JP2009170118A - 荷電粒子線加工装置 - Google Patents
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Abstract
本発明の目的は、荷電粒子線加工装置において、剥離膜等の異物がビーム通過穴を塞ぐ事による不具合を解決し、装置のスループット低下を防止することに関する。
【解決手段】
本発明は、スパッタ膜の剥離等によって発生する異物がビーム通過穴を塞ぐ可能性のある箇所に不活性ガスなどのガスを照射することに関する。ガスを当該部に照射する方法として、ガスノズルを用いることが望ましい。または、不活性ガスの通路を、ビーム通過穴を有する部品の周囲の構造物内部に形成し、その照射口よりガスを照射する。本発明により、荷電粒子線装置の安定稼動が実現可能となり、高スループットの荷電粒子線装置を提供することが可能となる。
【選択図】図1
Description
(1)ビーム電流値計測
ビーム電流値計測のタイミングは、(1)装置動作開始時、(2)停止動作時、(3)穴加工/デポ加工などの加工作業の合間、(4)イオン源などでの放電発生時、等がある。このタイミングでブランカー33を動作させて、ファラディーカップ34でビーム電流値を計測する。
(2)ビーム電流値の判定と対処
最初に設定したイオン源の動作条件(ガス圧力値,加速電圧,バイアス電圧,放電電圧、等),照射光学系条件(集光レンズ31,投射レンズ36印加電圧,投射マスク32のビーム通過穴サイズ、等)から予想されるビーム電流値と現在の実測値との比較を行い、実測値が、ある適正範囲内にあるか否か判定する。
(2−1)ビーム電流測定値が適正範囲より大きい場合
適正値より高い場合は、ビーム絞り23,投射マスク32がビーム照射によってビーム通過穴の大きさが大きくなっている可能性が高い為、操作画面にアラーム表示を行い、メンテナンスを促す。
(2−2)ビーム電流測定値が適正範囲より小さい場合
一方、上記の適正値より実測値が低い場合、先ずはイオン源の動作条件,照射光学系の動作条件が変化していないか判定する。例えば、ガス圧力が低下しているとか、電源電圧が低下している場合には正常値になるように手動または自動により調整する。その結果、正常に戻らない場合は、ガス供給装置,電源,投射マスク位置制御装置、等の故障が考えられるので操作画面にアラームを表示し、オペレータにメンテナンスを促す。
2 イオンビーム
3 イオンビームカラム
4 試料
5 試料ホルダ
6 ステージ
7 試料室
10 ガス供給源
11 2次電子検出器(SED)
15 カソード電極
16 アノード電極
17 中間電極
18 磁石
19 引き出し電極
22 付着膜
23 ビーム絞り
24 異物
25 ノズル
26 ガス
27 絶縁物
31 集光レンズ
32 投射マスク
33 ブランカー
34 ファラディーカップ
35 スキャンコイル
36 投射レンズ
40A〜40E 開口穴
41 ピン
42 固定ボルト
44 イオンビーム未通過領域
46 カバー
47 固定板
48 ガス通路
49 ガス
50A ガス照射口
50B 排気口
51 投射マスク固定部材
52 Oリング
53A,B,C 排気ポンプ
54A,B,C,D,E,F バルブ
60 加工操作画面
61 アラーム表示部
62 操作卓表示画面
63 ビームパラメータ画面
64 ナビゲーション画面
Claims (20)
- 試料を保持する試料ステージと、荷電粒子線発生源と、荷電粒子線を照射する照射光学系と、を有する荷電粒子線装置において、
荷電粒子線発生源、又は/及び照射光学系で発生する異物がビーム通過穴を塞ぐことを防止するガス照射手段を有する荷電粒子線加工装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線加工装置において、
荷電粒子線が、照射光学系内の開口を有するマスクを通過した荷電粒子線である荷電粒子線加工装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線加工装置において、
ビーム通過穴周辺に、ガスを照射する供給口と、ガスを排出できる排気口と、を有する荷電粒子線加工装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線加工装置において、
ガスを照射する空間を、ビーム通過穴を除き、閉空間とする荷電粒子線加工装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線加工装置において、
ガスを照射するノズルを有する荷電粒子線加工装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線加工装置において、
ビーム通過穴を有する構造物、又は、その周囲構造物の内部に、ガス通路が形成されている荷電粒子線加工装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線加工装置において、
異物がビーム通過穴を塞いだことを検出し、この場合にガスを照射し、異物を除去する荷電粒子線加工装置。 - 請求項7記載の荷電粒子線加工装置において、
ビーム状態の異常検知後、ガスを照射して異物除去を試み、ビーム状態が改善されない場合に、操作画面にアラーム表示する荷電粒子線加工装置。 - 請求項7記載の荷電粒子線加工装置において、
ビーム電流値の低下を検知後、ガスを照射して異物除去を試み、ビーム電流値が増加しない場合に、操作画面にアラーム表示する荷電粒子線加工装置。 - 請求項1記載の荷電粒子線加工装置において、
ガス照射手段から照射されるガスが不活性ガスである荷電粒子線加工装置。 - 試料を保持する試料ステージと、荷電粒子線発生源と、荷電粒子線を照射する照射光学系と、を有する荷電粒子線装置において、
荷電粒子線発生源、又は/及び照射光学系に設けられたビーム通過穴に向かってガスを照射するガス照射手段を有する荷電粒子線加工装置。 - 請求項11記載の荷電粒子線加工装置において、
荷電粒子線が、照射光学系内の開口を有するマスクを通過した荷電粒子線である荷電粒子線加工装置。 - 請求項11記載の荷電粒子線加工装置において、
ビーム通過穴周辺に、ガス照射手段から照射されたガスを排出できる排気口を有する荷電粒子線加工装置。 - 請求項11記載の荷電粒子線加工装置において、
ガス照射する空間を、ビーム通過穴を除き、閉空間とする荷電粒子線加工装置。 - 請求項11記載の荷電粒子線加工装置において、
ガスを照射するノズルを有する荷電粒子線加工装置。 - 請求項11記載の荷電粒子線加工装置において、
ビーム通過穴を有する構造物、又は、その周囲構造物の内部に、ガス通路が形成されている荷電粒子線加工装置。 - 請求項11記載の荷電粒子線加工装置において、
ビーム通過穴を塞ぐ異物を検出するセンサーを有する荷電粒子線加工装置。 - 請求項17記載の荷電粒子線加工装置において、
ビーム状態の異常検知し、ガスを照射した後、ビーム状態が改善されない場合に、アラーム表示する操作画面を有する荷電粒子線加工装置。 - 請求項17記載の荷電粒子線加工装置において、
ビーム電流値の低下検知後、ガスを照射した後、ビーム電流値が増加しない場合に、アラーム表示する操作画面を有する荷電粒子線加工装置。 - 請求項11記載の荷電粒子線加工装置において、
ガス照射手段から照射されるガスが不活性ガスである荷電粒子線加工装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008003806A JP2009170118A (ja) | 2008-01-11 | 2008-01-11 | 荷電粒子線加工装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2008003806A JP2009170118A (ja) | 2008-01-11 | 2008-01-11 | 荷電粒子線加工装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009170118A true JP2009170118A (ja) | 2009-07-30 |
Family
ID=40971093
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008003806A Pending JP2009170118A (ja) | 2008-01-11 | 2008-01-11 | 荷電粒子線加工装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009170118A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016143583A (ja) * | 2015-02-03 | 2016-08-08 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | イオン源、イオンビーム装置および試料の加工方法 |
KR102071807B1 (ko) * | 2018-10-31 | 2020-01-30 | 동국대학교 경주캠퍼스 산학협력단 | 듀오플라즈마트론의 교체형 중간전극판 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63226866A (ja) * | 1987-03-16 | 1988-09-21 | Hitachi Ltd | 真空装置 |
JP2002353109A (ja) * | 2001-05-25 | 2002-12-06 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置、露光方法及び半導体デバイス製造方法 |
-
2008
- 2008-01-11 JP JP2008003806A patent/JP2009170118A/ja active Pending
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR102071807B1 (ko) * | 2018-10-31 | 2020-01-30 | 동국대학교 경주캠퍼스 산학협력단 | 듀오플라즈마트론의 교체형 중간전극판 |
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