JP2009111190A - プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、および固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims abstract description 110
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title claims description 116
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 166
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 54
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 19
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 8
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000008832 photodamage Effects 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】固体撮像装置の製造方法において、撮像領域100aおよび周辺駆動配線領域100b上に形成した遮光膜16を加工する際、最初のエッチングステップではバイアスパワーをコントロールして撮像領域の遮光膜の異方性エッチングにより必要な遮光膜開口を形成し、次のエッチングステップではバイアスパワーを1Wにすることで等方性エッチングを行い、周辺駆動配線領域の側壁部のエッチング残渣を除去する。
【選択図】図2
Description
図1〜図3は、本発明の実施形態1による固体撮像装置の製造方法を説明する図である。図1は、撮像領域に光電変換素子および転送ゲートなどを形成する工程を示し、図2は、遮光膜を加工する工程を示している。さらに、図3は、遮光膜の加工に用いるプラズマエッチング装置を示す図である。
(実施形態2)
なお、上記実施形態1では、特に説明しなかったが、上記実施形態1の固体撮像装置の製造方法で製造した固体撮像装置を撮像部に用いた例えばデジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラなどのデジタルカメラや、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ、カメラ付き携帯電話装置などの画像入力デバイスを有した電子情報機器について説明する。本発明の電子情報機器は、本発明の実施形態1の固体撮像装置の製造方法により製造した固体撮像装置を撮像部に用いて得た高品位な画像データを記録用に所定の信号処理した後にデータ記録する記録メディアなどのメモリ部と、この画像データを表示用に所定の信号処理した後に液晶表示画面などの表示画面上に表示する液晶表示装置などの表示手段と、この画像データを通信用に所定の信号処理をした後に通信処理する送受信装置などの通信手段と、この画像データを印刷(印字)して出力(プリントアウト)する画像出力手段とのうちの少なくともいずれかを有している。
11 光電変換素子
12a シリコン酸化膜
12b シリコン窒化膜
13 ポリシリコン層
14 熱酸化膜
15 シリコン酸化膜
16 遮光膜
17 レジスト膜
50 プラズマエッチング装置
51,52 平板電極
53 エッチング終点検出器
54a ガス供給口
54b ガス排出口
100 固体撮像装置
100a 撮像領域
100b 周辺駆動配線領域
110 垂直転送部
120 水平転送部
130 出力部
PD 光電変換素子(フォトダイオード)
Px 画素
Rg 反応ガス
Claims (18)
- エッチングガスを第1の高周波電力によりプラズマ化し、第2の高周波電力によりプラズマエッチングの異方性および等方性の切り替えを制御して、被加工膜をプラズマエッチングするエプラズマッチング方法であって、
該第2の高周波電力を該被加工膜の異方性エッチングが行われるよう制御して、該被加工膜に開口を形成するステップと、
該第2の高周波電力を該被加工膜の等方性エッチングが行われるよう制御して、該被加工膜の、該異方性エッチングにおけるエッチング残渣を除去するステップとを含むプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第1の高周波電力は、上下に対向するよう配置された一対の平板電極のうちの上側平板電極に印加されるソース高周波電力であり、
前記第2の高周波電力は、該一対の平板電極のうちの、前記被加工膜が載置された下側平板電極に印加されるバイアス高周波電力であるプラズマエッチング方法。 - 請求項2に記載のプラズマエッチング方法において、
前記プラズマエッチングの異方性エッチングから等方性エッチングへの切り替えは、前記バイアス高周波電力を低下させることにより行うプラズマエッチング方法。 - 請求項2に記載のプラズマエッチング方法において、
前記被加工膜のプラズマエッチング中に発生する特定波長の光強度の変化に基づいて、該被加工膜のエッチング終点が検出されたとき、前記プラズマエッチングを異方性エッチングから等方性エッチングに切り替るプラズマエッチング方法。 - 請求項3に記載のプラズマエッチング方法において、
前記バイアス高周波電力を前記プラズマエッチングが可能な最低レベルまで低下させることにより、前記プラズマエッチングを異方性エッチングから等方性エッチングに切り替えるプラズマエッチング方法。 - 請求項3に記載のプラズマエッチング方法において、
前記バイアス高周波電力を0Wにすることにより、前記プラズマエッチングを異方性エッチングから等方性エッチングに切り替えるプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において、
前記被加工膜は、遮光性を有する金属材料からなる遮光膜であるプラズマエッチング方法。 - 請求項7に記載のプラズマエッチング方法において、
前記遮光膜は、タングステン膜であり、
前記エッチングガスは、SF6ガス、Cl2ガス、およびArガスのいずれか、またはこれらのうちの2以上のガスの混合ガスであるプラズマエッチング方法。 - 請求項7に記載のプラズマエッチング方法において、
前記遮光膜は、アルミ膜であり、
前記エッチングガスは、BCl3ガス、CHF3ガス、Cl2ガス、およびArガスのいずれか、またはこれらのうちの2以上のガスの混合ガスであるプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第1の高周波電力は、300Wから1500Wの範囲であるプラズマエッチング方法。 - 請求項1に記載のプラズマエッチング方法において、
前記第2の高周波電力は、0Wから80Wの範囲で変更されるプラズマエッチング方法。 - エッチングガスを第1の高周波電力によりプラズマ化し、第2の高周波電力によりプラズマエッチングの異方性および等方性の切り替えを制御して、被加工膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング装置であって、
エッチングガスが供給されるエッチング室と、
該エッチング室内に上下に対向するよう配置された一対の平板電極と、
該一対の平板電極の一方に第1の高周波電力を供給する第1の高周波電源と、
該一対の平板電極の他方に第2の高周波電力を供給する第2の高周波電源とを備え、
該第2の高周波電力を、該被加工膜の異方性エッチングにより該被加工膜に開口が形成され、続いて、該被加工膜の等方性エッチングによりエッチング残渣が除去されるよう制御するプラズマエッチング装置。 - 請求項12に記載のプラズマエッチング装置において、
前記被加工膜のプラズマエッチング中に発生する特定波長の光強度に基づいて、該被加工膜のエッチング終点を検出するエッチング終点検出器を備え、
該エッチング終点検出器により該被加工膜のエッチング終点が検出されたとき、前記プラズマエッチングが異方性エッチングから等方性エッチングに切り替わるよう、前記第2の高周波電源から出力される第2の高周波電力を低下させるプラズマエッチング装置。 - 請求項13に記載のプラズマエッチング装置において、
前記第1の高周波電力は、上下に対向するよう配置された一対の平板電極のうちの上側平板電極に印加されるソース高周波電力であり、
前記第2の高周波電力は、該一対の平板電極のうちの、前記被加工膜が載置された下側平板電極に印加されるバイアス高周波電力であるプラズマエッチング装置。 - 請求項14に記載のプラズマエッチング装置において、
前記バイアス高周波電力を前記プラズマエッチングが可能な最低レベルまで低下させることにより、前記プラズマエッチングを異方性エッチングから等方性エッチングに切り替えるプラズマエッチング装置。 - 請求項14に記載のプラズマエッチング装置において、
前記バイアス高周波電力を0Wにすることにより、前記プラズマエッチングを異方性エッチングから等方性エッチングに切り替えるプラズマエッチング装置。 - 光電変換素子がアレイ状に配列されている撮像領域と、その周辺に位置し、信号配線が配置される周辺領域とを有する固体撮像装置を製造する方法であって、
基板表面に複数の光電変換素子を、該複数の光電変換素子が該撮像領域内にアレイ状に配列されるよう形成するステップと、
基板上の全面に遮光膜を形成した後、エッチングガスを第1の高周波電力によりプラズマ化し、かつ第2の高周波電力によりプラズマエッチングの異方性および等方性の切り替えを制御するプラズマエッチング処理により、該遮光膜を選択的にエッチングするステップとを含み、
該遮光膜のエッチングステップでは、
該第2の高周波電力を、該遮光膜の異方性エッチングにより、該光電変換素子上に遮光膜開口が形成され、続いて、該遮光膜の等方性エッチングにより該異方性エッチングにおけるエッチング残渣が除去されるよう制御する固体撮像装置の製造方法。 - 請求項17に記載の固体撮像装置の製造方法において、
前記遮光膜をエッチングするステップでは、
前記遮光膜のプラズマエッチング中に発生する特定波長の光強度の変化に基づいて、前記撮像領域での該遮光膜の選択的なエッチングにより前記遮光膜開口が形成された時点を検出し、この時点を検出したとき、前記プラズマエッチングを異方性エッチングから等方性エッチングに切り替て、前記周辺領域におけるエッチング残渣をエッチング除去する固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007282479A JP5144213B2 (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、および固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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---|---|---|---|
JP2007282479A JP5144213B2 (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、および固体撮像素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009111190A true JP2009111190A (ja) | 2009-05-21 |
JP5144213B2 JP5144213B2 (ja) | 2013-02-13 |
Family
ID=40779356
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007282479A Active JP5144213B2 (ja) | 2007-10-30 | 2007-10-30 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、および固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5144213B2 (ja) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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