JP2009135362A - Manufacturing method of board for semiconductor package - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a printed wiring board for a semiconductor package solving problems of contamination of a liquid of an electrolytic nickel/gold plating bath due to a palladium catalyst adhesion process before electroless copper plating, insulation reliability degradation between solder ball pads and the like, and having a pad subjected to electrolytic nickel/gold plating in a part of a semiconductor mounting surface without using a bus line. <P>SOLUTION: In relation to a circuit board of which the front and back sides are electrically connected through copper-plated vias, in this manufacturing method of a board for a semiconductor package, a surface roughening process of solder resist 8, a palladium removal process of a copper exposure part on a solder ball mounting surface, and a surface treatment process comprises an organic rustproofing process, electroless gold plating, electroless tin plating and a solder process. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、電子機器、電気機器、コンピューター、通信機器等に用いられるプリント配線板に関する。更に詳しくは、半導体を搭載するピングリッドアレイ、ボールグリッドアレイ、チップサイズパッケージ、MCM等に使用するプリント配線板に関する。即ち、半導体パッケージ用プリント配線板に関する。   The present invention relates to a printed wiring board used in electronic equipment, electrical equipment, computers, communication equipment, and the like. More specifically, the present invention relates to a printed wiring board used for a pin grid array, a ball grid array, a chip size package, an MCM and the like on which a semiconductor is mounted. That is, it relates to a printed wiring board for a semiconductor package.

半導体パッケージ用プリント配線板においては、半導体との接続部であるワイヤボンドパッドは、金ワイヤとの接続信頼性から従来より電解ニッケル・金メッキが用いられている。
しかし、半導体の高集積化等に伴って、プリント配線板の高密度化の必要性、電気的ノイズ問題、ショート・オープンの電気検査の必要性等から、電解ニッケル・金メッキ用の給電バスラインがそれらの邪魔になっている。その解決のため、無電解ニッケル・金メッキが検討され、一部実用化されているが、ニッケルの腐食(一般にブラックニッケルと呼ばれる、金ストライクメッキによる腐食)やニッケル中のリン成分(半田接合時のリン高濃度層の生成による接合強度の劣化)の問題が指摘されている。そのため、電解ニッケル・金メッキであって、バスラインのないプリント配線板が必要となっている。そのような技術は、バスラインをなくす代わりに、ソルダーレジスト形成後、全面無電解銅メッキし、半導体搭載面のみ無電解銅メッキ層を除去後、半田ボール搭載面の全面無電解銅メッキ層から導通ビアを通して半導体搭載面に電流を流し、半導体搭載面にあるワイヤボンドパッドに電解ニッケル・金メッキし、最終的に無電解銅層はエッチングにより除去するものである(例えば特許文献1,2参照)。
ここにバスラインとは、プリント配線板の所定位置にソルダーレジストが開口された銅パッド表面に、電解ニッケル・金メッキするために必要な給電用のワークパネル内配線のことである。即ち、完成したプリント配線板においては不要であるが、プリント配線板を作成する上で、銅パッド表面に電解ニッケル・金メッキするのに必要な、ワークパネル外部からパネル内に導かれ最終的に銅パッドに至る、電気的に接続させるための、プリント配線板ワークパネル内の配線のことを指す。
また、半導体搭載面とは、半導体パッケージ用プリント配線板において、半導体を搭載し、該半導体と該パッケージ用プリント配線板を接続する面を指す。半田ボール搭載面とは、半導体搭載面とは逆の面であり、プリント配線板(マザーボードと呼ばれる電子・電気機器に組み込まれる主プリント配線板)に接続される半田ボールを搭載する面を指す。
In a printed wiring board for a semiconductor package, electrolytic nickel / gold plating is conventionally used for a wire bond pad, which is a connection portion with a semiconductor, from the viewpoint of connection reliability with a gold wire.
However, due to the need for higher density of printed wiring boards, electrical noise problems, and the necessity of electrical inspection for short and open due to high integration of semiconductors, power supply bus lines for electrolytic nickel / gold plating have become available. They are getting in the way. In order to solve this problem, electroless nickel / gold plating has been studied and partly put into practical use. Nickel corrosion (generally called black nickel, corrosion caused by gold strike plating) and phosphorus component in nickel (during soldering) The problem of joint strength deterioration due to the formation of a high phosphorus concentration layer has been pointed out. Therefore, there is a need for a printed wiring board that is electrolytic nickel / gold plated and has no bus lines. Instead of eliminating the bus line, such a technique is that after forming the solder resist, electroless copper plating is performed on the entire surface, the electroless copper plating layer is removed only on the semiconductor mounting surface, and then the entire electroless copper plating layer on the solder ball mounting surface is removed. A current is passed through the semiconductor mounting surface through the conductive via, electrolytic nickel / gold plating is performed on the wire bond pad on the semiconductor mounting surface, and finally the electroless copper layer is removed by etching (see, for example, Patent Documents 1 and 2). .
Here, the bus line is a wiring in the work panel for supplying power necessary for electrolytic nickel / gold plating on a copper pad surface having a solder resist opened at a predetermined position of a printed wiring board. In other words, it is not necessary for the finished printed wiring board, but it is necessary to make the printed wiring board by electrolytic nickel / gold plating on the copper pad surface. It refers to the wiring in the printed wiring board work panel for electrical connection to the pad.
Further, the semiconductor mounting surface refers to a surface of a semiconductor package printed wiring board on which a semiconductor is mounted and the semiconductor is connected to the package printed wiring board. The solder ball mounting surface is a surface opposite to the semiconductor mounting surface and refers to a surface on which a solder ball connected to a printed wiring board (a main printed wiring board incorporated in an electronic / electric device called a mother board) is mounted.

