JP2009065189A - Method and apparatus for processing substrate and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法に関し、特に、比較的に小数枚の基板をバッチ処理するためのものに係り、例えば、半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形成したりする拡散・CVD装置およびそれを使用したウエハ処理方法並びに半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法に利用して有効なものに関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a method of manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a batch processing of a relatively small number of substrates, for example, a semiconductor integrated circuit including a semiconductor element is incorporated. Diffusion / CVD apparatus for diffusing impurities in a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) or forming a CVD film such as an insulating film or a metal film, a wafer processing method using the same, and a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as a semiconductor integrated circuit device) IC is effective for use in the manufacturing method.
ICの製造方法において、ウエハに不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のCVD膜を形成したりするウエハ処理方法には、バッチ式縦形拡散・CVD装置(以下、バッチ式CVD装置という。)が使用されている。 In the IC manufacturing method, a batch type vertical diffusion / CVD apparatus (hereinafter referred to as a batch type CVD apparatus) is used as a wafer processing method for diffusing impurities in a wafer or forming a CVD film such as an insulating film or a metal film. Is used.
ところで、バッチ式CVD装置を含む基板処理装置において被処理基板である複数枚のウエハを収納して搬送するためのキャリア(ウエハ収納容器)としては、互いに対向する一対の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているカセットと、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成され開口面にキャップが着脱自在に装着されているFOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという。)とがある。ウエハのキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしてもウエハの清浄度は維持することができる。したがって、基板処理装置が設置されるクリーンルーム内の清浄度をあまり高く設定する必要がなくなるため、クリーンルームに要するコストを低減することができる。そこで、最近のバッチ式CVD装置においては、ウエハのキャリアとしてポッドが使用されて来ている。 By the way, as a carrier (wafer storage container) for storing and transporting a plurality of wafers which are substrates to be processed in a substrate processing apparatus including a batch type CVD apparatus, a substantially cubic body having a pair of opposed surfaces opened. A cassette formed in the shape of a box and a FOUP (front opening unified pod, hereinafter referred to as a pod), which is formed in a substantially cubic box shape with one surface opened and a cap is detachably attached to the opening surface. ) When a pod is used as a wafer carrier, the wafer is transported in a sealed state, so that the cleanliness of the wafer can be maintained even if particles are present in the surrounding atmosphere. it can. Therefore, it is not necessary to set the cleanliness in the clean room in which the substrate processing apparatus is installed so high that the cost required for the clean room can be reduced. Therefore, pods have been used as wafer carriers in recent batch-type CVD apparatuses.
ウエハのキャリアとしてポッドを使用したバッチ式CVD装置として、ウエハに所望の処理を施すプロセスチューブと、多数枚(例えば、百五十枚)のウエハを保持してプロセスチューブに搬入搬出するボートと、ウエハがボートの間でウエハ移載装置によって授受されるウエハ授受ポートと、ポッドが置かれるポッドステージと、ポッドを一時的に保管するポッド棚と、ポッドをポッドステージとポッド棚との間およびポッド棚とウエハ授受ポートとの間で搬送するポッド搬送装置とを備えており、次のように作用するものがある。 As a batch type CVD apparatus using a pod as a wafer carrier, a process tube for performing desired processing on the wafer, a boat for holding a large number of wafers (for example, one hundred fifty) and carrying them in and out of the process tube, Wafer transfer port where wafers are transferred between the boats by the wafer transfer device, a pod stage on which the pod is placed, a pod shelf for temporarily storing the pod, a pod between the pod stage and the pod shelf, and a pod There is a pod transfer device that transfers between a shelf and a wafer transfer port, and there is a device that operates as follows.
すなわち、このバッチ式CVD装置において、ポッドはポッドステージに供給され、ポッド搬送装置によってポッド棚に搬送されて一時的に保管される。ポッド棚に保管されたポッドは複数台がポッド搬送装置によってウエハ授受ポートに繰り返し搬送される。ウエハ授受ポートに搬送されたポッドのウエハは多数枚が、ボートにウエハ移載装置によって装填(チャージング)される。ボートに装填されたウエハはボートによってプロセスチューブに搬入(ローディング)され、プロセスチューブによって所望の処理を施される。処理されたウエハはボートによってプロセスチューブから搬出(アンローディング)される。処理済みの多数枚のウエハはボートからウエハ移載装置によって繰り返しディスチャージングされ、ウエハ授受ポートの複数台の空のポッドに繰り返し戻される。処理済みのウエハを収納されたポッドはポッド搬送装置によってポッド棚に一時的に保管された後に、ポッドステージに繰り返し搬送される。 That is, in this batch type CVD apparatus, the pod is supplied to the pod stage, and is transported to the pod shelf by the pod transport apparatus and temporarily stored. A plurality of pods stored in the pod shelf are repeatedly transferred to the wafer transfer port by the pod transfer device. Many wafers of the pod transferred to the wafer transfer port are loaded (charged) on the boat by the wafer transfer device. Wafers loaded in the boat are loaded into the process tube by the boat and subjected to desired processing by the process tube. The processed wafer is unloaded from the process tube by the boat. A large number of processed wafers are repeatedly discharged from the boat by the wafer transfer device, and are repeatedly returned to a plurality of empty pods at the wafer transfer port. The pod containing the processed wafer is temporarily stored in the pod shelf by the pod transfer device, and then repeatedly transferred to the pod stage.
最近、システムLSI等の生産に当たっては、ウエハを投入してから完成までをできるだけ短時間で行う、QTAT(Quick Turned Around Time)生産が重要となって来ており、一回の処理枚数が二十五枚以下という小バッチのバッチ式CVD装置が必要になって来ている。この小バッチのバッチ式CVD装置においては、一回のバッチに供給するポッドの数は二個〜三個も有ればよい。 Recently, in the production of system LSIs and the like, QTAT (Quick Turned Around Time) production, in which a wafer is introduced and completed in as short a time as possible, has become important. A batch-type CVD apparatus with a small batch of 5 sheets or less is required. In this small batch batch type CVD apparatus, the number of pods supplied to one batch may be two to three.
