JP2009004673A - Molded package and its packaging method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、封止材の上面からパッケージをみたとき、封止材の外周端部からリードフレームが外側に突出していないモールドパッケージ、すなわち、アウターリードレスタイプのモールドパッケージ、および、そのようなモールドパッケージを外部基材へ実装する実装方法に関する。 The present invention relates to a mold package in which a lead frame does not protrude outward from an outer peripheral end portion of the sealing material when the package is viewed from the upper surface of the sealing material, that is, an outer leadless type mold package, and such a mold. The present invention relates to a mounting method for mounting a package on an external substrate.
従来より、この種のモールドパッケージとしては、電子部品とリード部とを電気的に接続し、リード部の一面上を樹脂よりなる封止材にて封止したパッケージであって、リード部の一面上が封止材により被覆され、リード部の一面とは反対側の他面が、当該パッケージを外部基材に搭載するときに外部基材に対向する封止材の搭載面にて露出しているものが提案されている(たとえば、特許文献1参照)。 Conventionally, this type of mold package is a package in which an electronic component and a lead portion are electrically connected, and one surface of the lead portion is sealed with a sealing material made of resin, The top surface is covered with a sealing material, and the other surface opposite to the one surface of the lead portion is exposed on the mounting surface of the sealing material facing the external substrate when the package is mounted on the external substrate. Have been proposed (see, for example, Patent Document 1).
このものは、リード部の一面上に位置する封止材の上面側からパッケージをみたとき、当該封止材の外周端部からリード部が外側に突出していないアウターリードレスタイプのモールドパッケージである。典型的には、QFN(クワッドフラットノンリードパッケージ)などが知られている。 This is an outer leadless mold package in which the lead portion does not protrude outward from the outer peripheral end of the sealing material when the package is viewed from the upper surface side of the sealing material located on one surface of the lead portion. . Typically, QFN (quad flat non-lead package) or the like is known.
そして、このものを、たとえば配線基板などの外部基材に実装するときには、封止材の搭載面を外部基材に対向させ、そこから露出するリード部の他面にて、当該外部基材とはんだ付けを行うようにしている。このようなモールドパッケージは、アウターリードを持たないため、実装面積を小さくでき、高密度実装に適したものである。
ところで、このようなアウターリードレスタイプのモールドパッケージを、外部基材にはんだ付けした場合、各部の熱膨張係数差によって発生するせん断応力が、リード部とはんだとの界面における剥離やクラックなどを発生させ、それによって、接続信頼性が低下してしまう恐れがある。 By the way, when such an outer leadless mold package is soldered to an external base material, the shear stress generated by the difference in coefficient of thermal expansion of each part generates peeling or cracking at the interface between the lead part and the solder. As a result, connection reliability may be reduced.
今後、電子部品の大電流化への対応が進むことが予測される。そして、このような場合には、リード部と外部基材との接続は、従来のはんだに代えて、より接続信頼性の高いレーザ溶接により行うことが好ましいと、本発明者は考えた。 In the future, it is predicted that the response to the increase in current of electronic components will progress. In such a case, the inventor considered that the connection between the lead portion and the external base material is preferably performed by laser welding with higher connection reliability instead of the conventional solder.
ここで、アウターリードを有するQFPなどのパッケージでは、パッケージを基板上に搭載した後、封止材の搭載面とは反対側すなわちモールドパッケージの上方から、アウターリードに対してレーザ溶接を行うことが可能である。 Here, in a package such as QFP having an outer lead, after the package is mounted on the substrate, laser welding can be performed on the outer lead from the side opposite to the mounting surface of the sealing material, that is, from above the mold package. Is possible.
しかし、アウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいては、リード部における封止材からの露出部位は、実質的に当該封止材の搭載面から露出する面のみである。そのため、実質的に可能な溶接方向は、封止材の搭載面側すなわちモールドパッケージの下方側からの溶接に限られてしまう。そして、モールドパッケージの下方側からの溶接に限られてしまうと、当該パッケージを基板などの外部基材上に搭載したときに、場合によっては溶接が行えなくなる可能性がある。 However, in the outer leadless mold package, the exposed portion of the lead portion from the sealing material is substantially only the surface exposed from the mounting surface of the sealing material. Therefore, the welding direction that is practically possible is limited to welding from the mounting surface side of the sealing material, that is, the lower side of the mold package. And if it is limited to the welding from the lower side of a mold package, when the said package is mounted on external base materials, such as a board | substrate, welding may become impossible depending on the case.
なお、通常この種のアウターリードレスタイプのパッケージでは、封止材の搭載面の外周端部においてもリード部の側面が露出している。しかしながら、この露出するリード部の側面は、リード部の板厚分の非常に小さな面積であり、実際にレーザ溶接に供することは難しい。 Normally, in this type of outer leadless type package, the side surface of the lead portion is exposed even at the outer peripheral end of the mounting surface of the sealing material. However, the exposed side surface of the lead portion has a very small area corresponding to the plate thickness of the lead portion, and it is difficult to actually use it for laser welding.
つまり、従来のアウターリードレスタイプのモールドパッケージについて外部基材との間でレーザ溶接を行うことは、溶接方向の制約が大きく、実装の自由度も小さくなってしまうこととなる。 In other words, performing laser welding with an external base material on a conventional outer leadless type mold package results in large restrictions on the welding direction and a small degree of freedom in mounting.
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、アウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、パッケージの上方からレーザ溶接によるリード部の接続を行えるようにすることを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to enable connection of lead portions by laser welding from above the package in an outer leadless mold package.
上記目的を達成するため、本発明は、アウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、封止材(50)の一部を、レーザを透過する材料よりなるレーザ透過部(55)として構成し、このレーザ透過部(55)を、封止材(50)におけるリード部(40)の一面(41)上に位置する外面(51、53)から、リード部(40)の一面(41)のうちリード部(40)の他面(42)における外部基材(200)との接合部上に位置する部位に到達するように、封止材(50)の一部として設けたことを、第1の特徴とする。 In order to achieve the above object, according to the present invention, in an outer leadless mold package, a part of the sealing material (50) is configured as a laser transmitting portion (55) made of a material that transmits laser, and this laser From the outer surface (51, 53) positioned on one surface (41) of the lead portion (40) in the sealing material (50), the transmission portion (55) is led out of the one surface (41) of the lead portion (40). (40) The first feature is that it is provided as a part of the sealing material (50) so as to reach a portion located on the joint portion with the external base material (200) on the other surface (42). And
それによれば、リード部(40)の一面(41)上に位置する封止材(50)の外面(51、53)からレーザを照射して、リード部(40)の一面(41)のうち他面(42)における外部基材(200)との接合部上に位置する部位までレーザを到達させることができる。 According to this, laser is irradiated from the outer surface (51, 53) of the sealing material (50) located on the one surface (41) of the lead portion (40), and the first surface (41) of the lead portion (40). The laser can be made to reach a portion located on the joint portion with the external base material (200) on the other surface (42).
そのため、外部基材(200)との接合の際には、封止材(50)の搭載面(52)とは反対側から、すなわちモールドパッケージ(100)の上方からレーザ照射して当該接合部に対応する部位に熱エネルギーを付与し、レーザ溶接を行うことが可能となる。その結果、パッケージの実装自由度が大きくなる。 Therefore, at the time of joining to the external base material (200), the joining portion is irradiated with laser from the side opposite to the mounting surface (52) of the sealing material (50), that is, from above the mold package (100). It is possible to apply heat energy to the part corresponding to the above and perform laser welding. As a result, the degree of freedom for mounting the package is increased.
ここで、レーザ透過部(55)は、レーザ光を透過する樹脂もしくはガラスよりなる透明な材料により構成されているものにできる。 Here, the laser transmission part (55) can be made of a transparent material made of resin or glass that transmits laser light.
また、リード部(40)の厚さを当該リード部(40)の一面(41)と他面(42)との距離としたとき、リード部(40)のうちリード部(40)の他面(42)における外部基材(200)との接合部に位置する部分の厚さを、リード部(40)のうち当該接合部以外の部分の厚さよりも薄いものとするのがよい(後述の図10等参照)。それによれば、リード部(40)におけるレーザ溶接部の厚さが薄くなるため、レーザ溶接がしやすい。 Further, when the thickness of the lead portion (40) is the distance between the one surface (41) of the lead portion (40) and the other surface (42), the other surface of the lead portion (40) of the lead portion (40). The thickness of the portion located at the joint portion with the external base material (200) in (42) should be thinner than the thickness of the lead portion (40) other than the joint portion (described later). (See FIG. 10). According to this, since the thickness of the laser welding part in the lead part (40) becomes thin, laser welding is easy.
また、リード部(40)において、リード部(40)の他面(42)における外部基材(200)との接合部に位置する部位に、リード部(40)の一面(41)と他面(42)との間を貫通する貫通穴(45a)を設けてもよい(後述の図11参照)。この場合もレーザ溶接がしやすくなる。 Further, in the lead portion (40), the one surface (41) and the other surface of the lead portion (40) are located at the portion located at the joint portion with the external base material (200) on the other surface (42) of the lead portion (40). You may provide the through-hole (45a) penetrated between (42) (refer below-mentioned FIG. 11). This also facilitates laser welding.
また、本発明は、アウターリードレスタイプのモールドパッケージ(100)を、リード部(40)の他面(42)にて、外部基材(200)とレーザ溶接するようにしたモールドパッケージの実装方法としてもとらえることができる。 The present invention also provides a method for mounting a mold package in which an outer leadless type mold package (100) is laser-welded to the external base material (200) on the other surface (42) of the lead portion (40). Can be captured as
そして、本発明では、この実装方法において、封止材(50)のうちリード部(40)の一面(41)上に位置する外面(51、53)からリード部(40)の一面(41)まで渡る部位を、レーザを透過する材料よりなるレーザ透過部(55)として構成し、リード部(40)の他面(42)を前記外部基材(200)に接触させた状態で、レーザ透過部(55)を介してリード部(40)の一面(41)に、前記レーザを照射することにより、当該レーザが照射された部位にてリード部(40)と外部基材(200)とが溶け合った溶融部(K)を形成することを、第2の特徴とする(後述の図1参照)。 In the present invention, in this mounting method, one surface (41) of the lead portion (40) from the outer surface (51, 53) located on the one surface (41) of the lead portion (40) of the sealing material (50). The portion extending up to this point is configured as a laser transmitting portion (55) made of a material that transmits laser, and the other surface (42) of the lead portion (40) is in contact with the external base material (200). By irradiating the one surface (41) of the lead portion (40) through the portion (55) with the laser, the lead portion (40) and the external base material (200) are formed at the portion irradiated with the laser. The second feature is to form a melted portion (K) that is melted together (see FIG. 1 described later).
それによれば、リード部(40)の一面(41)上に位置する封止材(50)の外面(51、53)からレーザ透過部(55)を通して、リード部(40)の一面(41)のうち他面(42)における外部基材(200)との接合部上に位置する部位まで、レーザを照射し、溶融部(K)を形成することができる。 According to this, one surface (41) of the lead portion (40) passes from the outer surface (51, 53) of the sealing material (50) located on the one surface (41) of the lead portion (40) through the laser transmitting portion (55). Among them, the laser beam can be irradiated to a portion located on the joint portion with the external base material (200) on the other surface (42) to form the melted portion (K).
そのため、外部基材(200)との接合の際には、モールドパッケージ(100)の上方からレーザ照射してリード部(40)の一面(41)のうち当該接合部に対応する部位に熱エネルギーを付与し、レーザ溶接を行うことが可能となる。その結果、パッケージの実装自由度が大きくなる。 Therefore, at the time of joining with the external base material (200), laser energy is irradiated from above the mold package (100) and thermal energy is applied to a portion corresponding to the joint portion of one surface (41) of the lead portion (40). And laser welding can be performed. As a result, the degree of freedom for mounting the package is increased.
ここで、上記実装方法においては、溶融部(K)の形成を行った後、レーザ透過部(55)の外表面を、紫外線を遮断する部材(70)にて被覆するようにしてもよい(後述の図4参照)。 Here, in the above mounting method, after the melted portion (K) is formed, the outer surface of the laser transmitting portion (55) may be covered with a member (70) that blocks ultraviolet rays ( (See FIG. 4 below).
レーザ透過部(55)は紫外線を透過しやすい可能性があるため、使用環境としてパッケージに紫外線が当たる場合には、レーザ透過部(55)の外表面を紫外線を遮断する部材(70)にて被覆することで、パッケージ内部への紫外線を遮断し、封止材(50)の劣化などを防止できる。 Since the laser transmitting portion (55) may easily transmit ultraviolet rays, when the package is exposed to ultraviolet rays as a usage environment, the outer surface of the laser transmitting portion (55) is blocked by a member (70) that blocks ultraviolet rays. By covering, ultraviolet rays to the inside of the package can be blocked, and deterioration of the sealing material (50) can be prevented.
また、上記実装方法においては、レーザ透過部(55)において、レーザの照射方向とは直交する方向に沿った幅が、レーザのビーム径よりも大きいことが好ましい(後述の図6参照)。それによれば、レーザがレーザ透過部(55)以外の封止材(50)に照射されて劣化する可能性を極力低減することができる。 In the above mounting method, it is preferable that the width along the direction orthogonal to the laser irradiation direction is larger than the beam diameter of the laser in the laser transmitting portion (55) (see FIG. 6 described later). According to this, it is possible to reduce as much as possible the possibility that the laser irradiates the sealing material (50) other than the laser transmitting portion (55) and deteriorates.
また、上記実装方法において、封止材(50)のうちリード部(40)の一面(41)上に位置する外面が、リード部(40)の一面(41)から当該一面(41)の上方へ延びる面としての封止材(50)の側面(53)であり、レーザ照射を、モールドパッケージ(103)以外の他の部品(300)を封止材(50)の側面(53)と対向させた状態で行う場合には、次のようにするのがよい。 In the mounting method, the outer surface of the sealing material (50) positioned on the one surface (41) of the lead portion (40) is above the one surface (41) from the one surface (41) of the lead portion (40). It is a side surface (53) of the sealing material (50) as a surface extending to the side, and the laser irradiation is performed so that the component (300) other than the mold package (103) faces the side surface (53) of the sealing material (50). When it is performed in the state where it has been made, it is better to do as follows.
この場合、封止材(50)の側面(53)におけるレーザ透過部(55)の上端部(55a)とリード部(40)の一面(41)のうちレーザが照射される部位(41a)とを結ぶ第1の仮想線(L1)と、リード部(40)の一面(41)とのなす角度を第1の角度θ1とする。 In this case, the upper end portion (55a) of the laser transmitting portion (55) on the side surface (53) of the sealing material (50) and the portion (41a) irradiated with the laser among the one surface (41) of the lead portion (40), An angle formed between the first imaginary line (L1) connecting the two and one surface (41) of the lead portion (40) is defined as a first angle θ1.