特開2001−110939号公報JP 2001-110939 A 特開2001−110940号公報JP 2001-110940 A

一般に、無電解銅メッキにおいては、無電解銅メッキ工程前にパラジウム触媒を付着させる工程を入れるのが通常である。このパラジウムは、後の工程である無電解銅メッキのエッチング工程では除去できず、ソルダーレジスト表面やソルダーレジスト開口部の基板面に残存する。その残存パラジウムは、電解ニッケル・金メッキ工程で使われるシアン系薬液に溶解するため、結果的に除去され問題とならなかった。しかし、電解ニッケル・金メッキ工程では除去されうるものの、該工程のメッキ溶液を汚染してしまう問題があり、また、電解ニッケル・金メッキ時に半田ボール搭載面はエッチング兼メッキレジストでマスキングされているので、該マスキング部では無電解銅エッチング後にパラジウムが残存し、半田ボールパッド間の絶縁信頼性が不十分という問題があった。本発明は、これらの問題を解決する、バスラインの無いプリント配線板の製造方法を提供することを課題とする。   Generally, in electroless copper plating, it is usual to put a step of attaching a palladium catalyst before the electroless copper plating step. This palladium cannot be removed in the subsequent electroless copper plating etching process, and remains on the solder resist surface and the substrate surface of the solder resist opening. The remaining palladium was dissolved in a cyan chemical solution used in the electrolytic nickel / gold plating process, and as a result, it was removed without causing a problem. However, although it can be removed in the electrolytic nickel / gold plating process, there is a problem of contaminating the plating solution of the process, and since the solder ball mounting surface is masked with an etching and plating resist during electrolytic nickel / gold plating, In the masking portion, palladium remains after the electroless copper etching, and the insulation reliability between the solder ball pads is insufficient. This invention makes it a subject to provide the manufacturing method of a printed wiring board without a bus line which solves these problems.

本発明者は、パラジウムを除去する工程を追加することで上記課題を改善することができることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち本発明は、銅張り積層板や多層積層板等の基板材料を、穴明けし、パネルメッキ法、パターンメッキ法等によりパターン形成することで得られる、銅メッキされたビアにより表裏導通された回路基板に、
1)ソルダーレジストパターンの形成工程
2)ソルダーレジストの表面粗化工程
3)パラジウム触媒を付着させる工程
4)無電解銅メッキの工程
5)半田ボール搭載面にエッチングレジスト兼メッキレジストを形成する工程
6)エッチングレジスト兼メッキレジストの形成されていない半導体搭載面の無電解銅メッキのエッチング工程
7)エッチングレジスト兼メッキレジストの形成されていない半導体搭載面のパラジウム除去工程
8)エッチングレジスト兼メッキレジストが形成されておらず、かつソルダーレジストが開口した銅部分への電解ニッケル・金メッキ工程
9)エッチングレジスト兼メッキレジストを除去する工程
10)半田ボール搭載面の無電解銅メッキのエッチング工程
11)エッチングレジスト兼メッキレジストに覆われていた半田ボール搭載面のパラジウム除去工程
を行うことを特徴とする半導体搭載面の一部に電解ニッケル・金メッキされたパッドを有する半導体パッケージ用基板の製造法である。
また、
12)銅露出部の表面処理工程
を引き続いて行うことを特徴とする半導体パッケージ用基板の製造法である。
更に、上記ソルダーレジストの表面粗化工程が、過マンガン酸塩溶液処理、クロム酸塩処理、微粒子による物理的処理から選ばれる1種以上による半導体パッケージ用基板の製造法である。
更に、上記各パラジウム除去工程が、硝酸・塩素イオン・カチオン性ポリマー系、硝酸塩・無機酸又はその塩系、メルカプト化合物系、含窒素脂肪族有機化合物・含ヨウ素無機化合物系や塩酸系除去液を用いる半導体パッケージ基板の製造法である。
更に、上記銅露出部の表面処理工程が、有機防錆処理、無電解金メッキ、無電解スズメッキ、半田処理から選ばれる1種である半導体パッケージ用基板の製造法である。
また、
13)前記5)半田ボール搭載面にエッチングレジスト兼メッキレジストを形成する工程において、該エッチングレジスト兼メッキレジストの一部に開口部を設け、7)エッチングレジスト兼メッキレジストの形成されていない半導体搭載面のパラジウム除去工程と、8)部分電解ニッケル・金メッキ工程の間に、
7−2)エッチングレジスト兼メッキレジストの開口部のエッジが、開口部を閉塞しない側から被る第2のメッキレジストを形成する工程
を追加することを特徴とする半導体パッケージ用基板の製造法である。
更には、上記の製造法を用いて製作されたことを特徴とする半導体パッケージ用基板であり、その半導体パッケージ用基板を用いて、半導体を実装した半導体パッケージである。
The inventor has found that the above problem can be improved by adding a step of removing palladium, and has completed the present invention.
That is, the present invention is conductive on the front and back by copper plated vias obtained by drilling and patterning a substrate material such as a copper clad laminate or a multilayer laminate by panel plating, pattern plating or the like. On the circuit board,
1) Solder resist pattern forming process 2) Solder resist surface roughening process 3) Palladium catalyst deposition process 4) Electroless copper plating process 5) Etching resist and plating resist process on solder ball mounting surface 6 ) Etching process of electroless copper plating of semiconductor mounting surface where etching resist / plating resist is not formed 7) Palladium removing process of semiconductor mounting surface where etching resist / plating resist is not formed 8) Etching resist / plating resist is formed Electrolytic nickel / gold plating process on copper part where solder resist is opened 9) Etching resist and plating resist removal process 10) Electroless copper plating etching process on solder ball mounting surface 11) Etching resist function Covered with plating resist It is a manufacturing method of a substrate for a semiconductor package having a pad that is electroless nickel-gold plating on a part of the semiconductor mounting surface, characterized in that performing have solder ball mounting surface of the palladium removal process.
Also,
12) A method for manufacturing a substrate for a semiconductor package, wherein a surface treatment step of a copper exposed portion is subsequently performed.
Further, the solder resist surface roughening step is a method for producing a substrate for a semiconductor package by at least one selected from permanganate solution treatment, chromate treatment, and physical treatment with fine particles.
Further, each of the palladium removal steps described above includes a nitric acid / chlorine ion / cationic polymer system, a nitrate / inorganic acid or salt thereof, a mercapto compound system, a nitrogen-containing aliphatic organic compound / iodine-containing inorganic compound system and a hydrochloric acid system removal solution. This is a method of manufacturing a semiconductor package substrate to be used.
Furthermore, the surface treatment process of the said copper exposed part is a manufacturing method of the board | substrate for semiconductor packages which is 1 type chosen from organic rust prevention processing, electroless gold plating, electroless tin plating, and solder processing.
Also,
13) In the step of 5) forming an etching resist / plating resist on the solder ball mounting surface, an opening is provided in a part of the etching resist / plating resist, and 7) mounting the semiconductor on which the etching resist / plating resist is not formed. Between the surface palladium removal step and 8) the partial electrolytic nickel / gold plating step,
7-2) A method for manufacturing a substrate for a semiconductor package, characterized by adding a step of forming a second plating resist in which the edge of the opening portion of the etching resist and plating resist covers from the side not closing the opening portion. .
Furthermore, the present invention is a semiconductor package substrate manufactured using the above manufacturing method, and a semiconductor package in which a semiconductor is mounted using the semiconductor package substrate.

本発明によれば、絶縁信頼性を確保し、また該ニッケル・金メッキ液を汚染することなく、バスラインのない電解ニッケル・金メッキを施した半導体パッケージ用基板とできる。   According to the present invention, it is possible to obtain a semiconductor package substrate having electrolytic nickel / gold plating without a bus line, ensuring insulation reliability and without contaminating the nickel / gold plating solution.

本発明に用いるソルダーレジスト工程前の回路基板は、銅張り積層板や多層積層板等の基板材料に、穴明け工程、次いで銅パターン形成工程によって、必要な表裏間の導通が取られたものであり、通常行われる方法で製造される。穴明け工程は、メカニカルドリルによる方法、レーザーによる方法が例示され、銅パターン形成は、サブトラクティブ法(パネルメッキ・エッチング法)、パターンメッキ法(基礎銅が極薄銅箔とする方法)、セミアディティブ法(絶縁基材上に無電解銅を付着させ基礎銅とする方法)が例示されるが、限定されるものではない。これらの工程では、洗浄、ソフトエッチング、デスミヤ処理、ハーフエッチング、エッチングレジスト形成やメッキレジスト形成等の工程も付加されるのが普通である。本発明では、半導体搭載面の電解ニッケル・金メッキを要するパッドと半田ボール搭載面は銅メッキされたビア(表裏導通穴)を介して電気的に導通することが必要である。回路基板は両面板でも良く、銅メッキされた貫通ビアや銅メッキされたブラインドビアとインナービアで表裏が導通した多層板でも良い。また、パターン形成後のソルダーレジストの工程の前処理として、銅部の密着性付与処理を行うことは好ましい。通常、銅表面を粗化する処理が採用される。   The circuit board before the solder resist process used in the present invention is a substrate material such as a copper-clad laminate or a multilayer laminate, in which necessary conduction between the front and back is taken by a drilling process and then a copper pattern formation process. Yes, it is manufactured by the usual method. Examples of the drilling process include a method using a mechanical drill and a method using a laser, and copper pattern formation includes a subtractive method (panel plating / etching method), a pattern plating method (a method in which the basic copper is an ultrathin copper foil), semi An additive method (a method in which electroless copper is deposited on an insulating base material to form basic copper) is exemplified, but is not limited thereto. In these processes, processes such as cleaning, soft etching, desmear treatment, half etching, etching resist formation and plating resist formation are usually added. In the present invention, it is necessary that the pads on the semiconductor mounting surface that require electrolytic nickel / gold plating and the solder ball mounting surface be electrically connected via copper-plated vias (front and back conductive holes). The circuit board may be a double-sided board, or a multilayer board in which the front and back are electrically connected by a copper-plated through via or a copper-plated blind via and an inner via. Moreover, it is preferable to perform the adhesion provision process of a copper part as pre-processing of the process of the soldering resist after pattern formation. Usually, the process which roughens a copper surface is employ | adopted.

1)本発明におけるソルダーレジストパターンの形成工程は、銅パターンを形成した回路基板に、光硬化型のソルダーレジストを、液状の場合、印刷法やロールコーター法等により塗布・乾燥した後、またフィルム状の場合、ラミネートや真空プレスした後、ソルダーレジストが開口されるべき部分以外を露光し、現像した後、加熱やUV光による後硬化することで達成される。ソルダーレジストは電解ニッケル・金メッキや表面処理でのメッキや処理時のレジストとしての役割をも持つ。ソルダーレジストとしては、太陽インキ株式会社製のPSR−4000(液状)やPFR−800(フィルム状)等が例示される。これらは、UV光硬化及び熱硬化型の樹脂で構成されている。   1) In the present invention, the solder resist pattern forming step is carried out by applying a photocurable solder resist to a circuit board on which a copper pattern is formed, after applying and drying by a printing method, a roll coater method, etc. In the case of the shape, it is achieved by laminating or vacuum pressing, exposing the portion other than the portion where the solder resist is to be opened, developing, and then post-curing with heating or UV light. The solder resist also serves as a resist for electrolytic nickel / gold plating, plating in surface treatment, and processing. Examples of the solder resist include PSR-4000 (liquid) and PFR-800 (film) manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd. These are composed of UV light curing and thermosetting resins.

2)本発明におけるソルダーレジストの表面粗化工程は、次工程の無電解銅メッキの密着性の確保のために必要であり、開口部のあるソルダーレジストを形成した回路基板に、例えば、過マンガン酸塩溶液処理、クロム酸塩処理、微粒子による物理的処理等によることで達成される。微粒子による物理的処理としては、ジェットスクラブ処理やサンドブラスト処理が好ましく、アルミナ等の粒子が用いられる。
粗化処理しないと、無電解銅メッキが剥げ落ち、部分電解ニッケル・金メッキでの導通性の確保異常ばかりでなく、工程内での汚染物質となり、問題となる。
2) The surface roughening step of the solder resist in the present invention is necessary for ensuring the adhesion of the electroless copper plating in the next step. For example, permanganese is formed on a circuit board on which a solder resist having an opening is formed. It is achieved by an acid solution treatment, a chromate treatment, a physical treatment with fine particles, or the like. As the physical treatment with fine particles, jet scrub treatment or sand blast treatment is preferable, and particles such as alumina are used.
If the roughening treatment is not performed, the electroless copper plating is peeled off, and not only the abnormality in ensuring the conductivity in the partially electrolytic nickel / gold plating but also a contaminant in the process becomes a problem.

