JP5998450B2 - Optical waveguide module, optical waveguide module manufacturing method, and electronic apparatus - Google Patents

Optical waveguide module, optical waveguide module manufacturing method, and electronic apparatus Download PDF

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Description

本発明は、光導波路モジュール、光導波路モジュールの製造方法および電子機器に関するものである。   The present invention relates to an optical waveguide module, a method for manufacturing an optical waveguide module, and an electronic apparatus.

近年、情報化の波とともに、大容量の情報を高速で通信可能な広帯域回線(ブロードバンド)の普及が進んでいる。また、これらの広帯域回線に情報を伝送する装置として、ルーター装置、WDM(Wavelength Division Multiplexing)装置等の伝送装置が用いられている。これらの伝送装置内には、LSIのような演算素子、メモリーのような記憶素子等が組み合わされた信号処理基板が多数設置されており、各回線の相互接続を担っている。   In recent years, with the wave of computerization, wideband lines (broadband) capable of communicating a large amount of information at high speed have been spreading. Also, as devices for transmitting information to these broadband lines, transmission devices such as router devices and WDM (Wavelength Division Multiplexing) devices are used. In these transmission apparatuses, a large number of signal processing boards in which arithmetic elements such as LSIs and storage elements such as memories are combined are installed, and each line is interconnected.

各信号処理基板には、演算素子や記憶素子等が電気配線で接続された回路が構築されているが、近年、処理する情報量の増大に伴って、各基板では、極めて高いスループットで情報を伝送することが要求されている。しかしながら、情報伝送の高速化に伴い、クロストークや高周波ノイズの発生、電気信号の劣化等の問題が顕在化しつつある。このため、電気配線がボトルネックとなって、信号処理基板のスループットの向上が困難になっている。また、同様の課題は、スーパーコンピューターや大規模サーバー等でも顕在化しつつある。   Each signal processing board has a circuit in which arithmetic elements, storage elements, etc. are connected by electrical wiring. However, with the increase in the amount of information to be processed in recent years, each board has a very high throughput. It is required to transmit. However, with the speeding up of information transmission, problems such as generation of crosstalk and high frequency noise and deterioration of electric signals are becoming apparent. For this reason, electrical wiring becomes a bottleneck, making it difficult to improve the throughput of the signal processing board. Similar problems are also becoming apparent in supercomputers and large-scale servers.

一方、光搬送波を使用してデータを移送する光通信技術が開発され、近年、この光搬送波を、一地点から他地点に導くための手段として、光導波路が普及しつつある。この光導波路は、線状のコア部と、その周囲を覆うように設けられたクラッド部とを有している。コア部は、光搬送波の光に対して実質的に透明な材料によって構成され、クラッド部は、コア部より屈折率が低い材料によって構成されている。   On the other hand, an optical communication technique for transferring data using an optical carrier wave has been developed, and in recent years, an optical waveguide is becoming popular as a means for guiding the optical carrier wave from one point to another point. This optical waveguide has a linear core part and a clad part provided so as to cover the periphery thereof. The core part is made of a material that is substantially transparent to the light of the optical carrier wave, and the cladding part is made of a material having a refractive index lower than that of the core part.

光導波路では、コア部の一端から導入された光が、クラッド部との境界で反射しながら他端に搬送される。光導波路の入射側には、半導体レーザー等の発光素子が配置され、出射側には、フォトダイオード等の受光素子が配置される。発光素子から入射された光は光導波路を伝搬し、受光素子により受光され、受光した光の明滅パターンもしくはその強弱パターンに基づいて通信を行う。   In the optical waveguide, light introduced from one end of the core portion is conveyed to the other end while being reflected at the boundary with the cladding portion. A light emitting element such as a semiconductor laser is disposed on the incident side of the optical waveguide, and a light receiving element such as a photodiode is disposed on the emission side. Light incident from the light emitting element propagates through the optical waveguide, is received by the light receiving element, and performs communication based on the flickering pattern of the received light or its intensity pattern.

このような光導波路により信号処理基板内の電気配線を置き換えられると、前述したような電気配線の問題が解消され、信号処理基板のさらなる高スループット化が可能になると期待されている。   If the electrical wiring in the signal processing board is replaced by such an optical waveguide, it is expected that the problem of the electrical wiring as described above will be solved and the signal processing board can be further increased in throughput.

ところで、電気配線を光導波路に置き換える際には、電気信号と光信号との相互変換を行うべく、発光素子と受光素子とを備え、これらの間を光導波路で光学的に接続してなる光導波路モジュールが用いられる。   By the way, when replacing electric wiring with an optical waveguide, a light emitting element and a light receiving element are provided in order to perform mutual conversion between an electric signal and an optical signal, and an optical waveguide formed by optically connecting the light emitting element and the light receiving element therebetween. A waveguide module is used.

この光導波路モジュール内において光導波路と発光素子および受光素子とを結合するためには、位置合わせを厳密に行う必要がある。例えば、特許文献1には、溶融した半田が電極を引き寄せるセルフアライメント作用を利用して、実装基板に設けられた電極パターンと発光素子に設けられた電極とを目標位置で接合することが開示されている。   In order to couple the optical waveguide, the light emitting element, and the light receiving element in the optical waveguide module, it is necessary to strictly align them. For example, Patent Document 1 discloses that an electrode pattern provided on a mounting substrate and an electrode provided on a light-emitting element are bonded at a target position using a self-alignment action in which molten solder attracts the electrodes. ing.

しかしながら、このようなセルフアライメント作用を発現させるためには、実装基板の電極パターンと発光素子の電極とが平面視において同一形状でなければならない。このため、実装基板や発光素子の構造に制約が生じ、設計の自由度および実装基板や発光素子の汎用性が低下する。また、半田材料や実装プロセスにも制約が生じることとなる。   However, in order to exhibit such a self-alignment action, the electrode pattern of the mounting substrate and the electrode of the light emitting element must have the same shape in plan view. For this reason, restrictions are imposed on the structure of the mounting substrate and the light emitting element, and the degree of freedom in design and the versatility of the mounting substrate and the light emitting element are reduced. In addition, there are restrictions on the solder material and the mounting process.

また、発光素子を実装した後、発光強度を確保し、また、素子の接合部を保護するため、実装基板と発光素子との間には透明樹脂が充填される。この充填作業は、実装基板と発光素子との間隙に対して透明樹脂が確実に供給されるように行う必要がある。しかし、間隙が小さい場合には、透明樹脂が入り込めないこともあるため、発光強度が低下したり、接合部の保護がなされず、不良品となってしまう。   In addition, after the light emitting element is mounted, a transparent resin is filled between the mounting substrate and the light emitting element in order to secure the light emission intensity and protect the joint portion of the element. This filling operation needs to be performed so that the transparent resin is reliably supplied to the gap between the mounting substrate and the light emitting element. However, when the gap is small, the transparent resin may not be able to enter, so that the light emission intensity is reduced or the joint is not protected, resulting in a defective product.

一方、アクティブアライメントによる位置合わせの方法も知られている。この方法では、発光素子を発光させ、発光部や実装基板に対して位置を合わせつつ発光素子を配置するが、このような位置合わせを高精度に行うためには、位置調整に時間がかかるため、生産性が低下する。   On the other hand, an alignment method using active alignment is also known. In this method, the light emitting element is caused to emit light, and the light emitting element is arranged while being aligned with the light emitting portion or the mounting substrate. However, in order to perform such alignment with high accuracy, it takes time to adjust the position. , Productivity decreases.

特開2007−288097号公報JP 2007-288097 A

本発明の目的は、光素子と光導波路とを容易かつ正確に結合可能であり、高品質で安定した光通信を行い得る光導波路モジュール、かかる光導波路モジュールを効率よく製造可能な光導波路モジュールの製造方法、および、前記光導波路モジュールを備える信頼性の高い電子機器を提供することにある。   An object of the present invention is to provide an optical waveguide module capable of easily and accurately coupling an optical element and an optical waveguide and capable of performing high-quality and stable optical communication, and an optical waveguide module capable of efficiently manufacturing such an optical waveguide module. An object of the present invention is to provide a manufacturing method and a highly reliable electronic device including the optical waveguide module.

このような目的は、下記(1)〜(7)の本発明により達成される。
(1) 光導波路と、
光素子本体と、前記光素子本体に設けられた受発光部と、前記受発光部に端を発する光路の延在方向に向かって前記光素子本体の外面から突出するように設けられた通電端子と、を備える光素子と、
前記光導波路と前記光素子との間に設けられた基板と、
前記通電端子の外面内壁面に当接させることで前記光素子の位置を規制する凹部を含む当接部と、前記光素子の光路上に設けられ、前記受発光部と前記基板との間隙に充填された光透過部と、を備え、前記当接部および前記光透過部が同一の材料で一体的に形成されてなる素子実装部と、
を有し、
前記通電端子は、前記凹部の底部を貫通して前記基板と電気的に接続されていることを特徴とする光導波路モジュール。
Such an object is achieved by the present inventions (1) to (7) below.
(1) an optical waveguide;
An optical element main body, a light emitting / receiving unit provided in the optical element main body, and an energizing terminal provided so as to protrude from the outer surface of the optical element main body in an extending direction of an optical path originating from the light receiving / emitting unit An optical element comprising:
A substrate provided between the optical waveguide and the optical element;
A contact portion including a recess that regulates the position of the optical element by bringing the outer surface of the energization terminal into contact with an inner wall surface, and a gap between the light emitting / receiving unit and the substrate provided on the optical path of the optical element A light-transmitting part filled in the element mounting part, wherein the contact part and the light-transmitting part are integrally formed of the same material;
I have a,
The optical waveguide module , wherein the energization terminal penetrates through the bottom of the recess and is electrically connected to the substrate .

(2) 前記凹部は、さらに、前記内壁面が前記光素子本体の外面と当接するよう構成されている上記(1)に記載の光導波路モジュール。 (2) said recess is further optical waveguide module according to the above (1) to the inner wall surface is configured to abut an outer surface of the optical element body.

(3) 光導波路と、
光素子本体と、前記光素子本体に設けられた受発光部と、前記受発光部に端を発する光路の延在方向に向かって前記光素子本体の外面から突出するよう設けられた通電端子と、を備える光素子と、
前記光導波路と前記光素子との間に設けられた基板と、
を有する光導波路モジュールの製造方法であって、
基板の一方の面側に未硬化または半硬化の樹脂層を成膜する工程と、
前記未硬化または半硬化の樹脂層に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に前記通電端子を入れ、前記凹部の内面によって前記通電端子の位置合わせを行う工程と、
前記凹部の底部を貫通させて前記通電端子と前記基板とを接触させるように前記光素子を実装する工程と、
前記未硬化または半硬化の樹脂層を本硬化させる工程と、
を有することを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
(3) an optical waveguide;
An optical element main body, a light emitting / receiving section provided in the optical element main body, and an energizing terminal provided so as to protrude from the outer surface of the optical element main body in an extending direction of an optical path originating from the light receiving / emitting section. An optical element comprising:
A substrate provided between the optical waveguide and the optical element;
An optical waveguide module manufacturing method comprising:
Forming an uncured or semi-cured resin layer on one side of the substrate;
Forming a recess in the uncured or semi-cured resin layer;
Placing the energization terminal in the recess, and aligning the energization terminal with the inner surface of the recess; and
Mounting the optical element so as to penetrate the bottom of the recess and bring the energizing terminal and the substrate into contact with each other;
A step of fully curing the uncured or semi-cured resin layer;
A method of manufacturing an optical waveguide module, comprising:

(4) 光導波路と、
光素子本体と、前記光素子本体に設けられた受発光部と、前記受発光部に端を発する光路の延在方向に向かって前記光素子本体の外面から突出するよう設けられた通電端子と、を備える光素子と、
前記光導波路と前記光素子との間に設けられた基板と、
を有する光導波路モジュールの製造方法であって、
剥離基材上に未硬化または半硬化の樹脂層を成膜する工程と、
前記未硬化または半硬化の樹脂層に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に前記通電端子を入れ、前記凹部の内面によって前記通電端子の位置合わせを行う工程と、
前記凹部の底部を貫通させて前記通電端子と前記剥離基材とを接触させるように前記光素子を押圧する工程と、
前記剥離基材から剥離させた前記未硬化または半硬化の樹脂層を前記基板の一方の面側に積層する工程と
記未硬化または半硬化の樹脂層を本硬化させる工程と、
を有することを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
(4) an optical waveguide;
An optical element main body, a light emitting / receiving section provided in the optical element main body, and an energizing terminal provided so as to protrude from the outer surface of the optical element main body in an extending direction of an optical path originating from the light receiving / emitting section. An optical element comprising:
A substrate provided between the optical waveguide and the optical element;
An optical waveguide module manufacturing method comprising:
Forming an uncured or semi-cured resin layer on the release substrate;
Forming a recess in the uncured or semi-cured resin layer;
Placing the energization terminal in the recess, and aligning the energization terminal with the inner surface of the recess; and
Pressing the optical element so as to pass through the bottom of the recess and bring the energizing terminal and the release substrate into contact with each other;
Laminating the uncured or semi-cured resin layer peeled from the release substrate on one surface side of the substrate ;
A step of curing the resin layer before Symbol uncured or semi-cured,
A method of manufacturing an optical waveguide module, comprising:

(5) 前記凹部は、さらに、前記光素子本体を挿入し得るよう構成されている上記(3)または(4)に記載の光導波路モジュールの製造方法。 (5) The method for manufacturing an optical waveguide module according to (3) or (4) , wherein the recess is further configured to be able to insert the optical element body.

(6) 前記凹部を、成形型を用いた成形法により形成する上記(3)ないし(5)のいずれかに記載の光導波路モジュールの製造方法。 (6) The method for manufacturing an optical waveguide module according to any one of (3) to (5) , wherein the concave portion is formed by a molding method using a molding die.

(7) 上記(1)または(2)に記載の光導波路モジュールを有することを特徴とする電子機器。 (7) An electronic apparatus comprising the optical waveguide module according to (1) or (2) .

本発明によれば、光素子と光導波路とを容易に結合可能であり、光通信を安定的に行い得る光導波路モジュールが得られる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the optical waveguide module which can couple | bond an optical element and an optical waveguide easily and can perform optical communication stably is obtained.

