ゲイン補正値は、工場出荷時等に、当該時点でのシンチレータ２１１と信号検出部１５１（信号検出部１５１を構成する各光電変換部１６０）との関係に基づいて設定されるが、その後シンチレータ２１１と信号検出部１５１との間の位置関係がずれると、信号値の低下する光電変換部１６０ａ，１６０ｂ，１６０ｃ，１６０ｄ，１６０ｅ…も変化することから、適切なゲイン補正を行うことができなくなる。
例えば、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示した状態からシンチレータ２１１がβ方向に０．５画素分移動した（ずれた）場合を示している。この場合には、光電変換部１６０ｃ，１６０ｄ，１６０ｅ…の感度は１．０であり、光電変換部１６０ａ，１６０ｂの感度は０．７５である。このため、図１２（ａ）に示した場合と同様のゲイン補正係数を各光電変換部１６０の信号値に掛けると、補正後の画像信号値は、光電変換部１６０ｃ，１６０ｄ，１６０ｅ…では１．０、光電変換部１６０ａでは０．７５、光電変換部１６０ｂでは１．５となり、全体に均一な画像を得ることができない。

そこで、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との間の位置関係がずれた場合には、その位置ずれに応じてゲイン補正値（ゲイン補正係数）を修正する必要がある。この点、本実施形態ではセンサ２３３による検出結果や位置ずれ情報を外部装置に出力させるので、当該条件下で取得された画像データについては、ゲイン補正値を修正する必要があることが明らかとなり、外部装置において適宜ゲイン補正値の修正・更新を行うことが可能となる。
なお、ゲイン補正値の修正は、例えば、外部装置において位置ずれ情報を画像データとともに表示させることにより、ユーザが外部装置に出力された位置ずれ情報等を確認し、ゲイン補正値の修正が必要と判断したときに手動でゲイン補正値の更新を行い、更新されたゲイン補正値に基づいて画像データに対するゲイン補正が行われる。なお、位置ずれ情報等が外部装置に出力されると、当該外部装置の制御部において、位置ずれの程度に応じて自動的にゲイン補正値の修正・更新を行い、更新されたゲイン補正値に基づいて画像データに対するゲイン補正を行うようにしてもよい。

次に、本実施形態におけるカセッテ型検出器１の作用について説明する。

カセッテ型検出器１を撮影に使用する場合には、例えば、撮影対象である患者をベッドに寝かせ、ベッドと患者の身体との間にシンチレータ２１１の設けられている側を上にしてカセッテ型検出器１を差し込み、撮影を行う。また、カセッテ型検出器１を既存のＣＲ用のカセッテによる撮影の際に用いられるブッキーテーブル等にセットして使用することも可能である。
カセッテ型検出器１には、撮影の度に荷重（患者の体重）がかかり、この荷重等により、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置関係にずれが生じることがある。

本実施形態においては、撮影毎、又は所定の期間経過毎等にセンサ２３３によってマーカー２３１の位置を検出し、センサ２３３による検出結果は、制御部２７に出力される。カセッテ型検出器１の記憶部には、工場出荷時等におけるシンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置関係を示すマーカー２３１の基準位置が記憶されており、制御部２７は、この基準位置とセンサ２３３によって検出された検出結果とを比較することにより、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置ずれ情報を取得する。

制御部２７は、センサ２３３による検出結果又は位置ずれ情報を、通信部２８を介して外部のコンピュータ等の外部装置に出力する。また、検出結果又は位置ずれ情報は、付帯情報として画像データと対応付けられ、画像記憶部１８に記憶される。

画像データ及びこれに付帯するセンサ２３３による検出結果又は位置ずれ情報を取得した外部装置では、検出結果又は位置ずれ情報を適宜表示部等に表示させて、ユーザに対して、ゲイン補正値の修正が必要である旨の注意を喚起する。また、検出結果又は位置ずれ情報に基づいて、必要に応じてゲイン補正値を修正・更新し、修正後のゲイン補正値を適用して当該画像データについてのゲイン補正を行う。

以上のように、本実施形態によれば、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置ずれを検出して、これを適宜外部装置に出力するので、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置関係が当初のものからずれていることをユーザが認識することができ、位置ずれの方向、ずれ量等に応じて適切にゲイン補正値を修正・更新することができる。
このため、撮影の際にかかる荷重（患者の体重）等によりシンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置がずれた場合でも、適正なゲイン補正を行うことができ、診断・読影等に適した高精細な画像を得ることができる。

また、ハウジング３の放射線入射方向の厚さが１５ｍｍであり、従来のスクリーン／フィルム用のカセッテにおけるＪＩＳ規格サイズの範囲内に収まる寸法であるため、カセッテ型のＦＰＤであるカセッテ型検出器１による撮影を行う場合でもＣＲ用のカセッテ用に設けられているブッキーテーブル等、既存の装置、設備を利用することができる。

また、カセッテ型検出器１には撮影時に患者の体重等の負荷がかかるため、負荷に対する剛性（強度）が要求されるが、本実施形態では、検出パネル２１を２枚のガラス基材（第２のガラス基材２１３、第１のガラス基材２１４）でシンチレータ２１１及び信号検出部１５１を挟み込む構成とするとともに、これらのガラス基材２１３，２１４をレーザによって切断することで端面に平滑化処理を施しているので、ガラス基材２１３，２１４の曲げ剛性（曲げ強度）が高い。
また、検出器ユニット２を、矩形状部である平面部５１を有しこの平面部５１部の中央部よりも稜線近傍部の曲げ剛性（曲げ強度）が高いハウジング３の内部に収納している。
このため、カセッテ型のＦＰＤであるカセッテ型検出器１をＪＩＳ規格サイズに適合するように薄型化した場合でも、カセッテ型検出器１全体として撓みや変形を生じにくい。また、ハウジング３内部に収納された検出器ユニット２は、外部からの負荷（例えば患者の体重）に対してある程度柔軟に撓みを許容するので、検出パネル２１等の破損や歪みを生じにくく、高精度の撮影を行うことができる。

また、２枚のガラス基材（第１のガラス基材２１４、第２のガラス基材２１３）でシンチレータ２１１及び信号検出部１５１を挟み込んでいるので、外部からの負荷がかかった際等に、シンチレータ２１１や信号検出部１５１が破損するのを防ぐことができる。

また、第１のガラス基材２１４と第２のガラス基材２１３との間の空間を脱気しているので、空気に含まれている湿気によるシンチレータ２１１の腐食等を防止することができる。

なお、本実施形態においては、センサ２３３により、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置ずれを、図１１におけるＸ方向、Ｙ方向の両方について検出する場合を例としたが、位置ずれの検出対象はこれに限定されない。センサ２３３は、例えば、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置ずれのうち、図１１におけるＸ方向又はＹ方向のいずれか一方向の位置ずれについて検出するものでもよく、最低１画素程度の範囲に設けられていればよい。
例えば、図１１におけるＸ方向における位置ずれのみを検出する場合には、シンチレータ２１１の短辺方向（図１１におけるＸ方向）に沿ってマーカー２３１及びこれを検出するセンサ２３３を配置する。また、図１１におけるＹ方向における位置ずれのみを検出する場合には、シンチレータ２１１の長手方向（図１１におけるＹ方向）に沿ってマーカー２３１及びこれを検出するセンサ２３３を配置する。

また、マーカー２３１及びセンサ２３３を設ける位置・数等は実施形態中に示したものに限定されない。さらに多くのマーカーを設けてもよいし、例えば、シンチレータ２１１の短辺方向（図１１におけるＸ方向）のいずれかの辺と長手方向（図１１におけるＹ方向）のいずれかの辺とにそれぞれ単数又は複数のマーカーを設け、これを検出可能な位置にセンサを設けてもよい。また、マーカー及びセンサは検出パネル２１の有効画像領域外であればどこに設けられていてもよく、その配置等は図示例に限定されない。例えば、封止袋２２３の表面等に設けられていてもよい。

また、外部装置においてゲイン補正値の修正を自動的に行う場合には、外部装置の記憶部等に、補正値テーブルを予め記憶させておいてもよい。この場合には、位置ずれが図１１に示すＸ方向、Ｙ方向のどちらについてどの程度生じているのかに応じて補正値を対応付けた補正値テーブルを予め当該外部装置の記憶部等に記憶させておき、外部装置の制御部において、この補正値テーブルを参照してゲイン補正値の修正を行い、画像データに対するゲイン補正を行う。
補正値テーブルを、Ｘ方向のみにずれが生じている場合、Ｙ方向のみにずれが生じている場合、Ｘ方向、Ｙ方向の双方にずれが生じている場合の３種用意し、外部装置の制御部が、位置ずれがいかなる方向に生じているかを判断し、位置ずれの生じている方向に応じた補正値テーブルを選択し、当該テーブルを参照してゲイン補正値の修正を行うようにしてもよい。