また、他の部品(300)のうち封止材(50)寄りの上端部(300a)とリード部(40)の一面(41)のうちレーザが照射される部位(41a)とを結ぶ第2の仮想線(L2)と、リード部(40)の一面(41)とのなす角度を第2の角度θ2とする。 In addition, the second part connecting the upper end part (300a) near the sealing material (50) of the other parts (300) and the part (41a) irradiated with the laser among the one surface (41) of the lead part (40). An angle formed between the virtual line (L2) and one surface (41) of the lead portion (40) is defined as a second angle θ2.
さらに、封止材(50)の側面(53)におけるレーザ透過部(55)の上端部(55a)と他の部品(300)のうち封止材(50)寄りの上端部(300a)との距離をH3とする。 Further, the upper end portion (55a) of the laser transmitting portion (55) on the side surface (53) of the sealing material (50) and the upper end portion (300a) near the sealing material (50) among the other components (300). Let the distance be H3.
そして、このようにパラメータを定義したとき、レーザ透過部(55)を、封止材(50)における第1の仮想線(L1)と第2の仮想線(L2)との間の領域の全体に配置した状態とし、且つ、(θ1−θ2)>0°であって距離H3がレーザのビーム径よりも大きい状態にて、レーザ照射を行うことが好ましい(後述の図14参照)。 Then, when the parameters are defined in this way, the laser transmitting portion (55) is placed over the entire region between the first imaginary line (L1) and the second imaginary line (L2) in the sealing material (50). It is preferable that the laser irradiation be performed in a state in which the laser beam is disposed in a state where (θ1−θ2)> 0 ° and the distance H3 is larger than the beam diameter of the laser (see FIG. 14 described later).
それによれば、モールドパッケージ(103)の隣に他の部品(300)が配置されていても、レーザ透過部(55)を介して適切にレーザ溶接を行うことが可能となる。 According to this, even if another component (300) is arranged next to the mold package (103), it is possible to appropriately perform laser welding via the laser transmitting portion (55).
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。 In addition, the code | symbol in the bracket | parenthesis of each means described in the claim and this column is an example which shows a corresponding relationship with the specific means as described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent to each other are given the same reference numerals in the drawings in order to simplify the description.
(第1実施形態)
図1は、本発明の第1実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ100の概略断面構成を示す図であり、本モールドパッケージ100を外部基材200に実装した状態を示している。
(First embodiment)
FIG. 1 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an outer
また、図2(a)は、図1のモールドパッケージ100における封止材50の上面51側の概略平面構成を示す図、図2(b)は、図1のモールドパッケージ100における封止材50の下面52側の概略平面構成を示す図である。
2A is a diagram showing a schematic plan configuration on the
なお、以下、各構成要素における上面、下面とは、図面と対応させてわかりやすくする目的で、図1中の各構成要素において上側に位置する面、下側に位置する面を意味するものにすぎず、実際の天地方向に相当する上下関係まで限定するものではない。つまり、或る構成要素の上面は、当該構成要素の一面であり、下面は当該一面とは反対側に位置する他面であることを意味する。 Hereinafter, the upper surface and the lower surface of each component means the surface located on the upper side and the surface located on the lower side in each component in FIG. 1 for the sake of clarity in correspondence with the drawing. However, it is not limited to the vertical relationship corresponding to the actual top-and-bottom direction. That is, the upper surface of a certain component is one surface of the component, and the lower surface is the other surface located on the opposite side of the one surface.
本モールドパッケージ100は、大きくは、電子部品10とリード部40とをボンディングワイヤ60を介して電気的に接続したものを、封止材50により封止してなるものである。
The
電子部品10は、ICチップ、コンデンサ、抵抗素子などの表面実装部品であれば、特に限定されるものではないが、図1に示される例では、電子部品10はシリコン半導体よりなるICチップとして示されている。
The
この電子部品10は、はんだやAgペーストなどのダイマウント材20を介してダイパッド30の上面31に搭載され固定されている。このダイパッド30としては、リード部40と一体に形成されたリードフレームのアイランドよりなるものや、リードフレームにかしめなどにより固定されたヒートシンクなどが挙げられる。
The
ここで、ダイパッド30は、電子部品10を搭載するとともに電子部品10の熱を放熱する機能を有するものであり、放熱性に優れた銅、モリブデン、アルミニウム、鉄などの材料よりなることが好ましい。本実施形態では、ダイパッド30は矩形板状をなしており、ダイパッド30の下面32は、モールド樹脂50の下面52にて露出しており、放熱面として構成されている。
Here, the
また、リード部40は、銅などの一般的なリードフレーム材料よりなるものであり、封止材50の内部にてダイパッド30の周囲に配置されている。なお、リード部40は、本実施形態では複数個配置されているが、場合によっては1個であってもよい。
The
このリード部40は、表裏の板面である上面41および下面42がともに矩形状をなす矩形板状のものである。そして、電子部品10とリード部40の上面41とは、ボンディングワイヤ60により電気的に接続されている。
The
ここで、ボンディングワイヤ60は、一般的なAuやアルミニウムなどよりなるもので、通常のワイヤボンディングにより形成されるものである。そして、本モールドパッケージ100においては、電子部品10とリード部40とは、ボンディングワイヤ60を介して電気的に接続されている。
Here, the
また、封止材50のうち後述するレーザ透過部55以外の部分は、通常、この種のモールドパッケージに用いられるモールド材料、例えばエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂などを採用できる。ここで、図1、図2に示されるように、封止材50は、表裏の板面である上面51および下面52がともに矩形状をなす矩形板状のものである。
In addition, a portion of the sealing
また、封止材50の下面52は、パッケージ100が外部基材200に搭載されるときに外部基材200に対向する搭載面52として構成されている。また、封止材50の上面51の外周および下面52の外周に位置する面53は、封止材50の外周端部を構成する側面53である。
Further, the
そして、本モールドパッケージ100においては、図1、図2に示されるように、リード部40においてボンディングワイヤ60が接続された上面41が封止材50により被覆されており、このリード部40の上面41とは反対側の下面42が、封止材50の下面52にて露出している。さらに、リード部40において上面41および下面42の外周部に位置する側面43が、封止材50の側面53にて露出している。
In the
このように、本モールドパッケージ100は、アウターリードレスタイプのモールドパッケージの特徴として、封止材50の上面51または下面52からパッケージ100をみたとき、封止材50の外周端部すなわち封止材50の側面53とリード部40の側面43とは実質的に同一平面上に位置しており、封止材50の側面53からリード部40が外側に突出していない。
As described above, the
そして、このモールドパッケージ100は、図1に示されるように、外部基材200に搭載されて使用されるが、このとき、封止材50の下面52にて露出するリード部40の下面42は、外部基材200に接合される。ここでは、リード部40と外部基材200とはレーザ溶接されている。
As shown in FIG. 1, the
ここで、外部基材200としては、配線基板のパッドやリードフレーム、あるいはバスバーなどが挙げられる。図1に示される例では、セラミック基板やプリント基板などよりなる基板201上に設けられたCuやAlなどよりなるパッドやリードフレームが、外部基材200として表されている。
Here, examples of the
また、本実施形態の溶接は、リード部40の下面42に外部基材200を接触させた状態で、図1中の矢印Yに示されるように、モールドパッケージ100の上方からレーザ溶接を行うものである。
Further, the welding according to the present embodiment is a method in which laser welding is performed from above the
なお、ここで、モールドパッケージ100の上方とは、封止材50の搭載面52とは反対側の上面51側である。このパッケージの上下関係については、半導体素子やパッケージの実装分野にてフェースダウンという言葉があるように、実装部品の搭載面側を下方とするという一般的な常識に基づいている。
Here, the upper side of the
それにより、図1に示されるように、リード部40と外部基材200とが溶け合った溶融部Kが形成され、モールドパッケージ100と外部基材200とが電気的・機械的に接続されたものとなっている。
As a result, as shown in FIG. 1, a melted portion K in which the
このように、本実施形態では、アウターリードレスタイプのモールドパッケージ100において、従来とは異なり、封止材50の搭載面52とは反対側の封止材50の上面51側から、すなわち、モールドパッケージ100の上方から、リード部40と外部基材200とのレーザ溶接を可能としている。
Thus, in the present embodiment, in the outer leadless
このことを可能とするべく、本実施形態では、独自の構成として、封止材50の一部を、レーザを透過する材料よりなるレーザ透過部55として構成している。このレーザ透過部55は、図1、図2に示されるように、封止材50におけるリード部40の上面41上に位置する外面51、53から、リード部40の上面41に到達するように、封止材50の一部として設けられている。
In order to make this possible, in this embodiment, as a unique configuration, a part of the sealing
ここで、「封止材50におけるリード部40の上面41上に位置する外面51、53」とは、封止材50の搭載面である下面52以外の面であってリード部40の上面41よりも図1において上方に位置する外面51、53である。つまり、本実施形態では、当該外面51、53は、矩形ブロック状の封止材50における上面51と側面53に相当するものである。
Here, “the
また、リード部40の上面41のうちレーザ透過部55が到達する部位は、リード部40の上面41のうちのレーザ溶接部となるべき部位である。そして、このリード部40の上面41のうちのレーザ溶接部となるべき部位は、リード部40の下面42における外部基材200との接合部上に位置するリード部40の上面41の部分である。
Further, the portion of the
つまり、リード部40の上面41のうちリード部42の下面42における外部基材200との接合部上に位置する部位は、当該下面42側の当該接合部と平面的に同じ位置にある。
That is, the portion of the
なお、リード部40の下面42における外部基材200との接合部とは、リード部40の下面42のうち外部基材200に接触してレーザ溶接により接合されるべき部位、すなわち上記溶融部K(図1参照)が形成されるべき部位である。
In addition, the joint part with the
具体的に、本実施形態では、図1に示されるように、レーザ透過部55は、封止材50における上面51の周辺部および側面53を外表面として、リード部40の上面41のうちボンディングワイヤ60との接続部を除く部位の上に設けられた断面柱状をなすものである。
Specifically, in the present embodiment, as shown in FIG. 1, the
つまり、レーザ透過部55は、封止材50の上面51および側面53から、リード部40の上面41のうちの上記接合部上に位置する部位まで、連続的に設けられている。そして、レーザ透過部55は、図2(a)に示されるように、パッケージ100の周辺部を取り巻くように設けられている。ここでは、レーザ透過部55の平面形状は矩形額縁形状となっている。
That is, the
このレーザ透過部55としては、レーザ溶接に用いられるNd−YAGレーザなどのレーザ光が透過するものであればよい。具体的には、透明エポキシ樹脂などの樹脂や、ガラスなどよりなる透明な材料が挙げられる。なお、レーザ透過部55は、レーザ透過率50%以上、好ましくは70%以上、より好ましくは90%以上の材料であればよく、可視光に対して透明なものに限定されない。
As the
また、封止材50のうちレーザ透過部55以外の部位は、通常のこの種のパッケージに用いられるエポキシ樹脂である。このエポキシ樹脂は、一般のものと同様に、カーボンブラックなどが含有されたもので不透明なものである。
Further, the portion other than the
次に、本実施形態のモールドパッケージ100の製造方法について、図3も参照して述べる。図3(a)は、本製造方法においてレーザ透過部55の形成工程を示す工程図、図(b)は、封止材50による封止工程を示す工程図であり、それぞれ当該工程中のワークを断面的に示している。
Next, a method for manufacturing the
本製造方法は、一般的なMAP成型技術に基づくものである。また、ここでは、ダイパッド30は、リード部40とともに多連のリードフレームのアイランド部として構成されたものとする。このリードフレームは、図3に示されるように、複数のパッケージ単位のリード部40およびダイパッド30が、リード部40の間で連結したものであり、最終的には、図3中のダイシングラインDLにて、各単位に分断されるものである。
This manufacturing method is based on a general MAP molding technique. Here, it is assumed that the
まず、電子部品10をダイパッド30の上面31に搭載し、上記ダイマウント材20(図3では省略)を介して固定する。一方で、リード部40の上面41と電子部品10との間でワイヤボンディングを行い、これら両者10、40をボンディングワイヤ60により結線し電気的に接続する。
First, the
次に、図3(a)に示されるように、レーザ透過部55を形成する(レーザ透過部形成工程)。レーザ透過部55の配設方法としては、透明エポキシ樹脂などの樹脂材料をディスペンス法にて塗布する方法と、透明樹脂や透明ガラスなどよりなる固体透明材料を用いる方法とが挙げられる。
Next, as shown in FIG. 3A, a
まず、前者のディスペンス法にて塗布する方法については、リード部40の上面41上の適所、ここでは、ボンディングワイヤ60が接続されていない部位に、ディスペンサを用いて、たとえば透明エポキシ樹脂よりなるレーザ透過部55を柱状に配設する。
First, as for the method of applying by the former dispensing method, a laser made of, for example, a transparent epoxy resin is used at a suitable position on the
たとえば、リード部40の下面42側に図示しない熱板を設け、リード部40を80℃程度に加熱しながら塗布を行う。このとき、透明エポキシ樹脂を柱状に塗布するためには、当該樹脂の粘度としては、特に限定するものではないが、20Ps・s以上100Ps・s以下のものが挙げられる。
For example, a hot plate (not shown) is provided on the
そして、この透明エポキシ樹脂などよりなる柱状のレーザ透過部55は、加熱して仮硬化状態となるが、この状態で、レーザ透過部55の頂部をプレス加工などにより平坦面とする。このように平坦面とするのはレーザ透過を適切に行うためであり、同じ理由から、この平坦面の表面粗度をRz:25Z以下とするのがよい。こうして、透明樹脂の塗布によるレーザ透過部55の形成が完了する。
The columnar
また、固体透明材料を用いる方法では、予めレーザ透過部55の形状に加工しておいたガラス等の固体透明材料を、リード部40の上面41上の適所に接着剤などにより固定することにより、レーザ透過部55を形成する。
In the method using a solid transparent material, by fixing a solid transparent material such as glass that has been processed into the shape of the
こうして、レーザ透過部55を形成したワークを、図示しないモールド型に設置し、レーザ透過部55以外の封止材50による封止を行う。ここで、上記固体透明材料を用いた場合には、当該固体透明材料は、リード部40の上面41上の適所に接着されていなくてもよく、モールド型により、固体透明材料をリード部40に抑え付けて固定した状態とし、この状態で封止工程を行ってもよい。
In this way, the work on which the
この封止工程では、ワークが固定されたモールド型内に、エポキシ樹脂などよりなる封止材50を充填する。これにより、図3(b)に示されるように、ワイヤボンディングによって接続された電子部品10およびリード部40、さらにはダイパッド30が、封止材50により封止される。
In this sealing process, a sealing
この封止工程後のワークにおいては、複数個のパッケージ単位のワークが、リード部40を介して連結されている。そのため、次に、ワークを各パッケージ単位に個片化するために、ダイシングラインDLに沿って、リード部40の連結部を、封止材50とともにダイシングカットする。
In the workpiece after the sealing step, a plurality of package-unit workpieces are connected via the
これにより、上記図1、2に示したモールドパッケージ100ができあがる。このパッケージ100において、封止材50のうちリード部40の上面41上に位置する外面51、53からリード部40の上面41まで渡る部位が、レーザ透過部55として構成されたものとなっている。
Thereby, the
次に、このモールドパッケージ100を外部基材200に実装する。具体的には、上記図1に示されるように、パッケージ100における封止材50の下面52を外部基材200に対向させた状態で、パッケージ100を基板201上に搭載し、リード部40の下面42を外部基材200に接触させる。
Next, the
そして、この状態で、上記図1中の矢印Yに示されるように、レーザ透過部55を介してリード部40の上面41に、レーザを照射する。それにより、図1に示されるように、レーザが照射された部位にてリード部40と外部基材200とが溶け合った溶融部Kが形成される。こうして、パッケージ100と外部基材200とがレーザ溶接され、パッケージ100の実装が完了する。
In this state, as indicated by the arrow Y in FIG. 1, the laser is applied to the
ところで、本実施形態では、リード部40の上面41上に位置する封止材50の上面51および側面53から、リード部40の上面41のうちリード部40の他面42における外部基材200との接合部上に位置する部位にまで到達するように、封止材50の一部としてレーザ透過部55を設けている。
By the way, in this embodiment, from the
それにより、上述したように、封止材50の上面51および側面53からレーザを照射して、リード部40の上面41までレーザを到達させることができる。そのため、外部基材200との接合の際には、パッケージ100の下方となる搭載面52側からでなく、それとは反対側のパッケージ100の上方からレーザ照射し、接合部に対応する部位に熱エネルギーを付与することができる。
Thereby, as described above, the laser can be irradiated from the
つまり、本実施形態によれば、アウターリードレスタイプのモールドパッケージ100において、はんだ接合の場合と同様に、モールドパッケージ100の上方からレーザ溶接による接合を行うことが可能となる。その結果、パッケージ100の実装自由度が大きくなる。
That is, according to the present embodiment, in the outer leadless
また、本実施形態では、上記図1に示されるように、モールドパッケージ100を基板201上に搭載して外部基材200に溶接した後に、当該基板201上がらモールドパッケージ100の溶接部分を目視にて確認できるため、当該溶接部分の検査性の向上が期待できる。
In the present embodiment, as shown in FIG. 1, after the
(第2実施形態)
図4は、本発明の第2実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ101の概略断面構成を示す図であり、本モールドパッケージ101を外部基材200に実装した状態を示している。
(Second Embodiment)
FIG. 4 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of the outer
上述したが、封止材50のうちレーザ透過部55以外の部位は、通常のモールド樹脂と同様に、カーボンブラックなどを含有したものであり、それによって紫外線の侵入を防ぎ、樹脂や素子の劣化を防止している。
As described above, the portion other than the
本実施形態のモールドパッケージ101では、図4に示されるように、レーザ透過部55の外表面に、紫外線を遮断する部材としての紫外線遮断部材70を設け、レーザ透過部55を被覆している。この紫外線遮断部材としては、紫外線を遮断できるものであればかまわないが、たとえば、一般的な黒色塗料などが挙げられる。
In the
本実施形態のモールドパッケージ101は、上記第1実施形態のパッケージ実装方法において、レーザ溶接による溶融部Kの形成を行った後、レーザ透過部55の外表面を、紫外線遮断部材70にて被覆することにより、実装状態として完成する。たとえば、レーザ透過部55の外表面に、上記黒色塗料を塗布すれば、これが紫外線遮断部材70として構成される。
The
レーザ透過部55を構成する材料は、紫外線を透過しやすい可能性がある。パッケージ101に紫外線が当たる環境でパッケージ101を使用する場合には、レーザ透過部55の外表面を紫外線遮断部材70にて被覆することで、実装状態におけるパッケージ内部への紫外線をカットし、封止材50の劣化を防止できる。
There is a possibility that the material constituting the
また、本実施形態は、上記第1実施形態に述べたパッケージの実装方法において、溶融部Kの形成後に紫外線遮断部材70の形成工程を付加したものであり、上記した紫外線遮断部材70による効果とともに、上記第1実施形態と同様の効果も奏する。
In addition, the present embodiment is obtained by adding the step of forming the
(第3実施形態)
図5は、本発明の第3実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージ102の概略断面構成を示す図である。
(Third embodiment)
FIG. 5 is a diagram showing a schematic cross-sectional configuration of an outer
上記第1実施形態との相違を述べると、本実施形態のモールドパッケージ102では、レーザ透過部55は、上記第1実施形態に比べて細く、封止材50の側面53には露出せずに封止材50の上面51のみに露出している。つまり、本実施形態では、レーザ透過部55が形成されている封止材50におけるリード部40の上面41上に位置する外面とは、封止材50の上面51のみである。
The difference from the first embodiment will be described. In the
ここで、図6(a)、(b)は本実施形態におけるレーザ透過部55の拡大断面図である。本実施形態のような場合、レーザ透過部55においてレーザの照射方向とは直交する方向に沿った幅は、図6中の破線で示されるレーザRのビーム径よりも大きいことが望ましい。
Here, FIGS. 6A and 6B are enlarged cross-sectional views of the
レーザRは、封止材50の上面51からリード部40の上面41に向かって照射されるが、このレーザ照射の方向と直交する方向を照射直交方向(図6中の左右方向)とする。このときレーザ透過部55における照射直交方向に沿った断面積は、レーザRのビームの断面積よりも大きい方がよい。
The laser R is irradiated from the
つまり、たとえば本実施形態のレーザ透過部55が、照射直交方向断面が円形をなす丸穴である場合には、図6(a)に示されるように、このレーザ透過部55の径は、レーザRのビーム径よりも大きいことが望ましい。それによれば、レーザ照射時に、レーザRがレーザ透過部55の穴の範囲に収まり、レーザ透過部55以外の封止材50に当たることは少ない。
That is, for example, when the
それに対して、図6(b)に示されるように、レーザ透過部55の径がレーザRのビーム径よりも小さいと、レーザ照射時に、レーザRがレーザ透過部55の穴の範囲からはみ出て、レーザ透過部55以外の封止材50に当たる。すると、当該封止材50の劣化が懸念される。その点、図6(a)のようにすれば、レーザRがレーザ透過部55以外の封止材50に照射されて劣化する可能性を極力低減できる。
On the other hand, as shown in FIG. 6B, when the diameter of the
また、本実施形態では、実質的にレーザRが照射される経路のみにレーザ透過部55を設けており、封止材50全体の外表面に占めるレーザ透過部55の外表面の割合を極力少なくしている。
Further, in the present embodiment, the
たとえば、上記図1に示される例では、封止材50の側面53もレーザ透過部55として構成されていたが、本実施形態では当該側面53は通常のエポキシ樹脂などにより構成できるため、パッケージ側面からの紫外線劣化を防ぐことが可能となる。
For example, in the example shown in FIG. 1, the
ここで、図7(a)、(b)は、それぞれ本第3実施形態の他の例としてのアウターリードレスタイプのモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。封止材50の側面53には露出せず上面51からリード部40の上面41まで到達するレーザ透過部55としては、これら図7(a)、(b)に示されるようなものでもよい。
Here, FIGS. 7A and 7B are diagrams each showing a schematic cross-sectional configuration of an outer leadless mold package as another example of the third embodiment. The
なお、本実施形態においても、上記同様に、モールドパッケージ102の上方からレーザ照射して接合部に対応する部位に熱エネルギーを付与し、レーザ溶接を行うことが可能となる。また、レーザ透過部55の径をレーザRのビーム径よりも大きくするという構成は、上記第1実施形態においても適用可能なことはもちろんである。
Also in the present embodiment, similarly to the above, it is possible to perform laser welding by irradiating a laser from above the
(第4実施形態)
図8は、本発明の第4実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージの要部を示す概略平面図である。図8では、便宜上、封止材50のうちレーザ透過部55の表面には点ハッチングを施し、レーザ透過部55以外の封止材50の表面には斜線ハッチングを施し、これら両部の識別の容易化を図っている。
(Fourth embodiment)
FIG. 8 is a schematic plan view showing a main part of an outer leadless mold package according to a fourth embodiment of the present invention. In FIG. 8, for convenience, the surface of the
上記第1実施形態では、上記図2(a)に示されるように、封止材50の周辺部において、リード部40の上面41上だけでなく、リード部40とリード部40との間もレーザ透過部55として構成されていた。
In the first embodiment, as shown in FIG. 2A, not only on the
それに対して、図8に示されるように、封止材50の周辺部において、リード部40とリード部40との間は、レーザ透過部55ではない封止材50として構成してもよい。この場合も、上記第1実施形態と同様の製造方法にて形成が可能であり、その効果も同様である。
On the other hand, as shown in FIG. 8, in the peripheral portion of the sealing
(第5実施形態)
図9(a)〜(c)は、それぞれ本発明の第5実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージの概略断面構成を示す図である。上記第1実施形態との相違を中心に述べる。
(Fifth embodiment)
FIGS. 9A to 9C are diagrams each showing a schematic cross-sectional configuration of an outer leadless mold package according to the fifth embodiment of the present invention. The difference from the first embodiment will be mainly described.
上記第1実施形態では、レーザ透過部55は、封止材50の上面51および側面53に露出していたが、図9に示される各モールドパッケージでは、レーザ透過部55は、リード部40の上面41上に位置する封止材50の側面53にのみ露出しており、封止材50の上面51には露出していない。
In the first embodiment, the
つまり、本実施形態では、レーザ透過部55が形成されている封止材50におけるリード部40の上面41上に位置する外面とは、封止材50の側面53のみである。これら本実施形態のパッケージもおけるレーザ透過部55は、上記第1実施形態に示したディスペンス法にて塗布する方法や固体透明材料を用いる方法のいずれかを用いて、形成可能であることは明らかである。
That is, in the present embodiment, the outer surface located on the
そして、この場合の実装においては、たとえば図9(a)中の矢印Y’に示されるように、封止材50の側面53からレーザ透過部55を介してリード部40の上面41に向かって、斜めにレーザを照射する。
In mounting in this case, for example, as indicated by an arrow Y ′ in FIG. 9A, the
このように、本実施形態においても、モールドパッケージの上方からモールドパッケージと上記外部基材とをレーザ溶接できる。また、レーザ透過部55の径をレーザRのビーム径よりも大きくするという上記構成は、本実施形態においても適用可能なことはもちろんである。
As described above, also in this embodiment, the mold package and the external substrate can be laser-welded from above the mold package. In addition, the above configuration in which the diameter of the
(第6実施形態)
図10は、本発明の第6実施形態に係るアウターリードレスタイプのモールドパッケージの要部を示す図であり、(a)はリード部40の上面41側の平面図、(b)は(a)中のリード部40の断面図である。
(Sixth embodiment)
10A and 10B are views showing the main part of an outer leadless mold package according to the sixth embodiment of the present invention. FIG. 10A is a plan view of the
本実施形態は、上記各実施形態のモールドパッケージにおいてリード部40の構成を変更することで、上記各実施形態に適用可能なものである。以下、本実施形態のリード部40における構成上の変更点を中心に述べる。
The present embodiment can be applied to each of the above embodiments by changing the configuration of the
本実施形態では、図10に示されるように、リード部40の上面41のうちリード部40の下面42における上記外部基材200(図1参照)との接合部に位置する部分に、開口部45を設けたものである。図10では、開口部45を、円形の開口形状をなす有底の穴すなわち凹部45としている。
In the present embodiment, as shown in FIG. 10, an opening is formed in a portion of the
リード部40の厚さは、リード部40の上面41と下面42との距離であるが、このように凹部45を設けることで、リード部40のうち上記外部基材200との接合部に位置する部分の厚さは、リード部40のうち当該接合部以外の部分の厚さよりも薄いものとなっている。
The thickness of the
リード部40におけるレーザ溶接部の厚さは、薄い方が上記溶融部Kの形成のためには好ましく、たとえば約0.1mm以下が望ましいとされる。本実施形態では、このような凹部45を設けることで、リード部40におけるレーザ溶接部が薄くなるため、リード部40と外部基材200との溶融部Kが形成しやすくなり、レーザ溶接が容易になることが期待される。
A thinner laser welded portion in the
また、図11は、本実施形態における開口部を貫通穴45aとした例を示す図であり、(a)はリード部40の上面41側の平面図、(b)は(a)中のリード部40の断面図である。
FIG. 11 is a view showing an example in which the opening in this embodiment is a through
図11では、リード部40において、リード部40の下面42における外部基材200との接合部に位置する部位に、リード部40の上下両面41、42の間を貫通する貫通穴45aが設けられた構成となっている。この場合も、リード部40と外部基材200との溶融部Kが形成しやすくなり、レーザ溶接が容易になることが期待される。
In FIG. 11, in the
また、図12は、本実施形態における上記開口部を六角の開口形状をなす凹部45とした例であり、(a)はリード部40の上面41側の平面図、(b)は(a)中のリード部40の断面図である。このように、上記開口部としての凹部45の開口形状については、種々の形状が可能であり、それによる効果は実質的に同様である。
FIG. 12 is an example in which the opening in the present embodiment is a
また、図13は、本実施形態における上記開口部としての貫通穴45aに対して外部基材200側からの突起200aを挿入した例であり、(a)はリード部40の上面41側の平面図、(b)は(a)中のリード部40の断面図である。
FIG. 13 is an example in which a
この場合、外部基材200側に、当該外部基材200と一体もしくは別体の突起200aを設け、これを貫通穴45aに挿入した状態でレーザ溶接を行うため、リード部40と外部基材200との溶融部Kが形成しやすくなり、レーザ溶接が容易になることが期待される。
In this case, the
ここで、上記各図10〜図13に示されるような本実施形態の各開口部45、45aは、リード部40に対して、エッチング、切削、プレス、レーザ加工などを施すことにより、形成が可能である。
Here, the
さらに、リード部40におけるレーザ溶接部には、レーザを吸収しやすいような表面処理、たとえばレーザ波長を吸収しやすくする着色処理などを施してもよい。また、この処理の方法としては、蒸着、メッキ、ディスペンスなど手段を問わない。
Furthermore, the laser welding portion in the
(第7実施形態)
図14は、本発明の第7実施形態に係るモールドパッケージ103の実装方法におけるレーザ照射工程を示す工程図であり、パッケージ103の概略断面図である。
(Seventh embodiment)
FIG. 14 is a process diagram showing a laser irradiation process in the mounting method of the
本実装方法では、レーザ透過部55が、封止材50の上面51には露出せず、封止材50の側面53に露出している場合であり、レーザRの照射を封止材50の側面53からリード部40の上面41に向けて斜め方向に行うものである。
