JP2008066322A - 光伝送モジュール用プリント基板および光伝送モジュールの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】プリント基板上の各半導体レーザ素子を同時に駆動させてスクリーニング試験を実施することができるように改良された光伝送モジュール用プリント基板を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子実装面、受光素子実装面および集積回路素子実装面を有し、かつ複数の端子部を有する光伝送モジュール用配線領域１０１ａが、複数個、設けられたプリント基板を備える。各光伝送モジュール用配線領域１０１ａの間に、各光伝送モジュール用配線領域の所定の端子部同士のみが互いに電気的に接続し、他の端子部とは電気的に接続していない、複数のモジュール間配線２５４，２６１，２５６が設けられる。モジュール間配線２５４，２６１，２５６の少なくとも１つに、該モジュール間配線を通して各光伝送モジュール用配線領域内の所定の端子部のみに通電する、少なくとも１つのプリント基板用端子部１１，１４，１６が形成される。
【選択図】図９

Description

この発明は、一般に半導体レーザ素子を光源として用いた光伝送モジュールの製造用のプリント基板に関し、より特定的にはプリント基板上の各半導体レーザ素子を同時に駆動させてスクリーニング試験を実施することができるように改良された光伝送モジュール用プリント基板に関する。この発明はまた、そのような光伝送モジュール用プリント基板を用いた光伝送モジュールの製造方法に関する。

ＩｒＤＡ（Infrared Data Association）規格に準ずる赤外線通信は、現在通信速度２．４ｋ〜１１５．２ｋｂｐｓのＳＩＲ（Serial IR）仕様、および、より高速の１．１５２ＭｂｐｓのＭＩＲ（Mid IR）仕様、４ＭｂｐｓのＦＩＲ（Fast IR）仕様までの光伝送モジュールが市販され、携帯端末などで利用されている。

現在最も多く用いられているものは、通信相手へのデータ送信を行う発光部と、通信相手からのデータ受信を行う受光部が一体となった光伝送モジュールである（例えば特許文献１参照）。

図２１は、従来より用いられている光伝送モジュールの斜視図であり、図２２は、図２１におけるＺ−Ｚ´での断面図である。

この光伝送モジュール６００は、データ送信のための発光部６１０、データ受信のための受光部６２０、電源およびデータ信号の入出力などのための、１〜７（図面では、わかりやすくするために端子部の数字は丸印で囲む。以下同じ）の端子部６４０から構成されている。発光部６１０には内部に発光ダイオード素子６１１、表面には送信用レンズ６１２が組み込まれている。また、受光部６２０には内部にフォトダイオード素子６２１、表面には受信用レンズ６２２が組み込まれている。発光ダイオード素子６１１、フォトダイオード素子６２１は回路基板６０１上に実装され、それぞれワイヤー６１６，６２６により、回路基板６０１上の配線パターンに接続されている。また、回路基板上６０１には、発光部６１０、受光部６２０の間の位置に、光伝送モジュール６００を動作させるための集積回路素子６３０が組み込まれている。

回路基板６０１の上面は、発光ダイオード素子６１１、フォトダイオード６２１、集積回路６３０が覆われるように、波長８５０〜９００ｎｍの光に対し透明なエポキシ樹脂モールド６０２により被覆している。エポキシ樹脂モールド６０２自体がその形状により、送信用レンズ６１１と受信用レンズ６２２の役割を兼ねており、発光ダイオード素子６１１の上方には送信用レンズ６１１が、また、フォトダイオード６２１の上方には受信用レンズ６２２が配されるように一体的に形成される。

グラウンド端子１と電源端子４の間に電圧を印加した状態で、データ入力端子６より送信データの電気信号を入力すると、集積回路素子６３０により発光ダイオード素子６２１が発光し、光信号によるデータを送信する。また、受光部のフォトダイオード素子６２１に光信号によるデータが入力されると、集積回路素子６３０によりデータ出力端子２より受信データの電気信号が出力される。他の端子３，５，７には、その製品ごとに所定の動作がなされるようになっている。このような光伝送モジュールは、各モジュールが形成されたプリント基板から分割して取り出される。

図２３は、従来の光伝送モジュールの製造用のプリント基板の斜視図である。プリント基板上に配線を形成するには、一般に電解メッキが行われる。この方法では、すべての配線に電解がかけることができるような配線である必要がある。例えば、発光ダイオード素子などを用いた従来の光伝送モジュール用のプリント基板を例にとると、図のように、各光伝送モジュール用配線６０１ａの端子は配線により全て電気的に接続され、プリント基板６０１ｂの端のメッキ用端子６３９につなげられる。上面と下面の配線６５９，６６９もメッキ端子用ビアホール６７９で電気的につながっている。メッキ時には、この端子から電解をかけてメッキ液に浸けてメッキを行う。ここでは、作製されるプリント基板６０１ｂは全ての配線が電気的に接続されている。

その後、各光伝送モジュール用配線６０１ａごとに、発光ダイオード素子、フォトダイオード素子、集積回路素子を実装し、発光ダイオード素子、フォトダイオード素子、集積回路素子を覆うように樹脂モールドを形成し、これによって、各光伝送モジュール用配線６０１ａごとに光伝送モジュールを形成する。光伝送モジュール用プリント基板６０１ｂから各光伝送モジュールを分割して取り出す。

さて、昨今、大容量通信の要求の高まりに応じ、ＩｒＤＡ規格の上位規格として、通信速度１６ＭｂｐｓのＶＦＩＲ（Very Fast IR）仕様が策定され、さらには１００Ｍｂｐｓの高速通信を実現するためのＵＦＩＲ（Ultra Fast IR）仕様が策定されつつある。携帯電話など携帯端末にて取り扱われるデータが急速に大容量化していることから、１００Ｍｂｐｓおよびそれ以上での光通信の実用化の要望が高まっている。

これを実現する好適な光伝送モジュールとしては、１００ＭＨｚ以上の高速変調での安定した送受信はもちろんであるが、携帯端末への搭載を想定すると、低消費電力であること、そして、屋外での使用を想定し環境温度が−２５℃から８５℃もしくはそれより広い範囲で動作することが要求される。

しかし、送信部６１０に用いている発光ダイオード素子６１１は、一般に１００ＭＨｚ以上での高速変調では安定した動作が困難になってくる。また、発光時のエネルギー効率が低いため送信時の消費電力も大きい。さらに長時間駆動させた場合の光出力の低下も例えば１０００時間で５０％近くと大きい。光出力の環境温度依存性も２５℃から８５℃で５０％低下する場合もある。

これに対し、発光ダイオード素子を半導体レーザ素子に置き換える検討がなされている
（例えば特許文献２参照）。半導体レーザ素子は発光ダイオード素子に比べ、高速変調性が高い上に、少ない電流量で光出力が得られるなどの利点がある。１００Ｍｂｐｓでの送信も十分に可能となる。
特開２００２−２６８２３号公報；第６頁、図２ 特開２００３−２５８３５３号公報

発光ダイオード素子よりも特性上の利点が非常に大きい半導体レーザ素子であるが、製品化する場合には、スクリーニング試験と呼ばれる信頼性試験を１素子ごとに実施する必要がある。これは、製品化した半導体レーザ素子を、例えば、高温環境下にて所定の出力で数１０時間駆動させる。そしてその後電流−光特性を測定し、所定の電流値で所定の光出力が得られない素子は破棄する試験である。

光ディスクへの書き込み用のような高出力で用いられる半導体レーザ素子の生産では、製品化した時点では電流−光特性に問題が無くても、使用を始めると早く劣化していく素子が時々発生する。これは、電流−光特性などいわゆる静特性の検査ではほとんど区別できない。よって、スクリーニング試験による劣化する素子の選別破棄は、製品不良率の低減に必ず必要である。

このスクリーニング試験について、現在市販されている光ディスク用などの一般的な半導体レーザ素子の製品では、一般に例えば図２４に示すように実施する。製品７００には針状の端子７０１があり、スクリーニングなどの試験を実施するにも、針状の端子７０１にあわせた端子口７１１のあるコネクタ７１０を準備すれば、差し込むだけで容易に、且つ、確実に固定でき、取扱いに問題はない。

一方、光伝送モジュールの場合、図２１に示すような端子６４０があるが、これは他のプリント基板などへの半田付け専用の非常に小さな端子である。静特性の評価などで評価装置側の端針を短時間接触させる程度ならともかく、スクリーニング試験のように一定時間放置する場合は、接触のみで試験を実施するのは困難である。確実に接触固定させるために端針を強く押し付けるようにしてしまうと、端子６４０の電極が破損してしまう可能性がある。

この発明は上記のような問題点を解決するためになされたもので、効率良くスクリーニング試験ができるように改良された光伝送モジュール用プリント基板を提供することを目的とする。

この発明の他の目的は、そのような光伝送モジュール用プリント基板を用いた光伝送モジュールの製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明の光伝送モジュール用プリント基板は、半導体レーザ素子実装面、受光素子実装面および集積回路素子実装面を有し、かつ複数の端子部を有する光伝送モジュール用配線領域が、複数個、設けられたプリント基板を備える。各光伝送モジュール用配線領域の間に、各光伝送モジュール用配線領域の所定の端子部同士のみが互いに電気的に接続し、他の端子部とは電気的に接続していない、複数のモジュール間配線が設けられている。前記モジュール間配線の少なくとも１つに、該モジュール間配線を通して各光伝送モジュール用配線領域内の所定の端子部のみに通電する、少なくとも１つのプリント基板用端子部が形成されている。

より詳しく説明すると、半導体レーザ素子実装面、受光素子実装面、集積回路素子実装面、複数のワイヤーボンドパッド、複数の端子部、前記おのおのの実装面と前記おのおのの端子部を所定の関係で接続する配線とで構成される光伝送モジュール用配線領域が、プリント基板上に複数個設けられ、各光伝送モジュール用配線領域の間には、各光伝送モジュール用配線領域の所定の端子部同士のみが互いに電気的に接続し、他の端子部とは電気的に接続していないモジュール間配線が複数形成され、各モジュール間配線のいくつかには、モジュール間配線を通して所定の各端子部のみに通電するためのプリント基板用端子部が形成されていることを特徴とする。

この発明によれば、プリント基板用端子部より、前記モジュール間配線の少なくとも１つに、該モジュール間配線を通して各光伝送モジュール用配線領域内の所定の端子部のみに通電することにより、プリント基板上の各半導体レーザ素子を同時に駆動させてスクリーニング試験を実施することができる。

この発明の好ましい実施態様によれば、各光伝送モジュール配線領域ごとに、前記半導体レーザ素子実装面の上に半導体レーザ素子が実装され、前記受光素子実装面の上に受光素子が実装され、前記集積回路素子実装面の上に集積回路素子が実装され、前記半導体レーザ素子、受光素子、集積回路素子を覆うように樹脂モールドが形成され、これによって、各光伝送モジュール配線領域ごとに光伝送モジュールが形成されている。

より詳しく説明すると、各光伝送モジュール配線領域ごとに、半導体レーザ素子実装面の上に半導体レーザ素子が、受光素子実装面の上に受光素子が、集積回路素子実装面の上に集積回路素子が実装され、半導体レーザ素子、受光素子、集積回路素子、複数のワイヤーボンドパッド、複数の端子部が所定の関係で電気的に接続されるようにワイヤーで配線され、半導体レーザ素子、受光素子、集積回路素子を覆うように樹脂モールドが形成されたことで、各光伝送モジュール配線領域ごとに光伝送モジュールが形成されている。

この発明のさらに好ましい実施態様によれば、前記各光伝送モジュールは、少なくとも、前記集積回路素子のｐ側、ｎ側のそれぞれに対し電気的に接続する集積回路素子用端子部を有し、かつ、前記集積回路素子と前記半導体レーザ素子の間は、該集積回路素子により半導体レーザ素子の動作を制御できるように配線される。前記モジュール間配線の一つまたは幾つかは、前記集積回路素子のｐ側に対し電気的に接続している全ての集積回路素子用端子部と第１のプリント基板用端子部が電気的に接続するように形成される。前記モジュール間配線の他の一つまたは幾つかは、前記集積回路素子のｎ側に対し電気的に接続している全ての集積回路素子用端子部と、前記第１のプリント基板用端子部とは別の第２のプリント基板用端子部が電気的に接続するように形成されている、

また、前記各光伝送モジュールは、少なくとも、前記半導体レーザ素子のｐ側、ｎ側のそれぞれに対し電気的に接続する半導体レーザ素子用端子部を有し、前記モジュール間配線の一つまたは幾つかは、前記半導体レーザ素子のｐ側に対し電気的に接続している全ての半導体レーザ素子用端子部と第３のプリント基板用端子部が電気的に接続するように形成され、前記モジュール間配線の他の一つまたは幾つかは、前記半導体レーザ素子のｎ側に対し電気的に接続している全ての半導体レーザ素子用端子部と、前記第３のプリント基板用端子部とは別の第４のプリント基板用端子部が電気的に接続するように形成されているのが好ましい。

この発明の他の局面に従う光伝送モジュールの製造方法によれば、まず、（１）半導体レーザ素子実装面、受光素子実装面および集積回路素子実装面を有し、かつ複数の端子部を有する光伝送モジュール用配線領域が、複数個、設けられたプリント基板と、各光伝送モジュール用配線領域の間に設けられ、各光伝送モジュール用配線領域の所定の端子部同士のみが互いに電気的に接続し、他の端子部とは電気的に接続していない、複数のモジュール間配線と、前記モジュール間配線の少なくとも１つに形成され、該モジュール間配線を通して各光伝送モジュール用配線領域内の所定の端子部のみに通電する、少なくとも１つのプリント基板用端子部と、を備えた光伝送モジュール用プリント基板を準備する。次に、（２）各光伝送モジュール配線領域ごとに、前記半導体レーザ素子実装面の上に半導体レーザ素子を実装し、前記受光素子実装面の上に受光素子を実装し、前記集積回路素子実装面の上に集積回路素子を実装し、前記半導体レーザ素子、受光素子、集積回路素子を覆うように樹脂モールドを形成し、これによって、各光伝送モジュール配線領域ごとに光伝送モジュールを形成する。さらに、（３）前記プリント基板用端子に通電することで、複数の半導体レーザ素子を同時に、所定時間駆動させる。その後、（４）前記光伝送モジュール用プリント基板から各光伝送モジュールを分割して取り出す。

この発明によれば、プリント基板用端子部より、前記モジュール間配線の少なくとも１つに、該モジュール間配線を通して各光伝送モジュール用配線領域内の所定の端子部のみに通電することにより、プリント基板上の各半導体レーザ素子を同時に駆動させてスクリーニング試験を実施することができるので、スクリーニング試験が効率よく行われる。

より詳しく説明すると、まず、請求項１に記載の光伝送モジュール用プリント基板を作製する。次に、半導体レーザ素子実装面の上に半導体レーザ素子を、受光素子実装面の上に受光素子を、集積回路素子実装面の上に集積回路素子を実装し、半導体レーザ素子、受光素子、集積回路素子、複数のワイヤーボンドパッド、複数の端子部を所定の関係で電気的に接続するようにワイヤーで配線する。さらに、各光伝送モジュール用配線ごとに、半導体レーザ素子、受光素子、集積回路素子を覆うように樹脂モールドを形成し光伝送モジュールとする。プリント基板用端子に通電することで、複数の半導体レーザ素子を同時に、所定時間駆動させる。その後、プリント基板から各光伝送モジュールを分割して取り出す。

この発明の好ましい実施態様によれば、複数の半導体レーザ素子を同時に所定時間駆動させる前記工程においては、前記プリント基板用端子部に対して定電圧で通電を行って前記各集積回路素子を動作させ、前記各集積回路素子により各半導体レーザ素子を駆動させる。

また、複数の半導体レーザ素子を同時に所定時間駆動させる前記工程においては、前記プリント基板用端子部に対して通電を行って、各半導体レーザ素子を直接駆動させるようにしてもよい。

また、前記光伝送モジュール用プリント基板上の半導体レーザ素子のうちの隣接する幾つかに対し直列に電流を流し、隣接する半導体レーザ素子を同じ電流値で駆動させるようにしてもよい。

さらに、前記半導体レーザ素子を所定時間駆動させる工程より後において、前記半導体レーザ素子を駆動させて発光特性を評価し、所定の特性の得られる光伝送モジュールを判別する工程を有するのは好ましい。

前記半導体レーザ素子の発光特性を評価する工程は、光伝送モジュールを分割して取り出す工程のあとに行うのが好ましい。

光伝送モジュールを、取扱いやすいプリント基板状態のままで容易にスクリーニング試験を行うことが可能となる。これによれば、光伝送モジュールの各端子を破損することもない。さらに、複数の半導体レーザ素子をまとめてスクリーニング試験できることで、個別におこなうよりも、生産コストを低減することができる。

効率良くスクリーニング試験ができるようにするという目的を、半導体レーザ素子を光源として用いた光伝送モジュールの製造において、各モジュールをプリント基板から分割する前の一体の状態で、プリント基板上の各半導体レーザ素子を同時に駆動させてスクリーニング試験を実施することができるようにするということによって実現した。
以下、この発明の実施の形態を図を用いて説明する。

(第１実施形態)

まず、本発明の製造方法で作製された光伝送モジュールについて、その構成を説明する。図１に光伝送モジュールの斜視概観図を、図２にそのＸ−Ｘ´での断面図を示す。

この光伝送モジュール１００は、データ送信のための発光部１１０、データ受信のための受光部１２０、電源およびデータ信号の入出力などのための１〜７の端子１３０から構成されている。発光部１１０には内部に半導体レーザ素子１１１が組み込まれ、表面には送信光を整形する送信用光学子としての送信用レンズ１１２が組み込まれている。また、受光部１２０には内部にフォトダイオード素子１２１が組み込まれ、表面には外部よりの受信光を集光する受信用光学子としての受信用レンズ１２２が組み込まれている。半導体レーザ素子１１１、フォトダイオード素子１２１は回路基板１０１上に実装され、それぞれワイヤー１１６，１２６により、回路基板１０１上の配線パターンに接続されている。また、発光部１１０、受光部１２０の間の位置には、光伝送モジュール１００を動作させるための集積回路素子１３０が組み込まれている。

回路基板１０１の上面は、半導体レーザ素子１１１、フォトダイオード１２１、集積回路１３０が覆われるように、波長８５０〜９００ｎｍの光に対し透明なエポキシ樹脂モールド１０２により被覆されている。エポキシ樹脂モールド１０２自体がその形状により、送信用レンズ１１１と受信用レンズ１２２の役割を兼ねている。半導体レーザ素子１１１の上方には送信用レンズ１１１が、また、フォトダイオード１２１の上方には受信用レンズ１２２が配されるように一体的に形成される。

光伝送モジュール１００の内部および下面の構造をわかりやすく説明するため、図３に樹脂モールドの無い状態の斜視図を、図４に回路基板１０１のみの状態の斜視図を示す。回路基板１０１は両面に金属の配線がなされているため図４には上面、下面両方を示している。

上面の配線のうち１５１，１５２，１５３はそれぞれ半導体レーザ素子ｎ側実装面１５１、フォトダイオード素子ｎ側実装面１５２、集積回路素子ｎ側実装面１５３であり、図３に示すように、おのおのの上に半導体レーザ素子１１１、フォトダイオード素子１２１、集積回路素子１３０がｎ側を下に実装されている。半導体レーザ素子ｎ側実装面１５１は中央に凹部１１３（深さ約３００μｍ）があり、半導体レーザ素子１１１はその底に銀ペーストで実装される。そして、ワイヤーボンド１１６により、回路基板１０１上面の所定の配線に電気的に接続されている。これらの配線はビアホール１７０を通じて下面の配線１６０に接続されており、下面の配線１６０は端子部１４０につながっている。

各端子１〜７からの電気的接続は以下の通りとなる。グラウンド端子１は下面の配線１６０、ビアホール１７０、集積回路素子ｎ側実装面１５３を通って集積回路素子１３０のｎ側面につながっている。電源端子４はビアホール１７０の１つ、ワイヤーボンドパッド１５５、ワイヤーを通って集積回路素子１３０のｐ側面につながっている。電源端子４からの下面配線にはもう１つのビアホールがあり、ワイヤーボンドパッド１５４、ワイヤー１１６により半導体レーザ素子１１１のｐ側面につながっている。半導体レーザ素子ｎ側実装面１５１からは集積回路素子１３０に対してワイヤー接続がなされている。またビアホール１７０により下面の配線を通じて半導体レーザ素子駆動端子７にも接続されている。

フォトダイオード素子１２１については、ｎ側面はフォトダイオード素子ｎ側実装面１５２から集積回路素子１３０の所定の位置にワイヤーで接続されている。ｐ側面は中継用ワイヤーボンドパッドを１５０介して２本のワイヤーで集積回路素子１３０の別の所定の位置に接続されている。その他の端子２，３，５，６はそれぞれビアホール１７０、ワイヤーボンドパッド１５６，１５７，１５９，１５８を通じて集積回路素子１３０の所定の位置にワイヤーで接続されている。

これらの配線、および、半導体レーザ素子１１１、フォトダイオード素子１２１、集積回路素子１３０の電気回路図を描くと図５のようになる。

集積回路素子１３０内には、主に半導体レーザ素子駆動回路１３１、フォトダイオード素子駆動回路１３２、その他制御回路１３３が組み込まれている。端子６はデータ入力端子として半導体レーザ素子駆動回路１３１につながっている。端子２はデータ出力端子としてフォトダイオード素子駆動回路１３２につながっている。端子３、５については、制御回路１３３に対し接続され、例えば光伝送モジュールの送受信動作停止など特定の命令信号を入力するためなどに設けられている。

電源端子４とグラウンド端子１の間に電圧を印加すると、集積回路素子１３０が駆動する。その状態で、データ入力端子６にパルス状のデータ信号を入力すると、半導体レーザ素子駆動回路１３１の制御により半導体レーザ素子１１１に所定の電流がデータ信号に応じたパターンで流れ、所定の光出力で発光する。一方、フォトダイオード素子１２１に光が入射すると、フォトダイオード素子１２１からフォトダイオード素子駆動回路１３２に電流が流れ、それに応じデータ出力信号がデータ出力端子２を通じて流れる。半導体レーザ素子駆動端子７は電源端子４との間で電流を流すことで、半導体レーザ素子のみを別駆動で発光させるときに用いることが出来る端子である。

次に発光部１１０の詳細構造について説明する。図１の光伝送モジュール１００のＸ−Ｘ´方向の断面のうち、発光部１１０の拡大図を図６に示す。凹部１１３は液状のシリコン樹脂１１４で埋め込まれている。シリコン樹脂１１４中には、光を拡散させるフィラー（ポリスチレン製粒子、粒径平均１μｍ）、が混入されている。シリコン樹脂１１４は凹部１１３に適量滴下することで作られる。表面張力のために凹部１１３内に留まり、半導体レーザ素子１１１を覆う。滴下後、８０℃で約５分間加熱して、ゼリー状になるまで硬化させている。そしてその上にエポキシ樹脂モールド１０２を被覆し、送信用レンズ１１２を形成している。

この構成において半導体レーザ素子１１１を駆動させると、端面が図６の水平方向に発光し、出た光はシリコン樹脂１１４に入射し、樹脂内のフィラーにより拡散されながら進む。そして、凹部１１３の側面部にある金属膜である半導体レーザ素子ｎ側実装面１５１で反射され上方に向かう。そして、シリコン樹脂１１４の上面部で、透明なエポキシ樹脂モールド１０２に入り、さらに送信用レンズ１１２で整形されて外部へ放出される。半導体レーザ素子１１１の発光点は数μｍ径と非常に小さいため、そのまま外部へ放射させると眼への安全上問題があるが、本発明ではフィラーにより拡散され、外部から見た発光点はシリコン樹脂１１４の上面部に広がって見え、安全上の問題はない。この構成により、従来の発光ダイオードに変えて半導体レーザ素子１１１を用いることが可能となる。

以上に述べた光伝送モジュール１００の構成、動作を前提に、本発明に関わる製造方法を説明する。

まず、図７に示すような光伝送モジュール用のプリント基板２０１を作製する。プリント基板２０１には、図４に示す回路基板１０１に相当するモジュール用配線領域１０１ａが、３行３列に並べて形成されている。またプリント基板２０１の端には、基板用グラウンド端子１１、基板用電源端子１４、基板用半導体レーザ素子駆動端子１６の３つの基板用端子２３０が設けられている。各モジュール用配線領域１０１ａ、および、各基板用端子１１，１４，１６の間には、所定の関係で互いを電気的に接続するため、モジュール間配線２５４，２５６，２５９が上面に、モジュール間配線２６１，２６９が下面に配線されている。

モジュール間配線の形状を詳細に説明するため、１つのモジュール用配線領域１０１ａおよびその周辺の拡大図を図８に示す。この図において、モジュール用配線領域１０１ａの配線は、図４の回路基板１０１と同一である。その端子１〜７に繋げるように、モジュール用配線領域１０１ａの周辺にモジュール間配線２５４，２５６，２５９，２６２，２６９が施されている。モジュール間配線についても、モジュール外ビアホール２７１で上面、下面間を繋げている。

基板用グラウンド端子１１を起点にプリント基板２０１下面に配線されたモジュール間配線２６１は、各モジュール用配線領域１０１ａ近傍で枝分かれし、各モジュールのグラウンド端子１に接続されている。

基板用電源端子１４を起点にプリント基板２０１上面に配線されるモジュール間配線２５４は、各モジュール用配線領域１０１ａ近傍で枝分かれし、各モジュールの電源端子４の近傍にてモジュール外ビアホール２７１に接続されている。このビアホール２７１はプリント基板２０１下面の配線で電源端子４に接続されている。

基板用データ入力端子１６を起点にプリント基板２０１上面に配線されるモジュール間配線２５６は、各モジュール用配線領域１０１ａ近傍で枝分かれし、各モジュールの電源端子６の近傍にてモジュール外ビアホール２７１に接続されている。このビアホール２７１はプリント基板２０１下面の配線で電源端子６に接続されている。

他の端子２，３，５，６については、モジュール間配線２６９に接続されている。この配線２６９は、特にプリント基板用の端子には接続されていない。

配線の関係を、図９にて電気回路図で示す。１０１ａはモジュール用配線領域で、図５に示す１０１を表している。この図では、基板用端子と接続されていない端子２、３、５、７については、配線は省略している。基板用グラウンド端子１１と各モジュールのグラウンド端子１が電気的に接続され、他の配線とは電気的に独立になっている。同様に、基板用電源端子１４と電源端子４、基板用データ入力端子１６とデータ入力用端子６が電気的に接続され、他の配線とは電気的に独立になっている。

プリント基板上に配線を形成するには、一般に電解メッキが行われる。よって、すべての配線に電解がかけることができるような配線である必要がある。例えば、発光ダイオード素子などを用いた従来の光伝送モジュール６００用のプリント基板を例にとると、図２３のように、各光伝送モジュール用配線６０１ａの端子は全て電気的に接続され、プリント基板６０１ｂの端のメッキ用端子６３９につながっている。上面と下面の配線もメッキ端子用ビアホール６７９で電気的につながっている。メッキ時には、この端子から電解をかけてメッキ液に浸けてメッキを行う。よって、作製されるプリント基板６０１ｂは全ての配線が電気的に接続されている。

一方、本光伝送モジュール用プリント基板２０１では、図７のように、プリント基板として完成時にはモジュール間配線２５４，２５６，２６１，２６９が互いに独立している必要がある。よって、本実施形態においては、図１０のように、最初はプリント基板２０１の端の方で全ての配線をつなげて基板用メッキ端子２３９を設けておく。上面と下面の配線はメッキ端子用ビアホール２７９で電気的に接続する。そしてこの基板用メッキ端子２３９より電解をかけてメッキして配線を完成させる。その後、プリント基板２０１を図７のＹ−Ｙ´間で分割し、基板用メッキ端子２３９側を除去すれば、図７に示すプリント基板２０１が得られる。図７においてモジュール間配線２５４，２５６，２６１，２６９がプリント基板２０１の１辺（図７での左側の辺）まで伸ばされているのはこのことによる。

なお、図７および図８に示すように、プリント基板２０１にはモジュール間配線２５９も形成されている。この配線は、端子１〜７のいずれにも電気的に接続していないフォトダイオード素子用実装面１５２、中継用ワイヤーパッド１５０に対し、メッキ時に電解をかけるための配線であり、端子２の近傍にてモジュール外ビアホールを経由して配線２６９に接続されている。

もちろん、図１０のような形ではなく、最初からモジュール間配線２５４、２５６，２６１、２６９を電気的に独立させた配線にして、配線２６９にも基板用端子を設け、４つの配線に同時もしくは順次電解をかけてメッキを行ってもよい。その場合メッキ作業の手間はふえるが、上記のプリント基板の分割作業は省略することができる。

次に、図７と図３を参照して、各モジュール用配線領域１０１ａの上面に、半導体レーザ素子１１１、フォトダイオード素子１２１、集積回路素子１３０を実装する。各モジュール用配線領域１０１ａごとの実装後の形は、図３に示す形と同等である。半導体レーザ素子１１１は、半導体レーザ素子ｎ側実装面１５１の凹部１１３の底にｎ側面を下に実装する。そして、上面であるｐ側面とワイヤーボンドパッド１５４の間をワイヤー１１６で接続する。フォトダイオオード素子１２１は、フォトダイオオード素子ｎ側実装面１５２にｎ側面を下に実装する。そして、上面であるｐ側面と中継用ワイヤーボンドパッド１５０の間をワイヤーボンド１２６で接続する。集積回路素子１４０は、集積回路素子実装面１５３の上面にｎ側面を下に実装する。そして、上面の所定の位置と周辺の複数のワイヤーボンドバッドとの間をワイヤーボンドで接続する。

次に、図１１を参照して、このプリント基板２０１の各モジュール用配線領域１０１ａについて、半導体レーザ素子、フォトダイオード、集積回路素子を覆うように、樹脂を形成する。この時、半導体レーザ素子の上にまず、図２に示したようにフィラーを混入したシリコン樹脂１１４を設け、そのあとに、各光モジュール全体にエポキシ樹脂モールド１１２を形成する。半導体レーザ素子１１１上、および、フォトダイオード素子１２１上は、レンズ機能を兼ねるように半球状に形成されている。これにより各モジュール用配線領域１０１ａの位置に光伝送モジュール１００が形成される。

次に、このプリント基板２０１を恒温槽内に入れて、基板用電源端子１４と基板用グラウンド端子１１を定電圧電源に接続し、基板用データ入力端子１６と基板用グラウンド端子１１をパルス信号入力電源に接続する。そして恒温槽内を、例えば＋８５℃に設定し安定化させる。このプリント基板２０１に対し、基板用電源端子１４と基板用グラウンド端子１１の間に一定電圧を印加すると、各光伝送モジュール１００ごとに電源端子４とグラウンド端子１に一定電圧が印加され、各集積回路素子１３０が同時に動作するようになる。そして、基板用データ入力端子１６より信号を入力すると、各光伝送モジュールのデータ入力端子６に同時に信号が入力される。よってその信号に合せて各半導体レーザ素子１１１が同時に発光する。半導体レーザ素子１１１の光出力は、各集積回路素子１３０の半導体レーザ素子駆動回路１３１に設定されている電流設定値に応じた出力になる。この状態で一定時間、例えば４８時間保持するスクリーニング試験を行う。その後、基板用データ入力端子１６への信号入力を停止し半導体レーザ素子１１１の駆動を停止する。

次に、プリント基板２０１を分割して、光伝送モジュール１００を個々に分けて取り出す。ここで図１の形状となる。

次に、光伝送モジュール１００の動作確認の検査を行う。電源端子４とグラウンド端子１間に電圧を印加して集積回路素子１３０を駆動状態とした上で、データ入力端子６に信号を入力し、半導体レーザ素子１１１を発光させる。そして送信用レンズ１１０からの発光強度を測定する。発光強度が所定の値に到達しないものについては、半導体レーザ素子１１１が劣化したものとして取り除く。これにより、半導体レーザ素子１１１のスクリーニング試験が完了する。

なお、検査では、その他規格に則ったデータ送受信動作に必要な各種項目について実施し、すべて合格したものについて製品として出荷する。

このスクリーニング試験により、製品として使用しはじめてから短時間で劣化してしまうような半導体レーザ素子が実装された光伝送モジュールを選別破棄することができ、光伝送モジュール１００の不良発生を確実に抑制することができる。

また、図７を参照して、本製造方法では、あらかじめ各モジュール用配線１０１ａ同士を所定のモジュール間配線２５４，２５６，２６１，２６９で接続したプリント基板２０１を用いている。これにより、スクリーニング試験において、プリント基板２０１上の各半導体レーザ素子１１１のスクリーニング試験を一斉に行うことができる。しかも、一つのプリント基板２０１に対して電源用とデータ入力用に１つずつの電源を用意すればよいため、装置も非常に簡便なもので対応できる。これにより、製造コストを抑えることができる。

なお、図３と図８と図９を参照して、本発明にかかる光伝送モジュール１００では、データ入力端子６に一定以上の長さの直流信号が入力された場合には半導体レーザ素子１１１の点灯を停止する連続点灯防止機能が、集積回路素子１３０の制御回路１３３中に設けられている。これは、現在市販の光伝送モジュールの多くにも設けられているもので、発光素子が誤動作で発光するのを防ぐためのものである。この機能のため、スクリーニング試験においても半導体レーザ素子１１１は、パルス駆動でおこなうことになる。

また、半導体レーザ素子１１１のスクリーニング試験時の光出力は、半導体レーザ素子駆動回路１３１内で設定された半導体レーザ素子の駆動電流値によって決まり調整は出来ない。よって、基板用データ入力端子１６への入力信号のパルスの長さと環境温度の２つの条件設定により半導体レーザ素子１１１へ所望の負荷を与え、スクリーニング試験を行う。

（第２実施形態）

光ディスク用などの半導体レーザ素子のスクリーニング試験では、できるだけ短時間で試験を完了させるため、製品として使用する場合よりも厳しい条件に設定して行うこと多い。しかし、第１実施形態でのスクリーニング試験においては、連続点灯防止機能が作動しない一定範囲以内の長さのパルスでしか、半導体レーザ素子１１１を駆動させることができない。

