JP2009149613A - 共役系化合物、並びにこれを用いた有機薄膜及び有機薄膜素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 下記一般式(I)で表される基又は下記一般式(II)で表される基を2以上有する共役系化合物。
【化1】
[式中、Ar及びAr’のいずれか一方は炭素数6以上の2価の芳香族炭化水素基、他方は炭素数4以上の2価の複素環基(これらの基は置換基を有してもよい。但し、これらの基全体としてフッ素原子を含有しない)を示し、R1及びR2はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は1価の基、Ar’’は、3価の芳香族炭化水素基又は3価の複素環基をそれぞれ示す。但し、共役系化合物が、一般式(I)で表される基を2以上有する場合は、当該基以外の部分はフッ素原子を含有しない。]
【選択図】 なし
Description
核磁気共鳴(NMR)スペクトルは、JEOL(日本電子株式会社)製の商品名「JMN−270」(1H測定時270MHz)、又は同社製の商品名「JMNLA−600」(19F測定時600MHz)を用いて測定した。ケミカルシフトは百万分率(ppm)で表している。内部標準0ppmには、テトラメチルシラン(TMS)を用いた。結合定数(J)は、ヘルツで示しており、略号s、d、t、q、m及びbrは、それぞれ、一重線(singlet)、二重線(doublet)、三重線(triplet)、四重線(quartet)、多重線(multiplet)及び広幅線(broad)を表す。質量分析(MS)は、株式会社島津製作所製の商品名「GCMS−QP5050A」を用い、電子イオン化(EI)法、直接試料導入(DI)法により測定した。カラムクロマトグラフィー分離におけるシリカゲルは、関東化学株式会社製の商品名「シリカゲル 60N」(40〜50μm)を用いた。全ての化学物質は、試薬級であり、和光純薬工業株式会社、東京化成工業株式会社、関東化学株式会社、ナカライテスク株式会社、シグマアルドリッチジャパン株式会社、又はダイキン化成品株式会社より購入した。
<化合物Aの合成>
加熱乾燥した蓋付き試験管に5,5’−ジトリブチルスタニル−2,2’−ビチオフェン(1.49g,2.00mmol)、4’−ブロモ−2,2,2−トリフルオロアセトフェノン(1.27g,5.00mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(100mg,0.05mmol)、トルエン(20mL)を加え、窒素置換し120℃で反応させた。19時間後、水を加えクロロホルムで抽出し、有機相を硫酸マグネシウム上で乾燥させ減圧濃縮した。得られた濃縮物をメタノール、エーテルで洗浄し、真空中で昇華精製を行ない、下記式(21)で表される化合物A(863mg、収率85%)を赤色固体として得た。化合物Aの還元電位は、−1.70Vであった。
TLC Rf=0.2(ヘキサン);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ8.10(m,2H),7.77(m,2H),7.47(d,2H,J=3.9Hz),7.30(d,2H,J=3.9Hz);GC-MS(DI)m/z=510(M+)
<化合物Bの合成>
加熱乾燥した蓋付き試験管に5,5’−ジブロモ−2,2’−ビチオフェン(242mg,0.75mmol)、4−アセチルフェニルボロン酸(366mg,2.23mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(40mg,0.05mmol)、炭酸水素ナトリウム(438mg,5.21mmol)、ジメトキシエタン(DME)/水混合溶媒(7mL)を加え、窒素置換し100℃で反応させた。14時間後、減圧濃縮し濃縮物を得た。得られた濃縮物をメタノール、エーテルで洗浄した後、真空中で昇華精製を行ない、下記式(22)で表される化合物B(205mg、収率83%)を淡黄色固体として得た。化合物Bの還元電位は、モノフルオロベンゼンに不溶のため測定できなかった。
TLC Rf=0.0(クロロホルム);1H-NMR(400MHz,CDCl3);δ7.96(m,2H),7.68(m,2H),7.36(m,2H),7.23(m,2H),2.60(s,3H);GC-MS(DI)m/z=402(M+)
上記式(23a)で表される化合物C−1を、文献(J.Chem.Soc.Perkin Trans 1.Organic and Bio−Organic Chemistry 1992,21,2985−2988)に記載の方法で合成した。次いで、300mLの三口フラスコに化合物C−1(1.00g,6.58mol)、フッ素化剤「SelectfluorTM(登録商標)」(5.60g,15.8mol)を入れ、THF(65mL)を加えて溶かした。そこへテトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド(TBAH)(10%メタノール溶液)(3.76g,14.5mol)を加え、0℃で12時間撹拌した。溶媒を減圧留去して、次に水を加え、水相を酢酸エチルで抽出し、有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧濃縮した。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=3/1)で精製し、上記式(23b)で表される化合物C−2(0.934g,75%)を淡黄色固体として得た。