また、本実施形態では、シンチレータ２１１の表面に塵等の異物Ｄが付着して信号検出部１５１の出力信号値が低下する場合を例としたが、信号検出部１５１の出力信号値が部分的に低下する原因は、シンチレータ２１１に異物Ｄが付着している場合に限定されず、例えばシンチレータ層２２２の一部に柱状結晶の成長のばらつきがある場合等、シンチレータ層２２２自体の異常等により部分的に出力信号値が低下する場合にも本実施形態を適用することができる。

また、本実施形態では、センサ２３３による検出結果又は位置ずれ情報を外部装置に出力し、外部装置において、検出結果又は位置ずれ情報に基づいてゲイン補正値の修正・更新を行い、修正後のゲイン補正値を適用して画像データのゲイン補正を行う構成としたが、カセッテ型検出器１の制御部２７が画像データを補正する機能を有する構成としてもよい。
この場合には、カセッテ型検出器１の制御部２７内の記憶部又は別途設けられた記憶部等に検出結果又は位置ずれ情報に基づいてゲイン補正値を修正するための補正値テーブル等を予め保存しておき、これに基づいてゲイン補正値の修正・更新を行う。そして、修正後のゲイン補正値によって画像データに対してゲイン補正を行い、補正後の画像データを画像記憶部１８に記憶させるとともに、適宜画像データを外部装置に出力する。

また、ハウジング３の形状はここに例示したものに限定されない。例えば、図１４、図１５に示す構成のハウジング３を適用してもよい。
すなわち、バック部材４の長尺方向に直交する側の一端に、側面から裏面にかけてバック側切り欠き部４３を設け、フロント部材５の長尺方向に直交する側の一端であって、このバック側切り欠き部４３に対応する位置に、フロント側切り欠き部５３を設ける。そして、バック部材４とフロント部材５とを接合したときに、バック側切り欠き部４３とフロント側切り欠き部５３とによって、充電池２５を出し入れ可能な取出し口３１が形成されるようにする。
また、ハウジング３には取出し口３１に嵌め込む蓋部材８が設けられる。蓋部材８の側端面には、ガイド用凸部８５，８５が設けられており、フロント側切り欠き部５３及びバック側切り欠き部４３には、このガイド用凸部８５，８５を案内するガイド用溝４４，５４が設けられている。蓋部材８は、ガイド用凸部８５，８５をガイド用溝４４，５４に沿ってスライドさせることにより取出し口３１に嵌め込まれるように構成されており、取出し口３１に蓋部材８を嵌め込むことによりハウジング３の内部が密閉されるようにする。
なお、蓋部材８の構成・形状等は図１４、図１５に示したものに限定されない。蓋部材８は例えば非導電性のプラスチック等の非導電性の材料によって形成され、この蓋部材８の側面部８１には、カセッテ型検出器１と外部装置との間で無線により情報の送受信を行うためのアンテナ装置９が埋め込まれることが好ましい。このように蓋部材８にアンテナ装置９を設けることにより、カセッテ型検出器で取得した画像データその他のデータを無線方式で外部装置に送信することが可能となる。
なお、カセッテ型検出器のハウジング３は、放射線の透過性に優れたカーボン等で形成されることが好ましいが、アンテナ装置９は、金属やカーボン等の導電性材料で形成された導電性部材に近接して設けられると、導電性部材の影響を受けて、受信感度や受信利得が低下する。このため、アンテナ装置９が導電性部材の影響を受けるのを避けるため、フロント側切り欠き部５３は、好ましくはフロント部材５の端部から中央部に向かって６ｍｍ以上、より好ましくは８ｍｍ以上切り欠くことが好ましい。

また、本実施形態においては、ハウジング３がバック部材４とフロント部材５とから構成されている場合を例としたが、ハウジング３の構成はこれに限定されない。
例えば、図１６に示すように、ハウジング６が中空の筒状部材６１とその両端部を閉塞する蓋部材６２とから構成されているものでもよい。この場合、ハウジング６を構成する筒状部材６１は、例えば、心材（型）の上にカーボン繊維を巻回して形状を整え、巻回したカーボン繊維の上に熱硬化性樹脂を流した上で、高温高圧で焼き固めることにより成型し、その後心材を抜き取ることによって形成する。ハウジング６をこのような構成とする場合には、一方の蓋部材６２に電源スイッチ４６、充電用端子４５、インジケータ５６を設ける。この場合、ハウジング６のうち筒状部材６１についてはカーボン繊維によって一体的に形成することができるため、繋ぎ目がなく剛性及び密閉性の高いものとすることができるとともに、製造工程の簡易化を図ることができる。
なお、蓋部材６２の一部にアンテナ装置９を設けるようにしてもよい。

また、本実施形態では、シンチレータ２１１及び信号検出部１５１を２枚のガラス基材（第１のガラス基材２１４、第２のガラス基材２１３）で挟み込む構成としたが、シンチレータを貼付、形成する基材（放射線入射側に位置する基材、本実施形態における第１のガラス基材２１４）は、ガラスで形成されている場合に限定されない。例えば、可撓性を有する樹脂等によってこれを形成してもよい。
シンチレータを貼付、形成する基材を、可撓性を有する樹脂等によって形成した場合には、これをガラスによって形成した場合に比べて、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との間の位置ずれを生じやすくなるが、この場合でも、本発明によればシンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置ずれを検出して、これを適宜外部装置に出力するので、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置関係が当初のものからずれていることをユーザが認識することができ、位置ずれの方向、ずれ量等に応じて適切にゲイン補正値を修正・更新することができる。

また、本実施形態では、シンチレータ２１１が、支持体２２１の上にシンチレータ層２２２を形成し、全体を封止袋２２３で覆った構成を例としたが、シンチレータ２１１の構成はここに例示したものに限定されない。例えば、封止袋２２３を設けない構成としてもよいし、第１のガラス基材の下側（放射線入射側とは反対側）の面に蛍光体を直接蒸着させる等の手法により第１のガラス基材の上にシンチレータ層を形成するようにしてもよい。

さらに、本実施形態では、第２のガラス基材２１３上に信号検出部１５１を形成する構成としたが、信号検出部１５１を第２のガラス基材とは別個のものとして形成し、これを第２のガラス基材の上に載置する構成としてもよい。

また、本実施形態では、端面を平滑化する平滑化処理の手法としてレーザを用いてガラス表面に傷を付ける場合を説明したが、平滑化処理の手法はここに例示したものに限定されない。例えば、超硬合金やダイヤモンド等を用いて第１のガラス基材及び第２のガラス基材を切断した後、その切断端面を研磨したり、又は切断端面をレーザにより加熱処理するといった事後的処理を行うことによって端面の平滑化を行ってもよい。
また、本実施形態ではレーザによりガラス表面に傷を付けてから切断（分断）するという２段階の作業工程を踏む場合を例として説明したが、レーザによりガラス基材の切断まで行うような構成としてもよい。

また、本実施形態では、電力供給部として、充電可能な二次電池（充電池２５）を用いる場合を例として説明したが、電力供給部は二次電池に限定されない。例えば、マンガン電池、ニッケル・カドミウム電池、水銀電池、鉛電池等、電池交換が必要な一次電池を用いてもよい。

その他、本発明が上記実施の形態に限らず適宜変更可能であるのは勿論である。

次に、図１７及び図１８を参照しつつ、本発明に係るカセッテ型放射線画像撮影装置の第２の実施形態について説明する。なお、第２の実施形態は、シンチレータの構成及び位置ずれ検出手段の構成が第１の実施形態と異なるものであるため、以下においては、特に第１の実施形態と異なる点について説明する。

本実施形態において、カセッテ型放射線画像撮影装置（以下「カセッテ型検出器」と称する。）は、第１の実施形態と同様に、検出器ユニットと、この検出器ユニットを内部に収納するハウジングとを備えている。
ハウジングは、図示しないバック部材とフロント部材とから構成されており、フロント部材は、矩形状に形成された矩形状部である平面部を備えている。
検出器ユニットは、シンチレータ２１１と複数の光電変換部１６０で構成される信号検出部１５１等と、を備える検出パネルを備えている。