本発明の光導波路モジュールの第1実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows 1st Embodiment of the optical waveguide module of this invention. 図1のA−A線断面図である。It is the sectional view on the AA line of FIG. 図2の部分拡大図である。FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. 2. 図2に示す光導波路モジュールの他の構成例を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows the other structural example of the optical waveguide module shown in FIG. 本発明の光導波路モジュールの第2実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 2nd Embodiment of the optical waveguide module of this invention. 本発明の光導波路モジュールの第2実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 2nd Embodiment of the optical waveguide module of this invention. 本発明の光導波路モジュールの第3実施形態を示す縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view which shows 3rd Embodiment of the optical waveguide module of this invention. 図2に示す光導波路モジュールを製造する第1の方法を説明するための図(縦断面図)である。It is a figure (longitudinal sectional view) for demonstrating the 1st method of manufacturing the optical waveguide module shown in FIG. 図2に示す光導波路モジュールを製造する第1の方法を説明するための図(縦断面図)である。It is a figure (longitudinal sectional view) for demonstrating the 1st method of manufacturing the optical waveguide module shown in FIG. 図2に示す光導波路モジュールを製造する第2の方法を説明するための図(縦断面図)である。It is a figure (longitudinal sectional view) for demonstrating the 2nd method of manufacturing the optical waveguide module shown in FIG.

以下、本発明の光導波路モジュール、光導波路モジュールの製造方法および電子機器について添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。   Hereinafter, an optical waveguide module, a method of manufacturing an optical waveguide module, and an electronic apparatus according to the present invention will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.

<光導波路モジュール>
≪第1実施形態≫
まず、本発明の光導波路モジュールの第1実施形態について説明する。
<Optical waveguide module>
<< First Embodiment >>
First, a first embodiment of the optical waveguide module of the present invention will be described.

図1は、本発明の光導波路モジュールの第1実施形態を示す斜視図、図2は、図1のA−A線断面図、図3は、図2の部分拡大図である。なお、各図では、厚さ方向を強調して描いている。   1 is a perspective view showing a first embodiment of the optical waveguide module of the present invention, FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is a partially enlarged view of FIG. In each figure, the thickness direction is emphasized.

図1に示す光導波路モジュール10は、光導波路1と、その上方に設けられた回路基板2(基板)と、回路基板2上に搭載された発光素子3(光素子)と、を有している。   An optical waveguide module 10 shown in FIG. 1 includes an optical waveguide 1, a circuit board 2 (substrate) provided above the optical waveguide 1, and a light-emitting element 3 (optical element) mounted on the circuit board 2. Yes.

光導波路1は、長尺の帯状をなしており、回路基板2および発光素子3は、光導波路1の一方の端部(図2の左側の端部)に設けられている。   The optical waveguide 1 has a long band shape, and the circuit board 2 and the light emitting element 3 are provided at one end of the optical waveguide 1 (the left end in FIG. 2).

発光素子3は、電気信号を光信号に変換し、発光部31から光信号を出射して光導波路1に入射させる素子である。図2に示す発光素子3は、その下面に設けられた発光部31と、発光部31に通電する電極32とを有している。発光部31は、図2の下方に向けて光信号を出射する。なお、図2に示す矢印は、発光素子3から出射した信号光の光跡の例である。   The light emitting element 3 is an element that converts an electrical signal into an optical signal, emits the optical signal from the light emitting unit 31, and enters the optical waveguide 1. The light emitting element 3 shown in FIG. 2 has a light emitting part 31 provided on the lower surface thereof, and an electrode 32 for energizing the light emitting part 31. The light emitting unit 31 emits an optical signal downward in FIG. 2 is an example of the light trace of the signal light emitted from the light emitting element 3.

また、回路基板2と発光素子3との間隙には、光透過部61が配置されている。この光透過部61は、発光素子3の外側まで延伸しており、発光素子3の外側ではその厚さが光透過部61よりも厚くなっていて段差を形成している。この段差部分は発光素子3の外縁と当接する当接部62となる。光透過部61および当接部62は、同一の材料で一体的に形成された素子実装部6を構成している。なお、図1では、素子実装部6の図示を省略している。   A light transmission portion 61 is disposed in the gap between the circuit board 2 and the light emitting element 3. The light transmission part 61 extends to the outside of the light emitting element 3, and the thickness is thicker than that of the light transmission part 61 on the outside of the light emitting element 3 to form a step. This step portion becomes a contact portion 62 that contacts the outer edge of the light emitting element 3. The light transmitting portion 61 and the contact portion 62 constitute an element mounting portion 6 that is integrally formed of the same material. In FIG. 1, illustration of the element mounting portion 6 is omitted.

一方、光導波路1のうち、発光素子3の位置に対応してミラー(光路変換部)16が設けられている。このミラー16は、図2の左右方向に延伸する光導波路1の光路を、光導波路1の外部へと変換するものであり、図2では、発光素子3の発光部31と光学的に接続されるよう、光路を90°変換する。このようなミラー16を介することにより、発光素子3から出射した信号光を光導波路1のコア部14に入射させることができる。また、図1、2には図示しないものの、光導波路1の他方の端部には、受光素子が設けられる。この受光素子も光導波路1と光学的に接続されており、光導波路1に入射された信号光は受光素子に到達する。その結果、光導波路モジュール10において光通信が可能になる。   On the other hand, a mirror (optical path conversion unit) 16 is provided corresponding to the position of the light emitting element 3 in the optical waveguide 1. The mirror 16 converts the optical path of the optical waveguide 1 extending in the left-right direction in FIG. 2 to the outside of the optical waveguide 1. In FIG. 2, the mirror 16 is optically connected to the light emitting portion 31 of the light emitting element 3. The optical path is converted by 90 °. Through such a mirror 16, the signal light emitted from the light emitting element 3 can be incident on the core portion 14 of the optical waveguide 1. Although not shown in FIGS. 1 and 2, a light receiving element is provided at the other end of the optical waveguide 1. This light receiving element is also optically connected to the optical waveguide 1, and the signal light incident on the optical waveguide 1 reaches the light receiving element. As a result, optical communication is possible in the optical waveguide module 10.

ここで、回路基板2に対して発光素子3を実装する際には、発光部31の光軸とミラー16の光軸とが一致するように、発光素子3の位置を厳密に合わせる必要がある。光導波路モジュール10では、素子実装部6を設けることにより、発光素子3の本体の外縁と当接部62とが当接するため、発光素子3の位置を容易かつ正確に合わせつつ、発光素子3を固定することができる。その結果、光導波路1と発光素子3との間の光結合効率が高い光導波路モジュール10が得られる。   Here, when the light emitting element 3 is mounted on the circuit board 2, it is necessary to strictly align the position of the light emitting element 3 so that the optical axis of the light emitting unit 31 and the optical axis of the mirror 16 coincide with each other. . In the optical waveguide module 10, by providing the element mounting portion 6, the outer edge of the main body of the light emitting element 3 comes into contact with the contact portion 62. Therefore, the light emitting element 3 can be adjusted while easily and accurately aligning the position of the light emitting element 3. Can be fixed. As a result, the optical waveguide module 10 having high optical coupling efficiency between the optical waveguide 1 and the light emitting element 3 is obtained.

また、この当接部62と一体的に形成されている光透過部61は、発光部31とミラー16とを繋ぐ光路上に配置されており、発光部31とミラー16との間において実質的に気固界面をなくし、この界面における光散乱を抑制して光結合効率を高めることができる。また、発光部31やミラー16を外部環境から保護するとともに、発光部31を確実に固定する。本発明では、当接部62による発光素子3の位置合わせおよび固定と、光透過部61による光路の保護および発光部31の固定と、を1つの光素子実装部6によって同時に行うことができる。このため、発光素子3の位置ずれを容易かつ確実に防止し、位置ずれに伴う光結合効率の低下を防止することができる。その結果、高品質な光通信を安定的に行い得る光導波路モジュール10が得られる。   Further, the light transmission part 61 formed integrally with the contact part 62 is disposed on the optical path connecting the light emitting part 31 and the mirror 16, and substantially between the light emitting part 31 and the mirror 16. It is possible to eliminate the gas-solid interface and suppress light scattering at this interface to increase the optical coupling efficiency. Further, the light emitting unit 31 and the mirror 16 are protected from the external environment, and the light emitting unit 31 is securely fixed. In the present invention, the alignment and fixing of the light emitting element 3 by the abutting portion 62 and the protection of the optical path by the light transmitting portion 61 and the fixing of the light emitting portion 31 can be performed simultaneously by one optical element mounting portion 6. For this reason, it is possible to easily and surely prevent the positional deviation of the light emitting element 3 and to prevent the optical coupling efficiency from being lowered due to the positional deviation. As a result, the optical waveguide module 10 that can stably perform high-quality optical communication is obtained.

以下、光導波路モジュール10の各部について詳述する。
(光導波路)
図1に示す光導波路1は、下方からクラッド層11、コア層13、およびクラッド層12をこの順で積層してなる帯状の積層体を有している。このうちコア層13には、図1に示すように、平面視で直線状をなす1本のコア部14と、このコア部14の側面に隣接する側面クラッド部15とが形成されている。コア部14は、帯状の積層体の長手方向に沿って延伸しており、かつ、積層体の幅のほぼ中央に位置している。なお、図1において、コア部14にはドットを付している。
Hereinafter, each part of the optical waveguide module 10 will be described in detail.
(Optical waveguide)
The optical waveguide 1 shown in FIG. 1 has a strip-shaped laminate in which a clad layer 11, a core layer 13, and a clad layer 12 are laminated in this order from below. Among these, as shown in FIG. 1, the core layer 13 is formed with a single core portion 14 that is linear in a plan view, and a side cladding portion 15 that is adjacent to the side surface of the core portion 14. The core part 14 is extended | stretched along the longitudinal direction of a strip | belt-shaped laminated body, and is located in the approximate center of the width | variety of a laminated body. In FIG. 1, the core portion 14 is provided with dots.

図2に示す光導波路1では、ミラー16を介して入射された光を、コア部14とクラッド部(各クラッド層11、12および各側面クラッド部15)との界面で反射させ、他方の端部に伝搬させることができる。これにより、出射端で受光した光の明滅パターンおよび光の強弱パターンの少なくとも一方に基づいて光通信を行うことができる。   In the optical waveguide 1 shown in FIG. 2, the light incident through the mirror 16 is reflected at the interface between the core portion 14 and the clad portion (the clad layers 11 and 12 and the side clad portions 15), and the other end. It can be propagated to the part. Thereby, optical communication can be performed based on at least one of the blinking pattern of light received at the emitting end and the intensity pattern of light.

コア部14とクラッド部との界面で反射を生じさせるためには、界面に屈折率差が存在する必要がある。コア部14の屈折率は、クラッド部の屈折率より大きければよく、その差は特に限定されないものの、クラッド部の屈折率の0.5%以上であるのが好ましく、0.8%以上であるのがより好ましい。一方、上限値は、特に設定されなくてもよいが、好ましくは5.5%程度とされる。屈折率の差が前記下限値未満であると光を伝達する効果が低下する場合があり、前記上限値を超えても、光の伝送効率のそれ以上の増大は期待できない。   In order to cause reflection at the interface between the core part 14 and the clad part, a difference in refractive index needs to exist at the interface. Although the refractive index of the core part 14 should just be larger than the refractive index of a clad part, and the difference is not specifically limited, It is preferable that it is 0.5% or more of the refractive index of a clad part, and it is 0.8% or more. Is more preferable. On the other hand, the upper limit value may not be set, but is preferably about 5.5%. If the difference in refractive index is less than the lower limit, the effect of transmitting light may be reduced, and even if the upper limit is exceeded, no further increase in light transmission efficiency can be expected.

なお、前記屈折率差とは、コア部14の屈折率をA、クラッド部の屈折率をBとしたとき、次式で表わされる。
屈折率差(%)=|A/B−1|×100
The difference in refractive index is expressed by the following equation, where A is the refractive index of the core portion 14 and B is the refractive index of the cladding portion.
Refractive index difference (%) = | A / B-1 | × 100

また、図1に示す構成では、コア部14は平面視で直線状に形成されているが、途中で湾曲、分岐等していてもよく、その形状は任意である。   Moreover, in the structure shown in FIG. 1, although the core part 14 is formed in linear form by planar view, you may be curving, branching, etc. in the middle, The shape is arbitrary.

また、コア部14の横断面形状は、正方形または矩形(長方形)のような四角形であるのが一般的であるが、特に限定されず、真円、楕円のような円形、菱形、三角形、五角形のような多角形であってもよい。   The cross-sectional shape of the core portion 14 is generally a square such as a square or a rectangle (rectangle), but is not particularly limited, and is not limited to a circle, such as a perfect circle or an ellipse, a rhombus, a triangle, or a pentagon. A polygon such as

コア部14の幅および高さは、特に限定されないが、それぞれ、1〜200μm程度であるのが好ましく、5〜100μm程度であるのがより好ましく、20〜70μm程度であるのがさらに好ましい。   The width and height of the core portion 14 are not particularly limited, but are preferably about 1 to 200 μm, more preferably about 5 to 100 μm, and still more preferably about 20 to 70 μm.

コア層13の構成材料は、上記の屈折率差が生じる材料であれば特に限定されないが、具体的には、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ系樹脂やオキセタン系樹脂のような環状エーテル系樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリシラン、ポリシラザン、また、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂のような各種樹脂材料の他、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス材料等である。   The constituent material of the core layer 13 is not particularly limited as long as the above-described refractive index difference is generated. Specifically, the core layer 13 is an acrylic resin, a methacrylic resin, a polycarbonate, a polystyrene, an epoxy resin, or an oxetane resin. Other cyclic ether resins, polyamides, polyimides, polybenzoxazoles, polysilanes, polysilazanes, various resin materials such as cyclic olefin resins such as benzocyclobutene resins and norbornene resins, quartz glass, borosilicate glass Such as a glass material.

また、これらの中でも特にノルボルネン系樹脂が好ましい。ノルボルネン系ポリマーは、例えば、開環メタセシス重合(ROMP)、ROMPと水素化反応との組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合、カチオン性パラジウム重合開始剤を用いた重合、これ以外の重合開始剤(例えば、ニッケルや他の遷移金属の重合開始剤)を用いた重合等、公知のすべての重合方法で得ることができる。   Of these, norbornene resins are particularly preferable. The norbornene-based polymer includes, for example, ring-opening metathesis polymerization (ROMP), combination of ROMP and hydrogenation reaction, polymerization by radical or cation, polymerization using a cationic palladium polymerization initiator, and other polymerization initiators (for example, It can be obtained by all known polymerization methods such as polymerization using nickel or other transition metal polymerization initiators).

一方、各クラッド層11、12は、それぞれ、コア層13の下部および上部に位置している。このような各クラッド層11、12は、各側面クラッド部15とともに、コア部14の外周を囲むクラッド部を構成し、これにより光導波路1は信号光を漏出させることなく伝搬させることができる導光路として機能する。   On the other hand, the clad layers 11 and 12 are located below and above the core layer 13, respectively. The clad layers 11 and 12 together with the side clad parts 15 constitute a clad part surrounding the outer periphery of the core part 14, thereby allowing the optical waveguide 1 to propagate the signal light without leaking. Functions as an optical path.

クラッド層11、12の平均厚さは、コア層13の平均厚さ(各コア部14の平均高さ)の0.1〜1.5倍程度であるのが好ましく、0.2〜1.25倍程度であるのがより好ましく、具体的には、クラッド層11、12の平均厚さは、特に限定されないが、それぞれ通常1〜200μm程度であるのが好ましく、3〜100μm程度であるのがより好ましく、5〜60μm程度であるのがさらに好ましい。これにより、光導波路1が必要以上に大型化(厚膜化)するのを防止しつつ、クラッド層としての機能が好適に発揮される。   The average thickness of the clad layers 11 and 12 is preferably about 0.1 to 1.5 times the average thickness of the core layer 13 (average height of each core portion 14). More preferably, the average thickness of the clad layers 11 and 12 is not particularly limited, but it is preferably about 1 to 200 μm and preferably about 3 to 100 μm. Is more preferable, and it is still more preferable that it is about 5-60 micrometers. Thereby, the function as a clad layer is suitably exhibited while preventing the optical waveguide 1 from becoming unnecessarily large (thickened).

また、各クラッド層11、12の構成材料としては、例えば、前述したコア層13の構成材料と同様の材料を用いることができるが、特にノルボルネン系ポリマーが好ましい。   Further, as the constituent material of each of the cladding layers 11 and 12, for example, the same material as the constituent material of the core layer 13 described above can be used, but a norbornene polymer is particularly preferable.

また、コア層13の構成材料およびクラッド層11、12の構成材料を選択する場合、両者の間の屈折率差を考慮して材料を選択すればよい。具体的には、コア層13とクラッド層11、12との境界において光を確実に反射させるため、コア層13の構成材料の屈折率がクラッド層11、12の屈折率に比べ十分に大きくなるように材料を選択すればよい。これにより、光導波路1の厚さ方向において十分な屈折率差が得られ、コア部14からクラッド層11、12に光が漏れ出るのを抑制することができる。   Further, when selecting the constituent material of the core layer 13 and the constituent materials of the clad layers 11 and 12, the material may be selected in consideration of the refractive index difference between them. Specifically, in order to reflect light reliably at the boundary between the core layer 13 and the cladding layers 11 and 12, the refractive index of the constituent material of the core layer 13 is sufficiently larger than the refractive index of the cladding layers 11 and 12. The material may be selected as follows. Thereby, a sufficient refractive index difference is obtained in the thickness direction of the optical waveguide 1, and light can be prevented from leaking from the core portion 14 to the cladding layers 11 and 12.

なお、光の減衰を抑制する観点からは、コア層13の構成材料とクラッド層11、12の構成材料との密着性(親和性)が高いことも重要である。   From the viewpoint of suppressing light attenuation, it is also important that the adhesiveness (affinity) between the constituent material of the core layer 13 and the constituent materials of the cladding layers 11 and 12 is high.

また、図2に示す光導波路1は、さらに、クラッド層11の下面に設けられた支持フィルム18およびクラッド層12の上面に設けられたカバーフィルム19を有している。これらの支持フィルム18およびカバーフィルム19は、必要に応じて設ければよく、省略されてもよい。   The optical waveguide 1 shown in FIG. 2 further includes a support film 18 provided on the lower surface of the clad layer 11 and a cover film 19 provided on the upper surface of the clad layer 12. These support film 18 and cover film 19 may be provided as necessary and may be omitted.

このような支持フィルム18およびカバーフィルム19の構成材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレン、ポリプロピレンのようなポリオレフィン、ポリイミド、ポリアミド等の各種樹脂材料等が挙げられる。   Examples of the constituent material of the support film 18 and the cover film 19 include various resin materials such as polyethylene terephthalate (PET), polyolefin such as polyethylene and polypropylene, polyimide, and polyamide.

また、支持フィルム18およびカバーフィルム19の各平均厚さは、特に限定されないが、5〜200μm程度であるのが好ましく、10〜100μm程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルム18およびカバーフィルム19は、適度な剛性を有するものとなるため、光導波路1の柔軟性を阻害し難くなる。また、カバーフィルム19は、光透過を阻害し難くなる。   Moreover, although each average thickness of the support film 18 and the cover film 19 is not specifically limited, It is preferable that it is about 5-200 micrometers, and it is more preferable that it is about 10-100 micrometers. Thereby, since the support film 18 and the cover film 19 have moderate rigidity, it becomes difficult to inhibit the flexibility of the optical waveguide 1. Moreover, the cover film 19 becomes difficult to inhibit light transmission.

なお、支持フィルム18とクラッド層11との間、および、カバーフィルム19とクラッド層12との間は、接着または接合されているが、その方法としては、熱圧着、接着剤または粘着剤による接着等が挙げられる。   Note that the support film 18 and the clad layer 11 and the cover film 19 and the clad layer 12 are bonded or bonded, and as a method therefor, thermocompression bonding, bonding with an adhesive or a pressure-sensitive adhesive is used. Etc.

このうち、接着層としては、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤の他、各種ホットメルト接着剤(ポリエステル系、変性オレフィン系)等が挙げられる。また、特に耐熱性の高いものとして、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリイミドアミドエーテル、ポリエステルイミド、ポリイミドエーテル等の熱可塑性ポリイミド接着剤が好ましく用いられる。このような材料で構成された接着層は、比較的柔軟性に富んでいるため、光導波路1の形状が変化したとしても、その変化に自在に追従することができる。その結果、形状変化に伴う剥離を確実に防止し得るものとなる。   Among these, examples of the adhesive layer include epoxy adhesives, acrylic adhesives, urethane adhesives, silicone adhesives, and various hot melt adhesives (polyester and modified olefins). Moreover, as a thing with especially high heat resistance, thermoplastic polyimide adhesive agents, such as a polyimide, a polyimide amide, a polyimide amide ether, a polyester imide, a polyimide ether, are used preferably. Since the adhesive layer made of such a material is relatively flexible, even if the shape of the optical waveguide 1 changes, the change can be freely followed. As a result, it is possible to reliably prevent peeling due to the shape change.

このような接着層の平均厚さは、特に限定されないが、1〜100μm程度であるのが好ましく、5〜60μm程度であるのがより好ましい。   The average thickness of such an adhesive layer is not particularly limited, but is preferably about 1 to 100 μm, and more preferably about 5 to 60 μm.

また、前述したように、光導波路1の途中には、ミラー16が設けられている(図2参照)。このミラー16は、光導波路1の途中に掘り込み加工を施し、これにより得られた空間(空洞)の内壁面で構成される。この内壁面の一部は、コア部14を斜め45°に横切る平面であり、この平面がミラー16となる。ミラー16を介して、光導波路1と発光部31とが光学的に結合されている。   As described above, the mirror 16 is provided in the middle of the optical waveguide 1 (see FIG. 2). The mirror 16 is formed of an inner wall surface of a space (cavity) obtained by digging in the middle of the optical waveguide 1. A part of this inner wall surface is a plane that crosses the core portion 14 at an angle of 45 °, and this plane becomes the mirror 16. The optical waveguide 1 and the light emitting unit 31 are optically coupled via the mirror 16.

なお、ミラー16には、必要に応じて反射膜を成膜するようにしてもよい。この反射膜としては、Au、Ag、Al等の金属膜が好ましく用いられる。   A reflective film may be formed on the mirror 16 as necessary. As the reflective film, a metal film such as Au, Ag, or Al is preferably used.

また、ミラー16は、例えばコア部14の光軸を90°曲げる屈曲導波路等の光路変換手段で代替することもできる。   Further, the mirror 16 can be replaced by an optical path conversion means such as a bent waveguide that bends the optical axis of the core portion 14 by 90 °.

(発光素子)
発光素子3は、前述したように、下面に発光部31と電極32とを有するものであるが、具体的には、面発光レーザー(VCSEL)のような半導体レーザーや、発光ダイオード(LED)等の発光素子である。
(Light emitting element)
As described above, the light-emitting element 3 has the light-emitting portion 31 and the electrode 32 on the lower surface, and specifically, a semiconductor laser such as a surface-emitting laser (VCSEL), a light-emitting diode (LED), or the like. It is a light emitting element.

一方、図1、2に示す光導波路モジュール10の回路基板2上には、発光素子3に隣り合うように半導体素子4が搭載されている。半導体素子4は、発光素子3の動作を制御する素子であり、下面には電極42を有している。かかる半導体素子4としては、例えば、ドライバーICや、トランスインピーダンスアンプ(TIA)、リミッティングアンプ(LA)等を含むコンビネーションICの他、各種LSI、RAM等が挙げられる。   On the other hand, the semiconductor element 4 is mounted on the circuit board 2 of the optical waveguide module 10 shown in FIGS. The semiconductor element 4 is an element that controls the operation of the light emitting element 3, and has an electrode 42 on the lower surface. Examples of the semiconductor element 4 include a combination IC including a driver IC, a transimpedance amplifier (TIA), a limiting amplifier (LA), and various LSIs and RAMs.

なお、発光素子3と半導体素子4は、後述する回路基板2により電気的に接続されており、半導体素子4により発光素子3の発光パターンおよび発光の強弱パターンを制御し得るよう構成されている。   The light emitting element 3 and the semiconductor element 4 are electrically connected by a circuit board 2 to be described later, and the semiconductor element 4 is configured so that the light emission pattern of the light emitting element 3 and the intensity pattern of light emission can be controlled.

(回路基板)
光導波路1の上方には、回路基板2が設けられており、回路基板2の下面と光導波路1の上面とは接着層5を介して接着されている。
(Circuit board)
A circuit board 2 is provided above the optical waveguide 1, and the lower surface of the circuit board 2 and the upper surface of the optical waveguide 1 are bonded via an adhesive layer 5.

回路基板2は、図2に示すように、絶縁性基板21と、その下面に設けられた導体層22と、上面に設けられた導体層23と、を有している。回路基板2上に搭載された発光素子3と半導体素子4とは、導体層23を介して電気的に接続されている。   As shown in FIG. 2, the circuit board 2 includes an insulating substrate 21, a conductor layer 22 provided on the lower surface thereof, and a conductor layer 23 provided on the upper surface. The light emitting element 3 and the semiconductor element 4 mounted on the circuit board 2 are electrically connected via the conductor layer 23.

図2に示す絶縁性基板21は、透光性を有している。このため、発光素子3から出射した信号光を光導波路1に導くことができる。なお、信号光の光路に合わせて絶縁性基板21に貫通孔が設けられていてもよく、この場合は、絶縁性基板21が不透明であってもよい。   The insulating substrate 21 shown in FIG. 2 has translucency. For this reason, the signal light emitted from the light emitting element 3 can be guided to the optical waveguide 1. Note that a through hole may be provided in the insulating substrate 21 in accordance with the optical path of the signal light. In this case, the insulating substrate 21 may be opaque.

また、絶縁性基板21は可撓性を有しているのが好ましい。可撓性を有する絶縁性基板21は、回路基板2と光導波路1との密着性向上に寄与するとともに、形状変化に対する優れた追従性を有するものとなる。その結果、光導波路1が可撓性を有している場合には、光導波路モジュール10全体も可撓性を有するものとなり、実装性に優れたものとなる。また、光導波路モジュール10を湾曲させた際には、絶縁性基板21と導体層22、23との剥離や、回路基板2と光導波路1との剥離を確実に防止することができ、剥離に伴う絶縁性の低下や伝送効率の低下を防止する。   The insulating substrate 21 is preferably flexible. The flexible insulating substrate 21 contributes to improving the adhesion between the circuit board 2 and the optical waveguide 1 and has an excellent followability to a shape change. As a result, when the optical waveguide 1 is flexible, the entire optical waveguide module 10 is also flexible and has excellent mountability. Further, when the optical waveguide module 10 is bent, it is possible to reliably prevent the insulating substrate 21 and the conductor layers 22 and 23 from peeling and the circuit board 2 and the optical waveguide 1 from peeling. This prevents a decrease in insulation and a decrease in transmission efficiency.

絶縁性基板21のヤング率(引張弾性率)は、一般的な室温環境下(20〜25℃前後)で1〜20GPa程度であるのが好ましく、2〜12GPa程度であるのがより好ましい。ヤング率の範囲がこの程度であれば、絶縁性基板21は、上述したような効果を得る上で十分な可撓性を有するものとなる。   The Young's modulus (tensile modulus) of the insulating substrate 21 is preferably about 1 to 20 GPa and more preferably about 2 to 12 GPa in a general room temperature environment (around 20 to 25 ° C.). If the range of the Young's modulus is this level, the insulating substrate 21 has sufficient flexibility to obtain the above-described effects.

このような絶縁性基板21を構成する材料としては、例えば、ポリイミド系樹脂、ポリアミド系樹脂、エポキシ系樹脂、各種ビニル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル系樹脂等の各種樹脂材料が挙げられるが、中でもポリイミド系樹脂を主材料とするものが好ましく用いられる。ポリイミド系樹脂は、耐熱性が高く、優れた透光性および可撓性を有していることから、絶縁性基板21の構成材料として特に好適である。   Examples of the material constituting the insulating substrate 21 include various resin materials such as polyimide resins, polyamide resins, epoxy resins, various vinyl resins, and polyester resins such as polyethylene terephthalate resins. Of these, those mainly composed of a polyimide resin are preferably used. The polyimide resin is particularly suitable as a constituent material of the insulating substrate 21 because it has high heat resistance and excellent translucency and flexibility.

なお、絶縁性基板21の具体例としては、ポリエステル銅張フィルム基板、ポリイミド銅張フィルム基板、アラミド銅張フィルム基板等に使用されるフィルム基板が挙げられる。   Specific examples of the insulating substrate 21 include film substrates used for polyester copper-clad film substrates, polyimide copper-clad film substrates, aramid copper-clad film substrates, and the like.

また、絶縁性基板21の平均厚さは、5〜50μm程度であるのが好ましく、10〜40μm程度であるのがより好ましい。このような厚さの絶縁性基板21であれば、その構成材料によらず、十分な可撓性を有するものとなる。また、絶縁性基板21の厚さが前記範囲内であれば、光導波路モジュール10の薄型化が図られる。   In addition, the average thickness of the insulating substrate 21 is preferably about 5 to 50 μm, and more preferably about 10 to 40 μm. The insulating substrate 21 having such a thickness has sufficient flexibility regardless of the constituent material. If the thickness of the insulating substrate 21 is within the above range, the optical waveguide module 10 can be thinned.

