JP2009029665A - 回路基板およびその製法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 窒化珪素質焼結体からなる母基板に導体層を形成してなる回路基板であって、基板が、Liを全量中0.009〜0.046質量%含有することを特徴とする。このような回路基板の母基板は、窒化珪素粉末にLi化合物をLi2O換算で全量中0.3〜1.5質量%添加した混合粉末を成形し、焼成し、Liを全量中0.009〜0.046質量%含有せしめて作製される。
【選択図】 なし
Description
Claims (5)
- 窒化珪素質焼結体からなる母基板に導体層を形成してなる回路基板であって、前記母基板が、Liを全量中0.009〜0.046質量%含有することを特徴とする回路基板。
- 前記Liの少なくとも一部は、窒化珪素結晶中に固溶していることを特徴とする請求項1記載の回路基板。
- 前記母基板中に、Al、Na、K、Fe、Ba、MnおよびBを、合量で0.5質量%以下含有することを特徴とする請求項1または2記載の回路基板。
- 前記母基板中に、希土類元素を酸化物換算で全量中1〜17質量%含有することを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれかに記載の回路基板。
- 窒化珪素質焼結体からなる母基板に導体層を形成する回路基板の製法であって、前記母基板を、窒化珪素粉末にLi化合物をLi2O換算で全量中0.3〜1.5質量%添加した混合粉末を成形して焼成し、前記基板中にLiを全量中0.009〜0.046質量%含有せしめることを特徴とする回路基板の製法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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