JP2009004477A - 半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】光出力の高い半導体発光素子を提供する。
【解決手段】ｐｎ接合を有するＩｎＧａＡｌＰ系の活性層１６と、活性層１６上に形成され、活性層１６に流れる電流を広げるための電流拡散層１７と、電流拡散層１７上に形成され、膜厚が５ｎｍ乃至１００ｎｍのＧａＡｓ_１−ｘＰ_ｘ（０．４≦ｘ＜１．０）膜を有するコンタクト層１８と、コンタクト層１８上に形成され、活性層１６に通電するための電極１９とを具備する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体発光素子に関する。

ＧａＡｓよりバンドギャップエネルギーの大きい半導体材料をコンタクト層に用いる半導体発光素子がある（例えば特許文献１参照。）。

特許文献１に開示された半導体発光素子は、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＩｎＧａＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＡｓからなる群から選択される少なくとも１つの材料をコンタクト層としている。

然しながら、特許文献１に開示された半導体発光素子は、コンタクト層となりうる一連の半導体材料を羅列し、そのひとつとしてＧａＡｓＰを記載しているにすぎない。
即ち、コンタクト層として使える品質のＧａＡｓＰ膜、例えばＰ（燐）の組成比、膜厚、結晶欠陥レベルや、ＧａＡｓと格子整合しないＧａＡｓＰ膜を電流拡散層上に形成する方法などについては何ら開示していない。
特開２００４−１５８８２３号公報

本発明は、光出力の高い半導体発光素子を提供する。

本発明の一態様の半導体発光素子は、ｐｎ接合を有するＩｎＧａＡｌＰ系の活性層と、前記活性層上に形成され、前記活性層に流れる電流を広げるための電流拡散層と、前記電流拡散層上に形成され、膜厚が５ｎｍ乃至１００ｎｍのＧａＡｓ_１−ｘＰ_ｘ（０．４≦ｘ＜１．０）膜を有するコンタクト層と、前記コンタクト層上に形成され、前記活性層に通電するための電極と、を具備することを特徴としている。

本発明によれば、光出力の高い半導体発光素子が得られる。

以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。

図１は本発明の実施例１に係る半導体発光素子示す断面図である。
図１に示すように、本実施例の半導体発光素子１０は、基板、例えばｎ−ＧａＡｓ基板１１と、ｎ−ＧａＡｓバッファ層１２を介して基板１１上に形成され、ｎ―ＩｎＡｌＰクラッド層１３、ＩｎＧａＰ薄膜とＩｎＧａＡｌＰ薄膜が交互に積層されたＭＱＷ（Multiple Quantum Well）層１４、ｐ―ＩｎＡｌＰクラッド層１５を有する活性層１６と、活性層１６上に形成され、活性層１６に流れる電流を広げるためのｐ―ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１７と、電流拡散層１７上に形成され、膜厚が〜２５ｎｍ、キャリア濃度が〜２Ｅ１８／ｃｍ^３、Ｐの組成比ｘが０．４のＧａＡｓ_１−ｘＰ_ｘ（以後、ＧａＡｓＰとも記す）膜を有するコンタクト層１８と、ＧａＡｓＰコンタクト層１８上に形成され、活性層１６に通電するためのｐ側電極１９、ｎ側電極２０を具備している。
ｐ側電極１９はＧａＡｓＰコンタクト層１８上の一部に形成され、ｎ側電極２０はｎ−ＧａＡｓ基板１１の全面に形成されている。

本明細書では、Ｐの組成比とは、半導体膜中のＶ族元素におけるＰの比率を意味している。

ＭＱＷ層１４は、具体的には膜厚７ｎｍのＩｎ_０．５Ｇａ_０．５Ｐ量子井戸層と、膜厚５ｎｍのＩｎ_０．５（Ｇａ_０．５Ａｌ_０．５）_０．５Ｐ障壁層が５対形成されている。
ｐ側電極１９、ｎ側電極２０を電源に接続することにより、活性層１６に通電され、半導体発光素子１０は、波長〜６６０ｎｍで赤色発光する。

