JP2009081386A - 光起電力素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】光起電力素子20は、絶縁性基板21と、透明電極22と、n型半導体層23と、第1のp型半導体層24と、第2のp型半導体層25(第2p型半導体層)と、背面電極層26とが順に積層されて構成されている。光起電力素子20は、絶縁性基板21に形成された電極層22上に、塗布装置1のスリット形状の吐出口12からn型半導体塗布液を吐出して、n型半導体層23を形成する。次に、n型半導体層23上に、塗布装置1の吐出口12から第1のp型半導体塗布液を吐出して、第1のp型半導体層24を形成する。続いて、第1のp型半導体層24上に、塗布装置1の吐出口12から第2のp型半導体塗布液を吐出して、第2のp型半導体層25を形成する。
【選択図】図2
Description
本発明の実施例1として上述した毛細管現象を利用した塗布装置1を用いて、10cm×10cmの寸法の絶縁性基板21上にn型半導体塗布液、第1のp型半導体塗布液、第2のp型半導体塗布液及び電極塗布液を順次塗布して、n型半導体層23、第1のp型半導体層24、第2のp型半導体層25及び背面電極層26を形成し、光起電力素子20を作製した。
比較例1としてバーコータ塗布装置を用いて、10cm×10cmの寸法の絶縁性基板21上にn型半導体塗布液、第1のp型半導体塗布液、第2のp型半導体塗布液及び電極塗布液を順次塗布して、n型半導体層、第1のp型半導体層、第2のp型半導体層及び背面電極層を形成し、光起電力素子を作製した。
そこで、毛細管現象を利用した塗布装置1においては、各半導体塗布液を構成する溶媒について、流動性、粘性及び乾燥性の各特性をバランス良く満足させる選択が必要であることが明らかになった。
また、本実施形態においては、背面電極層26は塗布装置1により電極塗布液を塗布して形成していたが、第2のp型半導体層25とオーミック接触する電極材料であれば良く、蒸着法あるいはスパッタリング法により、Au、Agなどの金属による被膜を形成してもよい。
21 透明絶縁性基板
22 透明電極
23 n型半導体層
24 第1のp型半導体層
25 第2のp型半導体層
26 背面電極層
Claims (5)
- 電極層を有する基材上に、第1導電型半導体層、第2導電型半導体層を順次積層する工程を有する光起電力素子の製造方法において、
前記電極層から離間した位置に設けられたスリット形状の部材から塗布液を吐出する塗布手段により、前記電極層上に前記第1導電型半導体層の形成に必要な塗布液を適当量連続的に塗布する第1塗布工程と、
前記第1塗布工程後に、前記第1導電型半導体層から離間した位置に設けられた前記塗布手段により、前記第1導電型半導体層上に前記第2導電型半導体層の形成に必要な塗布液を適当量連続的に塗布する第2塗布工程と、を有していることを特徴とする光起電力素子の製造方法。 - 前記第2塗布工程においては、前記第2導電型半導体層をそれぞれ異なる塗布液溶媒を用いて2層に形成することを特徴とする請求項1に記載の光起電力素子の製造方法。
- 前記第1導電型半導体層は、n型半導体層であり、
前記第1塗布工程は、平均粒径が0.05〜0.3μmの半導体粒子を沸点が100〜200℃の溶媒中に分散させた、粘度が5〜15mpas、表面張力が20〜40mN/mに調整された塗布液を前記電極上に適当量連続的に塗布する工程であることを特徴とする請求項2に記載の光起電力素子の製造方法。 - 前記第2導電型半導体層は、p型半導体層であり、
前記第2塗布工程は、平均粒径が0.05〜0.3μmの半導体粒子を沸点が50〜100℃、及び沸点が100〜200℃の第1混合溶媒中に分散させた、粘度が3〜10mpas、表面張力が20〜30mN/mに調整された塗布液を前記n型半導体層上に適当量連続的に塗布し、
その塗布した面に、平均粒径が0.05〜0.3μmの半導体粒子を沸点が50〜100℃、及び沸点が100〜200℃の前記第1混合溶媒とは異なる第2混合溶媒中に分散させた、粘度が5〜10mpas、表面張力が20〜40mN/mに調整された塗布液をさらに適当量連続的に塗布する工程であり、
前記第2塗布工程後に、導電性のカーボンブラックまたは金属微粒子を樹脂溶液中に分散させた塗布液を前記p型半導体層上に塗布する第3塗布工程を有することを特徴とする請求項3に記載の光起電力素子の製造方法。 - 前記塗布手段が、毛細管現象を利用するものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の光起電力素子の製造方法。
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Citations (5)
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2007
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