JP2009134855A - メモリセルへの給電の制御 - Google Patents
メモリセルへの給電の制御 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009134855A JP2009134855A JP2008301792A JP2008301792A JP2009134855A JP 2009134855 A JP2009134855 A JP 2009134855A JP 2008301792 A JP2008301792 A JP 2008301792A JP 2008301792 A JP2008301792 A JP 2008301792A JP 2009134855 A JP2009134855 A JP 2009134855A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- memory
- high voltage
- voltage level
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims abstract description 131
- 210000000352 storage cell Anatomy 0.000 claims abstract description 20
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 102100036285 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Human genes 0.000 description 15
- 101000875403 Homo sapiens 25-hydroxyvitamin D-1 alpha hydroxylase, mitochondrial Proteins 0.000 description 15
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
- G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
Abstract
【解決手段】半導体メモリ記憶セルおよびこれらメモリ記憶セルのアレイを含むメモリが開示されている。この半導体メモリ記憶セルは、反対の二進値を記憶するための2つのデバイスを含むフィードバックループと、前記2つのデバイスにデータを書き込み、かつこれらデバイスからデータを読み出すためのデータ入出力とを備え、前記2つのデバイスの各々は、1つの電源入力を備え、よって互いに独立して各デバイスに給電できるようになっている。
【選択図】図1
Description
前記2つのデバイスの各々は、1つの電源入力を備え、よって互いに独立して各デバイスに給電できるようになっている、半導体メモリ記憶セルが提供される。
12、14、22、24 トランジスタ
15、25 入出力部分
32、34 アクセストランジスタ
25 ノード
40 メモリ
52 ワードラインドライバー
54 ロジック
56 書き込みロジック
58 増幅器
60 行電力制御回路
62、64 PMOSトランジスタ
VSS 共通低電圧レール
BL ビットライン
WL ワードライン
Claims (20)
- 反対の二進値を記憶するための2つのデバイスを含むフィードバックループと、
前記2つのデバイスにデータを書き込み、かつこれらデバイスからデータを読み出すためのデータ入出力とを備え、
前記2つのデバイスの各々は、1つの電源入力を備え、よって互いに独立して各デバイスに給電できるようになっている、半導体メモリ記憶セル。 - 前記半導体メモリ記憶セルは、6トランジスタのビットセルを備え、このセルでは、前記2つのデバイスは、一対のバックツーバックインバータを備え、各インバータは2つのトランジスタを含み、前記メモリ記憶セルは、前記デバイスの各々を前記データ入出力から選択的にアイソレートするようになっている2つのアクセス制御トランジスタを更に含む、請求項1に記載の半導体メモリ記憶セル。
- 前記セルは、別個に制御可能な電圧レベルと、共通する低電圧電源入力を受けるための2つの高電圧レベル電源入力とを備える、請求項1に記載の半導体メモリ記憶セル。
- 請求項1に記載の半導体メモリ記憶セルのアレイを含むメモリであって、前記アレイは更に、前記セルの各々の前記2つの電源入力に供給される電力を制御するための電力制御回路を備えるメモリ。
- 前記セルの各々は、2つの高電圧レベルの電源入力と、単一の低電圧レベルの電源入力とを備え、前記電力制御回路は、前記2つの高電圧レベル電源入力の各々へ入力される高電圧レベルを別々に制御すると共に、前記低電圧電源入力へ低電圧入力を供給するようになっている、請求項4に記載のメモリ。
- 前記電力制御回路は、高電圧レベルの2つの値の一方を、2つの独立して制御可能な高電圧レベル入力の各々へ供給するためのロジックを備え、前記2つの値は、より高い高電圧レベルまたはより低い高電圧レベルのいずれかを含む、請求項5に記載のメモリ。
- セルの前記アレイは、セルの複数の行と列を備え、前記メモリは、各行のための独立して制御可能な2つの高電圧トラックを更に備え、各高電圧トラックは、前記電力制御回路により制御可能であり、各トラックは、前記行内の各セルに接続しており、前記メモリは更に、列内の各セルに接続する、各列のための低電圧トラックを更に備える、請求項4に記載のメモリ。
- 前記メモリは、SRAMメモリアレイを備え、前記メモリ内の各列は、ワードとして別々にアドレス指定可能である、請求項7に記載のメモリ。
- 前記電力制御回路は、パワーアップ信号に応答し、前記セルの各々を前記電源入力の一方に高電圧レベル信号を供給し、その後、前記電源入力のうちの他方の入力に高電圧レベル信号を供給し、よってどの電源入力が前記高電圧レベルを最初に受信したかに応じて、所定の既知の値を記憶するように各セルを初期化する、請求項5に記載のメモリ。
- 前記電力制御回路は、前記メモリで受信した読み出しデータ信号に応答し、アドレス指定される前記セルの前記電源入力の各々に、前記より高い高電圧レベルを供給するようになっている、請求項6に記載のメモリ。
- 前記電力制御回路は、アドレス指定される前記セルに供給するための書き込みのための高レベルの値信号に応答自在であり、前記電源入力への、より高い高電圧レベルは、前記デバイスに給電し、前記デバイスは、前記高レベルの値を記憶すると共に、この値を出力し、前記電源入力へのより低い高電圧レベルは、前記デバイスに給電し、前記低レベルの値を記憶すると共に、前記低レベルの値を出力する、請求項6に記載のメモリ。
- 前記電力制御回路は、アドレス指定される前記セルに供給するための書き込みのための低レベルの値信号に応答自在であり、前記電源入力への、より低い高電圧レベルは、前記デバイスに給電し、前記デバイスは前記低レベルの値を記憶すると共に、この値を出力し、前記電源入力へのより高い高電圧レベルは、前記デバイスに給電し、前記低レベルの値を記憶すると共に、前記高レベルの値を出力する、請求項6に記載のメモリ。
- 前記電力制御回路は、前記2つのデバイスのうちのそれぞれのデバイスへ、前記より低い高電圧レベルおよびより高い高電圧レベルを発生するための、電源によって制御されるロジックを備える、請求項6に記載のメモリ。
- 前記電力制御回路は、低抵抗デバイスを介して前記電源入力に高電圧レベルの電源を接続し、前記より高い高電圧レベルを供給すると共に、前記高電圧電源に接続された、逆バイアスのかけられたダイオードと並列な低抵抗デバイスを介し、前記電源入力に低電圧レベルの電源を接続し、前記より低い高電圧レベルを供給するためのロジックを含む、請求項13に記載のメモリ。
- 前記電力制御回路は、前記2つのデバイスのうちのそれぞれのデバイスに、より低い高電圧レベルおよびより高い高電圧レベルを供給するようゲート制御されるロジックを備える、請求項6に記載のメモリ。
- 前記電力制御回路は、低抵抗デバイスを介し、高電圧レベルの電源を前記電源入力に接続し、前記より高い高電圧レベルを供給すると共に、より高い抵抗のデバイスを介し、前記高電圧レベルの電源を前記電源入力に接続し、前記より低い高電圧レベルを供給するためのロジックを備える、請求項15に記載のメモリ。
- 一対のバックツーバックインバータを備えるメモリ記憶セルであって、前記インバータの各々は、各インバータに供給される電力を独立して制御できるようにする電源入力を備える、メモリ記憶セル。
- 集積回路メモリセルにデータを書き込むと共に、前記メモリセルからデータを読み出す方法であって、
第1電源入力により第1デバイスを制御すると共に、第2電源入力により第2電源入力を制御するよう、電源制御回路を介し、2つのデバイスを有する前記メモリセルに2つの電源入力を接続するステップと、データアクセス信号の受信に応答し、前記2つの電源入力を別々に制御するステップとを備えた、集積回路メモリセルとの間でデータの書き込みおよび読み出しをする方法。 - 読み出し信号に応答し、高電力信号によって前記2つのデバイスに給電し、
書き込みの低レベル値信号に応答し、より低い電力信号によって前記第1デバイスに給電し、高い電力信号により前記第2デバイスに給電し、
書き込みの高レベル値信号に応答し、より低い電力信号により前記第2デバイスに給電し、高い電力信号により前記第1デバイスに給電するよう、前記2つの電源入力を別々に制御する、請求項18に記載の方法。 - パワーアップ信号に応答し、前記2つの電源入力のうちの一方に電力を供給し、その後、前記2つの電源入力のうちの他方の入力に電力を供給する、請求項18に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/987,266 | 2007-11-28 | ||
US11/987,266 US7688668B2 (en) | 2007-11-28 | 2007-11-28 | Controlling power supply to memory cells |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009134855A true JP2009134855A (ja) | 2009-06-18 |
JP5400364B2 JP5400364B2 (ja) | 2014-01-29 |
Family
ID=40669565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008301792A Active JP5400364B2 (ja) | 2007-11-28 | 2008-11-27 | メモリセルへの給電の制御 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7688668B2 (ja) |
JP (1) | JP5400364B2 (ja) |
TW (1) | TW200926179A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014510359A (ja) * | 2011-03-04 | 2014-04-24 | スティヒティング・イメック・ネーデルラント | メモリ装置用ローカル書き込み及び読み出し回路構成 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011522614A (ja) * | 2008-06-04 | 2011-08-04 | ネリックス・インコーポレーテッド | ドッキング装置および使用方法 |
US7782702B1 (en) * | 2008-10-03 | 2010-08-24 | Xilinx, Inc. | Apparatus and method for memory cell power-up sequence |
US8320203B2 (en) * | 2010-03-26 | 2012-11-27 | Intel Corporation | Method and system to lower the minimum operating voltage of register files |
TWI464745B (zh) * | 2010-07-06 | 2014-12-11 | Faraday Tech Corp | 具有由資料控制之電源供應的靜態隨機存取記憶體 |
US8588004B2 (en) | 2012-04-12 | 2013-11-19 | Lsi Corporation | Memory device having multi-port memory cell with expandable port configuration |