さらには、絶縁性基板21の厚さが前記範囲内であれば、信号光の発散によって伝送効率が低下するのを防止することができる。例えば、発光素子3の発光部31から出射した信号光は、一定の出射角で発散しつつ回路基板2を透過してミラー16に入射するが、発光部31とミラー16との離間距離が大き過ぎる場合、信号光が発散し過ぎてしまい、ミラー16に到達する光量が減少するおそれがある。これに対し、絶縁性基板21の平均厚さを前記範囲内とすることにより、発光部31とミラー16との離間距離を確実に小さくすることができるため、信号光は広く発散してしまう前にミラー16に到達する。その結果、ミラー16に到達する光量の減少を抑制し、発光素子3と光導波路1との光結合に伴う損失(光結合損失)を確実に低下させることができる。   Furthermore, if the thickness of the insulating substrate 21 is within the above range, it is possible to prevent the transmission efficiency from being lowered due to the divergence of the signal light. For example, the signal light emitted from the light emitting unit 31 of the light emitting element 3 passes through the circuit board 2 and diverges at a constant emission angle and enters the mirror 16, but the separation distance between the light emitting unit 31 and the mirror 16 is large. If it is too large, the signal light will diverge too much and the amount of light reaching the mirror 16 may be reduced. On the other hand, by setting the average thickness of the insulating substrate 21 within the above range, the separation distance between the light emitting unit 31 and the mirror 16 can be surely reduced, so that the signal light is diffused widely. The mirror 16 is reached. As a result, a decrease in the amount of light reaching the mirror 16 can be suppressed, and a loss (optical coupling loss) associated with optical coupling between the light emitting element 3 and the optical waveguide 1 can be reliably reduced.

なお、絶縁性基板21は、上述した可撓性基板以外に、比較的剛性の高い剛性基板であってもよい。   The insulating substrate 21 may be a relatively rigid substrate other than the flexible substrate described above.

このような絶縁性基板21は、耐屈曲性が高くなり、屈曲に伴う発光素子3の損傷を防止する。   Such an insulating substrate 21 has high bending resistance, and prevents damage to the light emitting element 3 due to bending.

この場合、絶縁性基板21のヤング率(引張弾性率)は、一般的な室温環境下(20〜25℃前後)で5〜50GPa程度であるのが好ましく、12〜30GPa程度であるのがより好ましい。ヤング率の範囲がこの程度であれば、絶縁性基板21は、上述したような効果をより確実に発揮することができる。   In this case, the Young's modulus (tensile modulus) of the insulating substrate 21 is preferably about 5 to 50 GPa and more preferably about 12 to 30 GPa in a general room temperature environment (around 20 to 25 ° C.). preferable. If the range of the Young's modulus is about this level, the insulating substrate 21 can more reliably exhibit the effects as described above.

このような剛性の高い絶縁性基板21を構成する材料としては、例えば、紙、ガラス布、樹脂フィルム等を基材とし、この基材に、フェノール系樹脂、ポリエステル系樹脂、エポキシ系樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド系樹脂、フッ素系樹脂等の樹脂材料を含浸させたものが挙げられる。   As a material constituting such a highly rigid insulating substrate 21, for example, paper, glass cloth, resin film or the like is used as a base material, and this base material includes phenolic resin, polyester resin, epoxy resin, cyanate. What impregnated resin materials, such as resin, a polyimide-type resin, a fluorine-type resin, is mentioned.

具体的には、ガラス布・エポキシ銅張積層板、ガラス不織布・エポキシ銅張積層板等のコンポジット銅張積層板に使用される絶縁性基板の他、ポリエーテルイミド樹脂基板、ポリエーテルケトン樹脂基板、ポリサルフォン系樹脂基板等の耐熱・熱可塑性の有機系リジッド基板や、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板等のセラミックス系リジッド基板等が挙げられる。   Specifically, in addition to insulating substrates used for composite copper-clad laminates such as glass cloth / epoxy copper-clad laminates, glass nonwoven fabrics / epoxy copper-clad laminates, polyetherimide resin substrates, polyetherketone resin substrates Examples thereof include heat-resistant and thermoplastic organic rigid substrates such as polysulfone resin substrates, and ceramic rigid substrates such as alumina substrates, aluminum nitride substrates, and silicon carbide substrates.

なお、絶縁性基板21は、1枚の基板であってもよいが、複数層の基板を積層してなる多層基板(ビルドアップ基板)であってもよい。この場合、多層基板の層間には、パターニングされた導体層を含み、この導体層には任意の電気回路が形成されていてもよい。これにより、絶縁性基板21中に高密度の電気回路を構築することができる。   The insulating substrate 21 may be a single substrate, or may be a multilayer substrate (build-up substrate) formed by stacking a plurality of substrates. In this case, a patterned conductor layer is included between the layers of the multilayer substrate, and an arbitrary electric circuit may be formed in the conductor layer. Thereby, a high-density electric circuit can be constructed in the insulating substrate 21.

また、絶縁性基板21には、厚さ方向に貫通する1つまたは複数の貫通孔が設けられていてもよく、これらの貫通孔には導電性材料が充填されているか、または、貫通孔の内壁面に沿って導電性材料の被膜が成膜されていてもよい。この導電性材料は、絶縁性基板21の両面の間を電気的に接続する貫通ビアとなる。   Further, the insulating substrate 21 may be provided with one or a plurality of through holes penetrating in the thickness direction, and these through holes are filled with a conductive material, or the through holes A conductive material film may be formed along the inner wall surface. This conductive material becomes a through via that electrically connects both surfaces of the insulating substrate 21.

また、絶縁性基板21に設けられた導体層22および導体層23は、それぞれ導電性材料で構成されている。各導体層22、23には、所定のパターンが形成されており、このパターンは配線として機能する。絶縁性基板21に貫通ビアが形成されている場合、貫通ビアと各導体層22、23とが接続され、これにより、導体層22と導体層23との導通が図られる。   The conductor layer 22 and the conductor layer 23 provided on the insulating substrate 21 are each made of a conductive material. A predetermined pattern is formed on each of the conductor layers 22 and 23, and this pattern functions as a wiring. When the through via is formed in the insulating substrate 21, the through via is connected to each of the conductor layers 22 and 23, whereby conduction between the conductor layer 22 and the conductor layer 23 is achieved.

各導体層22、23に用いられる導電性材料としては、例えば、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、白金(Pt)、ニッケル(Ni)、パラジウム(Pd)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)等の各種金属材料またはその合金が挙げられる。   Examples of the conductive material used for each of the conductor layers 22 and 23 include aluminum (Al), copper (Cu), gold (Au), silver (Ag), platinum (Pt), nickel (Ni), and palladium (Pd ), Tungsten (W), molybdenum (Mo), or other metal materials or alloys thereof.

なお、このような配線パターンは、例えば、一旦全面に形成された導体層をパターニングする(例えば、銅張基板の銅箔を部分的にエッチングする)方法、別途用意した基板上にあらかじめパターニングされた導体層を転写する方法等により形成される。   In addition, such a wiring pattern is patterned in advance on a separately prepared substrate, for example, a method of patterning a conductor layer once formed on the entire surface (for example, partially etching a copper foil of a copper-clad substrate). It is formed by a method of transferring a conductor layer.

また、発光素子3や半導体素子4と導体層23との間は、各種ハンダ、各種ろう材等で構成されたバンプ(通電端子)8を介して電気的かつ機械的に接続される。   Further, the light emitting element 3 or the semiconductor element 4 and the conductor layer 23 are electrically and mechanically connected via bumps (energization terminals) 8 made of various solders, various brazing materials and the like.

ハンダおよびろう材としては、例えば、Au、Cuのような導電性金属や、Sn−Pb系の鉛ハンダの他、Au−Sn系、Sn−Ag−Cu系、Sn−Zn−Bi系、Sn−Cu系、Sn−Ag−In−Bi系、Sn−Zn−Al系の各種鉛フリーハンダ、JISに規定された各種低温ろう材等が挙げられる。   Examples of the solder and brazing material include, for example, conductive metals such as Au and Cu, Sn—Pb lead solder, Au—Sn, Sn—Ag—Cu, Sn—Zn—Bi, and Sn. -Cu-based, Sn-Ag-In-Bi-based, Sn-Zn-Al-based various lead-free solders, various low-temperature brazing materials defined in JIS, and the like.

また、発光素子3や半導体素子4としては、例えばBGA(Ball Grid Array)タイプやLGA(Land Grid Array)タイプ等のパッケージ仕様の素子が用いられるが、好ましくはバンプ8が各素子の下面から突出するように配置されたものが用いられる。   In addition, as the light emitting element 3 and the semiconductor element 4, for example, an element having a package specification such as a BGA (Ball Grid Array) type or an LGA (Land Grid Array) type is used. Preferably, the bumps 8 protrude from the lower surface of each element. Those arranged so as to be used are used.

なお、発光素子3や半導体素子4と導体層23との電気的接続は、上述したような接続方法の他、ワイヤーボンディング、異方性導電フィルム(ACF)、異方性導電ペースト(ACP)等を用いた製造方法で行われてもよい。   In addition, the electrical connection between the light emitting element 3 or the semiconductor element 4 and the conductor layer 23 is performed by wire bonding, anisotropic conductive film (ACF), anisotropic conductive paste (ACP), etc. in addition to the connection method described above. It may be carried out by a manufacturing method using

また、回路基板2と光導波路1との間は接着層5により接着されているが、接着層5を構成する接着剤としては、例えば、エポキシ系接着剤、アクリル系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤の他、各種ホットメルト接着剤(ポリエステル系、変性オレフィン系)等が挙げられる。また、特に耐熱性の高いものとして、ポリイミド、ポリイミドアミド、ポリイミドアミドエーテル、ポリエステルイミド、ポリイミドエーテル等の熱可塑性ポリイミド接着剤が挙げられる。   The circuit board 2 and the optical waveguide 1 are bonded to each other with an adhesive layer 5. Examples of the adhesive constituting the adhesive layer 5 include an epoxy adhesive, an acrylic adhesive, and a urethane adhesive. In addition to silicone adhesives, various hot melt adhesives (polyester-based, modified olefin-based) and the like can be mentioned. Moreover, as a thing with especially high heat resistance, thermoplastic polyimide adhesive agents, such as a polyimide, a polyimide amide, a polyimide amide ether, a polyester imide, a polyimide ether, are mentioned.

なお、光導波路モジュール10は、光導波路1の他方の端部にも、回路基板2を有していてもよく、他の光学部品との接続を担うコネクター等を有していてもよい。   Note that the optical waveguide module 10 may have the circuit board 2 at the other end of the optical waveguide 1 or may have a connector or the like responsible for connection with other optical components.

図4は、図2に示す光導波路モジュールの他の構成例を示す縦断面図である。
図4(a)に示す光導波路モジュール10では、光導波路1の双方の端部の上面に回路基板2が設けられている。図4(a)の右側に設けられた回路基板2上には、受光素子7と半導体素子4とが搭載されている。また、光導波路1には、受光素子7の受光部71の位置に対応してミラー16が形成されている。
FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing another configuration example of the optical waveguide module shown in FIG.
In the optical waveguide module 10 shown in FIG. 4A, the circuit board 2 is provided on the upper surfaces of both ends of the optical waveguide 1. A light receiving element 7 and a semiconductor element 4 are mounted on a circuit board 2 provided on the right side of FIG. A mirror 16 is formed in the optical waveguide 1 corresponding to the position of the light receiving portion 71 of the light receiving element 7.

このような光導波路モジュール10では、光導波路1からミラー16を介して出射した信号光が、受光素子7の受光部71に到達すると、光信号から電気信号への変換がなされる。このようにして光導波路1における光通信が行われる。   In such an optical waveguide module 10, when the signal light emitted from the optical waveguide 1 through the mirror 16 reaches the light receiving portion 71 of the light receiving element 7, the optical signal is converted into an electrical signal. In this way, optical communication in the optical waveguide 1 is performed.

一方、図4(b)に示す光導波路モジュール10では、光導波路1の他方の端部に、他の光学部品との接続を担うコネクター20が設けられている。コネクター20としては、光ファイバーとの接続に用いられるPMTコネクター等が挙げられる。コネクター20を介して光導波路モジュール10を光ファイバーに接続することで、より長距離の光通信が可能になる。   On the other hand, in the optical waveguide module 10 shown in FIG. 4B, a connector 20 that is connected to other optical components is provided at the other end of the optical waveguide 1. Examples of the connector 20 include a PMT connector used for connection with an optical fiber. By connecting the optical waveguide module 10 to the optical fiber via the connector 20, optical communication over a longer distance becomes possible.

なお、図4では、光導波路1の一方の端部と他方の端部とで1対1の光通信を行う場合について説明したが、光導波路1の他方の端部には、光路を複数に分岐することができる光スプリッターを接続するようにしてもよい。   In FIG. 4, the case where one-to-one optical communication is performed between one end and the other end of the optical waveguide 1 has been described. However, a plurality of optical paths are provided at the other end of the optical waveguide 1. An optical splitter that can be branched may be connected.

(素子実装部)
素子実装部6は、前述したように、回路基板2と発光素子3との間隙に設けられた光透過部61と、発光素子3の本体の外縁と当接する当接部62と、を有し、これらが同一の材料で一体的に形成されてなるものである。
(Element mounting part)
As described above, the element mounting portion 6 includes the light transmitting portion 61 provided in the gap between the circuit board 2 and the light emitting element 3 and the contact portion 62 that contacts the outer edge of the main body of the light emitting element 3. These are integrally formed of the same material.

また、図2に示す素子実装部6は、さらに半導体素子4側にも延伸されており、回路基板2と半導体素子4との間隙を充填する充填部63と、半導体素子4の本体の外縁と当接する当接部64と、を有し、これらも同一の材料で一体的に形成されている。   Further, the element mounting portion 6 shown in FIG. 2 is further extended to the semiconductor element 4 side, and a filling portion 63 that fills a gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 4, an outer edge of the main body of the semiconductor element 4, and Abutting portion 64 that abuts, and these are also integrally formed of the same material.

このような素子実装部6によれば、当接部62が設けたことにより、この当接部62に対して発光素子3の本体の外縁を沿わせることによって、発光素子3の位置を確実に規制することができる。このため、当接部62を高い位置精度で形成しておくことにより、自ずと発光素子3の位置精度も高めることができ、ひいては、発光部31の光軸とミラー16の光軸とを高度に一致させることができる。その結果、光結合効率を確実に高めることができる。   According to such an element mounting portion 6, by providing the contact portion 62, the position of the light emitting element 3 can be reliably ensured by bringing the outer edge of the main body of the light emitting element 3 along the contact portion 62. Can be regulated. For this reason, by forming the contact portion 62 with high positional accuracy, the positional accuracy of the light emitting element 3 can be naturally increased, and consequently the optical axis of the light emitting portion 31 and the optical axis of the mirror 16 are highly advanced. Can be matched. As a result, the optical coupling efficiency can be reliably increased.

なお、当接部62は、いかなる方法で形成されたものでもよいが、このような当接部62を形成する工程は、アクティブアライメントに比べて格段に容易であり、原理上その位置精度も容易に高くすることができる。このため、当接部62を利用して発光素子3の位置合わせをすることが有用である。例えば、シート状の素子実装部6と回路基板2とを高い位置精度で積層することは、通常の大量生産技術で容易に実現可能であり、量産化および低コスト化を図り易い。   The contact portion 62 may be formed by any method, but the process of forming such a contact portion 62 is much easier than the active alignment, and its position accuracy is easy in principle. Can be high. For this reason, it is useful to align the light emitting element 3 using the contact portion 62. For example, stacking the sheet-shaped element mounting portion 6 and the circuit board 2 with high positional accuracy can be easily realized by a normal mass production technique, and it is easy to achieve mass production and cost reduction.

また、光透過部61は、当接部62と一体的に形成されていることから、回路基板2と発光素子3との間隙に異物や水分等が侵入したり、ボイドの発生により光結合効率が低下したり、振動や外力等により発光素子3が脱落したりするのを防止する。これにより、光導波路モジュール10は、高品質で安定した光通信を行い得るものとなる。   In addition, since the light transmission part 61 is formed integrally with the contact part 62, foreign matter, moisture, or the like enters the gap between the circuit board 2 and the light emitting element 3, or the optical coupling efficiency due to the generation of voids. Is prevented, or the light emitting element 3 is prevented from falling off due to vibration or external force. Thereby, the optical waveguide module 10 can perform high-quality and stable optical communication.

なお、このような光透過部61と同等の機能は、従来アンダーフィルと呼ばれるもので実現されており、回路基板に発光素子を実装した後、回路基板と発光素子との間隙に液状の透明樹脂を充填する方法で形成されることが多かった。しかしながら、間隙に対して透明樹脂を充填する作業は、機械的に煩雑な位置合わせを伴うことから多くの手間を要していた。しかも光導波路モジュールの小型化に伴って間隙が小さくなったため、透明樹脂が入り込めないこともあった。   Such a function equivalent to that of the light transmitting portion 61 is conventionally realized by what is called an underfill. After a light emitting element is mounted on a circuit board, a liquid transparent resin is placed in the gap between the circuit board and the light emitting element. In many cases, it was formed by a method of filling. However, the operation of filling the gap with the transparent resin requires a lot of labor since it involves complicated mechanical alignment. In addition, since the gap has become smaller with the miniaturization of the optical waveguide module, the transparent resin sometimes cannot enter.

これに対し、光透過部61および当接部62を有する素子実装部6によれば、当接部62に沿って発光素子3を実装することで自ずと、回路基板2と発光素子3との間隙に光透過部61を配置することができる。これにより、アンダーフィルが備えていた機能を簡単に実現することができる。そして、回路基板2と発光素子3との間隙が小さい場合でも、光透過性を有する材料によって確実に充填することができる。したがって、回路基板2と発光素子3との間隙にボイドが発生することが防止される。   On the other hand, according to the element mounting part 6 having the light transmitting part 61 and the contact part 62, the gap between the circuit board 2 and the light emitting element 3 is naturally formed by mounting the light emitting element 3 along the contact part 62. The light transmission part 61 can be arranged on the surface. As a result, the function provided by the underfill can be easily realized. Even when the gap between the circuit board 2 and the light emitting element 3 is small, it can be reliably filled with a light-transmitting material. Therefore, voids are prevented from being generated in the gap between the circuit board 2 and the light emitting element 3.

また、素子実装部6の構成材料を選定する際には、アンダーフィルのような流動性は必要ないことから、光透過性、耐候性、機械的特性等の各種特性を最優先にして選定することができる。このため、光透過部61における光透過性および耐候性と、当接部62における耐候性および機械的特性とを両立した素子実装部6が得られる。   Further, when selecting the constituent material of the element mounting portion 6, fluidity such as underfill is not required, and therefore various properties such as light transmittance, weather resistance, and mechanical properties are selected with the highest priority. be able to. For this reason, the element mounting part 6 which balances the light transmittance and weather resistance in the light transmission part 61, and the weather resistance and mechanical characteristics in the contact part 62 is obtained.

以上のように、素子実装部6を備える光導波路モジュール10によれば、発光素子3と光導波路1とを容易かつ正確に結合可能であり、高品質で安定した光通信を実現し得るものとなる。   As described above, according to the optical waveguide module 10 including the element mounting portion 6, the light emitting element 3 and the optical waveguide 1 can be easily and accurately coupled, and high quality and stable optical communication can be realized. Become.

また、素子実装部6は、さらに、前述した充填部63と当接部64とを有している。このため、当接部64によって半導体素子4の位置精度を高めることができ、充填部63によって回路基板2と半導体素子4との間隙に異物や水分等が侵入したり、振動や外力等により半導体素子4が脱落したりするのを防止することができる。   Further, the element mounting portion 6 further includes the filling portion 63 and the contact portion 64 described above. For this reason, the position accuracy of the semiconductor element 4 can be improved by the contact portion 64, and the filling portion 63 allows foreign matter, moisture, or the like to enter the gap between the circuit board 2 and the semiconductor element 4, or the semiconductor due to vibration or external force. It is possible to prevent the element 4 from falling off.

このような素子実装部6の構成材料は、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレン、エポキシ系樹脂やオキセタン系樹脂のような環状エーテル系樹脂、ポリアミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリシラン、ポリシラザン、ベンゾシクロブテン系樹脂やノルボルネン系樹脂等の環状オレフィン系樹脂のような各種樹脂材料の他、石英ガラス、ホウケイ酸ガラスのような各種ガラス材料等が挙げられる。このうち、成形型等を用いて容易に成形可能であり、かつ、熱や光を用いて容易に硬化するという観点から、樹脂材料が好ましく用いられる。樹脂材料によれば、素子実装部6を高精度に形成することが容易なので、光導波路モジュール10の製造プロセスの簡略化を図ることができる。また、樹脂材料としては、特に、国際公開番号WO01/047660に開示されている硬化性フラックスが好ましく用いられる。   The constituent material of the element mounting portion 6 is, for example, acrylic resin, methacrylic resin, polycarbonate, polystyrene, cyclic ether resin such as epoxy resin or oxetane resin, polyamide, polyimide, polybenzoxazole, polysilane. In addition to various resin materials such as polysilazane, cyclic olefin resin such as benzocyclobutene resin and norbornene resin, various glass materials such as quartz glass and borosilicate glass can be used. Among these, a resin material is preferably used from the viewpoint that it can be easily molded using a mold or the like and is easily cured using heat or light. According to the resin material, it is easy to form the element mounting portion 6 with high accuracy, so that the manufacturing process of the optical waveguide module 10 can be simplified. As the resin material, in particular, a curable flux disclosed in International Publication No. WO01 / 047660 is preferably used.

これらの中でも特に光透過性を有する材料であれば、素子実装部6において光の透過損失の発生が抑えられるので好ましい。   Among these, a material having a light transmission property is particularly preferable because generation of light transmission loss can be suppressed in the element mounting portion 6.

一方、光透過性を有さない材料であっても、発光素子3の光軸に合わせて小さな貫通孔が形成されていれば、素子実装部6(光透過部61)は光の透過損失を抑えつつ上述したような効果を奏するものとなる。なお、この貫通孔は、レーザー加工や各種機械加工等により形成することができる。   On the other hand, even if the material does not have optical transparency, if the small through hole is formed in accordance with the optical axis of the light emitting element 3, the element mounting portion 6 (light transmission portion 61) reduces the light transmission loss. The effect as described above is obtained while suppressing. In addition, this through-hole can be formed by laser processing, various machining, etc.

また、素子実装部6は、当接部62で囲まれた領域の内側に凹部65を有しており、この凹部65内に発光素子3を嵌め込むことによって容易かつ高精度に位置合わせをすることができる。また、発光素子3の外縁は当接部62によって囲まれることから、発光素子3は確実に固定されるとともに、外力から確実に保護される。なお、当接部62は発光素子3の外縁全体を囲んでいる必要はなく、一部が欠落しているような構成であっても前述したような効果は損なわれない。   Further, the element mounting portion 6 has a recess 65 inside the region surrounded by the contact portion 62, and the light emitting element 3 is fitted into the recess 65 to easily and accurately align the position. be able to. In addition, since the outer edge of the light emitting element 3 is surrounded by the contact portion 62, the light emitting element 3 is securely fixed and protected from external force. Note that the abutting portion 62 does not need to surround the entire outer edge of the light emitting element 3, and the above-described effects are not impaired even if a part of the abutting portion 62 is missing.

同様に、素子実装部6は、当接部64で囲まれた領域の内側に凹部66を有しており、この凹部66内に半導体素子4を嵌め込むことによって容易に固定することができる。また、半導体素子4は当接部64によって外力から確実に保護される。   Similarly, the element mounting portion 6 has a recess 66 inside a region surrounded by the contact portion 64, and can be easily fixed by fitting the semiconductor element 4 in the recess 66. Further, the semiconductor element 4 is reliably protected from external force by the contact portion 64.

また、凹部65の底部(光透過部61)には、発光素子3の電極32の位置に合わせて貫通孔651が形成されている。この貫通孔651に差し込まれたバンプ8を介して電極32と導体層23とが電気的および機械的に接続されている。同様に、凹部66の底部(充填部63)には、半導体素子4の電極42の位置に合わせて貫通孔が形成されており、この貫通孔に差し込まれたバンプ8を介して電極42と導体層23とが電気的および機械的に接続されている。なお、バンプ8の外縁は、貫通孔651の内面に当接することから、この内面も発光素子3の位置を規制する当接部となり得る。すなわち、本実施形態では、発光素子3の本体の外縁およびバンプ8の外縁を異なる位置にある当接部に当接させることによって発光素子3の位置合わせをすることができる。   In addition, a through hole 651 is formed in the bottom portion (light transmitting portion 61) of the recess 65 in accordance with the position of the electrode 32 of the light emitting element 3. The electrode 32 and the conductor layer 23 are electrically and mechanically connected to each other through the bump 8 inserted into the through hole 651. Similarly, a through hole is formed in the bottom portion (filling portion 63) of the recess 66 in accordance with the position of the electrode 42 of the semiconductor element 4, and the electrode 42 and the conductor are interposed via the bumps 8 inserted into the through hole. The layer 23 is electrically and mechanically connected. Since the outer edge of the bump 8 contacts the inner surface of the through hole 651, this inner surface can also be a contact portion that regulates the position of the light emitting element 3. That is, in this embodiment, the light emitting element 3 can be aligned by bringing the outer edge of the main body of the light emitting element 3 and the outer edge of the bump 8 into contact with the contact portions at different positions.

光透過部61の平均厚さ(貫通孔651の平均深さ)は、回路基板2と発光素子3との間隙に依存するが、一例として5〜1000μm程度であるのが好ましく、10〜200μm程度であるのがより好ましい。これにより、光透過性を損なうことなく、十分な耐候性が確保される。なお、充填部63の平均厚さも、光透過部61と同様に設定される。   The average thickness of the light transmission part 61 (average depth of the through-hole 651) depends on the gap between the circuit board 2 and the light emitting element 3, but as an example, it is preferably about 5 to 1000 μm, and preferably about 10 to 200 μm. It is more preferable that Thereby, sufficient weather resistance is ensured without impairing light transmittance. Note that the average thickness of the filling portion 63 is also set in the same manner as the light transmitting portion 61.

一方、当接部62の平均厚さは、特に限定されないが、回路基板2の上面から発光素子3の上面までの距離を1としたとき、0.2〜2程度であるのが好ましく、0.3〜1.5程度であるのがより好ましい。これにより、光導波路モジュール10の薄型化を妨げることなく、発光素子3を確実に固定し保護することができる。   On the other hand, the average thickness of the contact portion 62 is not particularly limited, but is preferably about 0.2 to 2 when the distance from the upper surface of the circuit board 2 to the upper surface of the light emitting element 3 is 1. More preferably, it is about 3 to 1.5. Thereby, the light emitting element 3 can be reliably fixed and protected without hindering the thinning of the optical waveguide module 10.

なお、素子実装部6は、受光素子7側にも設けられていてもよい。
また、本実施形態および図1では、シングルチャンネル(コア部14の数が1つ)の光導波路1に対して1つの発光素子3を光結合した光導波路モジュール10について説明しているが、本発明は、マルチチャンネル(コア部14の数が複数)の光導波路に対して複数の発光素子3を光結合した光導波路モジュールについても適用可能である。すなわち、マルチチャンネルの光導波路の場合、チャンネル間に跨るように素子実装部6を配置し、これに複数の凹部65を形成することによって、複数の発光素子3の位置を同時に高精度に合わせることができる。特に凹部65は、発光素子3の実装前にあらかじめ精度よく形成することが可能であるので、位置精度を特に高めることができる。その結果、チャンネル間における通信品質の均一性を確保することができる。
Note that the element mounting portion 6 may also be provided on the light receiving element 7 side.
Further, in the present embodiment and FIG. 1, the optical waveguide module 10 in which one light emitting element 3 is optically coupled to the optical waveguide 1 having a single channel (one core portion 14) is described. The invention can also be applied to an optical waveguide module in which a plurality of light emitting elements 3 are optically coupled to a multichannel (a plurality of core portions 14) optical waveguides. That is, in the case of a multi-channel optical waveguide, the element mounting portions 6 are disposed so as to straddle between the channels, and a plurality of recesses 65 are formed on the element mounting portions 6, thereby simultaneously aligning the positions of the plurality of light emitting elements 3 with high accuracy. Can do. In particular, since the recess 65 can be formed with high accuracy in advance before mounting the light emitting element 3, the positional accuracy can be particularly improved. As a result, it is possible to ensure the uniformity of communication quality between channels.

≪第2実施形態≫
次に、本発明の光導波路モジュールの第2実施形態について説明する。
図5、6は、本発明の光導波路モジュールの第2実施形態を示す縦断面図である。
<< Second Embodiment >>
Next, a second embodiment of the optical waveguide module of the present invention will be described.
5 and 6 are longitudinal sectional views showing a second embodiment of the optical waveguide module of the present invention.

以下、第2実施形態について説明するが、第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図5、6において、第1実施形態と同様の構成部分については、先に説明したのと同様の符号を付し、その詳細な説明を省略する。   Hereinafter, although the second embodiment will be described, the description will focus on differences from the first embodiment, and the description of the same matters will be omitted. 5 and 6, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals as those described above, and detailed description thereof is omitted.

図5に示す光導波路モジュール10は、素子実装部6の形状が異なる以外、第1実施形態と同様である。   The optical waveguide module 10 shown in FIG. 5 is the same as that of the first embodiment except that the shape of the element mounting portion 6 is different.

本実施形態では、発光素子3として下面から突出するように設けられた半球状のバンプ8を備えたものを用いる。そして、図5に示す素子実装部6が備える当接部62に対してバンプ8の外縁を当接させることにより、発光素子3の位置を確実に規制することができる。   In the present embodiment, the light emitting element 3 having hemispherical bumps 8 provided so as to protrude from the lower surface is used. And the position of the light emitting element 3 can be reliably controlled by abutting the outer edge of the bump 8 against the abutting portion 62 provided in the element mounting portion 6 shown in FIG.

