JP2009129579A - プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】表示不良をなくし、封着排気工程における排気時間の短縮を実現可能なプラズマディスプレイパネルを提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマディスプレイパネル10は、互いに対向して配置される第1の基板101および第2の基板107と、第1の基板上に形成される第1誘電体層105と、第2の基板上に形成される第2誘電体層111と、第1誘電体層の内部に、第1の方向に沿って設けられる第1の電極103と、第2誘電体層の内部に、第1の方向に対して直交する第2の方向に沿って設けられる第2の電極109と、第1誘電体層と第2誘電体層との間に設けられ、複数の放電空間を区画する第1隔壁113と、第1隔壁の第2誘電体層側の端部に、第1の方向に沿って設けられる第2隔壁115と、を備える。
【選択図】図2

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
近年、交流型プラズマディスプレイパネル(AC−Plasma Display Panel:AC−PDP)の構造において、高精細化が最も重要な技術要因の一つであると考えられている。現状で最も高精細なPDPは、1920×1080ピクセルの42型FHD(Full High Definition)であるが、今後は、これ以上の高精細化が必須となる。
PDPは各表示セルが隔壁(リブとも称する。)によって仕切られているため、高精細なPDPを製造するにあたっては、各表示セルの排気に極めて長時間を要するという問題がある。そこで、表示セルの排気に要する時間を短縮するために、以下の特許文献1では、バス電極の厚みを変更したり、誘電体層に突起を形成したりすることによって、隔壁と前面基板との間に隙間を設けることが開示されている。
特開2007−183657号公報
しかしながら、特許文献1に記載の方法では、バス電極の方向に沿って隙間が存在することとなるため、光漏れが生じて混色などの表示不良が発生しやすいという問題があった。
そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的は、表示不良をなくし、封着排気工程における排気時間の短縮を実現することが可能な、新規かつ改良されたプラズマディスプレイパネルおよびプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、互いに対向して配置される第1の基板および第2の基板と、前記第1の基板上に形成される第1誘電体層と、前記第2の基板上に形成される第2誘電体層と、前記第1誘電体層の内部に、第1の方向に沿って設けられる第1の電極と、前記第2誘電体層の内部に、前記第1の方向に対して直交する第2の方向に沿って設けられる第2の電極と、前記第1誘電体層と前記第2誘電体層との間に設けられ、複数の放電空間を区画する第1隔壁と、前記第1隔壁の前記第2誘電体層側の端部に、前記第1の方向に沿って設けられる第2隔壁と、を備えるプラズマディスプレイパネルが提供される。
前記第1隔壁を形成する材料のガラス転移温度は、前記第2隔壁を形成する材料のガラス転移温度よりも低くてもよい。
前記第1隔壁および前記第2隔壁は、Al、SiO、ZnOの少なくともいずれかを含むフィラーを用いて形成されてもよい。
前記第2隔壁の厚みは、前記第1隔壁の前記第2誘電体層側の端部の幅の2倍よりも小さくてもよい。
前記第1隔壁を形成する材料のガラス転移温度は、400℃〜510℃であり、前記第2隔壁を形成する材料のガラス転移温度は、440℃〜550℃であってもよい。
前記第2隔壁を形成するために用いられる前記フィラーの添加量は、前記第1隔壁を形成するために用いられる前記フィラーの添加量よりも多くてもよい。
上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、第1の基板上に、第1の方向に沿って設けられる第1の電極を形成し、前記第1の電極を覆うように第1誘電体層を形成する段階と、前記第1誘電体層上に、放電空間を区画する第1隔壁を形成するための第1隔壁形成層を形成する段階と、前記第1隔壁形成層上に、前記第1の方向に沿って延設される第2隔壁形成層を形成する段階と、前記隔壁形成層および前記第2隔壁形成層を焼成する段階と、を含むプラズマディスプレイパネルの製造方法が提供される。
