JP2009152508A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 利得媒質と、前記利得媒質を挟む第一及び第二のクラッドと、を備え、電磁波を発振するレーザ素子であって、
   前記利得媒質は、
   量子井戸構造を持ち、前記電磁波を発生する複数の活性領域と、
   前記複数の活性領域の間に挟まれており、該複数の活性領域を接続する接続領域と、を有し、
   前記接続領域と前記第一又は第二のクラッドとは、前記活性領域を介さずに、前記接続領域と前記第一又は第二のクラッドとの間に印加される電圧を設定する電圧設定手段を介して電気的に接続されており、
   前記電圧設定手段は、前記複数の活性領域のそれぞれに印加される電圧がほぼ均一になるように構成されていることを特徴とするレーザ素子。
2. 利得媒質と、前記利得媒質を挟む第一及び第二のクラッドと、を備え、電磁波を発振するレーザ素子であって、
   前記利得媒質は、
   量子井戸構造を持ち、前記電磁波を発生する複数の活性領域と、
   前記複数の活性領域の間に挟まれており、該複数の活性領域を接続する接続領域と、を有し、
   前記接続領域と前記第一又は第二のクラッドとは、前記活性領域を介さずに、前記接続領域と前記第一又は第二のクラッドとの間に印加される電圧を設定する電圧設定手段を介して電気的に接続されており、
   前記複数の活性領域は、ほぼ同じ周波数の前記電磁波を発生するように構成されていることを特徴とするレーザ素子。
3. 前記複数の活性領域は、互いに同じ多層膜構造からなることを特徴とする請求項１又は２に記載のレーザ素子。
4. 前記複数の活性領域は、互いに面積が異なることを特徴とする請求項３に記載のレーザ素子。
5. 前記第１および第２のクラッドは、前記電磁波に対する誘電率実部が負である負誘電率媒質を夫々含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のレーザ素子。
6. 前記電圧設定手段は、抵抗体であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のレーザ素子。
7. 基板上に前記レーザ素子は設けられており、前記接続領域は、前記基板の面内方向に引き出され、前記抵抗体に電気的に接続される引き出し層を含むことを特徴とする請求項６に記載のレーザ素子。
8. 前記引き出し層は、キャリアドープされ、且つ有限なシート抵抗を有することを特徴とする請求項７に記載のレーザ素子。
9. 前記活性領域は、フォトンアシストトンネル現象を利用した共鳴トンネルダイオードであることを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載のレーザ素子。
10. 前記電磁波は、30GHzから30THzまでの周波数領域内の周波数を含む電磁波であることを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載のレーザ素子。