3)本発明におけるパラジウム系触媒を付着させる工程は、無電解銅メッキ前処理として通常使用される処理液・工程で良く、イオンタイプやコロイドタイプの薬液を用いることができる。アクチベータコンク834やアクチベータネオガントU(両者共アトテック株式会社製)やキャタポジット44(ロームアンドハース株式会社製)が例示されるが特に限定されない。通常、パラジウムは0.01−0.20mg/dm程度を付着させる。薄い方が、後工程のパラジウム除去工程での負荷が小さく良いが、無電解銅の確実な付着のため、その程度の厚みが好ましい。 3) The step of attaching the palladium-based catalyst in the present invention may be a treatment solution / step usually used as a pretreatment for electroless copper plating, and an ion type or colloid type chemical solution may be used. Examples include activator conch 834, activator neogant U (both manufactured by Atotech Co., Ltd.) and cataposit 44 (manufactured by Rohm and Haas Co., Ltd.), but are not particularly limited. Usually, palladium is deposited to 0.01-0.20mg / dm 2 degrees. The thinner the load in the subsequent palladium removal step, the better, but such a thickness is preferred for reliable adhesion of electroless copper.

4)本発明における無電解銅メッキは通常使用される薬剤・工程で良く、ロッシェル塩浴やキレート浴を用いることができる。プリントガントP−DK(アトテック株式会社製)やサーキュボジット4500(ロームアンドハース株式会社製)が例示されるが、特に限定されない。通常、無電解銅は0.5〜1.5μm程度付着させる。薄い方が、後工程のエッチング工程での負荷が小さく良いが、電解ニッケル・金メッキの確実な付着のため、電気導通を確保する必要があり、その程度の厚みが好ましい。   4) The electroless copper plating in the present invention may be a commonly used chemical or process, and a Rochelle salt bath or a chelate bath can be used. Print Gantt P-DK (manufactured by Atotech Co., Ltd.) and Circvogit 4500 (manufactured by Rohm and Haas Co., Ltd.) are exemplified, but not particularly limited. Usually, electroless copper is deposited to about 0.5 to 1.5 μm. The thinner one may reduce the load in the subsequent etching process, but it is necessary to ensure electrical conduction for reliable adhesion of electrolytic nickel / gold plating, and such a thickness is preferable.

5)本発明におけるエッチングレジスト兼メッキレジストとしては、無電解銅メッキした回路基板に感光性のドライフィルムをラミネートすることや液状感光性レジストをコーティングする等で達成される。本発明では、半田ボール搭載面を露光し、半導体搭載面は露光しないことで、電解ニッケル・金メッキすべき部分を露出する。ただし、電気端子部として銅メッキ穴とする場合は、その銅メッキ穴部の両端にエッチングレジスト兼メッキレジストを残すべく露光するのが好ましい。電気端子部として、平面電極とする場合はその必要がない。現像液としては、炭酸ナトリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液やテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド液(EF−105A、三菱ガス化学株式会社製)が例示される。   5) The etching resist and plating resist in the present invention can be achieved by laminating a photosensitive dry film or coating a liquid photosensitive resist on a circuit board plated with electroless copper. In the present invention, the solder ball mounting surface is exposed and the semiconductor mounting surface is not exposed, thereby exposing the portion to be electrolytic nickel / gold plated. However, when a copper plating hole is used as the electric terminal portion, it is preferable to expose the copper plating hole portion so as to leave an etching resist and plating resist at both ends of the copper plating hole portion. This is not necessary when a planar electrode is used as the electrical terminal portion. Examples of the developer include an aqueous sodium carbonate solution, an aqueous potassium carbonate solution, and a tetramethylammonium hydroxide solution (EF-105A, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc.).

6)及び10)本発明における無電解銅メッキのエッチングは、ソルダーレジスト開口部の銅パターンをできるだけエッチングせずに、後から付着させた無電解銅メッキ層のみをエッチングするのが理想であり、ハーフエッチング(別名フラッシュエッチング、クイックエッチング)となる。そのため、エッチング液として、好ましくは過酸化水素・硫酸系をエッチング液として使う。例えば、SE−07(三菱ガス化学株式会社製)、CPE−700(三菱ガス化学株式会社製)やCPE−810(三菱ガス化学株式会社製)があげられる。   6) and 10) The etching of the electroless copper plating in the present invention ideally etches only the electroless copper plating layer deposited later without etching the copper pattern of the solder resist opening as much as possible. Half etching (also known as flash etching, quick etching). For this reason, hydrogen peroxide / sulfuric acid is preferably used as the etching solution. For example, SE-07 (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.), CPE-700 (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) and CPE-810 (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) are mentioned.

7)及び11)本発明におけるパラジウム除去工程は、除去液としては、安全・環境の観点から、好ましくは非シアン系液、非クロム酸系液であり、硝酸・塩素イオン・カチオン性ポリマー系、硝酸塩・無機酸又はその塩系、メルカプト化合物系、含窒素脂肪族有機化合物・含ヨウ素無機化合物系や塩酸系等を用いることができる。例えば、メルストリップPD−3310(メルテックス株式会社製)、エバストリップSR−Pd(荏原ユージライト株式会社製)、メックリムーバーPJ-9710(メック株式会社製)、トップリップPDJ-A(奥野製薬株式会社製)等を使用することができる。処理方法は、薬液浸漬処理やシャワー処理が例示される。パラジウム除去液によるパターン銅部のエッチングでラインを細めることを防ぐために、銅を溶解しにくいパラジウム除去液を用いることがより好ましい。本パラジウム除去により、狭い導体間距離でも絶縁信頼性を確保することができる。   7) and 11) In the palladium removal step of the present invention, the removal liquid is preferably a non-cyanic liquid or a non-chromic acid liquid from the viewpoint of safety / environment, nitric acid / chlorine ion / cationic polymer system, A nitrate / inorganic acid or a salt thereof, a mercapto compound, a nitrogen-containing aliphatic organic compound / iodine-containing inorganic compound, a hydrochloric acid, or the like can be used. For example, Melstrip PD-3310 (made by Meltex Co., Ltd.), Ebastrip SR-Pd (made by Sugawara Eugelite Co., Ltd.), Mekkuri Mover PJ-9710 (made by Mec Co., Ltd.), Top Lip PDJ-A (Okuno Pharmaceutical Co., Ltd.) Etc.) can be used. Examples of the treatment method include chemical solution immersion treatment and shower treatment. In order to prevent the line from being thinned by etching the patterned copper portion with the palladium removing solution, it is more preferable to use a palladium removing solution that hardly dissolves copper. By removing this palladium, insulation reliability can be ensured even with a narrow distance between conductors.

8)本発明における部分電解ニッケル・金メッキは、通常知られた方法で良く、電解ニッケルメッキについては、ワット浴やスルファミン酸浴等が用いられる。電解金メッキは、パッケージ基板では金線接合されるため、ソフト金が通常用いられる。いづれも浸漬、通電処理する方式が例示される。本電解ニッケル・金メッキのための通電は、製造時のワークパネル端部に電気的接続用の端子を設け、その端子に外部から通電することにより達成される。その端子はソルダーレジストやエッチングレジスト兼メッキレジストが開口された状態とする。銅メッキされた貫通穴を端子としても良い。半導体搭載面のパッドへの通電は、端子に外部電極を接続し、半田ボール面全面に付着した無電解銅層・ソルダーレジストが開口した銅部(ボールパッド部)を通し、かつ、表裏導通穴を通して行われる。   8) The partially electrolytic nickel / gold plating in the present invention may be performed by a generally known method. For electrolytic nickel plating, a Watt bath, a sulfamic acid bath, or the like is used. In the electrolytic gold plating, soft gold is usually used because gold wire bonding is performed on the package substrate. In any case, a method of immersing and energizing is exemplified. The energization for the electrolytic nickel / gold plating is achieved by providing a terminal for electrical connection at the end of the work panel at the time of manufacture and energizing the terminal from the outside. The terminal is in a state where a solder resist or an etching resist / plating resist is opened. Copper plated through holes may be used as terminals. Conduction to the pads on the semiconductor mounting surface is achieved by connecting external electrodes to the terminals, passing through the copper part (ball pad part) where the electroless copper layer / solder resist attached to the entire solder ball surface is open, and the front and back conductive holes Done through.

9)本発明におけるエッチングレジスト兼メッキレジストの除去は、苛性ソーダ液やテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド液(R−101、三菱ガス化学株式会社製)等のアルカリ性液で、浸漬やシャワーによることが例示される。   9) The removal of the etching resist and plating resist in the present invention is exemplified by immersion or showering with an alkaline solution such as caustic soda solution or tetramethylammonium hydroxide solution (R-101, manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.). The

12)本発明における表面処理工程は、ボールパッドやフリップチップパッド、また各種マーク部等の銅露出部に対して行われるもので、無処理(銅無垢)、有機防錆剤処理(例えば、0.2μm厚、浸漬処理等による)無電解金メッキ処理、無電解スズメッキ処理、半田処理等があるが、防錆効果、半田接続信頼性、接続方式等によって選択される。   12) The surface treatment process in the present invention is performed on a ball pad, a flip chip pad, or an exposed copper part such as various mark parts, and no treatment (solid copper) or organic rust inhibitor treatment (for example, 0) There are electroless gold plating treatment, electroless tin plating treatment, soldering treatment, etc. (by thickness of 2 μm, immersion treatment, etc.), which are selected depending on the rust prevention effect, solder connection reliability, connection method, etc.

また、7)パラジウム除去工程と8)部分電解ニッケル及び金メッキ工程の間に、
7−2)半田ボール搭載面のエッチングレジスト兼メッキレジストの開口部のエッジ部が被るメッキレジストを形成する工程を追加することについては、以下のケースに対応できる。
半田ボール搭載面に電解ニッケル・金メッキすべき部分がある場合は、局部的にメッキリード線が必要であるが、エッチングレジスト兼メッキレジストに開口部を設ける。開口部の大きさは、ソルダーレジストの開口部より大きくする。しかし、その状態ではエッチングレジスト兼メッキレジストの開口部周辺に電解ニッケル・金メッキが付着するため、無電解銅メッキとパラジウムの除去後、第2のメッキレジストを第1のメッキレジストの開口周辺部を覆うように配置する。電解ニッケル・金メッキすべき部分としては、個片切断用のマーク等がある。このマーク等は微小な面積であり、後からこの箇所のみを電解ニッケル・金メッキする場合、メッキ厚の調整が難しいため、同時にメッキするのが好ましい。
Also, between 7) palladium removal step and 8) partial electrolytic nickel and gold plating step,
7-2) Adding a step of forming a plating resist that covers the edge portion of the opening of the etching resist / plating resist on the solder ball mounting surface can correspond to the following cases.
If there is a portion to be plated with electrolytic nickel / gold on the solder ball mounting surface, a plating lead is required locally, but an opening is provided in the etching resist / plating resist. The size of the opening is larger than the opening of the solder resist. However, in this state, electrolytic nickel / gold plating adheres to the periphery of the opening of the etching resist and plating resist, so after removing the electroless copper plating and palladium, the second plating resist is attached to the periphery of the opening of the first plating resist. Arrange to cover. As a portion to be electrolytic nickel / gold plated, there is a mark for cutting an individual piece. This mark has a very small area, and when only this portion is later plated with electrolytic nickel / gold, it is difficult to adjust the plating thickness.

以上、詳細に説明したごとく、本発明によれば、絶縁信頼性を確保し、また該ニッケル・金メッキ液を汚染することなく、バスラインのない電解ニッケル・金メッキを施した半導体パッケージ用基板とできる。   As described above in detail, according to the present invention, insulation reliability can be ensured, and the substrate for a semiconductor package can be provided with electrolytic nickel / gold plating without a bus line without contaminating the nickel / gold plating solution. .

銅張り積層板として、両面銅張り積層板(三菱ガス化学株式会社製、CCL−HL832HS、0.1mmt、銅箔12μm)を準備し、COレーザー貫通穴明け(100μmφ)後、ハーフエッチング液SE−07(三菱ガス化学株式会社製)により銅箔を5μmまでエッチングし、アルカリ膨潤処理液・過マンガン酸塩系処理液でデスミヤ処理し、全面にアクチベータネオガントU(アトテック株式会社製)を用いてパラジウム触媒を付着し(0.1mg/dm)、プリントガントP−DK(アトテック株式会社製)を用いて穴内を含めた全面に無電解銅メッキし(1μm厚)、更に電気メッキして(15μm厚)パネルメッキとした。その後、ドライフィルムをラミネートし、パターンマスクフィルムを用いて露光して、現像後塩化銅液にてエッチングし、苛性ソーダ液によりドライフィルムを剥離して、パターン化までの工程を終了した。
その後、エッチボンドCZ−8100(メック株式会社製)にてパターン銅を表面凹凸化処理し、PSR−4000AUS308(太陽インキ株式会社製)をロールコーティング・乾燥(乾燥後20μt厚)後、パターンマスクを介してUV露光し、現像(炭酸ソーダ水溶液)して開口部のあるソルダーレジスト層を形成した。その後、ジェットスクラブ(パーミス#240、60秒)処理し、ソルダーレジスト表面を粗化し、アクチベータネオガントU(アトテック株式会社製)により全面にパラジウム触媒を付着し(0.1mg/dm2)、プリントガントP−DK(アトテック株式会社製)により全面に無電解銅メッキ(1μm厚)した。その後、ドライフィルムをラミネートし、露光し、現像して、電気端子部以外の半導体搭載面のドライフィルムを除去し、一方の半田ボール面は全面ドライフィルムを残した後、CPE−810(三菱ガス化学株式会社製)にて半導体搭載面の無電解銅メッキ層をエッチングした。更に、メックリムーバーPJ−9710(メック株式会社製)により同部分のパラジウム除去処理を行った。その後、電解ニッケル・金メッキを半導体搭載面のワイヤボンドパッドに施した。この電解メッキの給電は、ワークパネルの端に設けた端子部に外部から給電し、該端子部から非半導体搭載面の無電解銅層、更には表裏導通穴を通して半導体搭載面に給電され、回路を通して電解メッキすべきパッドに給電される。その後、全てのドライフィルムを苛性ソーダ液により剥離した後、再度CPE−810により無電解銅層をエッチングし、更にメックリムーバーPJ−9710によりパラジウムの除去処理を行った。その後、シアン金カリウム液であるIM−GOLD PC(日本高純度化学株式会社製)を用いて無電解置換金メッキを施し、半田ボール面のボールパッドの表面処理を行った。なお、本ワークパネル内の半田ボール面に評価用の櫛形パターンを配置し、その部分にはソルダーレジストが被らないデザインとした。
以上により作成されたプリント配線板を解析・評価した結果以下であった。
(1)無電解ニッケルメッキの析出性評価:
パラジウムの残存は微量のため分析が困難であり、パラジウムの残存を確認する方法として、無電解ニッケルメッキを施す手法を取った。
無電解ニッケルメッキ工程を通したが、ソルダーレジスト表面やソルダーレジスト開口部等、全ての箇所で金属表面以外のニッケル析出は見られなかった。
(2)ソルダーレジスト開口部のライン−ライン間絶縁性評価
ソルダーレジストの開口エッジ部が中央に掛かる、ライン/スペース=40/40μmのくし型パターン部を用い、荷電下吸湿絶縁性評価(評価処理条件:HAST/110℃×85%RH×264時間処理前後の電気絶縁抵抗値測定)を行った結果、処理前/2×1012Ω、処理後/3×1011Ω・・・5×10Ω以上であり、良好。
A double-sided copper-clad laminate (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., CCL-HL832HS, 0.1 mmt, copper foil 12 μm) is prepared as a copper-clad laminate, and a half-etching solution SE is formed after drilling a CO 2 laser through hole (100 μmφ). -07 (Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd.) etched copper foil to 5 μm, desmeared with alkali swelling treatment liquid and permanganate treatment liquid, and used activator Neogant U (Atotech Co., Ltd.) on the entire surface. The palladium catalyst was attached (0.1 mg / dm 2 ), and electroless copper plating (1 μm thickness) was performed on the entire surface including the inside of the hole using a print Gantt P-DK (manufactured by Atotech Co., Ltd.). (15 μm thick) Panel plating was used. Thereafter, a dry film was laminated, exposed using a pattern mask film, developed and etched with a copper chloride solution, the dry film was peeled off with a caustic soda solution, and the steps up to patterning were completed.
After that, pattern copper is subjected to surface unevenness treatment with etch bond CZ-8100 (made by MEC Co., Ltd.), PSR-4000AUS308 (made by Taiyo Ink Co., Ltd.) is roll coated and dried (20 μt thickness after drying), and then the pattern mask is used. And then developing (sodium carbonate aqueous solution) to form a solder resist layer having an opening. Thereafter, jet scrub (Permis # 240, 60 seconds) is applied to roughen the surface of the solder resist, and a palladium catalyst is adhered to the entire surface with activator Neogant U (manufactured by Atotech Co., Ltd.) (0.1 mg / dm2). Electroless copper plating (1 μm thickness) was applied to the entire surface by P-DK (manufactured by Atotech Co., Ltd.). Thereafter, the dry film is laminated, exposed and developed to remove the dry film on the semiconductor mounting surface other than the electric terminal portion, and one solder ball surface leaves the entire surface dry film, and then CPE-810 (Mitsubishi Gas). The electroless copper plating layer on the semiconductor mounting surface was etched by Chemical Co., Ltd. Furthermore, the palladium removal process of the same part was performed by Mekku remover PJ-9710 (made by MEC Co., Ltd.). Thereafter, electrolytic nickel / gold plating was applied to the wire bond pad on the semiconductor mounting surface. This electrolytic plating power is supplied from the outside to the terminal portion provided at the end of the work panel, and from the terminal portion to the semiconductor mounting surface through the electroless copper layer on the non-semiconductor mounting surface, and further through the front and back conduction holes. Power is supplied to the pad to be electroplated through. Then, after all the dry films were peeled off with a caustic soda solution, the electroless copper layer was etched again with CPE-810, and further, a palladium removal treatment was carried out with Mekkeli Mover PJ-9710. Thereafter, electroless displacement gold plating was performed using IM-GOLD PC (manufactured by Nippon Kogyo Kagaku Co., Ltd.), which is a cyan gold potassium solution, and the ball pad surface treatment of the solder ball surface was performed. Note that a comb pattern for evaluation was placed on the solder ball surface in the work panel, and the solder resist was not covered on that portion.
The results of analyzing and evaluating the printed wiring board prepared as described above were below.
(1) Precipitation evaluation of electroless nickel plating:
The amount of remaining palladium is difficult to analyze because of the trace amount, and as a method for confirming the remaining palladium, a method of applying electroless nickel plating was adopted.
Although the electroless nickel plating process was passed, no nickel deposition other than the metal surface was observed at all locations such as the solder resist surface and the solder resist opening.
(2) Line-to-line insulation evaluation of solder resist opening part Evaluation of moisture absorption insulation under charge using a comb-shaped pattern part of line / space = 40/40 μm where the opening edge part of solder resist is in the center (evaluation process) (Condition: HAST / 110 ° C. × 85% RH × 264 hours electrical insulation resistance measurement before and after treatment), before treatment / 2 × 10 12 Ω, after treatment / 3 × 10 11 Ω 5 × 10 8 Ω or more, good.

比較例Comparative example

パラジウム除去工程を通さないこと(2回とも)以外は実施例と同様に行った。
作成されたプリント配線板を解析・評価した結果以下であった。
(1)無電解ニッケルメッキの析出性評価:
無電解ニッケルメッキ工程を通したところ、金属表面以外では、部品搭載面および半田ボール面のソルダーレジスト表面にニッケル析出は見られた。
(2)ソルダーレジスト開口部のライン−ライン間絶縁性評価
ソルダーレジストの開口エッジ部が中央に掛かる、ライン/スペース=40/40μmのくし型パターン部を用い、荷電下吸湿絶縁性評価(評価処理条件:HAST/110℃×85%RH×264時間処理前後の電気絶縁抵抗値測定)を行った結果、処理前/2×1012Ω、処理後/3×10Ω・・・5×10Ω以下であり、不良。
The same procedure as in Example was performed except that the palladium removal step was not passed (both twice).
As a result of analyzing and evaluating the produced printed wiring board, it was below.
(1) Precipitation evaluation of electroless nickel plating:
Through the electroless nickel plating step, nickel deposition was observed on the solder resist surfaces of the component mounting surface and the solder ball surface except for the metal surface.
(2) Line-to-line insulation evaluation of solder resist opening part Evaluation of moisture absorption insulation under charge using a comb-shaped pattern part of line / space = 40/40 μm where the opening edge part of solder resist is in the center (evaluation process) Condition: HAST / 110 ° C. × 85% RH × 264 hours electrical insulation resistance measurement before and after treatment), before treatment / 2 × 10 12 Ω, after treatment / 3 × 10 6 Ω 5 × 10 It is 8 Ω or less, which is bad.

銅張積層板Copper clad laminate 穴明け加工+デスミア処理+ハーフエッチDrilling + desmearing + half-etch パラジウム触媒を付着させる工程Step of attaching a palladium catalyst 無電解銅めっき処理Electroless copper plating treatment パネルメッキ処理Panel plating treatment めっきレジストのラミネート露光、現像処理Lamination exposure and development of plating resist エッチング処理Etching process めっきレジストを除去する工程Process for removing plating resist ソルダーレジストパターンの形成工程Solder resist pattern formation process ソルダーレジストの表面粗化工程Surface roughening process of solder resist パラジウム触媒を付着させる工程Step of attaching a palladium catalyst 無電解銅メッキの工程Electroless copper plating process めっきレジストのラミネート露光工程Lamination exposure process of plating resist エッチングレジスト兼メッキレジストを除去する工程(半導体搭載面)Etching resist and plating resist removal process (semiconductor mounting surface) 半導体搭載面の無電解銅メッキのエッチング工程(無電解銅メッキの触媒であるPdが残っている)Etching process for electroless copper plating on semiconductor mounting surface (Pd remains as electroless copper plating catalyst) パラジウム除去工程(半導体搭載面)Palladium removal process (semiconductor mounting surface) 部分電解ニッケル及び金メッキ工程Partially electrolytic nickel and gold plating process エッチングレジスト兼メッキレジストを除去する工程(半田ボール搭載面)Etching resist and plating resist removal process (solder ball mounting surface) 半田ボール搭載面の無電解銅メッキのエッチング工程 (無電解銅メッキの触媒であるPdが残っている)Etching process of electroless copper plating on solder ball mounting surface (Pd as electroless copper plating catalyst remains) パラジウム除去工程(半田ボール搭載面)Palladium removal process (solder ball mounting surface) 表面処理工程(有機防錆処理)Surface treatment process (organic rust prevention treatment)