前記隔壁形成層および前記第2隔壁形成層を焼成する段階の後に、焼成された前記第1隔壁形成層および前記第2隔壁形成層を加工し、隔壁形状を形成する段階を更に含んでもよく、前記隔壁形成層および前記第2隔壁形成層を焼成する段階の前に、前記第1隔壁形成層および前記第2隔壁形成層を加工し、隔壁形状を形成する段階を更に含んでもよい。
本発明によれば、表示不良をなくし、封着排気工程における排気時間の短縮を実現することが可能である。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
本願発明者らは、上記課題を解決するために、まず、プラズマディスプレイの高精細化に伴う問題点について鋭意検討を行った。その結果、高精細化に伴う問題点の一つとして、隔壁の幅が狭くなることが、表示不良の大きな要因であることに想到した。例えば、4K2K(4098×2160ピクセル)以上の高精細パネルでは、現在の42型FHDパネルにおける隔壁の幅の2/3以下となる。そのため、隔壁の強度が下がり、わずかな衝撃であっても隔壁パターンの破壊が生じ、この隔壁パターンの破壊に起因して表示不良が発生することが考えられる。隔壁の幅が2/3となったとすると、隔壁の強度は、約1/2の強度になると考えられる。そのため、隔壁の幅が狭くなったとしても、加えられる衝撃に耐えうる強度を備えた隔壁が必要となる。
そこで、本願発明者らは、上述のような隔壁を実現するために鋭意研究を行った結果、以下で説明するような、表示不良をなくし、封着排気工程における排気時間の短縮を実現することが可能なプラズマディスプレイパネルに想到した。
(第1の実施形態)
<本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの構成について>
まず、図1〜図4を参照しながら、本発明の第1の実施形態に係るプラズマディスプレイパネル(以下、PDPと略記する。)について、詳細に説明する。図1は、本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルを説明するための部分平面図であり、図2は、本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルを図1のA−A切断線で切断した拡大断面図である。また、図3は、本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの隔壁を説明するための説明図であり、図4は、本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルを図1のB−B切断線で切断した拡大断面図である。なお、以下では、各図中に示した座標軸を用いながら、説明を行うこととする。
図1は、本実施形態に係るPDP10を、第2の基板である前面基板107の上方から見下ろした場合の部分平面図である。PDP10は、略格子形状の隔壁113によって、複数の放電空間117に区画される。これらの放電空間117は、図1のx軸方向およびy軸方向に沿って、配列している。また、隔壁113の上側(図1のz軸正方向側)には、第2の電極である放電維持電極109と、第2誘電体層111とが設けられる。ここで、放電維持電極109は、図1のx軸方向に沿って設けられている。
隔壁113の下側(図1のz軸負方向側)には、第1の電極であるアドレス電極103と、第1誘電体層105とが設けられ、これらの更に下方には、第1の基板である背面基板101が設けられる。ここで、アドレス電極103は、図1のy軸方向に沿って設けられている。
また、隔壁113の前面基板107側の端部には、アドレス電極103の方向(図1のy軸方向)に沿って、第2隔壁である補助隔壁115が設けられている。かかる隔壁113および補助隔壁115については、以下で改めて詳細に説明する。
なお、図1に示したように、本実施形態に係るPDP10では、放電空間117の形状が略直方体である場合を用いて詳細な説明を行うが、放電空間117の形状は略直方体に限定されるわけではなく、立方体でもよく、また、球形、楕円形状、または多面体形状であってもよい。
図2は、PDP10を図1のA−A切断線で切断した場合における拡大断面図である。図2から明らかなように、PDP10は、例えば、背面基板101と、アドレス電極103と、第1誘電体層105と、前面基板107と、放電維持電極109と、第2誘電体層111と、隔壁113と、補助隔壁115と、を主に備える。
第1の基板である背面基板101と、第2の基板である前面基板107とは、所定の大きさを有する基板であり、例えばソーダライムガラス等のガラスを材料として用いることが可能である。背面基板101および前面基板107の大きさは、本実施形態に係るPDP10を備えるプラズマディスプレイの画面の大きさに応じて、変更することが可能である。この背面基板101および前面基板107の表面に、例えばSiOなどの物質をコーティングしておき、背面基板101および前面基板107の絶縁性を担保するようにしてもよい。背面基板101や前面基板107の厚みを薄くすることで、PDP10の薄型化を図ることが可能であり、製造するPDPの厚みに応じて、これらの基板の厚みを変更することが可能である。これらの背面基板101と前面基板107とは、所定の空間を介して互いに対向するように設けられる。
第1の電極であるアドレス電極103は、後述する放電維持電極109と同様に、放電空間117にプラズマ放電を発生させるために使用される電極である。このアドレス電極103は、例えば、Ag、Al、Ni、Cu、Mo、またはCrなどの良導性の金属を用いて形成することが可能である。アドレス電極103は、背面基板101の前面基板107側の表面(図2のz軸正方向側の表面)に形成される。この際、アドレス電極103自体が放電空間117に露出することは好ましくない。そのため、アドレス電極103は、第1誘電体層105によって、表面が覆われる。なお、この第1誘電体層105は、SiO等を用いて反射型誘電体層として形成することが可能である。また、第1誘電体層105の表面に、更にMgO等の仕事関数の値の小さな物質からなる保護層を形成して、第1誘電体層105をプラズマによる第1誘電体層105のスパッタリングから保護してもよい。この保護層は、放電空間117内で発生するプラズマによって誘電体等がスパッタリングされることを保護するためのものである。
なお、アドレス電極103は、例えば、スパッタや蒸着などの方法を用いて形成することが可能であり、特定の形成方法に限定されるわけではない。
第2の電極である放電維持電極109は、放電空間117にプラズマ放電を発生させるためにアドレス電極103とともに使用される電極である。この放電維持電極109は、例えばインジウム−スズ酸化物(Indium−Tin Oxide:ITO)等の透明電極や、Ag、Al、Ni、Cu、Mo、またはCrなどの良導性の金属を用いて形成することが可能である。放電維持電極109は、前面基板107の背面基板101側の表面(図2のz軸負方向側の表面)に形成される。この際、放電維持電極109についても、電極自体が放電空間117に露出することは好ましくない。そのため、放電維持電極109は、第2誘電体層111によって、表面が覆われる。なお、第2誘電体層111は、SiO等を用いて形成することが可能である。また、第2誘電体層111の表面に、更にMgO等の仕事関数の値の小さな物質からなる保護層を形成して、第2誘電体層111をプラズマによる第2誘電体層111のスパッタリングから保護してもよい。
なお、放電維持電極109は、例えば、スパッタや蒸着などの方法を用いて、形成することが可能であり、特定の形成方法に限定されるわけではない。
隔壁113は、後述する補助隔壁115とともに、所定の間隔を有するように配置された背面基板101および前面基板107によって生じる空間を所定の広さを有する複数の放電空間117に区画する役割を果たすものである。すなわち、放電空間117は、背面基板101と、前面基板107と、隔壁113と、補助隔壁115とによって定義される空間である。隔壁113は、例えば図1に示したように格子状に設けられるので、放電空間117は、図2に示したように、上下(z軸方向)に沿って設けられる背面基板101および前面基板107と、左右(y軸方向)に沿って配設される2つの隔壁113および補助隔壁115とによって区画される。
図2に示したように、隔壁113の断面形状は、例えば、テーパ形状となっている。図2においては、隔壁113の断面形状はテーパ形状であるが、本発明に係る隔壁113の断面形状は図中の形状に限定されるわけではなく、広い放電空間117を確保できる形状であれば、様々な形状を有することができ、例えば断面が略長方形となっていてもよい。
第2隔壁である補助隔壁115は、隔壁113の前面基板107側の端部に、アドレス電極方向(すなわち、図2におけるx軸方向)に沿って形成される。かかる補助隔壁115は、隔壁113に加わる衝撃を吸収する緩衝材として機能し、衝撃による隔壁113の破壊を防ぐことが可能である。
補助隔壁115は、隔壁113の前面基板107側の端部に、少なくとも数μm程度の厚みで形成されていればよい。また、例えば図3に示したように、補助隔壁115の厚み(すなわち、図3におけるz軸方向の高さ)をHとし、隔壁113の前面基板107側の端部の幅(すなわち、図3におけるy軸方向の幅、以下、隔壁のトップ幅とも称する。)をWとしたときに、補助隔壁115の厚みHは、隔壁113のトップ幅Wの2倍以下であることが好ましい。例えば、隔壁113のトップ幅Wが30μm程度である場合に、補助隔壁115の厚みHは、5μm〜40μm程度とすることができる。
