JP2009108337A - Electroless plating method, electroless plating apparatus and electromagnetic interference shield material - Google Patents

Electroless plating method, electroless plating apparatus and electromagnetic interference shield material Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To increase a plating rate in electroless plating, and to prolong the lifetime of a plating solution. <P>SOLUTION: An electroless plating apparatus 10 comprises an electroless plating tank 16 filled with plating solution 16A, and a current-carrying device 20 which carries the current in a conductive metal pattern 12A consisting of a mesh-like thin wire pattern of a laminate 12 to heat the conductive metal pattern 12A during the electroless plating. The current-carrying device 20 has a power supply roller 22 on a cathode side in contact with the conductive metal pattern 12A of the laminate 12 on an inlet side of the electroless plating tank 16, and a power supply roller 24 on an anode side in contact with the conductive metal pattern 12A of the laminate 12 on an outlet side of the electroless plating tank 16. The conductive metal pattern 12A is conducted by the power supply rollers 22, 24, and a part in a vicinity of the conductive metal pattern 12A is heated in the plating solution. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、導電性金属パターンを含む基体上に無電解めっきをする無電解めっき方法、無電解めっき装置、及び無電解めっき方法によって形成された電磁波シールド材料に関する。   The present invention relates to an electroless plating method for performing electroless plating on a substrate including a conductive metal pattern, an electroless plating apparatus, and an electromagnetic wave shielding material formed by the electroless plating method.

近年、銀塩写真技術や印刷法を用いて細線パターニングし、PDP(プラズマディスプレイパネル)の電磁波シールド膜を作製する技術が検討されている。
電磁波シールド機能を果たす要件は、細線上に金属を積層することであり、積層法の1つとして無電解めっきを用いることが可能である。無電解めっきでは、高速短時間めっきのためには通常めっき液液温を上げるが、この場合、時間当たりのめっき金属残存量が減少し、めっき液の寿命が短くなるという問題がある。このため、無電解めっきの高速化とめっき液の長寿命化を同時に満たすことができない。
In recent years, a technique for producing an electromagnetic wave shielding film of a plasma display panel (PDP) by patterning fine lines using a silver salt photography technique or a printing method has been studied.
A requirement for fulfilling the electromagnetic wave shielding function is to laminate a metal on a thin wire, and electroless plating can be used as one of the lamination methods. In electroless plating, the temperature of the plating solution is usually increased for high-speed and short-time plating. In this case, however, there is a problem that the remaining amount of plating metal per hour is reduced and the life of the plating solution is shortened. For this reason, speeding up of electroless plating and long life of the plating solution cannot be satisfied at the same time.

一方、特許文献1には、ガルバニックスタートについて記載されており、無電解めっき液中で析出反応電位に相当する電位を与えて電気化学的に反応を起こさせる方法が開示されている。この方法では、被めっきサンプルと電極とをめっき液中で対向するように設置してめっき反応させている。   On the other hand, Patent Document 1 describes a galvanic start, and discloses a method of causing an electrochemical reaction by applying a potential corresponding to a deposition reaction potential in an electroless plating solution. In this method, the sample to be plated and the electrode are placed so as to face each other in the plating solution to cause a plating reaction.

特許文献2には、金属イオンを含まない前処理剤で一次めっき膜の表面電位を、その一次めっき膜の表面電流密度が二次めっきの無電解処理液中で最も卑な表面電位よりも、さらに卑となるように調整した後、二次めっきを施す方法が開示されている。   In Patent Document 2, the surface potential of the primary plating film with a pretreatment agent that does not contain metal ions, the surface current density of the primary plating film is lower than the most base surface potential in the electroless treatment liquid of the secondary plating, Further, a method of performing secondary plating after adjusting so as to be base is disclosed.

特許文献3には、貴金属を含有した活性化液浸漬中に、現像銀に対して負電位を与える方法が開示されている。この方法によれば、拡散転写法により形成した現像銀パターン上に吸着した貴金属が、還元されてめっき触媒として作用し、無電解めっきが可能となることが記載されている。   Patent Document 3 discloses a method of applying a negative potential to developed silver during immersion in an activation solution containing a noble metal. According to this method, it is described that the noble metal adsorbed on the developed silver pattern formed by the diffusion transfer method is reduced and acts as a plating catalyst to enable electroless plating.

しかし、特許文献1から特許文献3のいずれの方法でも、めっきの高速化とめっき液の長寿命化を同時に達成することは困難である。
特開2001−131760号公報 特開2003−155573号公報 特開2004−269992号公報
However, in any method of Patent Documents 1 to 3, it is difficult to simultaneously achieve high speed plating and long life of the plating solution.
JP 2001-131760 A JP 2003-155573 A JP 2004-269992 A

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、無電解めっきにおいてめっき速度を上げると共に、めっき液の長寿命化を図ることができる無電解めっき方法、無電解めっき装置、及び無電解めっき方法で形成された電磁波シールド材料を提供することである。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an electroless plating method, an electroless plating apparatus, and an electroless plating capable of increasing the plating speed in electroless plating and extending the life of a plating solution. An electromagnetic shielding material formed by the method is provided.

上記課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、導電性金属パターンを含む基体上に金属めっきをする無電解めっき方法であって、前記無電解めっきの最中に前記導電性金属パターンに電気通電し、前記導電性金属パターンを加温しながら無電解めっきすることを特徴としている。   In order to solve the above problems, the invention according to claim 1 is an electroless plating method for performing metal plating on a substrate including a conductive metal pattern, wherein the conductive metal is formed during the electroless plating. The pattern is characterized in that the pattern is electrically energized and electroless plating is performed while heating the conductive metal pattern.

請求項1に記載の発明によれば、無電解めっきの最中に導電性金属パターンに電気通電することで、導電性金属パターン近傍のみを加温しながら無電解めっきする。これにより、形成した金属パターンへのめっき速度を上げることができ、時間当たりのめっき量を増大させ抵抗値を下げることができる。また、めっき液の全体温度を高くしないため、経時時間あたりのめっき金属残存率が多くなり、めっき液の寿命が長くなる。   According to the first aspect of the present invention, electroless plating is performed while heating only the vicinity of the conductive metal pattern by electrically energizing the conductive metal pattern during the electroless plating. Thereby, the plating rate to the formed metal pattern can be increased, the plating amount per hour can be increased, and the resistance value can be decreased. Further, since the overall temperature of the plating solution is not increased, the plating metal remaining rate per time is increased, and the life of the plating solution is extended.

請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の無電解めっき方法において、前記電気通電量が、1.5A/dm2以下の範囲で通電を行うことを特徴としている。   According to a second aspect of the present invention, in the electroless plating method according to the first aspect of the present invention, the electric current is applied in a range of 1.5 A / dm 2 or less.

請求項2に記載の発明によれば、被無電解めっき物が樹脂フィルム上に導電性金属パターンが形成されており通電量がこの範囲である時に、めっき速度を十分に上げることができ、発熱による基体もしくは細線パターンの損傷を抑制できる。   According to the second aspect of the present invention, when the electroless plated object has the conductive metal pattern formed on the resin film and the energization amount is within this range, the plating rate can be increased sufficiently, It is possible to suppress damage to the substrate or the fine line pattern due to.

請求項3に記載の発明は、導電性金属パターンを含む基体上に金属めっきをする無電解めっき方法であって、前記導電性金属パターンにエネルギー照射を行うことにより、前記無電解めっきの最中に前記導電性金属パターンを加温しながら無電解めっきすることを特徴としている。   The invention according to claim 3 is an electroless plating method for performing metal plating on a substrate including a conductive metal pattern, and performing energy irradiation on the conductive metal pattern, thereby performing the electroless plating. And electroless plating while heating the conductive metal pattern.

請求項3に記載の発明によれば、導電性金属パターンにエネルギー照射を行うことにより金属パターンが加温され、無電解めっきの最中に金属パターン近傍のみが加温され、無電解めっきが行われる。これにより、形成した金属パターンへのめっき速度を上げることができ、時間当たりのめっき量を増大させ抵抗値を下げることができる。また、請求項1と同様にめっき液の寿命が長くなる。   According to the third aspect of the present invention, the metal pattern is heated by irradiating the conductive metal pattern with energy, and only the vicinity of the metal pattern is heated during the electroless plating. Is called. Thereby, the plating rate to the formed metal pattern can be increased, the plating amount per hour can be increased, and the resistance value can be decreased. In addition, the life of the plating solution is extended as in the first aspect.

請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の無電解めっき方法において、前記エネルギー照射は、レーザービーム、電子ビーム、イオンビームまたは熱線から選択される少なくとも1種類により行うことを特徴としている。   According to a fourth aspect of the present invention, in the electroless plating method according to the third aspect, the energy irradiation is performed by at least one selected from a laser beam, an electron beam, an ion beam, or a heat ray. .

請求項4に記載の発明によれば、エネルギー照射は、レーザービーム、電子ビーム、イオンビームまたは熱線から選択される少なくとも1種類により行うので、導電性金属パターンを局所的に加温することができる。   According to the invention described in claim 4, since the energy irradiation is performed by at least one kind selected from a laser beam, an electron beam, an ion beam or a heat ray, the conductive metal pattern can be locally heated. .

請求項5に記載の発明は、請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の無電解めっき方法において、前記導電性金属パターンが1〜50μmのメッシュ状細線を含むパターンであることを特徴としている。   The invention according to claim 5 is the electroless plating method according to any one of claims 1 to 4, wherein the conductive metal pattern is a pattern including 1 to 50 μm mesh fine wires. It is characterized by.

請求項5に記載の発明によれば、導電性金属パターンが1〜50μmのメッシュ状細線を含むパターンであるので、電気通電によるジュール熱またはエネルギー照射により導電性金属パターンが加熱され、導電性金属パターン近傍のみを加温することができる。   According to the fifth aspect of the present invention, since the conductive metal pattern is a pattern including fine mesh wires of 1 to 50 μm, the conductive metal pattern is heated by Joule heat or energy irradiation due to electric conduction, and the conductive metal pattern Only the vicinity of the pattern can be heated.

請求項6に記載の発明は、請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の無電解めっき方法において、前記導電性金属パターンの表面抵抗値が10〜1000Ω/□であることを特徴としている。   The invention according to claim 6 is the electroless plating method according to any one of claims 1 to 5, wherein a surface resistance value of the conductive metal pattern is 10 to 1000Ω / □. It is a feature.

請求項6に記載の発明によれば、導電性金属パターンの表面抵抗値が10〜1000Ω/□であるので、電気通電によるジュール熱またはエネルギー照射により導電性金属パターンが加熱され、導電性金属パターン近傍のみを加温することができる。   According to the sixth aspect of the present invention, since the surface resistance value of the conductive metal pattern is 10 to 1000Ω / □, the conductive metal pattern is heated by Joule heat or energy irradiation caused by electric conduction. Only the vicinity can be heated.

請求項7に記載の発明は、請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載の無電解めっき方法において、前記導電性金属パターンが、ハロゲン化銀を含有する感光材料を露光、現像して形成されることを特徴としている。   The invention according to claim 7 is the electroless plating method according to any one of claims 1 to 6, wherein the conductive metal pattern exposes and develops a photosensitive material containing silver halide. It is characterized by being formed.

請求項7に記載の発明によれば、導電性金属パターンが、ハロゲン化銀を含有する感光材料を露光、現像して形成されており、所望の細線パターンを形成することができる。   According to the seventh aspect of the present invention, the conductive metal pattern is formed by exposing and developing a photosensitive material containing silver halide, and a desired fine line pattern can be formed.

請求項8に記載の発明は、請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の無電解めっき方法において、前記基体は、導電性金属パターンが連続して形成された長尺状基体であり、前記長尺状基体を連続搬送して無電解めっきをすることを特徴としている。   According to an eighth aspect of the present invention, in the electroless plating method according to any one of the first to seventh aspects, the base is a long base on which a conductive metal pattern is continuously formed. And the electroless plating is carried out by continuously conveying the elongated substrate.

請求項8に記載の発明によれば、基体は、導電性金属パターンが連続して形成された長尺状基体であり、長尺状基体を連続搬送して無電解めっきをするので、枚様処理に比べて時間あたりのめっき処理長が多く、効率よく無電解めっきを行うことができる。   According to the eighth aspect of the present invention, the base is a long base on which conductive metal patterns are continuously formed, and the long base is continuously conveyed for electroless plating. Compared to the treatment, the plating treatment length per hour is large, and electroless plating can be performed efficiently.

請求項9に記載の発明は、導電性金属パターンを含む基体上に金属めっきをする無電解めっき装置であって、無電解めっき液で満たされ、前記基体が導入される無電解めっき槽と、前記導電性金属パターンに電気通電し、前記無電解めっきの最中に前記導電性金属パターンを加温する電気通電装置と、を有することを特徴としている。   The invention according to claim 9 is an electroless plating apparatus for performing metal plating on a substrate including a conductive metal pattern, which is filled with an electroless plating solution and into which the substrate is introduced, And an electrically energizing device for electrically energizing the conductive metal pattern and heating the electroconductive metal pattern during the electroless plating.

請求項9に記載の発明によれば、無電解めっき液で満たされた無電解めっき槽に導電性金属パターンを含む基体が導入される。さらに、電気通電装置によって導電性金属パターンが電気通電されることで、無電解めっきの最中に導電性金属パターン近傍のみが加温され、無電解めっきが行われる。これにより、めっき速度を上げることができ、時間当たりのめっき量を増大させ抵抗値を下げることができる。また、めっき液の全体温度を高くしないため、経時時間あたりのめっき金属残存率が多くなり、めっき液の寿命が長くなる。   According to the ninth aspect of the present invention, the substrate including the conductive metal pattern is introduced into the electroless plating tank filled with the electroless plating solution. Furthermore, when the conductive metal pattern is electrically energized by the electrical energization device, only the vicinity of the conductive metal pattern is heated during electroless plating, and electroless plating is performed. Thereby, the plating rate can be increased, the amount of plating per hour can be increased, and the resistance value can be decreased. Further, since the overall temperature of the plating solution is not increased, the plating metal remaining rate per time is increased, and the life of the plating solution is extended.

請求項10に記載の発明は、導電性の金属パターンを含む基体上に金属めっきをする無電解めっき装置であって、無電解めっき液で満たされ、前記基体が導入される無電解めっき槽と、前記導電性金属パターンにエネルギー照射を行い、前記無電解めっきの最中に前記導電性金属パターンを加温するエネルギー照射装置と、を有することを特徴としている。   The invention according to claim 10 is an electroless plating apparatus for performing metal plating on a substrate including a conductive metal pattern, the electroless plating tank being filled with an electroless plating solution and introducing the substrate. And an energy irradiation device that irradiates the conductive metal pattern with energy and heats the conductive metal pattern during the electroless plating.

請求項10に記載の発明によれば、無電解めっき液で満たされた無電解めっき槽に導電性金属パターンを含む基体が導入される。さらに、エネルギー照射装置によって導電性金属パターンにエネルギー照射されることで、無電解めっきの最中に導電性金属パターン近傍のみが加温され、無電解めっきが行われる。これにより、めっき速度を上げることができ、時間当たりのめっき量を増大させ抵抗値を下げることができる。また、めっき液の全体温度を高くしないため、経時時間あたりのめっき金属残存率が多くなり、めっき液の寿命が長くなる。   According to invention of Claim 10, the base | substrate containing a conductive metal pattern is introduce | transduced into the electroless-plating tank filled with the electroless-plating liquid. Furthermore, by irradiating the conductive metal pattern with energy by the energy irradiation device, only the vicinity of the conductive metal pattern is heated during the electroless plating, and the electroless plating is performed. Thereby, the plating rate can be increased, the amount of plating per hour can be increased, and the resistance value can be decreased. Further, since the overall temperature of the plating solution is not increased, the plating metal remaining rate per time is increased, and the life of the plating solution is extended.

請求項11に記載の発明に係る電磁波シールド材料は、請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載の無電解めっき方法で形成されたことを特徴としている。   An electromagnetic wave shielding material according to an eleventh aspect of the present invention is formed by the electroless plating method according to any one of the first to eighth aspects.

請求項11に記載の発明によれば、電磁波シールド材料は、請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載の無電解めっき方法で形成されているので、めっき速度を上げて短時間の処理で表面抵抗値を下げることができ、生産性に優れた電磁波シールド材料を提供することができる。   According to the eleventh aspect of the present invention, since the electromagnetic wave shielding material is formed by the electroless plating method according to any one of the first to eighth aspects, the plating speed is increased for a short time. The surface resistance value can be lowered by this treatment, and an electromagnetic shielding material excellent in productivity can be provided.

以上説明したように、本発明によれば、無電解めっきにおいてめっき速度を上げることができると共に、めっき液の長寿命化を図ることができる。   As described above, according to the present invention, the plating rate can be increased in electroless plating, and the life of the plating solution can be extended.

本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、実質的に同一の機能を有する部材には全図面を通して同じ符号を付与し、重複する説明は省略する場合がある。
図1には、本発明の第1実施形態に係る無電解めっき方法が適用される無電解めっき装置10が示されている。無電解めっき装置10は、基体12上に積層された導電性金属パターン12A(以下、積層体12と記載)に無電解めっきにより金属(本実施形態では、Cu)を積層する装置である。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In addition, the same code | symbol is provided to the member which has the substantially same function throughout all the drawings, and the overlapping description may be abbreviate | omitted.
FIG. 1 shows an electroless plating apparatus 10 to which the electroless plating method according to the first embodiment of the present invention is applied. The electroless plating apparatus 10 is an apparatus for laminating a metal (in this embodiment, Cu) by electroless plating on a conductive metal pattern 12A (hereinafter referred to as a laminate 12) laminated on a substrate 12.

無電解めっき装置10では、図示しない送り出しロール及び巻き取りロールにより、積層体12が一定方向(図1中の矢印方向)に搬送される。無電解めっき装置10には、積層体12の裏面をガイドする支持ローラ14が設けられており、支持ローラ14よりも搬送方向下流側に、めっき液16Aが貯留された無電解めっき槽16が配設されている。無電解めっき槽16内には、積層体12の裏面をガイドする2本の支持ローラ18が、無電解めっき槽16の長手方向両端部付近に所定の間隔をおいてほぼ平行に配設されている。積層体12は、2本の支持ローラ18によってガイドされた状態でめっき液16A中を一定方向(図1中の矢印方向)に搬送される。本実施形態では、支持ローラ14、18のローラ部分はポリプロピレンで形成されている。   In the electroless plating apparatus 10, the laminated body 12 is conveyed in a fixed direction (arrow direction in FIG. 1) by a feed roll and a take-up roll (not shown). The electroless plating apparatus 10 is provided with a support roller 14 that guides the back surface of the laminate 12, and an electroless plating tank 16 in which a plating solution 16 </ b> A is stored is disposed downstream of the support roller 14 in the transport direction. It is installed. In the electroless plating tank 16, two support rollers 18 for guiding the back surface of the laminated body 12 are disposed substantially parallel to each other in the vicinity of both ends in the longitudinal direction of the electroless plating tank 16. Yes. The laminated body 12 is conveyed in a certain direction (the arrow direction in FIG. 1) through the plating solution 16 </ b> A while being guided by the two support rollers 18. In this embodiment, the roller portions of the support rollers 14 and 18 are made of polypropylene.

無電解めっき装置10には、電気通電することにより、無電解めっきの最中に導電性金属パターン12Aを加温する電気通電装置20が設けられている。電気通電装置20は、支持ローラ14と上流側(図中左側)の支持ローラ18との間、すなわち無電解めっき槽16の入口側の上部で導電性金属パターン12Aに接触するカソード側の給電ローラ22と、無電解めっき槽16の出口側の上部で導電性金属パターン12Aに接触するアノード側の給電ローラ24と、を備えている。また、積層体12を挟んで給電ローラ22と対向する位置には、導電性金属パターン12Aを給電ローラ22に押し付けるゴム製の押圧ローラ28が配設されている。本実施形態では、給電ローラ22、24はSUS316で形成されている。なお、図1中の符号26は、給電ローラ22、24を介して導電性金属パターン12Aに電気通電するための電源である。無電解めっき装置10では、支持ローラ14、18等によって長尺帯状の積層体12を連続的に搬送し、無電解めっきすることができる。   The electroless plating apparatus 10 is provided with an electric energization apparatus 20 that heats the conductive metal pattern 12A during electroless plating by energization. The electrical energization device 20 is a cathode-side power supply roller that is in contact with the conductive metal pattern 12A between the support roller 14 and the upstream side (left side in the figure) support roller 18, that is, at the top of the inlet side of the electroless plating tank 16. 22, and an anode-side power supply roller 24 that contacts the conductive metal pattern 12 </ b> A at the upper part on the outlet side of the electroless plating tank 16. A rubber pressing roller 28 that presses the conductive metal pattern 12 </ b> A against the power supply roller 22 is disposed at a position facing the power supply roller 22 with the laminate 12 interposed therebetween. In the present embodiment, the power supply rollers 22 and 24 are formed of SUS316. 1 is a power supply for electrically energizing the conductive metal pattern 12A via the power supply rollers 22 and 24. In the electroless plating apparatus 10, the long belt-like laminate 12 can be continuously conveyed by the support rollers 14, 18, etc., and electroless plating can be performed.

この無電解めっき装置10に配設した積層体12を搬送しながら、導電性金属パターン12Aへ給電ローラ22を介して電気通電する。通電は直流電源または交流電源のどちらを用いて行っても良く、1.5A/dm2以下が好ましく、0.3A/dm2以上1.5A/dm2以下がより好ましい。なお、導電性金属パターンの抵抗値にもよるが、発熱量を増やすために通電量を増やしすぎた場合には、積層体12がめっき液に浸漬されると同時に導電性金属パターン12Aの細線の一部が断裂する可能性がある。このため通電量は、導電性金属パターンの抵抗値により適宜調整することが好ましく、本発明での好ましい電流範囲は1.5A/dm2以下となる。   While the laminate 12 disposed in the electroless plating apparatus 10 is conveyed, the conductive metal pattern 12A is electrically energized via the power supply roller 22. The energization may be performed using either a DC power supply or an AC power supply, preferably 1.5 A / dm 2 or less, and more preferably 0.3 A / dm 2 or more and 1.5 A / dm 2 or less. Although depending on the resistance value of the conductive metal pattern, when the energization amount is excessively increased in order to increase the heat generation amount, the laminate 12 is immersed in the plating solution and at the same time, the fine wires of the conductive metal pattern 12A. Some may tear. For this reason, it is preferable to appropriately adjust the energization amount according to the resistance value of the conductive metal pattern, and the preferable current range in the present invention is 1.5 A / dm 2 or less.

また図2には、本発明の第2実施形態に係る無電解めっき方法が適用される無電解めっき装置30が示されている。なお、第1実施形態と同一の部材には同じ符号を付与し、重複する説明は省略する。図2に示されるように、無電解めっき装置30には、無電解めっき槽16の入口側と出口側に、図1に示す給電ローラ22、24に代えて、2本の支持ローラ32が配設されている。また、無電解めっき装置30には、無電解めっき槽16の入口側の上部であって、上流側(図2中右側)の支持ローラ32よりも下流側に、積層体12の導電性金属パターン12Aにエネルギーを照射するエネルギー照射装置34が配設されている。エネルギー照射装置34は、導電性金属パターン12Aと対向する位置に配置されており、導電性金属パターン12Aにエネルギーを照射するものである。   FIG. 2 shows an electroless plating apparatus 30 to which the electroless plating method according to the second embodiment of the present invention is applied. In addition, the same code | symbol is provided to the member same as 1st Embodiment, and the overlapping description is abbreviate | omitted. As shown in FIG. 2, the electroless plating apparatus 30 has two support rollers 32 arranged on the inlet side and the outlet side of the electroless plating tank 16 instead of the power supply rollers 22 and 24 shown in FIG. It is installed. Further, in the electroless plating apparatus 30, the conductive metal pattern of the laminate 12 is located at the upper part on the inlet side of the electroless plating tank 16 and downstream of the upstream side (right side in FIG. 2) support roller 32. An energy irradiation device 34 for irradiating energy to 12A is disposed. The energy irradiation device 34 is disposed at a position facing the conductive metal pattern 12A, and irradiates the conductive metal pattern 12A with energy.

積層体12の導電性金属パターン12Aにエネルギーを与える手段は、マイクロ波等の電磁波、レーザービーム、電子ビーム、イオンビーム、熱線等が挙げられる。特に局所的に微細に加熱できる点でレーザービーム、電子ビーム、イオンビーム、熱線が好ましく、これらから選択される少なくとも1種類により導電性金属パターン12Aにエネルギー照射を行うことが好ましい。比較的小型で、簡易にエネルギー照射が可能な点ではレーザービームが好ましく用いられる。   Examples of means for applying energy to the conductive metal pattern 12A of the laminate 12 include electromagnetic waves such as microwaves, laser beams, electron beams, ion beams, and heat rays. In particular, a laser beam, an electron beam, an ion beam, and a heat ray are preferable in that they can be locally finely heated, and it is preferable to irradiate the conductive metal pattern 12A with at least one kind selected from these. A laser beam is preferably used because it is relatively small and can be easily irradiated with energy.

レーザービームの波長としては、導電性金属パターンが吸収を有するものであれば、紫外光から赤外光まで任意のものを選択できるが、好ましくは700nm〜1700nmの赤外光および/または360nm以下の紫外光である。代表的なレーザーとしては、AlGaAsやInGaAsPなどの半導体レーザー、Nd:YAGレーザー、ArF、KrF、XeClなどのエキシマレーザー、色素レーザーなどが挙げられる。また面発光型半導体レーザーやこれを1次元又は2次元に配列したマルチモードアレイを用いることもできる。
また、これらのレーザービームでは第二高調波、第三高調波等の高次高調波を利用しても良い。これらのレーザービームは連続的に照射しても、パルス状に複数回照射しても良い。
As the wavelength of the laser beam, any wavelength from ultraviolet light to infrared light can be selected as long as the conductive metal pattern has absorption, but preferably infrared light of 700 nm to 1700 nm and / or 360 nm or less. UV light. Typical lasers include semiconductor lasers such as AlGaAs and InGaAsP, excimer lasers such as Nd: YAG laser, ArF, KrF, and XeCl, and dye lasers. Also, a surface emitting semiconductor laser or a multimode array in which these are arranged one-dimensionally or two-dimensionally can be used.
Further, these laser beams may use higher harmonics such as second harmonic and third harmonic. These laser beams may be irradiated continuously or may be irradiated a plurality of times in the form of pulses.

このような無電解めっき装置30では、積層体12は支持ローラ14、32によってガイドされて矢印方向に搬送され、積層体12は無電解めっき槽16内のめっき液16Aに導入される。無電解めっき槽16内では、積層体12は2本の支持ローラ18によってガイドされた状態でめっき液16A中を矢印方向に搬送される。無電解めっき槽16の入口では、エネルギー照射装置34によって、積層体12の導電性金属パターン12Aにレーザービームが照射されるので、導電性金属パターン12Aが局所的に加熱される。このため、無電解めっきの最中に積層体12の導電性金属パターン12A近傍のみを加温しながら無電解めっきすることができる。   In such an electroless plating apparatus 30, the laminate 12 is guided by the support rollers 14 and 32 and conveyed in the direction of the arrow, and the laminate 12 is introduced into the plating solution 16 </ b> A in the electroless plating tank 16. In the electroless plating tank 16, the laminate 12 is conveyed in the direction of the arrow through the plating solution 16 </ b> A while being guided by the two support rollers 18. At the entrance of the electroless plating tank 16, the energy irradiation device 34 irradiates the conductive metal pattern 12 </ b> A of the laminated body 12 with a laser beam, so that the conductive metal pattern 12 </ b> A is locally heated. For this reason, electroless plating can be performed while heating only the vicinity of the conductive metal pattern 12A of the laminate 12 during the electroless plating.

基体上へ導電性金属パターンを形成する方法としては、例えば帯状の基体フィルム上にハロゲン化銀乳剤を含む乳剤層を塗設し、その材料を露光装置(図示省略)によって露光し、現像処理装置(図示省略)によって現像・定着・洗浄等を行う写真技術を用いた方法、または基体上に印刷もしくはインクジェットプリンタ等により導電性粒子を含有したインクを描画し、導電性金属パターンを形成する方法等が用いられる。これらの処理により、積層体12においてはパターン化された細線状の導電性金属パターン12Aを形成することができる。   As a method for forming a conductive metal pattern on a substrate, for example, an emulsion layer containing a silver halide emulsion is coated on a belt-like substrate film, and the material is exposed by an exposure device (not shown), and a development processing device. A method using photographic technology for developing, fixing, washing, etc. (not shown), or a method of drawing conductive ink containing conductive particles on a substrate by printing or an ink jet printer to form a conductive metal pattern, etc. Is used. By these treatments, a patterned thin line-shaped conductive metal pattern 12A can be formed in the laminate 12.

また、上記の方法等により形成された導電性金属パターンは、無電解めっきの効率を高めるために還元剤との接触による還元、および/または触媒を含有する溶液で処理することにより活性の付与を行うことができる。還元剤としては例えば水素化ホウ素ナトリウム等の公知の還元剤を用いることができる。使用可能な触媒としてはPd等の貴金属類が挙げられ、イオンであっても金属であってもよい。触媒をイオンとして付与する場合は、付与後に還元処理等を組み合わせることも可能である。これらの処理により無電解めっき速度を促進させることができる。   In addition, the conductive metal pattern formed by the above method is imparted with activity by reduction by contact with a reducing agent and / or treatment with a solution containing a catalyst in order to increase the efficiency of electroless plating. It can be carried out. As the reducing agent, for example, a known reducing agent such as sodium borohydride can be used. Usable catalysts include noble metals such as Pd, which may be ions or metals. In the case where the catalyst is applied as ions, it is possible to combine a reduction treatment after the application. These treatments can accelerate the electroless plating rate.

金属パターン上へのめっき処理は、無電解めっき(化学還元めっきや置換めっき)、または無電解めっきと電解めっきの両方の併用等を用いることができる。本発明の無電解めっきは、金属パターン上にめっきして、所望の表面抵抗値を得られる無電解めっきであれば、無電解めっき液中のめっき金属種にはこだわらないが、好ましいのは無電解銅めっきである。   For the plating treatment on the metal pattern, electroless plating (chemical reduction plating or displacement plating), or a combination of both electroless plating and electrolytic plating can be used. The electroless plating of the present invention is not particular to the plating metal type in the electroless plating solution as long as it is an electroless plating that can be plated on a metal pattern to obtain a desired surface resistance value. Electrolytic copper plating.

無電解銅めっき液に含まれる化学種としては、硫酸銅や塩化銅、還元剤として、ホルマリンやグリオキシル酸、銅の配位子として、EDTA,トリエタノールアミン等、その他、浴の安定化やメッキ皮膜の平滑性向上の為の添加剤としてポリエチレングリコール、黄血塩、ビピリジン等が挙げられる。電解銅めっき浴としては、硫酸銅浴やピロリン酸銅浴が挙げられる。   Chemical species contained in the electroless copper plating solution include copper sulfate, copper chloride, reducing agent, formalin, glyoxylic acid, copper ligand, EDTA, triethanolamine, etc. Examples of the additive for improving the smoothness of the film include polyethylene glycol, yellow blood salt, and bipyridine. Examples of the electrolytic copper plating bath include a copper sulfate bath and a copper pyrophosphate bath.

めっき処理を行う前の導電性金属パターン12Aの表面抵抗値は、10〜1000Ω/□であることが好ましく、20〜500Ω/□であることがさらに好ましく、30〜200Ω/□であることが最も好ましい。また、めっき処理後の金属パターンの表面抵抗値は、10Ω/□以下であることが好ましく、1.0Ω/□以下であることがより好ましく、0.5Ω/□以下であることがさらに好ましく、0.1Ω/□以下であることが最も好ましい。   The surface resistance value of the conductive metal pattern 12A before the plating treatment is preferably 10 to 1000Ω / □, more preferably 20 to 500Ω / □, and most preferably 30 to 200Ω / □. preferable. Further, the surface resistance value of the metal pattern after the plating treatment is preferably 10Ω / □ or less, more preferably 1.0Ω / □ or less, further preferably 0.5Ω / □ or less, Most preferably, it is 0.1Ω / □ or less.

また、導電性金属パターン12Aは、1〜50μmのメッシュ状細線を含むパターンであることが好ましい。メッシュ状細線を含む導電性金属膜が透光性電磁波シールド材料として用いられる場合、金属パターンの線幅は30μm以下であることが好ましく、15μm以下であることがさらに好ましく、10μm以下であることが最も好ましい。更に、金属パターンの線間隔は、50μm以上1000μm以下であることが好ましく、200μm以上500μm以下であることがさらに好ましく、250μm以上400μm以下であることが最も好ましい。また、金属パターンは、アース接続などの目的においては、その線幅が50μmより広い部分を有していてもよい。   Moreover, it is preferable that the conductive metal pattern 12A is a pattern including 1 to 50 μm mesh-like fine lines. When a conductive metal film including a mesh-like thin line is used as a translucent electromagnetic wave shielding material, the line width of the metal pattern is preferably 30 μm or less, more preferably 15 μm or less, and preferably 10 μm or less. Most preferred. Furthermore, the line spacing of the metal pattern is preferably 50 μm or more and 1000 μm or less, more preferably 200 μm or more and 500 μm or less, and most preferably 250 μm or more and 400 μm or less. Further, the metal pattern may have a portion whose line width is larger than 50 μm for the purpose of ground connection or the like.

また、上記の金属パターン以外の部分は、透明性を有している(以下、この金属パターン以外の透明性を有する部分を光透過性部という。)。光透過性部の透過率は90%以上であることが好ましく、95%以上であることがより好ましく、97%以上であることが最も好ましい。なお、現像処理並びに本発明のめっき処理後に、酸化処理等で光透過性部の光透過率を高める処理をすることもできる。酸化処理としては、例えば、Fe(III)イオン処理など、種々の酸化剤を用いた公知の方法が挙げられる。
上記の光透過性部の透過率とは、支持体の光吸収および反射の寄与を除いた380〜780nmの波長領域における透過率の平均で示される透過率を指し、(透光性電磁波シールド材料の透明部の透過率)/(支持体の透過率)×100(%)で表される。
Moreover, parts other than said metal pattern have transparency (Hereinafter, the part which has transparency other than this metal pattern is called a light transmissive part.). The transmittance of the light transmissive part is preferably 90% or more, more preferably 95% or more, and most preferably 97% or more. In addition, the process which raises the light transmittance of a light transmissive part can also be performed by an oxidation process etc. after a development process and the plating process of this invention. Examples of the oxidation treatment include known methods using various oxidizing agents such as Fe (III) ion treatment.
The transmittance of the light transmissive part refers to the transmittance indicated by the average of the transmittance in the wavelength range of 380 to 780 nm excluding the contribution of light absorption and reflection of the support (translucent electromagnetic shielding material) The transmittance of the transparent part) / (the transmittance of the support) × 100 (%).

金属パターンにおいて、コントラストを高くし、かつ金属パターンが経時的に劣化するのを防止する観点から、金属パターンの表面が黒化処理することも好適に行われる。黒化処理は、黒化銅、黒化ニッケル、黒化スズ、黒化ニッケル−スズ、黒化ニッケル−亜鉛等の電解めっきや、プリント配線板分野で行われている酸化処理等を用いて行うことができる。   In the metal pattern, the surface of the metal pattern is also preferably subjected to blackening treatment from the viewpoint of increasing the contrast and preventing the metal pattern from deteriorating with time. The blackening treatment is performed using electrolytic plating such as blackened copper, blackened nickel, blackened tin, blackened nickel-tin, blackened nickel-zinc, or oxidation treatment performed in the printed wiring board field. be able to.

本発明に係る導電性金属膜は、高い電磁波シールド性及び透光性を有しているため、CRT、EL、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイパネル、その他の画像表示グラットパネル、あるいはCCDに代表される撮像用半導体集積回路などに組み込んで、電磁波シールド膜として用いることができる。特に、プラズマディスプレイに対して、その輝度を著しく損なわずに、その画質を維持または向上させることができるため、プラズマディスプレイに用いることが好ましい。   Since the conductive metal film according to the present invention has high electromagnetic wave shielding properties and translucency, imaging such as CRT, EL, liquid crystal display, plasma display panel, other image display grat panel, or CCD. It can be used as an electromagnetic shielding film by being incorporated in a semiconductor integrated circuit for use. In particular, the plasma display is preferably used for a plasma display because the image quality can be maintained or improved without significantly reducing the luminance.

なお、本発明に係る導電性金属膜の用途としては、上記表示装置等に限定されず、電磁波を発生する測定装置、測定機器や製造装置の内部をのぞくための窓や筐体や、電波塔や高圧線等により電磁波障害を受ける恐れのある建造物の窓や自動車の窓等に設けることができる。   Note that the use of the conductive metal film according to the present invention is not limited to the display device and the like, but a measuring device that generates electromagnetic waves, a window or a case for looking inside the measuring device or the manufacturing device, a radio tower Or a window of a building or a window of a car that may be damaged by electromagnetic waves due to high-voltage lines or the like.

以下、本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明がこれらによって限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

下記に示す方法に従ってハロゲン化銀乳剤Aを作製した。
(乳剤Aの調整)
・1液:
水 750ml
ゼラチン 20g
塩化ナトリウム 1.6g
1,3−ジメチルイミダゾリジン−2−チオン 20mg
ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム 10mg
クエン酸 0.7g
・2液
水 300ml
硝酸銀 150g
・3液
水 300ml
塩化ナトリウム 38g
臭化カリウム 32g
ヘキサクロロイリジウム(III)酸カリウム(0.005% KCl 20%水溶液) 5ml
ヘキサクロロロジウム酸アンモニウム(0.001% NaCl 20%水溶液) 7ml
A silver halide emulsion A was prepared according to the method shown below.
(Emulsion A adjustment)
・ 1 liquid:
750 ml of water
20g gelatin
Sodium chloride 1.6g
1,3-Dimethylimidazolidine-2-thione 20mg
Sodium benzenethiosulfonate 10mg
Citric acid 0.7g
・ Two liquids 300ml
150 g silver nitrate
・ 3 liquid water 300ml
Sodium chloride 38g
Potassium bromide 32g
Hexachloroiridium (III) potassium (0.005% KCl 20% aqueous solution) 5 ml
Ammonium hexachlororhodate (0.001% NaCl 20% aqueous solution) 7 ml

3液に用いるヘキサクロロイリジウム(III)酸カリウム(0.005% KCl 20%水溶液)およびヘキサクロロロジウム酸アンモニウム(0.001% NaCl20% 水溶液)は、粉末をそれぞれKCl 20%水溶液、NaCl20%水溶液に溶解し、40℃で120分間加熱して調製した。   Potassium hexachloroiridium (III) (0.005% KCl 20% aqueous solution) and ammonium hexachlororhodate (0.001% NaCl 20% aqueous solution) used in the three liquids were dissolved in KCl 20% aqueous solution and NaCl 20% aqueous solution, respectively. And heated at 40 ° C. for 120 minutes.

38℃、pH4.5に保たれた1液に、2液と3液の各々90%に相当する量を攪拌しながら同時に20分間にわたって加え、0.15μmの核粒子を形成した。続いて下記4液、5液を8分間にわたって加え、さらに、2液と3液の残りの10%の量を2分間にわたって加え、0.18μmまで粒子を成長させた。さらに、ヨウ化カリウム0.15gを加え5分間熟成し粒子形成を終了した。   To 1 liquid maintained at 38 ° C. and pH 4.5, 90% of the 2 and 3 liquids were simultaneously added over 20 minutes with stirring to form 0.15 μm core particles. Subsequently, the following 4th and 5th liquids were added over 8 minutes, and the remaining 10% of the 2nd and 3rd liquids were further added over 2 minutes to grow particles to 0.18 μm. Further, 0.15 g of potassium iodide was added and ripened for 5 minutes to complete grain formation.

・4液
水 100ml
硝酸銀 50g
・5液
水 100ml
塩化ナトリウム 13g
臭化カリウム 11g
黄血塩 5mg
・ 4 liquid water 100ml
Silver nitrate 50g
・ 5 liquid 100ml
Sodium chloride 13g
Potassium bromide 11g
Yellow blood salt 5mg

その後、常法にしたがってフロキュレーション法によって水洗した。具体的には、温度を35℃に下げ、下記に示すアニオン性沈降剤−1を3g加え、硫酸を用いてハロゲン化銀が沈降するまでpHを下げた。(pH3.2±0.2の範囲であった)次に上澄み液を約3リットル除去した(第一水洗)。さらに3リットルの蒸留水を加えてから、ハロゲン化銀が沈降するまで硫酸を加えた。再度上澄み液を3リットル除去した(第二水洗)。第二水洗と同じ操作をさらに1回繰り返し(第三水洗)て水洗・脱塩行程を終了した。水洗・脱塩後の乳剤にゼラチン8gを加え、pH5.6、pAg7.5に調整し、ベンゼンチオスルホン酸ナトリウム10mg、ベンゼンチオスルフィン酸ナトリウム3mg、チオ硫酸ナトリウム15mgと塩化金酸10mgを加え55℃にて最適感度を得るように化学増感を施し、安定剤として1,3,3a,7-テトラアザインデン100mg、防腐剤としてプロキセル(商品名、ICI Co.,Ltd.製)100mgを加えた。最終的に塩化銀を70モル%、沃化銀を0.08モル%含む平均粒子径0.18μm、変動係数9%のヨウ塩臭化銀立方体粒子乳剤を得た。(最終的に乳剤として、pH=5.7、pAg=7.5、電導度=60μS/m、密度=1.28×103kg/m3、粘度=60mPa・sとなった。) Then, it washed with water by the flocculation method according to a conventional method. Specifically, the temperature was lowered to 35 ° C., 3 g of anionic precipitation agent-1 shown below was added, and the pH was lowered using sulfuric acid until the silver halide was precipitated. Next, about 3 liters of the supernatant was removed (first water wash). Further, 3 liters of distilled water was added, and sulfuric acid was added until the silver halide settled. Again, 3 liters of the supernatant was removed (second water wash). The same operation as the second water washing was further repeated once (third water washing) to complete the water washing / desalting process. 8 g of gelatin was added to the emulsion after washing and desalting, adjusted to pH 5.6 and pAg 7.5, 10 mg of sodium benzenethiosulfonate, 3 mg of sodium benzenethiosulfinate, 15 mg of sodium thiosulfate and 10 mg of chloroauric acid were added. Chemical sensitization to obtain optimum sensitivity at 0 ° C., 100 mg of 1,3,3a, 7-tetraazaindene as stabilizer and 100 mg of proxel (trade name, manufactured by ICI Co., Ltd.) as preservative It was. Finally, a silver iodochlorobromide cubic grain emulsion containing 70 mol% of silver chloride and 0.08 mol% of silver iodide and having an average grain size of 0.18 μm and a coefficient of variation of 9% was obtained. (Finally, the emulsion had pH = 5.7, pAg = 7.5, conductivity = 60 μS / m, density = 1.28 × 10 3 kg / m 3 , and viscosity = 60 mPa · s.)

Figure 2009108337
Figure 2009108337

(塗布物の作製)
下記に示す処方に従い、塗布物である乳剤層、UL層を作製した。
(Preparation of coated material)
In accordance with the formulation shown below, an emulsion layer and a UL layer were prepared as a coated product.

<乳剤層>
乳剤Aに増感色素(D−1)5.7×10−4モル/モルAgを加えて分光増感を施した。さらにKBr3.4×10−4モル/モルAg、化合物(Cpd−3)8.0×10−4モル/モルAgを加え、良く混合した。
次いで1,3,3a,7-テトラアザインデン1.2×10−4モル/モルAg、ハイドロキノン1.2×10−2モル/モルAg、クエン酸3.0×10−4モル/モルAg、界面活性剤(Sa−1)、(Sa−2)、(Sa−3)を各々塗布量が60mg/m、40mg/m、2mg/mになるように添加し、クエン酸を用いて塗布液pHを5.6に調整した。
<Emulsion layer>
The emulsion A was subjected to spectral sensitization by adding sensitizing dye (D-1) 5.7 × 10 −4 mol / mol Ag. Further, KBr 3.4 × 10 −4 mol / mol Ag and compound (Cpd-3) 8.0 × 10 −4 mol / mol Ag were added and mixed well.
Then, 1,3,3a, 7-tetraazaindene 1.2 × 10 −4 mol / mol Ag, hydroquinone 1.2 × 10 −2 mol / mol Ag, citric acid 3.0 × 10 −4 mol / mol Ag , Surfactants (Sa-1), (Sa-2) and (Sa-3) were added so that the coating amounts were 60 mg / m 2 , 40 mg / m 2 and 2 mg / m 2 , respectively, and citric acid was added. The coating solution pH was adjusted to 5.6.

<UL層>
ゼラチン 0.23g/m
化合物(Cpd−7) 40mg/m
化合物(Cpd−14) 10mg/m
防腐剤(プロキセル) 1.5mg/m
なお、各層の塗布液は、下記構造(Z)で表される増粘剤を加え、粘度調整した。
<UL layer>
Gelatin 0.23 g / m 2
Compound (Cpd-7) 40 mg / m 2
Compound (Cpd-14) 10 mg / m 2
Preservative (Proxel) 1.5mg / m 2
In addition, the coating liquid of each layer added the thickener represented by the following structure (Z), and adjusted the viscosity.

Figure 2009108337
Figure 2009108337

Figure 2009108337
Figure 2009108337

<支持体>
二軸延伸したポリエチレンテレフタレート支持体(厚み100μm)の乳剤面側及びバック面側に、基体に近い側から下記組成の下塗層第1層及び第2層を塗布した。塗布はバーコート法で行い、各層の塗布前の基体にはコロナ放電処理を施した。
<Support>
Undercoat layer first and second layers of the following composition were coated on the emulsion surface side and back surface side of a biaxially stretched polyethylene terephthalate support (thickness: 100 μm) from the side close to the substrate. The coating was performed by a bar coating method, and the substrate before coating of each layer was subjected to corona discharge treatment.

<下塗層1層>
コア−シェル型塩化ビニリデン共重合体(1) 15g
2,4−ジクロル−6−ヒドロキシ−s−トリアジン 0.25g
ポリスチレン微粒子(平均粒径3μ) 0.05g
化合物(Cpd−20) 0.20g
コロイダルシリカ 0.12g
(スノーテックスZL:粒径70〜100μm 日産化学(株)製)
水を加えて 100g
<Undercoat layer 1>
Core-shell type vinylidene chloride copolymer (1) 15 g
2,4-dichloro-6-hydroxy-s-triazine 0.25 g
Polystyrene fine particles (average particle size 3μ) 0.05g
Compound (Cpd-20) 0.20 g
Colloidal silica 0.12g
(Snowtex ZL: particle size 70-100 μm, manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.)
100g with water

さらに、10重量%のKOHを加え、pH=6に調整した塗布液を乾燥温度180℃2分間で、乾燥膜厚が0.9μmになるように塗布した。   Furthermore, 10 wt% KOH was added, and the coating solution adjusted to pH = 6 was applied at a drying temperature of 180 ° C. for 2 minutes so that the dry film thickness became 0.9 μm.

<下塗層第2層>
ゼラチン 1g
メチルセルロース 0.05g
化合物(Cpd−21) 0.02g
1225O(CHCHO)10H 0.03g
プロキセル 3.5×10−3
酢酸 0.2g
水を加えて 100g
<2nd undercoat layer>
1g of gelatin
Methylcellulose 0.05g
Compound (Cpd-21) 0.02 g
C 12 H 25 O (CH 2 CH 2 O) 10 H 0.03 g
Proxel 3.5 × 10 −3 g
Acetic acid 0.2g
100g with water

この塗布液を乾燥温度170℃2分間で、乾燥膜厚が0.1μmになるように塗布した。   This coating solution was applied at a drying temperature of 170 ° C. for 2 minutes so that the dry film thickness was 0.1 μm.

[バック面側]
(下塗層第1層)
アクリル系ラテックス 1g
アニオン系界面活性剤 0.06g
ノニオン系界面活性剤 0.06g
SbドープSnO2微粒子 0.3g
球状シリカ微粒子(平均粒子径0.3μ) 0.05g
カルボジイミド架橋剤 0.05g
水を加えて 100g
[Back side]
(Undercoat layer 1st layer)
Acrylic latex 1g
Anionic surfactant 0.06g
Nonionic surfactant 0.06g
Sb-doped SnO2 fine particles 0.3g
Spherical silica fine particles (average particle size 0.3μ) 0.05g
Carbodiimide crosslinking agent 0.05g
100g with water

上記塗布液を乾燥温度180℃2分間で、乾燥膜厚が0.9μmになる様に塗布した。   The coating solution was applied at a drying temperature of 180 ° C. for 2 minutes so that the dry film thickness was 0.9 μm.

(下塗層第2層)
アクリル系ラテックス 1g
アニオン系界面活性剤 0.06g
カルナバワックス分散物 0.05g
エポキシ架橋剤 0.05g
水を加えて 100g
(Undercoat layer 2nd layer)
Acrylic latex 1g
Anionic surfactant 0.06g
Carnauba wax dispersion 0.05g
Epoxy crosslinking agent 0.05g
100g with water

この塗布液を乾燥温度170℃2分間で、乾燥膜厚が0.1μmになる様に塗布した。   This coating solution was applied at a drying temperature of 170 ° C. for 2 minutes so that the dry film thickness was 0.1 μm.

Figure 2009108337
Figure 2009108337

(試料S−1、S−2の作製)
上記下塗層を施した支持体上に、まず乳剤面側として支持体に近い側よりUL層、乳剤層の順に2層を、35℃に保ちながらスライドビードコーター方式により同時重層塗布し、冷風セットゾーン(5℃)を通過させた。ここで、硬膜剤であるCpd−7は塗布直前にUL層へ前述の量添加し、UL層から拡散させることにより乳剤層へ含有させた。そして、乳剤面とは反対側には、支持体に近い側より、導電層、バック層の順に、カーテンコーター方式により硬膜剤液を加えながら同時重層塗布し、冷風セットゾーン(5℃)を通過させた。各々のセットゾーンを通過した時点では、塗布液は充分なセット性を示した。引き続き乾燥ゾーンにて両面を同時に乾燥した。このようにして得られた試料S−1は、塗布銀量が4g/m、試料S−2は塗布銀量が7.5g/mの感光材料であった。
(Production of Samples S-1 and S-2)
First, two layers of the UL layer and the emulsion layer from the side closer to the support as the emulsion surface side were coated on the support with the above-mentioned subbing layer in the order of a simultaneous multi-layer by a slide bead coater method while maintaining at 35 ° C. It was passed through a set zone (5 ° C.). Here, Cpd-7, which is a hardener, was added to the UL layer immediately before coating and added to the emulsion layer by diffusing from the UL layer. Then, on the side opposite to the emulsion surface, from the side closer to the support, the conductive layer and the back layer were coated in the order of the conductive layer and the back layer simultaneously with the addition of the hardener solution by the curtain coater method, and the cold air set zone (5 ° C) was formed. I let it pass. When passing through each set zone, the coating solution showed a sufficient setting property. Subsequently, both sides were simultaneously dried in the drying zone. Sample S-1 thus obtained was a photosensitive material having an applied silver amount of 4 g / m 2 and Sample S-2 was an applied silver amount of 7.5 g / m 2 .

(現像サンプルの作成)
以下の方法に従って試料S−1及びS−2の露光現像処理を行い、現像銀基盤サンプル(現像サンプル)SD−1及びSD−2を得た。得られたサンプルの表面抵抗値は、各々110Ω/□、50Ω/□であった。
(Development sample creation)
Samples S-1 and S-2 were exposed and developed according to the following method to obtain developed silver base samples (development samples) SD-1 and SD-2. The surface resistance values of the obtained samples were 110Ω / □ and 50Ω / □, respectively.

(露光処理)
乾燥させた各試料の乳剤層上にライン/ピッチ=15μm/485μmの現像銀像を与えうる格子状のパターンを、大日本スクリーン(株)製のイメージセッターFT−R5055を使用して露光した。このとき露光量は各試料に合わせて最適となるよう調節した。
(Exposure processing)
A grid-like pattern capable of giving a developed silver image of line / pitch = 15 μm / 485 μm was exposed on an emulsion layer of each dried sample using an image setter FT-R5055 manufactured by Dainippon Screen Co., Ltd. At this time, the exposure amount was adjusted to be optimal for each sample.

(現像処理)
露光後の試料に、以下に示す現像処理を施すことにより、格子状の細線パターンからなる現像サンプルSD−1及びSD−2を作成した。
(Development processing)
Development samples SD-1 and SD-2 each having a lattice-like fine line pattern were prepared by performing the following development processing on the exposed sample.

・現像処理
処理工程 温 度 時 間
黒白現像 20℃ 60秒
定着 35℃ 40秒
リンス1* 35℃ 60秒
リンス2* 35℃ 60秒
乾 燥 50℃ 60秒
・ Development processing process Temperature Time Black and white development 20 ° C 60 seconds Fixing 35 ° C 40 seconds Rinse 1 * 35 ° C 60 seconds Rinse 2 * 35 ° C 60 seconds Drying 50 ° C 60 seconds

各処理液の組成は以下の通りである。
〔黒白現像液 1L処方〕
ハイドロキノン 20g
亜硫酸ナトリウム 50g
炭酸カリウム 40g
エチレンジアミン・四酢酸 2g
臭化カリウム 3g
ポリエチレングリコール2000 1g
水酸化カリウム 4g
pH 10.3に調整
The composition of each treatment liquid is as follows.
[Black and white developer 1L prescription]
Hydroquinone 20g
Sodium sulfite 50g
40g potassium carbonate
Ethylenediamine tetraacetic acid 2g
Potassium bromide 3g
Polyethylene glycol 2000 1g
Potassium hydroxide 4g
Adjust to pH 10.3

〔定着液 1L処方〕
ATS 1.2 モル
沃化アンモニウム 5g
亜硫酸アンモニウム・1水塩 25g
酢酸 5g
アンモニア水(27%) 1g
pH 6.2に調整
[Fixing solution 1L prescription]
ATS 1.2M Ammonium iodide 5g
Ammonium sulfite monohydrate 25g
Acetic acid 5g
Ammonia water (27%) 1g
Adjust to pH 6.2

(無電解めっき液の作製)
表1に示す処方の無電解めっき液を作製し、pHを12.3に調節した。
(Preparation of electroless plating solution)
An electroless plating solution having a formulation shown in Table 1 was prepared, and the pH was adjusted to 12.3.

Figure 2009108337
Figure 2009108337

〔実施例1〕
得られた基盤サンプルSD−1をPdCl 1mM水溶液に25℃にて5分間浸漬し、その後図1に示す無電解めっき装置10にて0.5A/dm2で通電しながらめっき時間が5minとなるように搬送して無電解めっきを実施した。めっき液の液温度は40℃で行った。
[Example 1]
The obtained substrate sample SD-1 is immersed in a 1 mM aqueous solution of PdCl 2 at 25 ° C. for 5 minutes, and then the plating time becomes 5 min while energizing at 0.5 A / dm 2 in the electroless plating apparatus 10 shown in FIG. Then, electroless plating was carried out. The temperature of the plating solution was 40 ° C.

〔実施例2〜5〕
無電解めっき装置10にて通電する電流値を変更したこと以外は実施例1と同様にして無電解めっきを実施した。通電量と得られたサンプルの表面抵抗値をまとめて表2に示した。
[Examples 2 to 5]
The electroless plating was performed in the same manner as in Example 1 except that the current value to be energized in the electroless plating apparatus 10 was changed. Table 2 shows the energization amount and the surface resistance value of the obtained sample.

〔実施例6〕
使用する基盤サンプルをSD−2に変更すること以外は実施例1と同様にして無電解めっきを実施した。
Example 6
Electroless plating was performed in the same manner as in Example 1 except that the substrate sample to be used was changed to SD-2.

〔実施例7〜8〕
通電する電流値を変更したこと以外は実施例6と同様にして無電解めっきを実施した。
[Examples 7 to 8]
Electroless plating was performed in the same manner as in Example 6 except that the current value to be energized was changed.

〔実施例9〕
基盤サンプルSD−1をPdCl 1mM水溶液に25℃にて5分間浸漬し、その後搬送しているサンプルに20J/cmのエネルギーで830nmの赤外線レーザーを照射しながら図2に示す無電解めっき装置30にてめっき時間が5minとなるように搬送してめっき液温度を40℃で無電解めっきを実施した。
Example 9
The substrate sample SD-1 is immersed in a 1 mM aqueous solution of PdCl 2 at 25 ° C. for 5 minutes, and then the electroless plating apparatus shown in FIG. 2 is irradiated with an infrared laser of 830 nm at an energy of 20 J / cm 2 on the transported sample. 30 was carried out so that the plating time was 5 min, and electroless plating was performed at a plating solution temperature of 40 ° C.

〔実施例10〕
使用する基盤サンプルをSD−2に変更すること以外は実施例9と同様にして無電解めっきを実施した。
Example 10
Electroless plating was performed in the same manner as in Example 9 except that the base sample to be used was changed to SD-2.

〔比較例1〕
得られた基盤サンプルSD−1をPdCl 1mM水溶液に浸漬し、めっき時間が5minとなるように搬送してめっき液温度を40℃にて無電解めっきを実施した。無電解めっき時は基盤サンプルへの電気通電又はエネルギー照射を行わずにめっきを実施した。
[Comparative Example 1]
The obtained substrate sample SD-1 was immersed in a 1 mM aqueous solution of PdCl 2 , transported so that the plating time was 5 min, and electroless plating was performed at a plating solution temperature of 40 ° C. At the time of electroless plating, plating was carried out without applying electrical current or energy irradiation to the substrate sample.

〔比較例2〕
使用する基盤サンプルをSD−2に変更すること以外は比較例1と同様にして無電解めっきを実施した。
[Comparative Example 2]
Electroless plating was performed in the same manner as Comparative Example 1 except that the substrate sample to be used was changed to SD-2.

〔実施例11〕
5gの硝酸銀と20gのクエン酸3ナトリウムを150mlのイオン交換水に溶解し、ここに5gの水素化ホウ素ナトリウムを50mlのイオン交換水に溶解した水溶液を撹拌しながらゆっくりと添加した。得られた分散液にメタノールを加えてAg粒子を沈降させ、上澄み液を除去して洗浄した。洗浄した粒子をシクロヘキサノールと2−エトキシエタノールの混合溶媒(容量比率50:50)に再分散させ、10重量%濃度のAg/AgO混合微粒子分散物を作製した。
この分散液用いて、予めコンピュータ入力した485ピッチ15μ線幅の図形情報に従ってピエゾ方式のインクジェットプリンタを用いて基板上に描画して乾燥させ、120Ω/□の基盤サンプルSD−3を作製した。
得られた基盤サンプルSD−3を実施例2と同様の方法で無電解めっきを実施した。
Example 11
5 g of silver nitrate and 20 g of trisodium citrate were dissolved in 150 ml of ion exchange water, and an aqueous solution in which 5 g of sodium borohydride was dissolved in 50 ml of ion exchange water was slowly added with stirring. Methanol was added to the obtained dispersion to precipitate Ag particles, and the supernatant was removed and washed. The washed particles were redispersed in a mixed solvent of cyclohexanol and 2-ethoxyethanol (volume ratio 50:50) to prepare a 10% by weight Ag / Ag 2 O mixed fine particle dispersion.
Using this dispersion, a substrate sample SD-3 of 120Ω / □ was prepared by drawing on a substrate using a piezo-type ink jet printer in accordance with graphic information of 485 pitch 15 μ line width inputted in advance by a computer.
The obtained base sample SD-3 was subjected to electroless plating in the same manner as in Example 2.

〔比較例3〕
実施例11で得られた基盤サンプルSD−3をPdCl 1mM水溶液に浸漬し、めっき時間が5minとなるように搬送してめっき液温度を40℃で無電解めっきを実施した。無電解めっき時は基盤サンプルへの電気通電又はエネルギー照射を行わずにめっきを実施した。
[Comparative Example 3]
The substrate sample SD-3 obtained in Example 11 was immersed in a 1 mM aqueous solution of PdCl 2 , transported so that the plating time was 5 min, and electroless plating was performed at a plating solution temperature of 40 ° C. At the time of electroless plating, plating was carried out without applying electrical current or energy irradiation to the substrate sample.

〔比較例4〕
めっき液温度を52℃にすること以外は比較例1と同様にして無電解めっきを実施した。
[Comparative Example 4]
Electroless plating was performed in the same manner as in Comparative Example 1 except that the plating solution temperature was 52 ° C.

以上の無電解めっき後サンプルの表面抵抗値とめっき液を使用温度で1日経過させた後のCuの残存率を表2に示した。   Table 2 shows the surface resistance value of the sample after electroless plating and the remaining ratio of Cu after allowing the plating solution to pass for one day at the operating temperature.

Figure 2009108337
Figure 2009108337

表2に示されるように、実施例1〜10は、同一時間の無電解めっきで比較例1に比べて表面抵抗が低く、めっき速度が速くなっていることが明らかである。また、比較例4との比較から、実施例1〜10は1日経過後のCu残存率が高く、経時安定性が良好である。従って、実施例1〜10によれば、無電解めっきの高速化とめっき液の長寿命化を同時に達成することができる。更に、実施例11によれば、導電性インクを用いた基盤サンプルに対しても本発明が有効であることが分かる。   As shown in Table 2, it is clear that Examples 1 to 10 have lower surface resistance and higher plating speed than those of Comparative Example 1 by electroless plating for the same time. Moreover, from the comparison with the comparative example 4, Examples 1-10 have high Cu residual rate after 1-day progress, and temporal stability is favorable. Therefore, according to Examples 1 to 10, it is possible to simultaneously achieve high speed electroless plating and long life of the plating solution. Furthermore, according to Example 11, it turns out that this invention is effective also with respect to the base | substrate sample using a conductive ink.

なお、本実施形態では、光透過性電磁波遮蔽材料を製造する装置及び製造方法について説明したが、これに限られず、例えば、その他工業品などの微細な導電性金属部からなる細線状パターンを有する光透過性導電性材料の製造装置及び製造方法としても適用することができる。   In addition, although this embodiment demonstrated the apparatus and manufacturing method which manufacture a light-transmitting electromagnetic wave shielding material, it is not restricted to this, For example, it has a fine line pattern which consists of fine electroconductive metal parts, such as other industrial goods The present invention can also be applied as a manufacturing apparatus and a manufacturing method of a light transmissive conductive material.

本発明の第1実施形態における無電解めっき方法が適用された無電解めっき装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the electroless-plating apparatus with which the electroless-plating method in 1st Embodiment of this invention was applied. 本発明の第2実施形態における無電解めっき方法が適用された無電解めっき装置を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows the electroless-plating apparatus with which the electroless-plating method in 2nd Embodiment of this invention was applied.

符号の説明Explanation of symbols

10 無電解めっき装置
12 積層体
12A 導電性金属パターン
16 無電解めっき槽
16A めっき液
20 電気通電装置
22 給電ローラ
24 給電ローラ
30 無電解めっき装置
34 エネルギー照射装置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Electroless plating apparatus 12 Laminated body 12A Conductive metal pattern 16 Electroless plating tank 16A Plating solution 20 Electric conduction apparatus 22 Feed roller 24 Feed roller 30 Electroless plating apparatus 34 Energy irradiation apparatus

Claims (11)

導電性金属パターンを含む基体上に金属めっきをする無電解めっき方法であって、
前記無電解めっきの最中に前記導電性金属パターンに電気通電し、前記導電性金属パターンを加温しながら無電解めっきすることを特徴とする無電解めっき方法。
An electroless plating method for performing metal plating on a substrate including a conductive metal pattern,
An electroless plating method comprising conducting electricity to the conductive metal pattern during the electroless plating, and performing electroless plating while heating the conductive metal pattern.
前記電気通電が、1.5A/dm2以下の範囲で通電を行うことを特徴とする請求項1に記載の無電解めっき方法。   2. The electroless plating method according to claim 1, wherein the electric current is applied in a range of 1.5 A / dm 2 or less. 導電性金属パターンを含む基体上に金属めっきをする無電解めっき方法であって、
前記導電性金属パターンにエネルギー照射を行うことにより、前記無電解めっきの最中に前記導電性金属パターンを加温しながら無電解めっきすることを特徴とする無電解めっき方法。
An electroless plating method for performing metal plating on a substrate including a conductive metal pattern,
An electroless plating method comprising performing electroless plating while heating the conductive metal pattern during the electroless plating by irradiating the conductive metal pattern with energy.
前記エネルギー照射は、レーザービーム、電子ビーム、イオンビームまたは熱線から選択される少なくとも1種類により行うことを特徴とする請求項3に記載の無電解めっき方法。   The electroless plating method according to claim 3, wherein the energy irradiation is performed by at least one selected from a laser beam, an electron beam, an ion beam, and a heat ray. 前記導電性金属パターンが1〜50μmのメッシュ状細線を含むパターンであることを特徴とする請求項1から請求項4までのいずれか1項に記載の無電解めっき方法。   The electroless plating method according to any one of claims 1 to 4, wherein the conductive metal pattern is a pattern including 1 to 50 µm fine mesh wires. 前記導電性金属パターンの表面抵抗値が10〜1000Ω/□であることを特徴とする請求項1から請求項5までのいずれか1項に記載の無電解めっき方法。   6. The electroless plating method according to claim 1, wherein a surface resistance value of the conductive metal pattern is 10 to 1000 Ω / □. 前記導電性金属パターンが、ハロゲン化銀を含有する感光材料を露光、現像して形成されることを特徴とする請求項1から請求項6までのいずれか1項に記載の無電解めっき方法。   The electroless plating method according to any one of claims 1 to 6, wherein the conductive metal pattern is formed by exposing and developing a photosensitive material containing silver halide. 前記基体は、導電性金属パターンが連続して形成された長尺状基体であり、
前記長尺状基体を連続搬送して無電解めっきをすることを特徴とする請求項1から請求項7までのいずれか1項に記載の無電解めっき方法。
The base is a long base on which a conductive metal pattern is continuously formed,
The electroless plating method according to any one of claims 1 to 7, wherein the elongate substrate is continuously conveyed to perform electroless plating.
導電性金属パターンを含む基体上に金属めっきをする無電解めっき装置であって、
無電解めっき液で満たされ、前記基体が導入される無電解めっき槽と、
前記導電性金属パターンに電気通電し、前記無電解めっきの最中に前記導電性金属パターンを加温する電気通電装置と、
を有することを特徴とする無電解めっき装置。
An electroless plating apparatus for performing metal plating on a substrate including a conductive metal pattern,
An electroless plating tank filled with an electroless plating solution and into which the substrate is introduced;
An electrical energization device for electrically energizing the conductive metal pattern and heating the conductive metal pattern during the electroless plating;
An electroless plating apparatus comprising:
導電性金属パターンを含む基体上に金属めっきをする無電解めっき装置であって、
無電解めっき液で満たされ、前記基体が導入される無電解めっき槽と、
前記導電性金属パターンにエネルギー照射を行い、前記無電解めっきの最中に前記導電性金属パターンを加温するエネルギー照射装置と、
を有することを特徴とする無電解めっき装置。
An electroless plating apparatus for performing metal plating on a substrate including a conductive metal pattern,
An electroless plating tank filled with an electroless plating solution and into which the substrate is introduced;
An energy irradiation device that irradiates the conductive metal pattern with energy and heats the conductive metal pattern during the electroless plating;
An electroless plating apparatus comprising:
請求項1から請求項8までのいずれか1項に記載の無電解めっき方法で形成されたことを特徴とする電磁波シールド材料。   An electromagnetic wave shielding material formed by the electroless plating method according to any one of claims 1 to 8.
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