JP2009139758A - Opto-electric hybrid package and opto-electric hybrid module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光信号が伝搬する光路となる光導波路を備えた光導波路付き基板に搭載可能な光電気混載パッケージ、光電気混載モジュールに関するものである。 The present invention relates to an opto-electric hybrid package and an opto-electric hybrid module that can be mounted on a substrate with an optical waveguide provided with an optical waveguide serving as an optical path through which an optical signal propagates.
近年、インターネットに代表される情報通信技術の発達や、情報処理装置の処理速度の飛躍的向上などに伴って、画像等の大容量データを送受信するニーズが高まりつつある。かかる大容量データを情報通信設備を通じて自由にやり取りするためには10Gbps以上の情報伝達速度が望ましく、そのような高速通信環境を実現しうる技術として光通信技術に大きな期待が寄せられている。一方、機器内の配線基板間の接続、配線基板内の半導体チップ間での接続、半導体チップ内での接続など、比較的短い距離における信号伝達経路に関しても、高速で信号を伝送することが近年望まれている。このため、従来一般的であった金属ケーブルや金属配線から、光導波路等を用いた光伝送へと移行することが理想的であると考えられている。 In recent years, with the development of information communication technology represented by the Internet and the dramatic improvement in the processing speed of information processing apparatuses, there is an increasing need for transmitting and receiving large-capacity data such as images. An information transmission speed of 10 Gbps or higher is desirable to exchange such a large amount of data freely through an information communication facility, and great expectations are placed on optical communication technology as a technology that can realize such a high-speed communication environment. On the other hand, in recent years, signal transmission paths at relatively short distances such as connections between wiring boards in devices, connections between semiconductor chips in wiring boards, connections within semiconductor chips, and the like have recently been transmitted at high speed. It is desired. For this reason, it is thought that it is ideal to shift from the conventionally common metal cable or metal wiring to optical transmission using an optical waveguide or the like.
そして近年では、光素子、光素子を支持する配線基板、光導波路を支持する光導波路付き基板等を備え、光導波路と光素子との間で光通信を行う光電気混載モジュールが各種提案されている(例えば、特許文献1〜3参照)。特許文献1では、光信号を送受信する光半導体素子(光素子)が実装されるとともに、光信号が通過する光入出力貫通孔が設けられた回路配線基板(配線基板)を、ボール電極(はんだボール)を介して電気光配線基板(光導波路付き基板)上に搭載した構造が提案されている。特許文献2では、モジュール基板(配線基板)の下面に面発光レーザ素子アレイ(光素子)及び受光素子アレイ(光素子)を搭載した光半導体モジュール(光電気混載パッケージ)を、はんだボールを介してコア基板(光導波路付き基板)上に搭載した構造が提案されている。特許文献3では、光素子を実装したパッケージをボード上にはんだバンプにて接続し、はんだバンプをリフローする際のセルフアライメント作用により、パッケージを貫通する光導波構造部とボードを貫通する光導波構造部とを一直線上に配置した構造が提案されている。
ところが、特許文献1〜3に記載の従来技術には以下の問題がある。即ち、配線基板を光導波路付き基板に搭載したとしても、はんだボールの高さにより、配線基板と光導波路との間に大きな空間(ギャップ)が生じてしまう。その結果、光信号が上記のギャップを伝搬する際に光信号の損失(結合損失)、劣化が生じやすくなる。
However, the conventional techniques described in
そこで、特許文献1に記載の従来技術では、配線基板にレンズを設けて光信号を確実に伝搬させることにより、光信号の損失、劣化を低減する技術が提案されている。しかし、レンズには高い加工精度が必要である上、レンズを設けることで部品点数や工数が増えるため、製造コストが上昇してしまう。しかも、特許文献1に記載の構造では、光信号がレンズを通過する際に集光するため、配線基板を光導波路付き基板に搭載する際に光軸ずれが生じないように位置決めすることが困難である。ゆえに、光信号の損失、劣化を防止するための新たな解決策が求められている。
Therefore, in the prior art described in
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、光信号の損失、劣化を確実に低減できる光電気混載パッケージ及び光電気混載モジュールを提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an opto-electric hybrid package and an opto-electric hybrid module that can reliably reduce loss and deterioration of optical signals.
上記課題を解決するための手段(手段1)としては以下のものがある。光信号が伝搬する光路となる光導波路(81)を備えた光導波路付き基板(61)に搭載可能な光電気混載パッケージ(2,3,4,126)であって、主面(12)及び前記主面(12)の反対側に位置する裏面(13)を有する配線基板(10,100,110)と、前記配線基板(10,100,110)の前記裏面(13)に位置するはんだボール接合部(48)上に接合され、前記光導波路付き基板(61)への搭載時に前記光導波路付き基板(61)に接続される複数のはんだボール(49)と、発光部(25)及び受光部のうちの少なくとも一方を有し、前記発光部(25)及び前記受光部の少なくとも一方を前記光導波路(81)側に向けた状態で、前記配線基板(10,100,110)の前記主面(12)に位置する光素子実装部(55,56)上に実装された光素子(24,27)と、前記配線基板(10,100,110)の前記裏面(13)側から前記光導波路付き基板(61)側に突出するように前記配線基板(10,100,110)に形成された突出部(53)と、光信号が伝搬する光路となるコア(72)及び前記コア(72)を取り囲むクラッド(73)を有し、前記配線基板(10,100,110)の主面(12)及び前記突出部(53)の先端面(54)を貫通する光導波構造部(71)とを備え、前記はんだボール接合部(48)の表面から前記突出部(53)の先端面(54)との段差(A1)が、前記はんだボール(49)の最大径(A2)の半分以上の大きさであることを特徴とする光電気混載パッケージ。 Means for solving the above problems (means 1) include the following. An opto-electric hybrid package (2, 3, 4, 126) that can be mounted on a substrate with optical waveguide (61) having an optical waveguide (81) serving as an optical path through which an optical signal propagates, the main surface (12) and A wiring board (10, 100, 110) having a back surface (13) located on the opposite side of the main surface (12), and a solder ball located on the back surface (13) of the wiring board (10, 100, 110) A plurality of solder balls (49) which are bonded onto the bonding portion (48) and connected to the substrate with optical waveguide (61) when mounted on the substrate with optical waveguide (61), a light emitting portion (25) and a light receiving portion The wiring board (10, 100, 110) in a state where at least one of the light emitting portions (25) and the light receiving portion is directed toward the optical waveguide (81). Light located on surface (12) From the back surface (13) side of the optical element (24, 27) mounted on the child mounting portion (55, 56) and the wiring substrate (10, 100, 110) to the substrate (61) side with the optical waveguide A protruding portion (53) formed on the wiring board (10, 100, 110) so as to protrude, a core (72) serving as an optical path through which an optical signal propagates, and a clad (73) surrounding the core (72). And an optical waveguide structure portion (71) penetrating the main surface (12) of the wiring substrate (10, 100, 110) and the tip surface (54) of the protruding portion (53), and the solder ball bonding The step (A1) between the surface of the portion (48) and the tip surface (54) of the protrusion (53) is more than half the maximum diameter (A2) of the solder ball (49). An opto-electric hybrid package.
従って、手段1の光電気混載パッケージによると、はんだボール接合部の表面から突出部の先端面との段差が、はんだボール接合部上に接合されたはんだボールの最大径の半分以上の大きさである。このため、光電気混載パッケージを光導波路付き基板に搭載した際に、突出部の先端面と光導波路付き基板が備える光導波路との間に生じる空間が小さくなる。これに伴い、突出部の先端面を貫通する光導波構造部と光導波路とをつなぐ光路が短くなるため、光信号が上記の空間を伝搬する際において光信号の損失、劣化を確実に低減することができる。
Therefore, according to the opto-electric hybrid package of
さらに、前記光導波路が前記光導波路付き基板の表面に露出する場合、前記はんだボール接合部の表面から前記突出部の先端面との段差が、前記はんだボールの最大径以下の大きさであることが好ましい。このようにすれば、光電気混載パッケージを光導波路付き基板に搭載したとしても、突出部が光導波路付き基板に接触しにくくなる。 Further, when the optical waveguide is exposed on the surface of the substrate with the optical waveguide, a step from the surface of the solder ball joint portion to the tip end surface of the protruding portion is not larger than the maximum diameter of the solder ball. Is preferred. In this way, even if the opto-electric hybrid package is mounted on the substrate with an optical waveguide, the protruding portion is less likely to contact the substrate with the optical waveguide.
一方、前記光導波路が前記光導波路付き基板に内蔵される場合、前記光導波路付き基板に、前記光導波路の光路変換部を露出させる開口部が形成され、前記はんだボール接合部の表面から前記突出部の先端面との段差が、前記はんだボールの最大径よりも大きく、前記突出部が前記開口部内に挿入可能であることが好ましい。このようにすれば、突出部の先端面を貫通する光導波構造部と光導波路とをつなぐ光路が確実に短くなるため、光信号の損失、劣化をより確実に低減できる。 On the other hand, when the optical waveguide is built in the substrate with the optical waveguide, an opening for exposing the optical path changing portion of the optical waveguide is formed in the substrate with the optical waveguide, and the protrusion protrudes from the surface of the solder ball joint portion. Preferably, the step with respect to the tip surface of the part is larger than the maximum diameter of the solder ball, and the protruding part can be inserted into the opening. In this way, the optical path connecting the optical waveguide structure portion and the optical waveguide penetrating the distal end surface of the protruding portion is surely shortened, so that loss and deterioration of the optical signal can be more reliably reduced.
光電気混載パッケージを構成する配線基板としては、例えば、樹脂配線基板、セラミック配線基板、ガラス配線基板または金属配線基板が使用可能であるが、コスト面を考慮すると樹脂配線基板であることが好ましい。なお、樹脂配線基板に比較して熱伝導性の高いセラミック配線基板を用いた場合には、配線基板が熱膨張によって変形しにくくなるため、光素子実装部上に光素子を実装した場合に、光素子、光導波構造部及び光導波路を位置合わせした状態に保持しやすくなる。また、発生した熱が効率良く放散されるため、光素子実装部に光素子を接続した場合には、放熱性の悪化に起因する発光波長のズレが回避され、動作安定性・信頼性に優れた配線基板を実現することができる。 For example, a resin wiring board, a ceramic wiring board, a glass wiring board, or a metal wiring board can be used as the wiring board constituting the opto-electric hybrid package, but a resin wiring board is preferable in consideration of cost. In addition, when using a ceramic wiring board with higher thermal conductivity than a resin wiring board, the wiring board is less likely to be deformed due to thermal expansion, so when an optical element is mounted on the optical element mounting portion, It becomes easy to hold the optical element, the optical waveguide structure, and the optical waveguide in an aligned state. In addition, since the generated heat is efficiently dissipated, when an optical element is connected to the optical element mounting part, the emission wavelength shift due to the deterioration of heat dissipation is avoided, and the operation stability and reliability are excellent. A wiring board can be realized.
かかる樹脂配線基板の好適例を挙げると、EP樹脂(エポキシ樹脂)、PI樹脂(ポリイミド樹脂)、BT樹脂(ビスマレイド−トリアジン樹脂)、PPE樹脂(ポリフェニレンエーテル樹脂)等からなる配線基板がある。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維(ガラス織布やガラス不織布)やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる配線基板を使用してもよい。また、セラミック配線基板の好適例としては、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、ベリリア、ムライト、低温焼成ガラスセラミック、ガラスセラミック等からなる配線基板を挙げることができる。金属配線基板の好適例としては、例えば、銅からなる配線基板、銅合金からなる配線基板、銅以外の金属単体からなる配線基板、銅以外の合金からなる配線基板などを挙げることができる。 Preferable examples of such resin wiring boards include wiring boards made of EP resin (epoxy resin), PI resin (polyimide resin), BT resin (bismaleide-triazine resin), PPE resin (polyphenylene ether resin) and the like. In addition, a wiring board made of a composite material of these resins and organic fibers such as glass fibers (glass woven fabric or glass nonwoven fabric) or polyamide fibers may be used. Further, preferable examples of the ceramic wiring board include wiring boards made of alumina, aluminum nitride, silicon nitride, boron nitride, beryllia, mullite, low-temperature fired glass ceramic, glass ceramic, and the like. Preferable examples of the metal wiring board include a wiring board made of copper, a wiring board made of a copper alloy, a wiring board made of a single metal other than copper, and a wiring board made of an alloy other than copper.
なお、前記配線基板の前記主面側に、半導体集積回路素子を搭載可能な半導体集積回路素子搭載領域が設定されることが好ましい。このようにすれば、光素子実装部上に実装された光素子と、半導体集積回路素子搭載領域に搭載された半導体集積回路素子とをつなぐ配線が短くなる。ここで、「半導体集積回路素子」とは、主としてコンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される素子をいう。 It is preferable that a semiconductor integrated circuit element mounting region in which a semiconductor integrated circuit element can be mounted is set on the main surface side of the wiring board. This shortens the wiring connecting the optical element mounted on the optical element mounting portion and the semiconductor integrated circuit element mounted in the semiconductor integrated circuit element mounting region. Here, “semiconductor integrated circuit element” refers to an element mainly used as a microprocessor of a computer or the like.
また、前記配線基板の前記主面側にて開口する第1凹部が形成され、前記第1凹部の底面上に前記半導体集積回路素子搭載領域が設定され、前記第1凹部の底面にて開口する第2凹部が形成され、前記第2凹部の底面上に前記光素子実装部が設定されるとともに、前記半導体集積回路素子搭載領域に搭載された半導体集積回路素子が、前記光素子実装部上に実装された前記光素子の真上に配置され、前記配線基板の前記主面上に、前記半導体集積回路素子の熱を外部に放出する放熱手段を設けることが好ましい。このようにすれば、半導体集積回路素子の熱が放熱手段で放出されて少なくなるため、半導体集積回路素子の熱が光素子に与える悪影響をより確実に低減でき、光素子の信頼性がよりいっそう向上する。また、半導体集積回路素子が第1凹部内に配置されるとともに、光素子が第2凹部内に配置されるため、放熱手段を設けたとしても光電気混載パッケージが肉厚になりにくい。さらに、前記第2凹部は、前記配線基板の前記主面側であって前記突出部の反対側となる箇所に形成され、前記第2凹部の面積は、前記突出部の先端面の面積よりも小さいことが好ましい。なお、突出部がはんだボール接合部が存在しない箇所に形成されている場合、配線基板において突出部が位置する部分の肉厚は、配線基板においてはんだボール接合部が位置する部分の肉厚よりも厚くなっている可能性が高い。よって、上記の箇所に第2凹部を形成したとしても、配線基板の強度低下が防止される。 In addition, a first recess opening on the main surface side of the wiring substrate is formed, the semiconductor integrated circuit element mounting region is set on the bottom surface of the first recess, and opening is made on the bottom surface of the first recess. A second recess is formed, the optical element mounting portion is set on the bottom surface of the second recess, and a semiconductor integrated circuit element mounted in the semiconductor integrated circuit element mounting region is placed on the optical element mounting portion. It is preferable that a heat dissipating means is provided on the main surface of the wiring board to dissipate heat of the semiconductor integrated circuit element to the outside. In this way, since the heat of the semiconductor integrated circuit element is released by the heat dissipation means and reduced, the adverse effect of the heat of the semiconductor integrated circuit element on the optical element can be more reliably reduced, and the reliability of the optical element is further increased. improves. In addition, since the semiconductor integrated circuit element is disposed in the first recess and the optical element is disposed in the second recess, the opto-electric hybrid package is less likely to be thick even if a heat dissipating means is provided. Further, the second recess is formed at a location on the main surface side of the wiring board and on the opposite side of the protrusion, and the area of the second recess is larger than the area of the tip surface of the protrusion. Small is preferable. When the protrusion is formed at a location where the solder ball joint does not exist, the thickness of the portion where the protrusion is located on the wiring board is larger than the thickness of the portion where the solder ball joint is located on the wiring board. It is likely that it is thick. Therefore, even if the second concave portion is formed at the above-described location, the strength reduction of the wiring board is prevented.
光電気混載パッケージを構成する配線基板は、樹脂絶縁層と金属導体層とを備えた多層配線基板であることがよい。前記金属導体層は前記主面や前記裏面に形成されていてもよいし、基板内部に形成されていてもよい。また、これらの金属導体層の層間接続を図るために、基板内部にスルーホール導体が形成されていてもよい。なお、かかる金属導体層やスルーホール導体は、例えば、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、白金(Pt)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)などからなる導電性金属ペーストを印刷または充填することにより形成される。そして、このような金属導体層には電気信号が流れるようになっている。なお、このような多層配線基板に加えて、例えば、樹脂絶縁層と金属導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層をコア部の表層に有するビルドアップ多層配線基板を用いることも許容される。このようにすれば、配線基板の高密度化を図りやすくなる。また、前記主面側に半導体集積回路素子搭載領域が設定されている場合、前記光素子は、前記ビルドアップ多層配線基板を介して、半導体集積回路素子搭載領域に搭載される半導体集積回路素子に電気的に接続される。 The wiring board constituting the opto-electric hybrid package is preferably a multilayer wiring board provided with a resin insulating layer and a metal conductor layer. The metal conductor layer may be formed on the main surface or the back surface, or may be formed inside the substrate. Further, in order to achieve interlayer connection between these metal conductor layers, a through-hole conductor may be formed inside the substrate. The metal conductor layer and the through-hole conductor are, for example, conductive metal paste made of gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), platinum (Pt), tungsten (W), molybdenum (Mo), or the like. Is formed by printing or filling. An electric signal flows through such a metal conductor layer. In addition to such a multilayer wiring board, for example, it is allowed to use a build-up multilayer wiring board having a build-up layer formed by alternately laminating resin insulating layers and metal conductor layers on the surface layer of the core portion. The This makes it easy to increase the density of the wiring board. When the semiconductor integrated circuit element mounting area is set on the main surface side, the optical element is connected to the semiconductor integrated circuit element mounted in the semiconductor integrated circuit element mounting area via the build-up multilayer wiring board. Electrically connected.
前記はんだボール接合部及び前記光素子実装部は、例えば導電性金属により形成された金属層であることが好ましい。前記導電性金属としては特に限定されないが、例えば銅、金、銀、白金、パラジウム、ニッケル、スズ、鉛、チタン、タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブなどから選択される1種または2種以上の金属を挙げることができる。2種以上の金属からなる導電性金属としては、例えば、スズ及び鉛の合金であるはんだ等を挙げることができる。2種以上の金属からなる導電性金属として、鉛フリーのはんだ(例えば、Sn−Sb系はんだ、Sn−Ag系はんだ、Sn−Ag−Cu系はんだ、Sn−Ag−Bi系はんだ、Sn−Ag−Bi−Cu系はんだ、Sn−Zn系はんだ、Sn−Zn−Bi系はんだ、Au−Ge系はんだ、Au−Sn系はんだ、Au−Si系はんだ等)を用いても勿論よい。また、はんだボール接合部及び光素子実装部を形成する方法としては、エッチング、めっき、金属ペーストの印刷焼成、金属箔の貼付、スパッタリング、蒸着、イオンプレーティングなどが挙げられる。 The solder ball joint portion and the optical element mounting portion are preferably metal layers formed of, for example, a conductive metal. Although it does not specifically limit as said electroconductive metal, For example, 1 type, or 2 or more types of metals selected from copper, gold | metal | money, silver, platinum, palladium, nickel, tin, lead, titanium, tungsten, molybdenum, tantalum, niobium etc. Can be mentioned. Examples of the conductive metal composed of two or more metals include solder that is an alloy of tin and lead. Lead-free solder (for example, Sn—Sb solder, Sn—Ag solder, Sn—Ag—Cu solder, Sn—Ag—Bi solder, Sn—Ag) as a conductive metal composed of two or more metals. -Bi-Cu solder, Sn-Zn solder, Sn-Zn-Bi solder, Au-Ge solder, Au-Sn solder, Au-Si solder, etc. may be used. Examples of the method for forming the solder ball joint portion and the optical element mounting portion include etching, plating, metal paste printing and baking, metal foil sticking, sputtering, vapor deposition, and ion plating.
前記複数のはんだボールは、はんだ合金によって形成される。前記はんだ合金は、はんだボール接合部や、光導波路付き基板の接続端子等の材質等に応じて適宜選択されるが、90Pb−10Sn、95Pb−5Sn、40Pb−60SnなどのPb−Sn系はんだ、Sn−Sb系はんだ、Sn−Ag系はんだ、Sn−Ag−Cu系はんだ、Au−Ge系はんだ、Au−Sn系はんだ、Au−Si系はんだなどによって形成される。特に、前記複数のはんだボールは上記した鉛フリーはんだからなることが好ましい。このようにすれば、はんだボールに鉛が含まれていないため、配線基板の環境への負荷を低くすることができる。 The plurality of solder balls are formed of a solder alloy. The solder alloy is appropriately selected according to the material such as a solder ball joint, a connection terminal of a substrate with an optical waveguide, etc. It is formed of Sn—Sb solder, Sn—Ag solder, Sn—Ag—Cu solder, Au—Ge solder, Au—Sn solder, Au—Si solder or the like. In particular, the plurality of solder balls are preferably made of the above-described lead-free solder. In this way, since the solder balls do not contain lead, the load on the environment of the wiring board can be reduced.
なお、前記はんだボールの最大径は例えば500μm以上に設定される。仮に、はんだボールの最大径が500μm未満であると、光電気混載パッケージを光導波路付き基板に搭載した際に突出部と光導波路付き基板との間に生じる空間が小さくなりすぎるため、突出部が光導波路付き基板に接触してしまうおそれがある。また、光導波路付き基板の表面(はんだボールとの接続面)は波打っていることが多いため、はんだボールの最大径が例えば100μm程度になると、はんだボールを光導波路付き基板に上手く接続できなくなる。 The maximum diameter of the solder ball is set to, for example, 500 μm or more. If the maximum diameter of the solder balls is less than 500 μm, the space formed between the protruding portion and the substrate with the optical waveguide becomes too small when the opto-electric hybrid package is mounted on the substrate with the optical waveguide. There is a risk of contact with the substrate with the optical waveguide. In addition, since the surface of the substrate with the optical waveguide (connection surface with the solder ball) is often wavy, if the maximum diameter of the solder ball is about 100 μm, for example, the solder ball cannot be connected to the substrate with the optical waveguide. .
光電気混載パッケージは、光素子実装部上に実装された光素子を備えている。光素子は、光素子実装部の数に合わせて1つまたは2つ以上実装される。その実装方法としては、例えば、ワイヤボンディングやフリップチップボンディング等の手法を採用することができ、特には、フリップチップボンディングを採用することが好ましい。このようにすれば、ワイヤボンディングよりも、信頼性や電気的特性が向上する。また、ワイヤボンディングを採用した場合、光素子が厚い場合にワイヤが長くなってしまう。なお、発光部を有する光素子(即ち発光素子)としては、例えば、発光ダイオード(Light Emitting Diode;LED)、半導体レーザーダイオード(Laser Diode ;LD)、面発光レーザー(Vertical Cavity Surface Emitting Laser;VCSEL)等を挙げることができる。これらの発光素子は、入力した電気信号を光信号に変換した後、その光信号を所定部位に向けて発光部から出射する機能を有している。一方、受光部を有する光素子(即ち受光素子)としては、例えば、pinフォトダイオード(pin Photo Diode ;pin PD)、アバランシェフォトダイオード(APD)等を挙げることができる。これらの受光素子は、光信号を受光部にて入射し、その入射した光信号を電気信号に変換して出力する機能を有している。なお、光素子は発光部及び受光部の両方を有するものであってもよい。光素子に使用する好適な材料としては、例えば、Si、Ge、InGaAs、GaAsP、GaAlAsなどを挙げることができる。このような光素子(特に発光素子)は、動作回路によって動作される。光素子及び動作回路は、例えば、配線基板に形成された導体層(前記金属導体層)を介して電気的に接続されている。 The opto-electric hybrid package includes an optical element mounted on the optical element mounting portion. One or more optical elements are mounted according to the number of optical element mounting portions. As the mounting method, for example, a technique such as wire bonding or flip chip bonding can be employed, and in particular, flip chip bonding is preferably employed. In this way, reliability and electrical characteristics are improved as compared with wire bonding. In addition, when wire bonding is employed, the wire becomes long when the optical element is thick. In addition, as an optical element (namely, light emitting element) which has a light emission part, for example, a light emitting diode (Light Emitting Diode; LED), a semiconductor laser diode (Laser Diode; LD), a surface emitting laser (Vertical Cavity Surface Emitting Laser; VCSEL) Etc. These light emitting elements have a function of converting an inputted electric signal into an optical signal and then emitting the optical signal from a light emitting portion toward a predetermined portion. On the other hand, examples of an optical element having a light receiving portion (that is, a light receiving element) include a pin photodiode (pin PD) and an avalanche photodiode (APD). These light receiving elements have a function of causing an optical signal to be incident on the light receiving unit, converting the incident optical signal into an electric signal, and outputting the electric signal. The optical element may have both a light emitting unit and a light receiving unit. Examples of suitable materials used for the optical element include Si, Ge, InGaAs, GaAsP, and GaAlAs. Such an optical element (particularly a light emitting element) is operated by an operation circuit. The optical element and the operation circuit are electrically connected through, for example, a conductor layer (the metal conductor layer) formed on the wiring board.
また、光電気混載パッケージは前記光導波構造部を備えている。光電気混載パッケージは、1つの光導波構造部のみを備えていてもよく、2つ以上の光導波構造部を備えていてもよい。光導波構造部とは、光信号が伝搬する光路となるコア及び前記コアを取り囲むクラッドを有し、例えば、ポリマ材料等からなる有機系の光導波構造部、石英ガラスや化合物半導体等からなる無機系の光導波構造部等がある。前記ポリマ材料としては、感光性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを選択することができ、具体的には、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、UV硬化性エポキシ樹脂、PMMA(ポリメチルメタクリレート)、重水素化PMMA、重水素フッ素化PMMA等のアクリル樹脂、ポリオレフィン系樹脂などが好適である。 The opto-electric hybrid package includes the optical waveguide structure. The opto-electric hybrid package may include only one optical waveguide structure portion or may include two or more optical waveguide structure portions. The optical waveguide structure section has a core that is an optical path through which an optical signal propagates and a cladding that surrounds the core. For example, an organic optical waveguide structure section made of a polymer material or the like, an inorganic optical waveguide structure section made of quartz glass, a compound semiconductor, or the like There is an optical waveguide structure portion of the system. As the polymer material, a photosensitive resin, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like can be selected. Specifically, a polyimide resin such as a fluorinated polyimide, an epoxy resin, a UV curable epoxy resin, a PMMA ( Polymethyl methacrylate), acrylic resins such as deuterated PMMA, deuterated fluorinated PMMA, polyolefin resins, and the like are suitable.
上記課題を解決するための別の手段(手段2)としては以下のものがある。光信号が伝搬する光路となる光導波路(81)を備えた光導波路付き基板(61)と、前記光導波路付き基板(61)上に搭載された光素子付き光電気混載パッケージ(2,3,4,126)とを備えた光電気混載モジュール(1)であって、前記光素子付き光電気混載パッケージ(2,3,4,126)は、主面(12)及び前記主面(12)の反対側に位置する裏面(13)を有する配線基板(10,100,110)と、前記配線基板(10,100,110)の前記裏面(13)に位置するはんだボール接合部(48)上に接合され、前記光導波路付き基板(61)への搭載時に前記光導波路付き基板(61)に接続される複数のはんだボール(49)と、発光部(25)及び受光部のうちの少なくとも一方を有し、前記発光部(25)及び前記受光部の少なくとも一方を前記光導波路(81)側に向けた状態で、前記配線基板(10,100,110)の前記主面(12)に位置する光素子実装部(55,56)上に実装された光素子(24,27)と、前記配線基板(10,100,110)の前記裏面(13)側から前記光導波路付き基板(61)側に突出するように前記配線基板(10,100,110)に形成された突出部(53)と、光信号が伝搬する光路となるコア(72)及び前記コア(72)を取り囲むクラッド(73)を有し、前記配線基板(10,100,110)の主面(12)及び前記突出部(53)の先端面(54)を貫通する光導波構造部(71)とを備え、前記はんだボール接合部(48)の表面から前記突出部(53)の先端面(54)との段差(A1)が、前記はんだボール(49)の最大径(A2)の半分以上の大きさであることを特徴とする光電気混載モジュール。 As another means (means 2) for solving the above-mentioned problem, there is the following. A substrate with an optical waveguide (61) having an optical waveguide (81) serving as an optical path through which an optical signal propagates, and an opto-electric hybrid package with optical elements (2, 3, and 3) mounted on the substrate with optical waveguide (61) 4 and 126), wherein the opto-electric hybrid package (2, 3, 4, 126) with an optical element includes a main surface (12) and the main surface (12). A wiring board (10, 100, 110) having a back surface (13) located on the opposite side of the wiring board, and a solder ball joint (48) located on the back surface (13) of the wiring board (10, 100, 110). And a plurality of solder balls (49) connected to the substrate with optical waveguide (61) when mounted on the substrate with optical waveguide (61), and at least one of the light emitting portion (25) and the light receiving portion The light emitting part (2 ) And at least one of the light receiving portions facing the optical waveguide (81), the optical element mounting portions (55, 56) located on the main surface (12) of the wiring board (10, 100, 110). And the optical element (24, 27) mounted on the wiring board (10, 100, 110) and the wiring board (10, 100, 110) so as to protrude from the back surface (13) side to the substrate with optical waveguide (61) side. A protrusion (53) formed in (10, 100, 110), a core (72) serving as an optical path through which an optical signal propagates, and a clad (73) surrounding the core (72); 10, 100, 110) and an optical waveguide structure portion (71) penetrating the tip end surface (54) of the protruding portion (53), and from the surface of the solder ball joint portion (48). The front end surface (54) of the protrusion (53) Opto-electric hybrid module, wherein the step (A1) is the maximum diameter (A2) more than half the size of the solder balls (49) between.
従って、手段2の光電気混載モジュールによると、はんだボール接合部の表面から突出部の先端面との段差が、はんだボール接合部上に接合されたはんだボールの最大径の半分以上の大きさであるため、突出部と光導波路付き基板が備える光導波路との間に生じる空間が小さくなる。これに伴い、突出部の先端面を貫通する光導波構造部と光導波路とをつなぐ光路が短くなるため、光信号が上記の空間を伝搬する際において光信号の損失、劣化を確実に低減することができる。
Therefore, according to the opto-electric hybrid module of
ここで、光導波路付き基板としては、例えば、樹脂基板、セラミック基板、ガラス基板または金属基板が使用可能であるが、コスト面を考慮すると樹脂基板であることが好ましい。また、光導波路付き基板は、絶縁層と導体層とを備えた光導波路付き配線基板であることがよく、特には多層配線基板であることがよい。なお、このような配線基板に加えて、例えば、絶縁層と導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層をコア部の表層に備えるビルドアップ多層配線基板を用いることも許容される。 Here, as the substrate with an optical waveguide, for example, a resin substrate, a ceramic substrate, a glass substrate, or a metal substrate can be used, but a resin substrate is preferable in consideration of cost. The substrate with an optical waveguide is preferably a wiring substrate with an optical waveguide provided with an insulating layer and a conductor layer, and particularly preferably a multilayer wiring substrate. In addition to such a wiring board, for example, it is allowed to use a build-up multilayer wiring board having a build-up layer formed by alternately laminating insulating layers and conductor layers on the surface layer of the core portion.
また、光導波路付き基板は前記光導波路を備えている。光導波路付き基板は、1つの光導波路のみを備えていてもよく、2つ以上の光導波路を備えていてもよい。光導波路とは、光信号が伝搬する光路となるコア及び前記コアを取り囲むクラッドを有した板状またはフィルム状の部材を指し、例えば、ポリマ材料等からなる有機系の光導波路、石英ガラスや化合物半導体等からなる無機系の光導波路等がある。前記ポリマ材料としては、感光性樹脂、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などを選択することができ、具体的には、フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、UV硬化性エポキシ樹脂、PMMA(ポリメチルメタクリレート)、重水素化PMMA、重水素フッ素化PMMA等のアクリル樹脂、ポリオレフィン系樹脂などが好適である。 The substrate with an optical waveguide includes the optical waveguide. The substrate with an optical waveguide may include only one optical waveguide, or may include two or more optical waveguides. An optical waveguide refers to a plate-like or film-like member having a core serving as an optical path through which an optical signal propagates and a clad surrounding the core. For example, an organic optical waveguide made of a polymer material, quartz glass or a compound There are inorganic optical waveguides made of semiconductors and the like. As the polymer material, a photosensitive resin, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or the like can be selected. Specifically, a polyimide resin such as a fluorinated polyimide, an epoxy resin, a UV curable epoxy resin, a PMMA ( Polymethyl methacrylate), acrylic resins such as deuterated PMMA, deuterated fluorinated PMMA, polyolefin resins, and the like are suitable.
[第1実施形態] [First Embodiment]
以下、本発明を具体化した第1実施形態の光電気混載モジュールを、図1〜図10に基づき詳細に説明する。 Hereinafter, the opto-electric hybrid module according to the first embodiment embodying the present invention will be described in detail with reference to FIGS.
図1〜図4に示されるように、本実施形態の光電気混載モジュール1は、光導波路付き配線基板61(光導波路付き基板)の上面62(表面)上に、3つの光素子付き光電気混載パッケージ2,3,4を搭載することで構成される。
As shown in FIG. 1 to FIG. 4, the opto-
本実施形態の光導波路付き配線基板61は、上面62及び下面63を有する平面視略矩形状の板部材である。光導波路付き配線基板61は、基板本体69及び光導波路81などを備えている。図4に示されるように、基板本体69は、樹脂絶縁層64と金属導体層65とによって構成された多層配線基板である。樹脂絶縁層64は、例えば、厚さ約30μmであって、連続多孔質PTFEにエポキシ樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料や、厚さ約100μmのガラス布基材エポキシ樹脂からなる。
The
図4に示されるように、樹脂絶縁層64における複数箇所には、樹脂絶縁層64の厚さ方向に貫通する内部導通用のスルーホール部66が形成されている。そして、これらのスルーホール部66は、層の異なる金属導体層65を電気的に接続する役割を果たしている。また、光導波路付き配線基板61の上面62において各々のスルーホール部66の上端面がある位置には、接続端子であるパッド67が配置されている。
As shown in FIG. 4, through
図1〜図4に示されるように、前記光導波路81は、光導波路付き配線基板61の上面62側に設けられた取付凹部68内に形成されており、上面が光導波路付き配線基板61の上面62に露出して上面62と面一になっている。光導波路81は、コア83及びそれを取り囲むクラッド84を有している。なお、実質的にコア83は光信号が伝搬する光路となる。本実施形態の場合、コア83及びクラッド84は、屈折率等の異なる透明なポリマ材料、具体的には屈折率等の異なるPMMA(ポリメチルメタクリレート)により形成されている。光路となるコア83の本数は12であって、それらは直線状をなしており、互いに平行に延びるように形成されている。
As shown in FIGS. 1 to 4, the
光導波路81における所定の箇所には、光導波路81の下面にて開口するV字溝85が形成されている。このV字溝85の先端はコア83のある深さにまで及んでいる。V字溝85の内面は光導波路付き配線基板61の上面62に対して約45°の角度を持つ傾斜面となっていて、その傾斜面には光を全反射可能な金属からなる薄膜87が蒸着されている。その結果、光を90°の角度で反射する光路変換用ミラー(光路変換部)が構成される。
A V-shaped
図1〜図4に示されるように、前記光電気混載パッケージ2は配線基板10を備えている。配線基板10は、主面12及びその反対側に位置する裏面13を有し、縦50.0mm×横50.0mm×厚さ1.0mmの正方形板状をなしている。また、配線基板10は、ガラスエポキシからなる略矩形板状のコア基板14(コア部)を有するとともに、コア基板14の表層であるコア主面15(図4では上面)上に第1ビルドアップ層31を有し、同じくコア基板14の表層であるコア裏面16(図4では下面)上に第2ビルドアップ層32を有するビルドアップ多層配線基板である。
As shown in FIGS. 1 to 4, the opto-
図4に示されるように、コア基板14における複数箇所には、コア主面15及びコア裏面16を貫通するスルーホール導体17が形成されている。これらのスルーホール導体17は、コア基板14のコア主面15側とコア裏面16側とを接続導通している。なお、スルーホール導体17の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体18で埋められている。そして、スルーホール導体17における開口部には銅めっき層からなる蓋状導体19が形成され、その結果スルーホール導体17が塞がれている。また、コア基板14のコア主面15及びコア裏面16においてスルーホール導体17が存在しない箇所には、銅めっき層からなる配線パターン20が形成されている。
As shown in FIG. 4, through-
前記第1ビルドアップ層31は、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる5層の樹脂絶縁層33と、銅からなる金属導体層42とを交互に積層した構造を有している。また、各樹脂絶縁層33における複数箇所には、金属導体層42に接続される内層接続ビア導体43が形成されている。さらに、第5層の樹脂絶縁層33の表面は、ソルダーレジスト37によってほぼ全体的に覆われている。
The
図3に示されるように、配線基板10の主面12側は金属製リッド11で覆われている。また、図1〜図4に示されるように、前記配線基板10の前記主面12側には、主面側凹部50,51が形成されている。主面側凹部50は、配線基板10の主面12側において基板中央部となる領域に配置され、平面視略矩形状をなしている。一方、主面側凹部51は、配線基板10の主面12側において主面側凹部50よりも基板外周側となる領域に配置され、平面視略矩形状をなしている。また、主面側凹部50の底面上には、それぞれ平面略矩形状をなす複数のCPU接続用端子58が形成され、主面側凹部51の底面上には、それぞれ平面視略矩形状をなす複数のドライバIC接続用端子57が形成されている。各CPU接続用端子58及び各ドライバIC接続用端子57は、互いに電気的に接続されている。そして、配線基板10の主面12側において各CPU接続用端子58が属する領域(主面側凹部50の底面)や、配線基板10の主面12側において各ドライバIC接続用端子57が属する領域(主面側凹部51の底面)が、半導体集積回路素子搭載領域23となる。なお、主面側凹部50,51の底面は、それぞれ第1層の樹脂絶縁層33の表面の一部である。また、CPU接続用端子58及びドライバIC接続用端子57の表面上には、それぞれはんだボール45が配設されている。
As shown in FIG. 3, the
図1,図3に示されるように、半導体集積回路素子搭載領域23に属するCPU接続用端子58の表面上に配設された各はんだボール45には、半導体集積回路素子であるICチップ21(CPU)が接合されている。MPUとしての機能を有するICチップ21は、縦10.0mm×横7.5mm×厚さ0.7mmの矩形平板状をなしている。ICチップ21の下面側表層には、図示しない回路素子が形成されている。また、ICチップ21の下面側には、複数の素子側端子(図示略)が格子状に設けられている。
As shown in FIGS. 1 and 3, each
図1〜図4に示されるように、半導体集積回路素子搭載領域23に属する前記ドライバIC接続用端子57の表面上に配設された各はんだボール45には、半導体集積回路素子であるドライバIC22が接合されている。本実施形態のドライバIC22は、縦3.5mm×横2.5mmの略矩形平板状をなしている。このドライバIC22の下面側表層には、図示しない回路素子が形成されている。また、ドライバIC22の有する複数の端子28は、各はんだボール45上にそれぞれ接合されている。
As shown in FIGS. 1 to 4, each
図3,図4等に示されるように、第1層の樹脂絶縁層33の表面上であって、前記主面側凹部51の底面となる箇所には、それぞれ平面視略矩形状をなす複数の光素子接続用端子55(光素子実装部)が形成されている。また、各光素子接続用端子55の表面上には、それぞれはんだボール56(光素子実装部)が配設されている。
As shown in FIG. 3 and FIG. 4 and the like, a plurality of portions each having a substantially rectangular shape in plan view are formed on the surface of the first
図1〜図4に示されるように、光素子接続用端子55の表面上に配設されたはんだボール56には、光素子(発光素子)の一種であるVCSEL24が、発光面を下方(前記光導波路81側)に向けた状態でフリップチップボンディングによって実装されている。本実施形態のVCSEL24は、縦3.0mm×横0.25mm×厚さ0.2mmの略矩形平板状をなしている。このVCSEL24は、同VCSEL24の長手方向に沿って一列に並べられた複数(ここでは12個)の発光部25を発光面内に有している。これらの発光部25は、配線基板10の主面12に対して直交する方向(即ち、図2〜図4において下方向)に、所定波長のレーザー光(光信号)を出射するようになっている。また、VCSEL24の有する複数の端子29は、各はんだボール56にそれぞれ接合されている。VCSEL24は、配線基板10を構成する光素子接続用端子55及び前記ドライバIC接続用端子57などを介して、前記ドライバIC22に電気的に接続されており、ドライバIC22によって駆動されるようになっている。
As shown in FIG. 1 to FIG. 4, the
図4に示されるように、前記第2ビルドアップ層32は、上述した第1ビルドアップ層31と略同じ構造を有している。即ち、第2ビルドアップ層32は、熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂)からなる5層の樹脂絶縁層34と、金属導体層42とを交互に積層した構造を有している。また、各樹脂絶縁層34における複数箇所には、金属導体層42などに接続される内層接続ビア導体47が形成されている。
As shown in FIG. 4, the
図2〜図4に示されるように、配線基板10の裏面13側には裏面側凹部52が形成され、裏面13側において裏面側凹部52が形成されていない箇所には突出部53が形成されている。裏面側凹部52の底面上における複数箇所には、はんだボール接合部であるBGA用パッド48が格子状に形成されている。即ち、BGA用パッド48は、配線基板10の裏面13側に位置している。また、突出部53は、配線基板10の裏面13側から前記光導波路付き配線基板61側に突出している。そして、BGA用パッド48よりも突出部53が、光導波路付き配線基板61側に突出した状態となっている。なお、裏面側凹部52の底面は、第1層の樹脂絶縁層34の表面の一部である。さらに、第1層の樹脂絶縁層34の下面は、ソルダーレジスト38によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト38の所定箇所には、BGA用パッド48を露出させる開口部39が形成されている。また、BGA用パッド48の表面上には、光導波路付き配線基板61に対して電気的に接続可能な複数のはんだボール49が接合されている。そして、各はんだボール49が光導波路付き配線基板61の前記パッド67にはんだ付けされることにより、配線基板10が光導波路付き配線基板61上に搭載される。
As shown in FIGS. 2 to 4, a back
図2〜図4に示されるように、配線基板10には、複数の光導波構造部用孔70が形成されている。各光導波構造部用孔70の主面12側の開口部付近には、前記光素子接続用端子55が配置されている。各光導波構造部用孔70は断面円形状かつ等断面形状であって、配線基板10の主面12及び突出部53の先端面54(配線基板10の裏面13)を貫通している。本実施形態の場合、各光導波構造部用孔70の直径は、約0.05mmに設定されている。
As shown in FIGS. 2 to 4, the
また、各光導波構造部用孔70内には、前記光電気混載パッケージ2が備える光導波構造部71がそれぞれ形成されている。各光導波構造部71は、コア72及びそれを取り囲むクラッド73を有している。なお、実質的にコア72は光信号が伝搬する光路となる。本実施形態の場合、コア72及びクラッド73は、屈折率等の異なる透明なポリマ材料、具体的には屈折率等の異なるPMMA(ポリメチルメタクリレート)により形成されている。クラッド73は、光導波構造部用孔70に液状のクラッド材を充填して固化させることにより形成されたものである。また、コア72は、クラッド73の一部を除去することによって形成されたコア用孔内に液状のコア材を充填して固化させることにより形成されたものである。光路となるコア72の本数は、前記VCSEL24の発光部25の数と同じく12であって、それらは直線的にかつ互いに平行に延びるように形成されている。
In each optical
その結果、VCSEL24と光導波構造部71とが、平面方向において位置合わせされた状態で固定される。ここで、「平面方向において位置合わせされた状態」とは、光導波構造部71が各発光部25の直下にあり各コア72と各発光部25との光軸が合った状態をいう。
As a result, the
なお図2に示されるように、BGA用パッド48の表面から突出部53の先端面54(配線基板10の裏面13)との段差A1は、はんだボール49の最大径A2(直径)の半分以上であって、はんだボール49の最大径A2以下の大きさである。本実施形態では、はんだボール49の最大径A2が500μmに設定され、段差A1が475μmに設定されている。また、突出部53の先端面54と前記光導波路81の上面(光導波路付き配線基板61の上面62)との間に生じる空間A3(ギャップ)は、0μm以上200μm以下であることが好ましく、本実施形態では25μmとなっている。そして、光導波構造部71の裏面側端部(突出部53の先端面54)と光導波路81の前記コア83との間の距離(光伝送距離)は、200μm以下であることが好ましく、本実施形態では100μmに設定されている。
As shown in FIG. 2, the step A1 between the surface of the
なお、図1において右側及び下側にある光電気混載パッケージ3,4が備える配線基板10の主面12にも、主面側凹部51が形成されている。主面側凹部51の底面上には、複数のレシーバIC接続用端子(図示略)が形成され、各レシーバIC接続用端子の表面上には、それぞれはんだボール45が形成されている。各はんだボール45には、半導体集積回路素子であるレシーバIC26が接合されている。本実施形態のレシーバIC26は、縦3.5mm×横2.5mmの略矩形平板状をなしている。このレシーバIC26の下面側表層には、図示しない回路素子が形成されている。また、レシーバIC26の有する複数の端子(図示略)は、各はんだボール45上にそれぞれ接合されている。
In addition, the main surface side recessed
また、光電気混載パッケージ3,4が備える配線基板10の主面12にも、複数の光素子接続用端子55が形成されている。各光素子接続用端子55の表面上には、光素子(受光素子)の一種であるフォトダイオード27が、受光面を下方(前記光導波路81側)に向けた状態で接合されている。本実施形態のフォトダイオード27は、縦3.0mm×横0.25mm×厚さ0.2mmの略矩形平板状をなしている。このフォトダイオード27は、同フォトダイオード27の長手方向に沿って一列に並べられた複数(ここでは12個)の受光部(図示略)を受光面内に有している。従って、これらの受光部は、光導波路81側からフォトダイオード27側に向かうレーザー光(光信号)を受けやすい構成となっている。なお、フォトダイオード27は、レシーバIC26に電気的に接続されており、レシーバIC26によって駆動されるようになっている。
A plurality of optical
このように構成された光電気混載モジュール1の一般的な動作について簡単に述べる。
A general operation of the opto-
VCSEL24及びフォトダイオード27は、光導波路付き配線基板61の金属導体層65や配線基板10の金属導体層42などを介した電力供給により、動作可能な状態となる。配線基板10上のドライバIC22からVCSEL24に電気信号が出力されると、VCSEL24は入力した電気信号を光信号(レーザー光)に変換した後、その光信号をコア83の一端(図2では右端)にある光路変換用ミラーに向けて、発光部25から出射する。発光部25から出射したレーザー光は、光導波構造部71のコア72内を進行した後、光導波路81の上面側から入射して、コア83の光路変換用ミラーに入射する。光路変換用ミラーに入射したレーザー光は、そこで進行方向を90°変更し、コア83を通過して、コア83の他端側(図2では左端側)にある光路変換用ミラーに入射する。そして、他端側にある光路変換用ミラーに入射したレーザー光は、そこで進行方向を90°変更し、光導波路81の上面側から出射する。さらに、レーザー光は、光導波構造部71のコア72内を進行した後、フォトダイオード27の受光部に入射する。フォトダイオード27は、受光したレーザー光を電気信号に変換し、変換した電気信号をレシーバIC26に出力する。
The
次に、上記構成の光電気混載モジュール1の製造方法を説明する。
Next, a manufacturing method of the opto-
まず、配線基板10を従来周知の手法により作製し、あらかじめ準備しておく。配線基板10は以下のように作製される。まず、縦50mm×横50mm×厚さ0.6mmの基材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板(図示略)を準備する。そして、YAGレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、銅張積層板を貫通する貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。次に、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでスルーホール導体17を形成した後、そのスルーホール導体17内に閉塞体18を充填形成する。さらに、銅めっきを行って蓋状導体19を形成し、さらに銅張積層板の両面の銅箔のエッチングを行って配線パターン20をパターニングする。具体的には、無電解銅めっきの後、露光及び現像を行って所定パターンのめっきレジストを形成する。この状態で無電解銅めっき層を共通電極として電解銅めっきを施した後、まずレジストを溶解除去して、さらに不要な無電解銅めっき層をエッチングで除去する。その結果、コア基板14を得る。
First, the
次に、コア基板14のコア主面15及びコア裏面16に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、内層接続ビア導体43,47が形成されるべき位置に盲孔を有する第1層の樹脂絶縁層33,34を形成する。さらに、従来公知の手法(例えばセミアディティブ法)に従って電解銅めっきを行い、前記盲孔の内部に内層接続ビア導体43,47を形成するとともに、樹脂絶縁層33,34上に金属導体層42を形成する。
Next, a photosensitive epoxy resin is applied to the core
次に、第1層の樹脂絶縁層33,34上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、内層接続ビア導体43,47が形成されるべき位置に盲孔を有する第2層の樹脂絶縁層33,34を形成する。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記盲孔の内部に内層接続ビア導体43,47を形成するとともに、第2層の樹脂絶縁層33,34上に金属導体層42を形成する。
Next, a photosensitive epoxy resin is deposited on the first resin insulation layers 33 and 34, and exposure and development are performed, whereby blind holes are formed at positions where the inner layer connection via
さらに、第2層の樹脂絶縁層33,34上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、内層接続ビア導体43,47が形成されるべき位置に盲孔を有する第3層の樹脂絶縁層33,34を形成する。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記盲孔の内部に内層接続ビア導体43,47を形成するとともに、第3層の樹脂絶縁層33,34上に金属導体層42を形成する。
Further, a photosensitive epoxy resin is deposited on the second resin insulation layers 33 and 34, and exposure and development are performed, whereby blind holes are formed at positions where the inner layer connection via
次に、第3層の樹脂絶縁層33,34上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、内層接続ビア導体43,47が形成されるべき位置に盲孔を有する第4層の樹脂絶縁層33,34を形成する。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記盲孔の内部に内層接続ビア導体43,47を形成するとともに、第4層の樹脂絶縁層33,34上に金属導体層42を形成する。
Next, a photosensitive epoxy resin is applied onto the third resin insulation layers 33 and 34, and exposure and development are performed, so that blind holes are formed at positions where the inner layer connection via
さらに、第4層の樹脂絶縁層33,34上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、内層接続ビア導体43,47が形成されるべき位置に盲孔を有する第5層の樹脂絶縁層33,34を形成する。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、前記盲孔の内部に内層接続ビア導体43,47を形成する。この時点で、第1ビルドアップ層31及び第2ビルドアップ層32が完成する(図5参照)。
Furthermore, a photosensitive epoxy resin is deposited on the resin insulation layers 33 and 34 of the fourth layer, and exposure and development are performed, whereby blind holes are formed at positions where the inner layer connection via
次に、第1ビルドアップ層31を構成する第2層〜第5層の樹脂絶縁層33に対してルータ91を用いたミリング加工を行い、主面側凹部50,51を形成する(図6参照)。同様に、第2ビルドアップ層32を構成する第2層〜第5層の樹脂絶縁層34に対してルータ91を用いたミリング加工を行い、裏面側凹部52を形成する。さらに、主面側凹部50の底面上にCPU接続用端子58を形成するとともに、主面側凹部51の底面上にドライバIC接続用端子57(またはレシーバIC接続用端子)及び光素子接続用端子55を形成する(図7参照)。同様に、裏面側凹部52の底面上にBGA用パッド48を形成する。
Next, milling using the
この後、第5層の樹脂絶縁層33上にソルダーレジスト37を形成するとともに、第1層の樹脂絶縁層34上にソルダーレジスト38を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト38に開口部39をパターニングする。以上の結果、両面にビルドアップ層31,32を備える所望の配線基板10が完成する。
Thereafter, a solder resist 37 is formed on the fifth
次に、配線基板10に対して精密ドリル111を用いた精密穴明け加工を行うことにより、配線基板10に光導波構造部用孔70を形成する(図8参照)。さらに、周知の手法により仕上げ加工を行って、光導波構造部用孔70の穴径を0.05mmとなるように微調整する。このときの加工に要求される精度は、具体的には±0.003mmである。
Next, the
次に、光導波構造部用孔70内に、光導波構造部71におけるクラッド73と、光導波構造部71におけるコア72とを形成する(図9参照)。本実施形態では、光導波構造部用孔70内に液状のクラッド材を充填して固化させることにより、クラッド73を形成する。そして、精密ドリルを用いた精密ドリル加工を行ってクラッド73の一部を除去することにより、主面12及び裏面13を貫通するコア用孔を形成する。なお、YAGレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いたレーザー加工を行ってクラッド73の一部を除去することにより、コア用孔を形成してもよい。次に、コア用孔内に液状のコア材を充填して固化させることにより、コア72を形成する。その結果、光導波構造部71が形成される。
Next, a clad 73 in the
なお上記の方法を採用すると、クラッド73を精密ドリル加工した場合に、コア用孔の内壁面に荒れが生じる可能性がある。そこで、精密穴明け加工された光導波構造部用孔70に次の方法を用いて光導波構造部71を形成してもよい。具体的に言うと、まず、液状のクラッド材を光導波構造部用孔70の内壁面に塗布して固化させることにより、コア用孔を有するクラッド73を形成する。次に、コア用穴内に液状のコア材を印刷充填して固化させることにより、コア72を形成する。この方法によれば、コア用孔の内壁面が平滑化され、しかもコア用孔の内壁面を反射面とすることができるため、内壁面の荒れや反射率の低下を起因とする光信号の損失、劣化を低減できる。
If the above method is adopted, when the clad 73 is precision drilled, the inner wall surface of the core hole may be roughened. Therefore, the
また、光導波路付き配線基板61を構成する基板本体69を従来公知の手法により作製し、準備しておく。その具体例を挙げると、銅張積層板を出発材料として銅箔のエッチングや無電解銅めっき等を行い、金属導体層65及びスルーホール部66を有する樹脂絶縁層64を形成する。次に、樹脂絶縁層64の表層にさらに樹脂絶縁層64を積層形成し、最上層の樹脂絶縁層64の上面62にパッド67や取付凹部68を形成する。また、従来公知の手法に従って、取付凹部68の底面にクラッド84及びコア83を順次積層形成し、光導波路81を形成する。
Also, a
さらに、完成した配線基板10において、前記CPU接続用端子58上、及び、前記ドライバIC接続用端子57上(またはレシーバIC接続用端子上)にはんだボール45を形成するとともに、前記BGA用パッド48上にはんだボール49を形成する(図10参照)。詳述すると、CPU接続用端子58及びドライバIC接続用端子57(またはレシーバIC接続用端子)にはんだペーストを塗布してリフローすることにより、はんだボール45を形成するとともに、BGA用パッド48にはんだペーストを塗布してリフローすることにより、はんだボール49を形成する。
Further, in the completed
次に、この配線基板10の半導体集積回路素子搭載領域23にICチップ21を搭載する。このとき、CPU接続用端子58と、ICチップ21の素子側端子とを位置合わせしてリフローを行う。これにより、CPU接続用端子58及び素子側端子同士が接合され、配線基板10とICチップ21とが電気的に接続される。
Next, the
さらに、図1において中央にある光電気混載パッケージ2において、配線基板10の主面12側にドライバIC22及びVCSEL24を実装する(図10参照)。また、図1において右側及び下側にある光電気混載パッケージ3,4において、配線基板10の主面12側にレシーバIC26及びフォトダイオード27を実装する。詳述すると、ドライバIC22をはんだボール45に押し付けた状態でリフローを行い、ドライバIC22の端子28をはんだボール45にはんだ付けする。一方、レシーバIC26も、ドライバIC22と同様の工程を経て、配線基板10の主面12側に実装される。また、VCSEL24をはんだボール56に押し付けた状態でリフローを行い、VCSEL24の端子29をはんだボール56にはんだ付けする。このとき、はんだボール56をリフローする際のセルフアライメント作用により、VCSEL24の発光部25(またはフォトダイオード27の受光部)と光導波構造部71のコア72との光軸合わせが行われる。一方、フォトダイオード27も、VCSEL24と同様の工程を経て、配線基板10の主面12側に実装される。その結果、所望の光素子付き光電気混載パッケージ2,3,4が完成する。
Further, in the opto-
また、光電気混載パッケージ2,3,4のはんだボール49を光導波路付き配線基板61の上面62に密着させた状態で、各はんだボール49のリフローを行う。このとき、はんだボール49をリフローする際のセルフアライメント作用により、光導波構造部71のコア72と光導波路81のコア83との光軸合わせが行われる。これにより、はんだボール49と光導波路付き配線基板61のパッド67とが接合され、光電気混載パッケージ2,3,4が光導波路付き配線基板61にはんだ付けされる。以上のようにして、図1に示す本実施形態の光電気混載モジュール1が完成する。
In addition, the
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。 Therefore, according to the present embodiment, the following effects can be obtained.
(1)本実施形態の光電気混載モジュール1によれば、BGA用パッド48の表面から突出部53の先端面54との段差A1が、BGA用パッド48上に接合されたはんだボール49の最大径A2の半分以上の大きさである。このため、光電気混載パッケージ2,3,4を光導波路付き配線基板61に搭載した際に、先端面54と光導波路81との間に生じる空間A3が小さくなる。これに伴い、光導波構造部71と光導波路81とをつなぐ光路が短くなるため、光信号が空間A3を伝搬する際において光信号の損失、劣化を確実に低減することができる。特に、光導波構造部71が多く存在する場合、即ち光素子が多く存在する場合に本実施形態の構造を採用すれば、光素子につながっている光路をそれぞれ短くすることができるため、光信号の損失、劣化がより効果的に低減される。
(1) According to the opto-
(2)本実施形態では、上記の空間A3を小さくして光信号の損失、劣化を低減している。よって、光信号の損失、劣化を低減するために、VCSEL24の発光部25から光導波路81のコア83に向けてレーザー光を通過させるためのレンズや、コア83からフォトダイオード27の受光部に向けてレーザー光を通過させるためのレンズを、突出部53の先端面54に設けたりしなくても済む。ゆえに、光電気混載パッケージ2,3,4の部品点数が少なくなり、製造時の工数も少なくなるため、光電気混載モジュール1の製造コスト増を回避することができる。
(2) In this embodiment, the space A3 is reduced to reduce the loss and deterioration of the optical signal. Therefore, in order to reduce the loss and deterioration of the optical signal, a lens for allowing laser light to pass from the
(3)本実施形態のVCSEL24は、発光部25から配線基板10の主面12に対して直交する方向(即ち、図2〜図4において下方向)に、光信号を出射するように構成され、配線基板10の主面12に搭載されている。また、本実施形態のフォトダイオード27は、受光部が光導波路81側からフォトダイオード27側に向かう光信号を受けやすい構成となっており、同じく配線基板10の主面12に搭載されている。よって、VCSEL24及びフォトダイオード27を、従来のフリップチップボンディング等の手法で実装することができるため、光電気混載モジュール1を低コストで製造できる。
(3) The
(4)例えば、光導波構造部71が外部に露出していると、光が散乱しやすいため、光信号の品質が劣化してしまう。一方、本実施形態の光導波構造部71は、配線基板10を貫通する光導波構造部用孔70内に形成されている。これにより、光信号は、少なくとも一部が光導波構造部用孔70の内壁面で反射しながら光導波構造部71内を伝搬するため、損失や散乱なく伝送される。ゆえに、光信号の品質劣化を防止することができる。
[第2実施形態]
(4) For example, if the
[Second Embodiment]
以下、本発明を具体化した第2実施形態の光電気混載モジュール1を図11,図12に基づき詳細に説明する。ここでは前記第1実施形態と相違する点を中心に説明し、共通する点については同じ部材番号を付すのみとする。
Hereinafter, the opto-
図12に示されるように、本実施形態の光電気混載モジュール1は、配線基板の構造が上記第1実施形態とは異なる。本実施形態の配線基板100は、複数のセラミック層101を一括積層することにより構成されたセラミック多層配線基板である。各セラミック層101は、上面102及び下面103を有している。上面102には、基板平面方向に延びる上面側配線層104が形成され、下面103には、同じく基板平面方向に延びる下面側配線層105が形成されている。セラミック層101は、アルミナを主成分とするグリーンシート107(図11参照)を焼成したセラミック焼結体を主体としており、上面側配線層104及び下面側配線層105は、タングステンによって形成されている。また、セラミック層101には、上面102及び下面103を貫通する複数のビア導体106が設けられている。各ビア導体106の上端面は上面側配線層104に電気的に接続されうるようになっており、各ビア導体106の下端面は下面側配線層105に電気的に接続されうるようになっている。
As shown in FIG. 12, the opto-
次に、上記の配線基板100を製造する手順について説明する。
Next, a procedure for manufacturing the
まず、アルミナ粉末、有機バインダ溶剤、可塑剤などを均一に混合・混練してなる原料スラリーを作製し、この原料スラリーを用いてドクターブレード装置によるシート成形を行い、所定厚みのグリーンシート107(セラミック未焼結体)を複数層分形成する。次に、各グリーンシート107における所定部分にパンチ加工を施し、光導波構造部用孔70となる透孔74と、ビア導体106用のビア用孔とをそれぞれ形成する。この段階ではまだ未焼結状態であるので、穴加工を比較的簡単に低コストで行うことができる。この後、ビア用孔に金属ペースト108を充填するとともに、グリーンシート107の表面に金属ペースト109を印刷する。
First, a raw material slurry is prepared by uniformly mixing and kneading alumina powder, an organic binder solvent, a plasticizer, and the like, and using this raw material slurry, a sheet is formed by a doctor blade device, and a green sheet 107 (ceramic) having a predetermined thickness is formed. A green body) is formed for a plurality of layers. Next, a predetermined portion of each
次に、複数枚のグリーンシート107を積層して配置し、プレス装置を用いてそれらを圧着、一体化することにより、光導波構造部用孔70を有するセラミック積層体を作製する。このとき、セラミック積層体において突出部53となる部分も同時に作製される。次に、周知の手法に従って乾燥工程や脱脂工程などを行った後、さらにアルミナが焼結しうる加熱温度(1650℃〜1950℃)にて焼成工程を行う。これにより、セラミック積層体を焼結させて配線基板100(図12参照)とする。この時点でセラミックは硬質化しかつ収縮する。また、ビア用孔に充填された金属ペースト108がビア導体106となり、グリーンシート107の表面に印刷された金属ペースト109が上面側配線層104及び下面側配線層105となる。
Next, a plurality of
従って、本実施形態によれば、光電気混載パッケージ2,3,4を構成する配線基板100がセラミック多層配線基板となっている。このセラミック多層配線基板は樹脂基板などの他の配線基板と比較して熱伝導性が高いため、配線基板100が熱膨張によって変形しにくくなる。よって、熱膨張に起因した光導波構造部71と光導波路81との間の位置ずれを防止できる。また、配線基板100からは発生した熱が効率良く放散されるため、放熱性の悪化に起因する発光波長のズレが回避され、動作安定性・信頼性に優れた配線基板100を実現することができる。
[第3実施形態]
Therefore, according to the present embodiment, the
[Third Embodiment]
以下、本発明を具体化した第3実施形態の光電気混載モジュール1を図13〜図15に基づき詳細に説明する。ここでは前記第1実施形態と相違する点を中心に説明し、共通する点については同じ部材番号を付すのみとする。
Hereinafter, the opto-
図15に示されるように、本実施形態の光電気混載モジュール1は、配線基板の構造が上記第1実施形態とは異なる。本実施形態の配線基板110は、2層の樹脂絶縁層111からなる積層体(図13参照)を成形することにより構成されている。樹脂絶縁層111は、上面112及び下面113を有している。上面112には、基板平面方向に延びる上面側配線層114が形成され、下面113には、同じく基板平面方向に延びる下面側配線層115が形成されている。また、樹脂絶縁層111には、上面112及び下面113を貫通する複数のビア導体116が設けられている。各ビア導体116の上端面は上面側配線層114に電気的に接続されうるようになっており、各ビア導体116の下端面は下面側配線層115に電気的に接続されうるようになっている。
As shown in FIG. 15, the opto-
次に、上記の配線基板110を製造する手順について説明する。
Next, a procedure for manufacturing the
まず、図13に示される積層体を作製する。次に、平板状の下治具117上に積層体を載置した後、下治具117及び積層体の上に平板状の上治具118を載置する(図14参照)。これにより、積層体は、下治具117及び上治具118によって挟持された状態となる。さらに、20Torr(≒2666Pa)以下の真空下で260℃以上の温度となるように加熱を行いながら厚さ方向(接合方向)に押圧力(4MPa)を加える(真空熱プレス)。これに伴い、積層体が積層方向に沿って押圧され、下治具117及び上治具118の押圧面に沿って変形する。その結果、主面側凹部51及び裏面側凹部52を有する配線基板110が成形される。
First, the laminate shown in FIG. 13 is produced. Next, after placing the laminated body on the flat
なお、本発明の実施形態は以下のように変更してもよい。 In addition, you may change embodiment of this invention as follows.
