JP2009116064A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device Download PDF

Info

Publication number
JP2009116064A
JP2009116064A JP2007289354A JP2007289354A JP2009116064A JP 2009116064 A JP2009116064 A JP 2009116064A JP 2007289354 A JP2007289354 A JP 2007289354A JP 2007289354 A JP2007289354 A JP 2007289354A JP 2009116064 A JP2009116064 A JP 2009116064A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
array substrate
liquid crystal
crystal display
sealing material
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007289354A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiro Haino
正紘 灰野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Central Inc
Original Assignee
Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd filed Critical Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
Priority to JP2007289354A priority Critical patent/JP2009116064A/en
Publication of JP2009116064A publication Critical patent/JP2009116064A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a high-reliability liquid crystal display device which is free of peeling of a sheet material. <P>SOLUTION: Disclosed is the liquid crystal display device constituted by bonding an array substrate 1 and a counter substrate 2 together with a seal material 5 applied over the array substrate 1 and closing liquid crystal between the array substrate 1 and counter substrate 2. At the position where the seal material 5 is contact with a transfer electrode 7 provided in a peripheral region of the array substrate 1, a coating film (a protective film 6 or a gate insulating film 13 and interlayer dielectrics 16 and 17) formed covering a display region of the array substrate 1 is expanded to come into contact with the seal material 5. For example, the expanded portion 6a of the protective film 6 comes into contact with the seal material 5 to increase the bonding area of the seal material 5. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、アレイ基板と対向基板がシール材で貼り合わされ、これら基板間に液晶が封止された液晶表示装置に関するものであり、特に、トランスファ電極形成部分でのシール材の剥がれを防止するための技術に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device in which an array substrate and a counter substrate are bonded together with a sealing material, and a liquid crystal is sealed between the substrates, and in particular for preventing peeling of the sealing material at a transfer electrode forming portion. Related to technology.

液晶表示装置においては、アレイ基板と対向基板をシール材で接着することにより液晶セルが構成され、ここに液晶材料を封止するとともに、アレイ基板の表示領域上に各画素に対応して形成されたスイッチング素子(画素駆動用の薄膜トランジスタ)を設け、これを駆動回路により駆動することで、画像表示が行われる。この場合、各色要素の液晶を駆動するのに1つの薄膜トランジスタが必要であり、したがって画像表示が行われる表示領域においては、アレイ基板上に信号線や走査線等の配線が縦横に形成されるとともに、これらが交差する位置に画素駆動用の薄膜トランジスタがマトリクス状に配列形成されている。   In a liquid crystal display device, a liquid crystal cell is formed by adhering an array substrate and a counter substrate with a sealing material, and a liquid crystal material is sealed therein and formed on the display area of the array substrate corresponding to each pixel. An image display is performed by providing a switching element (a thin film transistor for driving a pixel) and driving the switching element by a driving circuit. In this case, one thin film transistor is required to drive the liquid crystal of each color element. Therefore, in the display area where image display is performed, wiring lines such as signal lines and scanning lines are formed vertically and horizontally on the array substrate. The pixel driving thin film transistors are arranged in a matrix at positions where they intersect.

前述の構成の液晶表示装置においては、対向基板に形成された対向電極とアレイ基板側の回路とを接続するためのトランスファ電極が必要であり、アレイ基板の表示領域外に複数のトランスファ電極が設置されている。この場合、シール材の外側領域(いわゆる額縁領域)の面積を削減し、額縁領域を狭小化することを目的に、前記トランスファ電極をシール材に近接して配置することが行われている。   In the liquid crystal display device having the above-described configuration, a transfer electrode for connecting the counter electrode formed on the counter substrate and the circuit on the array substrate side is necessary, and a plurality of transfer electrodes are installed outside the display area of the array substrate. Has been. In this case, for the purpose of reducing the area of the outer region (so-called frame region) of the sealing material and narrowing the frame region, the transfer electrode is arranged close to the sealing material.

例えば特許文献1には、次のような構成を有する液晶表示装置が開示されている。すなわち、特許文献1記載の液晶表示装置では、TFT基板の配向膜のトランスファ電極側の端部に切欠部を形成し、この切欠部がトランスファ電極上に位置するようにする。そして、配向膜の周縁部上に、導電粒子を含む樹脂からなるシール部材を形成する。このとき、シール部材によりトランスファ電極が覆われるようにする。そして、シール部材によりTFT基板と対向基板とを貼り合わせると共に、TFT基板のトランスファ電極と対向基板の対向電極とを相互に接続する。その後、TFT基板と対向基板との間に液晶層を封入し、液晶表示装置とする。
特開2006−301115号公報
For example, Patent Document 1 discloses a liquid crystal display device having the following configuration. That is, in the liquid crystal display device described in Patent Document 1, a notch is formed at the end of the alignment film of the TFT substrate on the transfer electrode side, and the notch is positioned on the transfer electrode. Then, a sealing member made of a resin containing conductive particles is formed on the peripheral edge of the alignment film. At this time, the transfer electrode is covered with the seal member. Then, the TFT substrate and the counter substrate are bonded together by the seal member, and the transfer electrode of the TFT substrate and the counter electrode of the counter substrate are connected to each other. Thereafter, a liquid crystal layer is sealed between the TFT substrate and the counter substrate to obtain a liquid crystal display device.
JP 2006-301115 A

ところで、前述の構成を有する液晶表示装置においては、アレイ基板上に塗布したシール材により対向基板を接着しているが、接着力の低下による剥がれの問題が大きな課題となっている。特に、アレイ基板上に形成されたトランスファ電極とシール材とが接触する位置における剥がれが顕著である。   By the way, in the liquid crystal display device having the above-described configuration, the counter substrate is bonded by the sealing material applied on the array substrate. However, the problem of peeling due to a decrease in the adhesive strength is a major issue. In particular, the peeling at the position where the transfer electrode formed on the array substrate and the seal material contact each other is remarkable.

トランスファ電極は金属により形成されており、この上にシール材が形成された場合、接着力が著しく低下する。つまり、他の部分に比べてシール材のアレイ基板に対する接触面積が実質的に削減され、十分な接着力を確保することが難しい。その結果、シール材に剥がれが生じ、アレイ基板と対向基板の剥がれの原因となっている。前記剥がれは液晶表示装置の品質を著しく低下する。   The transfer electrode is made of metal, and when a sealing material is formed on the transfer electrode, the adhesive force is significantly reduced. That is, the contact area of the sealing material with respect to the array substrate is substantially reduced as compared with other portions, and it is difficult to ensure a sufficient adhesive force. As a result, the sealing material is peeled off, which causes peeling of the array substrate and the counter substrate. The peeling significantly reduces the quality of the liquid crystal display device.

本発明は、以上のような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、シール材の剥がれのない信頼性の高い液晶表示装置を提供することを目的とする。   The present invention has been proposed in view of the conventional situation as described above, and an object thereof is to provide a highly reliable liquid crystal display device in which a sealing material is not peeled off.

前述の目的を達成するために、本発明の液晶表示装置は、アレイ基板上に塗布されたシール材によりアレイ基板と対向基板が接着され、アレイ基板と対向基板との間に液晶が封止されてなる液晶表示装置であって、前記シール材がアレイ基板の周辺領域に設けられたトランスファ電極と接する位置において、アレイ基板の表示領域を覆って形成された被覆膜が前記シール材と接するように拡張されていることを特徴とする。   In order to achieve the above-described object, the liquid crystal display device of the present invention has an array substrate and a counter substrate bonded together by a sealing material applied on the array substrate, and the liquid crystal is sealed between the array substrate and the counter substrate. The coating film formed so as to cover the display region of the array substrate is in contact with the sealing material at a position where the sealing material is in contact with the transfer electrode provided in the peripheral region of the array substrate. It is characterized by being extended.

例えば透明樹脂により形成される被覆膜は、金属に比べてシール材の接着性に優れる。したがって、表示領域に形成された被覆膜を拡張し、シール材と接するようにすれば、シール材の実質的な接着面積が拡大され、シール材がトランスファ電極と接する位置においても十分な接着力が確保される。   For example, a coating film formed of a transparent resin is superior in the adhesiveness of a sealing material compared to a metal. Therefore, if the coating film formed in the display area is expanded so as to be in contact with the sealing material, the substantial bonding area of the sealing material is expanded, and sufficient adhesive force is provided even at the position where the sealing material is in contact with the transfer electrode. Is secured.

本発明によれば、アレイ基板と対向基板の接着強度を十分に確保することができ、アレイ基板と対向基板の剥がれを防止し、信頼性の高い液晶表示装置を提供することが可能である。   According to the present invention, it is possible to sufficiently secure the adhesive strength between the array substrate and the counter substrate, prevent the array substrate and the counter substrate from being peeled off, and provide a highly reliable liquid crystal display device.

