JP2009128227A - Infrared detector - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an infrared detector capable of miniaturizing, thinning, and preventing degradation of detection sensitivity. <P>SOLUTION: The infrared detector A comprises a circuit block 3 to which mounting surface 33a a heat detection element 1 is mounted and an electronic component 20 of an electronic circuit element 2 is embedded and a metal package consisting of a stem 4 and a cap 5 to house them; a terminal pin 6 for outputting a detected signal is provided to penetrate between the surface of the stem 4 opposite to the side of the circuit block and the mounting surface 33a of the heat detection element 1 in the circuit block 3 and electrically connected with the circuit block 3 at the mounting surface 33a; a filter 9 formed of a conductive material and transmissive for infrared radiation is attached to the cap 5 in a manner to block a lighting window aperture 5a and capable of communicating with the cap 5; and a shielding conductor pattern 33f is formed around the terminal pin 6 in the mounting surface 33a. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、人体検知などに用いる赤外線検出器に関するものである。   The present invention relates to an infrared detector used for human body detection and the like.

従来から、人体検知などに用いる赤外線検出器が種々提供されており、このような赤外線検出器では、人体より放射された赤外線の変化量を検出する熱検出素子(赤外線検出素子、熱線検出素子ともいう)として、焦電効果を利用した焦電素子がよく用いられている。   Conventionally, various infrared detectors used for human body detection and the like have been provided. In such infrared detectors, heat detection elements (infrared detection elements and heat ray detection elements) that detect the amount of infrared radiation emitted from the human body are provided. Pyroelectric elements using the pyroelectric effect are often used.

この種の赤外線検出器としては、人体の動作により発生した赤外線をレンズにより焦電素子の受光部に集光させ、赤外線の変化に応じて発生する焦電素子の分極による信号を電流電圧変換回路で電圧信号に変換した後、バンドパスアンプで所定の周波数帯域を選択的に増幅し、予め閾値を設定しているウィンドウコンパレータから”H”レベルまたは”L”レベルの検出信号を出力するものが提案されている。このような赤外線検出器の検出信号は、防犯用の侵入検知や、照明などの負荷制御に利用されている。   As this type of infrared detector, the infrared rays generated by the action of the human body are condensed on the light receiving part of the pyroelectric element by the lens, and the signal due to the polarization of the pyroelectric element generated according to the change of the infrared ray is converted into a current-voltage conversion circuit. After the signal is converted into a voltage signal, a predetermined frequency band is selectively amplified by a band-pass amplifier, and a detection signal of “H” level or “L” level is output from a window comparator in which a threshold is set in advance. Proposed. The detection signal of such an infrared detector is used for intrusion detection for crime prevention and load control such as lighting.

特許文献1には、図14(a)〜(c)に示すように、樹脂成型品で製作される3次元回路ブロック(MID基板)100に、焦電素子からなる熱検出素子110とバンドパスアンプやウィンドウコンパレータを構成する電子回路素子120を実装し、キャップ130とステム140からなるパッケージ内に収納して封止することにより、小型化を図った赤外線検出器Aが開示されている。なお、図14(b),(c)中150は外部回路との接続に使用される端子ピン(つまり、電源供給用の端子ピン、グラウンド用の端子ピン、検出信号出力用の端子ピン)、131は赤外線を熱検出素子110に入射させるためにキャップ130に設けられた赤外線通過窓で、この赤外線通過窓131には所定の周波数域の赤外線のみを通過させるバンドパス型の光学フィルタ160が装着される。   In Patent Document 1, as shown in FIGS. 14A to 14C, a three-dimensional circuit block (MID substrate) 100 made of a resin molded product has a heat detection element 110 made of a pyroelectric element and a bandpass. An infrared detector A is disclosed that is miniaturized by mounting an electronic circuit element 120 constituting an amplifier or window comparator, and enclosing and sealing it in a package made up of a cap 130 and a stem 140. In FIGS. 14B and 14C, reference numeral 150 denotes a terminal pin used for connection to an external circuit (that is, a terminal pin for power supply, a terminal pin for ground, a terminal pin for detection signal output), Reference numeral 131 denotes an infrared passage window provided in the cap 130 for allowing infrared rays to enter the heat detection element 110. The infrared passage window 131 is provided with a band-pass optical filter 160 that allows only infrared rays in a predetermined frequency range to pass. Is done.

3次元回路ブロック100は、表立面と裏立面とを形成した縦方向に起立する縦長のブロックとなっており、立面には電子回路素子120を実装し、上部には熱検出素子110の熱絶縁をとるための空間を作る凹部101を一体形成し、熱検出素子110は凹部101を跨ぐ形で3次元回路ブロック100に実装される。凹部101によって、赤外線を受光する熱検出素子110の部位と3次元回路ブロック100とが接触しないようになるから、熱検出素子110が赤外線を受光したときに赤外線のエネルギが逃げず、感度を高めることができる。   The three-dimensional circuit block 100 is a vertically long block that has a vertical surface and a vertical surface, and has an electronic circuit element 120 mounted on the vertical surface and a heat detection element 110 on the top. A recess 101 that creates a space for heat insulation is integrally formed, and the heat detection element 110 is mounted on the three-dimensional circuit block 100 across the recess 101. The concave portion 101 prevents the portion of the heat detection element 110 that receives infrared rays from coming into contact with the three-dimensional circuit block 100. Therefore, when the heat detection element 110 receives infrared rays, the infrared energy does not escape and the sensitivity is increased. be able to.

また、特許文献1に示すものでは、図14(b),(c)に示すように、金属製のキャップ130と、ステム140からなるパッケージ(CANパッケージ)内に熱検出素子110および3次元回路ブロック100を収納することによって、熱検出素子110および3次元回路ブロック100を外来ノイズからシールドしている。これは、熱検出素子110の電荷は非常に微小であるから、アンプなどを利用して非常に大きな増幅を行う必要があり、熱検出素子110の出力に僅かでもノイズが入ると、上記アンプによってノイズも増幅され、本来の信号とノイズとの区別が困難となってしまうためである。
特許第3211074号公報(特に、段落〔0018〕〜〔0021〕、および図6〜図13参照)
Moreover, in what is shown in patent document 1, as shown in FIG.14 (b), (c), in the package (CAN package) which consists of metal caps 130 and stems 140, the heat detection element 110 and the three-dimensional circuit By housing the block 100, the heat detection element 110 and the three-dimensional circuit block 100 are shielded from external noise. This is because the charge of the heat detection element 110 is very small, and therefore it is necessary to perform a very large amplification using an amplifier or the like. This is because noise is also amplified, making it difficult to distinguish the original signal from noise.
Japanese Patent No. 3211074 (see paragraphs [0018] to [0021] and FIGS. 6 to 13 in particular)

上述した特許文献1に示す赤外線検出器Aでは、3次元回路ブロック100に熱検出素子110を浮かすための凹部101を直接形成しているため、部品点数削減や低コスト化が図れる。また、特許文献1に示す赤外線検出器Aは、熱検出素子110とバンドパスアンプの入力部までの距離を短くすることができるため、外来ノイズが入り難くなり、ノイズに強い構成となる。さらに、熱検出素子110と3次元回路ブロック100を金属製のキャップ130とステム140からなるパッケージ内に収納しているから、外来ノイズに非常に強い構成が実現できるという利点がある。また、バンドパスアンプやウィンドウコンパレータをIC化することも可能となるから、一層の小型化が図れる。   In the infrared detector A shown in Patent Document 1 described above, since the concave portion 101 for floating the heat detection element 110 is directly formed in the three-dimensional circuit block 100, the number of parts can be reduced and the cost can be reduced. In addition, since the infrared detector A shown in Patent Document 1 can shorten the distance between the heat detection element 110 and the input part of the band-pass amplifier, it is difficult for external noise to enter and has a configuration that is resistant to noise. Further, since the heat detection element 110 and the three-dimensional circuit block 100 are housed in a package including the metal cap 130 and the stem 140, there is an advantage that a configuration extremely resistant to external noise can be realized. In addition, since the bandpass amplifier and the window comparator can be integrated into an IC, further miniaturization can be achieved.

しかしながら、この特許文献1に示す赤外検出器Aでは、3次元回路ブロック100が縦長で起立して表立面と裏立面とを形成した回路部に電子部品やICを実装しているため、パッケージが縦長になってしまう。   However, in the infrared detector A shown in Patent Document 1, an electronic component or an IC is mounted on a circuit portion in which the three-dimensional circuit block 100 stands vertically and forms a front surface and a back surface. , The package becomes vertically long.

そのため、特許文献1に示す赤外線検出器Aでは、当該赤外線検出器Aを取り付ける機器の厚みが制限されるために、薄型化が困難になり、このような機器を小型化、薄型化したいという要請には十分に応えることができていなかった
ここで、3次元回路ブロック100を小型化して赤外線検出器Aの大きさを全体的に小さくしようとした場合、以下の2つの問題があった。
Therefore, in the infrared detector A shown in Patent Document 1, since the thickness of the device to which the infrared detector A is attached is limited, it is difficult to reduce the thickness, and there is a request for reducing the size and thickness of such a device. Here, when the three-dimensional circuit block 100 was downsized to reduce the size of the infrared detector A as a whole, there were the following two problems.

1つ目は、電子回路要素を実装するための回路スペースが不足するという問題である。つまり上述の3次元回路ブロック100では、上記表立面および上記裏立面を形成した部分を電子回路要素実装用の回路スペースとしているが、3次元回路ブロック100を単純に小型化すると、当然に上記回路スペースが狭くなり、十分なスペースを確保することができなくなってしまう。そのため、単純に3次元回路ブロック100を小型化することができなかった。   The first problem is that the circuit space for mounting the electronic circuit elements is insufficient. That is, in the above-described three-dimensional circuit block 100, the portion where the front and back surfaces are formed is used as a circuit space for mounting electronic circuit elements, but when the three-dimensional circuit block 100 is simply reduced in size, naturally The circuit space is narrowed, and a sufficient space cannot be secured. Therefore, the three-dimensional circuit block 100 cannot be simply reduced in size.

2つ目は、熱検出素子110と検出信号の出力部(検出信号出力用の端子ピン)または電源供給用の入力部(電源供給用の端子ピン)との距離が近くなることに起因する問題である。つまり熱検出素子110の電荷の変化は非常に微弱なため、後段の回路(上記の例ではバンドパスアンプ)では、フェムトアンペアレベルの電流変化を数百ミリボルトレベルに増幅して出力しており、また供給される電源電圧には、商用電源からの重畳ノイズや携帯電話からの輻射ノイズなどの外来(外乱)ノイズも重畳されているから、検出信号出力用の端子ピンや電源供給用の端子ピンと熱検出素子との距離が近付くと、これらの間で容量結合が生じ、これによって、発振現象や周波数特性の劣化などの現象が発生し、検出感度が劣化してしまうという問題が生じる。そのため、熱検出素子110と検出信号の出力部または電源供給用の入力部とを十分に離す必要があり、これが小型化の妨げとなっていた。   The second problem is that the distance between the heat detection element 110 and the detection signal output unit (terminal pin for detection signal output) or the input unit for power supply (terminal pin for power supply) is short. It is. That is, since the change in the electric charge of the heat detection element 110 is very weak, the subsequent circuit (the bandpass amplifier in the above example) amplifies the femtoampere level current change to the level of several hundred millivolts and outputs it. In addition, external power supply voltage (superimposed noise from commercial power supply and radiation noise from mobile phone) is also superimposed on the supplied power supply voltage, so detection signal output terminal pins and power supply terminal pins When the distance to the heat detection element approaches, capacitive coupling occurs between them, which causes a problem such as an oscillation phenomenon or a deterioration in frequency characteristics, resulting in a problem that the detection sensitivity is deteriorated. Therefore, it is necessary to sufficiently separate the heat detection element 110 from the detection signal output unit or the power supply input unit, which hinders downsizing.

本発明は、上述の点に鑑みて為されたものであって、その目的は、小型化、薄型化が図れ、しかも検出感度の劣化を防止できる赤外線検出器を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an infrared detector that can be reduced in size and thickness, and can prevent deterioration in detection sensitivity.