また、当接部62で囲まれた領域の内側に凹部65’が設けられており、この凹部65’内にバンプ8を差し込むことによって発光素子3の位置合わせを容易かつ高精度に行うことができる。   Further, a recess 65 ′ is provided inside the region surrounded by the contact portion 62, and the bumps 8 are inserted into the recess 65 ′ so that the light emitting element 3 can be aligned easily and with high accuracy. it can.

また、凹部65’の底部には、バンプ8の先端部の位置に合わせて貫通孔651が形成されている。この貫通孔651に差し込まれたバンプ8を介して電極32と導体層23とが電気的および機械的に接続されている。   A through-hole 651 is formed at the bottom of the recess 65 ′ so as to match the position of the tip of the bump 8. The electrode 32 and the conductor layer 23 are electrically and mechanically connected to each other through the bump 8 inserted into the through hole 651.

なお、発光素子3を素子実装部6に実装した際、凹部65’にはバンプ8の基端側が嵌め込まれ、貫通孔651にはバンプ8の先端側が差し込まれた状態となる。すなわち、本実施形態では、バンプ8の基端側の外縁およびバンプ8の先端側の外縁をそれぞれ異なる位置にある当接部62に当接させることによって発光素子3の位置合わせをすることができる。   When the light emitting element 3 is mounted on the element mounting portion 6, the base end side of the bump 8 is fitted into the recess 65 ′, and the tip end side of the bump 8 is inserted into the through hole 651. That is, in the present embodiment, the light emitting element 3 can be aligned by bringing the outer edge on the base end side of the bump 8 and the outer edge on the front end side of the bump 8 into contact with the contact portions 62 at different positions. .

以上のように、図5に示す光導波路モジュール10は、発光素子3の外縁ではなくバンプ8の外縁を当接部62に当接させることにより、発光素子3の位置を規制するよう構成されている。このため、バンプ8の配置が同じであれば、発光素子3の外形を問わず、異なる種類の発光素子3について位置合わせを行うことができる。   As described above, the optical waveguide module 10 shown in FIG. 5 is configured to regulate the position of the light emitting element 3 by bringing the outer edge of the bump 8 into contact with the contact portion 62 instead of the outer edge of the light emitting element 3. Yes. For this reason, as long as the arrangement of the bumps 8 is the same, alignment of different types of light-emitting elements 3 can be performed regardless of the outer shape of the light-emitting elements 3.

また、素子実装部6は、図5に示すように発光素子3や半導体素子4の外縁を超えて延伸していてもよいが、図6に示すように、その外形が発光素子3の外形とほぼ同じになるよう構成されていてもよい。これにより、素子実装部6のサイズを最小化することができ、光導波路モジュール10の小型化に寄与する。   The element mounting portion 6 may extend beyond the outer edge of the light emitting element 3 or the semiconductor element 4 as shown in FIG. 5, but the outer shape thereof is the same as that of the light emitting element 3 as shown in FIG. 6. You may be comprised so that it may become substantially the same. Thereby, the size of the element mounting part 6 can be minimized, which contributes to the miniaturization of the optical waveguide module 10.

≪第3実施形態≫
次に、本発明の光導波路モジュールの第3実施形態について説明する。
図7は、本発明の光導波路モジュールの第3実施形態を示す縦断面図である。
«Third embodiment»
Next, a third embodiment of the optical waveguide module of the present invention will be described.
FIG. 7 is a longitudinal sectional view showing a third embodiment of the optical waveguide module of the present invention.

以下、第3実施形態について説明するが、第1、2実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。なお、図7において、第1、2実施形態と同様の構成部分については、先に説明したのと同様の符号を付し、その詳細な説明を省略する。   Hereinafter, the third embodiment will be described, but the description will focus on the differences from the first and second embodiments, and the description of the same matters will be omitted. In FIG. 7, the same components as those in the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals as those described above, and detailed description thereof is omitted.

図7に示す光導波路モジュール10は、素子実装部6の形状が異なる以外、第1実施形態と同様である。   The optical waveguide module 10 shown in FIG. 7 is the same as that of the first embodiment except that the shape of the element mounting portion 6 is different.

図7に示す素子実装部6は、発光素子3の本体を嵌め込むための凹部65と、バンプ8を差し込むための凹部65’と、凹部65’の底部を貫通する貫通孔651と、を有している。したがって、当接部62に対して発光素子3の外縁、バンプ8の基端側の外縁、およびバンプ8の先端側の外縁の3か所を当接させることによって発光素子3の位置合わせをすることができる。   The element mounting portion 6 shown in FIG. 7 has a recess 65 for fitting the main body of the light emitting element 3, a recess 65 ′ for inserting the bump 8, and a through hole 651 penetrating the bottom of the recess 65 ′. doing. Therefore, the light emitting element 3 is aligned by bringing the outer edge of the light emitting element 3, the outer edge on the base end side of the bump 8, and the outer edge on the front end side of the bump 8 into contact with the contact portion 62. be able to.

以上のように、図7に示す光導波路モジュール10は、発光素子3の3か所を当接部62に当接させるようにしたことから、発光素子3の位置合わせを確実に行うとともに、発光素子3の固定機能および保護機能をより高めることができる。   As described above, since the optical waveguide module 10 shown in FIG. 7 is configured so that the three portions of the light emitting element 3 are brought into contact with the contact portion 62, the light emitting element 3 is reliably aligned and the light emitting element 3 emits light. The fixing function and the protection function of the element 3 can be further enhanced.

<光導波路モジュールの製造方法>
次に、上述したような光導波路モジュールを製造する方法(本発明の光導波路モジュールの製造方法)の一例について説明する。
<Method for manufacturing optical waveguide module>
Next, an example of the method for manufacturing the optical waveguide module as described above (the method for manufacturing the optical waveguide module of the present invention) will be described.

図1に示す光導波路モジュール10は、光導波路1、回路基板2、素子実装部6等を積層するとともに、発光素子3、半導体素子4等を実装することにより製造される。   The optical waveguide module 10 shown in FIG. 1 is manufactured by laminating the optical waveguide 1, the circuit board 2, the element mounting portion 6, and the like, and mounting the light emitting element 3, the semiconductor element 4, and the like.

このうち、回路基板2は、例えば、絶縁性基板21の両面を覆うように導体層を形成した後、不要部分を除去(パターニング)し、配線パターンを含む導体層22、23を残存させることで形成される。   Among these, the circuit board 2 is formed by, for example, forming a conductor layer so as to cover both surfaces of the insulating substrate 21 and then removing (patterning) unnecessary portions to leave the conductor layers 22 and 23 including the wiring pattern. It is formed.

導体層の製造方法としては、例えば、プラズマCVD、熱CVD、レーザーCVDのような化学蒸着法、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の物理蒸着法、電解めっき、無電解めっき等のめっき法、溶射法、ゾル・ゲル法、MOD法等が挙げられる。   Examples of the method for producing the conductor layer include chemical vapor deposition methods such as plasma CVD, thermal CVD, and laser CVD, physical vapor deposition methods such as vacuum vapor deposition, sputtering, and ion plating, plating methods such as electrolytic plating and electroless plating, Examples include a thermal spraying method, a sol-gel method, and a MOD method.

また、導体層のパターニング方法としては、例えばフォトリソグラフィー法とエッチング法とを組み合わせた方法が挙げられる。
この他、一般的な回路パターン形成方法により製造可能である。
Moreover, as a patterning method of a conductor layer, the method which combined the photolithography method and the etching method is mentioned, for example.
In addition, it can be manufactured by a general circuit pattern forming method.

次に、光導波路の製造方法の一例について説明する。
光導波路1は、下方から支持フィルム18、クラッド層11、コア層13、クラッド層12およびカバーフィルム19をこの順で積層してなる積層体と、この積層体の一部を除去することで形成されたミラー16と、を有している。
Next, an example of a method for manufacturing an optical waveguide will be described.
The optical waveguide 1 is formed by removing the support film 18, the clad layer 11, the core layer 13, the clad layer 12, and the cover film 19 from the bottom in this order, and removing a part of the laminate. Mirror 16.

積層体のうち、クラッド層11、コア層13およびクラッド層12の3層は、クラッド層11、コア層13およびクラッド層12を順次成膜して形成する方法、あるいは、クラッド層11、コア層13およびクラッド層12をあらかじめ基材上に成膜した後、それぞれを基板から剥離して貼り合わせる方法等により製造される。   Of the laminated body, the clad layer 11, the core layer 13 and the clad layer 12 are formed by sequentially forming the clad layer 11, the core layer 13 and the clad layer 12, or the clad layer 11, the core layer. 13 and the clad layer 12 are formed on a base material in advance, and then manufactured by a method of peeling and bonding each of them from a substrate.

一方、支持フィルム18およびカバーフィルム19は、上述したようにして製造された3層に対して貼り合わせる方法により製造される。   On the other hand, the support film 18 and the cover film 19 are manufactured by a method of bonding to the three layers manufactured as described above.

クラッド層11、コア層13およびクラッド層12の各層は、それぞれ形成用の組成物を基材上に塗布して液状被膜を形成した後、液状被膜を均一化するとともに揮発成分を除去することにより形成される。   Each of the clad layer 11, the core layer 13 and the clad layer 12 is formed by applying a composition for formation on a substrate to form a liquid film, and then homogenizing the liquid film and removing volatile components. It is formed.

塗布方法としては、例えば、ドクターブレード法、スピンコート法、ディッピング法、テーブルコート法、スプレー法、アプリケーター法、カーテンコート法、ダイコート法等の方法が挙げられる。   Examples of the coating method include a doctor blade method, a spin coating method, a dipping method, a table coating method, a spray method, an applicator method, a curtain coating method, and a die coating method.

また、液状被膜中の揮発成分を除去するには、液状被膜を加熱したり、減圧下に置いたり、あるいは乾燥ガスを吹き付けたりする方法が用いられる。   In order to remove volatile components in the liquid film, a method of heating the liquid film, placing the liquid film under reduced pressure, or spraying a dry gas is used.

なお、各層の形成用組成物としては、例えば、クラッド層11、コア層13またはクラッド層12の構成材料を各種溶媒に溶解または分散してなる溶液(分散液)が挙げられる。   In addition, as a composition for formation of each layer, the solution (dispersion liquid) formed by melt | dissolving or disperse | distributing the constituent material of the clad layer 11, the core layer 13, or the clad layer 12 in various solvents is mentioned, for example.

ここで、コア層13中にコア部14と側面クラッド部15とを形成する方法としては、例えば、フォトブリーチング法、フォトリソグラフィー法、直接露光法、ナノインプリンティング法、モノマーディフュージョン法等が挙げられる。これらの方法はいずれも、コア層13の一部領域の屈折率を変化させる、あるいは、一部領域の組成を異ならせることにより、相対的に屈折率の高いコア部14と相対的に屈折率の低い側面クラッド部15とを作り込むことができる。以上のようにして、前記積層体が得られる。   Here, examples of a method for forming the core portion 14 and the side clad portion 15 in the core layer 13 include a photobleaching method, a photolithography method, a direct exposure method, a nanoimprinting method, and a monomer diffusion method. It is done. In any of these methods, the refractive index of the core layer 13 is relatively different from that of the core portion 14 having a relatively high refractive index by changing the refractive index of the partial region of the core layer 13 or changing the composition of the partial region. A side cladding portion 15 having a low height can be formed. The laminated body is obtained as described above.

次いで、積層体に対して支持フィルム18の下面側から一部を除去する掘り込み加工を施す。これにより得られた空間(空洞)の内壁面がミラー16となる。   Next, a digging process for removing a part of the laminated body from the lower surface side of the support film 18 is performed. The inner wall surface of the space (cavity) thus obtained becomes the mirror 16.

積層体に対する掘り込み加工は、例えば、レーザー加工法、ダイシングソーによるダイシング加工法等により行うことができる。
以上のようにして、光導波路1が得られる。
The digging process on the stacked body can be performed by, for example, a laser processing method, a dicing method using a dicing saw, or the like.
The optical waveguide 1 is obtained as described above.

≪第1製造方法≫
図8、9は、図2に示す光導波路モジュールを製造する第1の方法を説明するための図(縦断面図)である。
≪First manufacturing method≫
8 and 9 are views (longitudinal sectional views) for explaining a first method for manufacturing the optical waveguide module shown in FIG.

図2に示す光導波路モジュール10を製造する第1の方法は、[1]回路基板2の一方の面側に未硬化または半硬化の樹脂層60を成膜する工程と、[2]未硬化または半硬化の樹脂層60に凹部65、66を形成する工程と、[3]発光素子3および半導体素子4の下面から突出するように設けられたバンプ8を凹部65、66の底面に押圧し、底部を貫通させてバンプ8と回路基板2とを接触させるようにして発光素子3および半導体素子4を実装する工程と、[4]未硬化または半硬化の樹脂層60を本硬化させる工程と、を有する。以下、各工程について順次説明する。   A first method of manufacturing the optical waveguide module 10 shown in FIG. 2 includes: [1] a step of forming an uncured or semi-cured resin layer 60 on one surface side of the circuit board 2, and [2] uncured. Alternatively, the step of forming the recesses 65 and 66 in the semi-cured resin layer 60 and [3] pressing the bumps 8 provided so as to protrude from the lower surfaces of the light emitting element 3 and the semiconductor element 4 against the bottom surfaces of the recesses 65 and 66. A step of mounting the light emitting element 3 and the semiconductor element 4 so that the bump 8 and the circuit board 2 are brought into contact with each other through the bottom, and [4] a step of fully curing the uncured or semi-cured resin layer 60. Have. Hereinafter, each process will be described sequentially.

[1]まず、回路基板2を用意する。回路基板2には、絶縁性基板21の表面に導体層22および導体層23が形成されている(図8(a))。   [1] First, the circuit board 2 is prepared. In the circuit board 2, a conductor layer 22 and a conductor layer 23 are formed on the surface of the insulating substrate 21 (FIG. 8A).

次いで、図8(b)に示すように、回路基板2上に樹脂層60を形成する。樹脂層60は、前述した素子実装部6の構成材料の未硬化物または半硬化物で構成される。これを各種塗布法により回路基板2上に成膜する。塗布法としては、特に限定されないが、例えば、ドクターブレード法、バーコート法、ダイコート法等が挙げられる。なお、樹脂層60には、必要に応じて硬化剤を添加しておく。これにより、光や熱等の付与に伴い、樹脂層60を速やかに硬化させることができ、製造効率を高めることができる。   Next, as illustrated in FIG. 8B, a resin layer 60 is formed on the circuit board 2. The resin layer 60 is composed of an uncured material or a semi-cured material of the constituent material of the element mounting portion 6 described above. This is formed on the circuit board 2 by various coating methods. Although it does not specifically limit as a coating method, For example, a doctor blade method, a bar coating method, a die coating method etc. are mentioned. Note that a curing agent is added to the resin layer 60 as necessary. Thereby, with application of light, heat, or the like, the resin layer 60 can be quickly cured, and manufacturing efficiency can be increased.

また、樹脂層60を成膜する方法以外に、別に用意した剥離基板上に樹脂層60を成膜しておき、剥離基板から剥離させた樹脂層60を回路基板2上に貼り合わせるようにしてもよい。   In addition to the method of forming the resin layer 60, the resin layer 60 is formed on a separately prepared release substrate, and the resin layer 60 peeled from the release substrate is bonded to the circuit board 2. Also good.

[2]次に、凹部65、66の形状に対応した成形型600を用意し、これを図8(c)に示すように樹脂層60に押し当てる。これにより、成形型600の形状が樹脂層60に転写され、樹脂層60に凹部65、66が形成される。この成形の際には、樹脂層60の温度を上げることで、樹脂層60を軟化させ、成形性を高めるように」してもよい。その後、必要に応じて樹脂層60の温度を下げる等の半硬化処理を行い、樹脂層60が本硬化しない程度に硬化させてもよい。これにより、成形型600から樹脂層60を離型しても、転写された形状を維持することができる。なお、この際の樹脂層60の硬度は、転写された形状を維持しつつ、後述する工程においてバンプ8の押圧によって凹部65、66の底部が貫通させられる程度に設定される。   [2] Next, a mold 600 corresponding to the shape of the recesses 65 and 66 is prepared and pressed against the resin layer 60 as shown in FIG. Thereby, the shape of the mold 600 is transferred to the resin layer 60, and the recesses 65 and 66 are formed in the resin layer 60. In this molding, the temperature of the resin layer 60 may be raised to soften the resin layer 60 and improve the moldability ”. Thereafter, if necessary, a semi-curing treatment such as lowering the temperature of the resin layer 60 may be performed, and the resin layer 60 may be cured to such an extent that it does not fully cure. Thereby, even if the resin layer 60 is released from the mold 600, the transferred shape can be maintained. Note that the hardness of the resin layer 60 at this time is set to such an extent that the bottoms of the recesses 65 and 66 are penetrated by the pressing of the bumps 8 in a process described later while maintaining the transferred shape.

このような凹部65、66の形成は、あらかじめ高い寸法精度で型が形成されている成形型600を用い、回路基板2の端面等を基準点にして位置合わせを行うことができるため、比較的高い位置精度で行うことができる。また、光導波路1がマルチチャンネルの場合には、チャンネル間に跨るように形成された樹脂層60に対して複数の凹部65を形成する必要があり、通信品質の均一性の確保等の観点からはこれらの凹部65の相互の位置精度も重要である。この場合に、あらかじめ高い寸法精度が保たれている成形型600を用いることにより、凹部65同士の位置精度を極めて高くすることができる。その結果、凹部65に嵌め込まれる発光素子3の位置精度も高めることができる。さらには、チャンネル数が多く、多数の凹部65、66を形成しなければならない場合でも、成形型600を用いることにより、1回の成形プロセスで短時間に形成することができる。   Such recesses 65 and 66 can be formed by using a molding die 600 in which a die is formed with high dimensional accuracy in advance, and positioning can be performed with the end face of the circuit board 2 as a reference point. It can be performed with high position accuracy. In addition, when the optical waveguide 1 is multi-channel, it is necessary to form a plurality of recesses 65 in the resin layer 60 formed so as to straddle between channels, from the viewpoint of ensuring uniformity of communication quality and the like. The positional accuracy of these recesses 65 is also important. In this case, the positional accuracy between the recesses 65 can be made extremely high by using the mold 600 in which high dimensional accuracy is maintained in advance. As a result, the positional accuracy of the light emitting element 3 fitted in the recess 65 can be improved. Furthermore, even when the number of channels is large and a large number of recesses 65 and 66 must be formed, the forming die 600 can be used to form in a short time by a single molding process.

また、成形型600を押し当てる以外の方法で凹部65、66を形成するようにしてもよい。この方法としては、例えば、回路基板2上に成形型600を保持し、回路基板2と成形型600との間隙に前記未硬化物または半硬化物を充填した後、硬度をやや高め、その後成形型600を離型する方法等が挙げられる。さらに、機械加工、レーザー加工、電子線加工、ウォータージェット加工、サンドブラスト加工、ショットブラスト加工等の各種加工方法により、樹脂層60の一部を除去することにより凹部65、66を形成する方法も用いられる。   Moreover, you may make it form the recessed parts 65 and 66 by methods other than pressing the shaping | molding die 600. FIG. As this method, for example, the molding die 600 is held on the circuit board 2, the gap between the circuit board 2 and the molding die 600 is filled with the uncured product or semi-cured product, the hardness is slightly increased, and then molding is performed. For example, a method of releasing the mold 600 may be used. Furthermore, a method of forming the recesses 65 and 66 by removing a part of the resin layer 60 by various processing methods such as machining, laser processing, electron beam processing, water jet processing, sand blast processing, and shot blast processing is also used. It is done.

[3]次に、電極32に固着するバンプ8が設けられた発光素子3および電極42に固着するバンプ8が設けられた半導体素子4をそれぞれ用意する。そして、樹脂層60に形成された凹部65内に発光素子3を嵌め込み(図9(d))、バンプ8を底面に押圧する(図9(e))。同様に、凹部66内に半導体素子4を嵌め込み、バンプ8を底面に押圧する。この押圧により、バンプ8は樹脂層60を押し退けるようにして凹部65、66の底部を貫通し、回路基板2の上面に接触する(図9(f))。その結果、凹部65、66の底部には、貫通孔651、661が形成される。この場合も、前述したように樹脂層60の温度を上げるようにしてもよい。また、バンプ8の押圧は、発光素子3の自重を利用したものであってもよい。   [3] Next, the light emitting element 3 provided with the bumps 8 fixed to the electrodes 32 and the semiconductor element 4 provided with the bumps 8 fixed to the electrodes 42 are prepared. Then, the light emitting element 3 is fitted into the recess 65 formed in the resin layer 60 (FIG. 9D), and the bumps 8 are pressed against the bottom surface (FIG. 9E). Similarly, the semiconductor element 4 is fitted into the recess 66 and the bumps 8 are pressed against the bottom surface. By this pressing, the bump 8 penetrates the bottoms of the recesses 65 and 66 so as to push away the resin layer 60, and comes into contact with the upper surface of the circuit board 2 (FIG. 9F). As a result, through holes 651 and 661 are formed at the bottoms of the recesses 65 and 66. Also in this case, the temperature of the resin layer 60 may be increased as described above. Further, the pressing of the bumps 8 may use the weight of the light emitting element 3.

ここで、発光素子3の実装は、凹部65に嵌め込んだ状態で行われるため、凹部65を囲うように位置する当接部62に沿って発光素子3の位置合わせを行いさえすれば、回路基板2の面方向における位置ずれが起き難い。このため、発光素子3を容易に高い位置精度で実装することができる。これは、前述したように、成形型600を用いた凹部65の形成が、原理上、高い位置精度で行い得ることに起因している。   Here, since the mounting of the light emitting element 3 is performed in a state where the light emitting element 3 is fitted in the recess 65, the circuit only needs to be aligned along the contact portion 62 positioned so as to surround the recess 65. The positional deviation in the surface direction of the substrate 2 hardly occurs. For this reason, the light emitting element 3 can be easily mounted with high positional accuracy. As described above, this is because the formation of the recess 65 using the mold 600 can be performed with high positional accuracy in principle.

一方、この押圧により、凹部65の底部は、発光素子3と回路基板2との間隙に充填されることとなる。その結果、図2に示す光透過部61が形成されることとなる。この光透過部61は、樹脂層60の押圧によって前記間隙を充填するようにして形成されるため、従来のアンダーフィルと同様の機能を有する。すなわち、発光素子3と回路基板2との光結合効率を高めるとともに発光素子3の固定、保護等が図られる。   On the other hand, the bottom of the recess 65 is filled in the gap between the light emitting element 3 and the circuit board 2 by this pressing. As a result, the light transmission part 61 shown in FIG. 2 is formed. Since the light transmission part 61 is formed so as to fill the gap by pressing the resin layer 60, it has the same function as a conventional underfill. That is, the light coupling efficiency between the light emitting element 3 and the circuit board 2 is increased, and the light emitting element 3 is fixed and protected.

また、このようにして形成される素子実装部6は、従来のアンダーフィルに比べて吸湿性が低く、耐候性の高いものとなるため、高品質で安定した光通信を実現可能な光導波路モジュール10が得られる。さらには、間隙に樹脂を充填する作業が不要なため、ボイド残りが発生し難いという利点もある。   In addition, since the element mounting portion 6 formed in this way has low hygroscopicity and high weather resistance compared to the conventional underfill, an optical waveguide module capable of realizing high-quality and stable optical communication. 10 is obtained. Furthermore, since the operation | work which fills resin with a clearance gap is unnecessary, there also exists an advantage that a void residue does not generate | occur | produce easily.

なお、貫通孔651、661の形成方法は上記の方法に限定されず、例えば、発光素子3や半導体素子4の実装に先立ち、各種加工方法によって凹部65、66の底部の一部を除去する方法等も用いられる。このような方法によれば、例えばバンプ8が発光素子3の下面に固着されているものでなくても、素子実装部6に対して実装可能である。   Note that the method of forming the through holes 651 and 661 is not limited to the above-described method. For example, prior to mounting the light emitting element 3 or the semiconductor element 4, a method of removing part of the bottoms of the recesses 65 and 66 by various processing methods. Etc. are also used. According to such a method, for example, even if the bump 8 is not fixed to the lower surface of the light emitting element 3, it can be mounted on the element mounting portion 6.

[4]次に、未硬化または半硬化の樹脂層60を本硬化させる。これにより、発光素子3および半導体素子4が確実に固定される。これにより、発光素子3および接合部の保護がなされるとともに、発光素子3の発光強度(発光素子3と回路基板2との光結合効率)が確保される。   [4] Next, the uncured or semi-cured resin layer 60 is fully cured. Thereby, the light emitting element 3 and the semiconductor element 4 are fixed reliably. Accordingly, the light emitting element 3 and the joint are protected, and the light emission intensity of the light emitting element 3 (the optical coupling efficiency between the light emitting element 3 and the circuit board 2) is ensured.

以上のようにして発光素子3および半導体素子4を実装した後、回路基板2の下面に接着層5を介して光導波路1を接着する。これにより、光導波路モジュール10が製造される。   After mounting the light emitting element 3 and the semiconductor element 4 as described above, the optical waveguide 1 is bonded to the lower surface of the circuit board 2 via the adhesive layer 5. Thereby, the optical waveguide module 10 is manufactured.

なお、図5〜7に示す光導波路モジュール10も、上記第1製造方法と同様にして製造可能である。   The optical waveguide module 10 shown in FIGS. 5 to 7 can be manufactured in the same manner as the first manufacturing method.

また、光導波路1をあらかじめ回路基板2に接着した後、素子実装部6を形成するようにしてもよい。   Alternatively, the element mounting portion 6 may be formed after the optical waveguide 1 is bonded to the circuit board 2 in advance.

≪第2製造方法≫
以下、図2に示す光導波路モジュールを製造する第2の方法について説明するが、第1製造方法との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
≪Second manufacturing method≫
Hereinafter, the second method for manufacturing the optical waveguide module shown in FIG. 2 will be described. The description will focus on differences from the first manufacturing method, and description of similar matters will be omitted.

図10は、図2に示す光導波路モジュールを製造する第2の方法を説明するための図(縦断面図)である。   FIG. 10 is a view (longitudinal sectional view) for explaining a second method of manufacturing the optical waveguide module shown in FIG.

図2に示す光導波路モジュール10を製造する第2の方法は、[1]剥離基材100上に未硬化または半硬化の樹脂層60を形成する工程と、[2]樹脂層60に凹部65、66を形成する工程と、[3]発光素子3および半導体素子4の下面から突出するバンプ8を凹部65、66の底面に押圧し、底部を貫通させる工程と、[4]樹脂層60を剥離基材100から剥離し、回路基板2に貼り付ける工程と、[5]未硬化または半硬化の樹脂層60を本硬化させる工程と、を有する。以下、各工程について順次説明する。   The second method of manufacturing the optical waveguide module 10 shown in FIG. 2 includes [1] a step of forming an uncured or semi-cured resin layer 60 on the peeling substrate 100, and [2] a recess 65 in the resin layer 60. , 66, [3] a step of pressing the bumps 8 protruding from the lower surfaces of the light emitting element 3 and the semiconductor element 4 against the bottom surfaces of the recesses 65, 66, and penetrating the bottom, and [4] forming the resin layer 60. There are a step of peeling from the peeling substrate 100 and attaching it to the circuit board 2, and a step of [5] permanently curing the uncured or semi-cured resin layer 60. Hereinafter, each process will be described sequentially.

[1]まず、剥離基材100を用意する。剥離基材100の上面には、必要に応じて剥離処理を施しておく。これにより、剥離基材100の上面に成膜された樹脂層60を容易に剥離することができる。   [1] First, the peeling substrate 100 is prepared. The upper surface of the peeling substrate 100 is subjected to peeling treatment as necessary. Thereby, the resin layer 60 formed on the upper surface of the peeling substrate 100 can be easily peeled off.

剥離処理としては、例えば、基材上に剥離層を成膜する処理が挙げられる。剥離層の構成材料としては、例えば、フッ素系樹脂、オレフィン系樹脂、スチレン系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ABS樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂等の各種樹脂材料が挙げられる。
次いで、剥離基材100上に樹脂層60を形成する(図10(a))。
As a peeling process, the process which forms a peeling layer on a base material is mentioned, for example. Examples of the constituent material of the release layer include fluorine resin, olefin resin, styrene resin, acrylic resin, silicone resin, polyimide, polycarbonate, polyamide, polyethylene terephthalate, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, ABS resin, polyphenylene. Various resin materials such as sulfide resin can be used.
Subsequently, the resin layer 60 is formed on the peeling base material 100 (FIG. 10A).

[2]次に、第1製造方法と同様にして、樹脂層60に凹部65、66を形成する(図10(b))。   [2] Next, in the same manner as in the first manufacturing method, recesses 65 and 66 are formed in the resin layer 60 (FIG. 10B).

[3]次に、凹部65内に発光素子3を、凹部66内に半導体素子4をそれぞれ嵌め込み、バンプ8を底面に押圧する。これにより、凹部65、66の底部をバンプ8により貫通させる(図10(c))。 [3] Next, the light-emitting element 3 in the recess 65, seen write fitted semiconductor element 4, respectively in the recess 66, to press the bumps 8 on the bottom. As a result, the bottoms of the recesses 65 and 66 are penetrated by the bumps 8 (FIG. 10C).

[4]次に、凹部65、66内に発光素子3、半導体素子4を嵌め込んだ状態で樹脂層60を剥離基材100から剥離し、回路基板2の上面に貼り付ける(図10(d))。 [4] Next, the light-emitting element 3 in the recess 65 and 66, the resin layer 60 was peeled from the release substrate 100 in a state of fitting the semiconductor element 4, that adhered to the upper surface of the circuit board 2 (FIG. 10 ( d)).

[5]次に、未硬化または半硬化の樹脂層60を本硬化させる。その後、回路基板2の下面に光導波路1を接着し、光導波路モジュール10が得られる。   [5] Next, the uncured or semi-cured resin layer 60 is fully cured. Thereafter, the optical waveguide 1 is bonded to the lower surface of the circuit board 2 to obtain the optical waveguide module 10.

このような第2製造方法によれば、樹脂層60に対して発光素子3の位置を正確に合わせることができる。したがって、樹脂層60と回路基板2との位置合わせを行いさえすれば、回路基板2の面方向における位置ずれが起き難い。このため、容易に発光素子3を実装することができ、その位置精度は高いものとなる。これは、前述したように、樹脂層60に形成した凹部65の形成が、原理上、高い位置精度で行い得ることに起因している。   According to such a second manufacturing method, the position of the light emitting element 3 can be accurately aligned with the resin layer 60. Therefore, as long as the alignment between the resin layer 60 and the circuit board 2 is performed, the positional deviation in the surface direction of the circuit board 2 hardly occurs. For this reason, the light emitting element 3 can be easily mounted, and its positional accuracy is high. As described above, this is because the formation of the recess 65 formed in the resin layer 60 can be performed with high positional accuracy in principle.

なお、図5〜7に示す光導波路モジュール10も、上記第2製造方法と同様にして製造可能である。   The optical waveguide module 10 shown in FIGS. 5 to 7 can be manufactured in the same manner as the second manufacturing method.

<電子機器>
本発明の光導波路モジュールを備える電子機器(本発明の電子機器)は、光信号と電気信号の双方の信号処理を行ういかなる電子機器にも適用可能であるが、例えば、ルーター装置、WDM装置、携帯電話、ゲーム機、パソコン、テレビ、ホーム・サーバー等の電子機器への適用が好適である。これらの電子機器では、いずれも、例えばLSI等の演算装置とRAM等の記憶装置との間で、大容量のデータを高速に伝送する必要がある。したがって、このような電子機器が本発明の光導波路モジュールを備えることにより、電気配線に特有なノイズ、信号劣化等の不具合が解消されるため、その性能の飛躍的な向上が期待できる。
<Electronic equipment>
The electronic device (the electronic device of the present invention) including the optical waveguide module of the present invention can be applied to any electronic device that performs signal processing of both an optical signal and an electric signal. For example, a router device, a WDM device, Application to electronic devices such as mobile phones, game machines, personal computers, televisions, home servers, etc. is preferred. In any of these electronic devices, it is necessary to transmit a large amount of data at high speed between an arithmetic device such as an LSI and a storage device such as a RAM. Therefore, since such an electronic device includes the optical waveguide module of the present invention, problems such as noise and signal degradation peculiar to the electric wiring are eliminated, and a dramatic improvement in performance can be expected.

さらに、光導波路部分では、電気配線に比べて発熱量が大幅に削減される。このため、基板内の集積度を高めて小型化が図られるとともに、冷却に要する電力を削減することができ、電子機器全体の消費電力を削減することができる。   In addition, the amount of heat generated in the optical waveguide portion is greatly reduced compared to electrical wiring. Therefore, the degree of integration in the substrate can be increased to reduce the size, the power required for cooling can be reduced, and the power consumption of the entire electronic device can be reduced.

以上、本発明の光導波路モジュール、光導波路モジュールの製造方法および電子機器の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、例えば光導波路モジュールを構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよく、複数の実施形態同士を組み合わせるようにしてもよい。   The optical waveguide module, the method for manufacturing the optical waveguide module, and the embodiment of the electronic device according to the present invention have been described above. However, the present invention is not limited to this, and for example, the components constituting the optical waveguide module are the same. It can be replaced with any structure that can exhibit the above function. Moreover, arbitrary components may be added, and a plurality of embodiments may be combined.

また、図1では、チャンネル(コア部)の数が1つの光導波路を図示しているが、本発明の光導波路モジュールが備える光導波路のチャンネル数は2つ以上であってもよい。この場合、チャンネル数に応じてミラー、レンズ、発光素子、受光素子等の数を設定すればよく、さらに素子実装部に形成する凹部、貫通孔等の数もチャンネル数に応じて設定される。したがって、例えばチャンネル数が2つの場合、素子実装部6には凹部65と凹部66とがそれぞれ2つずつ形成されているのが好ましい。   1 illustrates an optical waveguide having one channel (core part), the number of channels of the optical waveguide provided in the optical waveguide module of the present invention may be two or more. In this case, the number of mirrors, lenses, light emitting elements, light receiving elements, etc. may be set according to the number of channels, and the number of recesses, through holes, etc. formed in the element mounting portion is also set according to the number of channels. Therefore, for example, when the number of channels is two, it is preferable that the element mounting portion 6 has two recesses 65 and two recesses 66 respectively.

また、発光素子および受光素子については、1つの素子に複数の発光部または複数の受光部を備えたものを用いるようにしてもよい。この場合、1つの凹部65に対して3個以上の貫通孔651が形成される。   As for the light emitting element and the light receiving element, one element having a plurality of light emitting units or a plurality of light receiving units may be used. In this case, three or more through holes 651 are formed for one recess 65.

1 光導波路
10 光導波路モジュール
11、12 クラッド層
13 コア層
14 コア部
15 側面クラッド部
16 ミラー
18 支持フィルム
19 カバーフィルム
2 回路基板
20 コネクター
21 絶縁性基板
22、23 導体層
3 発光素子
31 発光部
32 電極
4 半導体素子
42 電極
5 接着層
6 素子実装部
60 樹脂層
600 成形型
61 光透過部
62 当接部
63 充填部
64 当接部
65、66 凹部
65’ 凹部
651、661 貫通孔
7 受光素子
71 受光部
8 バンプ
100 基材
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Optical waveguide 10 Optical waveguide module 11, 12 Clad layer 13 Core layer 14 Core part 15 Side surface clad part 16 Mirror 18 Support film 19 Cover film 2 Circuit board 20 Connector 21 Insulating board 22, 23 Conductor layer 3 Light emitting element 31 Light emitting part 32 Electrode 4 Semiconductor element 42 Electrode 5 Adhesive layer 6 Element mounting part 60 Resin layer 600 Mold 61 Light transmission part 62 Contact part 63 Filling part 64 Contact part 65, 66 Concave part 65 'Concave part 651,661 Through-hole 7 Light receiving element 71 Light-receiving part 8 Bump 100 Base material

Claims (7)

光導波路と、
光素子本体と、前記光素子本体に設けられた受発光部と、前記受発光部に端を発する光路の延在方向に向かって前記光素子本体の外面から突出するように設けられた通電端子と、を備える光素子と、
前記光導波路と前記光素子との間に設けられた基板と、
前記通電端子の外面を内壁面に当接させることで前記光素子の位置を規制する凹部を含む当接部と、前記光素子の光路上に設けられ、前記受発光部と前記基板との間隙に充填された光透過部と、を備え、前記当接部および前記光透過部が同一の材料で一体的に形成されてなる素子実装部と、
を有し、
前記通電端子は、前記凹部の底部を貫通して前記基板と電気的に接続されていることを特徴とする光導波路モジュール。
An optical waveguide;
An optical element main body, a light emitting / receiving unit provided in the optical element main body, and an energizing terminal provided so as to protrude from the outer surface of the optical element main body in an extending direction of an optical path originating from the light receiving / emitting unit An optical element comprising:
A substrate provided between the optical waveguide and the optical element;
A contact portion including a recess that regulates the position of the optical element by bringing the outer surface of the energization terminal into contact with an inner wall surface, and a gap between the light emitting / receiving unit and the substrate provided on the optical path of the optical element A light-transmitting part filled in the element mounting part, wherein the contact part and the light-transmitting part are integrally formed of the same material;
Have
The optical waveguide module, wherein the energization terminal penetrates through the bottom of the recess and is electrically connected to the substrate.
前記凹部は、さらに、前記内壁面が前記光素子本体の外面と当接するよう構成されている請求項1に記載の光導波路モジュール。   The optical waveguide module according to claim 1, wherein the concave portion is further configured such that the inner wall surface is in contact with an outer surface of the optical element body. 光導波路と、
光素子本体と、前記光素子本体に設けられた受発光部と、前記受発光部に端を発する光路の延在方向に向かって前記光素子本体の外面から突出するよう設けられた通電端子と、を備える光素子と、
前記光導波路と前記光素子との間に設けられた基板と、
を有する光導波路モジュールの製造方法であって、
基板の一方の面側に未硬化または半硬化の樹脂層を成膜する工程と、
前記未硬化または半硬化の樹脂層に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に前記通電端子を入れ、前記凹部の内面によって前記通電端子の位置合わせを行う工程と、
前記凹部の底部を貫通させて前記通電端子と前記基板とを接触させるように前記光素子を実装する工程と、
前記未硬化または半硬化の樹脂層を本硬化させる工程と、
を有することを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
An optical waveguide;
An optical element main body, a light emitting / receiving section provided in the optical element main body, and an energizing terminal provided so as to protrude from the outer surface of the optical element main body in an extending direction of an optical path originating from the light receiving / emitting section. An optical element comprising:
A substrate provided between the optical waveguide and the optical element;
An optical waveguide module manufacturing method comprising:
Forming an uncured or semi-cured resin layer on one side of the substrate;
Forming a recess in the uncured or semi-cured resin layer;
Placing the energization terminal in the recess, and aligning the energization terminal with the inner surface of the recess; and
Mounting the optical element so as to penetrate the bottom of the recess and bring the energizing terminal and the substrate into contact with each other;
A step of fully curing the uncured or semi-cured resin layer;
A method of manufacturing an optical waveguide module, comprising:
光導波路と、
光素子本体と、前記光素子本体に設けられた受発光部と、前記受発光部に端を発する光路の延在方向に向かって前記光素子本体の外面から突出するよう設けられた通電端子と、を備える光素子と、
前記光導波路と前記光素子との間に設けられた基板と、
を有する光導波路モジュールの製造方法であって、
剥離基材上に未硬化または半硬化の樹脂層を成膜する工程と、
前記未硬化または半硬化の樹脂層に凹部を形成する工程と、
前記凹部内に前記通電端子を入れ、前記凹部の内面によって前記通電端子の位置合わせを行う工程と、
前記凹部の底部を貫通させて前記通電端子と前記剥離基材とを接触させるように前記光素子を押圧する工程と、
前記剥離基材から剥離させた前記未硬化または半硬化の樹脂層を前記基板の一方の面側に積層する工程と
記未硬化または半硬化の樹脂層を本硬化させる工程と、
を有することを特徴とする光導波路モジュールの製造方法。
An optical waveguide;
An optical element main body, a light emitting / receiving section provided in the optical element main body, and an energizing terminal provided so as to protrude from the outer surface of the optical element main body in an extending direction of an optical path originating from the light receiving / emitting section. An optical element comprising:
A substrate provided between the optical waveguide and the optical element;
An optical waveguide module manufacturing method comprising:
Forming an uncured or semi-cured resin layer on the release substrate;
Forming a recess in the uncured or semi-cured resin layer;
Placing the energization terminal in the recess, and aligning the energization terminal with the inner surface of the recess; and
Pressing the optical element so as to pass through the bottom of the recess and bring the energizing terminal and the release substrate into contact with each other;
Laminating the uncured or semi-cured resin layer peeled from the release substrate on one surface side of the substrate ;
A step of curing the resin layer before Symbol uncured or semi-cured,
A method of manufacturing an optical waveguide module, comprising:
前記凹部は、さらに、前記光素子本体を挿入し得るよう構成されている請求項3または4に記載の光導波路モジュールの製造方法。   The method of manufacturing an optical waveguide module according to claim 3 or 4, wherein the recess is further configured to be able to insert the optical element body. 前記凹部を、成形型を用いた成形法により形成する請求項3ないし5のいずれか1項に記載の光導波路モジュールの製造方法。   The method for manufacturing an optical waveguide module according to claim 3, wherein the concave portion is formed by a molding method using a molding die. 請求項1または2に記載の光導波路モジュールを有することを特徴とする電子機器。   An electronic apparatus comprising the optical waveguide module according to claim 1.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6268817B2 (en) * 2013-08-30 2018-01-31 住友ベークライト株式会社 Optical waveguide member, optical waveguide, optical waveguide manufacturing method, and electronic apparatus
JP6268816B2 (en) * 2013-08-30 2018-01-31 住友ベークライト株式会社 Optical waveguide member, optical waveguide, optical waveguide manufacturing method, and electronic apparatus
WO2017026363A1 (en) * 2015-08-12 2017-02-16 株式会社村田製作所 Photoelectric transducer and optical module
JP7302241B2 (en) * 2019-04-03 2023-07-04 株式会社島津製作所 optical waveguide

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5732590Y2 (en) * 1976-05-27 1982-07-17
JPS58108800A (en) * 1981-12-22 1983-06-28 シャープ株式会社 Constitution for mounting electronic part
JPH073903B2 (en) * 1986-12-08 1995-01-18 日本電信電話株式会社 Optical element mounting board
JP2762792B2 (en) * 1991-08-30 1998-06-04 日本電気株式会社 Optical semiconductor device
JP2002076055A (en) * 2000-08-22 2002-03-15 Hitachi Ltd Packaging method and packaging structure of semiconductor device
JP3748779B2 (en) * 2001-02-16 2006-02-22 松下電器産業株式会社 Semiconductor element mounting method and thermoplastic or thermosetting sheet
JP4492233B2 (en) * 2003-11-27 2010-06-30 株式会社デンソー Semiconductor chip mounting structure and semiconductor chip mounting method
JP2005321655A (en) * 2004-05-10 2005-11-17 Seiko Epson Corp Optical component, optical communication module, electronic apparatus, and method for manufacturing optical component and optical communication module
JP4760134B2 (en) * 2005-05-23 2011-08-31 住友ベークライト株式会社 Optical waveguide structure
JP2008112030A (en) * 2006-10-31 2008-05-15 Sumitomo Bakelite Co Ltd Optical circuit substrate with adhesive, component for mounting optical element and optical element mounted component
JP5078021B2 (en) * 2008-03-14 2012-11-21 住友ベークライト株式会社 Optical waveguide module and method for manufacturing optical waveguide module

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