補助隔壁115の厚みが数μm未満の場合には、緩衝材としての機能を十分に果たすことができず、好ましくない。また、補助隔壁115の厚みが隔壁113のトップ幅Wの2倍超過にしたとしても、補助隔壁115の厚みがトップ幅Wの2倍である場合に比べて緩衝材としての機能に大きな変化が得られないため、好ましくない。
上述のような隔壁113および補助隔壁115は、所定のガラス材料を用いて形成される。この際、隔壁113を形成する際に用いられるガラス材料のガラス転移温度(Tgrib)は、補助隔壁115を形成する際に用いられるガラス材料のガラス転移温度(Tgsub)よりも低い(すなわち、Tgrib<Tgsubが成立する)ことが好ましい。かかる材料を用いることで、補助隔壁115が隔壁113よりも柔らかい材質で形成されることとなるため、補助隔壁115が衝撃を吸収する緩衝材として機能するようになる。逆に、隔壁113を形成する材料のガラス転移温度が補助隔壁115を形成する材料のガラス転移温度よりも高い(すなわち、Tgrib≧Tgsubが成立する)場合には、補助隔壁115が隔壁113よりも硬い材質で形成されることとなるため、補助隔壁115が緩衝材の機能を果たすことができず、好ましくない。
また、隔壁113を形成する際に用いられるガラス材料のガラス転移温度は、例えば、400℃〜510℃であり、隔壁113を形成する際に用いられるガラス材料のガラス転移温度は、例えば、440℃〜550℃であることが好ましい。かかる温度範囲にガラス転移温度を有する材料を用いて、かつ、隔壁113の形成に用いられるガラス材料のガラス転移温度(Tgrib)が、補助隔壁115の形成に用いられるガラス材料のガラス転移温度(Tgsub)よりも低くなるように材料の組み合わせを選択することで、優れた衝撃吸収機能を有する補助隔壁115を形成することが可能である。
例えば、隔壁113を形成する際に用いられるフィラー(filler)として、例えば、Al、SiO、ZnOの少なくともいずれかを含むものを使用することが好ましい。また、補助隔壁115の形成に用いられるフィラーの総添加量(vol%)は、隔壁113の形成に用いられるフィラーの総添加量(vol%)よりも多いことが好ましい。例えば、ガラス材料に対して、補助隔壁115の形成に用いられるフィラーの総添加量を30vol%程度とし、隔壁113の形成に用いられるフィラーの総添加量を10vol%程度とすることが可能である。
隔壁113および補助隔壁115を形成する方法は、公知のあらゆる方法を用いることが可能であるが、例えば、スクリーン印刷法、サンドブラスト法、フォトリソグラフィー法、またはエッチング法などを使用することが可能である。
このように、本実施形態に係るPDP10は、対向放電型のPDPであって、2種類の電極103、109に所定の電圧が印加されると、放電空間117に放電経路が発生し、プラズマ放電が生じる。本実施形態に係るPDP10では、放電経路は、隔壁113および補助隔壁115から構成される隔壁部の高さ方向(すなわち、図2におけるz軸方向)に沿って、略垂直方向に形成される。
なお、本実施形態に係る放電空間117のそれぞれには、蛍光体層(図示せず。)が設けられる。蛍光体層は、プラズマ放電によって発生した紫外線を受けて、所定の波長範囲の可視光線を発光する層であり、発光する可視光線の波長は、蛍光体層に含まれる蛍光体物質を変更することで変化させることが可能である。本実施形態に係るPDP10を製造する場合には、例えば、赤色(R)発光する放電空間119、緑色(G)発光する放電空間121、青色(B)発光する放電空間123の3種類が必要であるため、少なくとも3種類の蛍光体物質を使い分ける必要がある。なお、上記の各色で発光する放電空間を形成するために用いられる蛍光体物質は、特に限定されるわけではなく、公知のあらゆる蛍光体物質を使用することが可能である。
隔壁113や補助隔壁115に欠損が生じ、異なる色を発光する放電空間が空間的に連結してしまうと、一方の放電空間がある色の光を発光している際に、空間的に連結している放電空間にも発光が生じてしまう場合があり、混色等の表示不良の原因となる。そのため、例えば図2に示したように、赤色(R)発光する放電空間(以下、R領域119とも称する。)119、緑色(G)発光する放電空間(以下、G領域とも称する。)121、青色(B)発光する放電空間(以下、B領域とも称する。)123が、y軸方向に沿って順に形成されている場合において、R領域119とG領域121との境界部は、隔壁113と補助隔壁115により、完全に区画されていることが必要である。同様に、G領域121とB領域123との境界部は、隔壁113と補助隔壁115により、完全に区画されていることが必要である。
