JP2009115456A - Handler, test tray, and memory device - Google Patents

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JP2009115456A JP2007285130A JP2007285130A JP2009115456A JP 2009115456 A JP2009115456 A JP 2009115456A JP 2007285130 A JP2007285130 A JP 2007285130A JP 2007285130 A JP2007285130 A JP 2007285130A JP 2009115456 A JP2009115456 A JP 2009115456A
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  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To perform temperature control of devices under test, since there is the case where a temperature distribution is produced inside a test tray, and the accuracy of testing for some devices under test lowers. <P>SOLUTION: A handler is provided with: a test tray for putting a plurality of devices under test thereon; a chamber for putting the test tray therein; an overall heater for collectively heating the plurality of devices under test in the chamber up to a target temperature; and individual heaters provided in the test tray to heat the devices individually. An individual temperature controller operates or stops the operation of the individual heaters individually to raise the temperature, different from a target temperature, of each device up to the target temperature. The individual temperature controller may operate the individual heaters before the start of a test for the device, to heat each device up to the target temperature, and may stop the operation of the individual heaters when the test is started. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明はハンドラ、テストトレイおよびメモリ装置に関する。より詳細には、半導体試験を実行するシステムにおいて被試験デバイスを収容するテストトレイと、テストトレイに搭載された被試験デバイスを搬送しつつ温度管理するハンドラと、精密な試験を実行できるメモリ装置とに関する。   The present invention relates to a handler, a test tray, and a memory device. More specifically, a test tray that accommodates a device under test in a system that performs a semiconductor test, a handler that controls temperature while transporting the device under test mounted on the test tray, and a memory device that can execute a precise test About.

半導体装置の製造には試験工程が含まれる。量産される半導体装置の製造においては、試験工程の効率が、製造工程全体の効率に大きな影響を与える。試験工程は半導体試験装置により実施される。   Manufacturing a semiconductor device includes a test process. In the manufacture of mass-produced semiconductor devices, the efficiency of the test process greatly affects the efficiency of the entire manufacturing process. The test process is performed by a semiconductor test apparatus.

一方、半導体装置の高性能化に伴い、試験工程の精度に対する要求も厳しくなりつつある。試験のひとつである熱負荷試験も例外ではなく、被試験デバイスを要求された試験温度まで正確に加熱して試験を実行することが求められている。   On the other hand, as the performance of semiconductor devices increases, the requirements for the accuracy of the test process are becoming stricter. The thermal load test, which is one of the tests, is no exception, and the test is required to be performed by accurately heating the device under test to the required test temperature.

下記の特許文献１には、チャンバ内でファンにより熱気を循環させて、被試験デバイスを加熱する恒温槽の内部を均一に加熱することが記載される。また、下記の特許文献２には、被試験デバイスに接するプッシャブロックに吸放熱体を装着することにより、温度変化に対する被試験デバイスの追従性を向上させることが記載される。
特開平０８−３１３５８４号公報 特開２０００−１８７０６０号公報 Patent Document 1 below describes that the inside of a thermostatic chamber for heating a device under test is heated uniformly by circulating hot air with a fan in a chamber. Further, Patent Document 2 below describes that the followability of a device under test with respect to a temperature change is improved by mounting a heat absorbing / dissipating body on a pusher block in contact with the device under test.
Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-313584 JP 2000-187060 A

一方、記憶装置のように生産量の多い半導体集積回路は、多数の被試験デバイスをテストトレイに収容して、一括して試験を実行する場合がある。このような場合、ひとつのテストトレイの内部に温度分布が生じて、一部の被試験デバイスに対する試験の精度が低下する場合がある。   On the other hand, a semiconductor integrated circuit with a large production volume such as a storage device may house a large number of devices under test in a test tray and execute a test collectively. In such a case, temperature distribution may occur inside one test tray, and the accuracy of tests on some devices under test may be reduced.

そこで、上記課題を解決すべく、本発明の第１の形態として、複数の被試験デバイスを収容するテストトレイと、テストトレイを収容するチャンバと、チャンバの内部において複数の被試験デバイスを目標温度まで一括して加熱する全体ヒータと、テストトレイに設けられ、複数の被試験デバイスを個別に加熱する個別ヒータと、を備えるハンドラが提供される。   Therefore, in order to solve the above problems, as a first embodiment of the present invention, a test tray that accommodates a plurality of devices under test, a chamber that accommodates the test trays, and a plurality of devices under test within a chamber are set to target temperatures. There is provided a handler that includes an overall heater that collectively heats up to and an individual heater that is provided on a test tray and individually heats a plurality of devices under test.

また、本発明の第２の形態として、複数の被試験デバイスのうち目標温度からずれた被試験デバイスの温度を目標温度まで個別に上昇させる個別ヒータを備え、複数の被試験デバイスを収容するテストトレイが提供される。   Further, as a second embodiment of the present invention, a test is provided that includes an individual heater that individually raises the temperature of a device under test that deviates from the target temperature among a plurality of devices under test to a target temperature, and accommodates the devices under test. A tray is provided.

更に、本発明の第３の形態として、目標温度からずれた場合に目標温度まで加熱する個別ヒータを個々に備えるメモリ装置が提供される。   Furthermore, as a third embodiment of the present invention, there is provided a memory device that is provided with individual heaters for heating to a target temperature when the temperature deviates from the target temperature.

なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションも発明となり得る。   It should be noted that the above summary of the invention does not enumerate all the necessary features of the present invention. Further, a sub-combination of these feature groups can be an invention.

以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明する。ただし、以下の実施形態は請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。   Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the invention. However, the following embodiments do not limit the invention according to the claims. In addition, not all the combinations of features described in the embodiments are essential for the solving means of the invention.

図１は、半導体試験装置１０の全体構造を示す図である。同図に示すように、半導体試験装置１０は、ハンドラ２０、テストヘッド１１０、ケーブル１２０およびメイン装置１３０を備える。   FIG. 1 is a diagram showing the overall structure of the semiconductor test apparatus 10. As shown in the figure, the semiconductor test apparatus 10 includes a handler 20, a test head 110, a cable 120, and a main apparatus 130.

テストヘッド１１０は、被試験デバイス５０に対する一時的な電気接続部と、個別の試験を実行する場合に用いられるハードウェアおよびソフトウェアとを有する。ハンドラ２０は、被試験デバイス５０を物理的に操作する。ケーブル１２０を介して接続されたメイン装置１３０は、テストヘッド１１０およびハンドラ２０の動作を総合的に制御する。   The test head 110 has a temporary electrical connection to the device under test 50, and hardware and software used when performing individual tests. The handler 20 physically operates the device under test 50. The main device 130 connected via the cable 120 comprehensively controls the operations of the test head 110 and the handler 20.

上記のような半導体試験装置１０において、被試験デバイス５０は、ハンドラ２０によりテストヘッド１１０に順次供給される。試験を終えた被試験デバイス５０は、再びハンドラ２０により順次搬出される。更に、ハンドラ２０は、熱負荷試験等を実行する場合に、被試験デバイス５０を一定の目標温度まで加熱する機能も有する。   In the semiconductor test apparatus 10 as described above, the device under test 50 is sequentially supplied to the test head 110 by the handler 20. The devices under test 50 that have completed the test are sequentially carried out again by the handler 20. Furthermore, the handler 20 has a function of heating the device under test 50 to a certain target temperature when performing a thermal load test or the like.

図２は、ハンドラ２０の構造を模式的に示す図である。同図に示すように、ハンドラ２０は、テストトレイ３０、格納部２１０、搬送部２２０、２７０、ローディング部２３０、恒温槽２４０、テストチャンバ２５０、除温槽２６０およびアンローディング部２８０を備える。   FIG. 2 is a diagram schematically showing the structure of the handler 20. As shown in the figure, the handler 20 includes a test tray 30, a storage unit 210, transfer units 220 and 270, a loading unit 230, a constant temperature bath 240, a test chamber 250, a temperature removal bath 260, and an unloading unit 280.

格納部２１０は、試験に供される大量の被試験デバイス５０を、カスタマトレイ２９０に収容した状態で格納する。また、格納部２１０は、試験後に評価結果に応じて分類された被試験デバイス５０を格納する。   The storage unit 210 stores a large number of devices under test 50 to be tested in a state of being accommodated in the customer tray 290. The storage unit 210 stores the device under test 50 classified according to the evaluation result after the test.

ローディング部２３０は、格納部２１０から順次搬出された被試験デバイス５０を、カスタマトレイ２９０からテストトレイ３０にローディングする。このとき、被試験デバイス５０の各々は、図示されていない吸着装置によりひとつずつテストトレイ３０に移し替られる。   The loading unit 230 loads the device under test 50 sequentially carried out from the storage unit 210 onto the test tray 30 from the customer tray 290. At this time, each of the devices under test 50 is transferred to the test tray 30 one by one by a suction device (not shown).

搬送部２２０は、被試験デバイス５０を収容したテストトレイ３０を恒温槽２４０に搬送する。恒温槽２４０において、テストトレイ３０に収容された被試験デバイス５０は、一括して試験温度まで加熱される。加熱された被試験デバイス５０を収容したテストトレイ３０はテストチャンバ２５０に搬入される。   The transport unit 220 transports the test tray 30 containing the device under test 50 to the thermostatic chamber 240. In the thermostat 240, the devices under test 50 accommodated in the test tray 30 are heated to the test temperature all at once. The test tray 30 containing the heated device under test 50 is carried into the test chamber 250.

点線で示すテストチャンバ２５０の内部には、被試験デバイス５０を電気的に接続するテストソケット等を含むテストヘッド１１０の上端面が配されている。これにより、テストチャンバ２５０の内部で、被試験デバイス５０がテストヘッド１１０に一時的に実装され、試験が実行される。試験は、テストトレイ３０毎に一括して実行される場合と、いくつかずつ繰り返し実行される場合とがある。   An upper end surface of the test head 110 including a test socket and the like for electrically connecting the device under test 50 is arranged inside the test chamber 250 indicated by a dotted line. As a result, the device under test 50 is temporarily mounted on the test head 110 inside the test chamber 250 and the test is executed. The test may be executed collectively for each test tray 30 or may be repeatedly executed several times.

テストチャンバ２５０内において試験を終えた被試験デバイスは、除温槽２６０において常温またはその近くまで冷却された後に、依然としてテストトレイ３０に収容されたまたまま搬送部２７０によりアンローディング部２８０に搬送される。アンローディング部２８０は、図示されていない吸着装置を用いてテストトレイ３０から被試験デバイスを取り出し、試験結果に基づく評価に応じてカスタマトレイ２９０に分類して収容する。２９０マトレイに格納された被試験デバイス５０は、再び格納部２１０に格納される。こうして、半導体試験装置１０による試験が終了する。   The device under test that has been tested in the test chamber 250 is cooled to room temperature or close to it in the temperature-removing tank 260 and then transferred to the unloading unit 280 by the transfer unit 270 while still contained in the test tray 30. . The unloading unit 280 takes out a device under test from the test tray 30 using a suction device (not shown), and classifies and stores it in the customer tray 290 according to the evaluation based on the test result. The device under test 50 stored in the 290 mat tray is stored in the storage unit 210 again. Thus, the test by the semiconductor test apparatus 10 is completed.

図３は、テストトレイ３０の構造を示す分解斜視図である。同図に示すように、テストトレイ３０は、枠体３００と、枠体３００に装着されるインサート４０とを含む。   FIG. 3 is an exploded perspective view showing the structure of the test tray 30. As shown in the figure, the test tray 30 includes a frame body 300 and an insert 40 attached to the frame body 300.

枠体３００は、矩形の外枠部３１０と、外枠部３１０の内側に互いに平行に配された複数の桟３２０とを有する。外枠部３１０および桟３２０の互いに対向する側面には、一定間隔で配された複数の取付片３１２が設けられる。   The frame body 300 includes a rectangular outer frame portion 310 and a plurality of crosspieces 320 arranged in parallel to each other inside the outer frame portion 310. A plurality of attachment pieces 312 arranged at regular intervals are provided on the side surfaces of the outer frame portion 310 and the crosspiece 320 facing each other.

インサート４０は、取付片３１２に対して上方から搭載され、取付片３１２を貫通して装着されたファスナ３３０により枠体３００に固定される。被試験デバイス５０は、インサート４０の内部に個々に収容される。このような構造により、テストトレイ３０は、適切な形状のインサート４０を介して種々の被試験デバイス５０を収容できる。   The insert 40 is mounted on the mounting piece 312 from above, and is fixed to the frame body 300 by a fastener 330 that is mounted through the mounting piece 312. The device under test 50 is individually accommodated in the insert 40. With such a structure, the test tray 30 can accommodate various devices under test 50 via the insert 40 having an appropriate shape.

なお、図３にはただひとつのインサート４０が描かれているが、実際には取付片３１２の各々にそれぞれインサート４０が装着される。これにより、テストトレイ３０は、例えば１２８個あるいは２５６個といった大量の被試験デバイス５０を収容できる。   Although only one insert 40 is illustrated in FIG. 3, the insert 40 is actually attached to each of the attachment pieces 312. As a result, the test tray 30 can accommodate a large number of devices under test 50 such as 128 or 256.

図４は、インサート４０を単独で示す斜視図である。同図に示すように、インサート４０は、本体部４１０およびカバー４２０を含む。本体部４１０には、被試験デバイス５０と相補的な内面形状を有する収容部４３０が形成される。また、収容部４３０の底部には連通孔４４０が形成される。   FIG. 4 is a perspective view showing the insert 40 alone. As shown in the figure, the insert 40 includes a main body portion 410 and a cover 420. In the main body 410, a housing 430 having an inner surface complementary to the device under test 50 is formed. In addition, a communication hole 440 is formed at the bottom of the accommodating portion 430.

このような構造により、インサート４０は、被試験デバイス５０を収容して保持する。また、テストヘッド１１０に対して接続できるように、被試験デバイス５０の下面に設けられた接続端子を連通孔４４０内に露出させる。   With such a structure, the insert 40 accommodates and holds the device under test 50. Further, the connection terminal provided on the lower surface of the device under test 50 is exposed in the communication hole 440 so that it can be connected to the test head 110.

図５は、テストチャンバ２５０における温度制御機構６０の構造を模式的に示す図である。同図に示すように、ハンドラ２０のテストチャンバ２５０に搬入されたテストトレイ３０には、複数の被試験デバイス５０が収容されている。温度制御機構６０は、テストチャンバ２５０の内部に設けられた全体ヒータ６１０と、テストトレイ３０に組み込まれた個別ヒータ６２０および温度センサ６３０と、テストチャンバ２５０の外部に配置された個別温度制御部６４０および個別ヒータ電源６５０とを含む。   FIG. 5 is a diagram schematically showing the structure of the temperature control mechanism 60 in the test chamber 250. As shown in the figure, a plurality of devices under test 50 are accommodated in the test tray 30 carried into the test chamber 250 of the handler 20. The temperature control mechanism 60 includes an overall heater 610 provided in the test chamber 250, an individual heater 620 and a temperature sensor 630 incorporated in the test tray 30, and an individual temperature control unit 640 disposed outside the test chamber 250. And an individual heater power source 650.

全体ヒータ６１０は、熱源となるヒータ６１２と、ヒータ６１２に熱せられた雰囲気を加熱媒体としてテストチャンバ２５０内で循環させるファンとを有する。また、個別温度制御部６４０は、温度センサ６３０の出力信号をデジタル信号に変換するアナログ／デジタル変換器６４２と、個別ヒータ電源６５０の電力を個別ヒータ６２０に個別に供給する個別駆動部６４４とを含む。   The overall heater 610 includes a heater 612 serving as a heat source, and a fan that circulates in the test chamber 250 using the atmosphere heated by the heater 612 as a heating medium. The individual temperature control unit 640 includes an analog / digital converter 642 that converts an output signal of the temperature sensor 630 into a digital signal, and an individual drive unit 644 that individually supplies the power of the individual heater power source 650 to the individual heater 620. Including.

個別温度制御部６４０は、メイン装置１３０の制御の下に動作して、例えば、テストチャンバ２５０に被試験デバイス５０を搭載したテストトレイ３０が搬入されたときに動作を開始する。また、試験が終了して、テストトレイ３０がテストチャンバ２５０から搬出される前に動作を停止する。あるいは、テストチャンバ２５０の内部において、被試験デバイス５０の試験が開始される前に、被試験デバイス５０の加熱を停止させてもよい。これにより、個別ヒータ６２０がＯＮ／ＯＦＦする場合に発生する電気的なノイズが試験に与える影響を排除できる。   The individual temperature control unit 640 operates under the control of the main apparatus 130 and starts operating when, for example, the test tray 30 on which the device under test 50 is mounted is loaded into the test chamber 250. Further, the operation is stopped before the test is finished and the test tray 30 is unloaded from the test chamber 250. Alternatively, heating of the device under test 50 may be stopped inside the test chamber 250 before the test of the device under test 50 is started. Thereby, it is possible to eliminate the influence of electrical noise generated when the individual heater 620 is turned on / off on the test.

全体ヒータ６１０は、ヒータ６１２が加熱した雰囲気を、図中に矢印で示すようにテストチャンバ２５０の内部で循環させて、テストチャンバ２５０の内部を全体に均一な温度にする。これにより、各テストトレイ３０に収容された被試験デバイス５０の温度も均一になる。   The whole heater 610 circulates the atmosphere heated by the heater 612 inside the test chamber 250 as indicated by arrows in the drawing, so that the inside of the test chamber 250 is brought to a uniform temperature as a whole. Thereby, the temperature of the device under test 50 accommodated in each test tray 30 is also uniform.

しかしながら、例えば、テストトレイ３０の縁部近傍と内側とでは、被試験デバイス５０の加熱速度が異なる。また、プッシャ、テストソケット等が接触した場合に、一部の被試験デバイス５０の温度が低下する場合がある。このため、一部の被試験デバイス５０の温度が、他の被試験デバイス５０よりも低くなる場合がある。   However, for example, the heating rate of the device under test 50 differs between the vicinity of the edge of the test tray 30 and the inside thereof. In addition, when a pusher, a test socket, or the like comes into contact, the temperature of some of the devices under test 50 may decrease. For this reason, the temperature of some of the devices under test 50 may be lower than that of the other devices under test 50.

一方、被試験デバイス５０の各々の温度は、個々の被試験デバイス５０の近傍に配された温度センサ６３０により個別に検知されている。温度センサ６３０が検知した温度を示す温度信号は、アナログ信号で個別温度制御部６４０に送信される。個別温度制御部６４０は、アナログ／デジタル変換器６４２によりデジタル変換された温度信号を参照して演算して、当該被試験デバイス５０の温度が低いことを検知して個別駆動部６４４を動作させることにより、当該被試験デバイス５０の近傍に位置する個別ヒータ６２０に電力を供給する。   On the other hand, the temperature of each device under test 50 is individually detected by a temperature sensor 630 disposed in the vicinity of each device under test 50. A temperature signal indicating the temperature detected by the temperature sensor 630 is transmitted to the individual temperature controller 640 as an analog signal. The individual temperature control unit 640 calculates the temperature signal digitally converted by the analog / digital converter 642, detects that the temperature of the device under test 50 is low, and operates the individual drive unit 644. Thus, electric power is supplied to the individual heater 620 located in the vicinity of the device under test 50.

こうして、当該被試験デバイス５０の温度を、当初想定された目標温度まで正確に加熱することができる。なお、被試験デバイス５０の温度が目標温度に到達したことを温度センサ６３０が検知した場合に、温度信号を参照した個別温度制御部６４０は、個別ヒータ６２０への電力供給を遮断して加熱を停止させることもできる。   Thus, the temperature of the device under test 50 can be accurately heated to the initially assumed target temperature. When the temperature sensor 630 detects that the temperature of the device under test 50 has reached the target temperature, the individual temperature control unit 640 that refers to the temperature signal cuts off the power supply to the individual heater 620 and performs heating. It can also be stopped.

このように、全体ヒータ６１０により概ね目標温度まで加熱された被試験デバイス５０を、更に、個別ヒータ６２０により個別に加熱して目標温度にすることにより、全ての被試験デバイス５０を効率よく目標温度に到達させることができる。ここで、温度センサ６３０の各々は、アナログ／デジタル変換器６４２までの間に、互いに同じ線路長を有するアナログ信号経路６３２を有する。これにより、アナログ信号経路６３２における信号の減衰等の影響を受けることなく、全ての被試験デバイス５０を精度よく、同じ目標温度まで加熱できる。   In this way, the devices under test 50 heated to the target temperature by the overall heater 610 are further heated individually to the target temperature by the individual heaters 620, so that all the devices under test 50 are efficiently set to the target temperature. Can be reached. Here, each of the temperature sensors 630 includes an analog signal path 632 having the same line length between the analog / digital converters 642. Accordingly, all the devices under test 50 can be accurately heated to the same target temperature without being affected by signal attenuation or the like in the analog signal path 632.

また、個別ヒータ６２０に電力を供給する個別ヒータ電源６５０を、このテストチャンバ２５０を備えた半導体試験装置１０のメイン装置１３０およびテストヘッド１１０に電力を供給する電源とは別の、独立した電源とすることができる。これにより、個別ヒータ６２０のＯＮ／ＯＦＦにより発生したノイズが、被試験デバイス５０の試験に影響を及ぼすことが防止される。また、大量の個別ヒータ６２０が同時に動作した場合に電源電圧に生じる変動の影響も排除できる。   In addition, the individual heater power source 650 that supplies power to the individual heater 620 is an independent power source different from the power source that supplies power to the main device 130 and the test head 110 of the semiconductor test apparatus 10 including the test chamber 250. can do. This prevents noise generated by ON / OFF of the individual heater 620 from affecting the test of the device under test 50. Further, it is possible to eliminate the influence of fluctuations that occur in the power supply voltage when a large number of individual heaters 620 operate simultaneously.

なお、温度センサ６３０としては、例えば熱電対を用いることができる。熱電対、熱電能の異なる金属を接合して、ゼーベック効果により生じた電流を測定することにより温度差を検知できる。使用材料により測定温度範囲が異なるが、例えば、銅およびコンスタンタン合金（Ｃｕ−Ｎｉ合金）を組み合わせた熱電対は、−２００℃から３００℃程度の範囲で温度を検知できる。また、被試験デバイス５０に含まれる半導体素子はまたは回路の温度特性を利用して温度センサ６３０とすることもできる。更に、上記の実施形態では温度センサ６３０をテストトレイ３０に配したが、被試験デバイス５０の内部に配してもよい。   For example, a thermocouple can be used as the temperature sensor 630. A temperature difference can be detected by joining thermocouples and metals with different thermopowers and measuring the current generated by the Seebeck effect. Although the measurement temperature range varies depending on the material used, for example, a thermocouple combining copper and a constantan alloy (Cu—Ni alloy) can detect the temperature in a range of about −200 ° C. to 300 ° C. Further, the semiconductor element included in the device under test 50 can be used as the temperature sensor 630 by utilizing the temperature characteristics of the circuit. Furthermore, in the above embodiment, the temperature sensor 630 is arranged on the test tray 30, but it may be arranged inside the device under test 50.

一方、上記の実施形態では、温度センサ６３０を用いて被試験デバイス５０の各々の温度を測定して、それぞれの被試験デバイス５０が目標温度に達するまで個別ヒータ６２０で加熱した。しかしながら、例えば、ひとつのテストトレイ３０に生じる温度分布が予め判っている場合は、温度センサ６３０を参照することなく、一定の分布で個別ヒータ６２０を動作させて、温度分布を解消することもできる。   On the other hand, in the above embodiment, the temperature of each device under test 50 is measured using the temperature sensor 630 and heated by the individual heater 620 until each device under test 50 reaches the target temperature. However, for example, when the temperature distribution generated in one test tray 30 is known in advance, the temperature distribution can be eliminated by operating the individual heater 620 with a constant distribution without referring to the temperature sensor 630. .

従って、例えば、あるロットに係る被試験デバイス５０の試験を開始する場合に、当初は温度センサ６３０を用いて温度分布を測定し、以降は、温度センサ６３０を参照することなく、同じ加熱分布で個別ヒータ６２０を制御してもよい。これにより、試験工程全体のスループットを向上させることができる。   Therefore, for example, when the test of the device under test 50 related to a lot is started, the temperature distribution is initially measured using the temperature sensor 630, and thereafter, with the same heating distribution without referring to the temperature sensor 630. The individual heater 620 may be controlled. Thereby, the throughput of the whole test process can be improved.

なお、被試験デバイス５０としては、ＩＣ、ＬＳＩ、メモリ、ＳｏＣ（システム・オン・チップ）等の様々な半導体装置が例示できる。特に、記憶装置等のＩＣは、生産量が多いので、大量に一括して試験が実行される。このため、同時に試験される被試験デバイス相互に温度差が生じやすいので、個別ヒータ６２０を備えた半導体試験装置１０を用いることにより品質のばらつきを抑制する効果が顕著になる。   Examples of the device under test 50 include various semiconductor devices such as an IC, an LSI, a memory, and a SoC (system on chip). In particular, since ICs such as storage devices have a large production volume, tests are executed in large quantities. For this reason, since a temperature difference is likely to occur between devices under test that are simultaneously tested, the use of the semiconductor test apparatus 10 provided with the individual heaters 620 makes the effect of suppressing variation in quality remarkable.

図６は、他の実施形態に係る温度制御機構６０の構造を模式的に示す図である。なお、以下に説明する部分を除いて、温度制御機構６０は既に説明した温度制御機構６０と同じ構造および作用を有する。そこで、同じ構成要素には同じ参照番号を付して重複する説明を省く。   FIG. 6 is a diagram schematically illustrating the structure of a temperature control mechanism 60 according to another embodiment. In addition, except the part demonstrated below, the temperature control mechanism 60 has the same structure and effect | action as the temperature control mechanism 60 already demonstrated. Therefore, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

同図に示すように、温度制御機構６０は、テストトレイ３０に組み込まれた個別ヒータ６２０および温度センサ６３０と、個別ヒータ６２０および温度センサ６３０に接続された個別温度制御部６４０とを備える。ただし、個別温度制御部６４０は、個別ヒータ６２０および温度センサ６３０と共に共通のパッケージ６４６に封止されたＡＳＩＣに組み込まれている。   As shown in the figure, the temperature control mechanism 60 includes an individual heater 620 and a temperature sensor 630 incorporated in the test tray 30, and an individual temperature control unit 640 connected to the individual heater 620 and the temperature sensor 630. However, the individual temperature control unit 640 is incorporated in an ASIC sealed in a common package 646 together with the individual heater 620 and the temperature sensor 630.

このようなＡＳＩＣを供給して、例えば、インサート４０に組み込むことにより、既存のテストトレイ３０あるいは既存の半導体試験装置１０において、前記した作用および効果を享受できる。また、被試験デバイス５０の温度を個別に制御できる半導体試験装置１０を、比較的廉価に製造できる。   By supplying such an ASIC and incorporating it into the insert 40, for example, the existing test tray 30 or the existing semiconductor test apparatus 10 can enjoy the functions and effects described above. Further, the semiconductor test apparatus 10 that can individually control the temperature of the device under test 50 can be manufactured at a relatively low cost.

図７は、更に他の実施形態に係る温度制御機構６０の構造を模式的に示す図である。なお、以下に説明する部分を除いて、温度制御機構６０は既に説明した温度制御機構６０と同じ構造および作用を有する。そこで、同じ構成要素には同じ参照番号を付して重複する説明を省く。   FIG. 7 is a diagram schematically showing the structure of a temperature control mechanism 60 according to still another embodiment. In addition, except the part demonstrated below, the temperature control mechanism 60 has the same structure and effect | action as the temperature control mechanism 60 already demonstrated. Therefore, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.

同図に示すように、温度制御機構６０は、テストトレイ３０に組み込まれた個別ヒータ６２０および温度センサ６３０と、個別ヒータ６２０および温度センサ６３０に接続された個別温度制御部６４０とを含む。個別駆動部６４４およびアナログ／デジタル変換器６４２を含む個別温度制御部は、テストチャンバ２５０の外部に配される。   As shown in the figure, the temperature control mechanism 60 includes an individual heater 620 and a temperature sensor 630 incorporated in the test tray 30, and an individual temperature controller 640 connected to the individual heater 620 and the temperature sensor 630. The individual temperature control unit including the individual driving unit 644 and the analog / digital converter 642 is disposed outside the test chamber 250.

一方、個別ヒータ６２０および温度センサ６３０は、被試験デバイス５０としての記憶装置５１のパッケージ５４に、当該記憶装置５１の内部回路５２と共に封止されている。このような構造により、温度センサ６３０で記憶装置５１の個別の温度を精密に検知できると共に、個別ヒータ６２０で記憶装置５１の内部回路５２を効率よく加熱して、迅速に目標温度に到達させることができる。このような構造は、複数の被試験デバイス５０を一括して試験する場合が多い記憶装置５１において特に有利ではあるが、他のＩＣ、ＬＳＩ、ＳｏＣ等の様々な半導体装置にも適用できる。   On the other hand, the individual heater 620 and the temperature sensor 630 are sealed together with the internal circuit 52 of the storage device 51 in a package 54 of the storage device 51 as the device under test 50. With such a structure, the individual temperature of the storage device 51 can be accurately detected by the temperature sensor 630, and the internal circuit 52 of the storage device 51 can be efficiently heated by the individual heater 620 so as to quickly reach the target temperature. Can do. Such a structure is particularly advantageous in the storage device 51 in which a plurality of devices under test 50 are often collectively tested, but can also be applied to various semiconductor devices such as other ICs, LSIs, and SoCs.

なお、上記のような機能に鑑みて、記憶装置５１は、温度センサ６３０の出力する温度信号を、個別温度制御部６４０のアナログ／デジタル変換器６４２に伝達する接続端子を備えることが好ましい。また、記憶装置５１は、個別ヒータ６２０を外部から動作または停止させる制御端子も設けることが好ましい。これにより、アナログ信号経路６３２および配線６２２を介して、温度センサ６３０および個別ヒータ６２０を、記憶装置５１のパッケージ５４の外部から利用できる。   In view of the above functions, the storage device 51 preferably includes a connection terminal that transmits the temperature signal output from the temperature sensor 630 to the analog / digital converter 642 of the individual temperature control unit 640. The storage device 51 is also preferably provided with a control terminal for operating or stopping the individual heater 620 from the outside. Thus, the temperature sensor 630 and the individual heater 620 can be used from outside the package 54 of the storage device 51 via the analog signal path 632 and the wiring 622.

更に、記憶装置５１は、個別ヒータ６２０に駆動電力を供給する給電端子を設けることが好ましい。当該給電端子への電力源の接続は、テストソケットに含まれる端子の一部を利用することができる。また、試験を実行する場合に記憶装置５１に接近する部材に接続端子を設け給電に設けることもできる。具体的には、記憶装置５１をテストソケットに押し付けるプッシャ等に接続端子を設けて給電することができる。   Furthermore, the storage device 51 is preferably provided with a power supply terminal that supplies driving power to the individual heater 620. For connection of the power source to the power supply terminal, a part of the terminal included in the test socket can be used. In addition, when a test is performed, a connection terminal can be provided on a member that approaches the storage device 51 to provide power supply. Specifically, it is possible to supply power by providing a connection terminal on a pusher or the like that presses the storage device 51 against a test socket.

更に、個別ヒータ６２０としては、パッケージ５４に組み込んだ電熱線の他、パッケージ５４の表面に貼り付けたフィルムヒータ等を用いることもできる。フィルムヒータは、例えばニッケル合金の発熱抵抗体をポリイミド等の絶縁シートで挟み込んだ構造を有して、厚さが１ｍｍ未満なので、記憶装置５１の仕様および構造を殆ど変更することなく使用できる。   Furthermore, as the individual heater 620, a film heater or the like attached to the surface of the package 54 can be used in addition to the heating wire incorporated in the package 54. The film heater has a structure in which, for example, a nickel alloy heating resistor is sandwiched between insulating sheets such as polyimide and has a thickness of less than 1 mm. Therefore, the film heater can be used with almost no change in the specifications and structure of the storage device 51.

以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることができることは当業者に明らかである。また、その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   As mentioned above, although this invention was demonstrated using embodiment, the technical scope of this invention is not limited to the range as described in the said embodiment. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above-described embodiment. Further, it is apparent from the description of the scope of claims that embodiments with such changes or improvements can also be included in the technical scope of the present invention.

半導体試験装置１０の全体構造を示す図である。1 is a diagram showing an overall structure of a semiconductor test apparatus 10. FIG. ハンドラ２０の構造を模式的に示す図である。2 is a diagram schematically showing the structure of a handler 20. FIG. テストトレイ３０の構造を示す分解斜視図である。3 is an exploded perspective view showing a structure of a test tray 30. FIG. インサート４０の形状を示す図である。It is a figure which shows the shape of the insert. 温度制御機構６０を示す模式的な断面図である。4 is a schematic cross-sectional view showing a temperature control mechanism 60. FIG. 温度制御機構６０の他の形態を示す模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view showing another form of the temperature control mechanism 60. FIG. 温度制御機構６０のまた他の形態を示す模式的な断面図である。6 is a schematic cross-sectional view showing still another form of the temperature control mechanism 60. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 半導体試験装置、２０ ハンドラ、３０ テストトレイ、４０ インサート、５０ 被試験デバイス、５１ 記憶装置、５２ 内部回路、５４、６４６ パッケージ、５１ メモリ装置、６０ 温度制御機構、１１０ テストヘッド、１２０ ケーブル、１３０ メイン装置、２１０ 格納部、２２０、２７０ 搬送部、２３０ ローディング部、２４０ 恒温槽、２５０ テストチャンバ、２６０ 除温槽、２８０ アンローディング部、２９０ カスタマトレイ、３００ 枠体、３１０ 外枠部、３１２ 取付片、３２０ 桟、３３０ ファスナ、４１０ 本体部、４２０ カバー、４３０ 収容部、４４０ 連通孔、６１０ 全体ヒータ、６１２ ヒータ、６１４ ファン、６２０ 個別ヒータ、６２２ 配線、６３０ 温度センサ、６３２ アナログ信号経路、６４０ 個別温度制御部、６４２ アナログ／デジタル変換器、６４４ 個別駆動部、６５０ 個別ヒータ電源 10 Semiconductor Test Equipment, 20 Handler, 30 Test Tray, 40 Insert, 50 Device Under Test, 51 Storage Device, 52 Internal Circuit, 54, 646 Package, 51 Memory Device, 60 Temperature Control Mechanism, 110 Test Head, 120 Cable, 130 Main device, 210 Storage unit, 220, 270 Conveying unit, 230 Loading unit, 240 Constant temperature bath, 250 Test chamber, 260 Heat removal bath, 280 Unloading unit, 290 Customer tray, 300 Frame body, 310 Outer frame unit, 312 Attachment Piece, 320 crosspiece, 330 fastener, 410 main body, 420 cover, 430 housing, 440 communication hole, 610 overall heater, 612 heater, 614 fan, 620 individual heater, 622 wiring, 630 temperature sensor, 632 analog signal Path, 640 individual temperature control unit, 642 an analog / digital converter, 644 individual driver, 650 individual heater power supply

Claims (22)

複数の被試験デバイスを収容するテストトレイと、
前記テストトレイを収容するチャンバと、
前記チャンバの内部において前記複数の被試験デバイスを目標温度まで一括して加熱する全体ヒータと、
前記テストトレイに設けられ、前記複数の被試験デバイスを個別に加熱する個別ヒータと、
を備えるハンドラ。 A test tray containing a plurality of devices under test;
A chamber containing the test tray;
An overall heater that collectively heats the plurality of devices under test to a target temperature within the chamber;
An individual heater provided on the test tray for individually heating the plurality of devices under test;
A handler with 前記個別ヒータを個別に動作または停止させて、前記目標温度からずれた被試験デバイスの温度を前記目標温度まで個別に上昇させる個別温度制御部を備える請求項１に記載のハンドラ。   The handler according to claim 1, further comprising an individual temperature control unit that individually operates or stops the individual heater to individually increase the temperature of the device under test that deviates from the target temperature to the target temperature. 前記個別温度制御部は、前記被試験デバイスに対して試験が開始される前に前記個別ヒータを動作させて前記被試験デバイスの各々を前記目標温度まで加熱させ、前記試験が開始されると前記個別ヒータを停止させる請求項２に記載のハンドラ。   The individual temperature control unit operates the individual heater to heat each of the devices under test to the target temperature before a test is started on the device under test, and when the test is started, The handler according to claim 2 which stops an individual heater. 前記個別温度制御部は、前記全体ヒータにより既に加熱された前記被試験デバイスを、前記個別ヒータに加熱させる請求項２に記載のハンドラ。   The handler according to claim 2, wherein the individual temperature control unit causes the individual heater to heat the device under test that has already been heated by the overall heater. 前記複数の被試験デバイスの各々の温度に個別に対応した温度信号を出力する温度センサを更に備える請求項２に記載のハンドラ。   The handler according to claim 2, further comprising a temperature sensor that outputs a temperature signal individually corresponding to the temperature of each of the plurality of devices under test. 前記温度センサは、前記被試験デバイスの内部に配される請求項５に記載のハンドラ。   The handler according to claim 5, wherein the temperature sensor is arranged inside the device under test. 前記温度センサは、前記複数の被試験デバイスについて互いに同じ線路長を有するアナログ信号経路を介して前記温度信号を出力する請求項５に記載のハンドラ。   6. The handler according to claim 5, wherein the temperature sensor outputs the temperature signal via analog signal paths having the same line length with respect to the plurality of devices under test. 前記個別温度制御部は、前記温度信号を参照して前記個別ヒータを動作または停止させる請求項５に記載のハンドラ。   The handler according to claim 5, wherein the individual temperature control unit operates or stops the individual heater with reference to the temperature signal. 前記個別ヒータは、前記温度センサおよび前記個別温度制御部の少なくとも一方と共通のパッケージに収容される請求項５に記載のハンドラ。   The handler according to claim 5, wherein the individual heater is housed in a package common to at least one of the temperature sensor and the individual temperature control unit. 前記個別ヒータは、前記被試験デバイスに対する試験を実行する場合に当該被試験デバイスに接近する部材を介して外部から動作電力を供給される請求項１に記載のハンドラ。   2. The handler according to claim 1, wherein the individual heater is supplied with operating power from the outside through a member that approaches the device under test when the test is performed on the device under test. 前記個別ヒータは、専ら前記個別ヒータに電力を供給する独立したヒータ電源を備える請求項１に記載のハンドラ。   The handler according to claim 1, wherein the individual heater includes an independent heater power source that exclusively supplies power to the individual heater. 前記全体ヒータは、前記チャンバの内部の雰囲気を加熱媒体として循環させる請求項１に記載のハンドラ。   The handler according to claim 1, wherein the overall heater circulates an atmosphere inside the chamber as a heating medium. 複数の被試験デバイスのうち目標温度からずれた被試験デバイスの温度を前記目標温度まで個別に上昇させる個別ヒータを備え、前記複数の被試験デバイスを収容するテストトレイ。   A test tray that includes an individual heater that individually raises the temperature of a device under test that deviates from a target temperature among a plurality of devices under test to the target temperature, and accommodates the plurality of devices under test. 収容した前記複数の被試験デバイスの各々の温度に個別に対応した温度信号を出力する温度センサを更に備える請求項１３に記載のテストトレイ。   The test tray according to claim 13, further comprising a temperature sensor that outputs a temperature signal individually corresponding to the temperature of each of the plurality of devices under test accommodated. 前記温度センサは、前記被試験デバイスに含まれる請求項１４に記載のテストトレイ。   The test tray according to claim 14, wherein the temperature sensor is included in the device under test. 前記温度センサは、前記複数の被試験デバイスについて互いに同じ線路長を有するアナログ信号経路を介して前記温度信号を出力する請求項１４に記載のテストトレイ。   The test tray according to claim 14, wherein the temperature sensor outputs the temperature signal via analog signal paths having the same line length with respect to the plurality of devices under test. 前記温度信号を参照して、前記個別ヒータを動作または停止させる個別温度制御部を更に備える請求項１４に記載のテストトレイ。   The test tray according to claim 14, further comprising an individual temperature control unit that operates or stops the individual heater with reference to the temperature signal. 前記個別ヒータは、前記温度センサおよび前記個別温度制御部の少なくとも一方と共通のパッケージに収容される請求項１７に記載のテストトレイ。   The test tray according to claim 17, wherein the individual heater is housed in a package common to at least one of the temperature sensor and the individual temperature control unit. 目標温度からずれた場合に前記目標温度まで加熱する個別ヒータを個々に備えるメモリ装置。   A memory device comprising an individual heater for heating to the target temperature when the temperature deviates from the target temperature. 前記個別ヒータを、前記メモリ装置の外部から動作または停止させる制御端子を備える請求項１９に記載のメモリ装置。   The memory device according to claim 19, further comprising a control terminal that operates or stops the individual heater from outside the memory device. 温度に対応した温度信号を出力する温度センサを更に備える請求項１９に記載のメモリ装置。   The memory device according to claim 19, further comprising a temperature sensor that outputs a temperature signal corresponding to the temperature. 前記温度センサの出力信号を前記メモリ装置の外部へ出力する出力端子を備える請求項２１に記載のメモリ装置。   The memory device according to claim 21, further comprising an output terminal that outputs an output signal of the temperature sensor to the outside of the memory device.
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015064263A (en) * 2013-09-25 2015-04-09 エスペック株式会社 Environment test device
US9196334B2 (en) 2012-04-19 2015-11-24 Qualcomm Incorporated Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (MRAM) architecture
US9368232B2 (en) 2013-03-07 2016-06-14 Qualcomm Incorporated Magnetic automatic test equipment (ATE) memory tester device and method employing temperature control
CN108267244A (en) * 2018-03-22 2018-07-10 厦门攸信信息技术有限公司 Temperature collecting device and system
WO2020166498A1 (en) * 2019-02-15 2020-08-20 株式会社エンプラス Socket
CN113314248A (en) * 2021-05-24 2021-08-27 中国原子能科学研究院 Irradiation device
CN113945793A (en) * 2021-12-20 2022-01-18 海拓仪器(江苏)有限公司 Accelerated electrification aging test device for electronic device

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0252263A (en) * 1988-08-17 1990-02-21 Seiko Instr Inc Semiconductor testing device
JPH02312266A (en) * 1989-05-26 1990-12-27 Nec Corp Semiconductor integrated device
JPH0485848A (en) * 1990-07-26 1992-03-18 Matsushita Electron Corp Semiconductor integrated circuit device
JPH06273493A (en) * 1993-03-19 1994-09-30 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
JPH10148657A (en) * 1996-11-18 1998-06-02 Sony Corp Semiconductor inspection device
JPH10267989A (en) * 1997-03-28 1998-10-09 Nec Corp Heating method for device by handler
JP2000221234A (en) * 1999-01-29 2000-08-11 Nec Corp System and method for burn-in
JP2001013201A (en) * 1999-06-29 2001-01-19 Toshiba Microelectronics Corp Method and device for testing ic device
JP2001042000A (en) * 1999-07-29 2001-02-16 Nec Eng Ltd Jig for measuring ic characteristics
JP2005172467A (en) * 2003-12-08 2005-06-30 Renesas Technology Corp Semiconductor device
JP2007121180A (en) * 2005-10-31 2007-05-17 Fujitsu Ltd Testing device test method for semiconductor device

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0252263A (en) * 1988-08-17 1990-02-21 Seiko Instr Inc Semiconductor testing device
JPH02312266A (en) * 1989-05-26 1990-12-27 Nec Corp Semiconductor integrated device
JPH0485848A (en) * 1990-07-26 1992-03-18 Matsushita Electron Corp Semiconductor integrated circuit device
JPH06273493A (en) * 1993-03-19 1994-09-30 Hitachi Ltd Semiconductor integrated circuit device
JPH10148657A (en) * 1996-11-18 1998-06-02 Sony Corp Semiconductor inspection device
JPH10267989A (en) * 1997-03-28 1998-10-09 Nec Corp Heating method for device by handler
JP2000221234A (en) * 1999-01-29 2000-08-11 Nec Corp System and method for burn-in
JP2001013201A (en) * 1999-06-29 2001-01-19 Toshiba Microelectronics Corp Method and device for testing ic device
JP2001042000A (en) * 1999-07-29 2001-02-16 Nec Eng Ltd Jig for measuring ic characteristics
JP2005172467A (en) * 2003-12-08 2005-06-30 Renesas Technology Corp Semiconductor device
JP2007121180A (en) * 2005-10-31 2007-05-17 Fujitsu Ltd Testing device test method for semiconductor device

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9196334B2 (en) 2012-04-19 2015-11-24 Qualcomm Incorporated Hierarchical memory magnetoresistive random-access memory (MRAM) architecture
US9368232B2 (en) 2013-03-07 2016-06-14 Qualcomm Incorporated Magnetic automatic test equipment (ATE) memory tester device and method employing temperature control
JP2015064263A (en) * 2013-09-25 2015-04-09 エスペック株式会社 Environment test device
CN108267244A (en) * 2018-03-22 2018-07-10 厦门攸信信息技术有限公司 Temperature collecting device and system
CN108267244B (en) * 2018-03-22 2024-06-04 厦门攸信信息技术有限公司 Temperature acquisition device and system
WO2020166498A1 (en) * 2019-02-15 2020-08-20 株式会社エンプラス Socket
JP2020134232A (en) * 2019-02-15 2020-08-31 株式会社エンプラス socket
JP7169899B2 (en) 2019-02-15 2022-11-11 株式会社エンプラス socket
CN113314248A (en) * 2021-05-24 2021-08-27 中国原子能科学研究院 Irradiation device
CN113314248B (en) * 2021-05-24 2024-05-14 中国原子能科学研究院 Irradiation device
CN113945793A (en) * 2021-12-20 2022-01-18 海拓仪器(江苏)有限公司 Accelerated electrification aging test device for electronic device

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