JP2009147330A - 熱アシスト書き込みを用いる磁気素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子であって、各々が、“トラップ層”と称される磁気参照層であって、その磁化が固定方向にある磁気参照層と、可変的な磁化方向を有し、その層の平面に磁化を有する強磁性材料から作られ、反強磁性材料から作られる磁化トラップ層41に磁気的に結合される層からなる“自由層”と呼ばれる磁気記憶層40と、前記参照層と前記記憶層40との間に挟まれた半導体または制限電流路の絶縁層42と、を有する。それぞれ非晶質または準非晶質の材料45と、反強磁性層と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料と、からなる1つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層42と接触する強磁性層と反強磁性層との間の前記記憶層40に配置される。
【選択図】図4
Description
−SRAMの速度に相当する速度(読み取り及び書き込み動作が数ナノ秒かかる)、
−DRAMの密度に相当する密度、
−フラッシュメモリのような不揮発性、
−読み取り/書き込み疲労がない、
−基本のトランジスタの減少した寸法のためにますます重大になる問題である、イオン化放射線に対する無感度性。
−書き込まれるべき記憶セルのみが加熱されるので、書き込み選択における相当な改善;
−記憶セルが大気温度において漂遊磁場にさらされる場合でさえも、メモリに書き込まれる情報は保存される;
−情報の改善された熱安定性は、大気温度における高い磁気異方性(固有の異方性及び記憶セルの形状または記憶層の交換異方性磁場による異方性)を有する材料の使用の結果である;
−大気温度における高い磁気異方性を有する材料、又は、交換異方性によって閉じ込められる記憶層を有する材料を用いることによって、記憶セルのサイズを大幅に減少させることによって記憶セルの安定性の限界に影響を与えることなく記憶セルのサイズを大幅に減少させる可能性;
−書き込みの時間における低下した電力消費;
−特定の状況でマルチレベル記憶セルを得ることの可能性。
−体心立方のFe、CoまたはCoFe強磁性層;
−または、体心立方結晶のCoFeまたはCo強磁性層も含む織り込まれた接合;
−または、堆積された非晶質CoFeBを有するCoFeB/MgO/CoFeB積層体。
−記憶層における低いブロッキング温度及び高い磁気交換磁場、及び、少なくとも前記記憶層の保持力より大きい保持力;
−記憶層及び参照層のそれぞれにおける2つの明らかに区別されたブロッキング温度分布;
−トンネル障壁の降伏電圧を超えることなく、高い読み取り範囲を得るための、及び書き込み段階中の効果的な加熱を保証するための高い磁気抵抗比及び小さい抵抗×表面積の積(100Ω・μm2)。
各々が、
“トラップ層”と称される磁気参照層であって、その磁化が固定方向にある磁気参照層と、
可変的な磁化方向を有し、その層の平面に磁化を有する強磁性材料から作られ、反強磁性材料から作られる磁化トラップ層に磁気的に結合される層からなる“自由層”と呼ばれる磁気記憶層と、
前記参照層と前記記憶層との間に挟まれた半導体または制限電流路(confined-current-path)の絶縁層と、を有する。
Mは、ニッケル、コバルト及び鉄を含む群から選択される遷移金属、または、銅、銀または金などの貴金属または貴金属の合金であり、
NOxは、Si、Ti、Hf、Ta、Mgを含む群から選択される要素の非晶質または準非晶質の酸化物またはこれらの酸化物の混合物であり、
表記NOxは、考えられる酸素空孔の存在を有するが、酸化物の組成が対応する酸化物(例えば、SiO2、Al2O3、Ta2O5、HfO2))の安定的な組成に近いことを示し、
yは、0.1から10%である。
既に述べた通り、図1は、従来技術によるFIMSタイプの磁気メモリの構造の概略図である。
図2は、既に述べた通り、従来技術からも知られる熱アシスト書込みを用いるMRAMを使用する磁気メモリの概略図である。
図3は、図2の示される熱アシスト書込みを用いる磁気メモリに関連して使用される記憶セルの概略図であり、従って従来技術にも属するものである。
図4は、本発明による部分的な記憶セルの図である。
1.CoFeBに基づく単純な一般的な記憶層、
2.CoFeB/NiFe/IrMn三重層からなる記憶層、
3.CoFeB/Ta(0.2nm)/NiFe/IrMn積層体からなる記憶層、
4.CoFeB/Ta(0.5nm)/NiFe/IrMn積層体からなる記憶層。
11 磁気トンネル接合
12 トランジスタ
14 ワードライン
15 ビットライン
16 電流ライン
20 自由層
21 絶縁層
22 磁性層
30 電流ライン
31 磁気トンネル接合
32 ビットライン
33 ワードライン
34 ビア
35 トランジスタ
40 自由層
41 反強磁性層
42 絶縁層
43 磁性層
44 反強磁性層
45 非晶質材料、準非晶質材料
47 強磁性層
Claims (10)
- 磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子であって、
各々が、
“トラップ層”と称される磁気参照層(43)であって、その磁化が固定方向にある磁気参照層(43)と、
可変的な磁化方向を有し、その層の平面に磁化を有する強磁性材料から作られ、反強磁性材料から作られる磁化トラップ層に磁気的に結合される層(47)からなる“自由層”と呼ばれる磁気記憶層(40)と、
前記参照層と前記記憶層との間に挟まれた半導体または制限電流路の絶縁層(42)と、を有し、
それぞれ非晶質または準非晶質の材料(45)と、反強磁性層(41)と同一の構造または同一の結晶格子を有する材料(46)と、からなる1つ又はそれ以上の二重層が、前記半導体または制限電流路の絶縁層(42)と接触する強磁性層(47)と反強磁性層(41)との間の前記記憶層に配置される、磁気素子。 - 前記非晶質または準非晶質の材料から作られる層(45)の厚さは、0.15から2nmであることを特徴とする、請求項1に記載の磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子。
- 前記非晶質または準非晶質の材料は、タンタル(Ta)、ルテニウム(Ru)、二酸化シリコン(SiO2)、酸化タンタル(TaO)、酸化アルミニウム(AlOx)、酸化ジルコニウム(ZrOx)、酸化チタン(TiOx)、酸化ハフニウム(HfOx)、窒化タンタル(TaN)、窒化チタン(TiN)、または、添加された元素の全割合が原子量で5から30%である、ホウ素、ジルコニウム、ニオブまたはハフニウムが添加された遷移金属Co、FeまたはNi、または、これらの化合物の合金を含む群から選択されることを特徴とする、請求項1または2に記載の磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子。
- 前記非晶質または準非晶質の材料の層は、陰極スパッタリングまたはあらゆる他の物理気相蒸着(PVD)方法によって堆積されることを特徴とする、請求項1から3の何れか一項に記載の磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子。
- 前記非晶質または準非晶質の材料は、異種の金属酸化物からなることを特徴とする、請求項1または2に記載の磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子。
- 前記異種の金属酸化物は、一般式My(NOx)1−yを有することを特徴とする、請求項5に記載の磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子:
Mは、ニッケル、コバルト及び鉄を含む群から選択される遷移金属、または、銅、銀または金などの貴金属または貴金属の合金であり、
NOxは、Si、Ti、Hf、Ta、Mgを含む群から選択される元素Nの非晶質または準非晶質の酸化物またはこれらの酸化物の混合物であり、
yは、0.1から10%である。 - 前記異種の金属酸化物は、一般式(Al1−xCux)を有し、ここで、xは、0.1から10%までの範囲であることを特徴とする、請求項5に記載の磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子。
- それぞれ参照層(43)及び記憶層(40)を閉じ込める前記反強磁性層(44、41)は、マンガン合金に基づき、特に、前記参照層としてはPtMnであり、前記記憶層としてはIrMnまたはFeMnであることを特徴とする、請求項1から7の何れか一項に記載の磁場またはスピン移動を用いる熱アシスト書込みを用いる磁気素子。
- 磁気メモリの各々の記憶セルが請求項1から8の何れか一項に記載の磁気素子からなる、熱アシスト書込みを有する磁気メモリ。
- 請求項1から8の何れか一項に記載の磁気素子からなる、熱アシスト書込みを用いる論理素子。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010021213A1 (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗記憶装置 |
JP2012151476A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Crocus Technology Sa | 低電力磁気ランダムアクセスメモリセル |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009074411A1 (en) * | 2007-12-13 | 2009-06-18 | Crocus Technology | Magnetic memory with a thermally assisted writing procedure |
US8238151B2 (en) | 2009-12-18 | 2012-08-07 | Micron Technology, Inc. | Transient heat assisted STTRAM cell for lower programming current |
KR101684915B1 (ko) * | 2010-07-26 | 2016-12-12 | 삼성전자주식회사 | 자기 기억 소자 |
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US9157879B2 (en) | 2011-04-15 | 2015-10-13 | Indiana University of Pennsylvania | Thermally activated magnetic and resistive aging |
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US20130065075A1 (en) * | 2011-09-12 | 2013-03-14 | Klemens Pruegl | Magnetoresistive spin valve layer systems |
US8503135B2 (en) | 2011-09-21 | 2013-08-06 | Seagate Technology Llc | Magnetic sensor with enhanced magnetoresistance ratio |
EP2608208B1 (en) * | 2011-12-22 | 2015-02-11 | Crocus Technology S.A. | Self-referenced MRAM cell and method for writing the cell using a spin transfer torque write operation |
CN103531707A (zh) * | 2012-07-03 | 2014-01-22 | 中国科学院物理研究所 | 磁性隧道结 |
FR2993387B1 (fr) | 2012-07-11 | 2014-08-08 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif magnetique a ecriture assistee thermiquement |
US9029965B2 (en) * | 2012-12-03 | 2015-05-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system for providing magnetic junctions having a thermally stable and easy to switch magnetic free layer |
US8796796B2 (en) * | 2012-12-20 | 2014-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method and system for providing magnetic junctions having improved polarization enhancement and reference layers |
EP2800096B1 (en) * | 2013-04-29 | 2018-08-01 | Crocus Technology S.A. | Thermally-assisted MRAM cells with improved reliability at writing |
US9257970B1 (en) | 2014-12-19 | 2016-02-09 | Honeywell International Inc. | Magnetic latch |
FR3031622B1 (fr) | 2015-01-14 | 2018-02-16 | Centre National De La Recherche Scientifique | Point memoire magnetique |
US9923137B2 (en) * | 2015-03-05 | 2018-03-20 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Magnetic memory with tunneling magnetoresistance enhanced spacer layer |
US10128309B2 (en) | 2015-03-27 | 2018-11-13 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Storage layer for magnetic memory with high thermal stability |
CN105633275B (zh) * | 2015-09-22 | 2018-07-06 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 一种垂直型stt-mram记忆单元及其读写方法 |
US10297745B2 (en) | 2015-11-02 | 2019-05-21 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Composite spacer layer for magnetoresistive memory |
CN108292701B (zh) * | 2015-12-24 | 2022-12-13 | 英特尔公司 | 具有增强隧穿磁阻比的存储器单元、包括其的存储器设备和系统 |
CN110867511B (zh) * | 2018-08-28 | 2021-09-21 | 中电海康集团有限公司 | 垂直磁化的mtj器件 |
CN110531286A (zh) * | 2019-07-26 | 2019-12-03 | 西安交通大学 | 一种抗强磁场干扰的amr传感器及其制备方法 |
CN111725386B (zh) * | 2019-09-23 | 2022-06-10 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种磁性存储器件及其制作方法、存储器和神经网络系统 |
CN112750946B (zh) * | 2019-10-31 | 2023-06-02 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 一种磁性随机存储器势垒层和自由层结构单元及其制备方法 |
KR20220088472A (ko) * | 2020-06-26 | 2022-06-27 | 샌디스크 테크놀로지스 엘엘씨 | 접합된 메모리 디바이스 및 그 제조 방법 |
US11903218B2 (en) | 2020-06-26 | 2024-02-13 | Sandisk Technologies Llc | Bonded memory devices and methods of making the same |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004200245A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Nec Corp | 磁気抵抗素子及び磁気抵抗素子の製造方法 |
JP2005510047A (ja) * | 2001-11-16 | 2005-04-14 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 磁気トンネル接合を有する磁気装置、メモリアレイ、及びこれらを用いた読み出し/書き込み方法 |
JP2005203774A (ja) * | 2001-04-24 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気記録装置および磁気抵抗効果型メモリー装置 |
JP2006319259A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Fujitsu Ltd | 強磁性トンネル接合素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置、および磁気メモリ装置 |
JP2007523480A (ja) * | 2004-02-13 | 2007-08-16 | グランディス インコーポレイテッド | スピン転移を利用する磁気素子の熱支援スイッチングを提供するための方法及びシステム |
JP2007266122A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気ディスク装置 |
JP2007287923A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Sony Corp | 記憶素子及びメモリ |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3820475C1 (ja) * | 1988-06-16 | 1989-12-21 | Kernforschungsanlage Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
US5159513A (en) * | 1991-02-08 | 1992-10-27 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sensor based on the spin valve effect |
US5343422A (en) * | 1993-02-23 | 1994-08-30 | International Business Machines Corporation | Nonvolatile magnetoresistive storage device using spin valve effect |
US6021065A (en) * | 1996-09-06 | 2000-02-01 | Nonvolatile Electronics Incorporated | Spin dependent tunneling memory |
US5583725A (en) * | 1994-06-15 | 1996-12-10 | International Business Machines Corporation | Spin valve magnetoresistive sensor with self-pinned laminated layer and magnetic recording system using the sensor |
US5640343A (en) * | 1996-03-18 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory array using magnetic tunnel junction devices in the memory cells |
WO2001090756A1 (fr) * | 2000-05-26 | 2001-11-29 | Medical & Biological Laboratories Co., Ltd. | Technique de dosage d'anticorps anti-ena et kit de dosage |
US6385082B1 (en) * | 2000-11-08 | 2002-05-07 | International Business Machines Corp. | Thermally-assisted magnetic random access memory (MRAM) |
US7161875B2 (en) * | 2003-06-12 | 2007-01-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermal-assisted magnetic memory storage device |
US7149106B2 (en) * | 2004-10-22 | 2006-12-12 | Freescale Semiconductor, Inc. | Spin-transfer based MRAM using angular-dependent selectivity |
US7241631B2 (en) * | 2004-12-29 | 2007-07-10 | Grandis, Inc. | MTJ elements with high spin polarization layers configured for spin-transfer switching and spintronics devices using the magnetic elements |
US7196955B2 (en) * | 2005-01-12 | 2007-03-27 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Hardmasks for providing thermally assisted switching of magnetic memory elements |
JP5077802B2 (ja) * | 2005-02-16 | 2012-11-21 | 日本電気株式会社 | 積層強磁性構造体、及び、mtj素子 |
-
2007
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Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005203774A (ja) * | 2001-04-24 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気抵抗効果素子とこれを用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気記録装置および磁気抵抗効果型メモリー装置 |
JP2005510047A (ja) * | 2001-11-16 | 2005-04-14 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 磁気トンネル接合を有する磁気装置、メモリアレイ、及びこれらを用いた読み出し/書き込み方法 |
JP2004200245A (ja) * | 2002-12-16 | 2004-07-15 | Nec Corp | 磁気抵抗素子及び磁気抵抗素子の製造方法 |
JP2007523480A (ja) * | 2004-02-13 | 2007-08-16 | グランディス インコーポレイテッド | スピン転移を利用する磁気素子の熱支援スイッチングを提供するための方法及びシステム |
JP2006319259A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Fujitsu Ltd | 強磁性トンネル接合素子、これを用いた磁気ヘッド、磁気記録装置、および磁気メモリ装置 |
JP2007266122A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子,磁気ヘッド,および磁気ディスク装置 |
JP2007287923A (ja) * | 2006-04-17 | 2007-11-01 | Sony Corp | 記憶素子及びメモリ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010021213A1 (ja) * | 2008-08-18 | 2010-02-25 | 日本電気株式会社 | 磁気抵抗記憶装置 |
JP2012151476A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Crocus Technology Sa | 低電力磁気ランダムアクセスメモリセル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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