しかしながら、前記したバッチ式CVD装置は一回の処理枚数が百五十枚程度の大バッチのためのものであり、ポッド棚の投影床面積や段数を大きく設定したりポッド棚を回転構造に構築したりすることにより、ポッド棚におけるポッドの保管数が増加されているため、小バッチのバッチ式CVD装置に転用したのでは、全体が大形化したり構造が複雑化したりすることにより、イニシャルコストやランニングコストが増加するという問題点があり、また、QTAT生産に充分に対応することができないという問題点がある。 However, the batch-type CVD apparatus described above is for large batches with a processing number of about one hundred and fifty, and the projected floor area and number of steps of the pod shelf are set large, or the pod shelf is constructed in a rotating structure. Since the number of pods stored in the pod shelf has been increased, the initial cost is reduced by diverting to a small batch type CVD system, resulting in a larger size and a more complicated structure. There is a problem that the running cost increases, and there is a problem that the QTAT production cannot be sufficiently handled.
本発明の目的は、小バッチに好適で、コストを低減することができる基板処理装置およびそれを使用した基板処理方法並びに半導体装置の製造方法を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus suitable for small batches and capable of reducing costs, a substrate processing method using the same, and a semiconductor device manufacturing method.
課題を解決するための手段の一つは、プロセスチューブが設置された筐体と、複数枚の基板を収納するポッドのキャップを開閉する一つまたは複数のポッドオープナと、前記ポッドを載置する一つまたは複数のポッドステージと、前記ポッドを前記ポッドオープナのポッド載置台と前記ポッドステージとの間で搬送するポッド搬送装置とを備えている基板処理装置において、
前記ポッド搬送装置は前記ポッド載置台と前記ポッドステージとの真上に配置されていることを特徴とする基板処理装置、である。
One of the means for solving the problem is that a housing in which a process tube is installed, one or a plurality of pod openers that open and close a cap of a pod that stores a plurality of substrates, and the pod are placed. In a substrate processing apparatus comprising one or a plurality of pod stages, and a pod transfer device that transfers the pod between a pod mounting table of the pod opener and the pod stage,
The substrate processing apparatus, wherein the pod transfer device is disposed directly above the pod mounting table and the pod stage.
課題を解決するための手段の一つは、複数枚の基板が収納されたポッドがポッドステージに載置され、このポッドがポッドオープナのポッド載置部に前記ポッド載置台と前記ポッドステージとの真上に配置されたポッド搬送装置により搬送され、前記ポッドのキャップが前記ポッドオープナによって開かれ、前記ポッド内の基板が前記筐体の内部に搬送されて所定の処理がその基板に施されることを特徴とする基板処理方法、である。 One means for solving the problem is that a pod containing a plurality of substrates is placed on a pod stage, and the pod is placed on a pod placement part of a pod opener between the pod placement table and the pod stage. It is transported by a pod transport device arranged directly above, the cap of the pod is opened by the pod opener, the substrate in the pod is transported to the inside of the housing, and predetermined processing is performed on the substrate A substrate processing method.
課題を解決するための手段の一つは、複数枚の基板が収納されたポッドがポッドステージに載置され、このポッドがポッドオープナのポッド載置部に前記ポッド載置台と前記ポッドステージとの真上に配置されたポッド搬送装置により搬送され、前記ポッドのキャップが前記ポッドオープナによって開かれ、前記ポッド内の基板が前記筐体の内部に搬送されて所定の処理がその基板に施されることを特徴とする半導体装置の製造方法、である。 One means for solving the problem is that a pod containing a plurality of substrates is placed on a pod stage, and the pod is placed on a pod placement part of a pod opener between the pod placement table and the pod stage. It is transported by a pod transport device arranged directly above, the cap of the pod is opened by the pod opener, the substrate in the pod is transported to the inside of the housing, and predetermined processing is performed on the substrate A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
前記した手段によれば、小バッチに好適で、コストを低減することができる。 According to the above-described means, it is suitable for a small batch, and the cost can be reduced.
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、一回のバッチ処理の枚数が五十枚程度以下の小バッチを取り扱うバッチ式CVD装置すなわち小バッチ式縦形拡散・CVD装置(以下、小バッチ式CVD装置という。)として構成されている。この小バッチ式CVD装置は製品基板としてはプロダクトウエハを取り扱うものとして構成されており、製品基板用キャリアとしてはポッドを取り扱うものとして構成されている。なお、以下の説明において、前後左右は図2を基準とする。すなわち、ポッドオープナ21側が前側、その反対側が後側、クリーンユニット17側が左側、その反対側が右側とする。
In the present embodiment, the substrate processing apparatus according to the present invention is a batch type CVD apparatus that handles a small batch of about 50 or less batch processes, that is, a small batch type vertical diffusion / CVD apparatus (hereinafter referred to as a small batch processing apparatus). It is configured as a batch type CVD apparatus.) This small batch type CVD apparatus is configured to handle a product wafer as a product substrate, and is configured to handle a pod as a carrier for the product substrate. In the following description, front, rear, left and right are based on FIG. That is, the
図1〜図3に示されているように、小バッチ式CVD装置1は筐体2を備えており、筐体2内の後端部の上部にはヒータユニット3が垂直方向に据え付けられており、ヒータユニット3の内部にはプロセスチューブ4が同心に配置されている。プロセスチューブ4にはプロセスチューブ4内に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管5と、プロセスチューブ4内を真空排気するための排気管6とが接続されている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the small batch type CVD apparatus 1 includes a
筐体2の後端部の下部には送りねじ装置等によって構成されたエレベータ7が設置されており、エレベータ7はプロセスチューブ4の真下に水平に配置されたシールキャップ8を垂直方向に昇降させるように構成されている。シールキャップ8はプロセスチューブ4の炉口である下端開口をシールするように構成されているとともに、ボート9を垂直に支持するように構成されている。ボート9は基板としてのウエハWを複数枚(例えば、五十枚程度以下)、中心を揃えて水平に配置した状態で支持して、プロセスチューブ4の処理室に対してエレベータ7によるシールキャップ8の昇降に伴って搬入搬出するように構成されている。
An
図2および図3に示されているように、筐体2内の前側領域にはボート9に対してウエハWをチャージングおよびディスチャージングするウエハ移載装置10が設置されている。ウエハ移載装置10はロータリーアクチュエータ11を備えており、ロータリーアクチュエータ11は上面に設置された第一リニアアクチュエータ12を水平面内で回転させるように構成されている。第一リニアアクチュエータ12の上面には第二リニアアクチュエータ13が設置されており、第一リニアアクチュエータ12は第二リニアアクチュエータ13を水平移動させるように構成されている。第二リニアアクチュエータ13の上面には移動台14が設置されており、第二リニアアクチュエータ13は移動台14を水平移動させるように構成されている。移動台14にはウエハWを下から支持するツィーザ15が複数枚(本実施の形態においては五枚)、等間隔に配置されて水平に取り付けられている。ウエハ移載装置10は送りねじ機構によって構成されたエレベータ16によって昇降されるようになっている。
As shown in FIGS. 2 and 3, a
なお、図2に示されているように、筐体2内の後部における左側壁にはクリーンエアを吹き出すクリーンユニット17が、ボート9にクリーンエアを吹き付けるように設置されている。また、筐体2内の中央部における左側寄りにはボート9と同様に構成されたウエハストッカ18が設置されており、ウエハストッカ18は複数枚のサイドダミーウエハを保管するようになっている。
As shown in FIG. 2, a clean unit 17 that blows clean air is installed on the left side wall at the rear of the
図1〜図3に示されているように、筐体2の正面壁の中央部にはウエハWを筐体2に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口20が開設されており、ウエハ搬入搬出口20にはポッドオープナ21が設置されている。ポッドオープナ21はポッド26を載置する載置台22と、載置台22に載置されたポッド26のキャップ27を着脱するキャップ着脱機構23とを備えており、載置台22に載置されたポッド26のキャップ27をキャップ着脱機構23によって着脱することにより、ポッド26のウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。
As shown in FIGS. 1 to 3, a wafer loading / unloading
図1〜図3に示されているように、筐体2の正面の下部におけるポッドオープナ21の載置台22の左脇および右脇にはポッド26を載置する第一ポッドステージ24および第二ポッドステージ25が載置台22にそれぞれ隣接して設置されている。第一ポッドステージ24および第二ポッドステージ25に対してはポッド26が、図示しない工程内搬送装置〔移載装置付き有軌道無人搬送車(RGV)、移載装置付き無人搬送車(AGV)、手動移載装置付き有人搬送台車(PGV)等〕によって供給および排出されるようになっている。
As shown in FIGS. 1 to 3, a
図1〜図3に示されているように、筐体2の正面の上部にはポッドオープナ21と第一ポッドステージ24および第二ポッドステージ25との間でポッド26をその把手28を把持(クランピング)した状態で搬送する図4に示されたポッド搬送装置30が設備されている。
As shown in FIGS. 1 to 3, the upper portion of the front surface of the
すなわち、図4に示されているように、ポッド搬送装置30は左右方向に延在するように垂直に固定された取付板31を備えており、取付板31の前面の上部にはアングル型鋼形状に形成されたベース板33が左右方向に水平に敷設されてブラケット32によって固定されている。ベース板33の上面における左右両端部には左右で一対のブラケット34、34がそれぞれ立設されており、左右のブラケット34、34には左右で一対のプーリー35、35がそれぞれ回転自在に支承されている。左右のプーリー35、35の間にはタイミングベルト36が走行可能に巻き掛けられている。取付板31の左右のブラケット34、34の中間位置には中央のブラケット37が固定されており、中央のブラケット37にはサーボモータ38によって回転駆動される駆動用プーリー39が支承されている。駆動用プーリー39はタイミングベルト36の上側走行部分と下側走行部分の間に挿入されており、タイミングベルト36の上側走行部分が上側から巻き掛けられている。中央ブラケット37の駆動用プーリー39の左右両脇には左右で一対のテンション用プーリー40、40が回転自在に支承されており、左右のテンション用プーリー40、40はタイミングベルト36の上側走行部分に外側から押接することにより、タイミングベルト36を駆動用プーリー39に押し付けるとともに、適度のテンションを付勢するようになっている。
That is, as shown in FIG. 4, the
アングル型鋼形状のベース板33の垂直部材の前面にはリニアガイドレール41が左右方向に水平に敷設されており、リニアガイドレール41には走行ブロック42が左右方向に走行自在に跨設されている。走行ブロック42の上面には連結具43が固定されており、連結具43はタイミングベルト36の下側走行部分の中央部に連結されている。つまり、走行ブロック42はサーボモータ38による駆動用プーリー39を介してのタイミングベルト36の走行によってリニアガイドレール41を案内にして左右方向に走行されるようになっている。
A
走行ブロック42の前面には第一のエアシリンダ45がブラケット44を介して垂直方向下向きに据え付けられており、第一のエアシリンダ45のピストンロッド46には第二のエアシリンダ48がブラケット47を介して左右方向水平に配されて吊持されている。第二のエアシリンダ48は左右方向に進退する左右のピストンロッド49、49を備えており、左右のピストンロッド49、49の先端には左右で一対の下側押さえ50、50が左右対称形に配置されて垂直に延在するようにそれぞれ固定されている。左右の下側押さえ50、50はポッド26の把手28の下側にピストンロッド49の短縮作動によって左右両脇から進入して把手28の下側端面に対向するようになっている。
A
また、第二のエアシリンダ48の下面の中央部には第三のエアシリンダ51が垂直方向下向きに据え付けられており、第三のエアシリンダ51のピストンロッド52の下端には上側押さえ53が直交して固定されている。上側押さえ53はピストンロッド52の伸長作動によってポッド26の把手28の上面に押接することにより、左右の下側押さえ50、50と協働してポッド26の把手28を把持するようになっている。なお、ポッド搬送装置30における以上の機構部はカバー54によって図1に示されているように全体的に被覆されている。
A
以下、本発明の一実施の形態に係るICの製造方法の特徴工程であって、本発明の一実施の形態に係るウエハ処理方法である成膜方法を、その特徴ステップであるポッドの搬入搬出(ポッドローディングおよびポッドアンローディング)方法およびウエハのボートに対する装填および脱装(ウエハチャージングおよびウエハディスチャージング)方法を主に、前記構成に係る小バッチ式CVD装置を使用して実施する場合について図5および図6を主に使用して説明する。ここで、第一ポッドステージ24に供給されるポッド(以下、第一ポッド26Aという。)にはサイドダミーウエハが二十五枚収納されているものとし、第二ポッドステージ25に供給されるポッド(以下、第二ポッド26Bという。)には製品基板としてのプロダクトウエハが二十五枚収納されているものとする。
Hereinafter, a film forming method, which is a characteristic process of an IC manufacturing method according to an embodiment of the present invention and is a wafer processing method according to an embodiment of the present invention, is carried in and out of a pod, which is the characteristic step. (Pod loading and pod unloading) method and wafer loading and unloading (wafer charging and wafer discharging) methods are mainly performed using the small batch type CVD apparatus having the above configuration. 5 and FIG. 6 will be mainly used for explanation. Here, it is assumed that twenty-five side dummy wafers are stored in the pod supplied to the first pod stage 24 (hereinafter referred to as the
第一ポッド26Aおよび第二ポッド26Bは第一ポッドステージ24および第二ポッドステージ25に工程内搬送装置によってそれぞれ供給される。第一ポッドステージ24に供給された第一ポッド26Aはポッド搬送装置30の図5に示された作用によってピックアップされて把持された状態で、図6(a)から(b)に示されているように、ポッドオープナ21の載置台22の上へ搬送されて載置される。
The
ここで、ポッド搬送装置30のピックアップおよびプットダウンの作用をポッド26について図5によって説明する。ポッド搬送装置30が第一ポッドステージ24に載置されたポッド26をピックアップするに際して、図5(a)に示されているように、上側押さえ53が第一ポッドステージ24に載置されたポッド26の把手28の真上に位置される。すなわち、走行ブロック42がサーボモータ38による駆動用プーリー39を介してのタイミングベルト36の走行によってリニアガイドレール41を案内にして左右方向に走行されることにより、上側押さえ53が所定の位置に移動される。この際、左右の下側押さえ50、50は第二のエアシリンダ48のピストンロッド49、49によって把手28の上方の両脇で開いた状態になっている。
Here, the action of pick-up and put-down of the
図5(b)に示されているように、上側押さえ53および開いた状態の左右の下側押さえ50、50は互いの上下方向の間隔を保った状態で、把手28の上側および下側に対向する位置まで第一のエアシリンダ45のピストンロッド46の伸長作動によって下降される。
As shown in FIG. 5 (b), the
図5(c)に示されているように、左右の下側押さえ50、50は把手28の下側へ第二のエアシリンダ48のピストンロッド49、49の短縮作動によって挿入される。この挿入により、左右の下側押さえ50、50の先端部の上面は把手28の下面の左端部および右端部に若干の隙間を置いてそれぞれ対向した状態になる。
As shown in FIG. 5C, the left and right
この状態で、図5(d)に示されているように、第一のエアシリンダ45のピストンロッド46が短縮作動されると、左右の下側押さえ50、50の先端部が把手28の下面の左端部および右端部に当接するため、左右の下側押さえ50、50がポッド26を掬い上げた状態になる。同時に、上側押さえ53が第三のエアシリンダ51のピストンロッド52の伸長作動によって下降されると、上側押さえ53と左右の下側押さえ50、50とは把手28を上下から把持した状態になる。このように把手28が上側押さえ53と下側押さえ50とによって構成されたクランプ部によって把持された状態になるため、ポッド搬送装置30はポッド26を安全かつ迅速に搬送することができる。
In this state, as shown in FIG. 5 (d), when the
そして、ポッド搬送装置30は把手28を上側押さえ53と下側押さえ50とによって把持した状態で、ポッド26を第一ポッドステージ24の真上からポッドオープナ21の載置台22の真上に搬送する。すなわち、走行ブロック42がサーボモータ38による駆動用プーリー39を介してのタイミングベルト36の走行によってリニアガイドレール41を案内にして左右方向に走行されることにより、ポッド搬送装置30はポッド26をポッドオープナ21の載置台22の真上に搬送する。
The
ポッドオープナ21の載置台22の真上に搬送されたポッド26は載置台22の上に、前述と逆の作動によって載置(プットダウン)される。すなわち、まず、図5(c)で参照されるように、上側押さえ53が第三のエアシリンダ51のピストンロッド52の短縮作動によって若干上昇された後に、第一のエアシリンダ45のピストンロッド46の伸長作動によって左右の下側押さえ50、50が下降され、ポッド26が載置台22の上に着地される。続いて、図5(b)で参照されるように、左右の下側押さえ50、50が第二のエアシリンダ48のピストンロッド49の伸長作動によって開かれ、把手28の下側空間から抜き出される。その後、図5(a)で参照されるように、上側押さえ53および開いた状態の左右の下側押さえ50、50は互いの上下方向の間隔を保った状態で、第一のエアシリンダ45のピストンロッド46の伸長作動によって所定の待機位置まで上昇される。
The
以上のポッド搬送装置30の作用によってポッドオープナ21の載置台22の上に図6(b)に示されているように供給された第一ポッド26Aは、そのキャップ27をキャップ着脱機構23によって取り外されてウエハの出し入れ口を開放される。
The
ポッドオープナ21で開放された第一ポッド26Aの複数枚のサイドダミーウエハWaはウエハ移載装置10によって払出(ウエハローディング)されて、ボート9へ順次装填(チャージング)されて行く。この際、図3に示されているように、サイドダミーウエハWaはボート9の上側端部および下側端部に適宜に分配されて装填される。
The plurality of side dummy wafers Wa of the
第一ポッドステージ24から搬送されて来た第一ポッド26AのサイドダミーウエハWaについてのボート9への装填作業が完了すると、ポッドオープナ21の載置台22で空になった第一ポッド26Aはキャップ着脱機構23によってキャップ27を装着された後に、図6(b)および(c)に示されているように、ポッドオープナ21の載置台22から第一ポッドステージ24へポッド搬送装置30の前述した作動によって搬送されて戻される。
When the loading operation of the side dummy wafer Wa of the
次に、図6(c)および(d)に示されているように、第二ポッドステージ25の第二ポッド26Bが第二ポッドステージ25からポッドオープナ21の載置台22へポッド搬送装置30の前述した作動によって搬送されて載置される。ポッドオープナ21に供給された第二ポッド26Bはそのキャップ27をキャップ着脱機構23によって取り外されてウエハの出し入れ口を開放される。
Next, as shown in FIGS. 6C and 6D, the
続いて、図6(d)および(e)に示されているように、ポッドオープナ21に供給された第二ポッド26BのプロダクトウエハWbがボート9にウエハ移載装置10によって順次装填されて行く。この際、図3に示されているように、プロダクトウエハWbはボート9の上側端部および下側端部に分配されて装填されたサイドダミーウエハWa群の間に適宜に装填される。
Subsequently, as shown in FIGS. 6D and 6E, the product wafers Wb of the
図6(e)に示されているように、全てのプロダクトウエハWbがボート9に装填されることによって空になった第二ポッド26Bは、ポッドオープナ21の載置台22の上に置かれたままの状態で待機する。なお、この際、第二ポッド26Bはキャップ着脱機構23によってキャップ27を装着し、その状態で待機させても構わない。
As shown in FIG. 6 (e), the
以上のようにして予め指定された枚数(例えば、サイドダミーウエハWaとプロダクトウエハWbとの合計が三十枚〜三十二枚)のサイドダミーウエハWaおよびプロダクトウエハWbがボート9に装填されると、ボート9はエレベータ7によって上昇されてプロセスチューブ4の処理室に搬入(ボートローディング)される。ボート9が上限に達すると、ボート9を保持したシールキャップ8の上面の周辺部がプロセスチューブ4をシール状態に閉塞するため、処理室は気密に閉じられた状態になる。
As described above, the number of side dummy wafers Wa and product wafers Wb specified in advance (for example, the total of thirty to thirty-two side dummy wafers Wa and product wafers Wb) is loaded into the
プロセスチューブ4の処理室は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気管6によって排気され、ヒータユニット3によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管5によって所定の流量だけ供給される。これにより、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がプロダクトウエハWbに形成される。ここで、処理室で一度に処理するプロダクトウエハWbの枚数は、一台の製品基板用キャリアである第二ポッド26Bに収納されるプロダクトウエハ枚数以下に設定されており、一台の製品基板用キャリアである第二ポッド26Bに収容された全てのプロダクトウエハが処理室において一度に処理されるようになっている。
The processing chamber of the
そして、予め設定された処理時間が経過すると、ボート9がエレベータ7によって下降されることにより、処理済みプロダクトウエハWbおよびサイドダミーウエハWaを保持したボート9が元の待機位置(ウエハチャージングおよびディスチャージングステーション)に搬出(ボートアンローディング)される。
When the preset processing time has elapsed, the
ボート9が待機位置に搬出されると、処理済みのプロダクトウエハWbに移載中の廃塵の付着を防止するために、まず、ボート9の処理済みプロダクトウエハWbがウエハ移載装置10によって脱装(ディスチャージング)されて、図6(e)に示されているように、ポッドオープナ21の載置台22で待機している空の第二ポッド26Bに収納(ウエハアンローディング)される。
When the
処理済みプロダクトウエハWbの空の第二ポッド26Bへの収納作業が完了すると、プロダクトウエハWbが一杯になった第二ポッド26Bはキャップ着脱機構23によってキャップ27を装着された後に、図6(d)および(c)で参照されるように、ポッドオープナ21の載置台22から第二ポッドステージ25へポッド搬送装置30の前述した作動によって搬送されて戻される。
When the storage operation of the processed product wafer Wb into the empty
次に、図6(c)および(b)で参照されるように、第一ポッドステージ24の空の第一ポッド26Aが第一ポッドステージ24からポッドオープナ21の載置台22にポッド搬送装置30の前述した作動によって搬送されて供給される。続いて、第一ポッド26Aのキャップがキャップ着脱機構23によって開放された後に、ボート9の使用済みのサイドダミーウエハWaが空の第一ポッド26Aへウエハ移載装置10によって収納される。
Next, as referred to in FIGS. 6C and 6B, the empty
使用済みのサイドダミーウエハWaが収納された第一ポッド26Aはキャップ着脱機構23によって閉じられた後に、図6(b)および(a)で参照されるように、ポッドオープナ21の載置台22から第一ポッドステージ24にポッド搬送装置30の前述した作動によって搬送されて戻される。なお、第一ポッド26Aはポッドオープナ21から第一ポッドステージ24に戻さずに、ポッドオープナ21において次回のチャージング作業に対してそのまま待機させてもよい。
After the
以上のようにして、処理済みプロダクトウエハWbを収納されて第二ポッドステージ25に戻された第二ポッド26Bは第二ポッドステージ25から洗浄工程や成膜検査工程等の後工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。さらに、成膜済みのプロダクトウエハWbはリソグラフィー工程やエッチング工程に搬送されて所定の処理が施されることより、本実施の形態であるICの製造方法に係るICが製造される。また、使用済みのサイドダミーウエハWaを収納されて第一ポッドステージ24に戻された第一ポッド26Aは、サイドダミーウエハWaが再使用可能である間は第一ポッドステージ24に置かれて繰り返し使用される。そして、繰り返しの使用によってサイドダミーウエハWaの反りや汚染が許容値以上になった時期において、使用済みのサイドダミーウエハWaを収納した第一ポッド26Aは第一ポッドステージ24から本実施の形態に係るICの製造方法の一つの工程であるサイドダミーウエハ交換工程等へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
As described above, the
以降、前述した本実施の形態に係るウエハ処理方法が繰り返されて、プロダクトウエハWbが例えば二十五枚ずつ、小バッチ式CVD装置1によってバッチ処理されて行き、本発明の一実施の形態であるICの製造方法に係るICが製造されて行く。 Thereafter, the wafer processing method according to the present embodiment described above is repeated, and for example, 25 product wafers Wb are batch-processed by the small batch type CVD apparatus 1, and in one embodiment of the present invention. ICs related to a certain IC manufacturing method are manufactured.
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。 According to the embodiment, the following effects can be obtained.
1) 一バッチ当たりのプロダクトウエハの枚数を二十五枚以下に設定することにより、バッチ式CVD装置は一バッチ当たりプロダクトウエハ用キャリアとしての第一ポッドが一台とサイドダミーウエハ用キャリアとしての第二ポッドが一台とを取り扱えば済むため、従来の大バッチ式CVD装置に比べて、タクトタイム(ウエハ搬入からウエハ搬出までの時間)を大幅に短縮することができる。 1) By setting the number of product wafers per batch to 25 or less, the batch-type CVD device has one first pod as a product wafer carrier and one side dummy wafer carrier per batch. Since only one second pod needs to be handled, the tact time (time from wafer loading to wafer unloading) can be greatly reduced as compared with the conventional large batch type CVD apparatus.
2) 取り扱うポッドの台数を少数に設定することにより、CVD装置を小形化することができるため、CVD装置のイニシャルコストやランニングコストを低減することができ、また、フットプリント(占有床面積)を小さくすることができ、クリーンルームの有効活用を図ることができる。 2) By setting the number of pods to be handled to a small number, it is possible to reduce the size of the CVD device, so the initial cost and running cost of the CVD device can be reduced, and the footprint (occupied floor area) can be reduced. It can be made smaller and the clean room can be used effectively.
3) 一バッチ当たりのサイドダミーウエハの使用枚数を低減することにより、大バッチ式CVD装置に比べてダミーウエハに関するイニシャルコストおよびランニングコストを低減することができる。 3) By reducing the number of side dummy wafers used per batch, it is possible to reduce initial costs and running costs related to dummy wafers as compared to large batch CVD devices.
4) ポッドオープナの左右両脇に第一ポッドステージおよび第二ポッドステージを設け、ポッドオープナとポッドステージとの間でポッドをポッド搬送装置によって搬送することにより、ポッドを一時的に保管するための棚を省略することができるため、小バッチを取り扱う場合にイニシャルコストやランニングコストをより一層低減することができる。 4) A first pod stage and a second pod stage are provided on the left and right sides of the pod opener, and the pod is transported between the pod opener and the pod stage by a pod transport device, thereby temporarily storing the pod. Since shelves can be omitted, initial costs and running costs can be further reduced when handling small batches.
5) ポッド搬送装置をポッドオープナと第一ポッドステージおよび第二ポッドステージの真上に設置することにより、ポッド搬送装置を設置することによる占拠面積の増加を回避することができるとともに、小バッチ式CVD装置のスループットを高めることができる。 5) By installing the pod transfer device directly above the pod opener, the first pod stage, and the second pod stage, it is possible to avoid an increase in the occupied area due to the installation of the pod transfer device, and a small batch type The throughput of the CVD apparatus can be increased.
6) ポッド搬送装置によるポッドの搬送に際して、ポッドの把手を上側押さえと下側押さえからなるクランプ部によって把持することにより、ポッドの脱落を防止してポッドを安全に搬送することができるため、搬送中の脱落等によるウエハの損傷事故を確実に防止することができる。 6) When the pod is transported by the pod transport device, the pod handle can be safely transported by preventing the pod from falling off by gripping the handle of the pod with the clamp part consisting of the upper and lower pressers. It is possible to reliably prevent wafer damage accidents due to falling off.
7) ポッドオープナのポッド載置台とポッドステージとを筐体の外部にそれぞれ設置することにより、ポッドに付着したパーティクル等の異物が筐体の内部に侵入するのを防止することができるため、筐体の内部を清浄に維持することができ、その結果、ウエハ基板処理方法の品質および信頼性を高めることができ、ICの製造方法の製造歩留りを高めることができる。 7) By installing the pod mounting table and pod stage of the pod opener outside the housing, it is possible to prevent foreign matter such as particles adhering to the pod from entering the housing. The inside of the body can be kept clean. As a result, the quality and reliability of the wafer substrate processing method can be improved, and the manufacturing yield of the IC manufacturing method can be increased.
図7は本発明の他の実施の形態である小バッチ式CVD装置の外観を示す斜視図である。図8はその平面断面図である。図9はその側面断面図である。 FIG. 7 is a perspective view showing an appearance of a small batch type CVD apparatus according to another embodiment of the present invention. FIG. 8 is a plan sectional view thereof. FIG. 9 is a side sectional view thereof.
本実施の形態に係る小バッチ式CVD装置1Aが、前記実施の形態に係る小バッチ式CVD装置1と異なる点は、ポッド搬送装置30が省略されている代わりに、筐体2Aの正面壁に第一ポッドステージ24に対向する第一ウエハ搬入搬出口20Aと、第二ポッドステージ25に対向する第二ウエハ搬入搬出口20Bとがそれぞれ開設されており、第一ウエハ搬入搬出口20Aおよび第二ウエハ搬入搬出口20Bに第一ポッドオープナ21Aおよび第二ポッドオープナ21Bがそれぞれ設置されている点である。
The small batch type CVD apparatus 1A according to the present embodiment is different from the small batch type CVD apparatus 1 according to the above embodiment in that the
以下、本実施の形態に係る小バッチ式CVD装置1Aの作用を説明することにより、本発明の他の実施の形態としてのウエハ処理方法である成膜方法を、その特徴ステップであるポッド搬入搬出方法およびウエハ装填脱装方法を主にして説明する。ここで、第一ポッドステージ24に供給されるポッド(以下、第一ポッド26Aという。)には、サイドダミーウエハが二十五枚収納されているものとし、第二ポッドステージ25に供給されるポッド(以下、第二ポッド26Bという。)には、製品基板としてのプロダクトウエハが二十五枚収納されているものとする。そして、第一ポッド26Aおよび第二ポッド26Bは第一ポッドステージ24および第二ポッドステージ25に工程内搬送装置によってそれぞれ供給される。
Hereinafter, by explaining the operation of the small batch type CVD apparatus 1A according to the present embodiment, a film forming method as a wafer processing method according to another embodiment of the present invention is carried out in a pod loading / unloading which is a characteristic step thereof. The method and the wafer loading / unloading method will be mainly described. Here, it is assumed that twenty-five side dummy wafers are stored in the pod supplied to the first pod stage 24 (hereinafter referred to as the
図8では想像線で図9では実線で示されているように、第一ポッドステージ24に供給された第一ポッド26Aは第一ポッドオープナ21Aのポッド移動装置(図示せず)によって第一ウエハ搬入搬出口20Aに押し付けられる。押し付けられた第一ポッド26Aはそのキャップ27を第一ポッドオープナ21Aのキャップ着脱機構23Aによって取り外されてウエハの出し入れ口を開放される。
As indicated by an imaginary line in FIG. 8 and a solid line in FIG. 9, the
第一ポッド26Aに収納された複数枚のサイドダミーウエハWaはボート9にウエハ移載装置10によって順次装填(チャージング)されて行く。この際、図9に示されているように、サイドダミーウエハWaはボート9の上側端部および下側端部に適宜に分配されて装填される。
The plurality of side dummy wafers Wa stored in the
図8に想像線で示されているように、第二ポッドステージ25に供給された第二ポッド26Bは、第二ポッドオープナ21Bのポッド移動装置(図示せず)によって第二ウエハ搬入搬出口20Bに押し付けられる。押し付けられた第二ポッド26Bはそのキャップ27を第二ポッドオープナ21Bの第二キャップ着脱機構23Bによって取り外されて、ウエハの出し入れ口を開放される。
As indicated by an imaginary line in FIG. 8, the
第二ポッド26Bに収納された複数枚のプロダクトウエハWbはボート9にウエハ移載装置10によって順次装填されて行く。この際、図9に示されているように、プロダクトウエハWbはボート9の上側端部および下側端部に分配されて装填されたサイドダミーウエハWa群の間に適宜に装填される。
The plurality of product wafers Wb stored in the
以上のようにして、予め指定された枚数(例えば、サイドダミーウエハWaとプロダクトウエハWbとを合計して三十枚〜三十二枚)のサイドダミーウエハWaおよびプロダクトウエハWbがボート9に移載されると、ボート9はエレベータ7によって上昇されてプロセスチューブ4の処理室に搬入される。ボート9が上限に達すると、ボート9を保持したシールキャップ8の上面の周辺部がプロセスチューブ4をシール状態に閉塞するため、プロセスチューブ4の処理室は気密に閉じられた状態になる。
As described above, a predetermined number of side dummy wafers Wa and product wafers Wb (for example, a total of thirty to thirty-two side dummy wafers Wa and product wafers Wb) are transferred to the
プロセスチューブ4の処理室は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気管6によって排気され、ヒータユニット3によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管5によって所定の流量だけ供給される。これにより、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がプロダクトウエハWbに形成される。ここで、処理室で一度に処理するプロダクトウエハWbの枚数は、一台の製品基板用キャリアである第二ポッド26Bに収納されるプロダクトウエハ枚数以下に設定されており、一台の製品基板用キャリアである第二ポッド26Bに収容されたプロダクトウエハWbが処理室において一度に処理されるようになっている。
The processing chamber of the
そして、予め設定された処理時間が経過すると、ボート9がエレベータ7によって下降されることにより、処理済みプロダクトウエハWbおよびサイドダミーウエハWaを保持したボート9が元の待機位置に搬出される。
When a preset processing time has elapsed, the
ボート9が待機位置に搬出されると、まず、ボート9の処理済みのプロダクトウエハWbがウエハ移載装置10によってディスチャージングされて、第二ポッドオープナ21Bで待機している空の第二ポッド26Bに収納される。
When the
処理済みプロダクトウエハWbの第二ポッド26Bへの収納作業が完了すると、プロダクトウエハWbが一杯になった第二ポッド26Bは第二キャップ着脱機構23Bによってキャップ27を装着された後に、図7および図8に実線で示されているように、第二ウエハ搬入搬出口20Bから第二ポッドステージ25へ第二ポッドオープナ21Bのポッド移動装置によって移動されて戻される。
When the storing operation of the processed product wafer Wb into the
次いで、ボート9の使用済みのサイドダミーウエハWaがウエハ移載装置10によってディスチャージングされて、第一ポッドオープナ21Aで待機している空の第一ポッド26Aに収納される。
Next, the used side dummy wafers Wa of the
使用済みサイドダミーウエハWaの第一ポッド26Aへの収納作業が完了すると、サイドダミーウエハWaが一杯になった第一ポッド26Aは第一キャップ着脱機構23Aによってキャップ27を装着された後に、図7および図8に実線で示されているように、第一ウエハ搬入搬出口20Aから第一ポッドステージ24へ第一ポッドオープナ21Aのポッド移動装置によって移動されて戻される。
When the storing operation of the used side dummy wafer Wa into the
以上のようにして、処理済みプロダクトウエハWbを収納されて第二ポッドステージ25に戻された第二ポッド26Bは第二ポッドステージ25から洗浄工程や成膜検査工程等の後工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。さらに、成膜済みのプロダクトウエハWbはリソグラフィー工程やエッチング工程に搬送されて所定の処理が施されることより、本実施の形態であるICの製造方法に係るICが製造される。また、使用済みのサイドダミーウエハWaを収納されて第一ポッドステージ24に戻された第一ポッド26Aは、サイドダミーウエハWaが再使用可能である間は第一ポッドステージ24に置かれて繰り返し使用される。そして、繰り返しの使用によってサイドダミーウエハWaの反りや汚染が許容値以上になった時期において、使用済みのサイドダミーウエハWaを収納した第一ポッド26Aは第一ポッドステージ24から本実施の形態に係るICの製造方法の一つの工程であるサイドダミーウエハ交換工程等へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
As described above, the
以降、前述した本実施の形態に係るウエハ処理方法が繰り返されて、プロダクトウエハWbが例えば二十五枚ずつ、小バッチ式CVD装置1Aによってバッチ処理されて行き、本発明の一実施の形態であるICの製造方法に係るICが製造されて行く。 Thereafter, the wafer processing method according to this embodiment described above is repeated, and for example, 25 product wafers Wb are batch-processed by the small batch type CVD apparatus 1A, and in the embodiment of the present invention. ICs related to a certain IC manufacturing method are manufactured.
前記第二の実施の形態によれば、前記第一の実施の形態に加えて次の効果が得られる。すなわち、ポッド搬送装置を省略することにより、タクトタイムをより一層短縮することができる。 According to the second embodiment, the following effects can be obtained in addition to the first embodiment. That is, the tact time can be further shortened by omitting the pod transfer device.
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.
例えば、前記実施の形態においては、サイドダミーウエハWaをポッド26に収納して取り扱う場合について説明したが、サイドダミーウエハWaはウエハストッカ18において取り扱ってもよい。すなわち、ウエハストッカ18はダミーウエハを保管するためのストッカ(保管場所)であり、このウエハストッカ18にサイドダミーウエハWaを保管することにより、サイドダミーウエハWaについてはボート9とウエハストッカ18との間で搬送すればよくなる。したがって、処理毎にサイドダミーウエハWaを筐体2の外部のポッドに取り出す必要がなくなるため、タクトタイムをより一層短縮することができる。ちなみに、この場合も、サイドダミーウエハWaは処理の繰り返しによって反りや汚染が大きくなった時期において交換されることになる。
For example, in the above embodiment, the case where the side dummy wafer Wa is accommodated in the
また、前記実施の形態では一回の処理を行うのに一台のダミーウエハ用ポッドと一台のプロダクトウエハ用ポッドとを投入し、一度に一台のプロダクトウエハ用ポッド内の二十五枚以下のプロダクトウエハを処理する場合について説明したが、サイドダミーウエハWaをウエハストッカ18において取り扱うことにより、一回の処理を実施するのに二台のプロダクトウエハ用ポッドを投入し一度に五十枚以下のプロダクトウエハを処理するように設定することもできる。
Further, in the above-described embodiment, one dummy wafer pod and one product wafer pod are loaded to perform one process, and less than 25 sheets in one product wafer pod at a time. However, when the side stock wafer Wa is handled in the
前記実施の形態においてはウエハにCVD膜を形成するCVD装置について説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、ウエハに酸化膜や絶縁膜および金属膜を形成する成膜装置、ウエハに酸化膜を形成したりウエハに不純物を拡散したり拡散だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニールしたりする熱処理装置(farnace )等の基板処理装置全般に適用することができる。 In the above embodiment, a CVD apparatus for forming a CVD film on a wafer has been described. However, the present invention is not limited thereto, and a film forming apparatus for forming an oxide film, an insulating film, and a metal film on a wafer, and a wafer. Applicable to all substrate processing equipment such as heat treatment equipment (farnace) that forms oxide films, diffuses impurities into wafers, reflows and anneals for carrier activation and planarization after ion implantation. be able to.
また、前記実施の形態においてはウエハにCVD膜を形成する成膜方法について説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、ウエハに酸化膜や絶縁膜および金属膜を形成する成膜方法、ウエハに酸化膜を形成したりウエハに不純物を拡散したり拡散だけでなくイオン打ち込み後のキャリア活性化や平坦化のためのリフローやアニールしたりする熱処理方法等の基板処理方法全般に適用することができる。 Further, although the film forming method for forming the CVD film on the wafer has been described in the above embodiment, the present invention is not limited thereto, and the film forming method for forming the oxide film, the insulating film, and the metal film on the wafer. Apply to all substrate processing methods such as heat treatment methods such as forming oxide films on wafers, diffusing impurities in wafers, reflowing and annealing for carrier activation and planarization after ion implantation be able to.
さらに、前記実施の形態においてはICの製造方法について説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、トランジスタ、ダイオード、コンデンサ、光半導体装置、混成集積回路装置等の半導体装置の製造方法全般に適用することができる。 Furthermore, in the above-described embodiment, the method for manufacturing an IC has been described. However, the present invention is not limited to this, and the method for manufacturing a semiconductor device such as a transistor, a diode, a capacitor, an optical semiconductor device, a hybrid integrated circuit device, etc. Can be applied to.
被処理基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル等の基板であってもよい。 The substrate to be processed is not limited to a wafer, and may be a substrate such as a photomask, a printed wiring board, or a liquid crystal panel.
W…ウエハ(基板)、Wa…サイドダミーウエハ(ダミー基板)、Wb…プロダクトウエハ(製品基板)、1…小バッチ式CVD装置(基板処理装置)、2…筐体、3…ヒータユニット、4…プロセスチューブ、5…ガス導入管、6…排気管、7…エレベータ、8…シールキャップ、9…ボート、10…ウエハ移載装置、11…ロータリーアクチュエータ、12…第一リニアアクチュエータ、13…第二リニアアクチュエータ、14…移動台、15…ツィーザ、16…エレベータ、17…クリーンユニット、18…ウエハストッカ(基板保管場所)、20…ウエハ搬入搬出口、21…ポッドオープナ、22…載置台、23…キャップ着脱機構、24…第一ポッドステージ、25…第二ポッドステージ、26…ポッド、26A…第一ポッド(ダミー基板用キャリア)、26B…第二ポッド(製品基板用キャリア)、27…キャップ、28…把手、30…ポッド搬送装置、31…取付板、32…ブラケット、33…ベース板、34…ブラケット、35…プーリー、36…タイミングベルト、37…ブラケット、38…サーボモータ、39…駆動用プーリー、40…テンション用プーリー、41…リニアガイドレール、42…走行ブロック、43…連結具、44…ブラケット、45…第一のエアシリンダ、46…ピストンロッド、47…ブラケット、48…第二のエアシリンダ、49…ピストンロッド、50…下側押さえ、51…第三のエアシリンダ、52…ピストンロッド、53…上側押さえ、54…カバー、1A…小バッチ式CVD装置(基板処理装置)、2A…筐体、20A…第一ウエハ搬入搬出口、20B…第二ウエハ搬入搬出口、21A…第一ポッドオープナ、21B…第二ポッドオープナ、22A…第一載置台、22B…第二載置台、23A…第一キャップ着脱機構、23B…第二キャップ着脱機構。 W ... wafer (substrate), Wa ... side dummy wafer (dummy substrate), Wb ... product wafer (product substrate), 1 ... small batch type CVD apparatus (substrate processing apparatus), 2 ... housing, 3 ... heater unit, 4 ... Process tube, 5 ... Gas introduction pipe, 6 ... Exhaust pipe, 7 ... Elevator, 8 ... Seal cap, 9 ... Boat, 10 ... Wafer transfer device, 11 ... Rotary actuator, 12 ... First linear actuator, 13 ... First Two linear actuators, 14 ... moving table, 15 ... tweezer, 16 ... elevator, 17 ... clean unit, 18 ... wafer stocker (substrate storage location), 20 ... wafer loading / unloading port, 21 ... pod opener, 22 ... mounting table ... Cap attaching / detaching mechanism, 24 ... First pod stage, 25 ... Second pod stage, 26 ... Pod, 26A ... First pod (Da -Substrate carrier), 26B ... second pod (product substrate carrier), 27 ... cap, 28 ... handle, 30 ... pod transfer device, 31 ... mounting plate, 32 ... bracket, 33 ... base plate, 34 ... bracket, 35 ... pulley, 36 ... timing belt, 37 ... bracket, 38 ... servo motor, 39 ... driving pulley, 40 ... tension pulley, 41 ... linear guide rail, 42 ... travel block, 43 ... coupling tool, 44 ... bracket, 45 ... first air cylinder, 46 ... piston rod, 47 ... bracket, 48 ... second air cylinder, 49 ... piston rod, 50 ... lower presser, 51 ... third air cylinder, 52 ... piston rod, 53 ... Upper press, 54 ... Cover, 1A ... Small batch type CVD apparatus (substrate processing apparatus), 2A ... Case, 20A ... First Eha loading / unloading port, 20B ... second wafer loading / unloading port, 21A ... first pod opener, 21B ... second pod opener, 22A ... first loading table, 22B ... second loading table, 23A ... first cap attaching / detaching mechanism, 23B ... Second cap attaching / detaching mechanism.
Claims (7)
前記ポッド搬送装置は前記ポッド載置台と前記ポッドステージとの真上に配置されていることを特徴とする基板処理装置。 A housing in which a process tube is installed, one or a plurality of pod openers for opening and closing a cap of a pod for storing a plurality of substrates, one or a plurality of pod stages for mounting the pod, and the pod In a substrate processing apparatus comprising a pod transfer device for transferring between a pod mounting table of the pod opener and the pod stage,
The substrate processing apparatus, wherein the pod transfer device is disposed immediately above the pod mounting table and the pod stage.
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