In this mounting method, the
この場合、基板201上には、モールドパッケージ103だけでなく、モールドパッケージ103の隣に、コンデンサ、抵抗、他のパッケージなどからなる他の部品300が搭載されている。
In this case, not only the
つまり、本実施形態のレーザ照射工程は、他の部品300を封止材50の側面53と対向させた状態で行う。このような状況において、レーザ照射が他の部品300によって阻害されないような寸法構成を規定し、この寸法構成を確保したうえでレーザ照射を行うのが、本実施形態の実装方法である。
That is, the laser irradiation process of the present embodiment is performed in a state where the
まず、図14において、リード部40の上面41のうちレーザRが照射される部位(以下、照射部という)41aは、レーザRのビームサイズに相当する領域であり、実質的に点とみなせる。
First, in FIG. 14, a portion (hereinafter referred to as an irradiation portion) 41 a irradiated with the laser R on the
そして、封止材50の側面53におけるレーザ透過部55の上端部55aとリード部40の一面41のうちの照射部41aとを結ぶ仮想線(図14中の破線L1)を第1の仮想線L1とする。一方、他の部品300のうち封止材50寄りの上端部300aとリード部40の一面41のうちの照射部41aとを結ぶ仮想線(図14中の破線L2)を第2の仮想線L2とする。
Then, a virtual line (broken line L1 in FIG. 14) connecting the
このとき、第1の仮想線L1とリード部40の一面41とのなす角度を第1の角度θ1と定義し、第2の仮想線L2とリード部40の一面41とのなす角度を第2の角度θ2と定義する。
At this time, an angle formed between the first virtual line L1 and the one
また、封止材50の側面53におけるレーザ透過部55の上端部55aと他の部品300のうち封止材50寄りの上端部300aとの距離(以下、部品間距離という)をH3とする。
Further, the distance between the
このように、各パラメータθ1、θ2、H3を定義したとき、本実装方法におけるレーザ照射工程では、図14に示されるように、レーザ透過部55は、第1の仮想線L1と第2の仮想線L2との間の領域の全体に配置した状態としている。
As described above, when the parameters θ1, θ2, and H3 are defined, in the laser irradiation process in the present mounting method, as shown in FIG. 14, the
さらに、このようなレーザ透過部55の配置状態に加えて、さらに、(θ1−θ2)>0°であって部品間距離H3がレーザRのビーム径よりも大きい状態にて、レーザ照射を行う。ここで、第1の角度θ1および第2の角度θ2との関係について、さらに言うならば、図14に示される例では、90°≧θ1≧θ2≧0°が満足されている。
Further, in addition to the arrangement state of the
そして、このようなレーザ照射の方法によれば、モールドパッケージ103の隣に他の部品300が配置されていても、レーザRが他の部品300に干渉することなく、レーザ透過部55を介してリード部40の上面41に到達するため、適切にレーザ溶接を行うことが可能となる。
According to such a laser irradiation method, even if another
(第8実施形態)
図15(a)、(b)は、それぞれ本発明の第8実施形態に係るモールドパッケージ100の実装方法におけるレーザ照射工程を示す工程図であり、パッケージの概略断面図である。
(Eighth embodiment)
FIGS. 15A and 15B are process diagrams showing a laser irradiation process in the mounting method of the
上記各実施形態では、レーザ照射によりリード部40と外部基材200とをレーザ溶接するものであったが、本実施形態では、レーザ照射によりリード部40と外部基材200とを、はんだ400を介して接合するものである。
In each of the above embodiments, the
本実施形態のモールドパッケージ100においても、上記実施形態と同様に、レーザ透過部55を有しているため、パッケージ100の上方からレーザ照射し、リード部40のうち接合部に対応する部位に熱エネルギーを付与することができる。そのため、図15(a)に示されるように、その熱エネルギーによって、はんだ400をリフローさせ、はんだ接合が可能となる。
Since the
また、このレーザ透過部55を介してモールドパッケージ100の上方からレーザを照射することにより、図15(b)に示されるように、はんだ接合後においても、はんだ400をリフローさせ、はんだ400中に発生したクラックCを無くすことが可能である。
Further, by irradiating a laser from above the
本実施形態によれば、レーザによって局所的に熱を加えればよいため、熱に弱い素子にも適用できる利点がある。また、はんだ接合部のリペアを容易に行えるため、製品全体の歩留まりを大幅に向上させることも可能である。 According to the present embodiment, since heat may be locally applied by a laser, there is an advantage that it can be applied to an element that is vulnerable to heat. In addition, since the solder joint can be easily repaired, the yield of the entire product can be greatly improved.
(他の実施形態)
なお、上記第1実施形態に示したパッケージの製造方法においては、レーザ透過部55を形成した後に、レーザ透過部55以外の封止材50による封止工程を行ったが、たとえば、モールド型に突起を設けてレーザ透過部55に相当する部位を未充填にしておき、封止後に、当該未充填部位にレーザ透過部55を充填することで形成してもよい。
(Other embodiments)
In the package manufacturing method shown in the first embodiment, after the
また、上記各実施形態では、ダイパッド上に直接、電子部品としてのICチップを搭載してなるモノリシックICを例にとったが、回路基板を搭載したモールドハイブリッドICにも、本発明は同様に適用することができる。 In each of the above embodiments, a monolithic IC in which an IC chip as an electronic component is directly mounted on a die pad is taken as an example. However, the present invention is similarly applied to a mold hybrid IC in which a circuit board is mounted. can do.
また、アウターリードレスタイプのモールドパッケージとしては、封止材50の下面52および側面53にてリード部40が露出するQFNに限定されるものではなく、封止材50の搭載面である下面52からリード部40の下面42が露出していれば、封止材50の側面53ではリード部40は露出していないものであってもよい。
Further, the outer leadless mold package is not limited to the QFN in which the
10…電子部品、40…リード部、41…リード部の一面としてのリード部の上面、
41a…リード部の上面のうちレーザが照射される部位、
42…リード部の他面としてのリード部の下面、45a…貫通穴、50…封止材、
51…封止材の上面、52…封止材の搭載面としての下面、53…封止材の側面、
55…レーザ透過部、55a…封止材の側面におけるレーザ透過部の上端部、
70…紫外線遮断部材、200…外部基材、300…他の部品、
300a…他の部品のうち封止材寄りの上端部、K…溶融部、
L1…第1の仮想線、L2…第2の仮想線。
DESCRIPTION OF
41a... Part of the upper surface of the lead portion that is irradiated with laser,
42 ... lower surface of the lead part as the other surface of the lead part, 45a ... through hole, 50 ... sealing material,
51 ... Upper surface of the sealing material, 52 ... Lower surface as a mounting surface of the sealing material, 53 ... Side surface of the sealing material,
55 ... laser transmitting part, 55a ... upper end part of the laser transmitting part on the side surface of the sealing material,
70 ... UV blocking member, 200 ... External base material, 300 ... Other parts,
300a: upper end portion close to sealing material among other components, K: melting portion,
L1 ... first imaginary line, L2 ... second imaginary line.
Claims (8)
前記リード部(40)の一面(41)上が前記封止材(50)により被覆されており、
さらに、前記リード部(40)の前記一面(41)とは反対側の他面(42)が、当該パッケージを外部基材(200)に搭載するときに前記外部基材(200)に対向する前記封止材(50)の搭載面(52)にて露出しており、
前記リード部(40)の前記他面(42)は、前記外部基材(200)と接合されるようになっているアウターリードレスタイプのモールドパッケージにおいて、
前記封止材(50)の一部は、レーザを透過する材料よりなるレーザ透過部(55)として構成されており、
このレーザ透過部(55)は、前記封止材(50)における前記リード部(40)の前記一面(41)上に位置する外面(51、53)から、前記リード部(40)の前記一面(41)のうち前記リード部(40)の前記他面(42)における前記外部基材(200)との接合部上に位置する部位に到達するように、前記封止材(50)の一部として設けられていることを特徴とするモールドパッケージ。 Electronic component (10), lead portion (40) electrically connected to electronic component (10), and sealing material (50) for sealing electronic component (10) and lead portion (40) A package comprising:
One surface (41) of the lead portion (40) is covered with the sealing material (50),
Furthermore, the other surface (42) opposite to the one surface (41) of the lead portion (40) faces the external substrate (200) when the package is mounted on the external substrate (200). Exposed at the mounting surface (52) of the sealing material (50),
In the outer leadless type mold package in which the other surface (42) of the lead portion (40) is to be joined to the external base material (200),
A part of the sealing material (50) is configured as a laser transmitting portion (55) made of a material that transmits laser,
The laser transmitting portion (55) extends from the outer surface (51, 53) located on the one surface (41) of the lead portion (40) in the sealing material (50) to the one surface of the lead portion (40). (41) of the sealing material (50) so as to reach a portion located on the joint portion with the external base material (200) on the other surface (42) of the lead portion (40). A mold package provided as a part.
前記リード部(40)のうち前記リード部(40)の前記他面(42)における前記外部基材(200)との接合部に位置する部分の厚さは、前記リード部(40)のうち当該接合部以外の部分の厚さよりも薄いものであることを特徴とする請求項1または2に記載のモールドパッケージ。 When the thickness of the lead portion (40) is the distance between the one surface (41) and the other surface (42) of the lead portion (40),
Of the lead portion (40), the thickness of the portion of the lead portion (40) located at the junction with the external base material (200) on the other surface (42) of the lead portion (40) is The mold package according to claim 1, wherein the mold package is thinner than a thickness of a portion other than the joint portion.
前記リード部(40)の前記他面(42)にて、外部基材(200)とレーザ溶接するようにしたモールドパッケージの実装方法において、
前記封止材(50)のうち前記リード部(40)の前記一面(41)上に位置する外面(51、53)から前記リード部(40)の前記一面(41)まで渡る部位を、レーザを透過する材料よりなるレーザ透過部(55)として構成し、
前記リード部(40)の前記他面(42)を前記外部基材(200)に接触させた状態で、
前記レーザ透過部(55)を介して前記リード部(40)の前記一面(41)に、前記レーザを照射することにより、当該レーザが照射された部位にて前記リード部(40)と前記外部基材(200)とが溶け合った溶融部(K)を形成することを特徴とするモールドパッケージの実装方法。 Electronic component (10), lead portion (40) electrically connected to electronic component (10), and sealing material (50) for sealing electronic component (10) and lead portion (40) The one surface (41) of the lead portion (40) is covered with the sealing material (50), and the other surface of the lead portion (40) opposite to the one surface (41) ( 42) an outer leadless mold package (100) exposed from the sealing material (50),
In the mounting method of the mold package in which the other surface (42) of the lead portion (40) is laser welded to the external base material (200),
A portion of the sealing material (50) extending from the outer surface (51, 53) located on the one surface (41) of the lead portion (40) to the one surface (41) of the lead portion (40) is a laser. Configured as a laser transmitting portion (55) made of a material that transmits
With the other surface (42) of the lead portion (40) in contact with the external base material (200),
By irradiating the one surface (41) of the lead portion (40) through the laser transmitting portion (55) with the laser, the lead portion (40) and the external portion are irradiated at the portion irradiated with the laser. A method for mounting a mold package, comprising forming a melted portion (K) in which a base material (200) is melted.
前記レーザ照射は、前記モールドパッケージ以外の他の部品(300)を前記封止材(50)の前記側面(53)と対向させた状態で行うものであり、
前記封止材(50)の前記側面(53)における前記レーザ透過部(55)の上端部(55a)と前記リード部(40)の前記一面(41)のうち前記レーザが照射される部位(41a)とを結ぶ第1の仮想線(L1)と、前記リード部(40)の前記一面(41)とのなす角度を第1の角度θ1とし、
前記他の部品(300)のうち前記封止材(50)寄りの上端部(300a)と前記リード部(40)の前記一面(41)のうち前記レーザが照射される部位(41a)とを結ぶ第2の仮想線(L2)と、前記リード部(40)の前記一面(41)とのなす角度を第2の角度θ2とし、
前記封止材(50)の前記側面(53)における前記レーザ透過部(55)の上端部(55a)と前記他の部品(300)のうち前記封止材(50)寄りの上端部(300a)との距離をH3としたとき、
前記レーザ透過部(55)を、前記封止材(50)における前記第1の仮想線(L1)と前記第2の仮想線(L2)との間の領域の全体に配置した状態とし、
さらに、(θ1−θ2)>0°であって前記距離H3が前記レーザのビーム径よりも大きい状態にて、前記レーザ照射を行うことを特徴とする請求項5ないし7のいずれか1つに記載のモールドパッケージの実装方法。 An outer surface of the sealing material (50) positioned on the one surface (41) of the lead portion (40) extends from the one surface (41) of the lead portion (40) to above the one surface (41). A side surface (53) of the sealing material (50) as a surface;
The laser irradiation is performed in a state where a component (300) other than the mold package is opposed to the side surface (53) of the sealing material (50),
A portion (41) of the sealing material (50) irradiated with the laser in the upper surface (55a) of the laser transmitting portion (55) and the one surface (41) of the lead portion (40) on the side surface (53). 41a) is a first imaginary line (L1) and the angle formed by the one surface (41) of the lead portion (40) is a first angle θ1,
Of the other component (300), an upper end portion (300a) near the sealing material (50) and a portion (41a) irradiated with the laser in the one surface (41) of the lead portion (40). An angle formed between the second imaginary line (L2) to be connected and the one surface (41) of the lead portion (40) is defined as a second angle θ2.
Of the side surface (53) of the sealing material (50), an upper end portion (55a) of the laser transmitting portion (55) and an upper end portion (300a) near the sealing material (50) of the other components (300) ) Is H3,
The laser transmitting portion (55) is disposed in the entire region between the first imaginary line (L1) and the second imaginary line (L2) in the sealing material (50),
The laser irradiation is performed in a state where (θ1−θ2)> 0 ° and the distance H3 is larger than a beam diameter of the laser. The mounting method of the mold package of description.
Priority Applications (1)
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Publications (2)
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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---|---|---|---|---|
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