mp 156-158℃;TLC Rf=0.29(2:1=ヘキサン/酢酸エチル);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ7.60(d,1H,J=4.8Hz),8.28(d,1H,J=4.8Hz);MS(EI)m/z=188(M+)
mp 117-122℃;TLC Rf=0.34(2:1=ヘキサン/酢酸エチル);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ4.26(s,8H),7.02(d,1H,J=4.8Hz),7.51(d,1H,J=5.1Hz);MS(EI)m/z=276(M+)
50mLの三口フラスコに化合物D(500mg,1.81mmol)を入れ、THF(18mL)を加えて溶かした。そこへn−ブチルリチウム(1.58M,2.29mL,3.62mmol)を−78℃で加えた。0.5時間撹拌した後、塩化トリブチルスズ(1.09mL,3.98mmol)を加え、徐々に室温まで昇温した。1時間後、水を加えて反応を停止した。水相を酢酸エチルで抽出し、水で洗ってから有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させ、ろ別し、減圧濃縮した。得られた濃縮物をアルミナカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=10:1)で精製し、上記式(25)で表される化合物E(1.02g、収率99%)を無色液体として得た。
TLC Rf=0.30(ヘキサン);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ0.89(t,9H,J=7.2Hz),1.08-1.13(m,6H),1.24-1.38(m,6H),1.49-1.60(m,6H),4.23-4.28(m,8H),7.03(s,1H);MS(EI)m/z=566(M+)
100mLの三口フラスコに化合物D(1.00g,3.62mmol)を入れ、THF(30mL)を加えて溶かした。そこへn−ブチルリチウム(1.58M,2.75mL,4.34mmol)を−78℃で加えた。0.5時間撹拌した後、臭素(0.29mL,5.43mmol)を加え、徐々に室温まで昇温した。1時間後、水を加えて反応を停止した。水相を酢酸エチルで抽出し、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液で洗い、水で洗ってから有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧留去し、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=3:1)に通し、上記式(26a)で表される中間化合物の粗生成物を得た。これを100mLナスフラスコに入れ、THF(30mL)に溶かした。そこに濃硫酸(30mL)を加え、室温で12時間撹拌した。反応混合物を氷に注ぎ、水で抽出した。有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ別し、減圧濃縮した。得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル)で精製し、上記式(26b)で表される化合物F(877mg、91% in 2steps)を茶色固体として得た。
TLC Rf=0.21(3:1=ヘキサン/酢酸エチル);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ7.60(s,1H);MS(EI)m/z=266(M+)
2,5−ジブロモチオフェン(18mg,0.0738mmol)、化合物E(100mg,0.177mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(17mg、0.0148mmol)を試験管に入れ、トルエン(1mL)を加えて溶かした。これを120℃で12時間撹拌した後、室温で放冷した。次に、溶媒を減圧留去し、粗生成物をアルミナカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=3:1)に通してからGPC(クロロホルム)で精製し、下記式(27)で表される化合物G(35mg,74%)を淡黄色固体として得た。
mp 273-275℃;TLC Rf=0.68(1:2=ヘキサン/酢酸エチル);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ4.25-4.29(m,16H),7.06(s,2H),7.11(s,2H);MS(EI)m/z=632(M+)
化合物G(35mg,0.0550mmol)を試験管に入れ、THF(3mL)に溶かした。そこに濃硫酸(3mL)を加え、室温で12時間撹拌した。反応混合物を氷に注ぎ、水で抽出した。有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ別し、減圧濃縮した。得られた濃縮物をジエチルエーテルで洗浄し、下記式(28)で表される化合物H(18mg,72%)を赤色固体として得た。化合物Hの還元電位は、−1.24Vであった。
TLC Rf=0.62(1:2=ヘキサン/酢酸エチル);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ7.56(s,2H),7.63(s,2H);MS(EI)m/z=456(M+)
<化合物Iの合成>
1,3−ジブロモ−5,5−ジフルオロ−4H−シクロペンタ[c]チオフェン−4,6(5H)−ジオン(26mg,0.0738mmol)、化合物E(100mg,0.177mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(17mg,0.0148mmol)を試験管に入れ、トルエン(1mL)を加えて溶かした。これを120℃で12時間撹拌した後、室温で放冷した。次に溶媒を減圧留去し、粗生成物をアルミナカラムクロマトグラフィー(クロロホルム)に通してからGPC(クロロホルム)で精製し、下記式(29)で表される化合物I(33mg,61%)を黄色固体として得た。
TLC Rf=0.59(1:2=ヘキサン/酢酸エチル);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ4.28-4.31(m,16H),8.00(s,2H);MS(EI)m/z=736(M+)
化合物I(72mg,0.0978mmol)を試験管に入れ、THF(7mL)を加えて溶かした。そこへ濃硫酸(7mL)を加え、室温で12時間撹拌した。反応混合物を氷に注ぎ、水で抽出し、有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水の順で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ別し、減圧濃縮した。得られた濃縮物をヘキサン/クロロホルムで再結晶し、下記式(30)で表される化合物J(21mg、38%)を濃黄色固体として得た。化合物Jの還元電位は、−0.66Vであった。
TLC Rf=0.32(1:2=ヘキサン/酢酸エチル);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ8.40(s,2H);MS(EI)m/z=560(M+)
<化合物Kの合成>
加熱乾燥した蓋付き試験管に1,3−ジブロモ−5,5−ジフルオロ−4H−シクロペンタ[c]チオフェン−4,6(5H)−ジオン(589mg,1.70mmol)、2−トリブチルスタニルチオフェン(1.32g,5.10mmol)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(196mg,0.17mmol)を入れた。
ここへトルエン(10mL)を加え、120℃で反応させた。12時間後放冷し、酢酸エチルで抽出し、有機相を無水硫酸ナトリウム上で乾燥後、ろ別し、減圧濃縮した。得られた濃縮物をカラムクロマトグラフィー(シリカゲル、クロロホルムチャージ)で展開溶媒としてヘキサン/酢酸エチル(4/1)を用い精製することにより、下記式(31)で表される化合物K(186mg,31%)を赤色固体として得た。化合物Kの還元電位は、−1.34Vであった。
TLC Rf=0.44(4:1=ヘキサン/酢酸エチル);1H-NMR(270MHz,CDCl3)δ8.17-8.19(m,2H),7.55-7.57(m,2H),7.18-7.22(m,2H);MS(EI)m/z=352(M+)
<化合物Lの合成>
5,5’−ビス(トリブチルスタニル)−2,2’−ビチオフェン(413mg,0.555mmol)、化合物F(326mg,1.22mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(64mg,0.056mmol)を試験管に入れ、トルエン(6mL)を加えて溶かした。これを120℃で12時間撹拌した後、室温で放冷した。反応溶液をセライトろ過し溶媒を減圧留去した後、得られた固体をヘキサンで洗い、下記式(32)で表される化合物L(35mg,74%)を暗紫色固体として得た。
mp >300℃;MS(EI)m/z=538(M+)
<有機薄膜素子1の作製及びトランジスタ特性の評価>
ゲート電極となる高濃度にドープされたp型シリコン基板の表面に、熱酸化により絶縁層となるシリコン酸化膜を、300nm形成したものを準備した。この基板の上に、リフトオフ法によりチャネル幅38mm、チャネル長5μmの櫛形ソース電極及びドレイン電極を形成した。電極付き基板をアセトンで10分間、次いでイソプロピルアルコールで10分間超音波洗浄した後、オゾンUVを30分間照射し表面を洗浄した。上記洗浄した基板に、真空蒸着法により実施例1で合成した化合物Aの有機薄膜を成膜し、有機薄膜素子1を作製した。有機薄膜素子1に、真空中でゲート電圧Vgを0〜100V、ソース−ドレイン間電圧Vsdを0〜100Vの範囲で変化させ、有機トランジスタ特性を測定したところ、良好なn型半導体のId−Vg特性が得られた。このときの移動度は3.4×10−3cm2/Vs、オン/オフ比104〜105と良好であった。
<有機薄膜素子2の作製及びトランジスタ特性の評価>
上記実施例5と同様にして、比較例1で合成した化合物Bの有機薄膜を成膜し、有機薄膜素子2を作製した。得られた有機薄膜素子2に、真空中でゲート電圧Vgを0〜100V、ソース−ドレイン間電圧Vsdを0〜100Vの範囲で変化させ、有機トランジスタ特性を測定することによりp型半導体のId−Vg特性が得られた。このときの移動度は1.8×10−5cm2/Vs、オン/オフ比102と低かった。
<有機薄膜素子3の作製及びトランジスタ特性の評価>
上記実施例5と同様にして、実施例4で合成した化合物Lの有機薄膜を成膜し、有機薄膜素子3を作製した。得られた有機薄膜素子3に、真空中でゲート電圧Vgを0〜100V、ソース−ドレイン間電圧Vsdを0〜100Vの範囲で変化させ、有機トランジスタ特性を測定することにより良好なn型半導体のId−Vg特性が得られた。このときの移動度は1.5×10−3cm2/Vs、オン/オフ比104と良好であった。
<有機薄膜素子4の作製及びトランジスタ特性の評価>
ゲート電極となる高濃度にドープされたp型シリコン基板の表面上に、熱酸化により絶縁層となるシリコン酸化膜を300nm形成した基板を準備した。この基板を、ヘキサメチルジシラザン(HMDS、Aldrich社製)に50℃で7時間浸漬し、表面処理した。次に、この表面処理した基板上に、真空蒸着法により、室温で、化合物Aの有機薄膜を30nmの膜厚で堆積させた。この有機薄膜の上に、シャドウマスクを通してAuを30nmの厚さで蒸着し、チャネル幅5.5mm、チャネル長50μmのソース電極及びドレイン電極を形成して、有機薄膜素子4を作製した。得られた有機薄膜素子4について、窒素中でゲート電圧Vg、ソース−ドレイン間電圧Vsdを変化させてトランジスタ特性を測定したところ、良好なId−Vg特性が得られ、Vg=100V、Vd=100Vにおいてドレイン電流Id=1.1×10−4Aの電流が流れた。また、このときの移動度は0.12cm2/Vsであり、電流がオンするしきい値電圧はVth=60Vであった。このことから、化合物Aを用いた有機薄膜素子4は、n型有機トランジスタとして有効に機能することが確認された。
<有機薄膜素子5の作製及びトランジスタ特性の評価>
実施例7と同様にして、化合物Aの有機薄膜の代わりに化合物Lの有機薄膜を用いて有機薄膜素子5を作製した。得られた有機薄膜素子5について、窒素中でゲート電圧Vg、ソース−ドレイン間電圧Vsdを変化させてトランジスタ特性を測定したところ、良好なId−Vg特性が得られ、Vg=80V、Vd=100Vにおいてドレイン電流Id=1.5×10−5Aの電流が流れた。また、このときの移動度は0.013cm2/Vs、オン/オフ比105であり、電流がオンするしきい値電圧はVth=38Vであった。このことから、化合物Lを用いた有機薄膜素子5は、n型有機トランジスタとして有効に機能することが確認された。
<化合物Mの合成>
加熱乾燥した蓋付き試験管に2−ブロモ−3−ヘキシルチオフェン(600mg,2.43mmol)、実施例2で合成した化合物E(1.51g,2.67mmol)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(281mg,0.243mmol)を入れ、トルエン(25mL)を加えて溶かした。これを120℃で12時間撹拌した後、室温で放冷した。次に溶媒を減圧留去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=10:1)で精製し、下記式(33)で表される化合物M(960mg,収率81%)を黄色液体として得た。
TLC Rf=0.46(5:1=ヘキサン/酢酸エチル);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ0.89(t,3H,J=3.6Hz),1.23-1.43(m,4H),1.53-1.69(m,4H),2.72(t,2H,J=8.0Hz),4.27(s,8H),6.94(d,1H,J=5.4Hz),6.97(s,1H),7.22(d,1H,J=5.4Hz);MS(EI)m/z442(M+).
加熱乾燥した20mLの三口フラスコに化合物M(300mg,0.679mmol)を入れ、THF(7mL)を加えて溶かした。そこにn−ブチルリチウム(1.58M,0.88mL,1.39mmol)を−78℃で加えた。1時間撹拌した後、塩化トリブチルスズ(0.221ml,0.814mmol)を加え、徐々に室温まで昇温した。0.5時間後、水を加えて反応を停止した。水相を酢酸エチルで抽出し、水で洗ってから有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧留去し、粗生成物をアルミナカラムクロマトグラフィー(ヘキサン/酢酸エチル=10:1)で精製し、下記式(34)で表される化合物N(440mg,収率89%)を黄色液体として得た。
TLC Rf=0.67(5:1=ヘキサン/酢酸エチル);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ0.85-0.93(m,12H),1.07-1.13(m,6H),1.26-1.40(m,10H),1.51-1.67(m,10H),2.74(t,2H,8.0Hz),4.27(s,8H),6.95(s,1H),6.96(s,1H);MS(EI)m/z=732(M+).
1,3−ジブロモ−5,5−ジフルオロ−4H−シクロペンタ[c]チオフェン−4,6(5H)−ジオン(93mg,0.27mmol)、化合物N(435mg,0.594mmol)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(31mg,0.027mmol)を試験管に入れ、トルエン(3mL)を加えて溶かした。これを120℃で12時間撹拌した後、室温で放冷した。次に溶媒を減圧留去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(CHCl3)に通してからGPC(CHCl3)で精製し、下記式(35)で表される化合物O(230mg,収率80%)を赤色固体として得た。
TLC Rf=0.39(2:1=ヘキサン/酢酸エチル);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ0.90(t,6H,J=7.1Hz),1.29-1.46(m,12H),1.65-1.75(m,4H),2.79(t,4H,J=7.9Hz),4.30(s,16H),7.13(s,2H),8.03(s,2H).
化合物O(250mg,0.234mmol)をナスフラスコ(30mL)に入れ、THF(3mL)を加えて溶かした。そこに濃硫酸(10mL)を加え、室温で12時間撹拌した。得られた反応混合物を氷に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗い、次に水で洗ってから硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧留去し、得られた固体をGPC(CHCl3)で精製し、下記式(36)で表される化合物P(99mg,収率47%)を赤色固体として得た。
TLC Rf=0.57(2:1=ヘキサン/酢酸エチル);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ0.92(t,6H,J=7.1Hz),1.23-1.52(m,12H),1.73-1.83(m,4H),2.91(t,4H,J=7.9Hz),7.63(s,2H),8.12(s,2H);MS(EI)m/z=892(M+).
<化合物Qの合成>
20mLの三口フラスコに5,5’−ジブロモ−4,4’−ジヘキシル−2,2’−ビチオフェン(492mg,1.00mmol)を入れ、THF(10mL)を加えて溶かした。そこにn−ブチルリチウム(1.58M,1.39mL,2.20mmol)を−78℃で加えた。1時間撹拌した後、塩化トリブチルスズ(0.543ml,2.00mmol)を加え、徐々に室温まで昇温した。2時間後、水と微量の塩酸を加えて反応を停止した。水相をジエチルエーテルで抽出し、水で洗ってから有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧留去した後、得られた液体をGPC(CHCl3)で精製することにより、下記式(37)で表される化合物Q(630mg,収率69%)を黄色液体として得た。
TLC Rf=1.0(ヘキサン);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ0.84-0.94(m,24H),1.02-1.20(m,12H),1.26-1.39(m,24H),1.46-1.61(m,16-H),2.51(t,4H,8.0Hz),7.13(s,2H);MS(EI)m/z=912(M+).
化合物Q(50mg,0.055mmol)、実施例2で合成した化合物F(32mg,0.12mmol)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(6mg,0.005mmol)を蓋付き試験管に入れ、トルエン(1mL)を加えて溶かした。これを120℃で12時間撹拌した後、室温で放冷した。次に溶媒を減圧留去し、粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(CHCl3)に通してからGPC(CHCl3)で精製し、下記式(38)で表される化合物R(19mg,収率49%)を橙色固体として得た。化合物Rの酸化電位は0.48V、還元電位は−1.87Vであった。更に吸収スペクトルのピーク波長は472nmであった。
TLC Rf=0.43(5:1=ヘキサン/酢酸エチル);1H-NMR(400MHz,CDCl3)δ0.88-0.96(m,6H),1.28-1.49(m,12H),1.65-1.76(m,4H),2.85(t,4H,J=7.9Hz),7.19(s,2H),7.51(s,2H);MS(EI)m/z=706(M+).
<化合物Sの合成>
加熱乾燥した蓋付き試験管に2,7−ビス(1,3,2−ジオキサボロラン−2−イル)−9,9−ジ(n−オクチル)フルオレン、化合物F、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)、炭酸カリウム及びテトラヒドロフラン(THF)/水混合溶媒を入れ、窒素置換し100℃で反応させる。12時間後、溶媒を減圧留去して、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通してからGPC(CHCl3)で精製することで、下記式(39)で表される目的化合物Sを得ることができる。
<化合物Tの合成>
2,7−ジブロモ−9,9−ジ(n−オクチル)フルオレン、化合物N及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)を蓋付き試験管に入れ、トルエンを加えて溶かす。これを120℃で12時間撹拌した後、室温で放冷する。溶媒を減圧留去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに通してからGPC(CHCl3)で精製する。得られた化合物をナスフラスコに入れ、THFに溶かし、そこに濃硫酸を加え、室温で12時間撹拌する。続いて反応混合物を氷に注ぎ、酢酸エチルで抽出し、有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水で洗ってから硫酸マグネシウムで乾燥させる。溶媒を減圧留去し、得られた固体をGPC(CHCl3)で精製し、下記式(40)で表される化合物Tを得ることができる。
<化合物Uaの合成>
加熱乾燥した蓋付き試験管に2,5−ジブロモチオフェン(48mg,0.199mmol)、5−トリブチル−3−ヘキシルチオフェン(200mg,0.437mmol)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(11mg,0.0199mmol)を入れ、トルエン(2mL)を加えて溶かした。これを120℃で12時間撹拌した後、室温で放冷した。次に溶媒を減圧留去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン)で精製し、下記式(41a)で表される化合物Ua(48mg,収率58%)を黄色液体として得た。
TLC Rf=0.75(ヘキサン);1HNMR(400MHz,CDCl3)δ0.89(m,6H),1.22-1.44(m,12H),1.50-1.72(m,4H),2.58(t,4H,J=7.8Hz),6.80(s,2H),7.00(s,2H),7.03(s,2H);MS(EI)m/z=416(M+).
加熱乾燥した30mLの二口フラスコに化合物Ua(100mg,0.240mmol)及びテトラメチルエチレンジアミン(58mg,0.504mmol)を入れ、ジエチルエーテル(3mL)を加えて溶かした。そこにn−ブチルリチウム(1.58M,0.319mL,0.504mmol)を0oCでゆっくり加えた。2時間撹拌した後、塩化トリブチルスズ(0.221ml,0.814mmol)を−78℃でゆっくり加え、徐々に室温まで昇温した。水を加えて反応を停止させ、水相をジエチルエーテルを用いて抽出し、有機相を飽和硫酸銅水溶液で洗ってから硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧留去して、得られた粗生成物をアルミナカラムクロマトグラフィー(ヘキサン)で精製し、下記式(41b)で表される化合物Ub(165mg,収率69%)を黄色液体として得た。
TLC Rf=1.0(ヘキサン);1HNMR(400MHz,CDCl3)δ0.84-0.96(m,24H),1.05-1.20(m,12H),1.25-1.45(m,24H),1.50-1.70(m,16H),2.51(t,4H,J=8.0Hz),7.02(s,2H),7.14(s,2H).
化合物Ub(50mg,0.050mmol)、実施例2で合成した化合物F(29mg,0.11mmol)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(6mg,0.0050mmol)を試験管に入れ、トルエン(1mL)を加えて溶かした。これを120℃で12時間撹拌した後、室温で放冷した。溶媒を減圧留去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(CHCl3)に通してからGPC(CHCl3)で精製し、下記式(41c)で表される化合物Uc(16mg,収率49%)を赤色固体として得た。
TLC Rf=0.48(3:1=ヘキサン/酢酸エチル);1HNMR(400MHz,CDCl3)δ0.92(t,6H,J=7.1Hz),1.29-1.50(m,12H),1.69-1.75(m,4H),2.84(t,4H,J=7.8Hz),7.14(s,2H),7.23(s,2H),7.48(s,2H);MS(EI)m/z=788(M+).
<化合物Vの合成>
1,3−ジブロモ−5,5−ジフルオロ−4H−シクロペンタ[c]チオフェン−4,6(5H)−ジオン(400mg,1.16mmol)、2−ブロモ−3−ヘキシルチオフェン(1.33g,2.90mmol)及びテトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(134mg,0.116mmol)を試験管に入れ、トルエン(12mL)を加えて溶かした。これを120℃で12時間撹拌した後、室温で放冷した。次に溶媒を減圧留去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(CHCl3)に通してからGPC(CHCl3)で精製し、下記式(42)で表される化合物V(247mg,収率41%)を赤色固体として得た。
TLC Rf=0.39(3:1=ヘキサン/酢酸エチル);1HNMR(400MHz,CDCl3)δ0.84-0.93(m,6H),1.23-1.41(m,12H),1.61-1.72(m,4H),2.75(t,4H,J=7.9Hz),7.09(d,2H,J=5.1Hz),7.52(d,2H,J=5.1Hz);MS(EI)m/z=520(M+).
氷冷下、化合物V(103mg,0.198mmol)を加熱乾燥した20mLのナスフラスコに入れ、DMF(2mL)を加えて溶かした。ここにN−ブロモスクシンイミド(NBS)(74mg,0.416mmol)を加え、80℃まで徐々に昇温した。12時間撹拌後、水を加え、反応を停止した。水相を酢酸エチルで抽出し、水で洗ってから有機相を硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧留去した後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(酢酸エチル)で精製し、下記式(43)で表される化合物W(125mg,収率91%)を赤色固体として得た。
TLC Rf=0.42(3:1=ヘキサン/酢酸エチル);1HNMR(400MHz,CDCl3)δ0.88(t,6H,J=7.1Hz),1.20-1.42(m,12H),1.60-1.71(m,4H),2.70(t,4H,J=7.9Hz),7.22(s,2H);MS(EI)m/z=678(M+).
化合物W(125mg,0.184mmol)、化合物E(240mg,0.424mmol)、テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)(21mg,0.018mmol)を試験管に入れ、トルエン(2mL)を加えて溶かした。これを120℃で12時間撹拌した後、室温で放冷した。次に溶媒を減圧留去し、得られた粗生成物をアルミナカラムクロマトグラフィー(CHCl3)に通してからGPC(CHCl3)で精製した。これをナスフラスコ(50mL)に入れ、THF(1mL)に溶かした。そこに濃硫酸(20mL)を加え、室温で12時間撹拌した。反応混合物を氷に注ぎ、酢酸エチルで抽出した。有機相を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗い、水で洗ってから硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧留去し、得られた固体をGPC(CHCl3)で精製し、下記式(44)で表される化合物X(23mg,2steps収率14%)を赤色固体として得た。
TLC Rf=0.51(2:1=ヘキサン/酢酸エチル);1HNMR(400MHz,CDCl3)δ0.86(t,6H,J=7.0Hz),1.17-1.41(m,12H),1.69-1.78(m,4H),2.81(t,4H,J=8.0Hz),7.47(s,2H),7.63(s,2H);MS(EI)m/z=892(M+).
Claims (14)
- 前記一般式(III)で表される基を2以上有する、請求項2記載の共役系化合物。
- 前記Ar1、Ar2及びAr3のうち少なくとも1つが、置換基を有してもよいチエニレン基である(但し、基全体としてフッ素原子を含有しない)、請求項4記載の共役系化合物。
- 前記一般式(IV)で表される基を2以上有する、請求項6記載の共役系化合物。
- 前記Z2が、前記式(xii)で表される基である、請求項6〜8のいずれか一項に記載の共役系化合物。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の共役系化合物を含む、有機薄膜。
- 請求項10記載の有機薄膜を備える、有機薄膜素子。
- ソース電極及びドレイン電極と、これら電極の間の電流経路となる有機半導体層と、前記電流経路を通る電流量を制御するゲート電極と、を備える有機薄膜トランジスタであって、前記有機半導体層が請求項10記載の有機薄膜を備える有機薄膜トランジスタ。
- 請求項10記載の有機薄膜を備える、有機太陽電池。
- 請求項10記載の有機薄膜を備える、光センサ。
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