このような蛍光体層は、放電空間117内であって、放電経路ではない場所であれば、どこに設けられていても構わない。また、蛍光体層を、蛍光体層からの発光が透過していく基板である前面基板107に設ける場合には、透過率を低下させないために、蛍光体層の厚みを薄くすることが好ましい。また、蛍光体層は、例えば、スクリーン印刷法やフォトリソグラフィー法などの、公知の方法を用いて形成することが可能である。
また、放電空間117は真空状態ではなく、例えば、Xeが主放電ガスであるNe−Xeガスなどが封じ込められている。また、必要に応じて、放電ガスにおけるNeの一定量が、Heに代替されていてもよい。
引き続き、図4を参照しながら、本実施形態に係るPDP10について、詳細に説明する。PDP10を図1のA−A切断線で切断した拡大断面図では、隣接する放電空間は、それぞれ異なる色の光を発色する放電空間であったが、PDP10をB−B切断線で切断した拡大断面図では、隣接する放電空間は、同一の色の光を発色する放電空間となる。
背面基板101、前面基板107、アドレス電極103、第1誘電体層105、放電維持電極109、第2誘電体層111、および、隔壁113については、図2において説明したものと、それぞれ同一の機能を有し、同様の作用効果を示すものであるため、以下では詳細な説明は省略する。
図1および図4から明らかなように、図4のy軸方向に沿った隔壁113上には、補助隔壁115が形成されていない。その結果、隔壁113と第2誘電体層111との間には、図4に示したような間隙125が形成されることとなる。
x軸方向に沿って配置された放電空間は、それぞれ同じ色の光を発色する放電空間117であり、図4に示した断面図では、G領域121となる。隔壁113を介して互いに隣接する放電空間は、同じ色の光を発色する放電空間であるため、ある放電空間で発生したプラズマにより、隣接する放電空間の蛍光体層(図示せず。)が発光したとしても、混色に起因する表示不良が発生することはない。
本実施形態に係るPDP10では、かかる間隙125を、放電ガスの封着・排気導入経路として利用する。このような経路が形成されることにより、放電ガスの封着排気工程における排気時間の短縮を実現することが可能となる。
<本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの動作について>
続いて、本実施形態に係るPDP10の動作について説明する。アドレス電極103および放電維持電極109間に、放電開始電圧よりも大きな交流電圧が印加されると、各電極に印加される電圧の極性が変化するたびに、アドレス電極103および放電維持電極109間に放電経路が形成され、この放電経路中に存在する放電ガス中にプラズマ放電が発生して、紫外線が放電空間中に放射されることとなる。放電空間中に放射された紫外線は、放電空間中に設けられた蛍光体層(図示せず。)中の蛍光体に当たり、この紫外線が有するエネルギーにより、蛍光体が発光する。蛍光体からの発光は、例えば前面基板107を透過して、PDP10の外部へと進むこととなる。
なお、本実施形態に係るPDP10に、アドレス電極103および放電維持電極109を制御するドライブ回路や、その他の装置を接続することで、本実施形態に係るPDP10を備えたプラズマディスプレイを製造することが可能である。PDPを備えたプラズマディスプレイを製造する方法については、公知のあらゆる方法を適用することが可能である。
<本実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法について>
続いて、図5Aおよび図5Bを参照しながら、本実施形態に係るPDPの製造方法について、詳細に説明する。図5Aおよび図5Bは、本実施形態に係るPDPの製造方法を説明するための説明図である。本実施形態に係るPDP10は、例えば、以下に示す段階を経て製造することが可能である。
すなわち、本実施形態に係るPDP10は、例えば、背面基板101上にアドレス電極103および第1誘電体層105を製造する段階と、第1誘電体層105上に隔壁形成層151を形成する段階と、隔壁形成層151上に補助隔壁形成層153を形成する段階と、隔壁形成層151および補助隔壁形成層153を焼成する段階と、隔壁形状を形成する段階と、放電維持電極109および第2誘電体層111が形成された前面基板107を配設する段階と、を経て製造することが可能である。
背面基板101上にアドレス電極103および第1誘電体層105を製造する段階は、背面基板101として利用するガラス基板上に、所定の方法でアドレス電極103を形成した後に、電極取り出し部以外の場所に第1誘電体層105として反射型誘電体層を形成する段階である。
第1誘電体層105上に隔壁形成層151を形成する段階は、例えば図5A(a)に示したように、上述のフィラーを含むガラス材料を使用して、第1誘電体層105上に隔壁形成層151を形成する段階である。
隔壁形成層151上に補助隔壁形成層153を形成する段階は、例えば図5A(b)に示したように、上述のフィラーを含むガラス材料を使用して、隔壁形成層151上に補助隔壁形成層153をパターニングする段階である。かかる段階を経ることで、アドレス電極103に対して平行に、複数の補助隔壁形成層153が形成される。
隔壁形成層151および補助隔壁形成層153を焼成する段階は、例えば図5A(c)に示したように、形成した隔壁形成層151および補助隔壁形成層153を、同時に焼成する段階である。この段階を経ることで、補助隔壁形成層153は、補助隔壁115となる。
隔壁形状を形成する段階は、例えば図5A(d)に示したように、焼成後の隔壁形成層155および補助隔壁115にドライフィルムレジスト(Dry Film Resist:DFR)等のレジスト層157を形成する段階と、例えば図5B(e)に示したように、レジスト層157を隔壁の形成パターンにあわせて露光・現像する段階と、例えば図5B(f)に示したように、焼成後の隔壁形成層155を加工する段階と、例えば図5B(g)に示したように、残存しているレジスト層157を除去する段階と、を含む。
かかる段階を経ることで、図5B(g)に示したように、隔壁113および補助隔壁115が形成された背面基板101を製造することができる。
また、レジスト層157を除去する段階の後に、蛍光体層を形成する段階を更に含んでもよい。
他方、前面基板107として利用されるガラス基板に対して、ITOなどを用いて透明な母線電極を形成した後に、印刷法等を用いてバス電極を形成することで、前面基板107上に放電維持電極109を形成することが可能である。その後、放電維持電極109上に第2誘電体層111を形成することで、放電維持電極109および第2誘電体層111が形成された前面基板107を製造することができる。また、第2誘電体層111を形成した後に、誘電体層を保護する保護膜としてMgO等を成膜してもよい。
上述のような方法で形成された前面基板107を補助隔壁115上に配設することで、本実施形態に係るPDP10を製造することができる。その後、放電空間内を脱気した上で所定の放電ガスを注入し、放電空間を封着する段階を行う。
かかる方法により隔壁113および補助隔壁115を形成することで、補助隔壁115上に前面基板107を設置した際に生じる衝撃が補助隔壁115によって吸収されるため、前面基板107の設置に伴って生じうる隔壁113の破壊を防止することが可能となる。
また、本実施形態に係る製造方法では、隔壁形成層151および補助隔壁形成層153を同時に焼成することが可能であるため、焼成回数を増やすことなく補助隔壁115を形成することが可能となる。
ここで、背面基板101上にアドレス電極103および第1誘電体層105を形成する段階と、前面基板107上に放電維持電極109と第2誘電体層111を形成する段階とは、任意の順に行うことが可能であり、上記2つの段階を並行して行うことも可能である。
なお、上述の説明では、背面基板101上に隔壁113および補助隔壁115を形成し、最後に前面基板107を設置する場合について説明したが、前面基板107側からプラズマディスプレイパネルを製造していく場合には、背面基板101と隔壁113との間に補助隔壁115を配設することが好ましい。
また、上述の説明では、隔壁形成層151および補助隔壁形成層153を焼成する段階の後に、隔壁形状を形成する段階を実施する場合について説明したが、隔壁形状を形成する段階を行った後に、隔壁形状が形成された隔壁形成層151および補助隔壁形成層153を焼成する段階を行っても良い。
続いて、本発明に係るPDPの製造方法について、実施例を示しながら詳細に説明する。なお、本発明に係るPDPが、下記の実施例に限定されるわけではない。また、以下の例では、溶剤としてブチルカルビトールアセテート(Butyl Carbitol Acetate:BCA)を用いる場合について詳細に説明するが、利用可能な溶剤はBCAに限定されるわけではなく、例えば、ターピネオール(terpineol)等の溶剤も使用することが可能である。
(実施例1)
<背面基板の形成>
まず、ガラス基板101上に、印刷法を用いてアドレス電極をAg、Al、Ni、Cu、MoまたはCr等を原料として形成し、乾燥後、電極材料が焼結し、かつ、ガラス基板が溶融しない温度、例えば、520℃〜600℃の温度範囲で焼成を行った。
次に、反射型誘電体層を、電極取り出し部以外の場所にコーティング装置により形成し、反射型誘電体層形成に用いたBCA等が蒸発する温度である80℃〜200℃にて乾燥を行った。
続いて、上述のフィラーを含むガラス材料を使用し、隔壁形成層151をコーティング装置により形成し、BCA等の溶剤が蒸発する温度である80℃〜200℃にて乾燥を行った。
次に、上述のフィラーを含むガラス材料を使用して、印刷法により補助隔壁形成層153を形成し、BCA等の溶剤が蒸発する温度である80℃〜200℃にて乾燥を行った。
続いて、隔壁形成層151および補助隔壁形成層153が焼結し、かつ、ガラス基板101が溶融しない温度である520〜600℃にて、焼成を行った。
次に、ラミネータを用いて誘電体層上にDFRを貼り付け、隔壁パターンにて露光・現像を行った。これによって、開口部を形成した。続いて、サンドブラスト装置により開口部を除去し、隔壁形状を形成した。
次に、R、G、Bの三色でそれぞれ発光する蛍光体を、印刷法によりストライプ状に形成し、溶剤が蒸発する温度である80℃〜200℃にて乾燥を行った。乾燥終了後に、引き続き、蛍光体が焼結する温度である400℃〜500℃にて、蛍光体を焼成した。
<前面基板の形成>
まず、ガラス基板上にITO膜を0.1μm〜0.5μm程度スパッタリング法で形成した。続いて、ラミネータを用いて、ITO膜上にDFRを貼り付け、露光・現像・エッチング処理を行い、母線電極を形成した。
次に、印刷法を用いてバス電極を形成し、BCA等の溶剤が蒸発する温度である80℃〜200℃にて乾燥を行った。乾燥終了後に、電極が焼結し、かつ、ガラス基板が溶融しない温度である520℃〜600℃の温度範囲で、電極の焼成を行った。
次に、コーティング装置を使用して第2誘電体層を形成した後、溶剤が蒸発する温度にて乾燥を行った。乾燥終了後に、誘電体が焼結し、かつ、ガラス基板が溶融しない温度である520℃〜600℃の温度範囲で、誘電体層の焼成を行った。
続いて、第2誘電体層上に、保護層としてMgO膜を0.3μm〜1.0μm程度真空蒸着法により形成した。
<組み立て>
上記のように製造した背面基板に、ガラスフリットなどからなるシール剤を塗布し、シール剤が固まる温度である400〜500℃で焼成した。その後、背面基板に形成された補助隔壁上に前面基板を設置し、開口部にNe−Xeの混合ガスを充填した上で、上記の焼成温度より高い焼成温度にて焼成した。上記のようにして、本実施例に係るPDPを製造した。
上述の方法で形成したPDPについて、隔壁の破壊の有無を検証したが、前面基板の設置に伴う補助隔壁の破壊は、確認されなかった。
以上説明したように、本発明に係るプラズマディスプレイパネルでは、補助隔壁を緩衝材(クッション材)として利用し、隔壁に加わる衝撃を吸収させることが可能となるため、衝撃による隔壁の破壊を防止することができ、ひいては、表示不良を防止することができる。
また、本発明では、異なる色を発色する互いに隣接した放電空間を区画する隔壁上にのみ、補助隔壁を形成するため、同じ色を発色する隣接した放電空間を区画する隔壁上には、補助隔壁が形成されない。そのため、基板と隔壁との間に間隙が生じ、ガスの封着・排気導入経路を確保することができる。これにより、ガスの封着・排気に伴う時間を短縮することが可能である。
さらに、隔壁を形成する材料と、補助隔壁を形成する材料とを同時に焼成することが可能なため、焼成回数を増やすことなくプラズマディスプレイパネルを形成することが可能である。
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
例えば、上述した実施形態においては、プラズマディスプレイがアドレス電極と放電維持電極の2種類の電極を有する2電極構造である場合について説明したが、本発明に係るプラズマディスプレイの電極の種類は上述の場合に限定されるわけではなく、例えば3種類以上の電極を有する3電極構造であってもよい。
本発明の第1の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルを説明するための部分平面図である。 同実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの構造を説明するための断面図である。 同実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの隔壁を説明するための説明図である。 同実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの構造を説明するための断面図である。 同実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための説明図である。 同実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法を説明するための説明図である。
符号の説明
10 プラズマディスプレイパネル
101 背面基板
103 アドレス電極
105 第1誘電体層
107 前面基板
109 放電維持電極
111 第2誘電体層
113 隔壁
115 補助隔壁
117 放電空間
119 R領域
121 G領域
123 B領域
125 間隙
151 隔壁形成層
153 補助隔壁形成層
155 焼成後の隔壁形成層
157 レジスト層
W 隔壁の幅
H 補助隔壁の高さ

Claims (9)

  1. 互いに対向して配置される第1の基板および第2の基板と、
    前記第1の基板上に形成される第1誘電体層と、
    前記第2の基板上に形成される第2誘電体層と、
    前記第1誘電体層の内部に、第1の方向に沿って設けられる第1の電極と、
    前記第2誘電体層の内部に、前記第1の方向に対して直交する第2の方向に沿って設けられる第2の電極と、
    前記第1誘電体層と前記第2誘電体層との間に設けられ、複数の放電空間を区画する第1隔壁と、
    前記第1隔壁の前記第2誘電体層側の端部に、前記第1の方向に沿って設けられる第2隔壁と、
    を備えることを特徴とする、プラズマディスプレイパネル。
  2. 前記第1隔壁を形成する材料のガラス転移温度は、前記第2隔壁を形成する材料のガラス転移温度よりも低い
    ことを特徴とする、請求項1に記載のプラズマディスプレイパネル。
  3. 前記第1隔壁および前記第2隔壁は、Al、SiO、ZnOの少なくともいずれかを含むフィラーを用いて形成される
    ことを特徴とする、請求項1または2のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
  4. 前記第2隔壁の厚みは、前記第1隔壁の前記第2誘電体層側の端部の幅の2倍よりも小さい
    ことを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネル。
  5. 前記第1隔壁を形成する材料のガラス転移温度は、400℃〜510℃であり、
    前記第2隔壁を形成する材料のガラス転移温度は、440℃〜550℃である
    ことを特徴とする、請求項2に記載のプラズマディスプレイパネル。
  6. 前記第2隔壁を形成するために用いられる前記フィラーの添加量は、前記第1隔壁を形成するために用いられる前記フィラーの添加量よりも多い
    ことを特徴とする、請求項3に記載のプラズマディスプレイパネル。
  7. 第1の基板上に、第1の方向に沿って設けられる第1の電極を形成し、前記第1の電極を覆うように第1誘電体層を形成する段階と、
    前記第1誘電体層上に、放電空間を区画する第1隔壁を形成するための第1隔壁形成層を形成する段階と、
    前記第1隔壁形成層上に、前記第1の方向に沿って延設される第2隔壁形成層を形成する段階と、
    前記隔壁形成層および前記第2隔壁形成層を焼成する段階と、
    を含むことを特徴とする、プラズマディスプレイパネルの製造方法。
  8. 前記隔壁形成層および前記第2隔壁形成層を焼成する段階の後に、焼成された前記第1隔壁形成層および前記第2隔壁形成層を加工し、隔壁形状を形成する段階を更に含む
    ことを特徴とする、請求項7に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
  9. 前記隔壁形成層および前記第2隔壁形成層を焼成する段階の前に、前記第1隔壁形成層および前記第2隔壁形成層を加工し、隔壁形状を形成する段階を更に含む
    ことを特徴とする、請求項7に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
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