膜厚が〜２５ｎｍ、キャリア濃度が〜２Ｅ１８／ｃｍ^３、０．４のＰの組成比ｘが０．４のＧａＡｓＰコンタクト層１８は、直接遷移型の半導体で、バンドギャップが〜１．９ｅＶであり、波長〜６５０ｎｍの赤色光に対して十分な光透過率を有している。

ＧａＡｓＰコンタクト層１８は、比抵抗が〜１×１０^−３Ω・ｃｍ程度であり、電流拡散層１７に電流を流すのに十分なコンタクト抵抗を有している。
ＧａＡｓＰコンタクト層１８は、ｐ側電極１９、例えばＡｎＺｎ／Ｍｏ／Ａｕに対して、コンタクト抵抗は〜５×１０^−３Ω・ｃｍ程度が得られ、低抵抗のオーミックコンタクトを形成できる。

ＧａＡｓＰコンタクト層１８は、臨界膜厚（推定値〜５５ｎｍ）以下に設定されているので、ＧａＡｓとＧａＡｓＰの格子不整合による結晶欠陥の発生が抑制され、結晶欠陥により膜が白濁して光透過率が減少することのない十分に低い結晶欠陥レベルを有している。

従って、ＧａＡｓＰコンタクト層１８は、コンタクト層として使える十分な品質、即ち光学特性、電気特性および結晶性を有している。

次に、半導体発光素子１０の製造方法について説明する。周知のＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法により、ｎ−ＧａＡｓ基板１１上に、ｎ―ＧａＡｓバッファ層１２、活性層１６、ｐ―ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１７を順次形成する。

次に、同じくＭＯＣＶＤ法により、Ｇａ原料としてトリメチルガリウム（ＴＭＧ）、砒素原料としてアルシン（ＡｓＨ_３）、燐原料としてフォスフィン（ＰＨ_３）、ｐ型ドーパントとしてジメチル亜鉛（ＤＭＺ）を用いて、ｐ―ＧａＡｌＡｓ電流拡散層１７上にＰの組成比ｘが０．４、膜厚が〜２５ｎｍ、キャリア濃度が〜２Ｅ１８／ｃｍ^３のＧａＡｓＰコンタクト層１８を形成する。

ＧａＡｓＰコンタクト層１８のＰの組成比ｘは、アルシンとフォスフィンの流量モル比、即ちＰＨ_３／（ＡｓＨ_３＋ＰＨ_３）を調整することにより制御することができる。

以上説明したように、本実施例の半導体発光素子１０は、電流拡散層１７上に、コンタクト層として使える十分な品質のＧａＡｓＰコンタクト層１８を形成している。
その結果、従来のＧａＡｓをコンタクト層とした半導体発光素子に比べて、コンタクト層による光吸収を低減することができる。従って、光出力の高い半導体発光素子１０が得られる。

ここでは、ＧａＡｓＰコンタクト層１８のＰの組成比ｘが０．４である場合について説明したが、半導体発光素子１０の発光波長が〜６６０ｎｍの赤色より短い場合には、発光波長に応じてＰの組成比ｘを大きくすればよい。

ＧａＡｓＰのバンドギャップエネルギーは、Ｐの組成比ｘに比例してＧａＡｓの１．４２ｅＶからＧａＰの２．２６ｅＶまで変化する。
例えば、発光波長が〜６２０ｎｍの橙赤色の場合、Ｐの組成比ｘを〜０．４７とし、発光波長が〜５９０ｎｍの黄色の場合、Ｐの組成比ｘを〜０．８５とすればよい。
厳密に言うと、ＧａＡｓＰの吸収端（吸収のおこる最短波長）を発光波長以上にする必要はない。Pの組成比の高いＧａＡｓＰのような間接遷移型の半導体材料では、吸収端波長付近での吸収は小さいので、Pの組成はバンドギャップ関係式から求めた値よりも小さくても実用化することができる。

ＧａＡｓＰコンタクト層１８の膜厚が２５ｎｍの場合について説明したが、必要な特性、特に電気特性が満たされる範囲内であれば、臨界膜厚以下であればよい。
これは、ＧａＡｓＰはＧａＡｓに比べて、金属電極とのアロイ化処理中に溶けにくい性質を有しているため、オーミックコンタクト形成に必要な厚さ以上に、厚くする必要がないためである。

但し、膜厚が薄すぎると、ＭＯＣＶＤ成長時の膜厚のバラツキや、素子化工程でのエッチングストップ機能を考慮すると、５ｎｍ以上が適当であり、好ましい。

基板がｎ―ＧａＡｓ基板１１である場合について説明したが、発光波長に対して透明な基板であっても構わない。

即ち、図２に示すように、半導体発光素子３０は、ｎ―ＧａＰ基板３１と、ｎ―ＧａＰ基板３１上面に形成された活性層１６、電流拡散層１７、ｐ―ＧａＡｓＰコンタクト層１８と、ｎ―ＧａＰ基板３１の下面に形成されたｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層３２とを具備している。
ｐ―ＧａＡｓＰコンタクト層１８上の一部にｐ側電極１９が形成され、ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層３２上の一部にｎ側電極３３が形成されている。

これにより、ｎ―ＧａＡｓ基板１１に吸収されていた光も外部に取り出すことができるので、更に光出力が向上する利点がある。

半導体発光素子３０の製造方法は、大きく異なる。ＭＯＣＶＤ法により、ｐ−ＧａＡｓ基板（図示せず）上にｐ―ＧａＡｓＰコンタクト層１８、電流拡散層１７、活性層１６の順に形成する。

次に、ｎ―クラッド層１３上に中間組成のｎ−Ｉｎ_０．５（Ｇａ_０．３Ａｌ_０．７）_０．５Ｐ層（図示せず）を０．５μｍ程度形成する。
次に、成長温度を、例えば５０℃高くし、Ｇａ原料であるＴＭＧの供給量を、例えば２０倍に増加させて、ｎ―ＧａＰ層３１を〜１００μｍ成長させる。

次に、成長温度を元に戻して、ｎ―ＧａＰ層３１上に膜厚〜１０ｎｍのｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層３２を形成する。
次に、ｐ−ＧａＡｓ基板をエッチングで除去し、ｐ―ＧａＡｓＰコンタクト層１８上にｐ側電極１９を形成し、ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層３２上にｎ側電極３３を形成する。

ＧａＡｓＰコンタクト層１８上にｐ側電極１９を形成する場合について説明したが、透明電極を介してｐ側電極を形成しても構わない。

即ち、図３に示すように、半導体発光素子４０は、ＧａＡｓＰコンタクト層１８上に、例えばスパッタリング法により形成されたＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜４１と、ＩＴＯ膜４１上に形成されたｐ側電極４２を具備している。

導電性のＩＴＯ膜４１とｐ側電極４２のコンタクト抵抗は、ＧａＡｓＰコンタクト層１８とｐ側電極４２のコンタクト抵抗より小さいので、ｐ側電極４２のサイズＬ１をｐ側電極１９のサイズＬ２より小さくすることが可能である。

その結果、ｐ側電極４２により遮られ、外部に取り出せない光が減少するので、半導体発光素子４０の光出力が増加する利点がある。

基板１１が半導体基板である場合について説明したが、光を反射する導電体であっても構わない。

即ち、図４に示すように、半導体発光素子５０は、金属基板５１、例えばステンレス板上に金属膜５２、例えばＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕ膜を介して形成されたｎ−ＧａＡｓＰコンタクト層５３、ｎ−ＧａＡｌＡｓ通電容易層５４、活性層１６、電流拡散層１７、ｐ−ＧａＡｓＰコンタクト層１８を具備している。

ｎ−ＧａＡｓＰコンタクト層５３は、金属膜５２と全面で接触しオーミックコンタクトを形成しているので、十分に低いコンタクト抵抗が得られるとともに、金属基板５１側へ向かう光は、アロイ化された金属膜５２により上方に反射されるので、基板側に出た光が吸収されてしまう場合に比べて、例えば３０％程度光出力が増大する利点がある。