本実施形態は連続的にもしくは所望のパルス長さにて半導体レーザ素子１１１を発光させてスクリーニング試験を行う方法である。

図１２に本実施形態でのプリント基板３０１の斜視図を、図１３にモジュール用配線１０１ａおよびその周辺の拡大図を示す。

本実施形態においては、実装する集積回路素子１３０の中に、所定の端子（機能停止端子５）に信号が入力されている間は連続点灯防止機能を停止できる機能を付加しておく。そして、プリント基板３０１は第１実施形態に比較し、各機能停止端子５からモジュール用配線１０１ａ外にでる下の配線をモジュール外配線２６９と切り離し、データ入力端子６から出る配線と接続させている。これにより機能停止端子５、データ入力端子６、基板用データ入力端子１６がすべて電気的に接続される。他の配線は第１実施形態と同じである。

プリント基板３０１の電気回路図を図１４に示す。このような集積回路素子とプリント基板３０１を準備した上で、第１実施形態と同様の手順の製造方法で光伝送モジュールを製造する。この実施形態の場合、例えばスクリーニング試験での入力信号用の電源を、パルス電源ではなく定電圧電源に変更し基板用データ入力端子１６に電圧を印加すると、各光伝送モジュールではデータ入力端子６と同時に機能停止端子５にも信号が入るため、連続点灯防止機能が停止し、半導体レーザ素子を連続駆動させることができる。

これにより、スクリーニング試験を製品として使用する場合よりも厳しい条件で行うことが可能になり、スクリーニング試験の時間を短縮することができる。

(第３実施形態)

スクリーニング試験での光出力を、集積回路素子で設定されている電流値で決まる出力以外にすることができれば、スクリーニング試験での条件設定の自由度が広くなる。本実施形態は、プリント基板での各光伝送モジュール同士の配線を複数の半導体レーザ素子が直列に接続される形にし、定電流電源で駆動することで、複数の半導体レーザ素子を所望の同じ電流値で発光させてスクリーニング試験する方法である。

図１５に本実施形態でのプリント基板４０１の斜視図を、図１６にモジュール用配線１０１ａおよび周辺の拡大図を、図１７に電気回路図を示す。

光伝送モジュール１００は図５に示すように、電源端子４と半導体レーザ素子駆動端子７の間に電流を流すことで、集積回路素子１３０を介さずに、半導体レーザ素子１１１を直接駆動させることができる。よって本実施形態のプリント基板４０１においては、各半導体レーザ素子駆動端子７を、隣接するモジュール用配線１０１ａの電源端子４とモジュール用配線４５８で接続する。これを、１方向に並んだ３個を１グループとしておこなう。 そして１グループの一方の端の半導体レーザ駆動用端子７を基板用半導体レーザ駆動用端子１７にモジュール間配線４５７で接続する。反対側の端の電源端子４は、基板用電源端子１４にモジュール間配線４５４で接続する。３個ずつ１グループとしているため、基板用半導体レーザ駆動用端子１７と基板用グラウンド端子１４はグループの数だけ形成する。

この場合、各グラウンド端子１、データ入力用端子６から出る配線は、第１実施形態、第２実施形態とは違い、他の端子とまとめてメッキ用配線である２６９の方に接続しておく。よって、プリント基板４０１の基板用端子は、基板用電源端子４、基板用半導体レーザ駆動用端子７のみとなる。

モジュール間配線４５８についてはメッキ用に図１５の左側の方にプリント基板４０１の辺まで配線が伸びている。このモジュール間配線４５８については、直列接続用の配線のため、各モジュール間配線４５８同士が電気的に接続されてはならない。よってそれぞれごとにプリント基板４０１の辺まで配線が伸びている。同様にモジュール間配線４５７および基板用端子１７についてもビアホール４７７、モジュール間配線４６７にて下面でプリント基板４０１の辺まで電気的につながっている。

このようなプリント基板４０１を作製準備した上で、実施形態１と同様の手順の製造方法で光伝送モジュールを製造する。

そして、スクリーニング試験においては、上記１グループごとに基板用電源端子１４、基板用半導体レーザ駆動用端子１７に定電流電源を接続し、所望の電流値に設定して試験をおこなう。これにより、第２実施形態に比較してさらに厳しい条件でスクリーニング試験を行うことも可能になり、スクリーニング試験の時間を短縮することができる。また、スクリーニング試験中でも電流値の変更も可能であり、様々な負荷のかけ方での試験も実施可能となる。

なお、配線を工夫すれば、プリント基板４０１上の各半導体レーザ素子１１１を全て直列に接続することも可能であり、そうすれば定電流電源は１つで済む。しかし、どれか１つの半導体レーザ素子１１１もしくは周辺の配線に不良が発生して導通不良となると、全ての半導体レーザ素子１１１の試験が実施できなくなり、全ての光伝送モジュールが製品化できなくなってしまう。そのため、複数のグループに分けて配線するのが望ましい。１グループの個数は本実施形態では３個としているが、必ずしもこれに限らない。１グループの数を増やせばその分基板用端子１４，１７が少なくなり、スクリーニング試験用の電源の数も少なくなり製造コストが下がる。導通不良の発生率との兼ね合いで総合的に最も製造コストが下がるように１グループの個数を決めればよい。

また、本実施形態では、実施の形態１，２に比較し、確実に各半導体レーザ素子１１１を同じ駆動電流値、すなわち、ほぼ光出力でスクリーニング試験を行うことができる。実施の形態１，２では、半導体レーザ素子１１１の駆動電流は各集積回路素子１３０が制御しているが、集積回路素子１３０の生産ばらつきで、駆動電流にも光伝送モジュールごとにばらつきが発生する。そのため、各半導体レーザ素子の中には、低めの駆動電流値、すなわち低めの光出力にてスクリーニング試験を行われてしまうものがある。このような素子は、当然劣化しにくいため、最終測定で合格となりやすい。第１、第２実施形態ではその分を考慮してやや厳しい判定基準を設定する必要がある。

本実施形態であればどの半導体レーザ素子１１１も同じ電流値で駆動させることができるので、すべて同じ条件でスクリーニング試験がおこなうことができる。

スクリーニング試験終了後にプリント基板４０１から光伝送モジュール１００を分離する。そして最後に、検査として半導体レーザ素子１１１からの光出力を評価する。なお、本実施形態では、実施形態１，２とは異なり、電源端子４と半導体レーザ素子駆動端子７の間に所定の電流を流して光出力を評価し選別を行った。これによればスクリーニング試験と同様に集積回路素子の生産ばらつきに左右されずに判定を行うことが可能である。

(第４実施形態)

実施形態３では、１つのプリント基板４０１に対して複数の電源を準備する必要があるが、用いている各半導体レーザ素子１１１のＩ−Ｖ特性が、安定してよくそろっている場合であれば、各半導体レーザ素子１１１を並列に接続し、１つの低電圧電源で全て同じ電圧で駆動することにより、スクリーニング試験を行うことができる。

図１８に本実施形態でのプリント基板５０１の斜視図を、図１９にモジュール用配線１０１ａおよび周辺の拡大図を、図２０に電気回路図を示す。

実施の形態１に比較して本実施形態では、各光伝送モジュール１０１同士の各半導体レーザ駆動用端子７をビアホール２７１および上面のモジュール間配線５５７にてすべて電気的に接続配線し、プリント基板５０１の端に設けた１つの基板用半導体レーザ駆動用端子１７に接続する。一方、各電源端子４は第１実施形態と同様にモジュール間配線２５４で全て電気的に接続配線し、プリント基板５０１の端に設けた１つの基板用電源端子１４に接続する。グラウンド端子１、データ入力端子６は第３実施形態と同様にモジュール間配線２６９に接続している。

この実施形態の場合は、基板用電源端子１４、基板用半導体レーザ駆動用端子１７間に定電圧電源を接続して、所定の電圧になるように、直流電流を流す。すると、各半導体レーザ素子１１１は、それぞれのＩ−Ｖ特性に応じた電流値で連続発光する。

発光時での半導体レーザ素子１１１の微分抵抗は３Ωくらいしかないため、各半導体レーザ素子１１１のＩ−Ｖ特性に差があると、同じ電圧で駆動してもそれぞれの半導体レーザ素子１１１の駆動電流値が大きく変わり、スクリーニング試験での光出力に違いがでてしまう。しかし、逆にＩ−Ｖ特性が各素子で非常に安定した半導体レーザ素子を用いる場合には、本実施形態の方法であれば、実施形態３に比較し電源１つでスクリーニング試験を行うことが可能となる。

スクリーニング試験後の検査は、実施形態３と同様に電源端子４と半導体レーザ素子駆動端子７との間に所定の電流を印加して半導体レーザ素子の出力の評価を行っている。
本実施形態の場合、さらに、最終検査にて、半導体レーザ素子のＩ−Ｖ特性を評価するとよりよい。例えばスクリーニング試験と同じ電圧における電流値が非常に低いものにおいては、所望のスクリーニング試験が出来なかったとして、破棄してしまう。Ｉ−Ｖ特性の安定性が良い半導体レーザ素子であれば、破棄分は少なくてすむため、本実施形態での対応が可能である。

以上いくつかの実施形態を示したが本発明はこれらに限られるものではない。光伝送モジュールの製造に用いるプリント基板が各モジュール用配線の端子同士が所定の関係でいくつかのグループごとに電気的に独立に配線されたものであること、また、そのプリント基板を用いた光伝送モジュールの製造方法として、プリント基板から分割する前の状態で半導体レーザ素子のスクリーニング試験を行ものであれば本発明の範疇である。

また、以上の各実施形態ではプリント基板上の光伝送モジュールの配置は３行３列の例を示したが、１つのプリント基板上の光伝送モジュールの数はこれに縛られない。また、モジュール用配線、モジュール間配線も以上の実施例に縛られない。配線の製造方法も電解メッキでなくてもよい。いずれも本発明の示すところを実施できるものであればよい。電解メッキ以外の方法で配線することで、電解メッキ用に形成されたモジュール間配線２６９をなくすなど、より単純化した配線とすることも可能である。

なお、スクリーニング試験後の最終検査に関し、実施の形態３，４では、半導体レーザ素子の評価に半導体レーザ駆動用端子を用いたが、集積回路素子を動作させて半導体レーザ素子を発光させて実施することも可能である。集積回路素子の特性バラツキの影響が少ない場合には、それでも対応可能である。逆に、実施形態１，２の場合でも、半導体レーザ駆動用端子を各光伝送モジュール内に設けておいて、最終検査のときにのみ、この端子から半導体レーザ素子を駆動させて劣化の状況を見ることも可能である。集積回路素子で半導体レーザ素子を発光させるのに比べて、常に同じ電流値で評価できるため、無駄なく選別することができる。半導体レーザ素子、集積回路素子の特性の安定性と、準備すべきスクリーニング試験用装置の組み合わせで最適なものを選び、少ないコストで確実な選別を行えばよい。

また、最終検査の手法として光出力の低下で評価する方法以外に、半導体レーザ素子の閾値電流の悪化の程度で評価する方法もある。特に半導体レーザ駆動用端子を用いて外部電源での最終検査を行う場合には、精密な閾値評価を行うことができる。光伝送モジュールは、半導体レーザ素子の実装位置と樹脂モールドの送信側レンズの位置のばらつきにより、半導体レーザ素子が同じ光出力であっても、送信側レンズからレンズ正面にでる光の量が変わる場合があり、最終検査での光出力評価に誤差を生じうる。閾値電流での評価であれば実装位置ずれの影響は無く行える。素子劣化と閾値電流悪化に明確な関係を有する半導体レーザ素子を用いる場合であれば有効な方法である。

また、スクリーニング試験前にプリント基板状態で半導体レーザ素子を発光させ、１つずつ光出力を測定して記録しておくことも可能である。測定のためには、光強度測定機器の検出部を各送信レンズ上に同じ距離、位置に近づけて測定する必要がある。しかし、それぞれの半導体レーザ素子ごとにスクリーニング試験前と試験後の光出力が把握でき、最も正確に素子劣化の判定を行うことができる。手間はかかるが結果の精度が最も高いといえる。

今回開示された実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明は、特性上の利点が大きい半導体レーザ素子を効率よく得ることができる。

本発明の第１実施形態の光伝送モジュールの斜視概観図である。 本発明の第１実施形態の光伝送モジュールの断面図である。 本発明の第１実施形態の光伝送モジュールの樹脂モールドの無い状態の斜視図である。 本発明の第１実施形態の光伝送モジュールの回路基板のみの状態の斜視図である。 本発明の第１実施形態の光伝送モジュールの電気回路図である。 本発明の第１実施形態の光伝送モジュールの発光部の拡大断面図である。 本発明の第１実施形態のプリント基板の斜視図である。 本発明の第１実施形態のプリント基板のモジュール用配線領域およびその周辺の拡大図である。 本発明の第１実施形態のプリント基板の電気回路図である。 本発明の第１実施形態のプリント基板の製造途中の状態における斜視図である。 本発明の第１実施形態のプリント基板に樹脂形成した状態における斜視図である。 本発明の第２実施形態のプリント基板の斜視図である。 本発明の第２実施形態のプリント基板のモジュール用配線領域およびその周辺の拡大図である。 本発明の第２実施形態のプリント基板の電気回路図である。 本発明の第３実施形態のプリント基板の斜視図である。 本発明の第３実施形態のプリント基板のモジュール用配線領域およびその周辺の拡大図である。 本発明の第３実施形態のプリント基板の電気回路図である。 本発明の第４実施形態のプリント基板の斜視図である。 本発明の第４実施形態のプリント基板のモジュール用配線領域およびその周辺の拡大図である。 本発明の第４実施形態のプリント基板の電気回路図である。 従来の光伝送モジュールの斜視概観図である。 従来の光伝送モジュールの断面図である。 従来の光伝送モジュールの製造用のプリント基板の斜視図である。 一般的な半導体レーザ素子の製品とコネクタの斜視図である。

符号の説明

１００ 光伝送モジュール
１０１ 回路基板
１０１ａ モジュール用配線領域
１０２ エポキシ樹脂モールド
１１０ 発光部
１１１ 半導体レーザ素子
１１２ 送信用レンズ
１１３ 凹部
１１４ シリコン樹脂
１１６ ワイヤー
１２０ 受光部
１２１ フォトダイオード素子
１２２ 受信用レンズ
１２６ ワイヤー
１３０ 集積回路素子
１３１ 半導体レーザ素子駆動回路
１３２ フォトダイオード素子駆動回路
１３３ 制御回路
１４０ 端子
１５０ 中継用ワイヤーボンドパッド
１５１ 半導体レーザ素子ｎ側実装面
１５２ フォトダイオード素子ｎ側実装面
１５３ 集積回路素子ｎ側実装面
１５４，１５５，１５６，１５７，１５８，１５９ ワイヤーボンドパッド
１６０ 下面の配線
１７０ ビアホール
２０１ プリント基板
２３０ 基板用端子
２３９ 基板用メッキ端子
２５４，２５６，２５９，２６２，２６９ モジュール間配線
２７１ モジュール外ビアホール
２７９ メッキ端子用ビアホール

Claims (10)

1. 半導体レーザ素子実装面、受光素子実装面および集積回路素子実装面を有し、かつ複数の端子部を有する光伝送モジュール用配線領域が、複数個、設けられたプリント基板と、
   各光伝送モジュール用配線領域の間に設けられ、各光伝送モジュール用配線領域の所定の端子部同士のみが互いに電気的に接続し、他の端子部とは電気的に接続していない、複数のモジュール間配線と、
   前記モジュール間配線の少なくとも１つに形成され、該モジュール間配線を通して各光伝送モジュール用配線領域内の所定の端子部のみに通電する、少なくとも１つのプリント基板用端子部と、を備えた光伝送モジュール用プリント基板。
2. 各光伝送モジュール配線領域ごとに、
   前記半導体レーザ素子実装面の上に半導体レーザ素子が実装され、前記受光素子実装面の上に受光素子が実装され、前記集積回路素子実装面の上に集積回路素子が実装され、
   前記半導体レーザ素子、受光素子、集積回路素子を覆うように樹脂モールドが形成され、
   これによって、各光伝送モジュール配線領域ごとに光伝送モジュールが形成されている請求項１に記載の光伝送モジュール用プリント基板。
3. 前記各光伝送モジュールは、少なくとも、前記集積回路素子のｐ側、ｎ側のそれぞれに対し電気的に接続する集積回路素子用端子部を有し、
   かつ、前記集積回路素子と前記半導体レーザ素子の間は、該集積回路素子により半導体レーザ素子の動作を制御できるように配線され、
   前記モジュール間配線の一つまたは幾つかは、前記集積回路素子のｐ側に対し電気的に接続している全ての集積回路素子用端子部と第１のプリント基板用端子部が電気的に接続するように形成され、
   前記モジュール間配線の他の一つまたは幾つかは、前記集積回路素子のｎ側に対し電気的に接続している全ての集積回路素子用端子部と、前記第１のプリント基板用端子部とは別の第２のプリント基板用端子部が電気的に接続するように形成されている、請求項２の光伝送モジュール用プリント基板。
4. 前記各光伝送モジュールは、少なくとも、前記半導体レーザ素子のｐ側、ｎ側のそれぞれに対し電気的に接続する半導体レーザ素子用端子部を有し、
   前記モジュール間配線の一つまたは幾つかは、前記半導体レーザ素子のｐ側に対し電気的に接続している全ての半導体レーザ素子用端子部と第３のプリント基板用端子部が電気的に接続するように形成され、
   前記モジュール間配線の他の一つまたは幾つかは、前記半導体レーザ素子のｎ側に対し電気的に接続している全ての半導体レーザ素子用端子部と、前記第３のプリント基板用端子部とは別の第４のプリント基板用端子部が電気的に接続するように形成されている、請求項２の光伝送モジュール用プリント基板。
5. （１） 半導体レーザ素子実装面、受光素子実装面および集積回路素子実装面を有し、かつ複数の端子部を有する光伝送モジュール用配線領域が、複数個、設けられたプリント基板と、
   各光伝送モジュール用配線領域の間に設けられ、各光伝送モジュール用配線領域の所定の端子部同士のみが互いに電気的に接続し、他の端子部とは電気的に接続していない、複数のモジュール間配線と、
   前記モジュール間配線の少なくとも１つに形成され、該モジュール間配線を通して各光伝送モジュール用配線領域内の所定の端子部のみに通電する、少なくとも１つのプリント基板用端子部と、を備えた光伝送モジュール用プリント基板を準備する工程と、
   （２） 各光伝送モジュール配線領域ごとに、
   前記半導体レーザ素子実装面の上に半導体レーザ素子を実装し、前記受光素子実装面の上に受光素子を実装し、前記集積回路素子実装面の上に集積回路素子を実装し、
   前記半導体レーザ素子、受光素子、集積回路素子を覆うように樹脂モールドを形成し、
   これによって、各光伝送モジュール配線領域ごとに光伝送モジュールを形成する工程と、
   （３） 前記プリント基板用端子に通電することで、複数の半導体レーザ素子を同時に、所定時間駆動させる工程と、
   （４） 前記光伝送モジュール用プリント基板から各光伝送モジュールを分割して取り出す工程と、
   を備えた光伝送モジュールの製造方法。
6. 複数の半導体レーザ素子を同時に所定時間駆動させる前記工程においては、
   前記プリント基板用端子部に対して定電圧で通電を行って前記各集積回路素子を動作させ、前記各集積回路素子により各半導体レーザ素子を駆動させることを特徴とする、請求項５に記載の光伝送モジュールの製造方法。
7. 複数の半導体レーザ素子を同時に所定時間駆動させる前記工程においては、
   前記プリント基板用端子部に対して通電を行って、各半導体レーザ素子を直接駆動させることを特徴とする請求項５に記載の光伝送モジュールの製造方法。
8. 前記光伝送モジュール用プリント基板上の半導体レーザ素子のうちの隣接する幾つかに対し直列に電流を流し、隣接する半導体レーザ素子を同じ電流値で駆動させることを特徴とする請求項７に記載の光伝送モジュールの製造方法。
9. 前記半導体レーザ素子を所定時間駆動させる工程より後において、前記半導体レーザ素子を駆動させて発光特性を評価し、所定の特性の得らえる光伝送モジュールを判別する工程を有することを特徴とする請求項５から８のいずれか１項に記載の光伝送モジュールの製造方法。
10. 前記半導体レーザ素子の発光特性を評価する工程は、光伝送モジュールを分割して取り出す工程のあとに行うことを特徴とする請求項９に記載の光伝送モジュールの製造方法。
    
    

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