JP2009053532A - 光電子回路用基板の製造方法、光電子回路用基板及び光電子回路基板 - Google Patents
光電子回路用基板の製造方法、光電子回路用基板及び光電子回路基板 Download PDFInfo
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Abstract
【課題】実装ずれを防ぐことができる光電子回路用基板の製造方法、光電子回路用基板及び光電子回路基板を提案する提案する。
【解決手段】光路変換面133Aの基準点132Aを基準にして、ずれ量d1及びd2を測定し、測定されたd1及びd2に基づいてインクジェット印刷法によってレジストパターン40が光電子回路基板1上に形成される。金属膜42をPVD及びCVD等で形成したのち、レジスト41を除去し、補正パッド25が形成される。この補正パッド25を有する導電性パターン3の重心と、光路変換面133Aの重心が一致するので、高い精度で第1及び第2の光モジュール12A、12Bを光電子回路基板1に実装することができる。
【選択図】図6
【解決手段】光路変換面133Aの基準点132Aを基準にして、ずれ量d1及びd2を測定し、測定されたd1及びd2に基づいてインクジェット印刷法によってレジストパターン40が光電子回路基板1上に形成される。金属膜42をPVD及びCVD等で形成したのち、レジスト41を除去し、補正パッド25が形成される。この補正パッド25を有する導電性パターン3の重心と、光路変換面133Aの重心が一致するので、高い精度で第1及び第2の光モジュール12A、12Bを光電子回路基板1に実装することができる。
【選択図】図6
Description
本発明は、光電子回路用基板の製造方法、光電子回路用基板及び光電子回路基板に関する。
従来の技術として、光導波路を有し、表面に光導波路のコアが露出している光導波路基板と、光導波路を有し、実装面に光導波路のコアが露出している光導波路デバイスと、光導波路基板側の露出したコアと光導波路デバイス側の露出したコアとの間に設けられた電気光学材料からなる電気光学材料層と、電気光学材料層に電圧を印加することができる電極とを備えた光モジュールが知られている(例えば、特許文献1参照)。
この光モジュールは、光導波路基板側のコアが露出した部分と光導波路デバイス側のコアが露出した部分が対向するように光導波路基板に光導波路デバイスを実装して作製される。光導波路基板と光導波路デバイスの実装ずれが生じた場合、電気光学材料層に電極を介して電圧を印加し、電気光学材料層の屈折率を変化させることで、光導波路基板側の光導波路と光導波路デバイス側の光導波路の十分な光結合を得られるようにすることができる。
特開2007-25145号公報
本発明の目的は、実装ずれを防ぐことができる光電子回路用基板の製造方法、光電子回路用基板及び光電子回路基板を提案することにある。
本発明の態様は、上記目的を達成するため、以下の光電子回路用基板の製造方法、光電子回路用基板及び光電子回路基板を提供する。
(1)基板部材上にパッドを形成し、目標とするパッド中心に対する前記パッドのずれ量を測定し、前記ずれ量に基づいて前記パッド中心が前記目標とするパッド中心に位置するように、前記パッドの面積を拡張又は縮小する補正処理を行う光電子回路用基板の製造方法。
(2)前記基板部材は、光路変換面を有する光導波路を備え、前記目標とするパッド中心は、前記光路変換面の中心点を起点として定められた前記(1)に記載の光電子回路用基板の製造方法。
(3)前記補正処理は、前記基板部材上にインクジェット印刷法又はスクリーン印刷法によって前記補正パッドに対応した開口パターンを有するレジストを形成し、前記開口パターンを含む前記レジスト上に導電体を形成したのち、前記レジストを除去することによって行われる前記(1)に記載の光電子回路用基板の製造方法。
(4)前記補正処理は、前記目標とするパッド中心に基づいて前記パッドのずれ量を予測して拡張した拡張パッドを前記基板部材上に形成し、前記目標とするパッド中心に対する前記パッドのずれ量に基づいた前記拡張パッド上の補正領域に対してインクジェット印刷法又はスクリーン印刷法によって液状部材を付加することによって行われる前記(1)に記載の光電子回路用基板の製造方法。
(5)前記補正処理は、インクジェット印刷法又はスクリーン印刷法によって導電性インクを用いて前記パッド中心が前記目標とするパッド中心に位置するように前記パッドの面積を拡張又は縮小することによって行われる前記(1)に記載の光電子回路用基板の製造方法。
(6)絶縁性の材料からなる基板部材と、前記基板部材の表面に形成され、光素子を有する光モジュールがハンダボールを介して接続されるパッドと、目標とするパッド中心に対する前記パッドのずれ量を補正した補正パッドとを備えた光電子回路用基板。
(7)表面にパッドを有し、光信号を通過させる開口が形成された基板部材と、前記基板部材の前記パッドに接続し、かつ、前記開口に対向する位置に設けられた光素子と、前記基板部材の裏面側に設けられ、前記開口を通過する光信号の光路を変換する光路変換面を有する光導波路と、パッド中心が目標とするパッド中心に位置するように、前記パッドの面積を拡張又は縮小する補正パッドとを備えた光電子回路基板。
請求項1に記載の光電子回路用基板の製造方法によれば、実装ずれを防ぐことができる。
請求項2に記載の光電子回路用基板の製造方法によれば、基板上に形成されたパッドのずれ量を正確に測定することができる。
請求項3に記載の光電子回路用基板の製造方法によれば、容易に補正パッドを形成することができる。
請求項4に記載の光電子回路用基板の製造方法によれば、少ない工程で補正パッドを形成することができる。
請求項5に記載の光電子回路用基板の製造方法によれば、少ない工程で容易に補正パッドを形成することができる。
請求項6に記載の光電子回路用基板によれば、実装ずれを防ぐことができる。
請求項7に記載の光電子回路基板によれば、実装ずれを防ぐことができる。
[第1の実施の形態]
(光電子回路基板の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光電子回路基板であり、図1(a)は、平面図、図1(b)は、図1(a)のA―A線断面図である。
(光電子回路基板の構成)
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る光電子回路基板であり、図1(a)は、平面図、図1(b)は、図1(a)のA―A線断面図である。
この光電子回路基板1は、光回路と電子回路を有するものであり、各種の電子部品、電源回路部品等を含む電子回路を有する基板部材としての第1及び第2の基板10、11と、第1の基板10の上面に実装され、光信号2を送受信する第1及び第2の光モジュール12A、12Bと、第1及び第2の基板10、11間に設けられ、第1及び第2の光モジュール12A、12B間を光学的に接続する光導波路13を備えて構成されている。
第1の光モジュール12Aは、4つの発光素子120A〜120Dを有し、第2の光モジュール12Bは、4つの受光素子121A〜121Dを有する。第1及び第2の光モジュール12A、12Bは、それぞれパッケージ化されており、それらの詳細な構成は後述する。
(第1の基板)
第1の基板10は、例えば、厚みが0.5mmのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基板部材と、この基板部材の上面に形成され、各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続された導電性パターンとを有する。導電性パターンについては、後述する。
第1の基板10は、例えば、厚みが0.5mmのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基板部材と、この基板部材の上面に形成され、各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続された導電性パターンとを有する。導電性パターンについては、後述する。
また、第1の基板10は、発光素子120A〜120D及び受光素子121A〜121Dに対向した位置に第1及び第2の開口100A、100Bが形成されている。本実施の形態においては、第1及び第2の開口100A、100Bは、それぞれが1つの開口であるが、発光素子120A〜120D及び受光素子121A〜121Dに対応した複数の開口であっても良く、これに限定されない。
(第2の基板)
第2の基板11は、例えば、厚みが1mmのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基板部材と、この基板部材の下面に形成され、各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続された導電性パターンとを有する。
第2の基板11は、例えば、厚みが1mmのガラスエポキシ樹脂等の絶縁性材料から形成された基板部材と、この基板部材の下面に形成され、各種の電子部品や電源回路部品等が電気的に接続された導電性パターンとを有する。
(光導波路)
光導波路13は、例えば、厚みが0.2mmであり、断面矩形状を有して厚みが50μmのコア132と、コア132の周囲に形成されてコア132より屈折率が小さいクラッド131とで構成される。
光導波路13は、例えば、厚みが0.2mmであり、断面矩形状を有して厚みが50μmのコア132と、コア132の周囲に形成されてコア132より屈折率が小さいクラッド131とで構成される。
光導波路13の端部は、エポキシ樹脂等の封入剤200によって基板の縁辺を封止されている。封入剤200による封止は、一部でも良く、これに限定されない。
(光導波路の製造法)
次に、光導波路13の製造方法について説明する。光導波路13は、例えば、一般によく用いられるフォトリソグラフィ法やRIE(反応性イオンエッチング)を利用した方法で作製可能である。特に、本出願人が既に提案した特開2004−29507号公報等に記載されている鋳型を用いた作製工程により効率的に製造することができる。以下に、その作製工程を説明する。
次に、光導波路13の製造方法について説明する。光導波路13は、例えば、一般によく用いられるフォトリソグラフィ法やRIE(反応性イオンエッチング)を利用した方法で作製可能である。特に、本出願人が既に提案した特開2004−29507号公報等に記載されている鋳型を用いた作製工程により効率的に製造することができる。以下に、その作製工程を説明する。
まず、コア132に対応する凸部が形成された原盤を、例えば、フォトリソグラフィ法を用いて作製する。次に、原盤の凸部が形成された面に、例えば、500〜7000mPa・s程度の粘度で、紫外領域や可視領域において光透過性を有する硬化性樹脂、例えば、分子中にメチルシロキサン基、エチルシロキサン基、フェニルシロキサン基を含む硬化性オルガノポリシロキサンの層を塗布等により設け、その後、硬化させて硬化層を構成する。次に、硬化層を原盤から剥離し、凸部に対応する凹部を有した鋳型を作製する。
次に、鋳型に、この鋳型との密着性に優れる樹脂、例えば、脂環式アクリル樹脂フィルム、脂環式オレフィン樹脂フィルム、三酢酸セルロースフィルム、フッ素樹脂フィルム等からなるクラッド用フィルム基材を密着させる。次に、鋳型の凹部に、例えば、紫外線硬化性又は熱硬化性のモノマー、オリゴマー若しくはモノマーとオリゴマーの混合物、エポキシ系、ポリイミド系、アクリル系の紫外線硬化性樹脂等からなる硬化性樹脂を充填する。次に、凹部内の硬化性樹脂を硬化させてコア132とした後、鋳型を剥離する。これにより、クラッド用フィルム基材上にコア132が残される。
次に、クラッド用フィルム基材のコア132が形成された面側にコア132を覆うようにクラッド131を設ける。クラッド131として、例えば、フィルム、クラッド用硬化性樹脂を塗布して硬化させた層、高分子材料の溶剤溶液を塗布し乾燥してなる高分子膜等が挙げられる。
最後に、光導波路のコア132が露出する面をダイサーによって所定の角度に切削して光路変換面133A及び133Bを形成する。更にコア132に平行にダイサーで切り出すことにより、クラッド用フィルム基材及びクラッド層をクラッド131とした光導波路13が完成する。
(光モジュール)
第1の光モジュール12Aは、図1(b)に示すように、基板129と、基板129の下面に実装された上述の発光素子120A(以下発光素子120B〜120Dも同様)とを有し、基板129の上面に実装された図示しない制御部等は、エポキシ樹脂等の封止樹脂128によって封止されている。
第1の光モジュール12Aは、図1(b)に示すように、基板129と、基板129の下面に実装された上述の発光素子120A(以下発光素子120B〜120Dも同様)とを有し、基板129の上面に実装された図示しない制御部等は、エポキシ樹脂等の封止樹脂128によって封止されている。
第1の光モジュール12Aの発光素子120Aは、図1(b)に示すように、ワイヤ122、端子123を介して基板129に設けられた図示しない制御部に電気的に接続されており、その制御部は、発光素子120Aを駆動する駆動回路を有し、端子124及びハンダボール125を介して補正パッド25に電気的に接続されている。
第1の光モジュール12Aの発光素子120A〜120Dは、面型発光ダイオードや面型レーザ等の複数の発光素子(面型光素子)を用いることができる。本実施の形態においては、発光素子120A〜120Dとして、VCSEL(面発光レーザ)を用いる。
この面発光レーザは、例えば、n型GaAs基板に、n型上部反射鏡層、活性層、電流狭窄層、p型下部反射鏡層、p型コンタクト層、p型電極を形成し、n型GaAs基板の表側にn型電極を形成したものである。
第2の光モジュール12Bの受光素子121A(以下受光素子121B〜121Dも同様)は、図1(b)に示すように、ワイヤ122、端子123を介して基板129に設けられた図示しない制御部に電気的に接続されており、その制御部は、受光素子121Aが受光した光信号を電気信号に変換し増幅する図示しない増幅回路を有し、端子124及びハンダボール125を介して補正パッド25に電気的に接続されている。
受光素子121A〜121Dは、例えば、面型のフォトダイオード等の面型光素子を用いることができる。本実施の形態では、受光素子121A〜121Dとして、高速応答性に優れたGaAs型のPINフォトダイオードを用いる。このPINフォトダイオードは、例えば、GaAs基板上に、PIN接合されたP層、I層及びN層と、P層に接続されたp型電極と、N層に形成されたn型電極とを備えている。発光素子120A〜120D及び受光素子121A〜121Dは、例えば、250μmピッチで配列される。
(導電性パターン)
図2は、本発明の第1の実施の形態に係る第1の基板上に形成された理想的な導電性パターンの概略図である。導電性パターン3は、例えば、銅、金等の導電性を有する金属からなる複数のパッド20を備えている。その複数のパッド20は、フォトリソグラフィ法やRIE(反応性イオンエッチング)等を利用した方法で作製可能である。本実施の形態においては、フォトリソグラフィ法を用いた第1の光モジュール12A側の導電性パターン3の形成について以下に説明する。なお、第2の光モジュール12B側の導電性パターン3の形成も同様の方法で行われる。
図2は、本発明の第1の実施の形態に係る第1の基板上に形成された理想的な導電性パターンの概略図である。導電性パターン3は、例えば、銅、金等の導電性を有する金属からなる複数のパッド20を備えている。その複数のパッド20は、フォトリソグラフィ法やRIE(反応性イオンエッチング)等を利用した方法で作製可能である。本実施の形態においては、フォトリソグラフィ法を用いた第1の光モジュール12A側の導電性パターン3の形成について以下に説明する。なお、第2の光モジュール12B側の導電性パターン3の形成も同様の方法で行われる。
(導電性パターンの形成)
レジストを第1の基板10にスピンコート法、キップコート法、スプレーコート法、インクジェット印刷法及びスクリーン印刷法等によって塗布する。導電性パターン3が画かれたフォトマスクを露光装置にセットしたのち、光電子回路基板1に設けられた第1の開口100Aから見える、光導波路13の光路変換面133Aの基準点132Aに基づいて第1〜第3の基準線30〜32を設定し、この第1〜第3の基準線30〜32に基づいて目標とするパッド中心21を決定し、露光・現像し、PVD(Physical Vapor Deposition:物理気相成長法)及びCVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長法)等を用いて第1の基板10上に導電体としての金属膜を形成する。続いて、残りのレジストを除去して第1の基板10上に導電性パターン3を形成する。なお、本実施の形態において基準点132Aは、1つの反射面133aの中心に基づいて設定されたが、複数の反射面133aに基づいて基準点132Aを設定するようにしても良い。
レジストを第1の基板10にスピンコート法、キップコート法、スプレーコート法、インクジェット印刷法及びスクリーン印刷法等によって塗布する。導電性パターン3が画かれたフォトマスクを露光装置にセットしたのち、光電子回路基板1に設けられた第1の開口100Aから見える、光導波路13の光路変換面133Aの基準点132Aに基づいて第1〜第3の基準線30〜32を設定し、この第1〜第3の基準線30〜32に基づいて目標とするパッド中心21を決定し、露光・現像し、PVD(Physical Vapor Deposition:物理気相成長法)及びCVD(Chemical Vapor Deposition:化学気相成長法)等を用いて第1の基板10上に導電体としての金属膜を形成する。続いて、残りのレジストを除去して第1の基板10上に導電性パターン3を形成する。なお、本実施の形態において基準点132Aは、1つの反射面133aの中心に基づいて設定されたが、複数の反射面133aに基づいて基準点132Aを設定するようにしても良い。
(第1の実施の形態の動作)
以下に、本発明の第1の実施の形態の動作について図1〜図2、及び後述する図3〜6を参照しつつ説明する。
以下に、本発明の第1の実施の形態の動作について図1〜図2、及び後述する図3〜6を参照しつつ説明する。
図3は、本発明の第1の実施の形態に係る第1の基板上に形成された導電性パターンの概略図であり、図3(a)は、ずれて形成された導電性パターンの概略図、図3(b)は、パッドの拡大図である。導電性パターン3は、図3(a)に示すように、目標とするパッド中心21bからずれて形成されることがある。図3(a)及び(b)において、d1は、第3の基準線32からのずれ量を表し、d2は、第4の基準線33からのずれ量を表しており、±100μm程度である。このずれ量は、露光装置と光電子回路基板1との位置合わせによる場合、フォトマスクに画かれた導電性パターン3の誤差による場合、フォトマスクを第1の基板10に転写するときに用いられるレンズの歪みによる場合等が考えられる。このずれによって、実装される第1及び第2の光モジュール12A、12Bと光導波路13との光学的結合損失が生じる。光学的結合損失を抑えるためにずれ量は、±20μm、若しくは、±10μmが好ましく、更に可能であれば、±5μm以下がより好ましい。そこで本実施の形態において以下の補正処理によってずれ量を補正する補正パッドを形成する。なお、パッド中心21aは、ずれたパッド20の中心を表し、パッド中心21bは、目標とするパッドの中心を表している。
(補正パッドの形成)
図4は、本発明の第1の実施の形態に係る導電性パターンの概略図であり、図4(a)は、図3(a)の光電子回路基板上にレジストを形成した概略図、図4(b)は、補正された補正パッドの拡大図である。図5は、本発明の実施の形態に係る第1の基板上に形成された補正パッドの概略図であり、図6(a)〜(d)は、本発明の第1の実施の形態に係る補正パッドの形成に関する工程図である。インクジェット印刷法によってパッド20の補正処理を行う場合について表しており、図3(a)のB―B線断面でみた補正処理について表している。なお、図6(a)〜(d)において光導波路13及び第2の基板11は、省略している。
図4は、本発明の第1の実施の形態に係る導電性パターンの概略図であり、図4(a)は、図3(a)の光電子回路基板上にレジストを形成した概略図、図4(b)は、補正された補正パッドの拡大図である。図5は、本発明の実施の形態に係る第1の基板上に形成された補正パッドの概略図であり、図6(a)〜(d)は、本発明の第1の実施の形態に係る補正パッドの形成に関する工程図である。インクジェット印刷法によってパッド20の補正処理を行う場合について表しており、図3(a)のB―B線断面でみた補正処理について表している。なお、図6(a)〜(d)において光導波路13及び第2の基板11は、省略している。
(a)導電性パターン3のずれ量の測定
図3(a)に示す導電性パターン3が形成された光電子回路基板1を図示しないインクジェット装置にセットする。図6(a)は、インクジェット装置にセットされた光電子回路基板1を表している。
図3(a)に示す導電性パターン3が形成された光電子回路基板1を図示しないインクジェット装置にセットする。図6(a)は、インクジェット装置にセットされた光電子回路基板1を表している。
インクジェット装置は、第1の開口100Aを介して光路変換面133Aの反射面133aを測定し、反射面133aの中心を基準点132Aと設定する。続いて基準点132Aに基づいて第1〜第4の基準線30〜33を設定し、第3の基準線32及び第4の基準線33の交点を理想的なパッド中心21bと設定する。
続いて、図3(b)に示すパッド間中心線22と第1の基準線30とのずれ量d1と、パッド中心線23と第2の基準線31とのずれ量d2を測定する。
(b)レジストパターン40の形成
図6(b)に示すように、(1)で求めたずれ量d1及びd2に基づいた補正領域24を決定し、ペースト状のレジスト40を30〜50μmの粒子径を有する液滴としてインクジェット装置のノズルから第1の基板10上に吹き付け、補正領域24に基づいたレジストパターン40を形成する。図4(b)に斜線で示す補正領域24は、ずれ量d1及びd2に基づいて設定され、パッド中心21bが、補正後のパッドの中心になるように形成されることから、d3は2×d1、d4は2×d2と求められ、補正領域24が決定する。レジストパターン40が形成されるとき、第1の光モジュール12Aを光電子回路基板1に実装する際の基準になる、図4(a)に示すアライメントマーク40aも形成される。アライメントマーク40aの形成方法は、直接アライメントマーク40aを形成しても良いし、ダミーのパッド20を予め形成しておいて、レジスト41によって形成するようにしても良く、これに限定されない。本実施の形態においてアライメントマーク40aは、レジストパターン40の形成時に、レジストパターン40の外側にレジスト41によって形成されるものとする。
図6(b)に示すように、(1)で求めたずれ量d1及びd2に基づいた補正領域24を決定し、ペースト状のレジスト40を30〜50μmの粒子径を有する液滴としてインクジェット装置のノズルから第1の基板10上に吹き付け、補正領域24に基づいたレジストパターン40を形成する。図4(b)に斜線で示す補正領域24は、ずれ量d1及びd2に基づいて設定され、パッド中心21bが、補正後のパッドの中心になるように形成されることから、d3は2×d1、d4は2×d2と求められ、補正領域24が決定する。レジストパターン40が形成されるとき、第1の光モジュール12Aを光電子回路基板1に実装する際の基準になる、図4(a)に示すアライメントマーク40aも形成される。アライメントマーク40aの形成方法は、直接アライメントマーク40aを形成しても良いし、ダミーのパッド20を予め形成しておいて、レジスト41によって形成するようにしても良く、これに限定されない。本実施の形態においてアライメントマーク40aは、レジストパターン40の形成時に、レジストパターン40の外側にレジスト41によって形成されるものとする。
(c)金属膜42の形成
図6(c)に示すように、第1の基板10上に金属膜42を形成する。この金属膜42は、例えば、PVD及びCVD等によって形成される。
図6(c)に示すように、第1の基板10上に金属膜42を形成する。この金属膜42は、例えば、PVD及びCVD等によって形成される。
(d)レジスト41の除去
続いて、レジスト41(レジストパターン40)を除去すると、図6(d)に示すように、パッド20上と補正領域24に金属膜42が残った、パッド20の面積が拡張した補正パッド25が形成される。なお、レジスト41(レジストパターン40)の形成は、スクリーン印刷法によっても同様に形成することができる。
続いて、レジスト41(レジストパターン40)を除去すると、図6(d)に示すように、パッド20上と補正領域24に金属膜42が残った、パッド20の面積が拡張した補正パッド25が形成される。なお、レジスト41(レジストパターン40)の形成は、スクリーン印刷法によっても同様に形成することができる。
(光モジュールの実装)
第1の光モジュール12A(以下第2の光モジュール12Bも同様)の光電子回路基板1に対する実装は、例えば、導電性パターン3を形成したときに形成したアライメントマーク40aを基準にして行われる。
第1の光モジュール12A(以下第2の光モジュール12Bも同様)の光電子回路基板1に対する実装は、例えば、導電性パターン3を形成したときに形成したアライメントマーク40aを基準にして行われる。
最初に形成された導電性パターン3が、図3(a)に示すずれ量d1及びd2を有していても、図4(b)に示すようにパッド中心21bが補正パッド25の中心になるので、導電性パターン3の重心と光路変換面133Aの重心が一致する。その結果、実装するとき、導電性パターン3の重心に対する第1の光モジュール12Aの移動を抑えることができるので、光導波路13との光学的結合損失を抑え、第1の光モジュール12Aを光電子回路基板1に高い精度で実装することができる。
(光信号2の送受信)
ここでは、一例として、画像信号の送信を第1の光モジュール12Aから第2の光モジュール12Bに対して行う場合について説明する。第1の光モジュール12Aの制御部(図示せず)は、画像信号に基づいた駆動信号を発光素子120Aに送信し、発光素子120Aは、駆動信号に基づいた光信号2を第1の開口100Aを介して光路変換面133Aに向けて送信する。
ここでは、一例として、画像信号の送信を第1の光モジュール12Aから第2の光モジュール12Bに対して行う場合について説明する。第1の光モジュール12Aの制御部(図示せず)は、画像信号に基づいた駆動信号を発光素子120Aに送信し、発光素子120Aは、駆動信号に基づいた光信号2を第1の開口100Aを介して光路変換面133Aに向けて送信する。
このとき、発光素子120Aのp型電極とn型電極間に駆動信号に基づいた電圧が印加され、発光層の発光領域から例えば、波長850nmのレーザ光を光信号2として出力する。
光路変換面133Aは、発光素子120Aから送信された光信号2の光路を変換し、光導波路13に光信号2を伝播させる。
光導波路13を伝播した光信号2は、光路変換面133Bによって光路を変換される。
光信号2は、第2の開口100Bを通過して第2の光モジュール12Bの受光素子121Aによって受信される。受光素子121Aは、受信した光信号2を電気信号に変換して第2の光モジュール12Bの図示しない制御部に出力し、制御部は、変換された電気信号を処理して画像信号を生成し、画像信号を第1の基板10上の所定の電子部品に出力する。
[第2の実施の形態]
図7は、本発明の第2の実施の形態に係る第1の基板上に形成された導電性パターンの概略図であり、図7(a)は、大きめに作成された導電性パターンの概略図、図7(b)は、補正パッドの拡大図である。図8は、本発明の第2の実施の形態に係る補正された導電性パターンの概略図であり、図8(a)は、補正された導電性パターンの概略図、図8(b)は、補正された後の補正パッドの拡大図である。なお、各構成は、第1の実施の形態と同様に構成されており、第1の実施の形態と同様の構成については、その説明を省略する。
図7は、本発明の第2の実施の形態に係る第1の基板上に形成された導電性パターンの概略図であり、図7(a)は、大きめに作成された導電性パターンの概略図、図7(b)は、補正パッドの拡大図である。図8は、本発明の第2の実施の形態に係る補正された導電性パターンの概略図であり、図8(a)は、補正された導電性パターンの概略図、図8(b)は、補正された後の補正パッドの拡大図である。なお、各構成は、第1の実施の形態と同様に構成されており、第1の実施の形態と同様の構成については、その説明を省略する。
(導電性パターン3の作成)
導電性パターン3は、第1の実施の形態と同様の方法によって作成されるが、第1の実施の形態が、図2に示すパッド20がずれて作成されたとき、パッド20を補正することによって補正パッド25を作成したのに対し、本実施の形態においては、ずれ量を予測し、図4(b)に示すパッド20と補正領域24とを合わせた面積を有する拡張パッド26をパッド20に代わって予め作成する。拡張パッド26の大きさは、例えば、隣接するパッド同士が絶縁性を保てる大きさである。
導電性パターン3は、第1の実施の形態と同様の方法によって作成されるが、第1の実施の形態が、図2に示すパッド20がずれて作成されたとき、パッド20を補正することによって補正パッド25を作成したのに対し、本実施の形態においては、ずれ量を予測し、図4(b)に示すパッド20と補正領域24とを合わせた面積を有する拡張パッド26をパッド20に代わって予め作成する。拡張パッド26の大きさは、例えば、隣接するパッド同士が絶縁性を保てる大きさである。
(補正パッド27の形成)
図9は、本発明の第2の実施の形態に係る補正パッドの形成に関する工程図であり、図7(a)のC―C線断面でみた補正処理について表している。以下に拡張パッド26の補正処理について説明する。
図9は、本発明の第2の実施の形態に係る補正パッドの形成に関する工程図であり、図7(a)のC―C線断面でみた補正処理について表している。以下に拡張パッド26の補正処理について説明する。
(a)導電性パターン3のずれの測定
第1の実施の形態と同様に、図9(a)に示す光電子回路基板1を図示しないインクジェット装置にセットし、光路変換面133Aの反射面133aを基準にして、ずれ量d5及びd6を測定する。測定されたずれ量d5及びd6に基づいてd7(2×d5)及びd8(2×d6)を算出する。
第1の実施の形態と同様に、図9(a)に示す光電子回路基板1を図示しないインクジェット装置にセットし、光路変換面133Aの反射面133aを基準にして、ずれ量d5及びd6を測定する。測定されたずれ量d5及びd6に基づいてd7(2×d5)及びd8(2×d6)を算出する。
(b)レジストの形成
続いて、d7及びd8に基づいて図8(b)に示す斜線部分の補正領域24上に、例えば、インクジェット装置により図9(b)に示すように、レジスト41を形成する。このとき、アライメントマーク40aも作成される。拡張パッド26の補正領域24をレジスト41で覆うことで、拡張パッド26の面積を縮小し、図8(b)に示すパッド中心21bが、目標とするパッド中心になる。よって、基準点132Aを重心とすることができ、重心ずれを起さないで光電子部品を実装することができる。なお、補正領域24に付加される液状部材は、レジスト41に限定されず、拡張パッド26上で硬化し、拡張パッド26に密着する部材であれば良い。また、レジスト41は、図8(a)に示すように補正領域24に付加しても良いし、図4(a)に示すようなレジストパターン40のように付加しても良く、これに限定されない。
続いて、d7及びd8に基づいて図8(b)に示す斜線部分の補正領域24上に、例えば、インクジェット装置により図9(b)に示すように、レジスト41を形成する。このとき、アライメントマーク40aも作成される。拡張パッド26の補正領域24をレジスト41で覆うことで、拡張パッド26の面積を縮小し、図8(b)に示すパッド中心21bが、目標とするパッド中心になる。よって、基準点132Aを重心とすることができ、重心ずれを起さないで光電子部品を実装することができる。なお、補正領域24に付加される液状部材は、レジスト41に限定されず、拡張パッド26上で硬化し、拡張パッド26に密着する部材であれば良い。また、レジスト41は、図8(a)に示すように補正領域24に付加しても良いし、図4(a)に示すようなレジストパターン40のように付加しても良く、これに限定されない。
[第3の実施の形態]
図10(a)〜(c)は、本発明の第3の実施の形態に係る補正パッドの形成に関する工程図であり、図3(a)のB―B線断面でみた補正処理について表している。第1の実施の形態において補正パッド25は、PVD及びCVD等によって形成されたが、本実施の形態においては、インクジェット印刷法によって直接導電性インクをパッドに付加する場合について説明する。なお、スクリーン印刷法によって直接導電性インクをパッドに付加することも可能である。
図10(a)〜(c)は、本発明の第3の実施の形態に係る補正パッドの形成に関する工程図であり、図3(a)のB―B線断面でみた補正処理について表している。第1の実施の形態において補正パッド25は、PVD及びCVD等によって形成されたが、本実施の形態においては、インクジェット印刷法によって直接導電性インクをパッドに付加する場合について説明する。なお、スクリーン印刷法によって直接導電性インクをパッドに付加することも可能である。
(補正パッド25の形成)
(a)導電性パターン3のずれ量の測定
図3(a)に示す導電性パターン3が形成された光電子回路基板1を図示しないインクジェット装置にセットする。図10(a)は、インクジェット装置にセットされた光電子回路基板1を表している。導電性パターン3のずれ量は、第1の実施の形態と同様に測定される。なお、測定結果は、第1の実施の形態と同様であるものとする。
(a)導電性パターン3のずれ量の測定
図3(a)に示す導電性パターン3が形成された光電子回路基板1を図示しないインクジェット装置にセットする。図10(a)は、インクジェット装置にセットされた光電子回路基板1を表している。導電性パターン3のずれ量は、第1の実施の形態と同様に測定される。なお、測定結果は、第1の実施の形態と同様であるものとする。
(b)導電性インク51の付加
図10(b)に示すインクジェット装置のノズル50を図10(a)に示す「A」の方向に移動させながら、図4(b)に示す補正領域24に基づいて導電性インク51をパッド20上に付加し、パッド20の面積を拡張する。
図10(b)に示すインクジェット装置のノズル50を図10(a)に示す「A」の方向に移動させながら、図4(b)に示す補正領域24に基づいて導電性インク51をパッド20上に付加し、パッド20の面積を拡張する。
(c)導電性インク51の焼成
目的の大きさまで導電性インク51を付加したのち、導電性インク51に熱を加えて焼成する。焼成したのち、パッド20に付加した導電性インク51は導電性を有するようになり、図10(c)に示す補正パッド25が形成される。
目的の大きさまで導電性インク51を付加したのち、導電性インク51に熱を加えて焼成する。焼成したのち、パッド20に付加した導電性インク51は導電性を有するようになり、図10(c)に示す補正パッド25が形成される。
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されず、本発明の技術思想を逸脱あるいは変更しない範囲内で種々の変形が可能である。
1…光電子回路基板、2…光信号、3…導電性パターン、10…第1の基板、11…第2の基板、12A…第1の光モジュール、12B…第2の光モジュール、13…光導波路、20…パッド、21…パッド中心、22…パッド間中心線、23…パッド中心線、24…補正領域、25…補正パッド、30…第1の基準線、31…第2の基準線、32…第3の基準線、33…第4の基準線、40…レジストパターン、40a…アライメントマーク、41…レジスト、42…金属膜、50…ノズル、51…導電性インク、100A…開口、100B…開口、120A〜120D…発光素子、121A〜121D…受光素子、122…ワイヤ、123…端子、124…端子、125…ハンダボール、128…封止樹脂、129…基板、131…クラッド、132…コア、132A…基準点、133A…光路変換面、133B…光路変換面、133a…反射面、200…封入剤、d1〜d8…ずれ量
Claims (7)
- 基板部材上にパッドを形成し、
目標とするパッド中心に対する前記パッドのずれ量を測定し、
前記ずれ量に基づいて前記パッド中心が前記目標とするパッド中心に位置するように、前記パッドの面積を拡張又は縮小する補正処理を行う光電子回路用基板の製造方法。 - 前記基板部材は、光路変換面を有する光導波路を備え、
前記目標とするパッド中心は、前記光路変換面の中心点を起点として定められた請求項1に記載の光電子回路用基板の製造方法。 - 前記補正処理は、
前記基板部材上にインクジェット印刷法又はスクリーン印刷法によって前記補正パッドに対応した開口パターンを有するレジストを形成し、
前記開口パターンを含む前記レジスト上に導電体を形成したのち、前記レジストを除去することによって行われる請求項1に記載の光電子回路用基板の製造方法。 - 前記補正処理は、
前記目標とするパッド中心に基づいて前記パッドのずれ量を予測して拡張した拡張パッドを前記基板部材上に形成し、
前記目標とするパッド中心に対する前記パッドのずれ量に基づいた前記拡張パッド上の補正領域に対してインクジェット印刷法又はスクリーン印刷法によって液状部材を付加することによって行われる請求項1に記載の光電子回路用基板の製造方法。 - 前記補正処理は、
インクジェット印刷法又はスクリーン印刷法によって導電性インクを用いて前記パッド中心が前記目標とするパッド中心に位置するように前記パッドの面積を拡張又は縮小することによって行われる請求項1に記載の光電子回路用基板の製造方法。 - 絶縁性の材料からなる基板部材と、
前記基板部材の表面に形成され、光素子を有する光モジュールがハンダボールを介して接続されるパッドと、
目標とするパッド中心に対する前記パッドのずれ量を補正した補正パッドとを備えた光電子回路用基板。 - 表面にパッドを有し、光信号を通過させる開口が形成された基板部材と、
前記基板部材の前記パッドに接続し、かつ、前記開口に対向する位置に設けられた光素子と、
前記基板部材の裏面側に設けられ、前記開口を通過する光信号の光路を変換する光路変換面を有する光導波路と、
パッド中心が目標とするパッド中心に位置するように、前記パッドの面積を拡張又は縮小する補正パッドとを備えた光電子回路基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007221369A JP2009053532A (ja) | 2007-08-28 | 2007-08-28 | 光電子回路用基板の製造方法、光電子回路用基板及び光電子回路基板 |
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Cited By (1)
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CN108284699A (zh) * | 2017-01-09 | 2018-07-17 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种玻璃面板的pvd丝印镂空工艺和一种玻璃面板产品 |
-
2007
- 2007-08-28 JP JP2007221369A patent/JP2009053532A/ja not_active Withdrawn
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CN108284699A (zh) * | 2017-01-09 | 2018-07-17 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种玻璃面板的pvd丝印镂空工艺和一种玻璃面板产品 |
CN108284699B (zh) * | 2017-01-09 | 2019-12-03 | 蓝思科技(长沙)有限公司 | 一种玻璃面板的pvd丝印镂空工艺和一种玻璃面板产品 |
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