JP2009078348A - 改良されたケミカルメカニカル研磨パッドならびに同研磨パッドの製造法および使用法 - Google Patents
改良されたケミカルメカニカル研磨パッドならびに同研磨パッドの製造法および使用法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009078348A JP2009078348A JP2008209140A JP2008209140A JP2009078348A JP 2009078348 A JP2009078348 A JP 2009078348A JP 2008209140 A JP2008209140 A JP 2008209140A JP 2008209140 A JP2008209140 A JP 2008209140A JP 2009078348 A JP2009078348 A JP 2009078348A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- shape memory
- matrix material
- memory matrix
- polishing layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 563
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 155
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 97
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 claims abstract description 47
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 40
- 230000004913 activation Effects 0.000 claims description 22
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 18
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 15
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 8
- HIFVAOIJYDXIJG-UHFFFAOYSA-N benzylbenzene;isocyanic acid Chemical class N=C=O.N=C=O.C=1C=CC=CC=1CC1=CC=CC=C1 HIFVAOIJYDXIJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 6
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 6
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 6
- 229920001610 polycaprolactone Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004632 polycaprolactone Substances 0.000 claims description 4
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 claims description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 4
- IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-methylene-bis-(2-chloroaniline) Chemical compound C1=C(Cl)C(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C(Cl)=C1 IBOFVQJTBBUKMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 205
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 230000008569 process Effects 0.000 description 14
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 13
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 8
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 8
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 7
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 6
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000006870 function Effects 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- -1 poly (amide ester Chemical class 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 4
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 4
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 4
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 4
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 4
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Diphenylmethane Diisocyanate Chemical compound C1=CC(N=C=O)=CC=C1CC1=CC=C(N=C=O)C=C1 UPMLOUAZCHDJJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004821 Contact adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 3
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 3
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 3
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000003446 memory effect Effects 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 239000012781 shape memory material Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000858 Cyclodextrin Polymers 0.000 description 2