・上記第1実施形態の光電気混載パッケージ2,3,4は、1つの配線基板10によって構成されていたが、複数の配線基板を貼り合わせることによって構成してもよい。例えば図16に示されるように、下面(BGA用パッド48)にはんだボール49が接合される第1配線基板124と突出部53を構成する第2配線基板125とを光透過性を有する接着剤127を介して貼り合わせることによって構成した光電気混載パッケージ126としてもよい。
-Although the opto-
・上記実施形態では、BGA用パッド48の表面から突出部53の先端面54との段差A1が、はんだボール49の最大径A2以下の大きさに設定されていた。しかし、図17に示されるように、段差A1をはんだボール49の最大径A2よりも大きくしてもよい。この場合、光導波路81が光導波路付き配線基板61に内蔵され、光導波路付き配線基板61に光路変換用ミラーを露出させる開口部128が形成され、開口部128内に突出部53が挿入される。このような構成であれば、突出部53の先端面54を貫通する光導波構造部71と光導波路81とをつなぐ光路が確実に短くなるため、光信号の損失、劣化をより確実に低減できる。
In the above embodiment, the step A1 between the surface of the
・図18に示されるように、配線基板10の主面12側に、主面側凹部51の底面にて開口する第1凹部131と、第1凹部131の底面にて開口する第2凹部132とを形成してもよい。そして、第1凹部131の底面上に設定された半導体集積回路素子搭載領域23にドライバIC22を実装し、主面側凹部51の底面上にICチップ21を実装するとともに、ICチップ21をドライバIC22の真上に配置するようにしてもよい。また、第2凹部132の底面上に設定された光素子実装部にVCSEL24を実装するとともに、ドライバIC22をVCSEL24の真上に配置するようにしてもよい。さらに、配線基板10の主面12の外周部にヒートシンク121(放熱手段)を面接合してもよい。
As shown in FIG. 18, on the
なお図18では、第1凹部131が主面側凹部51の底面の略中央部にて開口され、第1凹部131の底面上にはドライバIC22のみが実装されていた。しかし、図19に示されるように、第1凹部131を、主面側凹部51の底面の略中央部から基板平面方向にずれた位置にて開口させ、第1凹部131の底面上にICチップ21及びドライバIC22の両方を実装してもよい。
In FIG. 18, the
このような構成であれば、ICチップ21及びドライバIC22の熱がヒートシンク121で放出されて少なくなるため、ICチップ21及びドライバIC22の熱がVCSEL24に与える悪影響をより確実に低減でき、VCSEL24の信頼性がよりいっそう向上する。また、ドライバIC22が第1凹部131内に配置されるとともに、VCSEL24が第2凹部132内に配置されるため、ヒートシンク121を設けたとしても光電気混載パッケージ2が肉厚になりにくい。
With such a configuration, the heat of the
さらに図18,図19では、第2凹部132が、配線基板10の主面12側であって突出部53の反対側となる箇所に形成され、第2凹部132の面積が、突出部53の先端面54の面積よりも小さくなっている。この場合、配線基板10において突出部53が位置する部分の肉厚は、配線基板10においてはんだボール49(及びBGA用パッド48)が位置する部分の肉厚よりも厚くなっている可能性が高い。よって、上記の箇所に第2凹部132を形成したとしても、配線基板10の強度低下が防止される。
Further, in FIG. 18 and FIG. 19, the
・上記実施形態において、ICチップ21、ドライバIC22、レシーバIC26、VCSEL24及びフォトダイオード27の搭載方法を適宜変更してもよい。例えば、ICチップ21、ドライバIC22及びレシーバIC26の少なくとも1つを、ワイヤ(図示略)を介して配線基板10の主面12上または裏面13上に形成されたボンディングパッド(図示略)に接続してもよい。
In the above embodiment, the mounting method of the
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。 Next, the technical ideas grasped by the embodiment described above are listed below.
(1)光信号が伝搬する光路となる光導波路を備えた光導波路付き基板に搭載可能な光電気混載パッケージであって、主面及び前記主面の反対側に位置する裏面を有する配線基板と、前記配線基板の前記裏面に位置するはんだボール接合部上に接合され、前記光導波路付き基板への搭載時に前記光導波路付き基板に接続される複数のはんだボールと、発光部及び受光部のうちの少なくとも一方を有し、前記発光部及び前記受光部の少なくとも一方を前記光導波路側に向けた状態で、前記配線基板の前記主面に位置する光素子実装部上に実装された光素子と、前記配線基板の前記裏面側から前記光導波路付き基板側に突出するように前記配線基板に形成された突出部と、光信号が伝搬する光路となるコア及び前記コアを取り囲むクラッドを有し、前記配線基板の主面及び前記突出部の先端面を貫通する光導波構造部とを備え、前記はんだボール接合部の表面から前記突出部の先端面との段差が、前記はんだボールの最大径の半分以上の大きさであり、前記配線基板は、樹脂絶縁層と金属導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層をコア部の表層に有するビルドアップ多層配線基板であり、前記光素子は、前記主面側に設定された半導体集積回路素子搭載領域に搭載される半導体集積回路素子に電気的に接続され、前記光素子実装部及び前記半導体集積回路素子搭載領域は、前記主面側に位置するビルドアップ層に対してルータ加工を行うことによって形成された主面側凹部の底面に設定されていることを特徴とする光電気混載パッケージ。 (1) An opto-electric hybrid package that can be mounted on a substrate with an optical waveguide having an optical waveguide serving as an optical path through which an optical signal propagates, the wiring substrate having a main surface and a back surface located on the opposite side of the main surface; A plurality of solder balls that are bonded onto the solder ball bonding portion located on the back surface of the wiring substrate and connected to the substrate with the optical waveguide when mounted on the substrate with the optical waveguide, and among the light emitting portion and the light receiving portion An optical element mounted on an optical element mounting part located on the main surface of the wiring board, with at least one of the light emitting part and the light receiving part facing the optical waveguide side A protrusion formed on the wiring board so as to protrude from the back side of the wiring board toward the substrate with the optical waveguide, a core serving as an optical path through which an optical signal propagates, and a clad surrounding the core. An optical waveguide structure portion penetrating the main surface of the wiring board and the tip end surface of the protruding portion, and a step from the surface of the solder ball joint portion to the tip end surface of the protruding portion is the maximum diameter of the solder ball. The wiring board is a build-up multilayer wiring board having a build-up layer formed by alternately laminating resin insulating layers and metal conductor layers on the surface layer of the core part, and the optical element Electrically connected to a semiconductor integrated circuit element mounted on a semiconductor integrated circuit element mounting region set on the main surface side, and the optical element mounting portion and the semiconductor integrated circuit element mounting region are on the main surface side An opto-electric hybrid package characterized in that it is set on the bottom surface of a concave portion on the main surface side formed by performing router processing on the build-up layer located.
(2)光信号が伝搬する光路となる光導波路を備えた光導波路付き基板に搭載可能な光電気混載パッケージであって、主面及び前記主面の反対側に位置する裏面を有する配線基板と、前記配線基板の前記裏面に位置するはんだボール接合部上に接合され、前記光導波路付き基板への搭載時に前記光導波路付き基板に接続される複数のはんだボールと、発光部及び受光部のうちの少なくとも一方を有し、前記発光部及び前記受光部の少なくとも一方を前記光導波路側に向けた状態で、前記配線基板の前記主面に位置する光素子実装部上に実装された光素子と、前記配線基板の前記裏面側から前記光導波路付き基板側に突出するように前記配線基板に形成された突出部と、光信号が伝搬する光路となるコア及び前記コアを取り囲むクラッドを有し、前記配線基板の主面及び前記突出部の先端面を貫通する光導波構造部とを備え、前記はんだボール接合部の表面から前記突出部の先端面との段差が、前記はんだボールの最大径の半分以上の大きさであり、前記配線基板は、複数の絶縁層を一括積層してなることを特徴とする光電気混載パッケージ。 (2) An opto-electric hybrid package that can be mounted on a substrate with an optical waveguide having an optical waveguide serving as an optical path through which an optical signal propagates, the wiring substrate having a main surface and a back surface located on the opposite side of the main surface; A plurality of solder balls that are bonded onto the solder ball bonding portion located on the back surface of the wiring substrate and connected to the substrate with the optical waveguide when mounted on the substrate with the optical waveguide, and among the light emitting portion and the light receiving portion An optical element mounted on an optical element mounting part located on the main surface of the wiring board, with at least one of the light emitting part and the light receiving part facing the optical waveguide side A protrusion formed on the wiring board so as to protrude from the back side of the wiring board toward the substrate with the optical waveguide, a core serving as an optical path through which an optical signal propagates, and a clad surrounding the core. An optical waveguide structure portion penetrating the main surface of the wiring board and the tip end surface of the protruding portion, and a step from the surface of the solder ball joint portion to the tip end surface of the protruding portion is the maximum diameter of the solder ball. An opto-electric hybrid package having a size of more than half, wherein the wiring board is formed by laminating a plurality of insulating layers at once.
(3)光信号が伝搬する光路となる光導波路を備えた光導波路付き基板に搭載可能な光電気混載パッケージであって、主面及び前記主面の反対側に位置する裏面を有する配線基板と、前記配線基板の前記裏面に位置するはんだボール接合部上に接合され、前記光導波路付き基板への搭載時に前記光導波路付き基板に接続される複数のはんだボールと、発光部及び受光部のうちの少なくとも一方を有し、前記発光部及び前記受光部の少なくとも一方を前記光導波路側に向けた状態で、前記配線基板の前記主面に位置する光素子実装部上に実装された光素子と、前記配線基板の前記裏面側から前記光導波路付き基板側に突出するように前記配線基板に形成された突出部と、光信号が伝搬する光路となるコア及び前記コアを取り囲むクラッドを有し、前記配線基板の主面及び前記突出部の先端面を貫通する光導波構造部とを備え、前記はんだボール接合部の表面から前記突出部の先端面との段差が、前記はんだボールの最大径の半分以上の大きさであり、前記配線基板は、上治具及び下治具によって挟持した状態で、厚さ方向に押圧力を加えることによって成形されることを特徴とする光電気混載パッケージ。 (3) An opto-electric hybrid package that can be mounted on a substrate with an optical waveguide provided with an optical waveguide serving as an optical path through which an optical signal propagates, the wiring substrate having a main surface and a back surface opposite to the main surface; A plurality of solder balls that are bonded onto the solder ball bonding portion located on the back surface of the wiring substrate and connected to the substrate with the optical waveguide when mounted on the substrate with the optical waveguide, and among the light emitting portion and the light receiving portion An optical element mounted on an optical element mounting part located on the main surface of the wiring board, with at least one of the light emitting part and the light receiving part facing the optical waveguide side A protrusion formed on the wiring board so as to protrude from the back side of the wiring board toward the substrate with the optical waveguide, a core serving as an optical path through which an optical signal propagates, and a clad surrounding the core. An optical waveguide structure portion penetrating the main surface of the wiring board and the tip end surface of the protruding portion, and a step from the surface of the solder ball joint portion to the tip end surface of the protruding portion is the maximum diameter of the solder ball. An opto-electric hybrid package having a size of half or more, wherein the wiring board is formed by applying a pressing force in a thickness direction while being sandwiched between an upper jig and a lower jig.
(4)光信号が伝搬する光路となる光導波路を備えた光導波路付き基板に搭載可能な光電気混載パッケージであって、主面及び前記主面の反対側に位置する裏面を有する配線基板と、前記配線基板の前記裏面に位置するはんだボール接合部上に接合され、前記光導波路付き基板への搭載時に前記光導波路付き基板に接続される複数のはんだボールと、発光部及び受光部のうちの少なくとも一方を有し、前記発光部及び前記受光部の少なくとも一方を前記光導波路側に向けた状態で、前記配線基板の前記主面に位置する光素子実装部上に実装された光素子と、前記配線基板の前記裏面側から前記光導波路付き基板側に突出するように前記配線基板に形成された突出部と、光信号が伝搬する光路となるコア及び前記コアを取り囲むクラッドを有し、前記配線基板の主面及び前記突出部の先端面を貫通する光導波構造部とを備え、前記はんだボール接合部の表面から前記突出部の先端面との段差が、前記はんだボールの最大径の半分以上の大きさであり、前記突出部の先端面にレンズが設けられていないことを特徴とする光電気混載パッケージ。 (4) An opto-electric hybrid package that can be mounted on a substrate with an optical waveguide provided with an optical waveguide serving as an optical path through which an optical signal propagates, the wiring substrate having a main surface and a back surface located on the opposite side of the main surface; A plurality of solder balls that are bonded onto the solder ball bonding portion located on the back surface of the wiring substrate and connected to the substrate with the optical waveguide when mounted on the substrate with the optical waveguide, and among the light emitting portion and the light receiving portion An optical element mounted on an optical element mounting part located on the main surface of the wiring board, with at least one of the light emitting part and the light receiving part facing the optical waveguide side A protrusion formed on the wiring board so as to protrude from the back side of the wiring board toward the substrate with the optical waveguide, a core serving as an optical path through which an optical signal propagates, and a clad surrounding the core. An optical waveguide structure portion penetrating the main surface of the wiring board and the tip end surface of the protruding portion, and a step from the surface of the solder ball joint portion to the tip end surface of the protruding portion is the maximum diameter of the solder ball. An opto-electric hybrid package having a size of more than half and having no lens provided on a tip surface of the protrusion.
1…光電気混載モジュール
2,3,4,126…光素子付き光電気混載パッケージ(光電気混載パッケージ)
10,100,110…配線基板
12…配線基板の主面
13…配線基板の裏面
14…コア部としてのコア基板
15…コア部の表層としてのコア主面
16…コア部の表層としてのコア裏面
21…半導体集積回路素子としてのICチップ
22…半導体集積回路素子としてのドライバIC
23…半導体集積回路素子搭載領域
24…光素子としてのVCSEL
25…発光部
26…半導体集積回路素子としてのレシーバIC
27…光素子としてのフォトダイオード
31…ビルドアップ層としての第1ビルドアップ層
32…ビルドアップ層としての第2ビルドアップ層
33,34…樹脂絶縁層
42…金属導体層
48…はんだボール接合部としてのBGA用パッド
49…はんだボール
53…突出部
54…突出部の先端面
55…光素子実装部としての光素子接続用端子
56…光素子実装部としてのはんだボール
61…光導波路付き基板としての光導波路付き配線基板
62…光導波路付き基板の表面としての上面
71…光導波構造部
72…コア
73…クラッド
81…光導波路
121…放熱手段としてのヒートシンク
128…開口部
131…第1凹部
132…第2凹部
A1…段差
A2…最大径
DESCRIPTION OF
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10,100,110 ... Wiring
23 ... Semiconductor integrated circuit
25.
27 ...
Claims (9)
主面及び前記主面の反対側に位置する裏面を有する配線基板と、
前記配線基板の前記裏面に位置するはんだボール接合部上に接合され、前記光導波路付き基板への搭載時に前記光導波路付き基板に接続される複数のはんだボールと、
発光部及び受光部のうちの少なくとも一方を有し、前記発光部及び前記受光部の少なくとも一方を前記光導波路側に向けた状態で、前記配線基板の前記主面に位置する光素子実装部上に実装された光素子と、
前記配線基板の前記裏面側から前記光導波路付き基板側に突出するように前記配線基板に形成された突出部と、
光信号が伝搬する光路となるコア及び前記コアを取り囲むクラッドを有し、前記配線基板の主面及び前記突出部の先端面を貫通する光導波構造部と
を備え、
前記はんだボール接合部の表面から前記突出部の先端面との段差が、前記はんだボールの最大径の半分以上の大きさである
ことを特徴とする光電気混載パッケージ。 An opto-electric hybrid package that can be mounted on a substrate with an optical waveguide provided with an optical waveguide serving as an optical path through which an optical signal propagates,
A wiring board having a main surface and a back surface located on the opposite side of the main surface;
A plurality of solder balls that are bonded onto the solder ball bonding portion located on the back surface of the wiring board and connected to the substrate with the optical waveguide when mounted on the substrate with the optical waveguide;
On an optical element mounting portion located on the main surface of the wiring board with at least one of a light emitting portion and a light receiving portion, with at least one of the light emitting portion and the light receiving portion facing the optical waveguide side An optical element mounted on
A protruding portion formed on the wiring board so as to protrude from the back side of the wiring board to the substrate side with the optical waveguide;
An optical waveguide structure having an optical path through which an optical signal propagates and a clad surrounding the core, and penetrating a main surface of the wiring board and a tip end surface of the protruding portion;
The opto-electric hybrid package is characterized in that a step from the surface of the solder ball joint portion to the tip end surface of the protruding portion has a size of half or more of the maximum diameter of the solder ball.
前記はんだボール接合部の表面から前記突出部の先端面との段差が、前記はんだボールの最大径以下の大きさである
ことを特徴とする請求項1に記載の光電気混載パッケージ。 The optical waveguide is exposed on the surface of the substrate with the optical waveguide;
2. The opto-electric hybrid package according to claim 1, wherein a step between the surface of the solder ball joint portion and the tip end surface of the protruding portion has a size equal to or smaller than the maximum diameter of the solder ball.
前記光導波路付き基板に、前記光導波路の光路変換部を露出させる開口部が形成され、
前記はんだボール接合部の表面から前記突出部の先端面との段差が、前記はんだボールの最大径よりも大きく、前記突出部が前記開口部内に挿入可能である
ことを特徴とする請求項1に記載の光電気混載パッケージ。 The optical waveguide is built in the substrate with the optical waveguide,
An opening that exposes the optical path changing portion of the optical waveguide is formed in the substrate with the optical waveguide,
2. The step according to claim 1, wherein a step from a surface of the solder ball joint portion to a tip end surface of the protrusion is larger than a maximum diameter of the solder ball, and the protrusion can be inserted into the opening. The described opto-electric hybrid package.
前記半導体集積回路素子搭載領域に搭載された半導体集積回路素子が、前記光素子実装部上に実装された前記光素子の真上に配置され、
前記配線基板の前記主面上に、前記半導体集積回路素子の熱を外部に放出する放熱手段を設けた
ことを特徴とする請求項5に記載の光電気混載パッケージ。 A first recess opening on the main surface side of the wiring substrate is formed, the semiconductor integrated circuit element mounting region is set on the bottom surface of the first recess, and a second opening opening on the bottom surface of the first recess. A recess is formed, and the optical element mounting portion is set on the bottom surface of the second recess,
A semiconductor integrated circuit element mounted in the semiconductor integrated circuit element mounting region is disposed immediately above the optical element mounted on the optical element mounting portion;
6. The opto-electric hybrid package according to claim 5, wherein a heat radiating means for releasing heat of the semiconductor integrated circuit element to the outside is provided on the main surface of the wiring board.
前記第2凹部の面積は、前記突出部の先端面の面積よりも小さい
ことを特徴とする請求項6に記載の光電気混載パッケージ。 The second recess is formed at a location on the main surface side of the wiring board and on the opposite side of the protruding portion,
The photoelectric hybrid package according to claim 6, wherein an area of the second recess is smaller than an area of a front end surface of the protrusion.
前記光素子は、前記ビルドアップ多層配線基板を介して、前記主面側に設定された半導体集積回路素子搭載領域に搭載される半導体集積回路素子に電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか1項に記載の光電気混載パッケージ。 The wiring board is a build-up multilayer wiring board having a build-up layer formed by alternately laminating resin insulating layers and metal conductor layers on the surface layer of the core part,
The optical element is electrically connected to a semiconductor integrated circuit element mounted in a semiconductor integrated circuit element mounting region set on the main surface side through the build-up multilayer wiring board. The opto-electric hybrid package according to any one of claims 1 to 7.
前記光素子付き光電気混載パッケージは、
主面及び前記主面の反対側に位置する裏面を有する配線基板と、
前記配線基板の前記裏面に位置するはんだボール接合部上に接合され、前記光導波路付き基板への搭載時に前記光導波路付き基板に接続される複数のはんだボールと、
発光部及び受光部のうちの少なくとも一方を有し、前記発光部及び前記受光部の少なくとも一方を前記光導波路側に向けた状態で、前記配線基板の前記主面に位置する光素子実装部上に実装された光素子と、
前記配線基板の前記裏面側から前記光導波路付き基板側に突出するように前記配線基板に形成された突出部と、
光信号が伝搬する光路となるコア及び前記コアを取り囲むクラッドを有し、前記配線基板の主面及び前記突出部の先端面を貫通する光導波構造部と
を備え、
前記はんだボール接合部の表面から前記突出部の先端面との段差が、前記はんだボールの最大径の半分以上の大きさである
ことを特徴とする光電気混載モジュール。 An opto-electric hybrid module comprising a substrate with an optical waveguide provided with an optical waveguide serving as an optical path through which an optical signal propagates, and an opto-electric hybrid package with an optical element mounted on the substrate with the optical waveguide,
The opto-electric hybrid package with an optical element is:
A wiring board having a main surface and a back surface located on the opposite side of the main surface;
A plurality of solder balls that are bonded onto the solder ball bonding portion located on the back surface of the wiring board and connected to the substrate with the optical waveguide when mounted on the substrate with the optical waveguide;
On an optical element mounting portion located on the main surface of the wiring board with at least one of a light emitting portion and a light receiving portion, with at least one of the light emitting portion and the light receiving portion facing the optical waveguide side An optical element mounted on
A protruding portion formed on the wiring board so as to protrude from the back side of the wiring board to the substrate side with the optical waveguide;
An optical waveguide structure having an optical path through which an optical signal propagates and a clad surrounding the core, and penetrating a main surface of the wiring board and a tip end surface of the protruding portion;
The opto-electric hybrid module is characterized in that a step between the surface of the solder ball joint portion and the tip end surface of the protruding portion is a size of half or more of the maximum diameter of the solder ball.
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