JP2009010072A - Substrate-sticking device - Google Patents

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Naoyuki Koizumi
直幸 小泉
Eiji Hayakawa
栄二 早川
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Shinko Electric Industries Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate-sticking device having a high working efficiency and capable of preventing an engulfing of a bubble and coincidentally causing no crinkle or the like after the sticking. <P>SOLUTION: The substrate-sticking device comprises: a substrate holding part 30; a supporting-body-holding part 20 aligned to the substrate holding part 30 and provided to the substrate holding part 30 in a contacting-or-detaching capable manner with suction-holding a supporting body 50; a regulating means 23 of a direction of the contacting-or-detaching; a curvature forming body 33 provided to at least the substrate holding part 30; and a decompression chamber 10 housing the substrate holding part 30, the supporting-body-holding part 20, and the curvature forming body 33. The curvature forming body 33 causes curvature of a substrate 40 in convex shape in the decompression chamber 10 to cause curvature of at least the substrate 40 out of the substrate 40 and the supporting body 50, letting the supporting-body-holding part 20 approach to the substrate holding part 30, and sticking the substrate 40 to the supporting body 50 by depressing a central part of the supporting body 50 to a central part of the substrate 40. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は薄い基板を他の部材に貼り付ける際に用いる基板貼付装置に関する。   The present invention relates to a substrate sticking apparatus used when a thin substrate is stuck to another member.

半導体素子の薄型化に伴って、シリコンウエハの薄型化がすすんでいる。半導体素子を製造する場合には、このような薄いシリコンウエハにエッチング加工や貫通孔の加工等といったさまざまな加工が施される。また、半導体素子の生産効率を向上させるため、大判のシリコンウエハが用いられるようになり、シリコンウエハ単体での取り扱いが非常に困難になっている。   As semiconductor devices become thinner, silicon wafers are becoming thinner. When manufacturing semiconductor elements, various processes such as etching and through hole processing are performed on such a thin silicon wafer. In addition, in order to improve the production efficiency of semiconductor elements, large-sized silicon wafers have been used, making it difficult to handle the silicon wafer alone.

近年においては、薄ウエハのハンドリング性を向上させるために、薄ウエハを補強板に貼り付けて用いることがある。薄ウエハを補強板に貼り付ける際には、真空チャンバ内において、ワックスを塗布した薄ウエハと、エアチャックした補強板とを向かい合わせて、互いに離反させた状態に配置し、薄ウエハを加熱してワックスに粘着力を持たせた上でウエハを補強板に貼り付けるウエハ貼付装置(例えば特許文献1)や、ヒータにより形状記憶合金からなる一対の基板保持部を加熱し、基板保持部を変形させることにより保持している基板を湾曲させた状態で対向させて押圧することにより配線基板どうしを貼り付ける貼付装置(例えば特許文献2)等が提供されている。
特公平8−1898号公報 特開平5−190406号公報
In recent years, in order to improve the handleability of a thin wafer, the thin wafer is sometimes attached to a reinforcing plate. When a thin wafer is attached to the reinforcing plate, the thin wafer coated with wax and the air chucked reinforcing plate face each other in the vacuum chamber and are separated from each other, and the thin wafer is heated. The wafer holding device (for example, Patent Document 1) for sticking the wafer to the reinforcing plate after the wax is made adhesive, or a pair of substrate holding portions made of a shape memory alloy is heated by a heater to deform the substrate holding portion. There is provided a pasting device (for example, Patent Document 2) and the like for pasting wiring substrates by pressing the substrates held in a curved state while facing each other.
Japanese Patent Publication No.8-1898 Japanese Patent Laid-Open No. 5-190406

特許文献1記載の貼付装置においては、真空チャンバを用いているものの、平坦面どうしを貼り合わせするため、気泡をまき込んでしまうという課題や、貼り合わせ時に貼り合わせ面に対して平行な横の方向の力が作用すると、貼り付け後にしわが生じてしまうことがあるといった課題がある。
一方、特許文献2記載の貼付装置においては、貼り付け対象物を互いに湾曲させているため、気泡の巻き込みを可及的に防ぐことはできるものの、貼り付け対象物を湾曲させる際に、形状記憶合金からなる基板保持部をヒータで加熱しなければならず、貼り付け対象物を湾曲させる際、および、貼り合わせ後において、貼り付け対象物の湾曲を解除するために時間がかかってしまうため、作業効率が低いといった課題がある。
In the pasting apparatus described in Patent Document 1, although a vacuum chamber is used, in order to bond flat surfaces together, there is a problem that air bubbles are trapped, and a horizontal direction parallel to the bonding surface at the time of pasting. When a force in the direction acts, there is a problem that wrinkles may occur after pasting.
On the other hand, in the sticking device described in Patent Document 2, since the objects to be attached are curved with respect to each other, it is possible to prevent entrainment of bubbles as much as possible. However, when the object to be attached is curved, the shape memory is used. Since it is necessary to heat the substrate holding part made of an alloy with a heater, and when the object to be attached is bent and after bonding, it takes time to release the object to be bent, There is a problem that work efficiency is low.

そこで本願発明は、薄い基板を貼り付け対象物に貼り付ける際において、気泡の巻き込みを防ぐと共に、貼り付けした後にしわ等が生じることなく、しかも作業効率の高い基板貼付装置の提供を目的としている。   Therefore, the present invention has an object to provide a substrate pasting apparatus that prevents air bubbles from being involved when a thin substrate is pasted to an object to be pasted, and that does not cause wrinkles after the pasting and has high work efficiency. .

本発明は、基板と、該基板を支持する支持体とを貼り付ける際に用いる基板貼付装置であって、基板を吸着保持可能に形成された基板保持部と、該基板保持部と位置合わせされていると共に、支持体を吸着保持した状態で前記基板保持部に接離動可能に設けられた支持体保持部と、該支持体保持部の接離動方向を規制する接離動方向規制手段と、前記基板保持部と前記支持体保持部のうち少なくとも前記基板保持部に設けられ、流体圧により作動するダイヤフラムと流体圧を調整する圧力調整装置とにより構成された湾曲形成体と、前記基板保持部と前記支持体保持部と前記湾曲形成体とを収容すると共に、内部空間を減圧可能に設けられた減圧チャンバと、を具備し、前記減圧チャンバ内を減圧し、前記圧力調整装置が前記ダイヤフラムの中央部分を凸状に湾曲させることにより、前記基板と前記支持体のうち少なくとも前記基板を前記ダイヤフラムの形状に倣わせて湾曲させ、前記支持体保持部を前記基板保持部に接近させて、前記支持体の中央部分を前記基板の中央部分に押圧させることにより前記支持体に前記基板を貼り付けることを特徴とする基板貼付装置である。   The present invention is a substrate sticking device used when attaching a substrate and a support that supports the substrate, the substrate holding portion formed so as to be able to hold the substrate by suction, and the substrate holding portion aligned with the substrate holding portion. And a support holding portion provided so as to be capable of moving toward and away from the substrate holding portion in a state where the support is sucked and held, and contact / separation direction regulating means for regulating the contact and separation direction of the support holding portion. A curved body formed of a diaphragm that is operated by fluid pressure and a pressure adjusting device that adjusts fluid pressure, and is provided in at least the substrate holder of the substrate holder and the support body holder, and the substrate A holding part, the supporting body holding part, and the curve forming body, and a decompression chamber provided so that the internal space can be decompressed. Of diaphragm By curving the central portion in a convex shape, at least the substrate of the substrate and the support is curved following the shape of the diaphragm, and the support holding portion is brought close to the substrate holding portion, The substrate sticking apparatus is characterized in that the substrate is attached to the support by pressing the center of the support against the center of the substrate.

また他の発明は、基板と、該基板を支持する支持体とを貼り付ける際に用いる基板貼付装置であって、支持体を吸着保持可能に形成された支持体保持部と、該支持体保持部と位置合わせされていると共に、基板を吸着保持した状態で前記支持体保持部に接離動可能に設けられた基板保持部と、該基板保持部の接離動方向を規制する接離動方向規制手段と、前記基板保持部と前記支持体保持部のうち少なくとも前記基板保持部に設けられ、流体圧により作動するダイヤフラムと流体圧を調整する圧力調整装置とにより構成された湾曲形成体と、前記基板保持部と前記支持体保持部と前記湾曲形成体とを収容すると共に、内部空間を減圧可能に設けられた減圧チャンバと、を具備し、前記減圧チャンバ内を減圧し、前記圧力調整装置が前記ダイヤフラムの中央部分を凸状に湾曲させることにより、前記基板と前記支持体のうち少なくとも前記基板を前記ダイヤフラムの形状に倣わせて湾曲させ、前記基板保持部を前記支持体保持部に接近させて、前記基板の中央部を前記支持体の中央部に押圧させることにより前記支持体に前記基板を貼り付けることを特徴とする基板貼付装置である。   Another invention is a substrate sticking device used when sticking a substrate and a support that supports the substrate, a support holding portion formed so that the support can be sucked and held, and the support holding A substrate holding portion that is positioned so as to be in contact with and separated from the support holding portion while holding the substrate by suction, and a contact / separation movement that regulates the contact / separation direction of the substrate holding portion. A curve forming body comprising a direction regulating means, a diaphragm that is provided in at least the substrate holding portion of the substrate holding portion and the support holding portion, and that is operated by a fluid pressure and a pressure adjusting device that adjusts the fluid pressure; A pressure reducing chamber that accommodates the substrate holding part, the support holding part, and the curve forming body, and that is provided so that the internal space can be depressurized. The device is the diamond By curving the central portion of the ram in a convex shape, at least the substrate of the substrate and the support is curved following the shape of the diaphragm, and the substrate holding portion is brought close to the support holding portion. A substrate pasting apparatus for pasting the substrate onto the support by pressing the center of the substrate against the center of the support.

また、前記接離動方向規制手段は、前記支持体保持部と前記減圧チャンバを接続する板バネであることを特徴とする。以上の構成を採用することにより、簡単な構成で接離動規制手段を構成することができる。   Further, the contact / separation direction restricting means is a leaf spring that connects the support holding part and the decompression chamber. By adopting the above configuration, the contact / separation movement restricting means can be configured with a simple configuration.

また、前記接離動方向規制手段は、前記基板保持部と前記減圧チャンバを接続する板バネであることを特徴とする。これにより、基板と支持体をそれぞれの吸着部に正確に貼り付けることができる。   Further, the contact / separation direction restricting means is a leaf spring that connects the substrate holding part and the decompression chamber. Thereby, a board | substrate and a support body can be correctly affixed on each adsorption | suction part.

また、前記基板保持部と前記支持体保持部の吸着面には、前記基板と前記支持体の大きさに対応する位置に吸着位置指示部が設けられていることを特徴とする。
また、前記基板保持部、前記支持体保持部、前記ダイヤフラム、前記減圧チャンバはそれぞれ透明材料により形成されていることを特徴とする。
これらにより、貼付装置内における基板と支持体の貼り付け状態を確認することができるため、基板と支持体を押圧させる際の押圧力の調整を容易に行うことができる。
The suction surface of the substrate holding part and the support holding part is provided with a suction position indicating part at a position corresponding to the size of the substrate and the support.
The substrate holding part, the support holding part, the diaphragm, and the decompression chamber are each made of a transparent material.
By these, since the sticking state of the board | substrate and support body in a sticking apparatus can be confirmed, adjustment of the pressing force at the time of pressing a board | substrate and a support body can be performed easily.

本発明にかかる基板貼付装置によれば、薄い基板を支持体に貼り付ける際において、気泡の巻き込みを防ぐと共に、貼り付けした後にしわ等が生じることがない。また、支持体への基板の貼り付け作業効率を従来に比べて大幅に向上させることができる。   According to the substrate sticking apparatus according to the present invention, when a thin substrate is stuck on a support, air bubbles are prevented from being caught, and wrinkles are not generated after being stuck. Further, the work efficiency of attaching the substrate to the support can be greatly improved as compared with the conventional case.

以下、本発明にかかる基板貼付装置の実施形態について、図面に基づいて説明する。   Hereinafter, an embodiment of a substrate pasting device concerning the present invention is described based on a drawing.

(第1実施形態)
図1は、本実施形態における基板貼付装置の概略構成を示す説明図である。図2,図3は基板保持部の組立構成図である。図4は基板保持部の組立状態を示す断面図である。
本実施形態における基板貼付装置100は、減圧チャンバ10内において、平坦に保持された支持体であるGaAs基板50を、GaAs基板50に向けて中央部分を凸状に湾曲させた基板であるシリコンウエハ40に押圧することでGaAs基板50とシリコンウエハ40とを貼り付けするものである。
なお、本実施形態におけるシリコンウエハ40とGaAs基板50の板厚は、それぞれ300μm以下、400μm以上である。
(First embodiment)
FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a schematic configuration of a substrate pasting apparatus according to the present embodiment. 2 and 3 are assembly configuration diagrams of the substrate holder. FIG. 4 is a cross-sectional view showing the assembled state of the substrate holder.
The substrate pasting apparatus 100 according to the present embodiment is a silicon wafer that is a substrate in which a GaAs substrate 50 that is a flat support body is curved in a convex shape toward the GaAs substrate 50 in a decompression chamber 10. The GaAs substrate 50 and the silicon wafer 40 are pasted together by pressing to 40.
In this embodiment, the thicknesses of the silicon wafer 40 and the GaAs substrate 50 are 300 μm or less and 400 μm or more, respectively.

図1に示すように、減圧チャンバ10は透明アクリル板や透明塩ビ板等の少なくとも可視光に対して透明である材料により直方体状に形成されている。減圧チャンバ10は、係止具14により上半部11と下半部12を組み立てることにより構成されている。下半部12には上半部11との接合面にシール部材13が配設されている。
上半部11にはロッド用貫通孔16とエアチューブ用貫通孔17が、下半部12にはエアチューブ用貫通孔17がそれぞれ設けられている。ロッド用貫通孔16には後述する支持体保持部20に接続され、支持体保持部20を減圧チャンバ10内において高さ方向に上下動させるためのロッド21が挿通される。エアチューブ用貫通孔17には、真空ポンプ15A,15B,15Cに連通するエアチューブTが挿通される。ロッド用貫通孔16とエアチューブ用貫通孔17には、ロッド21やエアチューブTの移動を妨げないシール材16S,17Sが配設されていると好都合である。
As shown in FIG. 1, the decompression chamber 10 is formed in a rectangular parallelepiped shape by a material that is transparent to at least visible light, such as a transparent acrylic plate or a transparent PVC plate. The decompression chamber 10 is configured by assembling the upper half portion 11 and the lower half portion 12 with a locking tool 14. A sealing member 13 is disposed on the joint surface with the upper half portion 11 in the lower half portion 12.
The upper half 11 is provided with a rod through hole 16 and an air tube through hole 17, and the lower half 12 is provided with an air tube through hole 17. The rod through hole 16 is connected to a support holding unit 20 described later, and a rod 21 for vertically moving the support holding unit 20 in the height direction in the decompression chamber 10 is inserted. An air tube T communicating with the vacuum pumps 15A, 15B, 15C is inserted into the air tube through-hole 17. The rod through hole 16 and the air tube through hole 17 are advantageously provided with sealing materials 16S and 17S that do not hinder the movement of the rod 21 and the air tube T.

減圧チャンバ10内部には、支持体であるGaAs基板50を吸着保持する支持体保持部20と、基板であるシリコンウエハ40を吸着保持すると共に、吸着したシリコンウエハ40を支持体であるGaAs基板50に向けて凸状に湾曲させる基板保持部30とが配設されている。支持体保持部20と基板保持部30とは互いに平面方向に位置決めされた状態で減圧チャンバ10内に配設されていて、減圧チャンバ10へロッド21を突出入させることにより、支持体保持部20が基板保持部30に対して接離動可能となる。   Inside the decompression chamber 10, a support holding unit 20 that sucks and holds a GaAs substrate 50 as a support and a silicon wafer 40 as a substrate are sucked and held, and the sucked silicon wafer 40 is supported as a GaAs substrate 50 as a support. And a substrate holding portion 30 that is curved in a convex shape toward the surface. The support holding unit 20 and the substrate holding unit 30 are disposed in the decompression chamber 10 in a state where they are positioned in the plane direction, and the rod 21 is protruded into the decompression chamber 10 to thereby support the support holding unit 20. Can be moved toward and away from the substrate holder 30.

支持体保持部20にはロッド21の一端部が接続されていて、ロッド21の他端部はロッド用貫通孔16を介して減圧チャンバ10の外部に位置している。ロッド21の他端部には、支持体保持部20を基板保持部30に接離動させるためのサーボモータ22が接続されている。本実施形態におけるロッド21は中空構造であり、ロッド21の内部には真空ポンプ15Bと支持体保持部20の吸着部24に連通するエアチューブTが挿通されている。
支持体保持部20もまた、透明アクリル板や透明塩ビ板等の透明材料により形成されている。
One end of a rod 21 is connected to the support holding unit 20, and the other end of the rod 21 is located outside the decompression chamber 10 via the rod through hole 16. Connected to the other end of the rod 21 is a servo motor 22 for moving the support holder 20 to and from the substrate holder 30. The rod 21 in this embodiment has a hollow structure, and an air tube T communicating with the vacuum pump 15 </ b> B and the suction portion 24 of the support holding portion 20 is inserted into the rod 21.
The support holder 20 is also formed of a transparent material such as a transparent acrylic plate or a transparent PVC plate.

支持体保持部20は基板保持部30に対して平面方向(X−Y方向)に位置決めされた状態を維持した状態で接離動させるため、接離動方向を規制するための接離動規制手段である板バネ23が配設されている。板バネ23は2枚の板の一端部どうしを連結し、ほぼくの字状に形成されている。板バネ23の自由端部が減圧チャンバ10(上半部11)の内壁面と、支持体保持部20にそれぞれ連結されている。このような板バネ23を用いることにより、支持体保持部20を減圧チャンバ10内において、平面方向(X−Y方向)の移動を規制し、Z方向(高さ方向)にのみ移動させることができる。   Since the support body holding part 20 is moved toward and away from the substrate holding part 30 in a state of being positioned in the plane direction (XY direction), the contact and separation movement regulation for regulating the contact and separation movement direction is performed. A plate spring 23 as means is provided. The leaf spring 23 connects one end portions of the two plates and is formed in a substantially U shape. The free ends of the leaf springs 23 are connected to the inner wall surface of the decompression chamber 10 (upper half portion 11) and the support holder 20 respectively. By using such a leaf spring 23, the support holding unit 20 can be moved only in the Z direction (height direction) while restricting movement in the plane direction (XY direction) in the decompression chamber 10. it can.

支持体保持部20は吸着部24のエアチャックによりGaAs基板50を吸着保持している。支持体保持部20に接続されたエアチューブTはロッド21の内部に挿通され、減圧チャンバ10の外部に出ている部分からロッド21の外部にあらわれ、真空ポンプ15Bに接続している。
支持体保持部20の吸着部24には、GaAs基板50の寸法に合わせて、GaAs基板50をエア吸着させるべき位置を示す吸着位置指示部25が設けられている。
The support holding unit 20 holds the GaAs substrate 50 by suction using an air chuck of the suction unit 24. The air tube T connected to the support holder 20 is inserted into the rod 21, appears from the outside of the decompression chamber 10 to the outside of the rod 21, and is connected to the vacuum pump 15B.
The suction part 24 of the support holding part 20 is provided with a suction position indicating part 25 indicating the position where the GaAs substrate 50 should be sucked by air in accordance with the size of the GaAs substrate 50.

基板保持部30は、シリコンウエハ40をエア吸着する吸着部32と、吸着部32により吸着保持したシリコンウエハ40をGaAs基板50に向けて凸状に湾曲させるための湾曲形成体33と、これらを載置するベース38とを備えている。基板保持部30もまた、透明アクリル板や透明塩ビ板等の少なくとも可視光に対して透明な材料により形成されていると共に、吸着部32には、シリコンウエハ40の寸法に合わせて、シリコンウエハ40をエア吸着させるべき位置を示す吸着位置指示部32Zが設けられている。   The substrate holding unit 30 includes an adsorbing unit 32 that adsorbs the silicon wafer 40 by air, a curve forming body 33 for curving the silicon wafer 40 adsorbed and held by the adsorbing unit 32 toward the GaAs substrate 50, and And a base 38 to be placed. The substrate holding unit 30 is also formed of a material transparent to at least visible light, such as a transparent acrylic plate or a transparent PVC plate, and the suction unit 32 has a silicon wafer 40 according to the dimensions of the silicon wafer 40. A suction position indicating unit 32Z that indicates a position where the air should be sucked by air is provided.

ベース38は下箱12に固定されている。
ベース38には、吸着部32に連通する第1エア流路39Aと湾曲形成体33に連通する第2エア流路39Bが形成されていて、第1エア流路39Aは支持体保持部20の吸着部24が接続されている真空ポンプ15Bに接続されている。第2エア流路39Bは、真空ポンプ15Cと圧力調整装置36に接続されている。ベース38の上面には、第1エア流路39Aと第2エア流路39Bとの間と、基板保持部30と基板保持部30の外部の間とをそれぞれ気密に区切るためのシール部材37が2重に配設されている。二重に配設されたシール部材37,37の間に第1エア流路39Aの一端部が連通している。第2エア流路39Bは、ベース38の側面からベース38の中央部分まで延伸した後、鉛直方向に屈曲してダイヤフラム用ベース35の上面に連通している。
The base 38 is fixed to the lower box 12.
The base 38 is formed with a first air flow path 39 </ b> A communicating with the suction part 32 and a second air flow path 39 </ b> B communicating with the curve forming body 33, and the first air flow path 39 </ b> A is formed on the support holding part 20. It is connected to the vacuum pump 15B to which the suction part 24 is connected. The second air flow path 39B is connected to the vacuum pump 15C and the pressure adjusting device 36. On the upper surface of the base 38, there are sealing members 37 for hermetically separating the first air flow path 39A and the second air flow path 39B and the substrate holding part 30 and the outside of the substrate holding part 30, respectively. It is arranged twice. One end portion of the first air flow path 39A communicates between the sealing members 37, 37 arranged in a double manner. The second air flow path 39B extends from the side surface of the base 38 to the central portion of the base 38, and then bends in the vertical direction to communicate with the upper surface of the diaphragm base 35.

図2〜図4に示すように、ベース38の上面には吸着部32と湾曲形成体33が載置されている。
図2に示すように、吸着部32の上面側には吸着用孔32Aが所要間隔をあけて形成されている。吸着用孔32Aは、吸着部32の上面中央部分から吸着部32の外周縁方向に向けて放射状に配設されている。吸着部32は図示しないネジ等によりベース38に固定されている。また、吸着部32には、吸着させるシリコンウエハ40の径寸法に応じた吸着位置を示す吸着位置支持部32Zが支持体保持部20における吸着位置指示部25と同様に、吸着すべき支持体40の大きさに応じた位置に配設されている。
また、吸着部32には、図3に示すように湾曲部形成体33側内壁面に0.5mm程度の深さに形成された溝32Bがそれぞれの吸着孔32Aを橋渡ししながら吸着部32の外周縁方向に向かって放射状に形成されている。
As shown in FIGS. 2 to 4, the suction portion 32 and the curve forming body 33 are placed on the upper surface of the base 38.
As shown in FIG. 2, suction holes 32 </ b> A are formed on the upper surface side of the suction part 32 with a required interval. The suction holes 32 </ b> A are arranged radially from the central portion of the upper surface of the suction portion 32 toward the outer peripheral edge of the suction portion 32. The suction part 32 is fixed to the base 38 with screws or the like (not shown). Further, the suction portion 32 has a suction position support portion 32Z indicating a suction position corresponding to the diameter size of the silicon wafer 40 to be sucked, like the suction position instruction portion 25 in the support holding portion 20, and the support body 40 to be sucked. It is arrange | positioned in the position according to the magnitude | size.
Further, as shown in FIG. 3, a groove 32B formed in the inner wall surface on the curved portion forming body 33 side to a depth of about 0.5 mm is formed in the suction portion 32 while bridging each suction hole 32A. It is formed radially toward the outer periphery.

図4に示すように、吸着部32は断面形状がコの字状をなしていて、湾曲形成体33を吸着部32とベース38により形成される空間内に収容している。湾曲形成体33は、ダイヤフラム34およびダイヤフラム用ベース35により構成され、流体圧を調整する圧力調整装置36が湾曲形成体33に導入する流体圧(エア圧)を調整することにより湾曲形成体33を湾曲させる。ダイヤフラム用ベース35は図示しないネジ等によりベース38に固定されている。   As shown in FIG. 4, the adsorbing part 32 has a U-shaped cross-section and accommodates the curve forming body 33 in a space formed by the adsorbing part 32 and the base 38. The curve forming body 33 includes a diaphragm 34 and a diaphragm base 35. The curve forming body 33 is adjusted by adjusting the fluid pressure (air pressure) introduced into the curve forming body 33 by the pressure adjusting device 36 that adjusts the fluid pressure. Curve. The diaphragm base 35 is fixed to the base 38 with screws or the like (not shown).

図4から明らかになっているように、ダイヤフラム用ベース35の上面にはダイヤフラム用ベース35の中央部分から外周縁方向に向けて放射状に伸びる凹溝35Aが形成されている。凹溝35Aの終端部位置は、ダイヤフラム34とダイヤフラム用ベース35のネジ止め部分よりも内側である。凹溝35Aの中央部分にはベース38の第2エア流路39Bに連通する連通孔35Bが形成されている。ダイヤフラム34は凹溝35Aを覆うようにしてダイヤフラム用ベース35に張設されている。ダイヤフラム34はダイヤフラム34の外周に沿って一定間隔にネジ止めすることによりダイヤフラム用ベース35に取り付けられている。   As is apparent from FIG. 4, a concave groove 35 </ b> A that extends radially from the central portion of the diaphragm base 35 toward the outer peripheral edge is formed on the upper surface of the diaphragm base 35. The position of the end portion of the recessed groove 35A is on the inner side of the screwing portions of the diaphragm 34 and diaphragm base 35. A communication hole 35B communicating with the second air flow path 39B of the base 38 is formed in the central portion of the concave groove 35A. The diaphragm 34 is stretched on the diaphragm base 35 so as to cover the concave groove 35A. The diaphragm 34 is attached to the diaphragm base 35 by screwing it along the outer periphery of the diaphragm 34 at regular intervals.

図1に示すように圧力調整装置36は、圧力センサ36Aと真空ポンプ15Cの動作を制御する制御手段36Bとにより構成されている。ダイヤフラム34と凹溝35Aにより形成された空間内の流体圧(エア圧)を圧力センサ36Aが検出し、圧力センサ36Aからの計測データに基づいて制御手段36Bが真空ポンプ15Cの出力を制御することにより減圧チャンバ10の内部空間の気圧に比べてダイヤフラム34と凹溝35Aにより形成された空間内のエア圧を高くする。これにより、ダイヤフラム34の中央部分を上側(支持体保持部20側)に向けて突出した形状に湾曲させることができる。   As shown in FIG. 1, the pressure adjusting device 36 includes a pressure sensor 36A and a control unit 36B that controls the operation of the vacuum pump 15C. The pressure sensor 36A detects the fluid pressure (air pressure) in the space formed by the diaphragm 34 and the concave groove 35A, and the control means 36B controls the output of the vacuum pump 15C based on the measurement data from the pressure sensor 36A. As a result, the air pressure in the space formed by the diaphragm 34 and the groove 35A is made higher than the air pressure in the internal space of the decompression chamber 10. Thereby, the center part of the diaphragm 34 can be curved in the shape which protruded toward the upper side (supporting body holding | maintenance part 20 side).

先にも説明したとおり、吸着部32のダイヤフラム側の面には0.5mm程度の深さに形成された溝32Bが吸着孔32Aのそれぞれを橋渡ししながら吸着部32の外周縁方向に向かって放射状に形成されているので、ダイヤフラム34の上面と吸着部32の吸着面が密着していても、吸着孔32Aは溝32Bと第1エア流路39Aを介して真空ポンプ15Bに連通し、シリコンウエハ40のエアチャックを維持することができる。ダイヤフラム34と吸着部32との隙間はごくわずかであるため、吸着部32の吸着面もダイヤフラム34の変形形状に倣って変形することになる。すなわち、吸着孔32Aからのエア吸引により吸着保持されたシリコンウエハ40もまた、中央部分が支持体保持部20に向かって凸状に湾曲した状態になる。   As described above, the groove 32B formed to a depth of about 0.5 mm on the diaphragm side surface of the suction part 32 bridges the suction holes 32A toward the outer peripheral edge of the suction part 32. Since it is formed radially, even if the upper surface of the diaphragm 34 and the suction surface of the suction portion 32 are in close contact, the suction hole 32A communicates with the vacuum pump 15B via the groove 32B and the first air flow path 39A, and silicon The air chuck of the wafer 40 can be maintained. Since the gap between the diaphragm 34 and the suction portion 32 is very small, the suction surface of the suction portion 32 is also deformed following the deformed shape of the diaphragm 34. That is, the silicon wafer 40 sucked and held by air suction from the suction holes 32 </ b> A is also in a state where the central portion is curved in a convex shape toward the support holder 20.

次に、本実施形態における基板貼付装置100を用いた薄い基板と基板の支持体の貼り付け方法について説明する。図5〜図7はシリコンウエハとGaAS基板の貼り付け状態を示す正面図である。
まず、減圧チャンバ10の上半部11と下半部12を分解し、真空ポンプ15Bによるエア吸引を有効にした支持体保持部20にGaAs基板50を吸着位置指示部25にあわせて吸着させた後、GaAs基板50の露出面に接着剤の塗布または両面テープを貼り付ける。また、基板保持部30の吸着位置指示部32Zにシリコンウエハ40を位置合わせして吸着させた後、係止具14により上半部11と下半部12を組み合わせて減圧チャンバ10を組み立てる。減圧チャンバ10を組み立てた後、減圧装置である真空ポンプ15Aにより減圧チャンバ10の内部空間を減圧する。本実施形態においては、減圧チャンバ10の内部空間が大気圧(約101KPa)よりも65KPa低圧となるように減圧し、支持体保持部20および基板保持部30のそれぞれの吸着部24,32に与えるエア吸引の圧力を大気圧との圧力差が70KPa以上となるようにしている。
Next, a method for attaching a thin substrate and a substrate support using the substrate attaching apparatus 100 according to the present embodiment will be described. 5-7 is a front view which shows the bonding state of a silicon wafer and a GaAS substrate.
First, the upper half part 11 and the lower half part 12 of the decompression chamber 10 are disassembled, and the GaAs substrate 50 is adsorbed to the support holding part 20 in which air suction by the vacuum pump 15B is made effective according to the adsorption position instruction part 25. Thereafter, an adhesive or a double-sided tape is applied to the exposed surface of the GaAs substrate 50. Further, after the silicon wafer 40 is positioned and sucked to the suction position instruction part 32Z of the substrate holding part 30, the decompression chamber 10 is assembled by combining the upper half part 11 and the lower half part 12 by the locking tool 14. After assembling the decompression chamber 10, the internal space of the decompression chamber 10 is decompressed by a vacuum pump 15A that is a decompression device. In the present embodiment, the pressure is reduced so that the internal space of the decompression chamber 10 has a pressure of 65 KPa lower than the atmospheric pressure (about 101 KPa), and is given to the suction parts 24 and 32 of the support holding part 20 and the substrate holding part 30, respectively. The pressure difference between the air suction pressure and the atmospheric pressure is set to 70 KPa or more.

減圧チャンバ10の内部空間の減圧処理が完了した後、圧力調整装置36に設けられた圧力センサ36Aと制御手段36Bとは、ダイヤフラム34とダイヤフラム用ベース35の凹溝35Aとにより形成された空間内の圧力が大気圧に比べて30〜40KPa程度低圧となるように、真空ポンプ15Cの出力を調整する。このようにすることでダイヤフラム34は減圧チャンバ10の内部空間および各吸着部24,32の吸着圧力に対して正圧状態になり、ダイヤフラム34の中央部分が支持体保持部20に向かって突出した状態に湾曲する。ダイヤフラム34の変形に伴って吸着部32および吸着部32に吸着保持されているシリコンウエハ40をGaAs基板50にむけて凸状に湾曲させる(図5)。   After the decompression process of the internal space of the decompression chamber 10 is completed, the pressure sensor 36A and the control means 36B provided in the pressure adjusting device 36 are in the space formed by the diaphragm 34 and the concave groove 35A of the diaphragm base 35. The output of the vacuum pump 15 </ b> C is adjusted so that the pressure is about 30 to 40 KPa lower than the atmospheric pressure. By doing so, the diaphragm 34 is in a positive pressure state with respect to the internal space of the decompression chamber 10 and the suction pressures of the suction portions 24 and 32, and the central portion of the diaphragm 34 protrudes toward the support holding portion 20. Curve to state. As the diaphragm 34 is deformed, the suction portion 32 and the silicon wafer 40 sucked and held by the suction portion 32 are bent convexly toward the GaAs substrate 50 (FIG. 5).

湾曲形成体33によりシリコンウエハ40を支持体保持部20(GaAs基板50)に向かって凸状に湾曲させた後、サーボモータ22によりロッド21を基板保持部30に向けて突出させ、平坦に保持されているGaAs基板50を凸状に湾曲したシリコンウエハ40の頂上部分に押圧する(図6)。その後サーボモータ22は徐々にロッド21を押し出して、シリコンウエハ40を徐々に平坦となるように押圧しながらGaAs基板50とシリコンウエハ40を貼り付けする(図7)。このようにGaAs基板50をシリコンウエハ40に押圧させることで、GaAs基板50はシリコンウエハ40の中央部分からシリコンウエハ40の外周縁部分に向かって徐々に接着されることになる。   After the silicon wafer 40 is bent in a convex shape toward the support holding unit 20 (GaAs substrate 50) by the curved forming body 33, the rod 21 is projected toward the substrate holding unit 30 by the servo motor 22 and held flat. The formed GaAs substrate 50 is pressed against the top portion of the convexly curved silicon wafer 40 (FIG. 6). After that, the servo motor 22 gradually pushes out the rod 21, and affixes the GaAs substrate 50 and the silicon wafer 40 while gradually pressing the silicon wafer 40 so as to become flat (FIG. 7). By pressing the GaAs substrate 50 against the silicon wafer 40 in this manner, the GaAs substrate 50 is gradually bonded from the central portion of the silicon wafer 40 toward the outer peripheral edge portion of the silicon wafer 40.

このように減圧チャンバ10内の減圧された空間内において、GaAs基板50を湾曲させたシリコンウエハ40に押圧することにより、シリコンウエハ40をGaAs基板50に貼り付けする際に気泡の混入を可及的に防ぐことができる。また、GaAs基板50は横方向の変位が規制された状態でシリコンウエハ40に向けて押圧されるので貼り付け後にしわが生じることはない。
シリコンウエハ40とGaAs基板50の貼り付けが完了したら、支持体保持部20または基板保持部30の吸着部24,32の吸引を解除すると共に、減圧チャンバ10内の気圧を大気圧まで回復させ、減圧チャンバ10を解体した後に、GaAs基板50にシリコンウエハ40が貼り付けられたワークを取り出す。
In this way, by pressing the GaAs substrate 50 against the curved silicon wafer 40 in the decompressed space in the decompression chamber 10, bubbles can be mixed when the silicon wafer 40 is attached to the GaAs substrate 50. Can be prevented. Further, the GaAs substrate 50 is pressed toward the silicon wafer 40 in a state where the lateral displacement is restricted, so that no wrinkle is generated after the bonding.
When the bonding of the silicon wafer 40 and the GaAs substrate 50 is completed, the suction of the support portions 20 or the suction portions 24 and 32 of the substrate holding portion 30 is released, and the atmospheric pressure in the decompression chamber 10 is restored to the atmospheric pressure. After the decompression chamber 10 is disassembled, the work in which the silicon wafer 40 is bonded to the GaAs substrate 50 is taken out.

先述のとおり減圧チャンバ10、支持体保持部20および基板保持部30は少なくとも可視光に対して透明な材料により形成されているので、シリコンウエハ40とGaAs基板50の貼り付け状態を確認しながら貼り付け作業をすることができる。これにより、サーボモータ22の作動速度や、シリコンウエハ40の湾曲具合等を調整しながらシリコンウエハ40とGaAs基板50の貼り付け操作を行うことができるため好都合である。   As described above, since the decompression chamber 10, the support holding unit 20, and the substrate holding unit 30 are formed of a material that is at least transparent to visible light, the bonding is performed while checking the bonding state of the silicon wafer 40 and the GaAs substrate 50. Can be attached. This is advantageous because the operation of attaching the silicon wafer 40 and the GaAs substrate 50 can be performed while adjusting the operating speed of the servo motor 22 and the degree of bending of the silicon wafer 40.

(第2実施形態)
図8は第2実施形態における基板貼付装置の概略構成図である。第1実施形態においては、薄い基板であるシリコンウエハ40を湾曲させた状態において、平坦に保持した支持体であるGaAs基板50をシリコンウエハ40の頂部に接近させると共に押圧し、GaAs基板50にシリコンウエハ40を貼り付ける形態について説明したが、本実施形態においては、GaAS基板50は単に平坦に保持し、湾曲させたシリコンウエハ40をGaAs基板50に接近させる形態について説明する。本実施形態においては、先の実施形態と同じ構成の部材については同じ番号を用いることにより詳細な説明を省略している。
(Second Embodiment)
FIG. 8 is a schematic configuration diagram of a substrate pasting apparatus according to the second embodiment. In the first embodiment, in a state where the silicon wafer 40 that is a thin substrate is curved, the GaAs substrate 50 that is a flat support is brought close to the top of the silicon wafer 40 and pressed, and the silicon wafer 40 is pressed against the GaAs substrate 50. Although the form which affixes the wafer 40 was demonstrated, in this embodiment, the GaAS substrate 50 is simply hold | maintained flat and the form which makes the curved silicon wafer 40 approach the GaAs substrate 50 is demonstrated. In the present embodiment, detailed description is omitted by using the same numbers for members having the same configuration as in the previous embodiment.

本実施形態は、基板保持部30が支持体保持部20に接近するため基板保持部30と減圧ケース10に接離動規制手段である板バネ23が取り付けられている。ロッド21およびサーボモータ22も基板保持部30のベース38に取り付けられている。支持体保持部20は上半部11または下半部12に固定されている。   In this embodiment, since the substrate holding unit 30 approaches the support holding unit 20, a leaf spring 23 that is a contact / separation movement restricting unit is attached to the substrate holding unit 30 and the decompression case 10. The rod 21 and the servo motor 22 are also attached to the base 38 of the substrate holder 30. The support body holding part 20 is fixed to the upper half part 11 or the lower half part 12.

本実施形態においても、減圧チャンバ10内の減圧された空間内において、湾曲させたシリコンウエハ40にGaAs基板50を押圧することにより、シリコンウエハ40をGaAs基板50に貼り付けする際に気泡の混入を可及的に防ぐことができる。また、シリコンウエハ40は横方向の変位が規制された状態でGaAS基板50に向けて押圧されるので貼り付け後にしわが生じることはない。   Also in this embodiment, bubbles are mixed when the silicon wafer 40 is bonded to the GaAs substrate 50 by pressing the GaAs substrate 50 against the curved silicon wafer 40 in the decompressed space in the decompression chamber 10. Can be prevented as much as possible. Further, since the silicon wafer 40 is pressed toward the GaAS substrate 50 in a state in which the displacement in the lateral direction is restricted, wrinkles do not occur after pasting.

(第3実施形態)
図9は第3実施形態における基板貼付装置の概略構成図である。第1実施形態および第2実施形態においては、基板であるシリコンウエハ40または支持体であるGaAs基板50のうちいずれか一方のみを貼り付け対象に向けて凸状に湾曲させる形態について説明しているが、本実施形態においては、基板41と基板の支持体51の両方をそれぞれ貼り付け対象にむけて凸状に湾曲させる形態としている。すなわち、第1実施形態および第2実施形態における支持体保持部20を基板保持部30と同様の構成にした点が特徴的である。
(Third embodiment)
FIG. 9 is a schematic configuration diagram of a substrate pasting apparatus according to the third embodiment. In the first embodiment and the second embodiment, a description is given of a form in which only one of the silicon wafer 40 as a substrate or the GaAs substrate 50 as a support is curved in a convex shape toward the object to be attached. However, in this embodiment, both the board | substrate 41 and the support body 51 of a board | substrate are set as the form curved to convex shape toward a sticking object, respectively. That is, the support holding unit 20 in the first embodiment and the second embodiment is characterized by having the same configuration as the substrate holding unit 30.

図9においては、支持体保持部20に適用した基板保持部30の構成要素について、基板保持部30における部材番号をそのまま適用している。
本実施形態の場合においては、支持体保持部20を基板保持部30に対して接離動可能に設けている。支持体保持部20の接離動に必要な構成は第1実施形態および第2実施形態と同様の構成を採用することができる。
In FIG. 9, the member numbers in the substrate holding unit 30 are applied as they are to the components of the substrate holding unit 30 applied to the support holding unit 20.
In the case of this embodiment, the support body holding part 20 is provided so as to be movable toward and away from the substrate holding part 30. The configuration necessary for the contact / separation movement of the support holding unit 20 can employ the same configuration as that of the first and second embodiments.

本実施形態においては、減圧チャンバ10内の減圧された空間内において、基板41と基板の支持体51の両方をそれぞれ貼り付け対象にむけて凸状に湾曲させる形態としているため、互いを貼り付けする際に気泡の混入をさらに好適に防止することができる。また、基板の支持体51は横方向の変位が規制された状態で基板41に向けて押圧されるので貼り付け後にしわが生じることはない。   In the present embodiment, both the substrate 41 and the substrate support 51 are curved in a convex shape toward the object to be adhered in the decompressed space in the decompression chamber 10, so that they are attached to each other. In doing so, it is possible to more suitably prevent bubbles from being mixed. In addition, since the substrate support 51 is pressed toward the substrate 41 in a state in which the lateral displacement is restricted, no wrinkles are generated after pasting.

以上に本願発明を実施形態に基づいて説明したが、本願発明にかかる基板貼付装置100は以上に説明した実施形態における構成に限定されるものではなく、発明の要旨を変更しない範囲に各種の改変をおこなった形態であっても、本願発明の技術的範囲に属することがあるのはもちろんである。例えば以上の実施形態においては、基板として板厚が300μm以下のシリコンウエハ40と、支持体として板厚が400μm以上のGaAs基板50を用いているが、基板および基板の支持体は必ずしも実施形態で説明したシリコンウエハ40とGaAs基板50の組み合わせに限定されるものではないのはもちろんである。
例えば、基板としては、薄いシリコンウエハ、薄いGaAsウエハ、フィルム、テープ、薄いプリント基板、リードフレーム、金属膜等が考えられる。一方、基板の支持体としては、シリコン厚ウエハ、ガラス、金属板等が考えられる。これらについては、ハンドリングが困難となる程度の板厚を有する基板と、ハンドリングが困難であった基板のハンドリング性を向上させることができる程度の板厚を有する基板の支持体であればよく、特に板厚が限定されるものではない
また、薄い基板をハンドリングすることのみを目的とするものではなく、薄い基板を他の材料に貼り付けする際に本願発明を適用することができる。
Although the invention of the present application has been described above based on the embodiment, the substrate sticking device 100 according to the invention of the present application is not limited to the configuration in the embodiment described above, and various modifications can be made without changing the gist of the invention. Of course, even if it is performed, it may belong to the technical scope of the present invention. For example, in the above embodiments, the silicon wafer 40 having a thickness of 300 μm or less is used as the substrate and the GaAs substrate 50 having a thickness of 400 μm or more is used as the support. Of course, it is not limited to the combination of the silicon wafer 40 and the GaAs substrate 50 described.
For example, as a substrate, a thin silicon wafer, a thin GaAs wafer, a film, a tape, a thin printed circuit board, a lead frame, a metal film, etc. can be considered. On the other hand, as a substrate support, a silicon thick wafer, glass, a metal plate, or the like can be considered. For these, it is sufficient that the substrate has a thickness that makes handling difficult, and a substrate support that has a thickness that can improve the handling properties of the substrate that has been difficult to handle. The plate thickness is not limited. Further, the present invention is not intended only for handling a thin substrate, and the present invention can be applied when a thin substrate is attached to another material.

また、以上の実施形態においては、減圧チャンバ10、支持体保持部20、基板保持部30のそれぞれが透明アクリル板や透明塩ビ板等の少なくとも可視光に対して透明な材料により形成されているが、減圧チャンバ10のみを少なくとも可視光に対して透明な材料により形成し、支持体保持部20と基板保持部30は必ずしも以上のような透明材料により形成しなくても良い。
要は、減圧チャンバ10内における基板と支持体の貼り付け状態を確認することができる構成となっていれば良い。
Further, in the above embodiment, each of the decompression chamber 10, the support holding unit 20, and the substrate holding unit 30 is formed of a material transparent to at least visible light such as a transparent acrylic plate or a transparent PVC plate. Only the decompression chamber 10 is formed of a material transparent to at least visible light, and the support holding unit 20 and the substrate holding unit 30 are not necessarily formed of the above transparent material.
In short, it is only necessary to have a configuration in which the attachment state of the substrate and the support in the decompression chamber 10 can be confirmed.

さらに、以上に説明した実施形態においては、支持体保持部20および/または基板保持部30を接離動させるための動力源としてサーボモータ22を採用しているが、サーボモータ以外の動力源を採用することができるのはもちろんのこと、動力源を用いずに人力によりロッド21を操作する形態とすることもできる。この形態によれば、基板と支持体の押圧加減を目視しながら微調整することが可能になると共に、基板貼付装置100を低コストで提供することができるため好都合である。   Furthermore, in the embodiment described above, the servo motor 22 is employed as a power source for moving the support holding unit 20 and / or the substrate holding unit 30 in contact with and away from each other, but a power source other than the servo motor is used. Of course, the rod 21 can be operated by human power without using a power source. According to this embodiment, it is possible to finely adjust the pressure on the substrate and the support while visually observing, and it is advantageous because the substrate sticking device 100 can be provided at a low cost.

第1実施形態における基板貼付装置の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the board | substrate sticking apparatus in 1st Embodiment. 基板保持部の組立構成図である。It is an assembly block diagram of a board | substrate holding part. 基板保持部の組立構成図である。It is an assembly block diagram of a board | substrate holding part. 基板保持部の組立状態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the assembly state of a board | substrate holding part. シリコンウエハとGaAS基板の貼り付け状態を示す正面図である。It is a front view which shows the bonding state of a silicon wafer and a GaAS board | substrate. シリコンウエハとGaAS基板の貼り付け状態を示す正面図である。It is a front view which shows the bonding state of a silicon wafer and a GaAS board | substrate. シリコンウエハとGaAS基板の貼り付け状態を示す正面図である。It is a front view which shows the bonding state of a silicon wafer and a GaAS board | substrate. 第2実施形態における基板貼付装置の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the board | substrate sticking apparatus in 2nd Embodiment. 第3実施形態における基板貼付装置の概略構成を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows schematic structure of the board | substrate sticking apparatus in 3rd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

10 減圧チャンバ
11 上半部
12 下半部
13 シール部材
14 係止具
15A,15B,15C 真空ポンプ
16 ロッド用貫通孔
17 エアチューブ用貫通孔
20 支持体保持部
21 ロッド
22 サーボモータ
23 板バネ
24 吸着部
25 吸着位置指示部
30 基板保持部
32 吸着部
32A 吸着孔
32B 溝
32Z 吸着位置指示部
33 湾曲形成体
34 ダイヤフラム
35 ダイヤフラム用ベース
35A 凹溝
35B 連通孔
36 圧力調整装置
37 シール部材
38 ベース
40 シリコンウエハ
41 基板
50 GaAs基板
51 基板の支持体
100 基板貼付装置
T エアチューブ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Pressure reduction chamber 11 Upper half part 12 Lower half part 13 Seal member 14 Locking tool 15A, 15B, 15C Vacuum pump 16 Rod through-hole 17 Air tube through-hole 20 Support body holding part 21 Rod 22 Servo motor 23 Plate spring 24 Suction part 25 Suction position instruction part 30 Substrate holding part 32 Suction part 32A Suction hole 32B Groove 32Z Suction position instruction part 33 Curve forming body 34 Diaphragm 35 Diaphragm base 35A Concave groove 35B Communication hole 36 Pressure adjusting device 37 Seal member 38 Base 40 Silicon wafer 41 Substrate 50 GaAs substrate 51 Substrate support 100 Substrate pasting apparatus T Air tube

Claims (6)

基板と、該基板を支持する支持体とを貼り付ける際に用いる基板貼付装置であって、
基板を吸着保持可能に形成された基板保持部と、
該基板保持部と位置合わせされていると共に、支持体を吸着保持した状態で前記基板保持部に接離動可能に設けられた支持体保持部と、
該支持体保持部の接離動方向を規制する接離動方向規制手段と、
前記基板保持部と前記支持体保持部のうち少なくとも前記基板保持部に設けられ、流体圧により作動するダイヤフラムと流体圧を調整する圧力調整装置とにより構成された湾曲形成体と、
前記基板保持部と前記支持体保持部と前記湾曲形成体とを収容すると共に、内部空間を減圧可能に設けられた減圧チャンバと、を具備し、
前記減圧チャンバ内を減圧し、
前記圧力調整装置が前記ダイヤフラムの中央部分を凸状に湾曲させることにより、前記基板と前記支持体のうち少なくとも前記基板を前記ダイヤフラムの形状に倣わせて湾曲させ、
前記支持体保持部を前記基板保持部に接近させて、前記支持体の中央部分を前記基板の中央部分に押圧させることにより前記支持体に前記基板を貼り付けることを特徴とする基板貼付装置。
A substrate pasting apparatus used when pasting a substrate and a support that supports the substrate,
A substrate holding part formed so that the substrate can be sucked and held;
A support holding part that is aligned with the substrate holding part and is provided so as to be movable toward and away from the substrate holding part while adsorbing and holding the support;
Contact / separation direction regulating means for regulating the contact / separation direction of the support holding part;
A curved body formed by a diaphragm that is operated by fluid pressure and a pressure adjusting device that adjusts fluid pressure, provided in at least the substrate holder of the substrate holder and the support holder;
A pressure reducing chamber that accommodates the substrate holding part, the support holding part, and the curve forming body, and is provided so that the internal space can be depressurized;
Depressurizing the decompression chamber;
By curving the central portion of the diaphragm in a convex shape by the pressure adjusting device, at least the substrate of the substrate and the support is curved following the shape of the diaphragm,
The substrate sticking apparatus, wherein the substrate holding device is attached to the support by bringing the support holding portion closer to the substrate holding portion and pressing the central portion of the support against the central portion of the substrate.
基板と、該基板を支持する支持体とを貼り付ける際に用いる基板貼付装置であって、
支持体を吸着保持可能に形成された支持体保持部と、
該支持体保持部と位置合わせされていると共に、基板を吸着保持した状態で前記支持体保持部に接離動可能に設けられた基板保持部と、
該基板保持部の接離動方向を規制する接離動方向規制手段と、
前記基板保持部と前記支持体保持部のうち少なくとも前記基板保持部に設けられ、流体圧により作動するダイヤフラムと流体圧を調整する圧力調整装置とにより構成された湾曲形成体と、
前記基板保持部と前記支持体保持部と前記湾曲形成体とを収容すると共に、内部空間を減圧可能に設けられた減圧チャンバと、を具備し、
前記減圧チャンバ内を減圧し、
前記圧力調整装置が前記ダイヤフラムの中央部分を凸状に湾曲させることにより、前記基板と前記支持体のうち少なくとも前記基板を前記ダイヤフラムの形状に倣わせて湾曲させ、
前記基板保持部を前記支持体保持部に接近させて、前記基板の中央部を前記支持体の中央部に押圧させることにより前記支持体に前記基板を貼り付けることを特徴とする基板貼付装置。
A substrate pasting apparatus used when pasting a substrate and a support that supports the substrate,
A support holding part formed so as to be capable of adsorbing and holding the support; and
A substrate holding portion that is aligned with the support holding portion and is provided so as to be movable toward and away from the support holding portion in a state where the substrate is sucked and held;
Contact / separation direction regulating means for regulating the contact / separation direction of the substrate holder;
A curved body formed by a diaphragm that is operated by fluid pressure and a pressure adjusting device that adjusts fluid pressure, provided in at least the substrate holder of the substrate holder and the support holder;
A pressure reducing chamber that accommodates the substrate holding part, the support holding part, and the curve forming body, and is provided so that the internal space can be depressurized;
Depressurizing the decompression chamber;
By curving the central portion of the diaphragm in a convex shape by the pressure adjusting device, at least the substrate of the substrate and the support is curved following the shape of the diaphragm,
A substrate pasting apparatus for pasting the substrate on the support by bringing the substrate holding part closer to the support holding part and pressing the central part of the substrate against the central part of the support.
前記接離動方向規制手段は、前記支持体保持部と前記減圧チャンバを接続する板バネであることを特徴とする請求項1記載の基板貼付装置。   The substrate pasting apparatus according to claim 1, wherein the contact / separation direction regulating means is a leaf spring that connects the support holding unit and the decompression chamber. 前記接離動方向規制手段は、前記基板保持部と前記減圧チャンバを接続する板バネであることを特徴とする請求項2記載の基板貼付装置。   3. The substrate pasting apparatus according to claim 2, wherein the contact / separation direction regulating means is a leaf spring that connects the substrate holding part and the decompression chamber. 前記基板保持部と前記支持体保持部の吸着面には、前記基板と前記支持体の大きさに対応する位置に吸着位置指示部が設けられていることを特徴とする請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載の基板貼付装置。   5. The suction position indicating portion is provided at a position corresponding to the size of the substrate and the support on the suction surfaces of the substrate holding portion and the support holding portion. The board | substrate sticking apparatus as described in any one of them. 前記基板保持部、前記支持体保持部、前記ダイヤフラム、前記減圧チャンバはそれぞれ透明材料により形成されていることを特徴とする請求項1〜5のうちいずれか一項に記載の基板貼付装置。   6. The substrate pasting apparatus according to claim 1, wherein the substrate holding unit, the support holding unit, the diaphragm, and the decompression chamber are each formed of a transparent material.
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