また、ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層５３を離散的に形成し、ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層の周りを発光波長に対して透明な部材で囲うようにしても構わない。

即ち、図５に示すように、半導体発光素子６０は、金属膜５２上に島状に形成されたｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層６１と、ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層６１の周りを囲うように形成された透明部材６２、例えばシリコン酸化膜を具備している。

ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層６１と接触している金属膜５２は、アロイ化されオーミックコンタクトを形成している。一方、透明部材６２と接触している金属膜５２はアロイ化されておらず鏡のような構造を形成しているので、アロイ化された領域より本来の金属としての高い反射率が維持されている。

ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層６１と透明部材６２の面積比は、目的のオーミックコンタクトと光出力が得られる範囲内であれば、自由に設定することができる。

これにより、十分なオーミックコンタクトを維持しながら、透明部材６２とアロイ化されていない金属膜５２の反射構造体により、更に光出力が増大する利点がある。

ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層６１を島状に形成する場合について説明したが、ライン状に形成しても構わない。

ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層６１を島状またはライン状に形成するには、ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層に、島状またはライン状のパターンを有するレジスト膜を形成する。
次に、レジスト膜をマスクとして、ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層を、例えば硫酸と過酸化水素の混合液でウエットエッチングする。

次に、例えばＣＶＤ法により、透明部材６２としてシリコン酸化膜をｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層６１よりも厚く形成する。
次に、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法により、ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層６１をストッパーとしてシリコン酸化膜を研磨し、ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層６１を露出させる。

図６は本発明の実施例２に係る半導体発光素子の要部を示す断面図である。本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。

本実施例が実施例１と異なる点は、ＧａＡｓＰコンタクト層が電流拡散層側から第１のＧａＡｓＰ膜と第１の膜上に形成された第２のＧａＡｓＰ膜を有し、第２のＧａＡｓＰ膜のＰの組成比が第１のＧａＡｓＰ膜のＰの組成比より大きいことにある。
即ち、図６に示すように、本実施例の半導体発光素子７０は、発光波長が黄色（〜５９０ｎｍ）の活性層（図示せず）を有し、電流拡散層１７上に形成され、第１のＧａＡｓ_１−ｙＰ_ｙ（以後、単にＧａＡｓＰという）膜７１と第２のＧａＡｓ_１−ｘＰ_ｘ（以後、単にＧａＡｓＰという）膜７２とを有するＧａＡｓＰコンタクト層７３を具備している。

第１のＧａＡｓＰ膜７１は、電流拡散層１７側から第２のＧａＡｓＰ膜７２側に向かってＰの組成ｙが０から０．８まで徐々に大きくなる、所謂グレーデッドなＧａＡｓＰ膜である。Ｐの組成の平均値は、０．４である。
第２のＧａＡｓＰ膜７２は、Ｐの組成比ｘが０．８と一定であり、第１のＧａＡｓＰ膜７１のＰの組成ｙより大きく設定されている。

電流拡散層１７上に、Ｐの組成比ｘが、例えば０．８と大きな第２のＧａＡｓＰ膜７２を直接成長させると、格子不整合による歪が大きくなるので、結晶欠陥の少ないＧａＡｓＰ膜を得ることが難しくなる。

然し、第１のＧａＡｓＰ膜７１のＰの組成比ｙが徐々に大きくなるように成長させることにより、格子不整合による転位等欠陥発生が抑えられ、Ｐの組成比ｘが大きくても結晶欠陥の少ない第２のＧａＡｓＰ膜７２を得ることが可能である。

これにより、第２のＧａＡｓＰ膜７２は、臨界膜厚（〜５５ｎｍ）を超える膜厚、例えば〜１００ｎｍ程度と厚くして、コンタクト抵抗を下げることができる。
ちなみに、第１のＧａＡｓＰ膜７１を有しない場合は、第２のＧａＡｓＰ膜（ｘ＝０．８）の厚さは２０ｎｍ程度が限界である。

一方、第１のＧａＡｓＰ膜７１は、Ｐの組成比ｙが半導体発光素子７０の発光波長に相当するバンドギャップエネルギーより小さい領域で光の吸収が生じるので、薄いほうが好ましい。

これにより、ＧａＡｓＰコンタクト層７３はコンタクト層として使用できる十分な品質を有している。

第１のＧａＡｓＰ膜７１のＰの組成比ｙを徐々に変えるには、アルシンとフォスフィンの流量モル比：ＰＨ_３／（ＡｓＨ_３＋ＰＨ_３）を、０から徐々に増加させることにより容易に実現することができる。

以上説明したように、本実施例の半導体発光素子７０は、Ｐの組成比ｙが徐々に大きくなる第１のＧａＡｓＰ膜７１と、Ｐの組成比ｘが一定の第２のＧａＡｓＰ膜７２とを有するＧａＡｓＰコンタクト層７３を具備している。
その結果、Ｐの組成比ｘが大きくても結晶欠陥の少ないＧａＡｓＰコンタクト層７３が得られるので、黄色から黄緑色の波長の短い半導体発光素子のコンタクト層として適している。

ここでは、第１のＧａＡｓＰ膜７１のＰの組成比ｙが直線的に大きくなる場合について説明したが、下凸状の曲線に沿って大きくなるようにしても構わない。

第１のＧａＡｓＰ膜７１のＰの組成比ｙが徐々に大きくなる場合について説明したが、Ｐの組成比ｙが階段状に大きくなるようにしても構わない。
即ち、図７に示すように、半導体発光素子７５は、電流拡散層１７上に形成され、Ｐの組成比ｙが階段状に大きくなる第１のＧａＡｓＰ膜７６と、Ｐの組成比ｘが一定な第２のＧａＡｓＰ膜７２とを有するＧａＡｓＰコンタクト層７７を具備している。

図８は本発明の実施例３に係る半導体発光素子の要部を示す断面図である。本実施例において、上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその部分の説明は省略し、異なる部分について説明する。

本実施例が実施例１と異なる点は、ＧａＡｓＰコンタクト層の第１の膜を、Ｐの含有量が異なる複数の半導体薄膜を繰り返し積層した構造体としたことにある。

即ち、図８に示すように、本実施例の半導体発光素子８０は、電流拡散層１７上に、Ｐの組成比が少ない第３の膜８１としてＰの組成比ｚが０．４のＧａＡｓ_１−ｚＰ_ｚ（以後、単にＧａＡｓＰという）膜と、Ｐの組成比が大きい第４の膜８２としてＰの組成比が１のＩｎＧａＰ膜とが、２対積層された第１の膜８３と、第２のＧａＡｓＰ膜７２とを有するＧａＡｓＰコンタクト層８４を具備している。

第１の膜８３のＰの組成比（平均）は０．７であり、第２のＧａＡｓＰ膜７２のＰの組成比ｘ＝０．８より小さく設定されている。これは、半導体発光素子８０の発光色が黄色の場合である。

半導体発光素子８０の発光色が黄色より長波長の橙色など場合は、Ｐの組成比は０．５〜０．６程度が適している。これは、Ｐの組成比が低い方が、第２のＧａＡｓＰ膜７２の製造が容易なためである。

格子定数の異なる第３の膜８１と第４の膜８２とを繰り返し積層した構造体とすることにより、積層界面で結晶欠陥の伝播方向が曲げられ、結晶欠陥が上方に伝播するのをブロックする効果が得られる。

これにより、上方に伝播する結晶欠陥が低減し、結晶欠陥の少ない第２のＧａＡｓＰ膜を７２得ることが可能である。
本実施例は、半導体発光素子８０の発光色が黄色から黄緑色（５９０〜５７５ｎｍ）で、第２のＧａＡｓＰ膜７２のＰの組成比が０．８以上と高い場合に、歪による欠陥発生を低減させるために非常に有効である。

第３の膜８１と第４の膜８２の膜厚、および第３の膜８１と第４の膜８２の積層回数は、実験的に適宜定めることができる。
例えば、積層回数が２〜１０程度で、良好な結果が得られるので、必要以上に積層回数数を増やす必要はない。

以上説明したように、本実施例の半導体発光素子８０は、Ｐの含有量が異なる第３の膜８１と第４の膜８２とを繰り返して積層した第１の膜８３と、Ｐの組成比ｘが一定の第２のＧａＡｓＰ膜７２とを有するＧａＡｓＰコンタクト層８４を具備している。

その結果、Ｐの組成比ｘが大きい範囲でも結晶欠陥の少ないＧａＡｓＰコンタクト層８４が得られるので、黄色から黄緑色の波長の短い半導体発光素子のコンタクト層として適している。

本発明の実施例１に係る半導発光素子を示す断面図。 本発明の実施例１に係る他の半導発光素子を示す断面図。 本発明の実施例１に係る他の半導発光素子を示す断面図。 本発明の実施例１に係る他の半導発光素子を示す断面図。 本発明の実施例１に係る他の半導発光素子を示す断面図。 本発明の実施例２に係る半導発光素子の要部を示す断面図。 本発明の実施例２に係る他の半導発光素子の要部を示す断面図。 本発明の実施例３に係る半導発光素子の要部を示す断面図。

符号の説明

１０、３０、４０、５０、６０、７０、７５、８０ 半導体発光素子
１１ 基板
１２ ｎ−ＧａＡｓバッファ層
１３ ｎ―ＩｎＡｌＰクラッド層
１４ ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰＭＱＷ層
１５ ｐ―ＩｎＡｌＰクラッド層
１６ 活性層
１７ ｐ―ＧａＡｌＡｓ電流拡散層
１８、７３、７７、８４ ｐ―ＧａＡｓＰコンタクト層
１９、４２ ｐ側電極
２０、３３ ｎ側電極
３１ ｎ―ＧａＰ層
３２、５３、６１ ｎ―ＧａＡｓＰコンタクト層
４１ ＩＴＯ膜
５１ 金属基板
５２ 金属膜
５４ ｎ―ＧａＡｌＡｓ通電容易層
６２ 透明部材
７１、７６、８３ 第１の膜
７２ 第２の膜
８１ 第３の膜
８２ 第４の膜

Claims (5)

1. ｐｎ接合を有するＩｎＧａＡｌＰ系の活性層と、
   前記活性層上に形成され、前記活性層に流れる電流を広げるための電流拡散層と、
   前記電流拡散層上に形成され、膜厚が５ｎｍ乃至１００ｎｍのＧａＡｓ_１−ｘＰ_ｘ（０．４≦ｘ＜１）膜を有するコンタクト層と、
   前記コンタクト層上に形成され、前記活性層に通電するための電極と、
   を具備することを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記コンタクト層が前記電流拡散層側から第１の膜と前記第１の膜上に形成された第２の膜とを有し、前記第１の膜がＧａＡｓ_１−ｙＰ_ｙ膜であり、前記第２の膜が前記ＧａＡｓ_１−ｘＰ_ｘ膜であり、前記第１の膜のＰの組成比ｙが、前記第２の膜のＰの組成比ｘより小さいことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
3. 前記第１の膜のＰの組成比ｙが、前記電流拡散層側から前記電極側に向かって徐々に、または階段状に大きくなっていることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
4. 前記コンタクト層が前記電流拡散層側から第１の膜と前記第１の膜上に形成された第２の膜とを有し、前記第１の膜がＰの組成比が異なる複数の半導体膜を繰り返し積層した膜であり、前記第２の膜が前記ＧａＡｓ_１−ｘＰ_ｘ膜であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
5. 前記Ｐの組成比が異なる複数の半導体薄膜が、ＧａＡｓとＧａＡｓ_１−ｚＰ_ｚ（０＜ｚ＜１）、またはＩｎＧａＰとＧａＡｓ_１−ｚＰ_ｚ（０＜ｚ＜１）であることを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。

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