JP2009004126A - 荷電粒子線加工装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】異種の荷電粒子線原料ガスをそれぞれ充填したガスボンベ22A,22Bと、イオンビーム2を試料13に集束し照射する荷電粒子線光学系を含むイオンビームカラム3と、試料13を保持するホルダ4と、ガス銃11とを有する荷電粒子線加工装置において、マイクロサンプル81の摘出加工を行うイオンビーム2とマイクロサンプル81を摘出した後の穴埋め加工を含む膜堆積に使用するイオンビーム2の発生源の種類を変える。
【選択図】 図1
Description
この工程に至る前に、電子式検査装置、BF(Bright Field)検査装置、DF(Dark Field)検査装置等によって試料13の欠陥部を検査し、レビューSEMによって欠陥が分類されている。その際、レビューSEMにおいては、先ず低分解能観察(レビューモード)によりADR(Automatic Defect Review、自動欠陥レビュー)を行ない、次にADC(Automatic Defect Classification、自動欠陥分類)を行なう。欠陥の種別を剥離、異物、傷、塵等に分類し、更にこれらを短絡、オープン、凸欠陥、凹欠陥、VC(ボルテージコントラスト)欠陥等に分類する。欠陥情報としては、欠陥の存在する座標値、欠陥の種類、欠陥部のSEM像等がある。
試料13はφ300のシリコンであり、カートリッジは試料13から摘出したマイクロサンプルを荷電粒子線加工装置の外部に取り出すためのものである。
この工程(S103)では、レビューSEMとの座標リンケージによって数μm程度の位置誤差で欠陥部をSEM53の視野内に移動させる。正確な位置合わせは、欠陥部の位置を示す特徴点から目視等で探すことが可能である。
図11は欠陥部のSEM像57を示す図である。
本工程(S106)では、ガスボンベ22A内の荷電粒子線原料ガスA(酸素ガス)をイオン源1に導入する。このときの流量調整バルブ24Aの開度は、酸素イオンビームを大電流で安定して取り出せる条件となるように予め設定された開度に調整されており、ストップバルブ23Aを閉状態から開放すると、ガス導入配管30を介して酸素ガスがイオン源1に流入する。
本工程(S108)では、SIM像観察時のスパッタリングによる欠陥部の欠落を防止するために、試料13の各欠陥部59の上面に保護膜を形成する。
プロセス選択領域61の穴加工ボタン61aを操作すると、図14中に示したようなコの字状の加工領域76が表示される。オペレータはモニタ画面部68内で加工領域76を所定の位置に移動させて加工位置を決め(S109)、荷電粒子線原料ガスAによるイオンビーム2(ビームA)でコの字型の穴加工を実行する(S110)。コの字型の穴加工時には、イオンビーム2のビーム径内に開口50Aが収まるように投射マスク44を位置合わせする。
図17は投射マスク44を開口50Bに合わせて一文字状の字型のプロジェクションビームを取り出して試料13を加工している様子を示した図である。図17では図3に示す加工光学系の一部を図示している。
図19はカーリッジ54にマイクロサンプル81を搭載する様子を示した図である。
図21は図9A及び図9Bの作業フローの主な工程のタイミングチャートである。
イオン源1に荷電粒子線原料ガスB(アルゴンガス)を導入した後、荷電粒子線原料ガスA(酸素ガス)導入時と同じ方法でプラズマを点火し(S204)、加速電圧等を印加し、アルゴンイオンビーム(ビームB)2を引き出す。穴加工時と穴埋め加工時では、荷電粒子線原料ガスの種類、イオンビーム電流値等が異なるため、加速電圧、カソード印加電圧、バイアス電圧、ガス流量等のイオンビーム生成条件は異なるが、中央制御装置10は、荷電粒子線原料ガスの種類に応じて予め設定されたイオンビーム生成条件等に自動変更する。そして、イオンビーム2のビーム径に開口50Eが収まるように投射マスク44を位置合わせする(S205)。
図27はS218の工程で実行する加工穴92の埋め込みデポジション膜の表面の凹凸高さを計測する方法の一例を示した図である。具体的には、まず図27(a)は加工穴92に対してデポによる穴埋めを行なった後の状態を上方から見た平面図である。図27(b)は加工穴92に対して十分に細い円形ビーム2を、図中の左の方向から試料13の表面に対して約45°の入射角で加工穴92に照射し矢印91方向に走査する様子を示している。図27(c)はそのイオンビーム2のスキャンライン96を図27(a)に合わせて加工穴92の平面図に重ね合わせた図である。図27(d)はさらに加工ライン97を穴埋め加工後の加工穴92の平面図に重ね合わせた図である。
2 イオンビーム
3 イオンビームカラム
4 ホルダ
5 ステージ
6 試料室
7 ガス供給系
8 2次電子検出器
9 マイクロサンプリングユニット
10 中央制御装置
11 ガス銃
12 ガスノズル
13 試料
14 操作卓
15 プローブ
18 バイパスバルブ
22A−C ガスボンベ
23A,B ストップバルブ
24A,B 流量調整バルブ
25 バルブコントローラ
30 ガス導入配管
44 投射マスク
50A〜E 開口
53 SEM
54 カートリッジ
55 カートリッジホルダ
59 欠陥部
79 加工穴
81 マイクロサンプル
89 メッシュ
92 加工穴
94 デポジション膜
113 荷電粒子線加工装置
Claims (27)
- 試料を保持するホルダと、
荷電粒子線を発生させる荷電粒子線発生源と、
前記荷電粒子線発生源に供給する種類の異なる荷電粒子線原料ガスをそれぞれ充填した複数のガスボンベと、
前記複数のガスボンベからの荷電粒子線原料ガスを前記荷電粒子線発生源に導入するガス導入配管と、
前記ガス導入配管から前記荷電粒子線発生源に導入される荷電粒子線原料ガスの種類を切り換える切り換え手段と、
前記荷電粒子線発生源からの荷電粒子線を前記ホルダ上の試料に集束し照射する荷電粒子線光学系と、
荷電粒子線のビームスポットにデポジションガスを供給するガス銃とを備え、
微小試料片の摘出を含む前記試料の穴加工時に前記荷電粒子線発生源に導入する荷電粒子線原料ガスの種類と、前記試料の穴埋め加工を含む膜堆積時に前記荷電粒子線発生源に導入する荷電粒子線原料ガスの種類とを前記切り換え手段により切り換えることを特徴とする荷電粒子線加工装置。 - 請求項1の荷電粒子線加工装置において、前記荷電粒子線光学系は、荷電粒子線の断面を成形する開口を有する投射マスクを有していることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項1の荷電粒子線加工装置において、試料から前記微小試験片を摘出するためのプローブを有するマイクロサンプリングユニットを備えていることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項1の荷電粒子線加工装置において、荷電粒子線原料ガス切り替え時に前記荷電粒子線発生源で使用中の荷電粒子線原料ガスを排出するためのバイパスバルブを備えていることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項1の荷電粒子線加工装置において、
前記ガス導入配管に設けた流量調整弁と、
前記荷電粒子線発生源に導入される荷電粒子線原料ガスの種類に応じて前記流量調整弁及び前記荷電粒子線発生源の印加電圧を含むプラズマ生成条件等を制御する制御部と
を備えていることを特徴とする荷電粒子線加工装置。 - 請求項1の荷電粒子線加工装置において、荷電粒子線原料ガス切り替え状況を示す情報が表示する表示手段を備えていることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項1の荷電粒子線加工装置において、前記穴埋め加工により形成された膜表面の平坦度を計測する計測手段を有しており、この計測手段により穴埋め加工中の膜高さを計測し、膜高さの不足量を検出して不足分の膜堆積を実行することを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項7の荷電粒子線加工装置において、計測手段は、試料に対して傾斜した荷電粒子線を走査した場合の加工ラインと走査ラインのズレ量を基に膜表面の平坦度を計測することを特徴とする荷電ビ粒子線加工装置。
- 請求項7の荷電粒子線加工装置において、計測手段は、原子間力顕微鏡、レーザ顕微鏡のいずれかであることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項2の荷電粒子線加工装置において、膜堆積の進行状況に応じて、前記投射マスクの開口を切り替えて荷電粒子線のビーム形状を変更することを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項1の荷電粒子線加工装置において、デポジションガスとしてオルトケイサンテトラエチルを用い、穴加工時には荷電粒子線原料ガスとして酸素ガスを用い、膜堆積時には荷電粒子線原料ガスとしてアルゴンガスを用いることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項1の荷電粒子線加工装置において、デュオプラズマ、電界電離イオン源、誘導結合プラズマイオン源、電子サイクロトロン共鳴型プラズマイオン源のいずれかを荷電粒子線発生源として用いることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項1の荷電粒子線加工装置において、前記ホルダ上の試料の電子顕微鏡像を取得する電子顕微鏡を備えていることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項1の荷電粒子線加工装置において、前記ガスボンベには、アルゴン、キセノン、クリプトン、ネオン、酸素、窒素のうちのいずれかが充填されていることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項1の荷電粒子線加工装置において、試料は、ウェーハ、液晶、磁気ヘッドを含むことを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 試料を保持するホルダと、
荷電粒子線を発生させる荷電粒子線発生源と、
前記荷電粒子線発生源に供給する種類の異なる荷電粒子線原料ガスをそれぞれ充填した複数のガスボンベ又は種類の異なる荷電粒子線原料ガスの混合ガスを充填したガスボンベと、
前記ガスボンベからの複数種の荷電粒子線原料ガスを前記荷電粒子線発生源に導入するガス導入配管と、
前記荷電粒子線発生源からの荷電粒子線を前記ホルダ上の試料に集束し照射する荷電粒子線光学系と、
荷電粒子線のビームスポットにデポジションガスを供給するガス銃とを備え、
微小試料片の摘出を含む前記試料の穴加工時、及び前記試料の穴埋め加工を含む膜堆積時に、前記ガス導入配管を介して複数種の荷電粒子線原料ガスを前記荷電粒子線発生源に導入することを特徴とする荷電粒子線加工装置。 - 請求項16の荷電粒子線加工装置において、前記荷電粒子線光学系は、荷電粒子線の断面を成形する開口を有する投射マスクを有していることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項16の荷電粒子線加工装置において、試料から前記微小試験片を摘出するためのプローブを有するマイクロサンプリングユニットを備えていることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項16の荷電粒子線加工装置において、前記穴埋め加工により形成された膜表面の平坦度を計測する計測手段を有しており、この計測手段により穴埋め加工中の膜高さを計測し、膜高さの不足量を検出して不足分の膜堆積を実行することを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項19の荷電粒子線加工装置において、計測手段は、試料に対して傾斜した荷電粒子線を走査した場合の加工ラインと走査ラインのズレ量を基に膜表面の平坦度を計測することを特徴とする荷電ビ粒子線加工装置。