図１７は、検出パネルの要部を模式的に示した断面図であり、図１８は、シンチレータ層２２２を下側（撮影時の放射線入射側とは反対側）から見た図である。
図１７及び図１８に示すように、シンチレータ層２２２の下側（撮影時の放射線入射側とは反対側）であって、シンチレータ２１１の有効画像領域αの外側には、シンチレータ層２２２の周縁部に沿って遮蔽膜２４１が設けられている。遮蔽膜２４１は、電磁波（光）の透過を遮るものであればよく、遮蔽膜２４１を構成する材料は特に限定されない。

信号検出部１５１は、シンチレータ２１１から出力された電磁波（光）を電気エネルギーに変換して蓄積し、蓄積された電気エネルギーに基づく画像信号の出力を行う検出部であり、本実施形態においては、シンチレータ層２２２の表面に設けられた遮蔽膜２４１を検出して、シンチレータ２１１の位置ずれを検出する位置ずれ検出手段として機能するものである。

その他の構成は、第１の実施形態のものと同様であるので、同一部材には同一の符号を付してその説明を省略する。

次に、本実施形態における作用について説明する。

本実施形態においては、撮影毎、又は所定の期間経過毎等に検出パネルに単位線量の放射線を照射し、これを信号検出部１５１で検出することにより、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置関係にずれが生じているか否かを検出し、信号検出部１５１による検出結果は、制御部に出力される。カセッテ型検出器の記憶部には、工場出荷時等におけるシンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置関係を示す遮蔽膜２４１の基準位置が記憶されており、制御部は、この基準位置と信号検出部１５１によって検出された検出結果とを比較することにより、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置ずれ情報を取得する。

制御部は、信号検出部１５１による検出結果又は位置ずれ情報を、通信部を介して外部のコンピュータ等の外部装置に出力する。また、検出結果又は位置ずれ情報は、付帯情報として画像データと対応付けられ、画像記憶部に記憶される。

画像データ及びこれに付帯する検出結果又は位置ずれ情報を取得した外部装置では、検出結果又は位置ずれ情報を適宜表示部等に表示させて、ユーザに対して、ゲイン補正値の修正が必要である旨の注意を喚起する。また、検出結果又は位置ずれ情報に基づいて、必要に応じてゲイン補正値を修正・更新し、修正後のゲイン補正値を適用して当該画像データについてのゲイン補正を行う。

なお、その他の作用は、第１の実施形態のものと同様であるので、その説明を省略する。

以上のように、本実施形態によれば、信号検出部１５１によってシンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置ずれを検出するので、別途センサ等を設ける必要がなく、簡易かつ低コストで、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置ずれを検出することができる。
そして、検出結果は外部装置に出力されるので、シンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置関係が当初のものからずれていることをユーザが認識することができ、位置ずれの方向、ずれ量等に応じて適切にゲイン補正値を修正・更新することができる。
このため、撮影の際にかかる荷重（患者の体重）等によりシンチレータ２１１と信号検出部１５１との位置がずれた場合でも、適正なゲイン補正を行うことができ、診断・読影等に適した高精細な画像を得ることができる。

なお、本実施形態では、シンチレータ層２２２のすべての辺に遮蔽膜２４１を設けるように構成したが、遮蔽膜２４１の構成は本実施形態に示した形状、配置に限定されない。遮蔽膜は、シンチレータ２１１の周縁部の正確な位置を把握して信号検出部との位置ずれを検出可能なものであればよく、例えば、図１９に示すように、シンチレータ層２２２の隣り合う２辺に遮蔽膜２４２を設けてもよい。

また、シンチレータ層２２２のいずれか１辺のみに遮蔽膜を設けてもよい。この場合、例えば、シンチレータ層２２２の短辺方向の１辺に遮蔽膜を設けた場合には、遮蔽膜の位置を信号検出部で検出することにより主としてＹ方向の位置ずれを検出することできる。また、シンチレータ層２２２の長手方向の１辺に遮蔽膜を設けた場合には、遮蔽膜の位置を信号検出部で検出することにより主としてＸ方向の位置ずれを検出することできる。

また、遮蔽膜はシンチレータ層２２２の辺に沿って帯状に設けられていなくてもよく、シンチレータ層の有効画像領域αの外側のいずれかの位置に少なくとも１画素分以上設けられていれば足りる。

また、本実施形態では、シンチレータ層２２２の下側（撮影時の放射線入射側とは反対側）に遮蔽膜２４１を設けるように構成したが、遮蔽膜２４１を設ける位置はこれに限定されず、シンチレータ層２２２を支持する支持体２２１の上に設けてもよいし、シンチレータ層２２２等を保護する封止袋２２３の表面に遮蔽膜を貼付・形成してもよい。

また、本実施形態では、遮蔽膜２４１を設けたが、信号検出部１５１によってシンチレータ２１１の周縁部の正確な位置を把握して信号検出部１５１との位置ずれを検出可能なものであればよく、膜状のものに限定されない。

なお、その他、本発明が本実施形態に限られないことは、第１の実施形態と同様である。

第１の実施形態に係るカセッテ型検出器を示す斜視図である。 第１の実施形態におけるハウジングの分解斜視図である。 図１に示すカセッテ型検出器の内部構成を示す概略図である。 図３のＣ−Ｃ断面図である。 図３のＤ−Ｄ断面図である。 図３のＥ−Ｅ断面図である。 第１の実施形態における検出パネルを示す平面図である。 図７に示す検出パネルを矢視Ｆ方向から見た側面図である。 図７に示す検出パネルのＧ−Ｇ断面図である。 第１の実施形態における検出パネルの構成を模式的に示した要部断面図である。 第１の実施形態におけるマーカーの位置を模式的に示した平面図である。 図１２（ａ）は、シンチレータ層に異物が付着している場合の光電変換部の感度を示す説明図であり、図１２（ｂ）は、図１２（ａ）の状態からシンチレータ層がβ方向にずれた場合の光電変換部の感度を示す説明図である。 第１の実施形態に係るカセッテ型検出器の要部構成を示すブロック図である。 図１に示すカセッテ型検出器の一変形例を示す斜視図である。 図１４に示すハウジングの分解斜視図である。 図１に示すカセッテ型検出器の一変形例を示す斜視図である。 第２の実施形態における検出パネルの構成を模式的に示した要部断面図である。 第２の実施形態における遮蔽膜の位置を模式的に示した平面図である。 遮蔽膜の一変形例を模式的に示した平面図である。

符号の説明

１ カセッテ型検出器（カセッテ型放射線画像撮影装置）
２ 検出器ユニット
３ ハウジング
４ バック部材
５ フロント部材
８ 蓋部材
９ アンテナ装置
２１ 検出パネル
２２ 電子部品
２３ 回路基板
２４ 基台
２５ 充電池
２６ 緩衝部材
２７ 制御部（制御手段）
４１ 底面部
４２ 側壁部
５１ 平面部（矩形状部）
５２ 曲げ立ち上がり部
１５１ 信号検出部（検出部）
１６０ 光電変換部
２１１ シンチレータ
２１３ 第２のガラス基材
２１４ 第１のガラス基材
２１７ 封止部材（接着部材）
２２１ 支持体
２２２ シンチレータ層
２２３ 封止袋
２３１ マーカー
２３２ センサ部
２３３ センサ（位置ずれ検出手段）
Ｄ 異物
α 有効画像領域

Claims (5)

1. 入射した放射線を別の波長の電磁波に変換するシンチレータと、
   前記シンチレータによって変換された電磁波を検出して電気信号に変換する検出部と、
   前記シンチレータと前記検出部との位置ずれを検出する位置ずれ検出手段と、
   前記検出部による検出結果に基づく画像信号を読み取り、画像データを生成する制御手段と、を備え、
   前記制御手段は、前記位置ずれ検出手段による検出結果に基づいて、前記シンチレータと前記検出部との位置ずれに関する位置ずれ情報を取得することを特徴とするカセッテ型放射線画像撮影装置。
2. 前記検出部が、前記位置ずれ検出手段を兼ねることを特徴とする請求項１に記載のカセッテ型放射線画像撮影装置。
3. 前記位置ずれ検出手段は、前記シンチレータと前記検出部との少なくとも１方向における位置ずれを検出することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のカセッテ型放射線画像撮影装置。
4. 前記制御手段は、前記位置ずれ検出手段による検出結果又は前記位置ずれ情報を外部に出力することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のカセッテ型放射線画像撮影装置。
5. 前記制御手段は、前記位置ずれ検出手段による検出結果又は前記位置ずれ情報を前記画像データに付帯させて、外部に出力することを特徴とする請求項４に記載のカセッテ型放射線画像撮影装置。

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