符号の説明Explanation of symbols

1 基材
2 銅箔
3 パラジウム
4 無電解銅めっき
5 バイアホール
6 電気端子穴
7 導体回路
8 ソルダーレジスト
9 ジェットスクラブ処理
10 めっきレジスト
11 電解ニッケル
12 電解金
13 有機防錆皮膜
14 ワイヤボンドパッド
15 半田ボールパッド
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base material 2 Copper foil 3 Palladium 4 Electroless copper plating 5 Via hole 6 Electrical terminal hole 7 Conductor circuit 8 Solder resist 9 Jet scrub process 10 Plating resist 11 Electrolytic nickel 12 Electrolytic gold 13 Organic rust prevention film 14 Wire bond pad 15 Solder Ball pad

Claims (8)

銅メッキされたビアにより表裏導通された回路基板に、
1)ソルダーレジストパターンの形成工程
2)ソルダーレジストの表面粗化工程
3)パラジウム触媒を付着させる工程
4)無電解銅メッキの工程
5)半田ボール搭載面にエッチングレジスト兼メッキレジストを形成する工程
6)エッチングレジスト兼メッキレジストの形成されていない半導体搭載面の無電解銅メッキのエッチング工程
7)エッチングレジスト兼メッキレジストの形成されていない半導体搭載面のパラジウム除去工程
8)エッチングレジスト兼メッキレジストが形成されておらず、かつソルダーレジストが開口した銅部分への電解ニッケル・金メッキ工程
9)エッチングレジスト兼メッキレジストを除去する工程
10)半田ボール搭載面の無電解銅メッキのエッチング工程
11)エッチングレジスト兼メッキレジストに覆われていた半田ボール搭載面のパラジウム除去工程
を行うことを特徴とする半導体搭載面の一部に電解ニッケル・金メッキされたパッドを有する半導体パッケージ用基板の製造法。
On the circuit board that is conductive on both sides by copper plated vias,
1) Solder resist pattern forming process 2) Solder resist surface roughening process 3) Palladium catalyst deposition process 4) Electroless copper plating process 5) Etching resist and plating resist process on solder ball mounting surface 6 ) Etching process of electroless copper plating of semiconductor mounting surface where etching resist / plating resist is not formed 7) Palladium removing process of semiconductor mounting surface where etching resist / plating resist is not formed 8) Etching resist / plating resist is formed Electrolytic nickel / gold plating process on copper part where solder resist is opened 9) Etching resist and plating resist removal process 10) Electroless copper plating etching process on solder ball mounting surface 11) Etching resist function Covered with plating resist Preparation of a substrate for a semiconductor package having a pad that is electroless nickel-gold plating on a part of the semiconductor mounting surface and performs have solder ball mounting surface of the palladium removal process.
前記エッチングレジスト兼メッキレジストに覆われていた半田ボール搭載面のパラジウム除去工程に引き続き、
12)銅露出部の表面処理工程
を行うことを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ用基板の製造法。
Following the palladium removal step of the solder ball mounting surface that was covered with the etching resist and plating resist,
12) The method for producing a substrate for a semiconductor package according to claim 1, wherein a surface treatment step of the exposed copper portion is performed.
前記ソルダーレジストの表面粗化工程が、過マンガン酸塩溶液処理、クロム酸塩処理、微粒子による物理的処理から選ばれる1種以上によることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ用基板の製造法。 2. The manufacturing method of a substrate for a semiconductor package according to claim 1, wherein the surface roughening step of the solder resist is one or more selected from a permanganate solution treatment, a chromate treatment, and a physical treatment with fine particles. Law. 前記エッチングレジスト兼メッキレジストの形成されていない半導体搭載面のパラジウム除去工程及びエッチングレジスト兼メッキレジストに覆われていた半田ボール搭載面のパラジウム除去工程が、硝酸・塩素イオン・カチオン性ポリマー系、硝酸塩・無機酸又はその塩系、メルカプト化合物系、含窒素脂肪族有機化合物・含ヨウ素無機化合物系や塩酸系から選ばれる1種以上の除去液を用いることを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ基板の製造法 The step of removing palladium on the semiconductor mounting surface on which the etching resist / plating resist is not formed and the step of removing palladium on the solder ball mounting surface covered with the etching resist / plating resist include nitric acid / chloride ion / cationic polymer system, nitrate 2. A semiconductor package according to claim 1, wherein at least one type of removal liquid selected from inorganic acids or salts thereof, mercapto compound systems, nitrogen-containing aliphatic organic compounds, iodine-containing inorganic compound systems and hydrochloric acid systems is used. Substrate manufacturing method 前記銅露出部の表面処理工程が、有機防錆処理、無電解金メッキ、無電解スズメッキ、半田処理から選ばれる1種である請求項2記載の半導体パッケージ用基板の製造法。 3. The method for manufacturing a substrate for a semiconductor package according to claim 2, wherein the surface treatment step of the exposed copper portion is one selected from organic rust prevention treatment, electroless gold plating, electroless tin plating, and solder treatment. 前記半田ボール搭載面にエッチングレジスト兼メッキレジストを形成する工程において、該エッチングレジスト兼メッキレジストの一部に開口部を設け、前記エッチングレジスト兼メッキレジストの形成されていない半導体搭載面のパラジウム除去工程と部分電解ニッケル・金メッキ工程の間に、
7−2)エッチングレジスト兼メッキレジストの開口部のエッジが、開口部を閉塞しない側から被る第2のメッキレジストを形成する工程
を追加することを特徴とする請求項1記載の半導体パッケージ用基板の製造法。
In the step of forming an etching resist / plating resist on the solder ball mounting surface, an opening is provided in a part of the etching resist / plating resist, and the palladium removing step of the semiconductor mounting surface on which the etching resist / plating resist is not formed During the partial electrolytic nickel / gold plating process,
7-2) The substrate for a semiconductor package according to claim 1, wherein a step of forming a second plating resist in which the edge of the opening portion of the etching resist and plating resist covers from the side not closing the opening portion is added. Manufacturing method.
請求項1〜6のいずれかに記載の製造法によって製造したことを特徴とする半導体パッケージ用基板。 A semiconductor package substrate manufactured by the manufacturing method according to claim 1. 請求項7記載の半導体パッケージ用基板に半導体を実装した半導体パッケージ。 A semiconductor package in which a semiconductor is mounted on the semiconductor package substrate according to claim 7.
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