以下、本発明を適用した液晶表示装置の実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of a liquid crystal display device to which the present invention is applied will be described in detail with reference to the drawings.

液晶表示装置は、液晶表示パネルと、前記液晶表示パネルの背面側に配置され液晶表示パネルにバックライト光を照射するバックライトユニットを主たる構成要素として構成されるものである。ここで、液晶表示パネルの構造について説明すると、液晶表示パネルは、例えば図1に示すように、アレイ基板1と対向基板2を備えて構成され、これらアレイ基板1と対向基板2の間の液晶層をアレイ基板1上にマトリクス状に形成された薄膜トランジスタ(画素トランジスタ)をスイッチング素子として駆動することで、画像の表示が行われる。   The liquid crystal display device includes a liquid crystal display panel and a backlight unit that is disposed on the back side of the liquid crystal display panel and that irradiates the liquid crystal display panel with backlight. Here, the structure of the liquid crystal display panel will be described. The liquid crystal display panel includes, for example, an array substrate 1 and a counter substrate 2 as shown in FIG. 1, and the liquid crystal between the array substrate 1 and the counter substrate 2. An image is displayed by driving thin film transistors (pixel transistors) whose layers are formed in a matrix on the array substrate 1 as switching elements.

アレイ基板1の表示領域Hにおいては、各画素に対応して画素電極がマトリクス状に形成されるとともに、画素電極の行方向に沿って走査線が形成され、列方向に沿って信号線が形成されている。さらに、各走査線と信号線の交差位置に画素トランジスタが形成されている。一方、対向基板2には、前記画素電極に対向して対向電極が透明導電材料により形成されるとともに、各画素に対応してカラーフィルターが形成されている。   In the display area H of the array substrate 1, pixel electrodes are formed in a matrix corresponding to each pixel, scanning lines are formed along the row direction of the pixel electrodes, and signal lines are formed along the column direction. Has been. Further, pixel transistors are formed at the intersections between the scanning lines and the signal lines. On the other hand, on the counter substrate 2, a counter electrode is formed of a transparent conductive material so as to face the pixel electrode, and a color filter is formed corresponding to each pixel.

また、アレイ基板1の周辺領域(液晶表示パネルの額縁領域)には、アレイ基板1に配列形成される信号線に駆動信号を供給する信号線駆動回路や、ゲート線を駆動するゲート駆動回路が形成されており、これら駆動回路を構成する駆動用IC3等が実装されている。さらには、対向基板2に形成された対向電極とアレイ基板1側の回路とを接続するためのトランスファ電極が設けられており、例えば当該トランスファ電極上に導電粒子を撒布、あるいは導電性を有するペーストを塗布すること等で、前記対向電極とトランスファ電極間の電気的接続が図られている。さらにまた、アレイ基板1には、外部回路との接続のためのフレキシブル配線基板4が接続されており、前記信号線駆動回路やゲート駆動回路等と外部回路との信号の授受等が前記フレキシブル配線基板4を介して行われる。   Further, in the peripheral region of the array substrate 1 (the frame region of the liquid crystal display panel), there are a signal line drive circuit that supplies a drive signal to signal lines arranged and formed on the array substrate 1 and a gate drive circuit that drives the gate lines. The driving IC 3 and the like constituting these driving circuits are mounted. Furthermore, a transfer electrode for connecting the counter electrode formed on the counter substrate 2 and the circuit on the array substrate 1 side is provided. For example, conductive particles are distributed on the transfer electrode or a conductive paste. For example, an electrical connection between the counter electrode and the transfer electrode is achieved. Furthermore, a flexible wiring board 4 for connection to an external circuit is connected to the array substrate 1, and signal transmission / reception between the signal line driving circuit, the gate driving circuit, etc. and the external circuit is performed by the flexible wiring. This is done via the substrate 4.

前述のアレイ基板1と対向基板2とは、アレイ基板1上に塗布したシール材によって互いに貼り合わされ、これによって封止された空間(間隙)に液晶材料が注入されている。以下、アレイ基板1と対向基板2とをシール材により接着したシール構造について詳述する。   The array substrate 1 and the counter substrate 2 described above are bonded to each other by a sealing material applied onto the array substrate 1, and a liquid crystal material is injected into a space (gap) sealed by this. Hereinafter, a seal structure in which the array substrate 1 and the counter substrate 2 are bonded with a sealant will be described in detail.

図2は、アレイ基板1上に形成されたシールパターン配置の一例を示すものである。アレイ基板1上には、外周縁よりも若干内側位置にシール材5が塗布されており、この上に対向基板2を重ねることで、アレイ基板1と対向基板2とが互いに接着される。   FIG. 2 shows an example of a seal pattern arrangement formed on the array substrate 1. A sealing material 5 is applied on the array substrate 1 at a position slightly inside the outer peripheral edge, and the counter substrate 2 is stacked on the seal substrate 5 so that the array substrate 1 and the counter substrate 2 are bonded to each other.

前記シール材5は、表示領域Hの周囲を取り囲むように、アレイ基板1の外周縁の内側位置に当該外周縁に概ね沿った形で全周に亘り塗布形成されており、液晶注入後には注入口(図示は省略する。)も閉じられ、注入された液晶材料をアレイ基板1と対向基板2の間の間隙に封止する構造とされている。なお、前記シール材5のパターンは、表示領域Hの形状や大きさ等に応じて自由に変更することができ、例えばシール材5は表示領域H内を除けばどこにでも設置することが可能である。   The sealing material 5 is applied and formed over the entire periphery of the array substrate 1 so as to surround the display area H, in a shape generally along the outer periphery, and after the liquid crystal is injected, The entrance (not shown) is also closed, and the injected liquid crystal material is sealed in the gap between the array substrate 1 and the counter substrate 2. The pattern of the sealing material 5 can be freely changed according to the shape and size of the display area H. For example, the sealing material 5 can be installed anywhere except in the display area H. is there.

前述のシール材5により囲まれた表示領域Hには、画素トランジスタや信号線、ゲート線等が形成されているが、本例の場合、これらを覆う透明樹脂膜が保護膜6として形成されている。保護膜6の形状は表示領域Hの形状に合わせて矩形状とされている。   In the display region H surrounded by the sealing material 5 described above, pixel transistors, signal lines, gate lines, and the like are formed. In this example, a transparent resin film covering these is formed as the protective film 6. Yes. The shape of the protective film 6 is rectangular according to the shape of the display area H.

また、前記シール材5の外側の領域(いわゆる額縁領域)には、前述の通り、信号線駆動回路やゲート線駆動回路等が形成されており、さらにはアレイ基板1側の回路と対向基板2に形成された対向電極との間の電気的接続を図るためのトランスファ電極7が形成されている。トランスファ電極7は、電気抵抗を極力小さくするために、他の電極や配線等に比べて大きな面積を有している。なお、本例の場合、トランスファ電極7はアレイ基板1の短辺側にそれぞれ2箇所、合計4箇所形成されているが、トランスファ電極7の数や形成位置等は任意に設定することができる。   Further, as described above, a signal line driving circuit, a gate line driving circuit, and the like are formed in an area outside the sealing material 5 (so-called frame area), and further, the circuit on the array substrate 1 side and the counter substrate 2. A transfer electrode 7 is formed for electrical connection with the counter electrode formed on the substrate. The transfer electrode 7 has a larger area than other electrodes and wirings in order to make the electric resistance as small as possible. In this example, the transfer electrodes 7 are formed at two locations on the short side of the array substrate 1, for a total of four locations. However, the number of transfer electrodes 7 and their positions can be arbitrarily set.

額縁領域の面積をできるだけ小さくするためには、例えば前記トランスファ電極7も極力シール材5に近接して配置する必要がある。そこで、本実施形態では、トランスファ電極7の一部に乗り上げる形で前記シール材5が形成されている。   In order to make the area of the frame region as small as possible, it is necessary to arrange the transfer electrode 7 as close to the seal material 5 as possible. Therefore, in the present embodiment, the sealing material 5 is formed so as to ride on a part of the transfer electrode 7.

図3は、トランスファ電極7形成位置近傍における断面構造を示すものである。アレイ基板1と対向基板2とは、スペーサ材8を介在させた状態でシール材5により接着することで、所定の間隔を保って貼り合わされている。対向電極2の表面に形成された対向電極9は、前記トランスファ電極7上に載置された導電粒子10と接触し、その結果、対向電極9とトランスファ電極7とが電気的に接続されている。   FIG. 3 shows a cross-sectional structure in the vicinity of the transfer electrode 7 formation position. The array substrate 1 and the counter substrate 2 are bonded to each other with a predetermined interval by bonding with the seal material 5 with the spacer material 8 interposed therebetween. The counter electrode 9 formed on the surface of the counter electrode 2 is in contact with the conductive particles 10 placed on the transfer electrode 7, and as a result, the counter electrode 9 and the transfer electrode 7 are electrically connected. .

ここで、前述の通り、トランスファ電極7はシール材5に近接して配置されており、その一部に乗り上げる形でシール材5が形成されている。トランスファ電極7は金属により形成されており、シール材5との接着性がアレイ基板1に比べて大きく劣る。したがって、トランスファ電極7の形成位置では、シール材5のアレイ基板1に対する接触幅が大きく削減された形になり、アレイ基板1と対向基板2の剥がれが発生し易くなって、品質低下の要因となっている。   Here, as described above, the transfer electrode 7 is disposed in the vicinity of the seal material 5, and the seal material 5 is formed so as to run over a part thereof. The transfer electrode 7 is made of metal, and its adhesion to the sealing material 5 is greatly inferior to that of the array substrate 1. Therefore, at the position where the transfer electrode 7 is formed, the contact width of the sealing material 5 with respect to the array substrate 1 is greatly reduced, and the array substrate 1 and the counter substrate 2 are likely to be peeled off. It has become.

図4(a)はトランスファ電極7が配置されていない部分でのシール材5のアレイ基板1に対する接触状態を模式的に示すものであり、図4(b)はトランスファ電極7が配置されている部分でのシール材5のアレイ基板1に対する接触状態を模式的に示すものである。前者におけるシール材5のアレイ基板1に対する接着幅W1に比べて、後者におけるシール材5のアレイ基板1に対する接着幅W2は小さくなっており、実質的な接着面積の減少に繋がっている。   FIG. 4A schematically shows a contact state of the sealing material 5 with respect to the array substrate 1 in a portion where the transfer electrode 7 is not arranged, and FIG. 4B shows that the transfer electrode 7 is arranged. The contact state with respect to the array board | substrate 1 of the sealing material 5 in a part is shown typically. Compared to the bonding width W1 of the sealing material 5 to the array substrate 1 in the former, the bonding width W2 of the sealing material 5 to the array substrate 1 in the latter is smaller, leading to a substantial reduction in the bonding area.

そこで、本実施形態においては、トランスファ電極7の形成位置において、透明樹脂により形成された保護膜6の形状を変更し、保護膜6の一部を拡張して拡張部分6aを形成し、この拡張部分6aに乗り上げる形でシール材5を形成するようにしている。透明樹脂により形成される保護膜6は、先の金属製のトランスファ電極7に比べ、シール材5に対する接着力が遙かに大きい。したがって、保護膜6の拡張部分6aをシール材5と接触させることにより、シール材5の実質的な接着面積(接着幅)が拡大される。   Therefore, in the present embodiment, at the position where the transfer electrode 7 is formed, the shape of the protective film 6 formed of transparent resin is changed, and a part of the protective film 6 is expanded to form an expanded portion 6a. The sealing material 5 is formed so as to ride on the portion 6a. The protective film 6 formed of a transparent resin has much higher adhesion to the sealing material 5 than the metal transfer electrode 7 described above. Therefore, by bringing the extended portion 6 a of the protective film 6 into contact with the sealing material 5, the substantial adhesion area (adhesion width) of the sealing material 5 is expanded.

以上のように、本実施形態の液晶表示装置では、透明樹脂により形成される保護膜6の形状をトランスファ電極7の形成位置付近で変え、これまで表示領域Hのみに形成していた保護膜6をトランスファ電極7の形成位置に合わせて伸張しているので、トランスファ電極7形成部分においてもシール材5によるシール面積を周辺領域のシール面積と同程度以上に拡張することができ、アレイ基板1と対向基板2の基板剥がれを防止することができる。前記基板剥がれは液晶表示装置の品質や信頼性を著しく低下することになるが、前述の構成を採用することにより、品質の優れた信頼性の高い液晶表示装置を提供することが可能である。   As described above, in the liquid crystal display device of this embodiment, the shape of the protective film 6 formed of the transparent resin is changed in the vicinity of the position where the transfer electrode 7 is formed, and the protective film 6 that has been formed only in the display region H until now. Is extended in accordance with the position where the transfer electrode 7 is formed, so that the seal area of the seal material 5 can be expanded to the same extent or more as the seal area of the peripheral region in the transfer electrode 7 formation portion. The substrate peeling of the counter substrate 2 can be prevented. The peeling of the substrate significantly reduces the quality and reliability of the liquid crystal display device. However, by adopting the above structure, it is possible to provide a liquid crystal display device with excellent quality and high reliability.

なお、本発明の液晶表示装置が前述の実施形態に限定されるものでないことは言うまでもなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更することが可能である。例えば、前述の実施形態では、トランスファ電極7をパッド状の電極とし、この上に導電粒子10を載置することで対向電極9との導通を図るようにしているが、トランスファ電極を柱状電極として形成することも可能である。トランスファ電極を柱状電極とした場合、柱状部分とそれよりも一回り大きなパッド部とから構成されるが、このパッド部上に乗り上げる形でシール材5が形成された液晶表示装置においても、先の実施形態と同様の構成を採用することにより、シール材5による接着面積を確保し、アレイ基板1と対向基板2の剥がれを防止することが可能である。   In addition, it cannot be overemphasized that the liquid crystal display device of this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change is possible in the range which does not deviate from the summary of this invention. For example, in the above-described embodiment, the transfer electrode 7 is a pad-shaped electrode, and the conductive particles 10 are placed on the transfer electrode 7 so as to be electrically connected to the counter electrode 9, but the transfer electrode is a columnar electrode. It is also possible to form. When the transfer electrode is a columnar electrode, it is composed of a columnar portion and a pad portion that is slightly larger than the columnar portion. However, even in the liquid crystal display device in which the seal material 5 is formed on the pad portion, By adopting the same configuration as that of the embodiment, it is possible to secure a bonding area by the sealing material 5 and prevent the array substrate 1 and the counter substrate 2 from peeling off.

また、先の実施形態においては、表示領域Hに形成された透明樹脂からなる保護膜6を拡張することでシール材5の実質的な接着面積を拡大するようにしているが、保護膜6の代わりに表示領域Hに形成される画素トランジスタのゲート絶縁膜や層間絶縁膜等を拡張し、これをシール材5に接触させることで接着面積を拡大することも可能である。   In the previous embodiment, the substantial adhesion area of the sealing material 5 is expanded by expanding the protective film 6 made of a transparent resin formed in the display region H. Instead, the adhesion area can be increased by expanding the gate insulating film, the interlayer insulating film, and the like of the pixel transistor formed in the display region H and bringing them into contact with the sealing material 5.

図5は、ゲート絶縁膜や層間絶縁膜等を拡張した実施形態を示すものである。本実施形態の場合、アレイ基板1の表示領域Hには、画素トランジスタとして機能する薄膜トランジスタ11が形成されている。   FIG. 5 shows an embodiment in which a gate insulating film, an interlayer insulating film, and the like are expanded. In the present embodiment, a thin film transistor 11 that functions as a pixel transistor is formed in the display region H of the array substrate 1.

前記薄膜トランジスタ11は、例えばポリシリコンを活性層としてアレイ基板1上に直接形成されている。すなわち、前記薄膜トランジスタ11は、アレイ基板1上に必要に応じて形成されるアンダーコート層を介して多結晶半導体層(ポリシリコン層)12を形成し、当該多結晶半導体層12を活性層(チャネル層)として利用することにより構成されている。   The thin film transistor 11 is directly formed on the array substrate 1 using, for example, polysilicon as an active layer. That is, in the thin film transistor 11, a polycrystalline semiconductor layer (polysilicon layer) 12 is formed on the array substrate 1 through an undercoat layer formed as necessary, and the polycrystalline semiconductor layer 12 is formed as an active layer (channel). Layer).

多結晶半導体層12は、例えばプラズマCVD法により成膜された非晶質シリコン(a−Si)をアニールした後、レーザ照射等によって多結晶化することにより形成されるものである。この多結晶半導体層12は、エッチングにより島状に素子分離されている。なお、例えばnチャンネル型薄膜トランジスタの場合、各多結晶半導体層12には、不純物注入によりソース領域12A,及びドレイン領域12Bが形成されており、さらにLDD領域(低濃度不純物拡散領域)12C、12Dが形成されている。   The polycrystalline semiconductor layer 12 is formed, for example, by annealing amorphous silicon (a-Si) formed by a plasma CVD method and then crystallizing it by laser irradiation or the like. The polycrystalline semiconductor layer 12 is element-isolated into an island shape by etching. For example, in the case of an n-channel type thin film transistor, a source region 12A and a drain region 12B are formed in each polycrystalline semiconductor layer 12 by impurity implantation, and LDD regions (low-concentration impurity diffusion regions) 12C and 12D are further formed. Is formed.

前記多結晶半導体層12のチャネル上には、ゲート絶縁膜13を介してゲート電極14が形成され、さらには薄膜トランジスタ11のソース領域12Aやドレイン領域12Bと他の回路とを結ぶ配線15が第1層間絶縁膜16を介して形成されている。また、前記配線15上には第2層間絶縁膜17が形成されている。   A gate electrode 14 is formed on the channel of the polycrystalline semiconductor layer 12 with a gate insulating film 13 interposed therebetween. Further, a wiring 15 connecting the source region 12A or the drain region 12B of the thin film transistor 11 to another circuit is first. It is formed via an interlayer insulating film 16. A second interlayer insulating film 17 is formed on the wiring 15.

このような構成のアレイ基板1において、前記ゲート絶縁膜13や第1層間絶縁膜16、第2層間絶縁膜17をトランスファ電極7形成位置において拡張し、拡張部分をシール材5と接触させることにより、同様の効果(シール材5の実質的な接着面積の拡大)を得ることが可能である。   In the array substrate 1 having such a configuration, the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 16, and the second interlayer insulating film 17 are expanded at the position where the transfer electrode 7 is formed, and the expanded portion is brought into contact with the sealing material 5. It is possible to obtain the same effect (enlargement of the substantial bonding area of the sealing material 5).

液晶表示装置に組み込まれる液晶表示パネルの構成例を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the structural example of the liquid crystal display panel integrated in a liquid crystal display device. シールパターン配置の一例を示す模式的な平面図である。It is a typical top view which shows an example of seal pattern arrangement | positioning. トランスファ電極近傍の要部概略断面図である。It is a principal part schematic sectional drawing of the transfer electrode vicinity. シール材のアレイ基板に対する接触状態を示す模式図であり、(a)はトランスファ電極が配置されていない位置における断面の模式図、(b)はトランスファ電極が配置されている位置における断面の模式図である。It is a schematic diagram which shows the contact state with respect to the array substrate of a sealing material, (a) is a schematic diagram of the cross section in the position where the transfer electrode is not arrange | positioned, (b) is a schematic diagram of the cross section in the position where the transfer electrode is arrange | positioned. It is. ゲート絶縁膜や層間絶縁膜を拡張した実施形態を示す要部概略断面図である。It is a principal part schematic sectional drawing which shows embodiment which expanded the gate insulating film and the interlayer insulation film.

符号の説明Explanation of symbols

1 アレイ基板、2 対向基板、5 シール材、6 保護膜、6a 拡張部分、7 トランスファ電極、9 対向電極、11 薄膜トランジスタ、12 多結晶半導体層、13 ゲート絶縁膜、14 ゲート電極、15 配線、16 第1層間絶縁膜、17 第2層間絶縁膜 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Array substrate, 2 Counter substrate, 5 Sealing material, 6 Protective film, 6a Expansion part, 7 Transfer electrode, 9 Counter electrode, 11 Thin-film transistor, 12 Polycrystalline semiconductor layer, 13 Gate insulating film, 14 Gate electrode, 15 Wiring, 16 First interlayer insulating film, 17 Second interlayer insulating film

Claims (4)

アレイ基板上に塗布されたシール材によりアレイ基板と対向基板が接着され、アレイ基板と対向基板との間に液晶が封止されてなる液晶表示装置であって、
前記シール材がアレイ基板の周辺領域に設けられたトランスファ電極と接する位置において、アレイ基板の表示領域を覆って形成された被覆膜が前記シール材と接するように拡張されていることを特徴とする液晶表示装置。
A liquid crystal display device in which an array substrate and a counter substrate are bonded by a sealing material applied on the array substrate, and liquid crystal is sealed between the array substrate and the counter substrate,
The coating film formed so as to cover the display area of the array substrate is extended so as to be in contact with the sealing material at a position where the sealing material is in contact with the transfer electrode provided in the peripheral area of the array substrate. Liquid crystal display device.
前記被覆膜が表示領域に形成された保護膜または絶縁膜であることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。   2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the coating film is a protective film or an insulating film formed in the display region. 前記被覆膜が透明樹脂により形成されていることを特徴とする請求項1または2記載の液晶表示装置。   The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the coating film is formed of a transparent resin. 前記拡張された被覆膜に乗り上げる形で前記シール材が形成され、接着面積が拡大されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載の液晶表示装置。   4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the sealing material is formed so as to ride on the expanded coating film, and an adhesion area is expanded. 5.
JP2007289354A 2007-11-07 2007-11-07 Liquid crystal display device Pending JP2009116064A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007289354A JP2009116064A (en) 2007-11-07 2007-11-07 Liquid crystal display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007289354A JP2009116064A (en) 2007-11-07 2007-11-07 Liquid crystal display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2009116064A true JP2009116064A (en) 2009-05-28

Family

ID=40783270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007289354A Pending JP2009116064A (en) 2007-11-07 2007-11-07 Liquid crystal display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2009116064A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013071633A1 (en) * 2011-11-18 2013-05-23 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal panel and manufacturing method thereof
CN103293750A (en) * 2012-12-14 2013-09-11 上海天马微电子有限公司 Embedded touch screen colored film substrate and manufacturing method thereof
CN103984145A (en) * 2013-12-09 2014-08-13 上海天马微电子有限公司 Embedded touch colour-film substrate and manufacturing method thereof
CN104635386A (en) * 2015-03-13 2015-05-20 京东方科技集团股份有限公司 Display panel, manufacturing method of display panel, and display device
CN107272270A (en) * 2017-08-15 2017-10-20 武汉华星光电技术有限公司 A kind of thin-film transistor array base-plate and liquid crystal display panel

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013071633A1 (en) * 2011-11-18 2013-05-23 深圳市华星光电技术有限公司 Liquid crystal panel and manufacturing method thereof
CN103293750A (en) * 2012-12-14 2013-09-11 上海天马微电子有限公司 Embedded touch screen colored film substrate and manufacturing method thereof
CN103984145A (en) * 2013-12-09 2014-08-13 上海天马微电子有限公司 Embedded touch colour-film substrate and manufacturing method thereof
CN104635386A (en) * 2015-03-13 2015-05-20 京东方科技集团股份有限公司 Display panel, manufacturing method of display panel, and display device
CN107272270A (en) * 2017-08-15 2017-10-20 武汉华星光电技术有限公司 A kind of thin-film transistor array base-plate and liquid crystal display panel

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5303119B2 (en) Semiconductor device
US9640600B2 (en) Manufacturing method of display device, display device, and display device formation substrate
KR100421344B1 (en) Semiconductor device, electro-optical device substrate, liquid crystal device substrate and manufacturing method therefor, liquid crystal device, and projection liquid crystal display device and electronic apparatus using the liquid crystal device
US8908117B2 (en) Thin film transistor array substrate and liquid crystal display apparatus comprising a transparent conductive film pattern having a first type pattern and a second type pattern
US20100149473A1 (en) Pixel array and manufacturing method thereof
TW200703660A (en) TFT array panel, liquid crystal display including same, and method of manufacturing TFT array panel
JP5120828B2 (en) Thin film transistor substrate and manufacturing method thereof, and liquid crystal display panel having the same and manufacturing method
TW200807119A (en) Display device with static electricity protecting circuit
JP2010003910A (en) Display element
JP2008041865A (en) Display, and manufacturing method thereof
JP5485517B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
JP4126156B2 (en) Liquid crystal display
KR20100022762A (en) Liquid crystal display
US6917408B2 (en) Display panel
JP2007025562A (en) Liquid crystal display and its manufacturing method
CN105655345B (en) Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
WO2018030298A1 (en) Active-matrix substrate and display device
JP2009116064A (en) Liquid crystal display device
JP4439004B2 (en) Active matrix substrate and manufacturing method thereof
JP2010056136A (en) Wiring, method of manufacturing the same, thin film transistor, and display element
JP2011090288A (en) Thin-film transistor array panel and method of manufacturing the same
WO2018043643A1 (en) Active matrix substrate and display device provided with active matrix substrate
TWI439778B (en) Pixel array substrate and display panel
JP2009122376A (en) Display device
JP2002176179A (en) Electro-optical device, manufacturing method thereof, and semiconductor device