JP2009069829A5 - - Google Patents
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＜実施例２０〜２２、比較例＞フォトレジストパターンの形成及び評価
下記の化学式６で表わされる通常のＡｒＦ用のフォトレジスト高分子（Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ水素原子またはメチル基を示し、Ｒ’はメチル基を示し、ａ：ｂ：ｃ＝３０モル％：４５モル％：２５モル％である）１ｇ、光酸発生剤トリフェニルスルホニウムノナフレート０．０５ｇ、塩基トリエタノールアミン０．０２ｇ、有機溶媒（ＰＧＭＥＡ）１４ｇ及び下記の表３に示す種類と含量の溶解促進剤を混合してフォトレジスト組成物を製造した。製造されたフォトレジスト組成物を用いて、フォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンの感度、ＦＣＣＤ（First collapse critical dimension、最初にパターンが崩壊されるＣＤ）、ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）を測定して、下記の表３に一緒に示し、形成されたフォトレジストパターンの電子顕微鏡写真を図３から図６に示す。
下記の化学式６で表わされる通常のＡｒＦ用のフォトレジスト高分子（Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれ水素原子またはメチル基を示し、Ｒ’はメチル基を示し、ａ：ｂ：ｃ＝３０モル％：４５モル％：２５モル％である）１ｇ、光酸発生剤トリフェニルスルホニウムノナフレート０．０５ｇ、塩基トリエタノールアミン０．０２ｇ、有機溶媒（ＰＧＭＥＡ）１４ｇ及び下記の表３に示す種類と含量の溶解促進剤を混合してフォトレジスト組成物を製造した。製造されたフォトレジスト組成物を用いて、フォトレジストパターンを形成した後、フォトレジストパターンの感度、ＦＣＣＤ（First collapse critical dimension、最初にパターンが崩壊されるＣＤ）、ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）を測定して、下記の表３に一緒に示し、形成されたフォトレジストパターンの電子顕微鏡写真を図３から図６に示す。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR20070092796A KR101492403B1 (ko) | 2007-09-12 | 2007-09-12 | 용해촉진제 및 이를 포함하는 포토레지스트 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009069829A JP2009069829A (ja) | 2009-04-02 |
| JP2009069829A5 true JP2009069829A5 (ja) | 2011-10-06 |
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ID=40432222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2008234609A Pending JP2009069829A (ja) | 2007-09-12 | 2008-09-12 | 溶解促進剤及びこれを含むフォトレジスト組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090068585A1 (ja) |
| JP (1) | JP2009069829A (ja) |
| KR (1) | KR101492403B1 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120107653A (ko) | 2011-03-22 | 2012-10-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법 |
| WO2012148884A2 (en) * | 2011-04-25 | 2012-11-01 | Orthogonal, Inc. | Orthogonal solvents and compatible photoresists for the photolithographic patterning of organic electronic devices |
| WO2019151429A1 (ja) * | 2018-01-31 | 2019-08-08 | Ｓｐｉｂｅｒ株式会社 | タンパク質繊維の製造方法 |
| CN113004291B (zh) * | 2019-12-20 | 2022-03-01 | 中国科学院化学研究所 | 基于金属卟啉的分子玻璃化学放大光刻胶及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5683856A (en) * | 1994-10-18 | 1997-11-04 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive-working photosensitive composition |
| JP3340864B2 (ja) * | 1994-10-26 | 2002-11-05 | 富士写真フイルム株式会社 | ポジ型化学増幅レジスト組成物 |
| JP3075174B2 (ja) * | 1996-04-10 | 2000-08-07 | 信越化学工業株式会社 | ジフェニルモノテルペン炭化水素誘導体、溶解制御剤及び化学増幅ポジ型レジスト材料 |
| JP3676918B2 (ja) * | 1997-10-09 | 2005-07-27 | 富士通株式会社 | レジスト材料及びレジストパターンの形成方法 |
| JP2004012511A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-01-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
| JP4250937B2 (ja) * | 2002-09-25 | 2009-04-08 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造法及び電子部品 |
| JP4705323B2 (ja) * | 2003-02-17 | 2011-06-22 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品 |
| JP4230837B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2009-02-25 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物 |
| JP2006290799A (ja) * | 2005-04-11 | 2006-10-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | レジスト添加剤及びそれを含有するレジスト組成物 |
| JP4736864B2 (ja) * | 2006-03-03 | 2011-07-27 | 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 | ポジ型感光性ポリアミドイミド樹脂組成物、パターンの製造方法及び電子部品 |
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2007
- 2007-09-12 KR KR20070092796A patent/KR101492403B1/ko active IP Right Grant
-
2008
- 2008-09-11 US US12/208,880 patent/US20090068585A1/en not_active Abandoned
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