JP2009010342A - ナノシリコン半導体基板製造方法、半導体回路装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコン基板200の表面のシリコン酸化膜200Aの上に、同一粒径のナノシリコン粒よりなる第1のナノシリコン膜201を形成する。さらに、この上に窒化シリコン膜201Aを形成した後、平均粒径が第1のナノシリコン膜201とは異なる第2のナノシリコン膜202を形成する。このようにして作製したナノシリコン半導体基板上に半導体回路素子を形成する。
【選択図】 図2
Description
複数のナノシリコン粒からなる第1のナノシリコン膜を基板上に形成する第1の工程と、
前記第1のナノシリコン膜の上に、前記第1のナノシリコン膜を形成する複数のナノシリコン粒とは異なる平均粒径である複数のナノシリコン粒からなる第2のナノシリコン膜を形成する第2の工程と、を含むことを特徴とする。
ここで、qは電子の電荷量、εSはシリコンの誘電率、COXはゲート絶縁膜容量である。(1)式より、ナノシリコン粒径が小さくなりバンドギャップ・エネルギーが大きくなれば、閾値電圧VTを大きくすることができることが分かる。言い換えれば、ナノシリコンの粒径を変えることによって、閾値電圧VTを自由に制御可能である。
200A シリコン酸化膜
201A 窒化シリコン膜
601 ナノシリコン膜
Claims (8)
- ナノシリコン粒からなる一層のナノシリコン層を堆積する工程と該ナノシリコン粒の表面に絶縁膜を形成する工程を繰り返して基板上にナノシリコン膜を形成することでナノシリコン半導体基板を製造するナノシリコン半導体基板製造方法であって、
複数のナノシリコン粒からなる第1のナノシリコン膜を基板上に形成する第1の工程と、
前記第1のナノシリコン膜の上に、前記第1のナノシリコン膜を形成する複数のナノシリコン粒とは異なる平均粒径である複数のナノシリコン粒からなる第2のナノシリコン膜を形成する第2の工程と、
を含むことを特徴とするナノシリコン半導体基板製造方法。 - 前記第1及び第2のナノシリコン膜の形成後に800℃以上のアニールを行うことを特徴とする請求項1に記載のナノシリコン半導体基板製造方法。
- 前記アニールは、水素ガス雰囲気、あるいは水素から解離した水素ラジカルを含む雰囲気で行われることを特徴とする請求項2に記載のナノシリコン半導体基板製造方法。
- 平均粒径の異なる前記第1及び第2のナノシリコン膜の間に、絶縁膜を堆積させることを特徴とする請求項1に記載のナノシリコン半導体基板製造方法。
- 前記第1及び第2のナノシリコン膜のナノシリコン粒の平均粒径に対する粒径ばらつきが1nm以下であることを特徴とする請求項1に記載のナノシリコン半導体基板製造方法。
- 請求項1乃至5のいずれか1項に記載のナノシリコン半導体基板製造方法により製造されたナノシリコン半導体基板に回路素子が形成されたことを特徴とする半導体回路装置。
- 前記ナノシリコン半導体基板において選択的に露出させた平均粒径が異なる各々のナノシリコン膜の上に、MOSトランジスタが形成されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体回路装置。
- ナノシリコン膜を形成するナノシリコン粒が、粒径に応じたバンドギャップをもつことにより、平均粒径が異なる各々のナノシリコン膜の上に形成されたMOSトランジスタの閾値電圧が異なることを特徴とする請求項7に記載の半導体回路装置。
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