上述の目的を達成するために、請求項1の発明では、熱検出素子および当該熱検出素子用の駆動回路を構成する電子回路要素を有した回路ブロックと、当該回路ブロックが取り付けられるステムおよびステムとの間に回路ブロックを収納する形でステムに被着されるキャップからなる金属製のパッケージとを備え、回路ブロックは、電子回路要素の少なくとも一部が埋設された第1の樹脂層と、第1の樹脂層におけるステム側とは反対側にシールド層を介して設けられた第2の樹脂層とを有し、第2の樹脂層におけるシールド層側とは反対側の一面からなる熱検出素子用の搭載面には、熱絶縁用の凹所が形成され、熱検出素子は、熱絶縁用の凹所を跨ぐ形で上記搭載面に実装され、キャップにおいて熱検出素子と対向する部位には、採光用の窓孔が形成され、キャップには、導電性を有する材料からなり赤外線を透過させるフィルタが窓孔を閉塞するとともに、キャップと導通可能な形で取り付けられた赤外線検出器であって、パッケージに収納された回路ブロックの駆動回路と外部回路とを電気的に接続する端子ピンは、ステムにおける第1の樹脂層側とは反対面と、上記搭載面との間を貫通する形に設けられ、上記搭載面において回路ブロックと電気的に接続され、上記搭載面における端子ピンの周辺には、シールド用の導体パターンが形成されていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, in the invention of claim 1, a circuit block having a heat detection element and an electronic circuit element constituting a drive circuit for the heat detection element, and a stem and a stem to which the circuit block is attached And a metal package made of a cap attached to the stem so as to accommodate the circuit block between the first resin layer in which at least a part of the electronic circuit element is embedded, A second resin layer provided on a side opposite to the stem side of the first resin layer via a shield layer, and heat detection comprising one surface of the second resin layer opposite to the shield layer side A recess for heat insulation is formed on the mounting surface for the element, and the heat detection element is mounted on the mounting surface so as to straddle the recess for heat insulation, and is located at a portion of the cap facing the heat detection element. For daylighting A hole is formed, and the cap is an infrared detector that is made of a conductive material and transmits infrared rays, closes the window hole, and is connected to the cap so as to be electrically connected to the cap. The terminal pin for electrically connecting the drive circuit of the circuit block and the external circuit is provided so as to penetrate between the surface opposite to the first resin layer side of the stem and the mounting surface. The surface is electrically connected to the circuit block, and a shielding conductor pattern is formed around the terminal pin on the mounting surface.

請求項1の発明によれば、電子回路要素を第1の樹脂層に埋設しているので、立設方向の小型化の障害となっていた電子回路要素を実装するためのスペース(実装面積)の確保することができるから、3次元回路ブロックを用いる従来例に比べて大幅な小型化、薄型化を図ることができる。しかも熱検出素子の熱絶縁用の凹所を第2の樹脂層に直接的に形成しているから、部品点数削減や低コスト化が図れ、その上、電子回路要素を実装する回路基板として微細なファインピッチの回路を一般の回路基板の形成方法で形成できるプリント基板や薄い銅箔を使用した基板を用いて、回路ブロックをプレスによって容易に製造可能な多層基板構造とすることができる。また、端子ピンは熱検出素子の搭載面において回路ブロックと電気的に接続されるから、熱検出素子と回路ブロックとの接合(熱検出素子の回路ブロックへの実装)と、端子ピンと回路ブロックとの接合とを同じ工程で行うことができて、工程数を削減することができる上に、各接合状態の検査を目視により行うことができて製造工程での検査が容易になり、製造コストを低減することができる(ローコスト化が図れる)。また、第1の樹脂層と第2の樹脂層との間にシールド層を介在することで、電子回路要素で発生したノイズが熱検出素子の検出出力に重畳されることを防止することができる。   According to the first aspect of the invention, since the electronic circuit element is embedded in the first resin layer, a space (mounting area) for mounting the electronic circuit element that has been an obstacle to downsizing in the standing direction. Therefore, the size and thickness can be significantly reduced as compared with the conventional example using the three-dimensional circuit block. In addition, since the recess for heat insulation of the heat detection element is directly formed in the second resin layer, the number of parts can be reduced and the cost can be reduced, and the circuit board for mounting the electronic circuit elements can be fine. A circuit board can be made into a multilayer board structure that can be easily manufactured by pressing using a printed board or a board using a thin copper foil that can form a fine pitch circuit by a general circuit board forming method. In addition, since the terminal pin is electrically connected to the circuit block on the mounting surface of the heat detection element, the connection between the heat detection element and the circuit block (mounting the heat detection element on the circuit block), the terminal pin and the circuit block, Can be performed in the same process, the number of processes can be reduced, and inspection of each bonding state can be performed by visual inspection, which facilitates the inspection in the manufacturing process and reduces the manufacturing cost. It can be reduced (low cost can be achieved). Further, by interposing a shield layer between the first resin layer and the second resin layer, it is possible to prevent noise generated in the electronic circuit element from being superimposed on the detection output of the heat detection element. .

さらに、ステムおよびキャップにより構成した金属製のパッケージに回路ブロックを収納し、キャップの窓孔を導電性を有するフィルタで閉塞するとともに、当該フィルタとキャップとを電気的に接続しているから、外来ノイズの影響を低減できるとともに、熱検出素子と端子ピンとがパッケージ内の空間部を経由して容量結合してしまうことを抑制することができ、その上、搭載面にシールド用の導体パターンを設けているので、熱検出素子と端子ピンとの容量結合をさらに抑制することが可能となり、検出感度の劣化を防止することができ、耐ノイズ性を向上することができる。   Furthermore, the circuit block is housed in a metal package composed of a stem and a cap, the cap window hole is closed with a conductive filter, and the filter and the cap are electrically connected. In addition to reducing the effects of noise, it is possible to suppress capacitive coupling between the heat detection element and the terminal pin via the space in the package, and a conductive pattern for shielding is provided on the mounting surface. Therefore, capacitive coupling between the heat detection element and the terminal pin can be further suppressed, detection sensitivity can be prevented from being deteriorated, and noise resistance can be improved.

請求項2の発明では、請求項1の発明において、上記導体パターンは、上記端子ピンにおける上記熱検出素子側とは反対側を除いて上記端子ピンを囲う形に形成されていることを特徴とする。   According to a second aspect of the invention, in the first aspect of the invention, the conductor pattern is formed to surround the terminal pin except for the side opposite to the heat detection element side of the terminal pin. To do.

請求項2の発明によれば、最もシールドが必要である端子ピンと熱検出素子との間に、導体パターンが設けられているから、導体パターンのシールド性能の低下を抑制しながらも、導体パターンを配置する部位の省スペース化が図れ、回路ブロックの小型化が図れ、しかも、導体パターンが設けられていない端子ピンにおける熱検出素子側とは反対側において端子ピンと回路ブロックとの接続を行うことで、この接続に使用する導電性接着剤などによって端子ピンと導体パターンとが短絡してしまうことを抑制できる。   According to the invention of claim 2, since the conductor pattern is provided between the terminal pin and the heat detection element that need the most shielding, the conductor pattern is reduced while suppressing the deterioration of the shielding performance of the conductor pattern. Space saving of the part to be arranged can be achieved, the circuit block can be reduced in size, and the terminal pin and the circuit block can be connected on the side opposite to the heat detection element side of the terminal pin not provided with the conductor pattern. The terminal pin and the conductor pattern can be prevented from being short-circuited by a conductive adhesive or the like used for this connection.

請求項3の発明では、請求項1または2の発明において、上記導体パターンの電位はグラウンド電位であることを特徴とする。   According to a third aspect of the invention, in the first or second aspect of the invention, the potential of the conductor pattern is a ground potential.

請求項3の発明によれば、回路上最も良く使用されるグラウンドに導体パターンを接続するだけでよいから、導体パターンの配線作業が容易であり、容量結合を防止することができる。   According to the invention of claim 3, since it is only necessary to connect the conductor pattern to the ground that is most often used on the circuit, the wiring work of the conductor pattern is easy, and capacitive coupling can be prevented.

請求項4の発明では、請求項1または2の発明において、上記導体パターンの電位は所定の定電位であることを特徴とする。   According to a fourth aspect of the present invention, in the first or second aspect of the invention, the potential of the conductor pattern is a predetermined constant potential.

請求項4の発明によれば、容量結合を防止することができる。   According to the invention of claim 4, capacitive coupling can be prevented.

請求項5の発明では、請求項1または2の発明において、上記導体パターンの電位は上記熱検出素子用の基準電位であることを特徴とする。   According to a fifth aspect of the present invention, in the first or second aspect of the present invention, the potential of the conductor pattern is a reference potential for the heat detection element.

請求項5の発明によれば、容量結合を防止することができ、しかも、熱検出素子に基準電位を与えるための電極は、回路ブロックの搭載面に形成されるものであるから、同じ搭載面に形成される導体パターンとの接続が容易に行える。   According to the invention of claim 5, since capacitive coupling can be prevented and the electrode for applying the reference potential to the heat detection element is formed on the mounting surface of the circuit block, the same mounting surface Can be easily connected to the conductor pattern formed on the substrate.

請求項6の発明では、請求項1〜5のうちいずれか1項の発明において、上記熱検出素子は、焦電体を検出用電極と基準電位用電極とで挟み込んでなる複数のセンシングエレメントを有し、複数のセンシングエレメントのうち上記端子ピンに最も近いセンシングエレメントは、焦電体に対して基準電位用電極が上記第2の樹脂層側とは反対側に位置していることを特徴とする。   According to a sixth aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to fifth aspects, the thermal detection element comprises a plurality of sensing elements formed by sandwiching a pyroelectric body between a detection electrode and a reference potential electrode. And the sensing element closest to the terminal pin among the plurality of sensing elements is characterized in that the reference potential electrode is located on the side opposite to the second resin layer side with respect to the pyroelectric body. To do.

請求項6の発明によれば、パッケージ内の空間部により端子ピンと検出用電極とが容量結合してしまうことを防止できる。   According to the invention of claim 6, it is possible to prevent the terminal pin and the detection electrode from being capacitively coupled by the space portion in the package.

請求項7の発明では、請求項1〜5のうちいずれか1項の発明において、上記熱検出素子は、焦電体を検出用電極と基準電位用電極とで挟み込んでなる複数のセンシングエレメントを有し、複数のセンシングエレメントのうち上記端子ピンに最も近いセンシングエレメントは、焦電体に対して基準電位用電極が上記第2の樹脂層側に位置していることを特徴とする。   According to a seventh aspect of the present invention, in the invention according to any one of the first to fifth aspects, the thermal detection element comprises a plurality of sensing elements formed by sandwiching a pyroelectric body between a detection electrode and a reference potential electrode. And the sensing element closest to the terminal pin among the plurality of sensing elements is characterized in that the reference potential electrode is located on the second resin layer side with respect to the pyroelectric body.

請求項7の発明によれば、第2の樹脂層により端子ピンと検出用電極とが容量結合してしまうことを防止できる。   According to the invention of claim 7, it is possible to prevent the terminal pin and the detection electrode from being capacitively coupled by the second resin layer.

請求項8の発明では、請求項1〜7のうちいずれか1項の発明において、上記導体パターンを絶縁部で被覆していることを特徴とする。   The invention of claim 8 is characterized in that, in the invention of any one of claims 1 to 7, the conductor pattern is covered with an insulating portion.

請求項8の発明によれば、端子ピンと回路ブロックとの接続に使用する導電性接着剤などによって端子ピンと導体パターンとが短絡してしまうことを防止できる。   According to invention of Claim 8, it can prevent that a terminal pin and a conductor pattern short-circuit by the conductive adhesive etc. which are used for the connection of a terminal pin and a circuit block.

請求項9の発明では、請求項1〜8のうちいずれか1項の発明において、上記導体パターンは、上記駆動回路の検出信号出力用の端子ピンの周辺に形成されていることを特徴とする。   The invention according to claim 9 is the invention according to any one of claims 1 to 8, wherein the conductor pattern is formed around a terminal pin for detection signal output of the drive circuit. .

請求項9の発明によれば、熱検出素子と、検出信号出力用の端子ピンとの容量結合を導体パターンによるシールド効果によって防ぐことができ、その結果感度劣化の防止や耐ノイズ性の向上が図れる。特に、検出信号出力用の端子ピンは容量結合によって熱検出素子に与える影響が大きいため、検出信号出力用の端子ピンと熱検出素子との容量結合を防止することで、より一層の感度劣化の防止が図れる。   According to the ninth aspect of the present invention, capacitive coupling between the heat detection element and the detection signal output terminal pin can be prevented by the shielding effect of the conductor pattern, and as a result, sensitivity deterioration can be prevented and noise resistance can be improved. . In particular, the detection signal output terminal pin has a great influence on the heat detection element due to capacitive coupling. Therefore, by preventing capacitive coupling between the detection signal output terminal pin and the heat detection element, further deterioration in sensitivity can be prevented. Can be planned.

本発明は、電子回路要素を第1の樹脂層に埋設しているので、3次元回路ブロックを用いる従来例に比べて大幅な小型化、薄型化を図ることができるという効果を奏し、さらに、シールド用の導体パターンにより熱検出素子と端子ピンとの容量結合を抑制することができるから、検出感度の劣化を防止することができ、耐ノイズ性を向上することができるという効果を奏する。   In the present invention, since the electronic circuit element is embedded in the first resin layer, there is an effect that it can be significantly reduced in size and thickness as compared with the conventional example using the three-dimensional circuit block. Since the capacitive coupling between the heat detection element and the terminal pin can be suppressed by the shield conductor pattern, the detection sensitivity can be prevented from being deteriorated, and the noise resistance can be improved.

上記効果に加えて、本発明は、熱検出素子の熱絶縁用の凹所を第2の樹脂層に直接的に形成したことにより部品点数削減や低コスト化を図ることがで、回路ブロックをプレスによって容易に製造可能な多層基板構造とすることができ、熱検出素子と回路ブロックとの接合(熱検出素子の回路ブロックへの実装)と端子ピンと回路ブロックとの接合とを同じ工程で行うことができて工程数を削減することができ、各接合状態の検査を目視により行うことができて製造工程での検査が容易になり、回路ブロック3を金属製のパッケージに収納するにあたりキャップの窓孔を導電性を有するフィルタで閉塞するとともに当該フィルタとキャップとを電気的に接続しているから外来ノイズの影響を低減でき、第1の樹脂層と第2の樹脂層との間に介在させたシールド層により電子回路要素で発生したノイズが熱検出素子の検出出力に重畳されることを防止できるという効果を奏する。   In addition to the effects described above, the present invention can reduce the number of parts and reduce the cost by forming a recess for heat insulation of the heat detection element directly in the second resin layer. A multilayer substrate structure that can be easily manufactured by pressing can be obtained, and bonding of the heat detection element and the circuit block (mounting of the heat detection element to the circuit block) and bonding of the terminal pin and the circuit block are performed in the same process. The number of processes can be reduced, inspection of each joining state can be performed by visual inspection, the inspection in the manufacturing process becomes easy, and the cap of the circuit block 3 is stored in the metal package. Since the window hole is closed with a conductive filter and the filter and the cap are electrically connected, the influence of external noise can be reduced, and the filter is interposed between the first resin layer and the second resin layer. The shielding layer in which an effect that noise generated by the electronic circuitry can be prevented from being superimposed on the detection output of the thermal detection element.

本発明の一実施形態の赤外線検出器Aは、図1(a)〜(c)に示すように、熱検出素子1および当該熱検出素子用の駆動回路(図5参照)を構成する電子回路要素(チップ)を有した回路ブロック3と、当該回路ブロック3が固定されるステム4およびステム4との間に回路ブロック3を収納する形でステム4に被着されるキャップ5からなる金属製のパッケージとを備えている。なお、以下の説明では、説明の簡略化のために、ステム4において回路ブロック3が取り付けられる側(図1(a)における上側)を赤外線検出器Aの上側と規定する。   As shown in FIGS. 1A to 1C, an infrared detector A according to an embodiment of the present invention is an electronic circuit that constitutes a heat detection element 1 and a drive circuit for the heat detection element (see FIG. 5). A metal block comprising a circuit block 3 having elements (chips), a stem 4 to which the circuit block 3 is fixed, and a cap 5 attached to the stem 4 so as to house the circuit block 3 And package. In the following description, for simplification of description, the side on which the circuit block 3 is attached in the stem 4 (upper side in FIG. 1A) is defined as the upper side of the infrared detector A.

熱検出素子1は、図2および図3に示すように、焦電体10を検出用電極11と基準電位用電極12とで挟み込んでなる複数(本実施形態では4つ)のセンシングエレメント1aを有する、所謂クワッド型のものである。なお、以下の説明では、4つのセンシングエレメント1aを区別するために、必要に応じて符号1a〜1aで表す。 As shown in FIGS. 2 and 3, the heat detection element 1 includes a plurality (four in this embodiment) of sensing elements 1 a formed by sandwiching a pyroelectric body 10 between a detection electrode 11 and a reference potential electrode 12. It has a so-called quad type. In the following description, to distinguish the four sensing elements 1a, represented by reference numeral 1a 1 to 1A 4 as necessary.

焦電体10は、焦電材料(一例としてはPZT)により略正方形の板状に形成されており、その厚み方向における両面それぞれに、検出用電極11と、基準電位用電極12が2つずつ形成されている。2つの検出用電極11と、2つの基準電位用電極12とは、2×2のマトリクス状に配列され、同種の電極11,12は焦電体10の対角線上に位置している(図2(a)においては、左上および右下に検出用電極11が位置し、左下および右上に基準電位用電極12が位置している)。また、図2(a),(b)に示すように、焦電体10の厚み方向一面側の検出用電極11は厚み方向他面側の基準電位用電極12と、厚み方向他面側の検出用電極11は厚み方向一面側の基準電位用電極12と、厚み方向においてそれぞれ重なる形に設けられている。そして、本実施形態における熱検出素子1においては、センシングエレメント1a,1aでは、図3(a)に示すように、検出用電極11が焦電体10の上側、基準電位用電極12が焦電体10の下側に位置し、センシングエレメント1a,1aでは、図3(b)に示すように、検出用電極11が焦電体10の下側、基準電位用電極12が焦電体10の上側に位置している。 The pyroelectric body 10 is formed in a substantially square plate shape by a pyroelectric material (for example, PZT), and two detection electrodes 11 and two reference potential electrodes 12 are provided on both surfaces in the thickness direction. Is formed. The two detection electrodes 11 and the two reference potential electrodes 12 are arranged in a 2 × 2 matrix, and the same type of electrodes 11 and 12 are positioned on the diagonal line of the pyroelectric body 10 (FIG. 2). In (a), the detection electrode 11 is located on the upper left and lower right, and the reference potential electrode 12 is located on the lower left and upper right). 2A and 2B, the detection electrode 11 on the one side in the thickness direction of the pyroelectric body 10 includes a reference potential electrode 12 on the other side in the thickness direction and a reference potential electrode 12 on the other side in the thickness direction. The detection electrode 11 is provided so as to overlap with the reference potential electrode 12 on one side in the thickness direction in the thickness direction. In the heat detection element 1 of the present embodiment, in the sensing elements 1a 1 and 1a 4 , as shown in FIG. 3A, the detection electrode 11 is on the upper side of the pyroelectric body 10, and the reference potential electrode 12 is As shown in FIG. 3B, in the sensing elements 1a 2 and 1a 3 located below the pyroelectric body 10, the detection electrode 11 is below the pyroelectric body 10, and the reference potential electrode 12 is pyroelectric. It is located on the upper side of the electric body 10.

焦電体10の厚み方向における両面それぞれの一辺(図2(a),(b)における左辺)には、検出用電極11と接続される検出用端子13が形成され、上記一辺とは反対側の他辺(図2(a),(b)における右辺)には、基準電位用電極12と接続される基準電位用端子14が形成されている。なお、各電極11,12および端子13,14は、スパッタ法などにより形成している。また、図2および図11以外では各電極11,12および端子13,14の図示を省略し、さらに、図2(b)および図11(b)では、図示の簡略化のために、厚み方向一面側の各電極11,12および端子13,14の図示を省略している。   A detection terminal 13 connected to the detection electrode 11 is formed on one side of each side of the pyroelectric body 10 in the thickness direction (the left side in FIGS. 2A and 2B), and is opposite to the one side. A reference potential terminal 14 connected to the reference potential electrode 12 is formed on the other side (the right side in FIGS. 2A and 2B). The electrodes 11 and 12 and the terminals 13 and 14 are formed by sputtering or the like. 2 and FIG. 11, the illustration of the electrodes 11 and 12 and the terminals 13 and 14 is omitted. Further, in FIG. 2B and FIG. 11B, in the thickness direction for simplification of illustration. The illustration of the electrodes 11 and 12 and the terminals 13 and 14 on the one surface side is omitted.

本実施形態における熱検出素子1では、検出用端子13と基準電位用端子14との間に、4つのセンシングエレメント1aが並列接続されている。なお、熱検出素子1は、上記の例に示すものに限られるものではなく、例えば2つのセンシングエレメント1aからなる直列回路を並列接続したものや、センシングエレメント1aを2つ備えた所謂デュアル型のものであってもよい。なお、熱検出素子1としては、焦電材料を利用したものの他に、サーモパイルやボロメータなどを利用したものを採用することができる。   In the heat detection element 1 in the present embodiment, four sensing elements 1 a are connected in parallel between the detection terminal 13 and the reference potential terminal 14. The heat detection element 1 is not limited to the one shown in the above example. For example, the heat detection element 1 is a so-called dual-type element in which a series circuit composed of two sensing elements 1a is connected in parallel, or two sensing elements 1a. It may be a thing. As the heat detection element 1, in addition to the one using a pyroelectric material, one using a thermopile or a bolometer can be adopted.

回路ブロック3は、図4に示すように、ガラスエポキシ基板などを用いて後述するステム4の搭載部4aの外径と同程度の外径を有する円盤状に形成された回路基板30を有している。回路基板30は、その厚み方向一面側(図2における上面側)に、電子回路要素となるチップ状の電子部品20が実装され、厚み方向他面側(図2における下面側)に、電子回路要素となる集積回路(以下、「IC」と略称する)21が実装されるようになっており、回路基板30の厚み方向両面それぞれには、上述した電子回路要素とともに熱検出素子1用の駆動回路を構成するための配線パターン(図示せず)が形成されている。なお、チップ状の電子部品20はリフロー半田付けなどにより回路基板30に実装され、IC21はフリップチップ実装により回路基板30に実装されている。   As shown in FIG. 4, the circuit block 3 includes a circuit board 30 formed in a disk shape having an outer diameter similar to the outer diameter of the mounting portion 4a of the stem 4 described later using a glass epoxy board or the like. ing. The circuit board 30 has a chip-like electronic component 20 to be an electronic circuit element mounted on one side in the thickness direction (upper surface side in FIG. 2), and an electronic circuit on the other side in the thickness direction (lower surface side in FIG. 2). An integrated circuit (hereinafter abbreviated as “IC”) 21 serving as an element is mounted, and a drive for the heat detection element 1 is provided on each of both sides in the thickness direction of the circuit board 30 together with the electronic circuit elements described above. A wiring pattern (not shown) for forming a circuit is formed. The chip-shaped electronic component 20 is mounted on the circuit board 30 by reflow soldering or the like, and the IC 21 is mounted on the circuit board 30 by flip chip mounting.

上記駆動回路は、図5に示すように、熱検出素子1の基準電位用電極12に与える基準電位(本実施形態では2V)を生成するとともに熱検出素子1の検出出力(グラウンドレベルに対して正、負のいずれかの方向のレベルを持つ検出出力)を増幅する電流増幅回路30aと、電流増幅回路30aの出力からノイズ成分を除去するためのバンドパスフィルタ30bと、バンドパスフィルタ30bから出力される検出出力のレベルと所定の閾値とを比較することで、”H”レベルあるいは”L”レベルの電圧からなる検出信号(図10参照)を出力するウィンドウコンパレータ30cとで構成されている。なお、人体検知を行う場合には、一般的に、1Hzくらいがピークの周波数応答が持たせられる。   As shown in FIG. 5, the drive circuit generates a reference potential (2 V in this embodiment) to be applied to the reference potential electrode 12 of the heat detection element 1 and detects the detection output of the heat detection element 1 (with respect to the ground level). (A detection output having a level in either positive or negative direction), a band-pass filter 30b for removing a noise component from the output of the current amplification circuit 30a, and an output from the band-pass filter 30b A window comparator 30c that outputs a detection signal (see FIG. 10) composed of a voltage of “H” level or “L” level by comparing the level of the detected output to a predetermined threshold value. When performing human body detection, generally, a frequency response having a peak of about 1 Hz is given.

回路基板30の厚み方向一面側には、第1の樹脂層31が設けられ、回路基板30の厚み方向一面側に実装されたチップ状の電子部品2は、第1の樹脂層31に埋設されることになる。第1の樹脂層31における回路基板30側(ステム4側)とは反対側には、シールド部32が設けられる。   A first resin layer 31 is provided on one side in the thickness direction of the circuit board 30, and the chip-shaped electronic component 2 mounted on one side in the thickness direction of the circuit board 30 is embedded in the first resin layer 31. Will be. A shield portion 32 is provided on the opposite side of the first resin layer 31 from the circuit board 30 side (stem 4 side).

このシールド部32は、回路基板30と同サイズの円形のガラスエポキシ基板などの絶縁基板32aの表面(図4における上面)にシールド層32bを形成したものである。さらに詳しく説明すると、シールド部32は、熱検出素子1の検出出力と電流増幅回路30aとの容量結合などによる発振現象を防ぐための金属箔(一例としては銅箔)からなるシールド層32bを絶縁基板32aの表面(本実施形態では、図4における上面に形成しているが、下面に形成してもよいし、上下両面に設けるようにしてもよい)に形成したものであり、グラウンド電位もしくは何らかの特定の電位を持たせることで、シールドとして作用する。なお、シールド層32bは、絶縁基板32aにおいて後述する貫通孔3aおよびスルーホール3bが形成される場所を避けて形成されている。なお、シールド部32としては、絶縁基板32aにシールド層32bを形成したものに限らず、シールド層32bを第1の樹脂層31にメッキなどにより直接的に形成したものであってもよい。   The shield portion 32 is obtained by forming a shield layer 32b on the surface (the upper surface in FIG. 4) of an insulating substrate 32a such as a circular glass epoxy substrate having the same size as the circuit board 30. More specifically, the shield part 32 insulates the shield layer 32b made of a metal foil (for example, a copper foil) for preventing an oscillation phenomenon caused by capacitive coupling between the detection output of the heat detection element 1 and the current amplification circuit 30a. It is formed on the surface of the substrate 32a (in this embodiment, it is formed on the upper surface in FIG. 4, but it may be formed on the lower surface or on both upper and lower surfaces). By having some specific potential, it acts as a shield. The shield layer 32b is formed so as to avoid a place where a through hole 3a and a through hole 3b described later are formed in the insulating substrate 32a. The shield part 32 is not limited to the shield layer 32b formed on the insulating substrate 32a, and the shield layer 32b may be formed directly on the first resin layer 31 by plating or the like.

シールド部32の表面側(シールド部32における第1の樹脂層31側とは反対側)には、第2の樹脂層33が設けられ、この第2の樹脂層33におけるシールド部32側とは反対側の一面が、熱検出素子1を搭載する搭載面33aとして用いられる。   A second resin layer 33 is provided on the surface side of the shield part 32 (on the opposite side of the shield part 32 from the first resin layer 31 side). What is the shield part 32 side of the second resin layer 33? One surface on the opposite side is used as a mounting surface 33a on which the heat detection element 1 is mounted.

本実施形態における回路ブロック3は、上述のように回路基板30に積層された第1の樹脂層31と、第1の樹脂層31に積層されたシールド部32と、シールド部32に積層された第2の樹脂層33とからなる多層構造の基板ユニットを有し、この基板ユニットでは、回路基板30に実装されたチップ状の電子部品20が第1の樹脂層31に内蔵され(埋め込まれ)るので、回路ブロック3全体の薄型化が図れる。   As described above, the circuit block 3 in the present embodiment includes the first resin layer 31 laminated on the circuit board 30, the shield part 32 laminated on the first resin layer 31, and the shield part 32. A board unit having a multilayer structure composed of the second resin layer 33 is provided, and in this board unit, the chip-like electronic component 20 mounted on the circuit board 30 is embedded (embedded) in the first resin layer 31. Therefore, the entire circuit block 3 can be reduced in thickness.

このような基板ユニットには、3つの端子ピン(電源供給用の端子ピン、グラウンド用の端子ピン、検出信号出力用の端子ピン)6それぞれが貫挿される貫挿孔3aが厚み方向に貫設されるとともに、焦電素子1(焦電素子1の検出用端子13および基準電位用端子14)と上記駆動回路を接続するための貫通孔配線(図示せず)を形成するためのスルーホール3bが設けられている。また、基板ユニットには、シールド部32のシールド層32bを所定の電位部位に接続するためのスルーホール(図示せず)が設けられている。   In such a board unit, through holes 3a through which three terminal pins (power supply terminal pins, ground terminal pins, detection signal output terminal pins) 6 are inserted are provided in the thickness direction. In addition, the pyroelectric element 1 (the detection terminal 13 and the reference potential terminal 14 of the pyroelectric element 1) and the through hole 3b for forming a through-hole wiring (not shown) for connecting the drive circuit to each other. Is provided. The substrate unit is provided with a through hole (not shown) for connecting the shield layer 32b of the shield part 32 to a predetermined potential site.

回路ブロック3の搭載面33aにおける中央部には、図1(b)および図6に示すように、長円孔状の凹所33bが設けられている。また、搭載面33aにおける凹所33bの短手方向両縁部それぞれには、熱検出素子1の検出用端子13と接続されるランド33cおよび基準電位用端子14と接続されるランド33dがそれぞれ形成されている。そのため、熱検出素子1は凹所33bをその短手方向において跨ぐ形で搭載面33aに実装され、このとき、熱検出素子1の各センシングエレメント1aは、搭載面33aとは接触しないようになっている。この凹所33bにより、熱検出素子1の熱線検知部(受光面)となるセンシングエレメント1aと回路ブロック3の第2の絶縁層33との間に熱絶縁のための空気層が確保され、非常に感度の高い測定が可能となる。なお、これらランド33c,33dは、それぞれ対応するスルーホール3b内の貫通配線に接続されており、これによって、駆動回路と熱検出素子1が接続される。   As shown in FIGS. 1B and 6, an oblong hole-shaped recess 33 b is provided at the center of the mounting surface 33 a of the circuit block 3. Further, a land 33c connected to the detection terminal 13 of the heat detection element 1 and a land 33d connected to the reference potential terminal 14 are formed at both edges in the short direction of the recess 33b on the mounting surface 33a. Has been. Therefore, the heat detection element 1 is mounted on the mounting surface 33a so as to straddle the recess 33b in the short direction, and at this time, each sensing element 1a of the heat detection element 1 does not come into contact with the mounting surface 33a. ing. By this recess 33b, an air layer for thermal insulation is secured between the sensing element 1a serving as a heat ray detection part (light receiving surface) of the heat detection element 1 and the second insulating layer 33 of the circuit block 3, Highly sensitive measurement is possible. The lands 33c and 33d are connected to the through wirings in the corresponding through holes 3b, whereby the drive circuit and the heat detection element 1 are connected.

ところで、搭載面33aにおける各貫挿孔3aの開口周縁には、端子ピン接合用のランド33eがそれぞれ形成されている。また、搭載面33aには、シールド用の導体パターン33fが設けられている。この導体パターン33fは、検出信号出力用の端子ピン6に対応するランド(図6における下側のランド)33eを、当該ランド33eにおける熱検出素子1側とは反対側(図6における下側)を除く三方で囲む形のコ字形に形成されている。なお、ランド33c〜33eおよび導体パターン33fは図1(a)では図示を省略している。   By the way, land 33e for terminal pin joining is formed in the opening periphery of each penetration hole 3a in mounting surface 33a, respectively. The mounting surface 33a is provided with a conductor pattern 33f for shielding. The conductor pattern 33f has a land (lower land in FIG. 6) 33e corresponding to the detection signal output terminal pin 6 on the opposite side (lower side in FIG. 6) to the heat detection element 1 side in the land 33e. It is formed in a U-shape that is enclosed on three sides except for. The lands 33c to 33e and the conductor pattern 33f are not shown in FIG.

次に、上述した回路ブロック3の製造方法について図7を参照して簡単に説明する。まず、図7(a)に示すように、予めチップ状の電子部品20を実装しておいた回路基板30の厚み方向一面(図7(a)における上面)に、第1の樹脂層31の基礎となる有機グリーンシート34を複数枚(図示例では3枚)重ねて配置する。ここで有機グリーンシート34は、Bステージ(半硬化)状態のエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂にシリカ(SiO)などの無機フィラーを高充填(例えば85wt%)したものにより回路基板30と同サイズの円形のシート状に形成されており、高い伸びと引張強度を持ち、常温では強靱性があって破れ難いという特性を有している。なお、熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂の他に、フェノール樹脂、シアネート樹脂などを用いることができ、また無機フィラーとしては、シリカの他に、酸化アルミニウム(Al)や、酸化マグネシウム(MgO)、窒化ホウ素(BN)、もしくはこれらを2種類以上混合したものを用いることができる。 Next, a method for manufacturing the circuit block 3 described above will be briefly described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 7A, the first resin layer 31 is formed on one surface in the thickness direction (the upper surface in FIG. 7A) of the circuit board 30 on which the chip-shaped electronic component 20 has been mounted in advance. A plurality of (three in the illustrated example) organic green sheets 34 serving as a base are stacked and arranged. Here, the organic green sheet 34 is the same as the circuit board 30 made by highly filling (for example, 85 wt%) an inorganic filler such as silica (SiO 2 ) into a thermosetting resin such as an epoxy resin in a B stage (semi-cured) state. It is formed into a circular sheet of size, has high elongation and tensile strength, and has the characteristics of being tough and difficult to break at room temperature. In addition to the epoxy resin, a phenol resin, a cyanate resin, or the like can be used as the thermosetting resin. In addition to silica, aluminum oxide (Al 2 O 3 ), magnesium oxide ( MgO), boron nitride (BN), or a mixture of two or more of these can be used.

回路基板30に第1の樹脂層31の基礎となる有機グリーンシート34を重ねた後には、この有機グリーンシート34上にシールド部32を載置し、さらにその後にシールド部32上に第2の樹脂層33の基礎となる有機グリーンシート34を複数枚(本実施形態では2)重ねて配置する。ここで、第2の樹脂層33による容量結合を防止するためには、第2の樹脂層33の厚みを薄くすることが効果的であり、一般には、0.3mm以下とすることが好ましいため、第2の樹脂層33の集みが0.3mm以下となるように、有機グリーンシート34の厚みや枚数を設定する。   After the organic green sheet 34 that is the basis of the first resin layer 31 is overlaid on the circuit board 30, the shield part 32 is placed on the organic green sheet 34, and then the second part is placed on the shield part 32. A plurality (two in the present embodiment) of organic green sheets 34 serving as the basis of the resin layer 33 are arranged to overlap. Here, in order to prevent capacitive coupling by the second resin layer 33, it is effective to reduce the thickness of the second resin layer 33, and in general, it is preferable to set the thickness to 0.3 mm or less. The thickness and number of the organic green sheets 34 are set so that the collection of the second resin layers 33 is 0.3 mm or less.

このように、回路基板30上に、第1の樹脂層31の基礎となる有機グリーンシート34、シールド部32、第2の樹脂層33の基礎となる有機グリーンシート34とを順次重ねてなる積層体を、プレスの金型内に投入し、その後に真空引きしながら加熱(例えば100℃)して有機グリーンシート34を熱溶解させ、所定の圧力(例えば3Mpa)で一定時間加圧する。このとき、回路基板30上のチップ状の電子部品20の凹凸および電子部品20と回路基板30との隙間に、溶解した有機グリーンシート34が流れ込むことになる。上記一定時間加圧した後は、所定の温度(有機グリーンシート34を構成する熱硬化性樹脂の硬化温度、エポキシ樹脂の場合、175℃)まで昇温して完全硬化させる。   As described above, the organic green sheet 34 that is the basis of the first resin layer 31, the shield portion 32, and the organic green sheet 34 that is the basis of the second resin layer 33 are sequentially stacked on the circuit board 30. The body is put into a press mold, and then heated while being evacuated (for example, 100 ° C.) to thermally dissolve the organic green sheet 34, and pressurized at a predetermined pressure (for example, 3 Mpa) for a certain time. At this time, the dissolved organic green sheet 34 flows into the unevenness of the chip-shaped electronic component 20 on the circuit board 30 and the gap between the electronic component 20 and the circuit board 30. After pressurizing for a certain period of time, the temperature is raised to a predetermined temperature (the curing temperature of the thermosetting resin constituting the organic green sheet 34, in the case of an epoxy resin, 175 ° C.) and completely cured.

これによって、図7(b)に示すように、チップ状の電子部品20を内蔵した第1の樹脂層31が回路基板30と一体に形成され、また第1の樹脂層31における回路基板30側とは反対側には、第2の樹脂層33が一体に形成され、第1の樹脂層31と第2の樹脂層33との間には、シールド部32(シールド層32a)が介在されることになり、電子回路要素2の一部であるチップ状の電子部品20が埋設された第1の樹脂層31と、第1の樹脂層31におけるステム4側とは反対側にシールド層32bを介して設けられた第2の樹脂層33とを有する回路ブロック3が得られる。なお、プレスの金型に凹所33bを形成するための凸部(図示せず)を設けておけば、凹所33bを同時に形成することができる。   As a result, as shown in FIG. 7B, the first resin layer 31 containing the chip-like electronic component 20 is formed integrally with the circuit board 30, and the circuit board 30 side of the first resin layer 31 is formed. The second resin layer 33 is integrally formed on the side opposite to the first layer, and a shield portion 32 (shield layer 32a) is interposed between the first resin layer 31 and the second resin layer 33. That is, the first resin layer 31 in which the chip-like electronic component 20 that is a part of the electronic circuit element 2 is embedded, and the shield layer 32b on the opposite side of the first resin layer 31 from the stem 4 side are provided. The circuit block 3 having the second resin layer 33 provided therebetween is obtained. In addition, if the convex part (not shown) for forming the recess 33b is provided in the metal mold | die of a press, the recess 33b can be formed simultaneously.

上述したように回路基板30、第1の樹脂層31、シールド部32、第2の樹脂層32を一体化した後には、ルータなどを利用して、貫挿孔3aやスルーホール3bが形成される。その後には、搭載面33aに無電解メッキなどにより導電層(図示せず)を形成するとともに、貫挿孔3aおよびスルーホール3bの内面に層間接続用(貫通孔配線用)のスルーホールメッキを施し、このメッキ後、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して導電層の一部を除去することで、ランド33c〜33eおよび導体パターン33fなどを形成して、図4に示す構成を得る。   As described above, after the circuit board 30, the first resin layer 31, the shield part 32, and the second resin layer 32 are integrated, the through hole 3a and the through hole 3b are formed using a router or the like. The After that, a conductive layer (not shown) is formed on the mounting surface 33a by electroless plating or the like, and through hole plating for interlayer connection (for through hole wiring) is applied to the inner surface of the through hole 3a and the through hole 3b. After the plating, a part of the conductive layer is removed using a photolithography technique, an etching technique, and the like to form lands 33c to 33e, a conductor pattern 33f, and the like, thereby obtaining the configuration shown in FIG.

ステム4は、金属材料(例えば、SPCやコバールなど)により円盤状に形成されている。ステム4の中央部はその周辺部より厚み方向一面側(図1(a)における上側)に突出しており、この突出した中央部が回路ブロック3を搭載する前述の搭載部4aとなる。この搭載部4aには、端子ピン6が挿通される複数(本実施形態では3つ)の挿通孔4bが形成されている。端子ピン6は、パッケージに収納された回路ブロック3の駆動回路と外部回路とを電気的に接続するためのものであって、導電性を有する材料により、ステム4における第1の樹脂層31側とは反対面(図1(a)における下面)と搭載面33aとの間を貫通することができる長さの丸棒状に形成されている。本実施形態の赤外線検出器Aでは、電源供給用の端子ピン6(以下、必要に応じて符号6Aで示す)と、グラウンド用の端子ピン6(以下、必要に応じて符号6Bで示す)と、検出信号出力用の端子ピン6(以下、必要に応じて符号6Cで示す)との3本の端子ピン6を用いている。   The stem 4 is formed in a disk shape from a metal material (for example, SPC or Kovar). The central portion of the stem 4 protrudes from the peripheral portion to one surface in the thickness direction (the upper side in FIG. 1A), and this protruding central portion is the mounting portion 4a on which the circuit block 3 is mounted. A plurality (three in this embodiment) of insertion holes 4b through which the terminal pins 6 are inserted are formed in the mounting portion 4a. The terminal pin 6 is for electrically connecting a drive circuit of the circuit block 3 housed in the package and an external circuit, and is made of a conductive material, and the first resin layer 31 side in the stem 4 It is formed in the shape of a round bar that can penetrate between the opposite surface (the lower surface in FIG. 1A) and the mounting surface 33a. In the infrared detector A of the present embodiment, a power supply terminal pin 6 (hereinafter, indicated by reference numeral 6A if necessary), a ground terminal pin 6 (hereinafter, indicated by reference numeral 6B, if necessary), , Three terminal pins 6 with detection signal output terminal pins 6 (hereinafter, indicated by reference numeral 6C if necessary) are used.

ところで、端子ピン6Bに対応する挿通孔4bの内径は端子ピン6Bの外径よりやや大きく設定されており、端子ピン6Bを当該挿通孔4bに挿入した後に、端子ピン6Bは導電性接着剤(銀ペーストなどの導電性ペースト)を用いてステム4に固定され、ステム4と電気的に接続される。一方、端子ピン6A,6Cに対応する挿通孔4bは、端子ピン6Cに対応する挿通孔4bよりも内径が大きく設定してあり、端子ピン6A,6Cそれぞれを対応する挿通孔4bに挿通させた状態で、端子ピン6A,6Cと挿通孔4bとの隙間をガラスなどの絶縁性を有する封止材7で封止することで、端子ピン6A,6Cはステム4と電気的に絶縁された状態で、ステム4に固定される。   By the way, the inner diameter of the insertion hole 4b corresponding to the terminal pin 6B is set to be slightly larger than the outer diameter of the terminal pin 6B. After the terminal pin 6B is inserted into the insertion hole 4b, the terminal pin 6B is made of a conductive adhesive ( It is fixed to the stem 4 using a conductive paste such as silver paste) and is electrically connected to the stem 4. On the other hand, the insertion holes 4b corresponding to the terminal pins 6A and 6C are set to have larger inner diameters than the insertion holes 4b corresponding to the terminal pins 6C, and the terminal pins 6A and 6C are inserted into the corresponding insertion holes 4b. In this state, the terminal pins 6A and 6C are electrically insulated from the stem 4 by sealing the gap between the terminal pins 6A and 6C and the insertion hole 4b with an insulating sealing material 7 such as glass. Then, it is fixed to the stem 4.

回路ブロック3は、図1(a)に示すように、スペーサ8をステム4との間に介在する形で、ステム4に取り付けられる。スペーサ8は、回路ブロック3とステム4との間に、回路基板30に実装したIC21を収納するためのスペースを確保するためのものである。このようなスペーサ8は、絶縁性を有する樹脂材料からなる樹脂成形品であって、円盤状に形成されている。スペーサ8の中央部には、略矩形状の開口8aが形成されており、この開口8a内に、回路基板30に実装されたIC21が収納されることになる。また、スペーサ8には、端子ピン6それぞれが挿通される挿通孔8bがその厚み方向に貫設されている。   As shown in FIG. 1A, the circuit block 3 is attached to the stem 4 with a spacer 8 interposed between the circuit block 3 and the stem 4. The spacer 8 is for securing a space for accommodating the IC 21 mounted on the circuit board 30 between the circuit block 3 and the stem 4. Such a spacer 8 is a resin molded product made of an insulating resin material, and is formed in a disk shape. A substantially rectangular opening 8a is formed at the center of the spacer 8, and the IC 21 mounted on the circuit board 30 is accommodated in the opening 8a. Further, the spacer 8 is provided with insertion holes 8b through which the terminal pins 6 are inserted in the thickness direction.

キャップ5は、金属材料(例えば、SPCやコバールなど)により厚み方向一面(図1(a)における下面)が開口した円形の箱状(一方の開口端が閉塞された円筒状)に形成されている。キャップ5の内径は、ステム4の中央部の外径よりやや大きくなっており、これによってステム4の搭載部4aがキャップ5内に挿入される。このようなキャップ5とステム4とで囲まれた空間部に、回路ブロック3が収納される。   The cap 5 is formed in a circular box shape (cylindrical shape with one open end closed) having one surface in the thickness direction (the lower surface in FIG. 1A) opened by a metal material (for example, SPC or Kovar). Yes. The inner diameter of the cap 5 is slightly larger than the outer diameter of the central portion of the stem 4, whereby the mounting portion 4 a of the stem 4 is inserted into the cap 5. The circuit block 3 is housed in a space surrounded by the cap 5 and the stem 4.

キャップ5の厚み方向他壁部(図1(a)における上壁部)の中央部には、矩形状の窓孔5aが開口されている。窓孔5aはパッケージ内に光を取り入れるため(採光用)のものであって、熱検出素子1をキャップ5外部に臨ませることが可能な大きさに形成されている。また、キャップ5の厚み方向一面側の開口縁部には、円形状の鍔部5bが形成されている。鍔部5bの外径はステム4の外径と同程度の大きさであり、キャップ5をステム4に被着した際には、鍔部5bがステム4の上記周辺部に当接される。   A rectangular window hole 5a is opened at the center of the other wall portion in the thickness direction of the cap 5 (the upper wall portion in FIG. 1A). The window hole 5a is for taking light into the package (for lighting), and is formed in a size that allows the heat detection element 1 to face the outside of the cap 5. A circular flange 5b is formed at the opening edge of the cap 5 on the one surface side in the thickness direction. The outer diameter of the flange portion 5 b is approximately the same as the outer diameter of the stem 4, and when the cap 5 is attached to the stem 4, the flange portion 5 b comes into contact with the peripheral portion of the stem 4.

このようなキャップ5には、窓孔5aを閉塞する形でフィルタ9が取り付けられる。フィルタ9は、特定の周波数域の赤外線だけを透過させるバンドパス型の光学フィルタであって、ここで赤外線検出器Aの使用用途が人体検知の場合には、フィルタ9として、おおよそ4μm以上の波長の光を透過し、それより波長が短い赤外線をカットするようなものを用いる。フィルタ9は、導電性を有する材料、例えば、半導体(一例としては不純物をドープした低抵抗のシリコン基板)や、導体を用いて形成されている。このフィルタ9は、キャップ5と導通可能となるように、導電性接着剤(一例としては銀ペースト)を用いてキャップ5に接合されている。つまり、キャップ5には、導電性を有する材料からなり赤外線を透過させるフィルタ9が窓孔5aを閉塞するとともに、キャップ5と導通可能な形で取り付けられている。なお、フィルタ9にオーミック接続した電極(図示せず)を設け、当該電極とキャップ5とを電気的に接続することで、フィルタ9とキャップ5とが導通するようにしてもよい。   A filter 9 is attached to such a cap 5 so as to close the window hole 5a. The filter 9 is a band-pass optical filter that transmits only infrared rays in a specific frequency range. When the use of the infrared detector A is human detection, the filter 9 has a wavelength of about 4 μm or more. The one that transmits the light of the above and cuts infrared rays having a shorter wavelength than that is used. The filter 9 is formed using a conductive material, for example, a semiconductor (for example, a low-resistance silicon substrate doped with impurities) or a conductor. The filter 9 is joined to the cap 5 using a conductive adhesive (for example, a silver paste) so as to be electrically connected to the cap 5. That is, a filter 9 made of a conductive material and transmitting infrared rays is attached to the cap 5 so as to close the window hole 5a and to be electrically connected to the cap 5. Note that an electrode (not shown) that is ohmically connected to the filter 9 may be provided, and the filter 9 and the cap 5 may be electrically connected by electrically connecting the electrode and the cap 5.

このようなステム4およびキャップ5からなるパッケージには、回路ブロック3が次のようにして収納される。   The circuit block 3 is housed in the package including the stem 4 and the cap 5 as follows.

すなわち、ステム4の搭載部4a上にスペーサ8を介して回路ブロック3を搭載するとともに回路ブロック3とスペーサ8、およびスペーサ8と搭載部4aとを接着剤などで接合する。このとき、スペーサ8の開口8aにはIC21が収納される。   That is, the circuit block 3 is mounted on the mounting portion 4a of the stem 4 via the spacer 8, and the circuit block 3 and the spacer 8, and the spacer 8 and the mounting portion 4a are joined with an adhesive or the like. At this time, the IC 21 is accommodated in the opening 8 a of the spacer 8.

また、端子ピン6は、スペーサ8の挿通孔8bおよび回路ブロック3の貫挿孔3aを貫通し、その一端部(図1(a)における上端部)が回路ブロック3の搭載面33aより突出することになる。   The terminal pin 6 passes through the insertion hole 8 b of the spacer 8 and the insertion hole 3 a of the circuit block 3, and one end thereof (the upper end portion in FIG. 1A) protrudes from the mounting surface 33 a of the circuit block 3. It will be.

回路ブロック3をステム4上に搭載固定した後には、第2の樹脂層33の凹所33bの両側のランド33c,33d間に熱検出素子1を橋渡し、この状態で熱検出素子1の検出用端子13をランド33cに、基準電位用端子14をランド33dにそれぞれ導電性接着材により接続する(熱検出素子1は、熱絶縁用の凹所33bを跨ぐ形で搭載面33aに実装される)。このとき、熱検出素子1は、図3(b)に示すように、焦電体10に対して基準電位用電極12が第2の樹脂層33側とは反対側(つまりフィルタ9側)に位置しているセンシングエレメント1aが、複数のセンシングエレメント1aのうち検出信号出力用の端子ピン6Cに最も近い位置に位置するように配置される。図示例では、センシングエレメント1aが、検出信号出力用の端子ピン6Cに最も近接している。 After the circuit block 3 is mounted and fixed on the stem 4, the heat detection element 1 is bridged between the lands 33 c and 33 d on both sides of the recess 33 b of the second resin layer 33, and in this state, the heat detection element 1 is used for detection. The terminal 13 is connected to the land 33c and the reference potential terminal 14 is connected to the land 33d by a conductive adhesive (the heat detecting element 1 is mounted on the mounting surface 33a so as to straddle the heat insulating recess 33b). . At this time, as shown in FIG. 3B, the heat detection element 1 has the reference potential electrode 12 on the side opposite to the second resin layer 33 side (that is, the filter 9 side) with respect to the pyroelectric body 10. The located sensing element 1a is arranged so as to be located at a position closest to the detection signal output terminal pin 6C among the plurality of sensing elements 1a. In the illustrated example, the sensing element 1a 4 is closest to the terminal pin 6C for the detection signal output.

また、熱検出素子1の実装作業と同時に、第2の樹脂層33の搭載面33aに突出した各端子ピン6の先端部を導電性接着剤35により貫挿孔3aの開口周縁のランド33eに接合し、端子ピン6と回路ブロック3とを電気的に接続する。   Simultaneously with the mounting operation of the heat detection element 1, the tip portions of the terminal pins 6 protruding on the mounting surface 33 a of the second resin layer 33 are formed on the lands 33 e on the peripheral edge of the through hole 3 a by the conductive adhesive 35. The terminal pins 6 and the circuit block 3 are electrically connected to each other.

以上により、熱検出素子1の検出用端子13はランド33cおよびスルーホール3bの貫通孔配線を経由して、基準電位用端子14はランド33cおよびスルーホール3bの貫通孔配線を経由してそれぞれ回路ブロック3の駆動回路に接続され、各端子ピン6は貫挿孔3aの貫通孔配線を経由して回路ブロック3の駆動回路に接続され、これによって、図5に示す回路構成が得られる。そして、この赤外線検出器Aでは、電源供給用の端子ピン6Aとグラウンド用の端子ピン6Bとを介して外部から動作電源の供給を受け、検出信号出力用の端子ピン6Cとグラウンド用の端子ピン6Bとで外部へ検出信号を出力することが可能となる。   As described above, the detection terminal 13 of the heat detection element 1 passes through the land 33c and the through hole wiring of the through hole 3b, and the reference potential terminal 14 passes through the land 33c and the through hole wiring of the through hole 3b. Each terminal pin 6 is connected to the drive circuit of the circuit block 3 via the through hole wiring of the through hole 3a, and the circuit configuration shown in FIG. 5 is obtained. In the infrared detector A, the operation power is supplied from the outside via the power supply terminal pin 6A and the ground terminal pin 6B, and the detection signal output terminal pin 6C and the ground terminal pin are supplied. With 6B, it becomes possible to output a detection signal to the outside.

熱検出素子1および端子ピン6の接合が終了した後、これらの接合状態の検査を目視により行った後、キャップ5をステム4に被着する。キャップ5は、ステム4の搭載部4aがキャップ5内に入り込むとともに、鍔部5bがステム4の上記周辺部に当接する形で、ステム4に被着される。キャップ5のステム4への固定は、鍔部5bをステム4の上記周辺部に溶接することによって行われ、これによって、パッケージ内が気密に封止される。以上により、図1(c)に示す赤外線検出器Aが得られる。   After the joining of the heat detection element 1 and the terminal pin 6 is finished, the joining state is visually inspected, and then the cap 5 is attached to the stem 4. The cap 5 is attached to the stem 4 such that the mounting portion 4 a of the stem 4 enters the cap 5 and the flange portion 5 b abuts on the peripheral portion of the stem 4. The cap 5 is fixed to the stem 4 by welding the flange portion 5b to the peripheral portion of the stem 4, thereby hermetically sealing the inside of the package. In this way, the infrared detector A shown in FIG. 1C is obtained.

以上述べた本実施形態の赤外線検出器Aによれば、電子回路要素2のチップ状の電子部品20を第1の樹脂層31に埋設しているので、立設方向の小型化の障害となっていた電子回路要素2を実装するためのスペース(実装面積)の確保することができるから、3次元回路ブロック100(図14参照)を用いる上記の従来例に比べて大幅な小型化、薄型化を図ることができる。   According to the infrared detector A of the present embodiment described above, since the chip-like electronic component 20 of the electronic circuit element 2 is embedded in the first resin layer 31, it becomes an obstacle to downsizing in the standing direction. Since a space (mounting area) for mounting the electronic circuit element 2 that has been used can be secured, the size and thickness can be significantly reduced as compared with the conventional example using the three-dimensional circuit block 100 (see FIG. 14). Can be achieved.

しかも熱検出素子1の熱絶縁用の凹所33bを第2の樹脂層33に直接的に形成しているから、部品点数削減や低コスト化が図れ、その上、電子回路要素2を実装する回路基板30として微細なファインピッチの回路を一般の回路基板の形成方法で形成できるプリント基板や薄い銅箔を使用した基板を用いて、回路ブロック3をプレスによって容易に製造可能な多層基板構造とすることができる。   In addition, since the recess 33b for heat insulation of the heat detection element 1 is directly formed in the second resin layer 33, the number of parts can be reduced and the cost can be reduced, and the electronic circuit element 2 is mounted. A circuit board 30 having a multilayer board structure that can easily manufacture a circuit block 3 by pressing using a printed board that can form a fine fine pitch circuit by a general circuit board forming method or a board that uses a thin copper foil. can do.

また、端子ピン6は熱検出素子1の搭載面33aにおいて回路ブロック3と電気的に接続されるから、熱検出素子1と回路ブロック3との接合(熱検出素子1の回路ブロック3への実装)と、端子ピン6と回路ブロック3との接合とを同じ工程で行うことができて、工程数を削減することができる上に、各接合状態の検査を目視により行うことができて製造工程での検査が容易になり、製造コストを低減することができる(ローコスト化が図れる)。   Further, since the terminal pin 6 is electrically connected to the circuit block 3 on the mounting surface 33a of the heat detection element 1, the junction between the heat detection element 1 and the circuit block 3 (mounting of the heat detection element 1 to the circuit block 3). ) And the terminal pin 6 and the circuit block 3 can be joined in the same process, the number of processes can be reduced, and inspection of each joined state can be performed by visual inspection. Inspection can be facilitated, and the manufacturing cost can be reduced (low cost can be achieved).

加えて、第1の樹脂層31と第2の樹脂層33との間にシールド層32bを介在することで、電子回路要素2で発生したノイズが熱検出素子1の検出出力に重畳されることを防止することができる。   In addition, noise generated in the electronic circuit element 2 is superimposed on the detection output of the heat detection element 1 by interposing the shield layer 32b between the first resin layer 31 and the second resin layer 33. Can be prevented.

さらに、ステム4およびキャップ5により構成した金属製のパッケージに回路ブロック3を収納し、キャップ5の窓孔5aを導電性を有するフィルタ9で閉塞するとともに、当該フィルタ9とキャップ5とを電気的に接続している(導通可能としている)から、外来ノイズの影響を低減できる。   Further, the circuit block 3 is housed in a metal package constituted by the stem 4 and the cap 5, the window hole 5 a of the cap 5 is closed with a conductive filter 9, and the filter 9 and the cap 5 are electrically connected. Since it is connected to (can be conducted), the influence of external noise can be reduced.

本実施形態の赤外線検出器Aのように、搭載面33aから端子6が突出している場合、ここで、熱検出素子1と端子ピン6とがパッケージ内の空間部を経由して容量結合してしまうおそれがあるが、フィルタ9として導電性を有するものを用い、キャップ5とフィルタ9とを電気的に接続したことによって、このような容量結合の静電容量を低くすることができる。   When the terminal 6 protrudes from the mounting surface 33a as in the infrared detector A of the present embodiment, the heat detection element 1 and the terminal pin 6 are capacitively coupled through the space in the package. However, by using a conductive material as the filter 9 and electrically connecting the cap 5 and the filter 9, the capacitance of such capacitive coupling can be reduced.

図8に示すグラフは、フィルタ9と熱検出素子1との距離t(図9参照)と、容量結合により生じた静電容量の大きさとの関係を示すグラフであり、フィルタ9と熱検出素子1との距離が短いほうが、より容量結合の影響を少なくできることがわかる。   The graph shown in FIG. 8 is a graph showing the relationship between the distance t (see FIG. 9) between the filter 9 and the heat detection element 1 and the magnitude of the capacitance generated by capacitive coupling. It can be seen that the shorter the distance from 1, the less the influence of capacitive coupling.

ここで、容量結合による静電容量が0.02fF以下であれば、図10(a)に示すように、検出信号にチャタリングは生じないが、静電容量が0.02fFを越えると、図10(b)に示すように、検出信号にチャタリングが生じるおそれがある。   Here, if the capacitance due to capacitive coupling is 0.02 fF or less, as shown in FIG. 10A, chattering does not occur in the detection signal, but if the capacitance exceeds 0.02 fF, FIG. As shown in (b), chattering may occur in the detection signal.

図8中のAは、シールド用の導体パターン33fがない場合を示し、Bは本実施形態のように駆動回路の検出信号出力用の端子ピン6Cの周辺に導体パターン33fを形成した場合を示しており、図8に示すグラフから明らかなように、導体パターン33fを設けたほうが、容量結合の静電容量を全体的に低くできていることがわかる。   8A shows the case where there is no shield conductor pattern 33f, and B shows the case where the conductor pattern 33f is formed around the detection signal output terminal pin 6C as in this embodiment. As is apparent from the graph shown in FIG. 8, it can be seen that the capacitance of capacitive coupling can be reduced as a whole by providing the conductor pattern 33f.

図8においてAで示すグラフでは、フィルタ9と熱検出素子1との距離を0.4mm以下に抑えなければ、チャタリングを有効に防止することができないが、図8においてBで示すグラフでは、フィルタ9と熱検出素子1との距離を0.9mm以下に抑えれば、チャタリングを有効に防止することができる。   In the graph indicated by A in FIG. 8, chattering cannot be effectively prevented unless the distance between the filter 9 and the heat detection element 1 is suppressed to 0.4 mm or less. However, in the graph indicated by B in FIG. If the distance between 9 and the heat detection element 1 is suppressed to 0.9 mm or less, chattering can be effectively prevented.

したがって、本実施形態のように導体パターン33fを設けることによって、熱検出素子1と、検出信号出力用の端子ピン6Cとの容量結合を導体パターン33fによるシールド効果によってさらに抑制することができるようになって、感度劣化の防止、耐ノイズ性の向上が図れる。特に、検出信号出力用の端子ピン6Cは容量結合によって熱検出素子1に与える影響が大きいため、検出信号出力用の端子ピン6Cと熱検出素子1との容量結合を抑制することで、より一層の感度劣化の防止が図れる。   Therefore, by providing the conductor pattern 33f as in this embodiment, the capacitive coupling between the heat detection element 1 and the detection signal output terminal pin 6C can be further suppressed by the shielding effect of the conductor pattern 33f. Thus, it is possible to prevent sensitivity deterioration and improve noise resistance. In particular, since the detection signal output terminal pin 6C has a great influence on the heat detection element 1 due to capacitive coupling, the capacitive coupling between the detection signal output terminal pin 6C and the heat detection element 1 can be further suppressed. It is possible to prevent the deterioration of sensitivity.

また、本実施形態の赤外線検出器Aでは、導体パターン33fは、端子ピン6Cにおける熱検出素子1側とは反対側を除いて端子ピン6Cを囲う形に形成されている。このようにすれば、最もシールドが必要である端子ピン6Cと熱検出素子1との間に、シールド用の導体パターン33fが設けられているから、導体パターン33fのシールド性能の低下を抑制しながらも、導体パターン33fを配置する部位の省スペース化が図れ、回路ブロック3の小型化が図れ、しかも、導体パターン33fが設けられていない端子ピン6Cにおける熱検出素子1側とは反対側において端子ピン6Cと回路ブロック3との接続を行うことで、この接続に使用する導電性接着剤などによって端子ピン6Cと導体パターン33fとが短絡してしまうことを抑制できる。   In the infrared detector A of the present embodiment, the conductor pattern 33f is formed to surround the terminal pin 6C except for the side opposite to the heat detection element 1 side of the terminal pin 6C. In this way, since the shielding conductor pattern 33f is provided between the terminal pin 6C and the heat detection element 1 that need the most shielding, the deterioration of the shielding performance of the conductor pattern 33f is suppressed. However, the space where the conductor pattern 33f is arranged can be saved, the circuit block 3 can be reduced in size, and the terminal pin 6C on which the conductor pattern 33f is not provided is connected to the terminal on the side opposite to the heat detection element 1 side. By connecting the pin 6C and the circuit block 3, it is possible to suppress a short circuit between the terminal pin 6C and the conductor pattern 33f due to a conductive adhesive or the like used for this connection.

さらに、本実施形態の赤外線検出器Aでは、導体パターン33fの電位は熱検出素子用の基準電位としているので、導体パターン33fによって容量結合を防止することができるようになり、しかも、熱検出素子1に基準電位を与えるための電極となるランド33dは、回路ブロック3の搭載面33aに形成されるものであるから、同じ搭載面33aに形成される導体パターン33fとの接続が容易に行えるという利点がある。   Furthermore, in the infrared detector A of the present embodiment, since the potential of the conductor pattern 33f is the reference potential for the heat detection element, capacitive coupling can be prevented by the conductor pattern 33f, and the heat detection element Since the land 33d serving as an electrode for applying a reference potential to 1 is formed on the mounting surface 33a of the circuit block 3, it can be easily connected to the conductor pattern 33f formed on the same mounting surface 33a. There are advantages.

本実施形態では、熱検出素子1の複数のセンシングエレメント1a〜1aのうち、導体パターン33fが周辺に設けられた端子ピン6Cに最も近いセンシングエレメント1aは、焦電体10に対して基準電位用電極12が第2の樹脂層33側とは反対側(つまりフィルタ9側)に位置している。そのため、この基準電位用電極12がシールドとして作用し、パッケージ内の空間部により端子ピン6Cと検出用電極11とが容量結合してしまうことを防止できる。 In the present embodiment, among the plurality of sensing elements 1a 1 to 1A 4 thermal detection element 1, closest to the sensing element 1a to the terminal pin 6C conductor pattern 33f is provided in the peripheral 4, to the pyroelectric 10 The reference potential electrode 12 is located on the side opposite to the second resin layer 33 side (that is, the filter 9 side). Therefore, the reference potential electrode 12 acts as a shield, and it is possible to prevent the terminal pin 6C and the detection electrode 11 from being capacitively coupled by the space in the package.

ところで、熱検出素子1としては、図11(a),(b)に示すものを採用することができる。図11に示す熱検出素子1は、図2に示すものと同様に、焦電体10を検出用電極11と基準電位用電極12とで挟み込んでなる複数(図示例では4つ)のセンシングエレメント1aを有する、所謂クワッド型のものであり、検出用電極11と基準電位用電極12との配置位置が図2に示すものと異なっている。   By the way, as the heat detection element 1, what is shown to Fig.11 (a), (b) is employable. As in the case shown in FIG. 2, the heat detection element 1 shown in FIG. 11 includes a plurality of (four in the illustrated example) sensing elements in which the pyroelectric body 10 is sandwiched between the detection electrode 11 and the reference potential electrode 12. A so-called quad type having 1a, the arrangement positions of the detection electrode 11 and the reference potential electrode 12 are different from those shown in FIG.

すなわち、図11に示す熱検出素子1では、図2に示すものと検出用電極11と基準電位用電極12との位置が入れ替わっている(図11(a)においては、左上および右下に基準電位用電極12が位置し、左下および右上に検出用電極11が位置しており、図11(b)においては、左上および右下に検出用電極11が位置し、左下および右上に基準電位用電極12が位置している)。そのため、図11に示す熱検出素子1においては、センシングエレメント1a,1aでは、図3(b)に示すように、検出用電極11が焦電体10の下側、基準電位用電極12が焦電体10の上側に位置し、センシングエレメント1a,1aでは、図3(a)に示すように、検出用電極11が焦電体10の上側、基準電位用電極12が焦電体10の下側に位置している。 That is, in the heat detection element 1 shown in FIG. 11, the positions of the detection electrode 11 and the reference potential electrode 12 are changed from those shown in FIG. 2 (in FIG. 11A, the reference is on the upper left and lower right). The potential electrode 12 is located, and the detection electrode 11 is located at the lower left and upper right. In FIG. 11B, the detection electrode 11 is located at the upper left and lower right, and the reference potential is located at the lower left and upper right. Electrode 12 is located). Therefore, in the heat detection element 1 shown in FIG. 11, in the sensing elements 1 a 1 and 1 a 4 , as shown in FIG. 3B, the detection electrode 11 is on the lower side of the pyroelectric body 10 and the reference potential electrode 12. Is located above the pyroelectric body 10, and in the sensing elements 1a 2 and 1a 3 , as shown in FIG. 3A, the detection electrode 11 is above the pyroelectric body 10 and the reference potential electrode 12 is pyroelectric. Located below the body 10.

そのため、図11に示す熱検出素子1を用いた赤外線検出器Aでは、複数のセンシングエレメント1a〜1aのうち導体パターン33fが周辺に設けられた端子ピン6Cに最も近いセンシングエレメント1aは、焦電体10に対して基準電位用電極12が第2の樹脂層33側(焦電体10におけるフィルタ9側とは反対側)に位置している。 Therefore, in the infrared detectors A using thermal detection element 1 shown in FIG. 11, the sensing element 1a 4 closest to the terminal pin 6C conductor pattern 33f is provided around among the plurality of sensing elements 1a 1 to 1A 4 is The reference potential electrode 12 is located on the second resin layer 33 side (the opposite side of the pyroelectric body 10 from the filter 9 side) with respect to the pyroelectric body 10.

この場合、基準電位用電極12がシールドとして作用し、第2の樹脂層33により端子ピン6Cと検出用電極11とが容量結合してしまうことを防止できる。   In this case, the reference potential electrode 12 acts as a shield, and it is possible to prevent the terminal pin 6C and the detection electrode 11 from being capacitively coupled by the second resin layer 33.

また、図12に示すように、導体パターン33f全体を絶縁性を有する材料(一例としてはエポキシ樹脂)により形成したレジストからなる絶縁部33gで被覆するようにしてもよい。このようにすれば、端子ピン6と回路ブロック3との接続に使用する導電性接着剤35などによって端子ピン6と導体パターン33fとが短絡してしまうことを防止でき、組立作業が非常に楽に行えるようになる。   As shown in FIG. 12, the entire conductor pattern 33f may be covered with an insulating portion 33g made of a resist formed of an insulating material (for example, an epoxy resin). In this way, it is possible to prevent the terminal pin 6 and the conductor pattern 33f from being short-circuited by the conductive adhesive 35 used for the connection between the terminal pin 6 and the circuit block 3, and the assembly work is very easy. You can do it.

以上述べた本実施形態の赤外線検出器Aでは、導体パターン33fの電位を熱検出素子1の基準電位としているが、図13に示すように、導体パターン33fをグラウンド用の端子6Bに電気的に接続して、導体パターン33fの電位をグラウンド電位とするようにしてもよい。なお、図13は導体パターン33fの構成のみが上記の例と異なっているから説明は省略する。また、図13においては端子ピン6Cに対応するランド33eを省略している。   In the infrared detector A of the present embodiment described above, the potential of the conductor pattern 33f is used as the reference potential of the heat detection element 1, but as shown in FIG. 13, the conductor pattern 33f is electrically connected to the ground terminal 6B. The conductor pattern 33f may be connected to the ground potential. In FIG. 13, only the configuration of the conductor pattern 33f is different from the above example, and the description thereof is omitted. In FIG. 13, the land 33e corresponding to the terminal pin 6C is omitted.

このように導体パターン33fの電位をグラウンド電位とすれば、回路上最も良く使用されるグラウンドに導体パターン33fを接続するだけでよいから、導体パターンの配線作業が容易になり、容量結合を防止することができる。また、グラウンド電位を利用した際には、熱検出素子1の基準用電位を利用する場合に比べれば、熱検出素子1に悪影響を及ぼすおそれがないという利点がある。   If the potential of the conductor pattern 33f is set to the ground potential in this way, it is only necessary to connect the conductor pattern 33f to the ground that is most often used in the circuit. Therefore, the wiring work of the conductor pattern is facilitated and capacitive coupling is prevented. be able to. Further, when the ground potential is used, there is an advantage that there is no possibility of adversely affecting the heat detection element 1 as compared with the case where the reference potential of the heat detection element 1 is used.

また、導体パターン33fの電位を基準電位とすることやグラウンド電位とすることが困難である場合には、導体パターン33fに安定した電位を与えるための電位付与回路(図示せず)を構成し、当該電位付与回路に導体パターン33fを接続することで、導体パターン33fの電位を電位付与回路の所定の定電位(安定した電位)としてもよく、この場合においても、容量結合を抑制することができる。また、導体パターン33fに電位を与えるための電位付与回路を別途設けるにあたっては、このような電位付与回路を、導体パターン33fとの接続が行いやすい場所に設けることで、導体パターン33fとの接続の容易化が図れる。また、導体パターン33fは、いずれの回路に接続されていなくても、シールド性能を発揮して、容量結合を抑制することができる。   When it is difficult to set the potential of the conductor pattern 33f as a reference potential or a ground potential, a potential applying circuit (not shown) for applying a stable potential to the conductor pattern 33f is configured. By connecting the conductor pattern 33f to the potential applying circuit, the potential of the conductor pattern 33f may be set to a predetermined constant potential (stable potential) of the potential applying circuit. In this case as well, capacitive coupling can be suppressed. . In addition, when a potential applying circuit for applying a potential to the conductor pattern 33f is separately provided, such a potential applying circuit is provided in a place where the connection with the conductor pattern 33f is easily performed, so that the connection with the conductor pattern 33f can be achieved. Simplification can be achieved. Moreover, even if the conductor pattern 33f is not connected to any circuit, it can exhibit a shielding performance and suppress capacitive coupling.

なお、本実施形態では、検出信号出力用の端子ピン6Cの周辺に導体パターン33fを設けているが、導体パターン33fは、その他の端子ピン6の周辺にも設けるようにしてもよい。また、本実施形態は、あくまでも本発明の技術的思想を適用した一形態に過ぎず、本発明をこの実施形態に限定する趣旨ではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲での設計変更などは当然に行える。   In the present embodiment, the conductor pattern 33f is provided around the detection signal output terminal pin 6C. However, the conductor pattern 33f may also be provided around other terminal pins 6. In addition, this embodiment is merely one form to which the technical idea of the present invention is applied, and is not intended to limit the present invention to this embodiment, and design changes and the like within a scope that does not depart from the spirit of the present invention. Of course you can.

本発明の一実施形態の赤外線検出器を示し、(a)は分解斜視図、(b)はキャップを外した状態の斜視図、(c)は斜視図である。The infrared detector of one Embodiment of this invention is shown, (a) is a disassembled perspective view, (b) is a perspective view of the state which removed the cap, (c) is a perspective view. 同上における熱検出素子を示し、(a)は上面図、(b)は上面側から見た透視図である。The heat detection element in the same as above is shown, (a) is a top view, and (b) is a perspective view seen from the upper surface side. 同上における熱検出素子の部分断面図である。It is a fragmentary sectional view of the heat detection element same as the above. 同上における回路ブロックの概略断面図である。It is a schematic sectional drawing of the circuit block in the same as the above. 同上の回路構成図である。It is a circuit block diagram same as the above. 同上の赤外線検出器のキャップを外した状態における平面図である。It is a top view in the state where the cap of the infrared detector same as the above was removed. 同上における回路ブロックの製造工程の説明図である。It is explanatory drawing of the manufacturing process of the circuit block in the same as the above. 熱検出素子とフィルタとの距離と静電容量との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the distance of a heat detection element and a filter, and an electrostatic capacitance. 同上の説明図である。It is explanatory drawing same as the above. 同上の検出信号の時間変化を示すグラフである。It is a graph which shows the time change of a detection signal same as the above. 同上における熱検出素子の他例を示し、(a)は上面図、(b)は上面側から見た透視図である。The other example of the heat detection element same as the above is shown, (a) is a top view and (b) is a perspective view seen from the upper surface side. 同上の他例の赤外線検出器のキャップを外した状態における平面図である。It is a top view in the state where the cap of the infrared detector of other examples same as the above was removed. 同上の他例の赤外線検出器のキャップを外した状態における平面図である。It is a top view in the state where the cap of the infrared detector of other examples same as the above was removed. 従来例の赤外線検出器を示し、(a)は3次元回路ブロックの分解斜視図、(b)はキャップを外した状態の斜視図、(c)は斜視図である。The infrared detector of a prior art example is shown, (a) is an exploded perspective view of a three-dimensional circuit block, (b) is a perspective view with a cap removed, and (c) is a perspective view.

符号の説明Explanation of symbols

1 熱検出素子
1a(1a〜1a) センシングエレメント
2 電子回路要素
3 回路ブロック
4 ステム
5 キャップ
5a 窓孔
6(6A,6B,6C) 端子ピン
9 フィルタ
10 焦電体
11 検出用電極
12 基準電位用電極
20 電子部品
31 第1の樹脂層
32b シールド層
33 第2の樹脂層
33a 搭載面
33b 凹所
33f 導体パターン
33g 絶縁部
A 赤外線検出器
1 heat detecting element 1a (1a 1 ~1a 4) sensing element 2 electronic circuitry third circuit block 4 stem 5 cap 5a window hole 6 (6A, 6B, 6C) terminal pins 9 filter 10 pyroelectric 11 sensing electrode 12 reference Potential electrode 20 Electronic component 31 First resin layer 32b Shield layer 33 Second resin layer 33a Mounting surface 33b Recess 33f Conductor pattern 33g Insulation part A Infrared detector

Claims (9)

熱検出素子および当該熱検出素子用の駆動回路を構成する電子回路要素を有した回路ブロックと、当該回路ブロックが取り付けられるステムおよびステムとの間に回路ブロックを収納する形でステムに被着されるキャップからなる金属製のパッケージとを備え、
回路ブロックは、電子回路要素の少なくとも一部が埋設された第1の樹脂層と、第1の樹脂層におけるステム側とは反対側にシールド層を介して設けられた第2の樹脂層とを有し、
第2の樹脂層におけるシールド層側とは反対側の一面からなる熱検出素子の搭載面には、熱絶縁用の凹所が形成され、
熱検出素子は、熱絶縁用の凹所を跨ぐ形で上記搭載面に実装され、
キャップにおいて熱検出素子と対向する部位には、採光用の窓孔が形成され、
キャップには、導電性を有する材料からなり赤外線を透過させるフィルタが窓孔を閉塞するとともに、キャップと導通可能な形で取り付けられた赤外線検出器であって、
パッケージに収納された回路ブロックの駆動回路と外部回路とを電気的に接続する端子ピンは、ステムにおける第1の樹脂層側とは反対面と、上記搭載面との間を貫通する形に設けられ、上記搭載面において回路ブロックと電気的に接続され、
上記搭載面における端子ピンの周辺には、シールド用の導体パターンが形成されていることを特徴とする赤外線検出器。
The circuit block is attached to the stem in such a manner that the circuit block is housed between the circuit block having the heat detection element and the electronic circuit element constituting the drive circuit for the heat detection element, and the stem to which the circuit block is attached. A metal package consisting of a cap,
The circuit block includes a first resin layer in which at least a part of an electronic circuit element is embedded, and a second resin layer provided on a side opposite to the stem side of the first resin layer via a shield layer. Have
A recess for heat insulation is formed on the mounting surface of the heat detection element consisting of one surface opposite to the shield layer side in the second resin layer,
The heat detection element is mounted on the mounting surface in a form straddling the recess for thermal insulation,
In the portion of the cap facing the heat detection element, a window hole for daylighting is formed,
The cap is an infrared detector that is made of a conductive material and transmits infrared rays, closes the window hole, and is attached to the cap in a conductive manner.
The terminal pin for electrically connecting the drive circuit of the circuit block housed in the package and the external circuit is provided so as to penetrate between the surface opposite to the first resin layer side of the stem and the mounting surface. Are electrically connected to the circuit block on the mounting surface,
An infrared detector, wherein a shielding conductor pattern is formed around a terminal pin on the mounting surface.
上記導体パターンは、上記端子ピンにおける上記熱検出素子側とは反対側を除いて上記端子ピンを囲う形に形成されていることを特徴とする請求項1記載の赤外線検出器。   2. The infrared detector according to claim 1, wherein the conductor pattern is formed so as to surround the terminal pin except for a side opposite to the heat detection element side of the terminal pin. 上記導体パターンの電位はグラウンド電位であることを特徴とする請求項1または2記載の赤外線検出器。   The infrared detector according to claim 1, wherein the conductor pattern has a ground potential. 上記導体パターンの電位は所定の定電位であることを特徴とする請求項1または2記載の赤外線検出器。   3. The infrared detector according to claim 1, wherein the conductor pattern has a predetermined constant potential. 上記導体パターンの電位は上記熱検出素子用の基準電位であることを特徴とする請求項1または2記載の赤外線検出器。   3. The infrared detector according to claim 1, wherein the potential of the conductor pattern is a reference potential for the heat detection element. 上記熱検出素子は、焦電体を検出用電極と基準電位用電極とで挟み込んでなる複数のセンシングエレメントを有し、
複数のセンシングエレメントのうち上記端子ピンに最も近いセンシングエレメントは、焦電体に対して基準電位用電極が上記第2の樹脂層側とは反対側に位置していることを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか1項記載の赤外線検出器。
The heat detection element has a plurality of sensing elements in which a pyroelectric material is sandwiched between a detection electrode and a reference potential electrode,
The sensing element closest to the terminal pin among the plurality of sensing elements is characterized in that the reference potential electrode is located on the opposite side to the second resin layer side with respect to the pyroelectric body. The infrared detector according to any one of 1 to 5.
上記熱検出素子は、焦電体を検出用電極と基準電位用電極とで挟み込んでなる複数のセンシングエレメントを有し、
複数のセンシングエレメントのうち上記端子ピンに最も近いセンシングエレメントは、焦電体に対して基準電位用電極が上記第2の樹脂層側に位置していることを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか1項記載の赤外線検出器。
The heat detection element has a plurality of sensing elements in which a pyroelectric material is sandwiched between a detection electrode and a reference potential electrode,
The sensing element closest to the terminal pin among the plurality of sensing elements has a reference potential electrode positioned on the second resin layer side with respect to the pyroelectric material. The infrared detector of any one of them.
上記導体パターンを絶縁部で被覆していることを特徴とする請求項1〜7のうちいずれか1項記載の赤外線検出器。   The infrared detector according to claim 1, wherein the conductor pattern is covered with an insulating portion. 上記導体パターンは、上記駆動回路の検出信号出力用の端子ピンの周辺に形成されていることを特徴とする請求項1〜8のうちいずれか1項記載の赤外線検出器。   The infrared detector according to any one of claims 1 to 8, wherein the conductor pattern is formed around a terminal pin for detection signal output of the drive circuit.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103033268A (en) * 2011-10-08 2013-04-10 江苏科融电子技术有限公司 Semiconductor packaging structural member for pyroelectric infrared sensor (PIR), production method thereof and sensor
WO2013049983A1 (en) * 2011-10-08 2013-04-11 江苏科融电子技术有限公司 Semiconductor encapsulation structure for pyroelectric infrared sensor and manufacturing method thereof and sensor
CN103208536A (en) * 2012-01-16 2013-07-17 江苏科融电子技术有限公司 Semiconductor packaging structural member for pyroelectric infrared sensor, manufacturing method thereof and sensor
US9274006B2 (en) 2012-08-08 2016-03-01 Nec Tokin Corporation Infrared sensor
WO2023248575A1 (en) * 2022-06-24 2023-12-28 浜松ホトニクス株式会社 Infrared detector

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54162169A (en) * 1978-06-14 1979-12-22 Fujitsu Ltd Printed board
JPH0593068U (en) * 1990-12-19 1993-12-17 村田機械株式会社 PCB crosstalk prevention device
JPH07159234A (en) * 1993-12-11 1995-06-23 Horiba Ltd Infrared detector
JP2001320138A (en) * 2000-05-10 2001-11-16 Canon Inc Printed board
JP2003133603A (en) * 2001-10-26 2003-05-09 Matsushita Electric Works Ltd Manufacturing method of infrared ray sensor
JP2007171159A (en) * 2005-11-22 2007-07-05 Matsushita Electric Works Ltd Infrared detector
JP2007305756A (en) * 2006-05-11 2007-11-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd Circuit board

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS54162169A (en) * 1978-06-14 1979-12-22 Fujitsu Ltd Printed board
JPH0593068U (en) * 1990-12-19 1993-12-17 村田機械株式会社 PCB crosstalk prevention device
JPH07159234A (en) * 1993-12-11 1995-06-23 Horiba Ltd Infrared detector
JP2001320138A (en) * 2000-05-10 2001-11-16 Canon Inc Printed board
JP2003133603A (en) * 2001-10-26 2003-05-09 Matsushita Electric Works Ltd Manufacturing method of infrared ray sensor
JP2007171159A (en) * 2005-11-22 2007-07-05 Matsushita Electric Works Ltd Infrared detector
JP2007305756A (en) * 2006-05-11 2007-11-22 Sumitomo Bakelite Co Ltd Circuit board

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103033268A (en) * 2011-10-08 2013-04-10 江苏科融电子技术有限公司 Semiconductor packaging structural member for pyroelectric infrared sensor (PIR), production method thereof and sensor
WO2013049983A1 (en) * 2011-10-08 2013-04-11 江苏科融电子技术有限公司 Semiconductor encapsulation structure for pyroelectric infrared sensor and manufacturing method thereof and sensor
CN103208536A (en) * 2012-01-16 2013-07-17 江苏科融电子技术有限公司 Semiconductor packaging structural member for pyroelectric infrared sensor, manufacturing method thereof and sensor
US9274006B2 (en) 2012-08-08 2016-03-01 Nec Tokin Corporation Infrared sensor
WO2023248575A1 (en) * 2022-06-24 2023-12-28 浜松ホトニクス株式会社 Infrared detector

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