US20150279452A1 (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-01 | Qualcomm Incorporated | Memory having a pull-up circuit with inputs of multiple voltage domains |
US9449680B2 (en) * | 2015-01-06 | 2016-09-20 | Mediatek Inc. | Write assist circuit and memory cell |
US9940999B2 (en) | 2016-06-22 | 2018-04-10 | Darryl G. Walker | Semiconductor devices, circuits and methods for read and/or write assist of an SRAM circuit portion based on voltage detection and/or temperature detection circuits |
US10403384B2 (en) | 2016-06-22 | 2019-09-03 | Darryl G. Walker | Testing a semiconductor device including a voltage detection circuit and temperature detection circuit that can be used to generate read assist and/or write assist in an SRAM circuit portion and method therefor |
US11145359B2 (en) * | 2019-04-10 | 2021-10-12 | Stmicroelectronics International N.V. | Reduced retention leakage SRAM |
US11972793B2 (en) | 2021-09-15 | 2024-04-30 | Mavagail Technology, LLC | Integrated circuit device including an SRAM portion having end power select circuits |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10208480A (ja) * | 1996-12-31 | 1998-08-07 | Sgs Thomson Microelectron Inc | ビット線へ接続したpチャンネルプルアップソースを有するsramセル |
JP2002042476A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | スタティック型半導体記憶装置 |
JP2002237534A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、メモリシステムおよび電子機器 |
JP2003187579A (ja) * | 2001-12-17 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2006059420A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sramメモリセルおよび半導体記憶装置 |
JP2007004960A (ja) * | 2005-05-23 | 2007-01-11 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
JP2007109300A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体メモリ |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7236396B2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-06-26 | Texas Instruments Incorporated | Area efficient implementation of small blocks in an SRAM array |
US7301835B2 (en) * | 2005-09-13 | 2007-11-27 | International Business Machines Corporation | Internally asymmetric methods and circuits for evaluating static memory cell dynamic stability |
JP2007317316A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2008065974A (ja) * | 2006-08-11 | 2008-03-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置 |
-
2007
- 2007-11-28 US US11/987,266 patent/US7688668B2/en active Active
-
2008
- 2008-10-28 TW TW097141412A patent/TW200926179A/zh unknown
- 2008-11-27 JP JP2008301792A patent/JP5400364B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10208480A (ja) * | 1996-12-31 | 1998-08-07 | Sgs Thomson Microelectron Inc | ビット線へ接続したpチャンネルプルアップソースを有するsramセル |
JP2002042476A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Mitsubishi Electric Corp | スタティック型半導体記憶装置 |
JP2002237534A (ja) * | 2001-02-08 | 2002-08-23 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、メモリシステムおよび電子機器 |
JP2003187579A (ja) * | 2001-12-17 | 2003-07-04 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2006059420A (ja) * | 2004-08-18 | 2006-03-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Sramメモリセルおよび半導体記憶装置 |
JP2007004960A (ja) * | 2005-05-23 | 2007-01-11 | Renesas Technology Corp | 半導体記憶装置 |
JP2007109300A (ja) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体メモリ |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014510359A (ja) * | 2011-03-04 | 2014-04-24 | スティヒティング・イメック・ネーデルラント | メモリ装置用ローカル書き込み及び読み出し回路構成 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7688668B2 (en) | 2010-03-30 |
US20090135661A1 (en) | 2009-05-28 |
JP5400364B2 (ja) | 2014-01-29 |
TW200926179A (en) | 2009-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5400364B2 (ja) | メモリセルへの給電の制御 | |
US7259986B2 (en) | Circuits and methods for providing low voltage, high performance register files | |
KR100932342B1 (ko) | 별개의 판독-기록 회로를 구비한 sram 셀 | |
US7898875B2 (en) | Write assist circuit for improving write margins of SRAM cells | |
US7813161B2 (en) | Dual port SRAM with dedicated read and write ports for high speed read operation and low leakage | |
US10885954B2 (en) | Memory devices comprising a write assist circuit | |
US8576655B2 (en) | Semiconductor memories | |
US20110103137A1 (en) | Source controlled sram | |
JP5798120B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US7684274B2 (en) | High performance, area efficient direct bitline sensing circuit | |
US20030039166A1 (en) | High performance semiconductor memory devices | |
JP2010272190A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US9384790B2 (en) | Memory device with separately controlled sense amplifiers | |
KR20190024825A (ko) | 메모리 디바이스를 위한 기록 어시스트 및 이를 형성하는 방법 | |
JP2005085454A (ja) | メモリアレイを含む集積回路装置、およびセンスアンプを有するメモリを組込んだ集積回路装置においてパワーゲートするための方法 | |
US7535788B2 (en) | Dynamic power control for expanding SRAM write margin | |
US9570155B2 (en) | Circuit to improve SRAM stability | |
JP2013004110A (ja) | 書込み用ビットラインの充放電電力を削減する半導体記憶装置 | |
US7821843B2 (en) | Partial write-back in read and write-back of a memory | |
JP2013025848A (ja) | 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の制御方法 | |
US7545670B2 (en) | Dual word line or floating bit line low power SRAM | |
US7596040B2 (en) | Methods and apparatus for improved write characteristics in a low voltage SRAM | |
KR20230148762A (ko) | 기입 동작을 위한 워드 라인 지연 인터로크 회로 | |
JP4998495B2 (ja) | 半導体装置 | |
TW201737255A (zh) | 記憶體單元 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110105 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130827 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130927 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131025 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5400364 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |