JP2009032800A - 観察装置、観察装置のレシピ設定方法および観察システム - Google Patents

観察装置、観察装置のレシピ設定方法および観察システム Download PDF

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Abstract

【課題】観察装置において、初心者であっても、試行錯誤することなく、既存のレシピ設定内容を解析でき、解析結果に基づき、新規のレシピを短時間で作成できるレシピ設定方法、および観察装置を提供する。
【解決手段】観察条件を登録したレシピに基づき、登録した観察条件で試料の観察を行う機能を有する観察装置であって、複数のレシピを対象として、複数の設定項目の設定内容を一覧形式で表示し、共通性を解析した結果に基づき、共通性が高い設定内容を初期設定として、新たなレシピを作成することを主要な特徴とする。
【選択図】図6

Description

本発明は、観察条件を登録したレシピに基づき、様々な観察条件で試料の観察を行う観察装置に関するものである。特に、SEM(Scanning Electron Microscope)式欠陥観察装置のように、試料の特性に応じて最適な光学条件が異なり、条件の最適化が必要な装置、さらに、欠陥自動観察(ADR:Automatic Defect Review)のように、キャプチャーレートとスループットを両立するために、条件の最適化が必要な装置に関するものである。
半導体製造において、高い歩留りを確保するためには、製造工程で発生する欠陥を早期に発見して、対策を施すことが重要である。近年、半導体の微細化に伴い、微小な欠陥であっても、歩留りに与える影響を無視できなくなり、観察対象となる欠陥の多様化が進んでいる。
SEM式欠陥観察装置は、このような多様な欠陥を観察するための装置であり、一般に上位の検査装置で検出した欠陥位置をもとに、欠陥を観察するものである。手動で観察する場合には、上位の検査装置が出力した座標に試料ステージを移動して、試料が視野内に入る程度の低倍率で撮像し、欠陥位置を目視で確認した後、欠陥位置が視野中心に来るように試料ステージを移動させ、高倍率で観察用の欠陥画像を取得する。この工程を自動化したものがADRである。
ADRでは、試料に対応した光学条件、ADRモード、低倍画像の取得条件、高倍画像の取得条件などを、キャプチャーレートとスループットを両立させるために最適化する必要があるが、設定項目の組み合わせが膨大であるため、経験を積んだ熟練者であっても、試行錯誤を要する、最適化困難な作業である。このため、設定内容の最適化作業の容易化が求められている。
特許文献1では、欠陥検査装置において、複数の検査条件を設定し、設定条件毎に検査を実行し、最も多く欠陥が検出できる条件を最終的なレシピ設定として採用するレシピ設定方法が開示されている。
特許文献2では、半導体製造装置において、製造プロセスを記述したレシピのパラメータを一括で編集する方法が開示されている。
特開2005−017159号公報 特開平05−283308号公報
特許文献1に開示されている方法により、レシピ条件最適化のための試行錯誤を効率よく行うことが可能であるが、条件を変えて試行錯誤することには変わりがないため、処理時間がかかるという課題がある。また、条件を変える際に、どのように変化させるのが良いかを、初心者が的確に判断することは困難である。さらに、SEM式欠陥観察装置の場合、同一試料を繰り返し観察することで、試料にダメージを蓄積させる可能性があるため、条件を変えて繰り返し画像取得することは回避するのが好ましい。
特許文献2に開示されている方法により、半導体製造装置におけるレシピパラメータの一括編集が可能であり、目的である、編集作業の効率化、および設定ミスの低減には効果があるが、設定条件をどのように変化させるのが最適であるかを判断するための、解析方法に関する具体的な記述はない。また、新規にレシピを作成する際に、既存のレシピを解析した結果を、有効に活用する方法に関しても、具体的な記述はない。
本発明は、観察装置において、初心者であっても、試行錯誤することなく、既存のレシピ設定内容を解析でき、解析結果に基づき、新規のレシピを短時間で作成できる、レシピ解析方法、レシピ設定方法、および観察装置を提供することを主要な目的とする。
観察条件を登録したレシピに基づき、登録した観察条件で試料の観察を行う機能を有する観察装置であって、複数のレシピを対象として、複数の設定項目の設定内容を一覧形式で表示し、共通性を解析した結果に基づき、共通性が高い設定内容を初期設定として、新たなレシピを作成することを主要な特徴とする。
本発明によれば、初心者であっても、試行錯誤することなく、既存のレシピ設定内容を解析でき、特に共通性を容易に判別できるので、共通性が低い項目のみ設定内容を吟味すればよく、新規のレシピを短時間で作成できる。また、作成したレシピのスループットを予測できるので、設定項目の妥当性の確認、および設定内容を変更した場合の影響を確認しながら、レシピ設定を最適化することができる。
本発明の実施例を説明する。図1は、本発明の一実施形態であるSEM式欠陥観察装置の構成を示す断面図である。図1に示すSEM式欠陥レビュー装置は、電子銃(101)、レンズ(102)、偏向器(103)、対物レンズ(104)、試料(105)、ステージ(106)、二次粒子検出器(109)、電子光学系制御部(110)、A/D変換部(111)、ステージ制御部(112)、全体制御部(113)、画像処理部(114)、ディスプレイ(115)、キーボード(116)、記憶装置(117)、マウス(118)、光学式顕微鏡(119)で構成されている。電子銃(101)から発射された電子ビーム(107)は、レンズ(102)で集束され、偏向器(103)で偏向された後、対物レンズ(104)で集束されて、試料(105)に照射される。電子ビーム(107)が照射された試料(105)から、試料の形状や材質に応じて二次電子や反射電子等の二次粒子(108)が発生する。発生した二次粒子(108)は、二次粒子検出器(109)で検出され、A/D変換部(111)でデジタル信号に変換されて、SEM画像が形成される。生成したSEM画像を使用して、欠陥検出などの画像処理が画像処理部(114)で実行される。レンズ(102)、偏向器(103)、対物レンズ(104)の制御は、電子光学系制御部(110)で行われる。試料の位置制御は、ステージ制御部(112)で制御されたステージ(106)で実行される。全体制御部(113)は、キーボード(116)、マウス(118)、記憶装置(117)からの入力を解釈し、電子光学系制御部(110)、ステージ制御部(112)、画像処理部(114)等を制御して、必要に応じてディスプレイ(115)、記憶装置(117)に処理内容を出力する。
図2は、レシピの解析結果の一例である。ここでは一覧の構成要素として、レシピー設定内容一覧201に、プロセス名称(Process)、光学条件(SEM Cond)、ADRモード(ADR Mode)、低倍画像の倍率(Low Mag)、低倍画像のオートフォーカス条件(Low AF)、低倍画像のフレーム加算枚数(Low Frame)、高倍画像の倍率(High Mag)、高倍画像のオートフォーカス条件(High AF)、高倍画像のフレーム加算枚数(High Frame)を表示している。光学条件は、図2では番号で表示しているが、例えば、光学条件が加速電圧(Vac)やプローブ電流(Ip)などの複数の条件の組み合わせで定義される場合、各条件を独立した解析項目として扱っても良い。また、ユーザーが登録したコメント、ADR機能を有する場合のキャプチャーレート、レシピ作成者、作成日時、レシピ更新者、更新日時、レシピバージョンも解析項目として登録可能である。ADRモードはADRのアルゴリズムを試料に応じて切り換えるものであり、図2では、3つのモードを示す。すなわち、(1)参照画像の取得が必要であるためスループットは遅いが、任意の背景パターンに対応可能なダイ比較モード(Die)、(2)参照画像を必要としないためスループットは早いが、周期性がある背景パターンでしか使用できないセル比較モード(Cell)、および(3)背景パターンがない試料でのみ有効なベアモード(Bare)を例示している。低倍画像の倍率は、高いほど欠陥検出し易くなるが、欠陥が視野内に入ってこない確率が高くなるため、検出対象の欠陥サイズと座標精度とのトレードオフを考慮して最適化しなければならない。低倍画像のオートフォーカス条件は、標準的なアルゴリズムを使用する(Standard)、処理速度は速いが精度は標準的なアルゴリズムに劣る(Fast)、処理速度は遅いが精度は標準的なアルゴリズムに勝る(Slow)などがある。低倍画像のフレーム加算枚数は、加算枚数が増えるほどノイズが低減されるため、スループットよりもキャプチャーレートを重視する場合には、大きな値に設定する。高倍画像の倍率は観察対象の欠陥サイズに応じて決定する。高倍画像のオートフォーカス条件、フレーム加算枚数は、それぞれ低倍画像の倍率、オートフォーカス条件、フレーム加算枚数と同様の意味を持つが、最終的な欠陥画像の確認に使用されるものであるため、低倍画像と比較すると、スループットよりも画質の良さを重視して設定することが多い。また、図2には記述していないが、デバイス名称、欠陥自動分類(ADC:Automatic Defect Classification)の設定内容などが解析対象項目となる。
図3は、解析対象項目を選択するGUIの一例である。Displayリスト(301)に登録された項目は、図2に示すような解析結果表示の対象とし、non-Displayリスト(302)に登録された項目は、解析結果表示の対象としない。リスト(301)からリスト(302)への移動は、右矢印ボタン(303)を押すことで実行し、リスト(302)からリスト(301)への移動は、左矢印ボタン(304)を押すことで実行する。各リスト内で登録順を変更する場合は、移動させたい項目を選択して(305)、一つ上の項目と入れ替えたい場合はUpボタン(306)を、一つ下の項目と入れ替えたいときはDownボタン(307)を押下する。
図4a、bを例に、設定項目の共通性解析の手順を説明する。図4aの一覧表示エリア(401)には、図4bのようにレシピ設定内容を一覧表示する。図4bは、図2の一部分を抜き出したものである。
ここで、設定項目の共通性は、レシピ毎に設定された種々の設定内容が同じである場合の数が多いとき、共通性が高いとし、その場合の数が少ないとき、共通性が低いとする。
まず、共通性を解析したいItem(402)を、マウス等のポインティングデバイスを用いて選択する。ここでは、Processを選択した例を示している。Itemを選択したら、キーボード等の入力デバイスを用いてKeywordを入力し、Searchボタン(404)を押下する。例では、KeywordとしてAで始まる文字列を指定しているので、Process名称がAで始まるレシピ(405)を一覧表示エリア(401)に表示する。ここでは、Search機能を使用して、一覧に表示するレシピを限定したが、特にレシピが少ない場合は、必ずしも表示するレシピを限定する必要はない。また、解析項目であるItemに基づき一覧をソートすることもできる。図4bはProcess(407)を基準にソートを実行した結果を示している。このように、必要に応じて、ソートまたはSearch機能を利用して、解析したいレシピを選択するための準備を行い、解析対象となるレシピを選択する。一例として、ProcessがAで始まるレシピ(405)を選択したものとする。選択後、Analyzeボタン(408)を押下して解析を実行する。解析した結果 、共通性が低いと判断されたもの(409)は強調表示する。例では、共通性が低いもののみ強調表示することで、共通性の程度を表現しているが、共通性が高いものを他と区別して強調表示しても良い。あるいは、発生頻度を予め段階的に範囲を決めておき、その範囲に応じて、段階的に区別しても良い。409の例では、Process名がA3のレシピのみ、Low Magが低く設定されていることが分かる。この設定を他のA1、A2、A4にあわせて高く設定することで、欠陥検出画像である低倍画像を拡大することになるため、欠陥検出性能すなわちキャプチャーレートを向上できる可能性がある。同様に、Process名がBで始まるレシピ(410)の共通項を解析すると、B3のHigh AF(411)と、B2のHigh Frame(412)の共通性が低いことが分かる。この解析結果から、B3の高倍画像におけるオートフォーカス設定は、B1やB2と同じ高速モードに設定して、スループットを向上できる可能性があること、B2の高倍画像のフレーム加算枚数をB1やB3と同じ値に設定して、より高画質な画像が取得したほうが好まれる可能性があることが分かる。設定を変更 する場合には、一覧上で変更したい要素をマウス等のポインティングデバイスを用いて選択し、キーボード等の入力デバイスを用いて設定を変更することができる。複数の要素を選択して、一括で設定を変更することも可能である。次に、解析結果に基づき、共通性が高い設定内容を初期値として、レシピを作成 する手順を説明する。例として、Process名がBで始まるレシピ(410)を解析対象とする。Analyzeボタン(408)を押下して、解析を実行すると、共通項表示エリア(413)には、共通性が高い項目が表示される。本例では、Process:B*、ADR Mode:Cell、Low Mag:20k、Low AF:Fast、Low Frame:4、High Mag:60k、High AF:Narrow、High Frame:12が初期表示される。必要に応じて設定内容を更新して、例えば、新たにProcess名がB4のレシピを新規に作成する場合には、Process名をB*からB4に更新し、Save as …ボタン(414)を押下することで、容易にレシピを作成することができる。
図5は、レシピ解析の結果に、ADRスループットの計算値(501)と実測値(502)を追加表示した一例を示している。Process名がAで始まるA1、A2、A3、A4を比較すると、A3のみHigh Magの値(503)が異なるが、高倍画像の倍率はADRのスループットに影響を与えないため、スループットの計算値(504)は、A1、A2、A4と同じ値となる。一方、Process名がBで始まるB1、B2、B3を比較すると、B3のHigh AFの設定(505)は、B1、B2と比較して精度を重視した処理速度が遅いモードに設定されているため、スループットの計算値(506)は遅く、また、B2のHigh Frameの値(507)は、B1、B3と比較して画質よりスループットを重視した処理速度が速いモードに設定されているため、スループットの計算値(508)は速くなる。スループットの実測値(502)は、実際に該当のレシピを使用してADRを実行した場合のスループットの測定結果を表示する。この際、最新の測定結果でも、複数の測定結果の平均値でも、両方を表示しても良い。このように、スループットが表示されることで、レシピ更新の効果を素早く確認することができ、効率よくレシピの最適化が実行できる。
図6は、レシピ解析結果の一覧と、一覧で指定したレシピで取得した画像とを、対応付けて表示するGUIの一例であり、図4aのGUI例に、画像表示部(602)と画像更新ボタン(603)を追加したものである。レシピ解析結果一覧表示で選択したレシピ(601)を使って取得した画像を、画像表示部(602)に表示する。表示する画像は、画像更新ボタン(603)を使って更新することができる。>ボタンは一つ次の画像へ、<ボタンは一つ前の画像へ、>>は一定量、例えば10画像飛ばして次の画像へ、<<は一定量、例えば10画像飛ばして前の画像へ更新する。画像表示形式は、一覧で選択したレシピと、その選択したレシピで取得した画像との対応が取れれば、複数のウィンドウを開く形式でも良い。このように、レシピと画像の対応が簡単にとれるため、例えば、デバイス名称やプロセス名称だけでは、類似性解析の対象として含めるべきか判断がつかないレシピでも、画像を確認することで、容易に類似性解析の対象に含めるべきか否かの判断ができる。
図7a―7cは、レシピ解析機能の解析対象となるレシピを保持する観察装置が、複数台ネットワーク接続された観察システムである。図7aは、観察装置が複数台(701、702、703)、ネットワーク(704)に接続されている。ネットワーク(704)は、データの受け渡しが可能であれば、有線、無線等の形態は問わない。観察装置(703)には、レシピ解析機能が搭載されていないため、レシピ解析することはできないが、観察装置(701)または観察装置(702)のレシピ解析機能を使って、観察装置(703)に保存されたレシピを解析することができる。図7bは、観察装置にはレシピ解析機能を持たずに、レシピ管理サーバ(705)で一括管理する、観察システムである。作成したレシピはレシピ管理サーバで一括管理され、必要に応じて、観察装置およびレシピ管理クライアント(706、707)に転送することができる。各観察装置にはレシピ解析機能がないため、レシピ解析することはできないが、レシピ管理サーバ(705)、あるいはレシピ管理クライアント(706、707)でレシピ解析をすることができる。図7cは、レシピ管理サーバでレシピの一括管理が可能であると共に、各観察装置にもレシピ解析機能を有しているため、レシピ管理サーバ、レシピ管理クライアント、各観察装置のどこからでも、レシピ解析をすることができる、観察システムである。
SEM式半導体欠陥観察装置の基本構成を示す断面図である。 レシピ解析結果の一覧表示の一例を示す図である。 レシピ解析の対象項目を設定するGUIの一例を示す図である。 レシピ解析を実行するGUIの一例を示す図である。 レシピ解析を実行するGUIの一例を示す図である。 レシピ解析結果にスループットの計算値および実測値を追加表示した一例を示す図である。 レシピ解析結果と取得した画像を対応付けて表示するGUIの一例を示す図である。 レシピを保持する観察装置が複数台ネットワーク接続された観察システムの一例を示す図である。 レシピを保持する観察装置が複数台ネットワーク接続された観察システムの別の一例を示す図である。 レシピを保持する観察装置が複数台ネットワーク接続された観察システムの別の一例を示す図である。
符号の説明
101…電子銃、102…レンズ、103…偏向器、104…対物レンズ、105…試料、106…ステージ、107…電子ビーム、108…二次粒子、109…二次粒子検出器、110…電子光学系制御部、111…A/ D変換部、112…ステージ制御部、113…全体制御部、114…画像処理部、115…ディスプレイ、116…キーボード、117…記憶装置、118…マウス、119…光学顕微鏡部、701,702,712,713,714…レシピ解析機能を有する観察装置、703…レシピ解析機能を持たない観察装置、704,708,715…ネットワーク、705,709…レシピ管理サーバ、706,707,710,711…レシピ管理クライアント。

Claims (20)

  1. 試料の観察画像を取得する観察装置において、
    前記観察画像を取得するときの観察条件が登録された複数の既存レシピと、前記既存レシピ毎に設定された前記観察条件を構成する複数の設定項目、および前記設定項目ごとの仕様を規定する設定内容とを保存する記憶装置と、
    前記複数の既存レシピから解析対象とするレシピと、該解析対象とするレシピに対応する設定項目および設定内容の選択を行うレシピ解析を実行する処理装置と、
    前記レシピ解析の結果を一覧表示する表示装置と、を有し、
    前記解析対象とするレシピ毎の設定内容が、互いに共通である頻度を算出する共通性解析を前記処理装置で行い、
    前記共通性解析の結果に基づき、共通である頻度が低い設定内容がある場合は、該頻度が低い設定内容を、頻度が高い設定内容に入れ換えて初期設定とし新規レシピを作成する手段を有することを特徴とする観察装置。
  2. 前記表示装置に表示する設定項目の選択、あるいは表示の順番を設定する手段を有することを特徴とする請求項1記載の観察装置。
  3. 前記共通性解析の結果が、設定内容の共通性が高いか低いかを識別可能な形式で前記表示装置に表示されることを特徴とする請求項1記載の観察装置。
  4. 前記表示装置に表示された前記レシピ解析の結果一覧に基づいて、少なくとも1つ以上のレシピ設定の変更を行うことを特徴とする請求項1記載の観察装置。
  5. 前記レシピ解析から得られたレシピの設定内容に基づいて、前記観察画像の取得を自動で実施する際のスループットを推算し、該推算結果を前記レシピ解析結果の一覧に一要素として表示することを特徴とする請求項1記載の観察装置。
  6. 前記レシピの設定内容に基づいて、自動で前記観察画像の取得を行った時のスループットを実測し、該実測結果を前記レシピ解析結果の一覧に一要素として表示することを特徴とする請求項1記載の観察装置。
  7. 前記設定項目として、プロセス名称、光学条件、ADRモード、低倍画像の倍率、低倍画像のオートフォーカス条件、低倍画像のフレーム加算枚数、高倍画像の倍率、高倍画像のオートフォーカス条件、および高倍画像のフレーム加算枚数が少なくとも一つ以上設定されていることを特徴とする請求項1記載の観察装置。
  8. 前記設定項目に加えて、ユーザーが登録したコメント、ADR機能を有する場合のキャプチャーレート、レシピ作成者、作成日時、レシピ更新者、更新日時、およびレシピバージョンのうち少なくとも一つ以上を、前記レシピ解析結果の一覧に一要素として表示することを特徴とする請求項7記載の観察装置。
  9. 前記レシピの設定内容に基づいて、自動で観察し取得した取得画像を、前記レシピ解析結果の一覧と対応させて表示することを特徴とする請求項1記載の観察装置。
  10. 試料の観察画像を取得する観察装置を備え、
    前記観察画像を取得するときの観察条件が登録された複数の既存レシピと、前記既存レシピ毎に設定された前記観察条件を構成する複数の設定項目、および前記設定項目ごとの仕様を規定する設定内容とを記憶装置に保存するステップと、
    前記複数の既存レシピから解析対象とするレシピと、該解析対象とするレシピに対応する設定項目および設定内容の選択を行うレシピ解析を、処理装置で実行するステップと、
    前記レシピ解析の結果を表示装置に一覧表示するステップと、
    前記処理装置を用いて、前記解析対象とするレシピ毎の設定内容が、互いに共通である頻度を算出する共通性解析を実行するステップと、
    前記共通性解析の結果に基づき、共通である頻度が低い設定内容がある場合は、該頻度が低い設定内容を、頻度が高い設定内容に入れ換えて初期設定とし新規レシピを作成するステップとを有することを特徴とする観察装置のレシピ設定方法。
  11. 前記表示装置に表示する設定項目の選択、あるいは表示の順番を設定するステップを有することを特徴とする請求項10記載の観察装置のレシピ設定方法。
  12. 前記共通性解析の結果が、設定内容の共通性が高いか低いかを識別可能な形式で前記表示装置に表示されることを特徴とする請求項10記載の観察装置のレシピ設定方法。
  13. 前記表示装置に表示された前記レシピ解析の結果一覧に基づいて、少なくとも1つ以上のレシピ設定の変更を行うステップを有することを特徴とする請求項10記載の観察装置のレシピ設定方法。
  14. 前記レシピ解析から得られたレシピの設定内容に基づいて、前記観察画像の取得を自動で実施する際のスループットを推算するステップを有し、
    該推算結果を前記レシピ解析結果の一覧に一要素として表示することを特徴とする請求項10記載の観察装置のレシピ設定方法。
  15. 前記レシピの設定内容に基づいて、自動で前記観察画像の取得を行った時のスループットを実測するステップを有し、
    該実測結果を前記レシピ解析結果の一覧に一要素として表示することを特徴とする請求項10記載の観察装置のレシピ設定方法。
  16. 前記設定項目として、プロセス名称、光学条件、ADRモード、低倍画像の倍率、低倍画像のオートフォーカス条件、低倍画像のフレーム加算枚数、高倍画像の倍率、高倍画像のオートフォーカス条件、および高倍画像のフレーム加算枚数が少なくとも一つ以上設定されていることを特徴とする請求項10記載の観察装置のレシピ設定方法。
  17. 前記設定項目に加えて、ユーザーが登録したコメント、ADR機能を有する場合のキャプチャーレート、レシピ作成者、作成日時、レシピ更新者、更新日時、およびレシピバージョンのうち少なくとも一つ以上を、前記レシピ解析結果の一覧に一要素として表示することを特徴とする請求項16記載の観察装置のレシピ設定方法。
  18. 前記レシピの設定内容に基づいて、自動で観察し取得した取得画像を、前記レシピ解析結果の一覧と対応させて表示することを特徴とする請求項10記載の観察装置のレシピ設定方法。
  19. 請求項1に記載の観察装置が複数台接続されたネットワークを備え、
    前記複数の観察装置の少なくとも一台にレシピ解析手段を有し、
    前記レシピ解析手段を用いて、複数台の前記観察装置にそれぞれ保存されたレシピおよびレシピ解析の実行結果を参照して、前記複数台の観察装置の少なくともいずれか一台においてレシピ解析が実行されることを特徴とする観察システム。
  20. 前記ネットワークに接続されたレシピ解析機能を有する処理装置を少なくとも一台有し、
    前記処理装置を用いて、複数台の前記観察装置にそれぞれ保存されたレシピおよびレシピ解析の実行結果を参照して、前記複数台の観察装置の少なくともいずれか一台においてレシピ解析が実行されることを特徴とする請求項19記載の観察システム。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013535816A (ja) * 2010-07-09 2013-09-12 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 半導体装置レシピ管理
US11367588B2 (en) 2018-07-25 2022-06-21 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam device

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009272497A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Hitachi High-Technologies Corp レシピパラメータ管理装置およびレシピパラメータ管理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004294358A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法および装置
JP2005017159A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置における検査レシピ設定方法および欠陥検査方法
JP2007005818A (ja) * 2006-07-24 2007-01-11 Hitachi Ltd パターンマッチング方法及び装置
JP2007040780A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Renesas Technology Corp 半導体検査方法及び半導体検査装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6324298B1 (en) * 1998-07-15 2001-11-27 August Technology Corp. Automated wafer defect inspection system and a process of performing such inspection
US7127098B2 (en) * 2001-09-13 2006-10-24 Hitachi, Ltd. Image detection method and its apparatus and defect detection method and its apparatus
WO2003027785A1 (fr) * 2001-09-21 2003-04-03 Olympus Corporation Dispositif de gestion en mode de traitement par lots
JP2004070918A (ja) * 2002-06-10 2004-03-04 Seiko Epson Corp 生産管理システム、プログラム、情報記憶媒体および生産管理方法
US7508973B2 (en) * 2003-03-28 2009-03-24 Hitachi High-Technologies Corporation Method of inspecting defects
US7684887B2 (en) * 2003-04-30 2010-03-23 Infineon Technologies Ag Advanced process control method and advanced process control system for acquiring production data in a chip production installation
DE102005009022A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Automatisches Durchsatzsteuerungssystem und Verfahren zum Betreiben desselben

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004294358A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査方法および装置
JP2005017159A (ja) * 2003-06-27 2005-01-20 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置における検査レシピ設定方法および欠陥検査方法
JP2007040780A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Renesas Technology Corp 半導体検査方法及び半導体検査装置
JP2007005818A (ja) * 2006-07-24 2007-01-11 Hitachi Ltd パターンマッチング方法及び装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013535816A (ja) * 2010-07-09 2013-09-12 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 半導体装置レシピ管理
US11367588B2 (en) 2018-07-25 2022-06-21 Hitachi High-Tech Corporation Charged particle beam device

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