- 請求項19の荷電粒子線加工装置において、計測手段は、原子間力顕微鏡、レーザ顕微鏡のいずれかであることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項17の荷電粒子線加工装置において、膜堆積の進行状況に応じて、前記投射マスクの開口を切り替えて荷電粒子線のビーム形状を変更することを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項16の荷電粒子線加工装置において、デポジションガスとしてオルトケイサンテトラエチルを用い、荷電粒子線原料ガスとして酸素ガス及びアルゴンガスを用いることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項16の荷電粒子線加工装置において、デュオプラズマ、電界電離イオン源、誘導結合プラズマイオン源、電子サイクロトロン共鳴型プラズマイオン源のいずれかを荷電粒子線発生源として用いることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項16の荷電粒子線加工装置において、前記ホルダ上の試料の電子顕微鏡像を取得する電子顕微鏡を備えていることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項16の荷電粒子線加工装置において、前記ガスボンベには、アルゴン、キセノン、クリプトン、ネオン、酸素、窒素のうちの複数種が充填されていることを特徴とする荷電粒子線加工装置。
- 請求項16の荷電粒子線加工装置において、試料は、ウェーハ、液晶、磁気ヘッドを含むことを特徴とする荷電粒子線加工装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007161691A JP4388101B2 (ja) | 2007-06-19 | 2007-06-19 | 荷電粒子線加工装置 |
DE102008064781.0A DE102008064781B3 (de) | 2007-04-23 | 2008-04-22 | lonenstrahlbearbeitungs-/Betrachtungsvorrichtung |
DE102008020145A DE102008020145B4 (de) | 2007-04-23 | 2008-04-22 | Ionenstrahlbearbeitungs- und Betrachtungsvorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten und Betrachten einer Probe |
US12/108,037 US8481980B2 (en) | 2007-04-23 | 2008-04-23 | Ion source, ion beam processing/observation apparatus, charged particle beam apparatus, and method for observing cross section of sample |
US13/926,352 US8779400B2 (en) | 2007-04-23 | 2013-06-25 | Ion source, ion beam processing/observation apparatus, charged particle beam apparatus, and method for observing cross section of sample |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2007161691A JP4388101B2 (ja) | 2007-06-19 | 2007-06-19 | 荷電粒子線加工装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009004126A true JP2009004126A (ja) | 2009-01-08 |
JP4388101B2 JP4388101B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=40320305
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007161691A Active JP4388101B2 (ja) | 2007-04-23 | 2007-06-19 | 荷電粒子線加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4388101B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010176852A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Sii Nanotechnology Inc | 断面加工方法及び断面観察試料の製造方法 |
CN102645423A (zh) * | 2011-01-30 | 2012-08-22 | Fei公司 | 用于生物学样品中大量荧光标记物的定位的系统和方法 |
JP2012522346A (ja) * | 2009-03-31 | 2012-09-20 | ザ セクレタリー オブ ステイト フォー ビジネス イノベーション アンド スキルズ オブ ハー マジェスティズ ブリタニック ガバメント | マイクロ及びナノスケールの3次元構造の製造方法並びに製造装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010176852A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-08-12 | Sii Nanotechnology Inc | 断面加工方法及び断面観察試料の製造方法 |
US8703247B2 (en) | 2009-01-27 | 2014-04-22 | Sii Nanotechnology Inc. | Cross section processing method and method of manufacturing cross section observation sample |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090619 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |