JP2009147087A - Device and method for sticking adhesive film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、接着フィルムの貼付装置及び接着フィルムの貼付方法に関する。 The present invention relates to an adhesive film sticking apparatus and an adhesive film sticking method.
近年、電子部品の小型薄型化に伴い、電子部品が搭載される基板に形成されている回路が高密度化、高精細化している。このような電子部品と微細な電極との接続は、従来のようなはんだ付けやゴムコネクタ等によって行うことが困難であるので、異方導電性フィルム(ACF:Anisotropic Conductive Film)や、絶縁性接着フィルム(NCF:Non Conductive Film)と呼ばれるフィルム状の接着剤を用いて行うことが一般的となってきている。 In recent years, with the reduction in size and thickness of electronic components, circuits formed on a substrate on which electronic components are mounted have been increased in density and definition. Since it is difficult to connect such electronic components and fine electrodes by conventional soldering, rubber connectors, etc., anisotropic conductive films (ACF), insulating adhesives, etc. It has become common to use a film-like adhesive called a film (NCF: Non Conductive Film).
そこで、従来、一方の面(表面)にパット(電極)が設けられた半導体ウエハを用意する工程と、当該半導体ウエハの他方の面(裏面)を裏面研削装置(いわゆるバックグラインダ)によって研削し、当該半導体ウエハの厚みを薄くする工程と、パットが設けられている当該半導体ウエハの表面にフィルム状接着剤を真空ラミネート法によって貼付ける工程とを備える接着剤付ICチップの製造方法が知られている(例えば、特許文献1参照)。この方法によって製造された接着剤付ICチップでは、予めICチップに接着剤が付与されているので、基板への搭載が簡便に行えるようになっている。
ところで、上記のような接着剤付ICチップを製造するにあたり、半導体ウエハの裏面をバックグラインダによって研削する際には、半導体ウエハの裏面が平坦となるようにするため、一般に、パットが設けられている半導体ウエハの表面にバックグラインドテープを貼付け、バックグラインドテープ側から圧力を均等にかけた状態で、研削ホイールに半導体ウエハの裏面を押しつけている。そのため、半導体ウエハの表面にフィルム状接着剤をラミネートするためには、バックグラインドテープを剥がさなければならない。 By the way, in manufacturing an IC chip with an adhesive as described above, when the back surface of a semiconductor wafer is ground by a back grinder, a pad is generally provided to make the back surface of the semiconductor wafer flat. A back grind tape is applied to the surface of the semiconductor wafer, and the back surface of the semiconductor wafer is pressed against the grinding wheel in a state where pressure is evenly applied from the back grind tape side. Therefore, in order to laminate the film adhesive on the surface of the semiconductor wafer, the back grind tape must be peeled off.
このとき、半導体ウエハの厚みはバックグラインダによって50μm程度となっているので、何らの措置も講じないままでバックグラインドテープを剥がした場合には、半導体ウエハが割れてしまう虞がある。半導体ウエハをその裏面側から真空吸着してバックグラインドテープを剥がすこともできるが、その後の半導体ウエハの取り扱いが非常に困難となってしまう。そこで、通常、半導体ウエハの支持体としてダイシングテープを半導体ウエハの裏面に貼付けた後に、バックグラインドテープを剥がしている。 At this time, since the thickness of the semiconductor wafer is about 50 μm by the back grinder, if the back grind tape is peeled off without taking any measures, the semiconductor wafer may be broken. Although the semiconductor wafer can be vacuum-sucked from the back surface side and the back grind tape can be peeled off, subsequent handling of the semiconductor wafer becomes very difficult. Therefore, the back grind tape is usually peeled off after a dicing tape is attached to the back surface of the semiconductor wafer as a support for the semiconductor wafer.
ところが、ダイシングテープを半導体ウエハの裏面に貼付ける際、同時に、環状のダイシングフレームが半導体ウエハを囲むようにダイシングテープ上に配置される。ここで、ダイシングフレームの高さは1mm〜1.5mm程度であるので、半導体ウエハの表面の高さはダイシングフレームの上縁の高さよりも低くなっている。そのため、従来、ダイシングフレームの存在により、半導体ウエハの表面にフィルム状接着剤を貼付けることが極めて困難であった。 However, when the dicing tape is attached to the back surface of the semiconductor wafer, at the same time, an annular dicing frame is disposed on the dicing tape so as to surround the semiconductor wafer. Here, since the height of the dicing frame is about 1 mm to 1.5 mm, the height of the surface of the semiconductor wafer is lower than the height of the upper edge of the dicing frame. For this reason, it has been extremely difficult to apply a film adhesive to the surface of a semiconductor wafer due to the presence of a dicing frame.
本発明は、ダイシングフレームによって半導体ウエハが囲まれている場合であっても半導体ウエハに接着フィルムを貼付けることが可能な接着フィルムの貼付装置及び接着フィルムの貼付方法を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide an adhesive film sticking apparatus and an adhesive film sticking method capable of sticking an adhesive film to a semiconductor wafer even when the semiconductor wafer is surrounded by a dicing frame. .
本発明に係る接着フィルムの貼付装置は、ダイシングテープと、一方の主面に複数の突出電極が設けられ、他方の主面がダイシングテープに貼付けられた半導体ウエハと、半導体ウエハを囲むようにダイシングテープに貼付けられた環状のダイシングフレームとを有する被処理体が載置されるステージと、ステージに載置されている被処理体のうち半導体ウエハを上昇させる半導体ウエハ上昇手段と、半導体ウエハ上昇手段によって半導体ウエハが上昇された状態で、半導体ウエハの一方の主面に接着フィルムを貼付ける貼付手段とを備えることを特徴とする。 An adhesive film sticking apparatus according to the present invention includes a dicing tape, a semiconductor wafer provided with a plurality of protruding electrodes on one main surface and the other main surface attached to the dicing tape, and a dicing so as to surround the semiconductor wafer. A stage on which an object to be processed having an annular dicing frame attached to a tape is placed, a semiconductor wafer raising means for raising the semiconductor wafer among the objects to be treated placed on the stage, and a semiconductor wafer raising means And a sticking means for sticking an adhesive film to one main surface of the semiconductor wafer in a state in which the semiconductor wafer is raised by the above.
本発明に係る接着フィルムの貼付装置では、半導体ウエハ上昇手段によって、ステージに載置されている被処理体のうち半導体ウエハをダイシングテープから半導体ウエハに向かう方向に上昇させている。そのため、半導体ウエハの一方の主面(表面)の高さとダイシングフレームの上縁の高さとの差が小さくなり、さらに半導体ウエハを上昇させた場合には、半導体ウエハの一方の主面の高さがダイシングフレームの上縁の高さよりも高くなるので、半導体ウエハの一方の主面への接着フィルムの貼付けがダイシングフレームによって阻害され難くなる。その結果、ダイシングフレームによって半導体ウエハが囲まれている場合であっても半導体ウエハに接着フィルムを貼付けることが可能となる。なお、ダイシングテープは一般に伸縮可能な素材で形成されているので、半導体ウエハ上昇手段による半導体ウエハの上昇に伴い伸長することとなる。 In the adhesive film sticking apparatus according to the present invention, the semiconductor wafer is lifted in the direction from the dicing tape toward the semiconductor wafer by the semiconductor wafer lifting means. Therefore, the difference between the height of one main surface (surface) of the semiconductor wafer and the height of the upper edge of the dicing frame is reduced, and when the semiconductor wafer is further raised, the height of one main surface of the semiconductor wafer is increased. Is higher than the height of the upper edge of the dicing frame, the sticking of the adhesive film to one main surface of the semiconductor wafer is hardly hindered by the dicing frame. As a result, even when the semiconductor wafer is surrounded by the dicing frame, the adhesive film can be attached to the semiconductor wafer. Since the dicing tape is generally formed of a stretchable material, the dicing tape expands as the semiconductor wafer is raised by the semiconductor wafer raising means.
好ましくは、上昇手段は、半導体ウエハの一方の主面がダイシングフレームよりも高くなるように半導体ウエハを上昇させる。このようにすると、ダイシングフレームによって半導体ウエハが囲まれている場合であっても、半導体ウエハに接着フィルムを確実に貼付けることができるようになる。 Preferably, the raising means raises the semiconductor wafer so that one main surface of the semiconductor wafer is higher than the dicing frame. In this case, even when the semiconductor wafer is surrounded by the dicing frame, the adhesive film can be reliably attached to the semiconductor wafer.
好ましくは、上昇手段は、昇降台と、昇降台を昇降させる駆動部とを有する。このようにすると、半導体ウエハが昇降台に位置するように被処理体をステージ上に載置した上で昇降台を駆動部で上昇させることにより、半導体ウエハを上昇させることが可能となる。 Preferably, the raising means has a lifting platform and a drive unit that lifts the lifting platform. If it does in this way, it becomes possible to raise a semiconductor wafer by raising a raising / lowering stand by a drive part, after mounting a processed object on a stage so that a semiconductor wafer may be located on a raising / lowering stand.
好ましくは、上昇手段は、ステージ上に設けられた台座部である。このようにすると、半導体ウエハが台座部に位置するように被処理体をステージ上に載置することにより、半導体ウエハを上昇させることが可能となる。 Preferably, the raising means is a pedestal provided on the stage. If it does in this way, it will become possible to raise a semiconductor wafer by mounting a processed object on a stage so that a semiconductor wafer may be located in a pedestal part.
好ましくは、接着フィルムを加熱するための加熱手段を更に備える。このようにすると、接着フィルムが若干溶融した状態で、半導体ウエハの一方の主面への接着フィルムの貼付けが行われることとなる。その結果、半導体ウエハの一方の主面に複数の突出電極が設けられていても、接着フィルムを半導体ウエハの一方の主面に確実に貼付けることが可能となる。 Preferably, a heating means for heating the adhesive film is further provided. If it does in this way, affixing of the adhesive film to one main surface of a semiconductor wafer will be performed in the state where the adhesive film melted a little. As a result, even if a plurality of protruding electrodes are provided on one main surface of the semiconductor wafer, the adhesive film can be reliably attached to one main surface of the semiconductor wafer.
好ましくは、貼付手段による接着フィルムの半導体ウエハへの貼付けは真空中で行われる。このようにすると、半導体ウエハの一方の主面に設けられている突出電極と接着フィルムとの間におけるボイド(空隙)の発生を効果的に抑制することが可能となる。 Preferably, the adhesive film is attached to the semiconductor wafer by the attaching means in a vacuum. If it does in this way, it will become possible to control effectively generation of a void (gap) between a projection electrode provided in one main surface of a semiconductor wafer, and an adhesive film.
一方、本発明に係る接着フィルムの貼付方法は、ダイシングテープと、一方の主面に複数の突出電極が設けられ、他方の主面がダイシングテープに貼付けられた半導体ウエハと、半導体ウエハを囲むようにダイシングテープに貼付けられた環状のダイシングフレームとを有する被処理体を用意する被処理体用意工程と、被処理体のうち半導体ウエハを上昇させる半導体ウエハ上昇工程と、半導体ウエハが上昇している状態で、半導体ウエハの一方の主面に接着フィルムを貼付ける貼付工程とを備えることを特徴とする。 On the other hand, the adhesive film sticking method according to the present invention includes a dicing tape, a semiconductor wafer provided with a plurality of protruding electrodes on one main surface and the other main surface attached to the dicing tape, and surrounding the semiconductor wafer. A target object preparing step for preparing a target object having an annular dicing frame affixed to the dicing tape, a semiconductor wafer rising step for lifting the semiconductor wafer of the target object, and the semiconductor wafer rising And a pasting step of pasting an adhesive film on one main surface of the semiconductor wafer.
本発明に係る接着フィルムの貼付方法では、被処理体のうち半導体ウエハをダイシングテープから半導体ウエハに向かう方向に上昇させている。そのため、半導体ウエハの一方の主面の高さとダイシングフレームの上縁の高さとの差が小さくなり、さらに半導体ウエハを上昇させた場合には、半導体ウエハの一方の主面の高さがダイシングフレームの上縁の高さよりも高くなるので、半導体ウエハの一方の主面への接着フィルムの貼付けがダイシングフレームによって阻害され難くなる。その結果、ダイシングフレームによって半導体ウエハが囲まれている場合であっても半導体ウエハに接着フィルムを貼付けることが可能となる。 In the adhesive film sticking method according to the present invention, the semiconductor wafer in the object to be processed is raised in the direction from the dicing tape toward the semiconductor wafer. For this reason, the difference between the height of one main surface of the semiconductor wafer and the height of the upper edge of the dicing frame is reduced, and when the semiconductor wafer is further raised, the height of one main surface of the semiconductor wafer is equal to the height of the dicing frame. Since the height of the upper edge of the semiconductor wafer becomes higher than that of the upper edge of the semiconductor wafer, sticking of the adhesive film to one main surface of the semiconductor wafer is not easily inhibited by the dicing frame. As a result, even when the semiconductor wafer is surrounded by the dicing frame, the adhesive film can be attached to the semiconductor wafer.
好ましくは、半導体ウエハ上昇工程では、半導体ウエハの一方の主面がダイシングフレームよりも高くなるように半導体ウエハを上昇させる。このようにすると、ダイシングフレームによって半導体ウエハが囲まれている場合であっても、半導体ウエハに接着フィルムを確実に貼付けることができるようになる。 Preferably, in the semiconductor wafer raising step, the semiconductor wafer is raised so that one main surface of the semiconductor wafer is higher than the dicing frame. In this case, even when the semiconductor wafer is surrounded by the dicing frame, the adhesive film can be reliably attached to the semiconductor wafer.
好ましくは、貼付工程では、接着フィルムを加熱した状態で、半導体ウエハの一方の主面に接着フィルムを貼付ける。このようにすると、貼付工程において、接着フィルムが若干溶融した状態で、半導体ウエハの一方の主面への接着フィルムの貼付けが行われることとなる。その結果、半導体ウエハの一方の主面に複数の突出電極が設けられていても、接着フィルムを半導体ウエハの一方の主面に確実に貼付けることが可能となる。 Preferably, in the attaching step, the adhesive film is attached to one main surface of the semiconductor wafer while the adhesive film is heated. If it does in this way, in the pasting process, pasting of the adhesive film to one main surface of a semiconductor wafer will be performed in the state where the adhesive film melted a little. As a result, even if a plurality of protruding electrodes are provided on one main surface of the semiconductor wafer, the adhesive film can be reliably attached to one main surface of the semiconductor wafer.
好ましくは、貼付工程における接着フィルムの半導体ウエハへの貼付けは真空中で行う。このようにすると、半導体ウエハの一方の主面に設けられている突出電極と接着フィルムとの間におけるボイド(空隙)の発生を効果的に抑制することが可能となる。 Preferably, the adhesive film is attached to the semiconductor wafer in the attaching step in a vacuum. If it does in this way, it will become possible to control effectively generation of a void (gap) between a projection electrode provided in one main surface of a semiconductor wafer, and an adhesive film.
本発明によれば、ダイシングフレームによって半導体ウエハが囲まれている場合であっても半導体ウエハに接着フィルムを貼付けることが可能な接着フィルムの貼付装置及び接着フィルムの貼付方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, even if it is a case where a semiconductor wafer is surrounded by the dicing frame, the adhesive film sticking apparatus and the adhesive film sticking method which can stick an adhesive film to a semiconductor wafer can be provided. .
本発明の好適な実施形態について、図面を参照して説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。また、説明中、「上」なる語を使用することがあるが、これは図面の上方向に対応したものである。 Preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the description, the same reference numerals are used for the same elements or elements having the same function, and a duplicate description is omitted. In the description, the word “upper” is sometimes used, which corresponds to the upper direction of the drawing.
(被処理体の構成)
まず、図1を参照して、被処理体10の構成について説明する。被処理体10は、ダイシングテープ12と、半導体ウエハ14と、ダイシングフレーム16とを備える。
(Configuration of workpiece)
First, the configuration of the
ダイシングテープ12は、基材フィルム(図示せず)と、基材フィルムの表面に形成された粘着層とを有している。この粘着層は、例えばUV照射によって硬化する機能を有しており、伸縮可能な素材で形成されている。そのため、ダイシングテープ12は、通常、粘着層による粘着力を有しているが、UV照射によって粘着層が硬化すると、ダイシングテープ12の粘着層による粘着力は低下する。なお、ダイシングテープ12は、粘着力が変化しない粘着層を表面に有していてもよい。
The
半導体ウエハ14は、回路面(一方の主面)S1と、回路面S1の反対側の面である裏面(他方の主面)S2とを有している。回路面S1には、当該回路面S1から突出する突出電極14aが複数形成されている。裏面S2は、ダイシングテープ12の粘着層に貼付けられている。なお、半導体ウエハ14の厚さは、例えば50μm〜550μm程度である。
The
ここで、突出電極14aは、例えば金めっきにより形成された金バンプである。突出電極14aは、金ワイヤーを用いて形成される金スタッドバンプ、必要に応じて超音波を併用した熱圧着によって固定された金属ボール、めっきや蒸着により形成されたバンプ等でもよい。突出電極14aは、単一の金属から構成されている必要はなく、複数の金属を含んでもよい。突出電極14aは、金、銀、銅、ニッケル、インジウム、パラジウム、スズ、ビスマス等を含んでもよい。また、突出電極14aは、複数の金属層を含む積層体であってもよい。
Here, the protruding
ダイシングフレーム16は、円環状(リング状)の金属製部材であり、半導体ウエハ14のダイシング時に半導体ウエハ14の固定治具として用いられる。ダイシングフレーム16は、その内径が半導体ウエハ14の外形よりも大きくなっており、半導体ウエハ14を囲むようにダイシングテープ12上に配置され、その下縁16aがダイシングテープ12の接着層に貼付けられている。なお、ダイシングフレーム16の厚さは、例えば1cm〜1.5cm程度である。そのため、ダイシングフレーム16の上縁16bは、半導体ウエハ14の回路面S1よりも上方に位置している。
The dicing
上記のように、ダイシングテープ12、半導体ウエハ14及びダイシングフレーム16が一体となって構成された被処理体10は、後述する接着フィルムの貼付装置20のステージ22に載置され、半導体ウエハ14への接着フィルムFの貼付処理及び半導体ウエハ14のダイシング処理に供されることとなる(詳しくは後述する)。
As described above, the
(接着フィルムの貼付装置の構成)
続いて、図2を参照して、接着フィルムの貼付装置20の構成について説明する。接着フィルムの貼付装置20は、ステージ22と、昇降台(半導体ウエハ上昇手段)24と、駆動部(半導体ウエハ上昇手段)26と、ラミネートロール(加熱手段)28(図9参照)とを備える。
(Configuration of adhesive film application device)
Then, with reference to FIG. 2, the structure of the sticking
ステージ22は、被処理体10を載置するための台座であって、その中央部に開口22aが設けられている。より詳しくは、被処理体10のダイシングテープ12側がステージ22の上面に向かうと共に、上方から見たときに被処理体10のうちダイシングフレーム16がステージ22と重なるように、被処理体10がステージ22に載置される。
The
昇降台24は、半導体ウエハ14を昇降させるための台座であって、ステージ22の開口22aの内側に位置している。半導体ウエハ14を昇降させる観点から、昇降台24の外形は、上方から見たときにダイシングフレーム16の内径よりも小さくなっている。ただし、半導体ウエハ14を確実に保持するため、上方から見たときに、昇降台24の外形が半導体ウエハ14の外形と同程度であると好ましい。
The
駆動部26は、駆動軸26aを介して昇降台24と接続されており、鉛直方向に沿って昇降台24を昇降させる。ラミネートロール28は、例えば硬質樹脂によって形成されており、後述する接着フィルムFを半導体ウエハ14の回路面S1に貼付ける(ラミネートする)ために用いられる。また、図示しない温度調節機構によってラミネートロール28の温度を調節することができるようになっている。
The
(接着フィルムの貼付方法)
続いて、図3〜図11を参照して、接着フィルムの貼付装置20を用いて接着フィルムFを半導体ウエハ14の回路面S1に貼付ける方法について説明する。
(Adhesive film application method)
Next, a method for attaching the adhesive film F to the circuit surface S <b> 1 of the
まず、回路面S1に突出電極14aが複数形成された半導体ウエハ14を用意する。このときの半導体ウエハ14は、まだ薄型化されていないので、その厚みが760μm程度となっている。
First, a
そして、この半導体ウエハ14の回路面S1にバックグラインドテープBTを貼付ける(図3参照)。このバックグラインドテープBTは、基材フィルムBTaと、基材フィルムBTaの表面に形成された粘着層BTbとを有しており、粘着層BTbと半導体ウエハ14の回路面S1とが接着されている。
Then, a back grind tape BT is attached to the circuit surface S1 of the semiconductor wafer 14 (see FIG. 3). The back grind tape BT has a base film BTa and an adhesive layer BTb formed on the surface of the base film BTa, and the adhesive layer BTb and the circuit surface S1 of the
その後、図3に示されるように、バックグラインドテープBTに圧力を加えつつ、半導体ウエハ14を裏面S2側から裏面研削装置(バックグラインダ)30によって研削し、半導体ウエハ14の厚みを薄くする。具体的には、半導体ウエハ14の厚みが50μm〜550μm程度となるように、半導体ウエハ14の研削を行う。なお、半導体ウエハ14の回路面S1側は複数の突出電極14aの存在によって凹凸状となっているが、バックグラインドテープBTが半導体ウエハ14の回路面S1に貼付けられているので、均一に圧力を加えることができ、その結果、研削により半導体ウエハ14の裏面S2を平坦化できるようになっている。
Thereafter, as shown in FIG. 3, the
続いて、図4に示されるように、半導体ウエハ14の回路面S1にバックグラインドテープBTが貼付けられた状態で、半導体ウエハ14の裏面S2及びダイシングフレーム16の下縁16aにダイシングテープ12を貼付ける。こうして、半導体ウエハ14とダイシングフレーム16とが、ダイシングテープ12によって一体化される。
Subsequently, as shown in FIG. 4, the dicing
その後、バックグラインドテープBTを半導体ウエハ14の回路面S1から剥がし、被処理体10を得る。なお、本実施形態では、半導体ウエハ14がダイシングフレーム16と共にダイシングテープ12に貼付けられているので、バックグラインドテープBTを剥がす際に半導体ウエハ14が割れる虞がなくなっている。
Thereafter, the back grind tape BT is peeled off from the circuit surface S1 of the
続いて、図5に示されるように、被処理体10を接着フィルムの貼付装置20のステージ22に載置する。このとき、被処理体10のダイシングテープ12側がステージ22の上面に向かうと共に、上方から見たときに、被処理体10のうちダイシングフレーム16がステージ22と重なり、被処理体10のうち半導体ウエハ14が昇降台24に重なるようにする。
Next, as shown in FIG. 5, the object to be processed 10 is placed on the
続いて、図6に示されるように、駆動部26によって昇降台24を上昇させることで、半導体ウエハ14を上昇(ダイシングテープ12から半導体ウエハ14に向かう方向に移動)させる。このとき、ダイシングテープ12のうち半導体ウエハ14及びダイシングフレーム16と接着されていない部分が伸びることとなる(図6参照)。なお、半導体ウエハ14の回路面S1がダイシングフレーム16の上縁16bよりも高くなるように、半導体ウエハ14を上昇させると好ましい。また、昇降台24が上昇することによって、半導体ウエハ14と共にダイシングフレーム16も上昇してしまわないように、押さえ部材等によってダイシングフレーム16をステージ22に押さえつけておくことが好ましい。
Next, as shown in FIG. 6, the
続いて、セパレータFaと、セパレータFa上に設けられた接着剤層Fbとを有する接着フィルムFを用意する。セパレータFaとしては、例えばシリコーン等によって表面が離型処理されたPET基材が挙げられる。接着剤層Fbは、例えば、セパレータFaに接着剤組成物を塗布した後に乾燥することによって形成される。接着剤層Fbは、例えば常温において固体である。接着剤層Fbは、熱硬化性樹脂を含む。熱硬化性樹脂は、熱により三次元的に架橋することによって硬化する。 Subsequently, an adhesive film F having a separator Fa and an adhesive layer Fb provided on the separator Fa is prepared. Examples of the separator Fa include a PET base material whose surface has been subjected to a release treatment with silicone or the like. The adhesive layer Fb is formed, for example, by applying an adhesive composition to the separator Fa and drying it. The adhesive layer Fb is solid at room temperature, for example. The adhesive layer Fb includes a thermosetting resin. The thermosetting resin is cured by three-dimensionally crosslinking with heat.
上記熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、シロキサン変性エポキシ樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、アクリレート樹脂等が挙げられる。これらは単独又は二種以上の混合物として使用することができる。 Examples of the thermosetting resin include epoxy resin, bismaleimide resin, triazine resin, polyimide resin, polyamide resin, cyanoacrylate resin, phenol resin, unsaturated polyester resin, melamine resin, urea resin, polyurethane resin, polyisocyanate resin, furan. Examples thereof include resins, resorcinol resins, xylene resins, benzoguanamine resins, diallyl phthalate resins, silicone resins, polyvinyl butyral resins, siloxane-modified epoxy resins, siloxane-modified polyamideimide resins, and acrylate resins. These can be used alone or as a mixture of two or more.
接着剤層Fbは、硬化反応を促進させるための硬化剤を含んでもよい。接着剤層Fbは、高反応性及び保存安定性を両立させるために、潜在性の硬化剤を含むことが好ましい。 The adhesive layer Fb may include a curing agent for promoting the curing reaction. The adhesive layer Fb preferably contains a latent curing agent in order to achieve both high reactivity and storage stability.
接着剤層Fbは、熱可塑性樹脂を含んでもよい。熱可塑性樹脂としては、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアクリレート樹脂、ポリブタジエン、アクリロニトリルブタジエン共重合体(NBR)、アクリロニトリルブタジエンゴムスチレン樹脂(ABS)、スチレンブタジエン共重合体(SBR)、アクリル酸共重合体等が挙げられる。これらは単独又は二種以上を併用して使用することができる。これらの中でも、半導体ウエハ14への貼付性を確保するために室温付近に軟化点を有する熱可塑性樹脂が好ましく、グリシジルメタクリレートなどを原料に含むアクリル酸共重合体が好ましい。
The adhesive layer Fb may include a thermoplastic resin. The thermoplastic resin includes polyester resin, polyether resin, polyamide resin, polyamideimide resin, polyimide resin, polyarylate resin, polyvinyl butyral resin, polyurethane resin, phenoxy resin, polyacrylate resin, polybutadiene, acrylonitrile butadiene copolymer (NBR). ), Acrylonitrile butadiene rubber styrene resin (ABS), styrene butadiene copolymer (SBR), acrylic acid copolymer and the like. These can be used alone or in combination of two or more. Among these, a thermoplastic resin having a softening point in the vicinity of room temperature is preferable in order to ensure stickability to the
接着剤層Fbには、低線膨張係数化のためのフィラー(無機微粒子)を添加してもよい。このようなフィラーとしては、結晶性を有するものであっても、非結晶性を有するものであってもよい。接着剤層Fbの硬化後の線膨張係数が小さいと、熱変形が抑制される。よって、半導体ウエハ14から製造された半導体チップが配線基板に搭載された後も、突出電極14aと配線基板の配線との電気的な接続を維持することができるので、半導体チップと配線基板とを接続することによって製造される半導体デバイスの信頼性を向上させることができる。
A filler (inorganic fine particles) for reducing the linear expansion coefficient may be added to the adhesive layer Fb. Such fillers may be crystalline or non-crystalline. When the linear expansion coefficient after curing of the adhesive layer Fb is small, thermal deformation is suppressed. Therefore, even after the semiconductor chip manufactured from the
接着剤層Fbは、カップリング剤等の添加剤を含んでもよい。これにより、半導体チップと配線基板との接着性を向上させることができる。 The adhesive layer Fb may include an additive such as a coupling agent. Thereby, the adhesiveness of a semiconductor chip and a wiring board can be improved.
接着剤層Fb内には、導電粒子を分散させてもよい。この場合、突出電極14aの高さのバラツキによる悪影響を低減することができる。また、配線基板がガラス基板等のように圧縮に対して変形し難い場合においても接続を維持することができる。さらに、接着剤層Fbを異方導電性の接着剤層とすることができる。
Conductive particles may be dispersed in the adhesive layer Fb. In this case, it is possible to reduce an adverse effect due to variations in the height of the protruding
接着剤層Fbの厚みは、接着剤層Fbが半導体チップと配線基板との間を十分に充填できる厚みであることが好ましい。通常、接着剤層Fbの厚みが、突出電極14aの高さと配線基板の配線の高さとの和に相当する厚みであれば、半導体チップと配線基板との間を十分に充填できる。
The thickness of the adhesive layer Fb is preferably such that the adhesive layer Fb can sufficiently fill the space between the semiconductor chip and the wiring board. Usually, if the thickness of the adhesive layer Fb is equivalent to the sum of the height of the protruding
そして、図7に示されるように、半導体ウエハ14が上昇している状態で、用意した接着フィルムFを半導体ウエハ14の回路面S1にラミネートロール28を用いて貼付ける(ラミネートする)。具体的には、ラミネートロール28によって接着フィルムFの接着剤層Fbを半導体ウエハ14の回路面S1に押しつけつつ、ラミネートロール28を半導体ウエハ14の回路面S1に沿って移動させることで、接着フィルムFの貼付けが行われる。
Then, as shown in FIG. 7, the prepared adhesive film F is pasted (laminated) to the circuit surface S <b> 1 of the
ここで、ラミネートロール28の温度を図示しない温度調節機構によって調節することで、接着フィルムFを加熱しつつ半導体ウエハ14の回路面S1に貼付けるようにすると好ましい。これにより、接着フィルムFの接着剤層Fbが若干溶融するので、半導体ウエハ14の回路面S1に対して接着剤層Fbを十分に密着させることができると共に、突出電極14aの周囲を隙間なく十分に埋め込むことができる。加熱温度は、接着剤層Fbが軟化し、かつ、硬化しない程度である。接着剤層Fbが、例えば、エポキシ樹脂と、軟化温度が40℃のアクリル酸共重合体と、反応開始温度が100℃のエポキシ樹脂用の潜在性の硬化剤とを含む場合、加熱温度は例えば80℃である。
Here, it is preferable that the temperature of the
続いて、図8に示されるように、セパレータFaを接着剤層Fbから剥離除去する。これにより、半導体ウエハ14の回路面S1への接着剤層Fbの搭載が完了する。その後、詳細は省略するが、ダイシングブレード等によって半導体ウエハ14を接着剤層Fbと共にダイシング(切断)し、ダイシングテープ12にUV照射を行ってダイシングテープ12を剥離除去することで、チップ状に個片化された半導体チップを得る。
Subsequently, as shown in FIG. 8, the separator Fa is peeled and removed from the adhesive layer Fb. Thereby, the mounting of the adhesive layer Fb on the circuit surface S1 of the
以上のような本実施形態においては、駆動部26によって昇降台24を上昇させることで、半導体ウエハ14の回路面S1がダイシングフレーム16の上縁16bよりも高くなるように、半導体ウエハ14を上昇させている。そのため、半導体ウエハ14の回路面S1の高さがダイシングフレーム16の上縁16bの高さよりも高くなるので、半導体ウエハ14の回路面S1への接着フィルムFの貼付けがダイシングフレーム16によって阻害されなくなる。つまり、ラミネートロール28による半導体ウエハ14の回路面S1への接着フィルムFの押圧及び半導体ウエハ14の回路面S1に沿ったラミネートロール28の移動が確実に行われるようになる。その結果、ダイシングフレーム16によって半導体ウエハ14が囲まれている場合であっても、半導体ウエハ14の回路面S1に接着フィルムFを確実に貼付けることが可能となる。
In the present embodiment as described above, the
以上、本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明は上記した実施形態に限定されるものではない。例えば、上記実施形態では接着フィルムの貼付装置20が昇降台24及び駆動部26を備え、駆動部26によって昇降台24を上昇させることで半導体ウエハ14を上昇させるようにしていたが、これに限られない。具体的には、図9に示されるように、接着フィルムの貼付装置20がステージ22と、台座部32とを備えるようにしてもよい。
Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention is not limited to the above-described embodiments. For example, in the above embodiment, the adhesive
台座部32は、半導体ウエハ14を上昇させるための台座であって、ステージ22から突出するようにステージ22上に設けられている。半導体ウエハ14を上昇させる観点から、台座部32の外形は、上方から見たときにダイシングフレーム16の内径よりも小さくなっている。ただし、半導体ウエハ14を確実に保持するため、上方から見たときに、台座部32の外形が半導体ウエハ14の外形と同程度であると好ましい。
The
このような接着フィルムの貼付装置20に被処理体10を載置することによっても、図10に示されるように、台座部32によって半導体ウエハ14が上昇するので、ダイシングフレーム16によって半導体ウエハ14が囲まれている場合であっても、半導体ウエハ14の回路面S1に接着フィルムFを貼付けることが可能となる。この場合、台座部32の高さは、被処理体10を接着フィルムの貼付装置20に載置したときに、半導体ウエハ14の回路面S1がダイシングフレーム16の上縁16bよりも高くなるように設定されていると好ましい(図10参照)。また、台座部32によって半導体ウエハ14と共にダイシングフレーム16も上昇してしまわないように、押さえ部材等によってダイシングフレーム16をステージ22に押さえつけておくことが好ましい。
Even when the object to be processed 10 is placed on the adhesive
また、被処理体10及び接着フィルムの貼付装置20を真空チャンバ内に配置し、ラミネートロール28による半導体ウエハ14の回路面S1への接着フィルムFの貼付けを真空中で行うようにしてもよい。このようにすると、半導体ウエハ14の回路面S1に設けられている突出電極14aと接着フィルムFの接着剤層Fbとの間におけるボイド(空隙)の発生を効果的に抑制することが可能となる。
Alternatively, the object to be processed 10 and the adhesive
また、上記実施形態ではラミネートロール28の温度を温度調節機構によって調節することにより、接着フィルムFを加熱していたが、昇降台24や台座部32の温度を温度調節機構によって調節することで、半導体ウエハ14を介して接着フィルムFを加熱するようにしてもよい。
Moreover, in the said embodiment, although the adhesive film F was heated by adjusting the temperature of the
また、上記実施形態では、ラミネートロール28が硬質樹脂によって形成されていたが、少なくとも表面が弾性体によって形成されていてもよい。この場合、ラミネートロール28の移動がダイシングフレーム16によって阻害されても、弾性によってラミネートロール28の表面がダイシングフレーム16の上縁16bよりも下に位置するようになる。そのため、半導体ウエハ14の回路面S1がダイシングフレーム16の上縁16bよりも高くなるように半導体ウエハ14を上昇させなくても、半導体ウエハ14の回路面S1に接着フィルムFを確実に貼付けることが可能となる。
Moreover, in the said embodiment, although the
10…被処理体、12…ダイシングテープ、14…半導体ウエハ、14a…突出電極、16…ダイシングフレーム、20…接着フィルムの貼付装置、22…ステージ、24…昇降台(半導体ウエハ上昇手段)、26…駆動部(半導体ウエハ上昇手段)、28…ラミネートロール(加熱手段)、32…台座部、F…接着フィルム、S1…回路面(一方の主面)、S2…裏面(他方の主面)。
DESCRIPTION OF
Claims (10)
前記ステージに載置されている前記被処理体のうち前記半導体ウエハを上昇させる半導体ウエハ上昇手段と、
前記半導体ウエハ上昇手段によって前記半導体ウエハが上昇された状態で、前記半導体ウエハの前記一方の主面に接着フィルムを貼付ける貼付手段とを備えることを特徴とする接着フィルムの貼付装置。 A dicing tape, a semiconductor wafer provided with a plurality of protruding electrodes on one main surface and the other main surface attached to the dicing tape, and an annular dicing attached to the dicing tape so as to surround the semiconductor wafer A stage on which an object to be processed having a frame is placed;
A semiconductor wafer raising means for raising the semiconductor wafer of the object to be processed placed on the stage;
An adhesive film sticking apparatus comprising: a sticking means for sticking an adhesive film to the one main surface of the semiconductor wafer in a state where the semiconductor wafer is lifted by the semiconductor wafer lifting means.
前記被処理体のうち前記半導体ウエハを上昇させる半導体ウエハ上昇工程と、
前記半導体ウエハが上昇している状態で、前記半導体ウエハの前記一方の主面に接着フィルムを貼付ける貼付工程とを備えることを特徴とする接着フィルムの貼付方法。 A dicing tape, a semiconductor wafer provided with a plurality of protruding electrodes on one main surface and the other main surface attached to the dicing tape, and an annular dicing attached to the dicing tape so as to surround the semiconductor wafer A target object preparing step of preparing a target object having a frame;
A semiconductor wafer raising step for raising the semiconductor wafer of the workpiece;
An adhesive film attaching method comprising: an attaching step of attaching an adhesive film to the one main surface of the semiconductor wafer in a state where the semiconductor wafer is raised.
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