- 229920000459 Nitrile rubber Polymers 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004433 Thermoplastic polyurethane Substances 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011066 ex-situ storage Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 2
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 2
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 2
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 2
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N schardinger α-dextrin Chemical compound O1C(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC(C(O)C2O)C(CO)OC2OC(C(C2O)O)C(CO)OC2OC2C(O)C(O)C1OC2CO HFHDHCJBZVLPGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000431 shape-memory polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000002195 soluble material Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229910000760 Hardened steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229920000805 Polyaspartic acid Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002730 additional effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013528 artificial neural network Methods 0.000 description 1
- 229920005601 base polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004033 diameter control Methods 0.000 description 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000010438 granite Substances 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 239000012761 high-performance material Substances 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 description 1
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001814 pectin Substances 0.000 description 1
- 229920001277 pectin Polymers 0.000 description 1
- 235000010987 pectin Nutrition 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001693 poly(ether-ester) Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000747 poly(lactic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920002432 poly(vinyl methyl ether) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 108010064470 polyaspartate Proteins 0.000 description 1
- 239000004644 polycyanurate Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000004626 polylactic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920003225 polyurethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002717 polyvinylpyridine Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000010107 reaction injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000001172 regenerating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000004936 stimulating effect Effects 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- 235000000346 sugar Nutrition 0.000 description 1
- 150000008163 sugars Chemical class 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 229920003051 synthetic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000005061 synthetic rubber Substances 0.000 description 1
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000002604 ultrasonography Methods 0.000 description 1
- 238000009941 weaving Methods 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C61/00—Shaping by liberation of internal stresses; Making preforms having internal stresses; Apparatus therefor
- B29C61/06—Making preforms having internal stresses, e.g. plastic memory
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C70/00—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts
- B29C70/58—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts comprising fillers only, e.g. particles, powder, beads, flakes, spheres
- B29C70/66—Shaping composites, i.e. plastics material comprising reinforcements, fillers or preformed parts, e.g. inserts comprising fillers only, e.g. particles, powder, beads, flakes, spheres the filler comprising hollow constituents, e.g. syntactic foam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】稠密化状態にある研磨層を含み、研磨層が本来の形状30とプログラム形状との間で変形可能な形状記憶マトリクス材料36を含み、研磨層が、形状記憶マトリクス材料36が本来の形状30にあるときにはOTの厚さを示し、プログラム形状にあるときには稠密化厚さDTを示し、DT<OTの80%であり、形状記憶マトリクス材料の温度が(Tg−20℃)から(Tg+20℃)に上昇するとき、形状記憶マトリクスが貯蔵弾性率における≧70%の減少を示し、研磨層が基材を研磨するために適合された研磨面を有するものである研磨パッド。
【選択図】図2
Description
請求の範囲を含む本明細書で使用する「繊維形態」とは、位相ドメインが三次元形状を有し、その一つの次元が他の二つの次元よりもずっと大きい位相の形態をいう。
CF={(所与の半径Rにおける、任意の溝を横断して位置する円周の部分)/(所与の半径Rにおける全円周)}
CFが所与の形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッドの研磨面の半径の関数として一定であるならば、所与の半径で溝を有する(又は有しない)研磨面の割合の部分もまた半径の関数として一定になることに注目するされたい。
市販の充填材入りポリウレタン研磨パッド(Rohm and Haas Electronic Materials CMP社からIC1000(商標)として市販)から試料を調製した。試料は、研磨パッドから打ち抜いた直径約12.7mmの円板を含むものであった。
グリセロールプロポキシレート(平均Mn約266)227g、ポリテトラヒドロフラン(平均Mn約650)279g、及びポリカルボジイミド修飾ジフェニルメタンジイソシアネート(The Dow ChemicalCompanyからIsonate(登録商標)143Lとして市販)494gを約50℃及び大気圧で混合することによって形状記憶ポリマーマトリックス材料を調製した。そして、この混合物に対し、非接触遊星形高剪断ミキサを2000rpmで使用して、中空の弾性ポリマー微小球(Akso NobelからExpancel(登録商標)551DEとして市販)18gをブレンドして、微小球を形状記憶マトリックス材料中に均一に分散させた。そして、最終混合物を、2.54mm離間した2枚の平坦なガラス面の間に流し込み、形成した直径約254mmの流し込みシートを約10分間ゲル化させた。
グリセロールプロポキシレート(平均Mn約266)216g、ポリ(カプロラクトン)ジオール(平均Mn約775)315g及びポリカルボジイミド修飾ジフェニルメタンジイソシアネート(The Dow Chemical CompanyからIsonate(登録商標)143Lとして市販)496gを約50℃及び大気圧で混合することによって形状記憶ポリマーマトリックス材料を調製した。そして、この混合物に対し、非接触遊星形高剪断ミキサを2000rpmで使用して、中空の弾性ポリマー微小球(Akzo NobelからExpancel(登録商標)551DEとして市販)18gをブレンドして、微小球を形状記憶マトリックス材料中に均一に分散させた。そして、最終混合物を、2.54mm離間した2枚の平坦なガラス面の間に流し込み、形成した直径約254mmの流し込みシートを約10分間ゲル化させた。このシートを実施例2と同様に硬化させた。
Rohm and Haas Electronic Materials CMP社から市販のIC1000(商標)研磨パッドで使用されている形状記憶マトリックス材料(ただし、Expancel(登録商標)材料を添加していない)に関して、動的機械分析装置(DMA、TA InstrumentsのQ800モデル)を使用して、貯蔵弾性率(MPa)対温度(℃)曲線をプロットした。プロットした曲線を図17に示す。
実施例2及び3と同様に調製した形状記憶マトリックス材料(ただし、Expancel(登録商標)材料を添加していない)に関して、機械分析装置(DMA、TA InstrumentsのQ800モデル)を使用して、貯蔵弾性率(MPa)対温度(℃)をプロットした。プロットした曲線を図18に示す。
実施例1にしたがって調製した形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド試料をインストロン試験機(Instron Tester)の直径2”上下プラテンの間に配置した。内部温度が制御可能である加熱チャンバが、プラテン及び試料パッドをわたす空間を包囲した。試料パッドを120℃で20分間加熱し、プラテンを使用して軸方向力を試料パッドに加えた。この軸方向力は、試料パッドをその本来の厚さの約50%まで圧縮するのに十分な公称圧力を試料パッドに加えた。試料パッドに加えられた公称圧力は約1,000〜5,000psiであった。圧力を維持しながら試料パッドを室温まで冷やして、その中の形状記憶マトリックス材料をプログラム形状でセットし、稠密化状態にある試料パッドを得た。
実施例2及び3にしたがって製造したシートから直径12.5mmの試料パッドを打ち抜いた。そして、その試料パッドをインストロン試験機の直径2”上下のプラテンの間に配置した。内部温度が制御可能である加熱チャンバが、プラテン及び試料パッドをわたす空間を包囲した。そして、試料パッドを90℃で20分間加熱し、プラテンを使用して軸方向力を試料パッドに加えた。この軸方向力は、試料パッドをその本来の厚さの約50%まで圧縮するのに十分な公称圧力を試料パッドに加えた。軸方向力によって試料パッドに加えられた圧力は約1,000〜5,000psiであった。この加えられた圧力を維持しながら試料パッドを室温まで冷やして、試料パッド中の形状記憶マトリックス材料をプログラム状態でセットし、稠密化状態にある試料パッドを得た。
実施例6にしたがって調製した稠密化状態にある研磨パッド試料を炉中120℃で10〜20分間加熱した。そして、各研磨パッド試料の実際の厚さを計測した。各研磨パッド試料は、復元状態に転移していることが認められ、最大全復元厚さ>本来の厚さの99%であった。
実施例7にしたがって調製した稠密化状態にある研磨パッド試料を炉中90℃で10〜20分間加熱した。そして、各研磨パッド試料の実際の厚さを計測した。各研磨パッド試料は、復元状態に転移していることが認められ、最大全復元厚さ>本来の厚さの99%であった。
市販のIC1000(商標)研磨パッドから直径203mmの形状記憶研磨パッドを打ち抜いた。そして、その形状記憶研磨パッドを2枚の直径254mm、厚さ12.7mmの平坦な硬化鋼プレートの間に配置し、150トンHannifin37”×36”下向き作用4ポスト液圧プレスの下プラテンの上に配置した。形状記憶研磨パッドの温度が120℃に達するまで上下のプラテンを60分超の間、電気加熱した。そして、形状記憶研磨パッドに対して1,000〜5,000psiの圧力を加える軸方向力の下、形状記憶研磨パッドを本来の厚さの約50%まで圧縮した。この加えられた圧力を維持しながら形状記憶研磨パッドを室温まで冷やして、その中の形状記憶材料をプログラム形状にセットし、稠密化状態にある形状記憶研磨パッドを得た。
Center for Tribology社のケミカルメカニカルデスクトップ研磨機で以下の実験を実施した。研磨機を、ダウンフォース2.4psi、研磨溶液流量50cc/min、プラテン速度160rpm及びキャリヤ速度160rpmにセットした。使用した研磨媒は、Rohm and Haas Electronic Materials CMP社から市販の銅CMP用EPL2362スラリーであった。これらの実験に使用したウェーハは、SilyBから市販の、厚さ15,000Åの電気めっき銅層を有する100mmシリコン基材ウェーハであった。ウェーハを研磨して銅を除去した。本明細書で報告する銅除去速度(Å/min)は、上記条件下でウェーハを2分間研磨したのちサブミリグラム化学天秤(AINSWORTHモデル番号CC-204)を使用するウェーハ重量損計測を使用して測定した。
グリセロールプロポキシレート(平均Mn約266)175g、ポリカプロラクトン(平均Mn約530-b-530)349g及びポリカルボジイミド修飾ジフェニルメタンジイソシアネート(The Dow ChemicalCompanyからIsonate(登録商標)143Lとして市販)476gを混合する(約50℃及び大気圧で)ことによって形状記憶マトリックス材料を調製した。
実施例12と同様に調製した形状記憶マトリックス材料に関して、機械分析装置(DMA、TA InstrumentsのQ800モデル)を使用して、貯蔵弾性率(MPa)対温度(℃)をプロットした。プロットした曲線を図21に示す。
Claims (10)
- 磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を研磨するための形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッドであって、
稠密化状態にある研磨層を含み、
研磨層が、本来の形状とプログラム形状との間で変形可能な形状記憶マトリックス材料を含み、
研磨層が、形状記憶マトリックス材料が本来の形状にあるときには本来の厚さOTを示し、
研磨層が、形状記憶マトリックス材料がプログラム形状にあるときには稠密化状態で稠密化厚さDTを示し、
DT≦OTの80%であり、
形状記憶マトリックス材料の温度が(Tg−20℃)から(Tg+20℃)に上昇するとき、形状記憶マトリックス材料が貯蔵弾性率における≧70%の減少を示し、
研磨層が、基材を研磨するために適合された研磨面を有するものである形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。 - 貯蔵弾性率における減少が≧800MPaの大きさを有する、請求項1記載の形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。
- 形状記憶マトリックス材料が≧45℃かつ<80℃のTgを示す、請求項1記載の形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。
- 形状記憶マトリックス材料の温度が(Tg−10℃)から(Tg+10℃)に上昇するとき、形状記憶マトリックス材料が貯蔵弾性率における≧90%の減少を示し、貯蔵弾性率における減少が≧800MPaの大きさを有する、請求項1記載の形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。
- 形状記憶マトリックス材料が、グリセロールプロポキシレート、ポリカルボジイミド修飾ジフェニルメタンジイソシアネートならびにポリテトラヒドロフラン及びポリカプロラクトンの少なくとも一つを含む混合物の反応生成物を含む、請求項1記載の形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。
- 形状記憶マトリックス材料が、ポリエーテルベースのトルエンジイソシアネート終端化液体ウレタンプレポリマー及び4,4′−メチレンビス(2−クロロアニリン)を含む混合物の反応生成物を含む、請求項1記載の形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッド。
- 形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッドを製造する方法であって、
本来の形状とプログラム形状との間で変形可能な形状記憶マトリックス材料を提供すること、
本来の形状にある形状記憶マトリックス材料を含む、本来の厚さOTを示す本来の状態にある研磨層を調製すること、
研磨層を外力に付すこと、
形状記憶マトリックス材料をプログラム形状にセットして、稠密化厚さDTを示す稠密化状態にある研磨層を提供すること、
外力を解除すること
を含み、
DT≦OTの80%であり、
形状記憶マトリックス材料の温度が(Tg−20℃)から(Tg+20℃)に上昇するとき、形状記憶マトリックス材料が貯蔵弾性率における≧70%の減少を示し、
研磨層が、磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を研磨するために適合された研磨面を有するものである方法。 - 複数の微小要素を提供すること、
複数の微小要素を形状記憶マトリックス材料中に分散させること、
研磨層を、形状記憶マトリックス材料のガラス転移温度Tgよりも高い温度Tまで加熱すること
をさらに含み、
外力が、研磨層の温度を形状記憶マトリックス材料のTgよりも高い温度に維持しながら研磨層を稠密化厚さDTまで軸方向に圧縮する軸方向力であり、形状記憶マトリックス材料が、軸方向力を維持しながら研磨層を形状記憶マトリックス材料のTg未満の温度まで冷却することによってプログラム形状にセットされる、請求項7記載の方法。 - 基材を研磨する方法であって、
磁性基材、光学基材及び半導体基材の少なくとも一つから選択される基材を提供すること、
稠密化状態にある研磨層を含み、研磨層が、本来の形状とプログラム形状との間で変形可能な形状記憶マトリックス材料を含み、本来の状態にある研磨層が、形状記憶マトリックス材料が本来の形状にあるときには本来の厚さOTを示し、研磨層が、形状記憶マトリックス材料がプログラム形状にあるときには稠密化厚さDTを示し、DT≦OTの80%であり、形状記憶マトリックス材料の温度がTg−20℃からTg+20℃に上昇するとき、形状記憶マトリックス材料が貯蔵弾性率における≧70%の減少を示すものである形状記憶ケミカルメカニカル研磨パッドを提供すること、及び
研磨層の研磨面と基材との間に動的接触を形成して基材の表面を研磨すること
を含む方法。 - 研磨層のうち、少なくとも研磨面に隣接する部分を活性化刺激に暴露することによって研磨層の研磨面をコンディショニングすること
をさらに含み、
研磨層のうち、活性化刺激に暴露された研磨面に隣接する部分が稠密化状態から復元状態に転移する、請求項9記載の方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/838,954 US7458885B1 (en) | 2007-08-15 | 2007-08-15 | Chemical mechanical polishing pad and methods of making and using same |
US11/838,954 | 2007-08-15 | ||
US12/103,292 | 2008-04-15 | ||
US12/103,292 US8221196B2 (en) | 2007-08-15 | 2008-04-15 | Chemical mechanical polishing pad and methods of making and using same |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009078348A true JP2009078348A (ja) | 2009-04-16 |
JP2009078348A5 JP2009078348A5 (ja) | 2011-07-28 |
JP5340669B2 JP5340669B2 (ja) | 2013-11-13 |
Family
ID=40032802
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008209140A Expired - Fee Related JP5340669B2 (ja) | 2007-08-15 | 2008-08-15 | 改良されたケミカルメカニカル研磨パッドならびに同研磨パッドの製造法および使用法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8221196B2 (ja) |
EP (1) | EP2025454B1 (ja) |
JP (1) | JP5340669B2 (ja) |
KR (1) | KR101507612B1 (ja) |
TW (1) | TWI444247B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009214275A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
JP2011036979A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッド |
JP2018531157A (ja) * | 2015-09-25 | 2018-10-25 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 高い弾性率比率を有するポリウレタンcmpパッド |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10041745B2 (en) | 2010-05-04 | 2018-08-07 | Fractal Heatsink Technologies LLC | Fractal heat transfer device |
US20110287698A1 (en) * | 2010-05-18 | 2011-11-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | System, method and apparatus for elastomer pad for fabricating magnetic recording disks |
CN103109355B (zh) * | 2010-09-15 | 2016-07-06 | 株式会社Lg化学 | 用于cmp的研磨垫 |
US20120306120A1 (en) * | 2011-05-06 | 2012-12-06 | Guoqiang Li | Compression Programming of Shape Memory Polymers Below the Glass Transition Temperature |
US9406971B2 (en) | 2011-07-01 | 2016-08-02 | GM Global Technology Operations LLC | Shape memory polymer containing composite materials |
US20130017762A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Infineon Technologies Ag | Method and Apparatus for Determining a Measure of a Thickness of a Polishing Pad of a Polishing Machine |
US9421669B2 (en) * | 2012-07-30 | 2016-08-23 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Single grooved polishing pad |
US9522454B2 (en) * | 2012-12-17 | 2016-12-20 | Seagate Technology Llc | Method of patterning a lapping plate, and patterned lapping plates |
DE102013203116A1 (de) * | 2013-02-26 | 2014-08-28 | Robert Bosch Gmbh | Schleifmittelvorrichtung |
WO2015050642A1 (en) * | 2013-10-03 | 2015-04-09 | Applied Materials, Inc. | Cmp equipment using magnet responsive composites |
US9421666B2 (en) * | 2013-11-04 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Printed chemical mechanical polishing pad having abrasives therein |
CN106376234B (zh) | 2014-05-02 | 2019-11-05 | 3M创新有限公司 | 间断的结构化磨料制品以及抛光工件的方法 |
US20170232573A1 (en) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Polishing member and semiconductor manufacturing method |
US11866594B2 (en) | 2017-06-27 | 2024-01-09 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Elastomeric shape memory polymer composites |
WO2019139586A1 (en) * | 2018-01-11 | 2019-07-18 | Intel Corporation | Magnetic polishing pad and platen structures for chemical mechanical polishing |
US10654146B2 (en) | 2018-01-23 | 2020-05-19 | Seagate Technology Llc | One or more charging members used in the manufacture of a lapping plate, and related apparatuses and methods of making |
US11697183B2 (en) | 2018-07-26 | 2023-07-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Fabrication of a polishing pad for chemical mechanical polishing |
KR102174958B1 (ko) * | 2019-03-27 | 2020-11-05 | 에스케이씨 주식회사 | 결함 발생을 최소화시키는 연마패드 및 이의 제조방법 |
US20220282144A1 (en) * | 2021-03-05 | 2022-09-08 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive articles and methods for forming same |
US12064850B2 (en) | 2021-12-30 | 2024-08-20 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive articles and methods for forming same |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03182283A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-08 | Ace Denken:Kk | 研磨装置および研磨方法 |
JPH08323614A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-10 | Sony Corp | 化学的機械研磨方法および装置 |
JP2000344902A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Fuji Spinning Co Ltd | 研磨パッド用ウレタン成形物の製造法及び研磨パッド用ウレタン成形物 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0739506B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1995-05-01 | 三菱重工業株式会社 | 形状記憶ポリマー発泡体 |
US5032622A (en) * | 1990-07-02 | 1991-07-16 | The Dow Chemical Company | Densifiable and re-expandable polyurethane foam |
US5759090A (en) * | 1994-06-01 | 1998-06-02 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Sanding pad containing a heat distortable polymer and sanding process using same |
US6090479A (en) * | 1995-06-26 | 2000-07-18 | Sekisui Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Shape-recoverable resin foamed product |
HUP0102138A3 (en) * | 1998-02-23 | 2002-06-28 | Langer Robert S Newton | Shape memory polymers |
US6160084A (en) * | 1998-02-23 | 2000-12-12 | Massachusetts Institute Of Technology | Biodegradable shape memory polymers |
DE60104576T2 (de) * | 2000-02-14 | 2004-12-16 | Nichias Corp. | Schaumkörper mit Formgedächtnis und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP4078411B2 (ja) * | 2000-08-29 | 2008-04-23 | ニチアス株式会社 | 自動車エンジン用防音カバー及び前記防音カバー用フォーム材の製造方法 |
US6583194B2 (en) * | 2000-11-20 | 2003-06-24 | Vahid Sendijarevic | Foams having shape memory |
US6532720B2 (en) * | 2000-12-15 | 2003-03-18 | International Paper Company | Packaging method using elastic memory foam as safety indicator for heat damage |
JP4131632B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2008-08-13 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置及び研磨パッド |
US6592995B2 (en) * | 2001-07-24 | 2003-07-15 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Humidity activated materials having shape-memory |
US6783436B1 (en) * | 2003-04-29 | 2004-08-31 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with optimized grooves and method of forming same |
US20060286906A1 (en) * | 2005-06-21 | 2006-12-21 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad comprising magnetically sensitive particles and method for the use thereof |
WO2007018391A1 (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Seung-Hun Bae | Chemical mechanical polishing apparatus |
US7300340B1 (en) * | 2006-08-30 | 2007-11-27 | Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. | CMP pad having overlaid constant area spiral grooves |
US7371160B1 (en) * | 2006-12-21 | 2008-05-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings Inc. | Elastomer-modified chemical mechanical polishing pad |
US7458885B1 (en) * | 2007-08-15 | 2008-12-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad and methods of making and using same |
US8257142B2 (en) | 2008-04-15 | 2012-09-04 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing method |
US7635290B2 (en) * | 2007-08-15 | 2009-12-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Interpenetrating network for chemical mechanical polishing |
-
2008
- 2008-04-15 US US12/103,292 patent/US8221196B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-13 TW TW097130773A patent/TWI444247B/zh not_active IP Right Cessation
- 2008-08-14 EP EP08162346.4A patent/EP2025454B1/en not_active Ceased
- 2008-08-14 KR KR1020080080160A patent/KR101507612B1/ko active IP Right Grant
- 2008-08-15 JP JP2008209140A patent/JP5340669B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-06-12 US US13/494,575 patent/US8535119B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03182283A (ja) * | 1989-12-08 | 1991-08-08 | Ace Denken:Kk | 研磨装置および研磨方法 |
JPH08323614A (ja) * | 1995-05-30 | 1996-12-10 | Sony Corp | 化学的機械研磨方法および装置 |
JP2000344902A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Fuji Spinning Co Ltd | 研磨パッド用ウレタン成形物の製造法及び研磨パッド用ウレタン成形物 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009214275A (ja) * | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 研磨パッド |
JP2011036979A (ja) * | 2009-08-18 | 2011-02-24 | Fujibo Holdings Inc | 研磨パッド |
JP2018531157A (ja) * | 2015-09-25 | 2018-10-25 | キャボット マイクロエレクトロニクス コーポレイション | 高い弾性率比率を有するポリウレタンcmpパッド |
JP7066608B2 (ja) | 2015-09-25 | 2022-05-13 | シーエムシー マテリアルズ,インコーポレイティド | 化学機械的研磨パッド、基板を化学機械的に研磨する方法、及び化学機械的研磨パッドを製造する方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090018009A (ko) | 2009-02-19 |
US8221196B2 (en) | 2012-07-17 |
JP5340669B2 (ja) | 2013-11-13 |
US20120252324A1 (en) | 2012-10-04 |
TWI444247B (zh) | 2014-07-11 |
TW200906555A (en) | 2009-02-16 |
US8535119B2 (en) | 2013-09-17 |
KR101507612B1 (ko) | 2015-03-31 |
EP2025454B1 (en) | 2018-04-25 |
EP2025454A3 (en) | 2017-04-26 |
US20090258575A1 (en) | 2009-10-15 |
EP2025454A2 (en) | 2009-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5340669B2 (ja) | 改良されたケミカルメカニカル研磨パッドならびに同研磨パッドの製造法および使用法 | |
JP5340668B2 (ja) | 改良されたケミカルメカニカル研磨パッドならびに同研磨パッドの製造法および使用法 | |
US8257142B2 (en) | Chemical mechanical polishing method | |
KR102458170B1 (ko) | 화학 기계적 연마 패드 | |
JP6290004B2 (ja) | 軟質かつコンディショニング可能な化学機械ウィンドウ研磨パッド | |
JP5460316B2 (ja) | パッド表面上にマイクロ溝を有する研磨パッド | |
EP1046466B1 (en) | Polishing pads useful in chemical mechanical polishing of substrates in the presence of a slurry containing abrasive particles | |
KR101279819B1 (ko) | 방사-편향 연마 패드 | |
JP6334266B2 (ja) | 軟質かつコンディショニング可能な化学機械研磨パッドスタック | |
US6659846B2 (en) | Pad for chemical mechanical polishing | |
JP5226427B2 (ja) | 化学機械研磨方法 | |
US6607428B2 (en) | Material for use in carrier and polishing pads | |
CN113977453B (zh) | 提高抛光平坦度的化学机械抛光垫及其应用 | |
KR20210119897A (ko) | 엔지니어링된 개방 보이드 공간을 갖는 돌출 구조물이 있는 cmp 폴리싱 패드 | |
KR20210119896A (ko) | 지지체 상에 폴리싱 요소를 갖는 cmp 폴리싱 패드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110615 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110615 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130117 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130311 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130527 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130723 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130807 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5340669 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |