JP2009147125A

JP2009147125A - 半導体装置の製造方法および電子機器の製造方法

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Publication number: JP2009147125A
Application number: JP2007323181A
Authority: JP
Inventors: Hideki Tanaka; 英樹田中; Makoto Kato; 誠加藤
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2007-12-14
Filing date: 2007-12-14
Publication date: 2009-07-02

Abstract

【課題】液体シリコン材料を用いた良好な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の上部に液体シリコン材料（Ｓｉ−Ｈ結合を有する材料）を塗布する工程と、前記液体シリコン材料に、不活性ガス中において、基板温度が２５０℃以上３５０℃以下で、処理時間が３０分以上２時間以内の熱処理を施すことにより、前記液体シリコン材料を非晶質化し、非晶質シリコン膜を形成する工程と、を有する。このような基板温度および処理時間の範囲であれば、Ｓｉと他の原子（例えば、Ｈ）との結合の手が切れ難く、非晶質シリコン膜中のタングリングボンド（欠陥）を低減することができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、特に、液体シリコン材料を用いた半導体装置の製造方法等に関する。

近年、ＴＦＴ（thin film transistor、薄膜トランジスタ）用の半導体材料として、液体シリコン材料が検討されている（例えば、下記特許文献１参照）。液体シリコン材料は、低温プロセスにも適し、安価なガラス基板を使用できるため、製品の低コスト化を図ることができる。よって、汎用品への応用が期待される。
特開２００３−３１３２９９号公報

本発明者らは、液体シリコン材料を用いた半導体装置に関する研究開発を行っており、低温で特性の良好なＴＦＴを製造するプロセスの検討を行っている。

しかしながら、液体シリコン材料を用いた場合、シランと水素を原料とし、ＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）法で成膜したシリコン膜と比較し、その特性が劣化していることが判明した。これは、追って詳細に説明するように、Ｓｉのダングリングボンド（欠陥密度）に起因すると思われる。

そこで、本発明に係る具体的態様は、特性の良好な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。特に、液体シリコン材料を用いた良好な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の上部に液体シリコン材料を塗布する工程と、前記液体シリコン材料に、不活性ガス中において、基板温度が２５０℃以上３５０℃以下で、処理時間が３０分以上２時間以内の熱処理を施すことにより、前記液体シリコン材料を非晶質化し、非晶質シリコン膜を形成する工程と、を有する。このような基板温度および処理時間の範囲であれば、Ｓｉと他の原子（例えば、Ｈ）との結合の手が切れ難く、非晶質シリコン膜中のタングリングボンド（欠陥）を低減することができる。よって、半導体装置の特性を向上させることができる。

前記液体シリコン材料は、Ｓｉ−Ｈ結合を有する材料である。上記基板温度および処理時間の範囲であれば、Ｓｉと水素原子との結合の手が切れ難く、非晶質シリコン膜中のタングリングボンド（欠陥）を低減することができる。言い換えれば、非晶質シリコン膜中の水素濃度を向上させることができる。

より好ましくは、前記基板温度は、２８０℃以上３２０℃以下である。かかる処理温度であれば、非晶質シリコン膜中のタングリングボンド（欠陥）をより低減することができる。

前記非晶質シリコン膜の欠陥密度は、１ｃｍ³当り１０¹⁸以下である。より好ましくは、前記非晶質シリコン膜の欠陥密度は、１ｃｍ³当り１０¹⁷以下である。このように、上記基板温度および処理時間の範囲であれば、非晶質シリコン膜中の欠陥密度を抑えることができる。

前記非晶質シリコン膜の水素含有量は、５ａｔｍ％以上である。より好ましくは、前記非晶質シリコン膜の水素含有量は、１０ａｔｍ％以上である。このように、上記基板温度および処理時間の範囲であれば、非晶質シリコン膜中の水素濃度を向上させることができる。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の上部に液体シリコン材料を塗布する工程と、前記液体シリコン材料に、水素ガス含有の不活性ガス中において、基板温度が３００℃以上５００℃未満で、処理時間が３０分以上２時間以内の熱処理を施すことにより、前記液体シリコン材料を非晶質化し、非晶質シリコン膜を形成する工程と、を有する。かかる方法によれば、非晶質シリコン膜中のタングリングボンド（欠陥）と水素とが再結合し、タングリングボンド（欠陥）を低減することができる。

前記液体シリコン材料は、Ｓｉ−Ｈ結合を有する材料である。かかる方法によれば、非晶質シリコン膜中のＳｉ−Ｈが切断されても、水素が再結合し、タングリングボンド（欠陥）を低減することができる。

前記基板温度は、３５０℃以上４００℃以下である。かかる方法によれば、タングリングボンド（欠陥）を、より低減することができる。

前記水素ガス濃度は、１％以上である。より好ましくは、前記水素ガス濃度は、３％以上である。このように、水素ガス濃度を調整し、タングリングボンド（欠陥）と水素の再結合を促進することができる。

本発明に係る電子機器の製造方法は、上記半導体装置の製造方法を有する。かかる方法によれば、電子機器の特性を向上させることができる。また、かかる電子機器の生産性を向上させることができる。

＜実施の形態１＞
以下、本発明の実施の形態を図面を参照しながら詳細に説明する。なお、同一の機能を有するものには同一もしくは関連の符号を付し、その繰り返しの説明を省略する。
（半導体膜の形成工程）
図１は、本実施の形態の半導体膜（アモルファスシリコン膜）の製造方法を示す断面図である。図１（Ａ）に示すように、基板１０Ｓとして、例えば、ソーダガラス基板を準備する。この基板１０Ｓ上に、下地絶縁膜１３として例えば酸化シリコン膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法で堆積する。なお、絶縁膜の液体材料を用い、焼成することにより下地絶縁膜１３を形成してもよい。

次いで、図１（Ｂ）に示すように、下地絶縁膜１３上に、液体シリコン材料１５をスピンコート法により塗布する。なお、インクジェット法により所望の領域にのみ液体シリコン材料１５を塗布してもよい。

次いで、必要に応じて乾燥処理を行う。次いで、液体シリコン材料に熱処理を施すことにより、液体シリコン材料を焼成（固化）する。この焼成により、液体シリコン材料は、アモルファスシリコン膜（半導体膜）１５ａとなる（図１（Ｃ））。

熱処理条件は、基板温度が２５０℃以上３５０℃以下で、処理時間が３０分以上２時間以内とする（条件１）。より好ましくは、基板温度を２８０℃以上３２０℃以下とする（条件２）。

具体的に、例えば、Ａｒ（アルゴン）などの不活性ガス中、酸素濃度１ｐｐｍ以下の雰囲気中で、液体シリコン材料を塗布した基板１０Ｓを、ホットプレート上に配置し、加熱する。ホットプレートの初期温度は、例えば、２００℃程度であり、毎分１０℃で３５０℃まで昇温し、３５０℃（一定温度）で１時間加熱する。ここで言う熱処理条件は、基板温度（ホットプレート温度）が一定となった後の処理をいう。熱処理後、基板温度を毎分２０℃で、室温（２５℃）まで下降するよう基板１０Ｓを冷却する。

液体シリコン材料としては、Ｓｉ−Ｈ結合を有する材料、例えば、水素化ポリシランを溶媒に溶解した液体材料を用いることができる。なお、溶解状態でなく、分散状態の溶液でもよい。この水素化ポリシランは、シラン化合物（水素化珪素化合物）を重合させることにより形成される。かかるシラン化合物は、例えば、一般式Ｓｉ_nＨ_mで表される。ここで、ｎ、ｍはそれぞれ独立な整数を示す。

このシラン化合物に、例えば紫外線などを照射し、重合させることで水素化ポリシランを生成できる。この水素化ポリシランに、熱処理を施すことにより、アモルファスシリコン（非晶質シリコン）膜が形成される。図２は、シラン化合物の非晶質化の反応工程を模式的に示す図である。

図２に示すように、加熱により水素化ポリシラン中のＳｉ−Ｓｉの結合が２８０℃以下の温度で切断され始める。この際、分解物がＳｉＨ₂やＳｉＨ₃ガスとなって離脱する。一方、Ｓｉ−Ｈ結合は、２００℃程度から切断が始まり、分解ガス（Ｈ₂）が生じる。このＨ₂の発生量のピークは、３００℃付近にあり、３００℃近傍で、Ｓｉ−Ｈの結合の切断が活発になることが分かる。

ちなみに、水素化ポリシラン中のＳｉ−Ｓｉの結合エネルギーは、２２４ｋＪ／ｍｏｌであり、Ｓｉ−Ｈの結合エネルギーは、３１８ｋＪ／ｍｏｌである。

従って、例えば、基板温度が５００℃程度で、長時間（例えば、２時間以上）の処理の場合、Ｓｉ−ＳｉおよびＳｉ−Ｈの切断および再結合が繰り返され非晶質化が進むが、多くのＨ原子はＨ₂ガスとなり、膜中から脱離していく。そのため膜中にはダングリングボンドＤＢ（図２参照）が多数発生する。

これに対し、基板温度が２５０℃以上３５０℃以下で、処理時間が３０分以上２時間以内（条件１）であれば、Ｓｉ−ＳｉおよびＳｉ−Ｈの切断および再結合が繰り返され非晶質化が進むとともに、Ｈ₂ガスの膜中から脱離は抑制され、膜中のダングリングボンド（欠陥）が低減する。よって、ダングリングボンドが水素（Ｈ）により終端されているため、真性フェルミレベル近傍での捕獲準備が低減する。例えば、ＴＦＴのキャリアとなる電子やホールの捕獲が低減し、キャリアの移動度を向上させることができる。このように、膜特性を向上させることができる。また、上記条件２（基板温度が２８０℃以上３２０℃以下）によれば、基板最高温度の低減により、膜特性のさらなる向上を図ることができる。

以下、実施例を参照しながら、本実施の形態の効果について、さらに詳細に説明する。
（実施例）
上記ホットプレートの温度を調整し、熱処理時の焼成温度を３２０℃、３７０℃および５００℃とした場合のスピン数およびスピン密度の関係を図３の表に示す。スピン数（スピン密度）は、電子スピン共鳴（ESR: Electron Spin Resonance）分析により測定した。スピンとは、非共有電子対をいい、結合の手が切れている箇所（即ち、ダングリングボンド）と対応する。また、焼成温度とは、ここでは、ホットプレート温度を定常状態とした場合の基板温度である。また、図４に、焼成温度とスピン密度との関係をグラフで示す。横軸が、焼成温度（Temperature、℃）、縦軸がとスピン密度（Spin density、ｃｍ^-3）である。

図３（ａ）に示すように、焼成温度（基板温度）３２０℃で５０ｎｍの膜厚のアモルファスシリコン膜を形成した場合、当該膜のスピン数は、２．０×１０¹²、スピン密度は、５．３×１０¹⁷／ｃｍ³であった。図３（ｂ）に示すように、焼成温度（基板温度）３７０℃の場合は、当該膜のスピン数は、６．６×１０¹²、スピン密度は、１．３×１０¹⁸／ｃｍ³であった。図３（ｃ）に示すように、焼成温度（基板温度）５００℃の場合は、当該膜のスピン数は、１．４×１０¹³、スピン密度は、３．６×１０¹⁹／ｃｍ³であった。なお、図３（ｄ）は、ＰＥＣＶＤ法で膜厚１００ｎｍ程度のアモルファスシリコン膜を形成した場合を示し、スピン数は、２．１×１０¹²、スピン密度は、２．６×１０¹⁷／ｃｍ³であった。

図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、焼成温度が高くなるに従って、スピン数（スピン密度）が大きくなり欠陥が多いことが示唆された（図４も参照）。これは、焼成温度が高くなるに従い、Ｓｉ−Ｈの結合が切れ易くなり、水素が多く抜けるためと考えられる。

一方、ＰＥＣＶＤ法では、原料ガス（水素、シラン）の水素が随時供給されているため、膜中に１０〜２０ａｔｍ％の水素を含有する。よって、ダングリングボンドが水素（Ｈ）により終端され、スピン数（スピン密度）が小さくなっていると考えられる。

また、上記条件１および条件２に該当する（ａ）の試料においては、ＰＥＣＶＤ膜より若干劣るもののスピン数（スピン密度）が同じオーダーであり、また、（ａ）〜（ｃ）の３つの試料の中で、一番スピン数（スピン密度）が小さく、膜質が良好であることが判明した。

また、上記（ａ）、（ｃ）および（ｄ）の試料の、膜の深さと水素濃度との関係を図５に示す。横軸が、深さ（Depth、ｎｍ）で、左側の縦軸が、水素濃度（Concentration、atm％）、左側の縦軸が、水素濃度（Concentration、ｃｍ^-3）である。ここで、水素濃度（Concentration、atm％）は、膜中の総原子数中の水素原子の割合を示し、水素濃度（Concentration、ｃｍ^-3）は、単位体積あたりの水素原子の個数を示す。

図５の（ａ）および（ｃ）のグラフに示すように、焼成温度が高い方が、残存する水素濃度が小さいことが判明した。

また、上記条件１および条件２に該当する（ａ）の試料においては、水素濃度が、ＰＥＣＶＤ膜より若干劣るものの同じオーダーであり、膜質が良好であることが示唆される。

このように、また、上記条件１および条件２に該当する（ａ）の試料においては、スピン数（スピン密度）が小さく、また、水素濃度が大きく、膜質が良好であることが判明した。例えば、焼成温度が、３００℃程度であれば、さらに、スピン数（スピン密度）が小さく、また、水素濃度が大きくなる傾向が伺える。

以上詳細に説明したように、本実施の形態のアモルファスシリコン膜の形成工程によれば、ダングリングボンドが低減された良好な膜を得ることができる。

例えば、欠陥密度（ダングリングボンド密度、スピン密度）が、１ｃｍ³当り１０¹⁸以下、より好ましくは、欠陥密度が、１ｃｍ³当り１０¹⁷以下の膜を得ることができる。また、膜中の水素含有量が、５ａｔｍ％以上、より好ましくは、１０ａｔｍ％以上の膜を得ることができる。

また、上記工程によれば、液体シリコン材料を、塗布、焼成することにより成膜が可能であり、ＰＥＣＶＤ法のように、高価な装置を準備する必要がなく、また、材料も安価である。ＣＶＤ法では反応層の内壁にも膜が成長するために材料ガスの多くが無駄になるが、液体の塗布による成膜では、基板上にだけ成膜することができ、材料の無駄を省くことができる。さらに、真空やプラズマ雰囲気といった特殊な環境を準備する必要もない。よって、低コストでの成膜が可能となる。また、省エネルギー、省資源のデバイス製造プロセスを実現できる。
（ＴＦＴの製造工程）
次いで、上記アモルファスシリコン膜１５ａを用いてＴＦＴを形成する工程について説明する。図６は、本実施の形態の半導体装置（ＴＦＴ）の製造方法を示す工程断面図である。

まず、図６（Ａ）に示すように、上記「半導体膜の形成工程」で形成されたアモルファスシリコン膜１５ａを所望の形状にパターニングする。即ち、アモルファスシリコン膜１５ａ上に、フォトレジスト膜を形成し、露光・現像（フォトリソグラフィ）することにより所望の形状のフォトレジスト膜を形成する。次いで、フォトレジスト膜をマスクに、アモルファスシリコン膜１５ａをエッチングする。次いで、残存するフォトレジスト膜を除去する。なお、フォトレジスト膜の形成、露光・現像およびフォトレジスト膜の除去までの一連の工程をパターニングという。

次いで、図６（Ｂ）に示すように、アモルファスシリコン膜１５ａ上にゲート絶縁膜２３として例えば酸化シリコン膜をＣＶＤ法などにより形成する。なお、熱酸化によりゲート絶縁膜２３を形成してもよい。

次いで、ゲート絶縁膜２３上に導電性膜を堆積し、パターニングすることによりゲート電極２５を形成する。導電性膜の材料としては、例えば、不純物をドープした多結晶シリコンやＴａ（タンタル）などの金属を用いることができ、これらの材料は例えばＣＶＤ法やスパッタリング法により成膜することができる。なお、ゲート電極２５の形成に際しても、液体材料を用いた溶液プロセスを用いてもよい。

次いで、図６（Ｃ）に示すように、ゲート電極２５をマスクとして、ゲート電極２５の両側のアモルファスシリコン膜１５ａ中に不純物（例えば、リンやボロンなど）を注入し、不純物領域（ソース、ドレイン領域）１５ｓ、１５ｄを形成する。以上の工程により、ＴＦＴが略完成する。

次いで、ゲート電極２５上に層間絶縁膜２７として例えば酸化シリコン膜をＣＶＤ法などで堆積する。次いで、不純物領域１５ｓ、１５ｄ上の層間絶縁膜２７およびゲート絶縁膜２３をエッチングし、コンタクトホールを形成する。次いで、コンタクトホール内を含む層間絶縁膜２７上に導電性膜を堆積し、パターニングすることによって接続部Ｐ１およびソース、ドレイン電極（ソース、ドレイン引き出し電極、配線）２９を形成する。導電性膜としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やタングステン（Ｗ）などの金属を用い、スパッタリング法などを用いて成膜することができる。なお、層間絶縁膜２７や上記導電性膜（Ｐ１、２９）の形成に際しても、液体材料を用いた溶液プロセスを用いてもよい。

このように、本実施の形態によれば、アモルファスシリコン膜１５ａ中のダングリングボンド（欠陥）が少ないため、ＴＦＴのキャリアとなる電子やホールの捕獲が低減し、キャリアの移動度を向上させることができる。このように、ＴＦＴ特性を向上させることができる。

なお、ここでは、アモルファスシリコン膜１５ａを用いてＴＦＴを形成したが、アモルファスシリコン膜１５ａを多結晶化した後、ＴＦＴを形成してもよい。例えば、レーザーアニールを施すことにより、結晶化を行なうことができる。結晶化を行なうことによりＴＦＴ特性のさらなる向上を図ることができる。本発明者らの検討によれば、上記多結晶シリコン膜を用いたＴＦＴにおいて、移動度１０８ｃｍ²／Ｖｓの特性を確認できた。
＜実施の形態２＞
実施の形態１においては、Ａｒ（アルゴン）などの不活性ガス中で、熱処理を行ったが、水素を含有した不活性ガス雰囲気中で処理を行ってもよい。なお、実施の形態１と異なる箇所は、熱処理条件のみであるため、この点について詳細に説明する。

実施の形態１と同様に、基板１０Ｓの上部に液体シリコン材料を塗布し、熱処理を施す（図１参照）。

本実施の形態における熱処理条件は、水素を含有した不活性ガス雰囲気中において、基板温度が３００℃以上５００℃未満で、処理時間が３０分以上２時間以内とする（条件３）。より好ましくは、基板温度を３５０℃以上４００℃以下とする（条件４）。また、雰囲気中の水素濃度は、１％以上（条件５）、より好ましくは３％以上（条件６）とする。水素濃度（％）は、体積％を示し、例えば、処理室内に供給する不活性ガスと水素ガスの流量の総和に対する水素ガスの流量比を示す。

具体的に、例えば、Ａｒ（アルゴン）などの不活性ガス中に水素を１％程度含有させた雰囲気中で、液体シリコン材料を塗布した基板１０Ｓを、ホットプレート上に配置し、加熱する。ホットプレートの初期温度は、例えば、２００℃程度であり、毎分１０℃で４００℃まで昇温し、４００℃（一定温度）で１時間加熱する。熱処理後、基板温度を毎分２０℃で、室温（２５℃）まで下降するよう基板１０Ｓを冷却する。

このように、本実施の形態においては、雰囲気中に水素を含有させたので、Ｓ−Ｈが大量に切断され迅速にアモルファス化が進行しても、水素（Ｈ₂）濃度を高めることにより、ＳｉとＨの再結合が促進される。このように、条件３および４に示す範囲において、膜中のダングリングボンド（欠陥）を含有水素ガスにより終端させることができる。よって、真性フェルミレベル近傍での捕獲準備が低減し、膜特性を向上させることができる。

例えば、実施の形態１で説明したように、欠陥密度（ダングリングボンド密度、スピン密度）が、１ｃｍ³当り１０¹⁸以下、より好ましくは、欠陥密度が、１ｃｍ³当り１０¹⁷以下の良子な膜を得ることができる。また、膜中の水素含有量が、５ａｔｍ％以上、より好ましくは、１０ａｔｍ％以上の良好な膜を得ることができる。

さらに、当該膜を使用して、例えば、実施の形態１で詳細に説明したＴＦＴを形成した場合、キャリアの移動度を向上させるなど、トランジスタ特性を向上させることができる。
＜電気光学装置および電子機器＞
上記ＴＦＴは、電気光学装置（表示装置）の画素回路や駆動回路として用いることができる。

このような電気光学装置が使用される電子機器について説明する。図７に、電気光学装置を用いた電子機器の例を示す。

図７（Ａ）は携帯電話への適用例であり、図７（Ｂ）は、ビデオカメラへの適用例である。また、図７（Ｃ）は、テレビジョンへ（ＴＶ）の適用例であり、図７（Ｄ）は、ロールアップ式テレビジョンへの適用例である。

図７（Ａ）に示すように、携帯電話５３０には、アンテナ部５３１、音声出力部５３２、音声入力部５３３、操作部５３４および電気光学装置（表示部）５００を備えている。この電気光学装置に、本発明のＴＦＴ（半導体装置）を使用（適用）することができる。

図７（Ｂ）に示すように、ビデオカメラ５４０には、受像部５４１、操作部５４２、音声入力部５４３および電気光学装置（表示部）５００を備えている。この電気光学装置に、本発明のＴＦＴを使用することができる。

図７（Ｃ）に示すように、テレビジョン５５０は、電気光学装置（表示部）５００を備えている。この電気光学装置に、本発明のＴＦＴを使用することができる。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置（電気光学装置）にも本発明のＴＦＴを使用することができる。

図７（Ｄ）に示すように、ロールアップ式テレビジョン５６０は、電気光学装置（表示部）５００を備えている。この電気光学装置に、本発明のＴＦＴを使用することができる。

なお、電気光学装置を有する電子機器としては、上記の他、表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示板、宣伝広告用ディスプレイなどがある。

また、上記実施の形態においては、半導体装置としてＴＦＴを例に適用したが、ＴＦＴに限られず、半導体膜を有する半導体装置に広く適用可能である。特に、本発明は、ＴＦＴや太陽電池など、アモルファスシリコンを用いる素子（装置）に有用である。

また、上記実施の形態を通じて説明された実施例や応用例は、用途に応じて適宜に組み合わせて、又は変更若しくは改良を加えて用いることができ、本発明は上述した実施の形態の記載に限定されるものではない。

実施の形態１の半導体膜の製造方法を示す断面図である。シラン化合物の非晶質化の反応工程を模式的に示す図である。焼成温度を３２０℃、３７０℃および５００℃とした場合のスピン数およびスピン密度の関係を示す表である。焼成温度とスピン密度との関係を示すグラフである。膜の深さと水素濃度との関係を示すグラフである。実施の形態１の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。電気光学装置を用いた電子機器の例を示す図である。

符号の説明

１０ｓ…基板、１３…下地絶縁膜、１５…液体シリコン材料、１５ａ…アモルファスシリコン膜、２３…ゲート絶縁膜、２５…ゲート電極、１５ｓ、１５ｄ…不純物領域、２７…層間絶縁膜、２９…ソース、ドレイン電極、５００…電気光学装置、５３０…携帯電話、５３１…アンテナ部、５３２…音声出力部、５３３…音声入力部、５３４…操作部、５４０…ビデオカメラ、５４１…受像部、５４２…操作部、５４３…音声入力部、５５０…テレビジョン、５６０…ロールアップ式テレビジョン、ＤＢ…ダングリングボンド、Ｐ１…接続部

Claims

基板の上部に液体シリコン材料を塗布する工程と、
前記液体シリコン材料に、不活性ガス中において、
基板温度が２５０℃以上３５０℃以下で、処理時間が３０分以上２時間以内の熱処理を施すことにより、
前記液体シリコン材料を非晶質化し、非晶質シリコン膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記液体シリコン材料は、Ｓｉ−Ｈ結合を有する材料であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
前記基板温度は、２８０℃以上３２０℃以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
前記非晶質シリコン膜の欠陥密度は、１ｃｍ³当り１０¹⁸以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
前記非晶質シリコン膜の欠陥密度は、１ｃｍ³当り１０¹⁷以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
前記非晶質シリコン膜の水素含有量は、５ａｔｍ％以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
前記非晶質シリコン膜の水素含有量は、１０ａｔｍ％以上であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
基板の上部に液体シリコン材料を塗布する工程と、
前記液体シリコン材料に、水素ガス含有の不活性ガス中において、
基板温度が３００℃以上５００℃未満で、処理時間が３０分以上２時間以内の熱処理を施すことにより、
前記液体シリコン材料を非晶質化し、非晶質シリコン膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
前記液体シリコン材料は、Ｓｉ−Ｈ結合を有する材料であることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
前記基板温度は、３５０℃以上４００℃以下であることを特徴とする請求項８又は９記載の半導体装置の製造方法。
前記水素ガス濃度は、１％以上であることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
前記水素ガス濃度は、３％以上であることを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
請求項１乃至１２のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法を有することを特徴とする電子機器の製造方法。