JP2009128358A - 光学伝送手段を具備したプローブカード及びメモリテスタ - Google Patents

光学伝送手段を具備したプローブカード及びメモリテスタ Download PDF

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Abstract

【課題】光学伝送手段を具備したプローブカード及びメモリテスタを提供する。
【解決手段】メモリに形成されたテスト端子と連結される複数のニードル、ニードルと連結された複数の第1端子、外部に連結され、第1端子と対応する複数の第2端子、第1端子及び第2端子を連結する光学伝送手段を具備するプローブカードである。
【選択図】図2

Description

本発明は、プローブカード及びそれを具備したメモリテスタに係り、さらに詳細には、光学伝送手段を具備したプローブカード及びそれを具備したメモリテスタに関する。
一般的なメモリテスタは,テスト対象装置(DUT:Device Under Test)の電極パッドと連結されるプローブカードを具備する。プローブカードは、テスト対象装置とテスタ制御システムとを連結する。制御システムからプローブカードを介してテスト対象装置にテスト入力信号を供給する。その後、テスト対象装置からの出力信号は、プローブカードを介して制御システムに伝えられ、制御システムは、伝えられた出力信号を期待値と比較することによって、良品と不良品とを判別する。
テスト対象装置の集積度が高まれば、テスト対象装置をテストする時間が長くなるという問題がある。例えば、64M DRAM(Dynamic Random-Access Memory)をテストするのにかかる時間がTならば、256M DRAMに対しては4T、1G DRAMに対しては16Tほどの時間がかかりうる。特に、DRAMは、だんだんと高密度、高速化する傾向であるから、それによってテスト時間もだんだんと長くなる。また、プローブカード内での信号処理配線の増加によって、プローブカード内の印刷回路基板(PCB)での信号歪曲及び減衰現象によってテスト機能が低下しうる。
本発明は、光学伝送手段に二端子間の信号伝達を行うプローブカード及びメモリテスタを提供する。
本発明の一実施形態による光学手段を具備したプローブカードは、メモリに形成されたテスト端子と連結される複数のニードルと、前記ニードルと連結された複数の第1端子と、外部に連結され、前記第1端子と対応する複数の第2端子と、前記第1端子及び前記第2端子を連結する光学伝送手段とを具備する。
本発明によれば、前記光学伝送手段は、前記第1端子から前記第2端子に光伝送する第1光ファイバと、前記第2端子から前記第1端子に光伝送する第2光ファイバとを具備できる。
また、本発明によるプローブカードは、前記第1光ファイバ及び前記第1端子間に設けられた第1発光部駆動部並びに第1発光部と、前記第1光ファイバ及び前記第2端子間に設けられた第1受光部並びに第1受光部駆動部とをさらに備え、前記第2光ファイバ及び前記第2端子間に設けられた第2発光部駆動部並びに第2発光部と、前記第2光ファイバ及び前記第1端子間に設けられた第2受光部並びに第2受光部駆動部とをさらに具備する。
本発明によれば、前記第1端子及び前記第1端子に対応する前記第2端子間には、一対の前記第1光ファイバ及び前記第2光ファイバが配され、前記第1端子と前記第1発光部駆動部または前記第2受光部駆動部とを選択的に連結する第1双方向スイッチと、前記第2端子と前記第2発光部駆動部または前記第1受光部駆動部とを選択的に連結する第2双方向スイッチとをさらに具備できる。
本発明によれば、前記発光部は、赤外線を放出する表面放出レーザであり、前記受光部は、前記赤外線を検出するフォトダイオードでありうる。
本発明の他の実施例によるメモリカードは、メモリと電気的信号を受信するプローブカードを具備し、前記プローブカードは、メモリに形成されたテスト端子と連結される複数のニードルと、前記ニードルと連結された複数の第1端子と、外部に連結され、前記第1端子と対応する複数の第2端子と、前記第1端子及び前記第2端子を連結する光学伝送手段とを具備できる。
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の実施形態による光学伝送手段を具備したプローブカード及びメモリテスタについて詳細に説明する。この過程で、図面に図示された層や領域の厚さは、明細書の明確性のために誇張されて図示されている。
図1は、本発明の一実施形態によるメモリテスタ100の概略的構成を示している図面である。
図1を参照すれば、本発明による光学伝送手段を具備したメモリテスタ100は、テストするウェーハのメモリに接続されるプローブカード110、プローブカード110と連結されたテスタヘッド130、テスタヘッド130と通信ケーブル152で連結された制御部150を具備する。
前記メモリは、ウェーハでダイシングされる前の1つのメモリ素子でありうる。ウェーハ20は、ステージ10上に配された状態でプローブカード110と接触される。前記メモリは、その上面にテスト用電極パッド22が形成されている。プローブカード110には、メモリとの連結のための第1端子112と、テスタヘッド130と接続される第2端子122とを具備する。第1端子112には、ニードル114が連結され、テスト対象メモリの電極パッド22に接触する。前記メモリは、テスト対象装置(DUT:Device Under Test)とも呼ばれる。第1端子112及びニードル114間には、それらを連結する配線であるマイクロスプリングインターポーザ(図示せず)、及びそれら配線を固定させるMLC(Multi-Layer Ceramic)がさらに設けられうる。前記テスタヘッド130は、プローブカード110上に配置され、前記プローブカード110を支持する。テスタヘッド130には、プローブカード110の第2端子122と接触する端子132が形成されている。テスタヘッド130は、制御部150からのデジタル信号をプローブカード110に伝達し、プローブカード110からのデジタル信号を制御部150に出力する。
制御部150は、テスタヘッド130を介してプローブカード110にテスト信号を送信し、プローブカード110からのテスト信号を受信し、分析してメモリの良、不良を決定できる。
図2は、図1のプローブカード110の構成を示している図面である。プローブカード110は、テスト対象装置20の電極パッド22と接触されるニードル(プローブ)114と連結される第1端子112と、テスタヘッド130と連結される第2端子122とを具備する。第1端子112は、テスト対象装置20の電極パッド22と対応するように形成されるニードル(プローブ)114と直結されるか、または図示されていない配線を介して連結されうる。各第2端子122は、対応する第1端子112と対応するように形成されうる。第2端子122は、テスタヘッド130の端子132と接触され、電気的に連結されうる。
第1端子112及び第2端子122は、光学伝送手段200に連結される。光学伝送手段200は、第1端子112から第2端子122に光を伝送する第1光ファイバ216と、第2端子122から第1端子112に光を伝送する第2光ファイバ256とを具備する。
第1光ファイバ216及び第1端子112間には、第1発光部駆動部212と第1発光部214とが設けられる。第1光ファイバ216及び第2端子122間には、第1受光部駆動部220と第1受光部218とが設けられる。第2光ファイバ256及び第2端子122間には、第2発光部駆動部252と第2発光部254とが設けられる。第2光ファイバ256及び第1端子112間には、第2受光部駆動部260と第2受光部258とが設けられる。第1発光部214及び第2発光部254は、レーザダイオードであって、特に小型に製作可能な表面放出レーザ(VCSEL:Verti Calcavity Surface Emitting Laser)であって、光ファイバ通信用標準波長である850nm、1,310nm、1,550nm波長の赤外線光を放出できる。前記第1受光部218及び前記第2受光部258は、前記第1発光部214,第2発光部254の波長を検出するフォトダイオードでありうる。
第1端子112及び対応する第2端子122間には、一対の第1光ファイバ216と第2光ファイバ256とが連結される。第1端子112と第1光ファイバ216、第2光ファイバ256とを連結するために、それらの間に第1双方向スイッチ(bidirectional switch)210が配される。第2端子122と第1光ファイバ216、第2光ファイバ256とを連結するために、それらの間に第2双方向スイッチ250が配される。第1双方向スイッチ210及び第2双方向スイッチ250は、SPDT(Single Pole Double Throw)スイッチでありうる。
第1双方向スイッチ210は第1端子112を、第1光ファイバ216と第2光ファイバ256とに選択的に連結する。第1双方向スイッチ210に入力される制御電圧により、第1双方向スイッチ210は、第1光ファイバ216または第2光ファイバ256に連結されうる。
第2双方向スイッチ250は第2端子122を、第1光ファイバ216と第2光ファイバ256とに選択的に連結する。第2双方向スイッチ250に入力される制御電圧により、第1双方向スイッチ210は、第1光ファイバ216または第2光ファイバ256に連結されうる。
本発明による光学伝送手段を具備したプローブカード及びメモリテスタの作用について、図面を参照して説明する。
まず、ステージ10上のウェーハ20で、テスト対象メモリの電極パッド22とプローブカード110のニードル114とを接触させる。各ニードル114は、各電極パッド22に接触しうる。
制御部150は、テスト信号であるRFパルス信号をテスタヘッド130に送信する。テスタヘッド130は、入力されたRFパルス信号を第2端子122に送信する。このとき、第2双方向スイッチ250には制御電圧が印加され、第2双方向スイッチ250は、第2発光部駆動部252と連結される。第2発光部駆動部252は、入力されたRFパルス信号によって第2発光部254を駆動し、第2光ファイバ256を介して光信号を伝送する。
第2光ファイバ256に連結された第2受光部258は、光信号を受けて電気的信号を発生し、第2受光部駆動部260は、前記電気的信号によるパルス電圧信号を発生させる。第1双方向スイッチ210にはあらかじめ制御電圧が印加され、第2受光部駆動部260は、第1端子112に連結する。第2受光部駆動部260からのパルス電圧信号は、メモリの電極パッド22に印加され、メモリで発生した反応電圧は、第1端子112に送られる。このとき、第1双方向スイッチ210は、制御電圧によってあらかじめ第1発光部駆動部212に連結され、従って、メモリでの反応電圧は、第1発光部駆動部212に伝達される。第1発光部駆動部212は、前記電圧信号によって第1発光部214を駆動させ、所定のパルス光信号を発生させる。前記パルス光信号は、第1光ファイバ216を介して第1受光部218に伝達され、第1受光部218は、前記光信号による電流を発生させる。第1受光部駆動部220は、第1受光部218からの電流によるパルス電圧信号を出力する。前記パルス電圧信号は、あらかじめ第2端子122に連結された第2双方向スイッチ250を介し、第2端子122、テスタヘッド130及び通信ケーブル132を介して制御部150に伝えられる。制御部150は、前記パルス信号を基準信号と比較し、メモリの良、不良を判断する。
以上、本発明によるプローブカード110は、光学伝送手段を使用するので、プローブカード110内での信号歪曲及び減衰現象を防止できる。
また、本発明の光学伝送手段は、双方向スイッチを使用する場合、2つの光ファイバを従来の第1端子及び第2端子に連結できるので、本発明の光学伝送手段を従来のメモリテスタに適用しやすい。
本発明は、図面を参照しつつ実施形態を参考に説明したが、それは例示的なものに過ぎず、当分野で当業者ならば、それらから多様な変形及び均等な実施形態が可能であるということが理解できるであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲に限って決まるものである。
本発明の光学伝送手段を具備したプローブカード及びメモリテスタは、例えば、メモリテスト関連の技術分野に効果的に適用可能である。
本発明の一実施形態によるメモリテスタの概略的構成を示している図面である。 図1のプローブカードの構成を示している図面である。
符号の説明
10 ステージ
20 ウェーハ
22 電極パッド
100 メモリテスタ
110 プローブカード
112 第1端子
114 ニードル
122 第2端子
130 テスタヘッド
132 端子
150 制御部
152 通信ケーブル
200 光学伝送手段
210 第1双方向スイッチ
212 第1発光部駆動部
214 第1発光部
216 第1光ファイバ
218 第1送光部
220 第1受光部駆動部
250 第2双方向スイッチ
252 第2発光部駆動部
254 第2発光部
256 第2光ファイバ
258 第2送光部
260 第2受光部駆動部

Claims (10)

  1. メモリに形成されたテスト端子と連結される複数のニードルと、
    前記ニードルと連結された複数の第1端子と、
    外部に連結され、前記第1端子と対応する複数の第2端子と、
    前記第1端子及び前記第2端子を連結する光学伝送手段とを具備することを特徴とする光学伝送手段を具備したプローブカード。
  2. 前記光学伝送手段は、
    前記第1端子から前記第2端子に光伝送する第1光ファイバと、
    前記第2端子から前記第1端子に光伝送する第2光ファイバとを具備することを特徴とする請求項1に記載の光学伝送手段を具備したプローブカード。
  3. 前記第1光ファイバ及び前記第1端子間に設けられた第1発光部駆動部並びに第1発光部と、前記第1光ファイバ及び前記第2端子間に設けられた第1受光部並びに第1受光部駆動部とをさらに備え、
    前記第2光ファイバ及び前記第2端子間に設けられた第2発光部駆動部並びに第2発光部と、前記第2光ファイバ及び前記第1端子間に設けられた第2受光部並びに第2受光部駆動部とをさらに具備したことを特徴とする請求項2に記載の光学伝送手段を具備したプローブカード。
  4. 前記第1端子と前記第1発光部駆動部または前記第2受光部駆動部とを選択的に連結する第1双方向スイッチと、
    前記第2端子と前記第2発光部駆動部または前記第1受光部駆動部とを選択的に連結する第2双方向スイッチとをさらに具備することを特徴とする請求項3に記載の光学手段を具備したプローブカード。
  5. 前記発光部は、赤外線を放出する表面放出レーザであり、
    前記受光部は、前記赤外線を検出するフォトダイオードであることを特徴とする請求項3または請求項4に記載の光学手段を具備したプローブカード。
  6. メモリと電気的信号を受信するプローブカードを具備し、
    前記プローブカードは、
    メモリに形成されたテスト端子と連結される複数のニードルと、
    前記ニードルと連結された複数の第1端子と、
    外部に連結され、前記第1端子と対応する複数の第2端子と、
    前記第1端子及び前記第2端子を連結する光学伝送手段とを具備することを特徴とするメモリテスタ。
  7. 前記光学伝送手段は、
    前記第1端子から前記第2端子に光伝送する第1光ファイバと、
    前記第2端子から前記第1端子に光伝送する第2光ファイバとを具備することを特徴とする請求項6に記載のメモリテスタ。
  8. 前記第1光ファイバ及び前記第1端子間に設けられた第1発光部駆動部並びに第1発光部と、前記第1光ファイバ及び前記第2端子間に設けられた第1受光部並びに第1受光部駆動部とをさらに備え、
    前記第2光ファイバ及び前記第2端子間に設けられた第2発光部駆動部並びに第2発光部と、前記第2光ファイバ及び前記第1端子間に設けられた第2受光部並びに第2受光部駆動部とをさらに具備したことを特徴とする請求項7に記載のメモリテスタ。
  9. 前記第1端子と前記第1発光部駆動部または前記第2受光部駆動部とを選択的に連結する第1双方向スイッチと、
    前記第2端子と前記第2発光部駆動部または前記第1受光部駆動部とを選択的に連結する第2双方向スイッチとをさらに具備することを特徴とする請求項8に記載のメモリテスタ。
  10. 前記発光部は、赤外線を放出する表面放出レーザであり、
    前記受光部は、前記赤外線を検出するフォトダイオードであることを特徴とする請求項8または請求項9に記載のメモリテスタ。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103000229A (zh) * 2011-09-09 2013-03-27 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 测试卡
US9535111B2 (en) 2011-12-27 2017-01-03 Intel Corporation Optical transmission of test data for testing integrated circuits
CN109138994B (zh) * 2017-06-27 2021-10-01 中国石油化工股份有限公司 一种随钻电阻率测量系统
US10313141B1 (en) * 2018-03-09 2019-06-04 Elbex Video Ltd. Method and a tester for testing and verifying the conductivity of optical cable segments linked within a cascaded infrastructure of smart residences
KR102454947B1 (ko) * 2020-11-05 2022-10-17 주식회사 에스디에이 프로브 카드
CN113640556B (zh) * 2021-08-11 2023-03-03 山东大学 一种探针台针卡

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5661136A (en) * 1979-10-25 1981-05-26 Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai Semiconductor test equipment
US6384612B2 (en) * 1998-10-07 2002-05-07 Agere Systems Guardian Corporation Method and apparatus for testing the light output of light emitting devices
US6686993B1 (en) * 2001-03-05 2004-02-03 Analog Devices, Inc. Probe card for testing optical micro electromechanical system devices at wafer level
CA2558483C (en) * 2004-03-08 2015-01-06 Sioptical, Inc. Wafer-level opto-electronic testing apparatus and method
US7348786B2 (en) * 2004-08-31 2008-03-25 Georgia Tech Research Corporation Probe module for testing chips with electrical and optical input/output interconnects, methods of use, and methods of fabrication
FR2894339A1 (fr) * 2005-12-05 2007-06-08 St Microelectronics Sa Carte sonde pour tests de puces photosensibles et dispositif d'illumination correspondant.

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