JP2008544435A - プログラミングに失敗したことが検出されたビットの数に応じて最適化された電圧レベルによってフラッシュメモリーにプログラムする方法。 - Google Patents
プログラミングに失敗したことが検出されたビットの数に応じて最適化された電圧レベルによってフラッシュメモリーにプログラムする方法。 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008544435A JP2008544435A JP2008517039A JP2008517039A JP2008544435A JP 2008544435 A JP2008544435 A JP 2008544435A JP 2008517039 A JP2008517039 A JP 2008517039A JP 2008517039 A JP2008517039 A JP 2008517039A JP 2008544435 A JP2008544435 A JP 2008544435A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- programming
- data bits
- volatile memory
- memory device
- program
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3404—Convergence or correction of memory cell threshold voltages; Repair or recovery of overerased or overprogrammed cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/10—Programming or data input circuits
- G11C16/12—Programming voltage switching circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/021—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters in voltage or current generators
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/02—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters
- G11C29/028—Detection or location of defective auxiliary circuits, e.g. defective refresh counters with adaption or trimming of parameters
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C2029/0409—Online test
Abstract
【選択図】図7
Description
本発明のさらなる実施形態は、様々な範囲を有する方法および装置を含む。
[結論]
Claims (23)
- 不揮発性メモリーデバイスを動作させる方法であって、
プログラム動作において不揮発性メモリーアレイ内にプログラムされるべきプログラムデータから期待データビットの数を計算するステップと、
前記プログラム動作においてプログラムに失敗した不合格データビットの数を計算するステップと、
前記期待データビットの数と前記不合格データビットの数とを比較した結果に応答してプログラミング電圧を増加させるステップと、
を備えた方法。 - 前記期待データビットの数と前記不合格データビットの数とを比較した結果に基づいてプログラミング電圧を増加させるステップが、前記プログラミング動作中に前記不揮発性メモリーアレイ内に正しくプログラムするのに失敗した前記期待データビットの割合に基づいてプログラミング電圧を増加させるステップをさらに備えた請求項1に記載の方法。
- 正しくプログラムされた1つかまたはそれ以上のメモリーセルのプログラミングをディスイネーブルするステップと、
正しくプログラムするのに失敗した前記データの中の1つかまたはそれ以上のビットをプログラムするために、前記増加させたプログラミング電圧を印加するステップと、
をさらに備えた請求項1に記載の方法。 - 1つかまたはそれ以上の繰り返しサイクルを反復するステップと、
プログラム動作中に前記不揮発性メモリーアレイ内にプログラムされるべきプログラムデータから期待データビットの数を計算するステップと、
プログラム動作においてプログラムに失敗した不合格データビットの数を計算するステップと、
前記期待データビットの数と前記不合格データビットの数とを比較した結果に応答してプログラミング電圧を増加させるステップと、
をさらに備えた請求項1に記載の方法。 - 1つかまたはそれ以上の繰り返しサイクルを反復するステップが、最大繰り返し回数に到達するかまたは前記不合格データビットの数がゼロになるまで繰り返すステップをさらに備えた請求項4に記載の方法。
- 前記期待データビットの数と前記不合格データビットの数とを比較した結果に基づいてプログラミング電圧を増加させるステップが、前記期待データビットの数と前記不合格データビットの数とを比較した結果に応答してプログラミング電圧を増加させ、プログラミング電圧の全体的な増加が、所定の最大プログラミング電圧レベルによって制限されるようにするステップをさらに備える請求項1に記載の方法。
- 前記期待データビットの数と前記不合格データビットの数との与えられた比較に対するプログラミング電圧増加のプロファイルを決定するために、前記不揮発性メモリーデバイスをプロファイリングするステップ、
をさらに備えた請求項1に記載の方法。 - 前記期待データビットの数と前記不合格データビットの数との与えられた比較に対するプログラミング電圧増加のプロファイルを決定するために前記不揮発性メモリーデバイスをプロファイリングするステップが、前記不揮発性メモリーデバイスの製造プロセスに関して前記期待データビットの数と前記不合格データビットの数との与えられた比較に対するプログラミング電圧増加のプロファイルを決定するために前記不揮発性メモリーデバイスをプロファイリングすること、前記不揮発性メモリーデバイスの設計に関する特性を決定すること、特定のメモリーデバイスに関して前記期待データビットの数と前記不合格データビットの数との与えられた比較に対するプログラミング電圧増加のプロファイルを決定するために前記不揮発性メモリーデバイスをプロファイリングすること、特定のメモリーアレイ領域に関して前記期待データビットの数と前記不合格データビットの数との与えられた比較に対するプログラミング電圧増加のプロファイルを決定するために前記不揮発性メモリーデバイスをプロファイリングすること、および、特定のメモリーセル摩損レベルに関して前記期待データビットの数と前記不合格データビットの数との与えられた比較に対するプログラミング電圧増加のプロファイルを決定するために前記不揮発性メモリーデバイスをプロファイリングすることの中の1つによって、前記不揮発性メモリーデバイスをプロファイリングするステップをさらに備えた請求項7に記載の方法。
- 前記不揮発性メモリーデバイスが、フラッシュメモリーデバイス、EEPROMメモリーデバイス、ポリマーメモリーデバイス、強誘電性ランダムアクセスメモリー(FeRAM)デバイス、Ovionics Unified Memory(OUM)デバイス、および、磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)デバイスの中の1つである請求項1に記載の方法。
- 前記不揮発性メモリーアレイが、NANDアーキテクチャーメモリーアレイおよびNORアーキテクチャーメモリーアレイの中の1つである請求項1に記載の方法。
- プログラミングサイクル中に、複数のデータビットをプログラムするために選択された複数のメモリーセルに初期プログラミング電圧を印加することによって、前記不揮発性メモリーデバイスの前記不揮発性メモリーアレイ内に前記複数のデータビットをプログラムするステップと、
前記プログラミングサイクル中に前記不揮発性メモリーアレイの前記複数のメモリーセル内に正しくプログラムするのに失敗した前記複数のデータビットの割合との選択された関係に基づいて前記プログラミング電圧を増加させるステップと、
正しくプログラムされた1つかまたはそれ以上のセルのプログラミングをディスイネーブルするステップと、
正しくプログラムするのに失敗したデータの1つかまたはそれ以上のビットをプログラムするために、前記増加されたプログラミング電圧を印加するステップと、
をさらに備えた請求項1に記載の方法。 - 不揮発性メモリーデバイスを動作させる方法が、
プログラミングコマンドと複数のデータビットを含むプログラムデータとを受信するステップと、
プログラミングサイクル中に、前記複数のデータビットをプログラムするために選択された複数のメモリーセルに初期プログラミング電圧を印加することによって、前記不揮発性メモリーアレイ内に前記複数のデータビットをプログラムするステップと、
前記不揮発性メモリーアレイの前記複数のメモリーセル内にプログラムされた前記複数のデータビットからなるプログラムデータを検証し、
前記複数のメモリーセル内に正しくプログラムすることに失敗した前記複数のデータビットの割合との選択された関係に基づいて前記プログラミング電圧を増加させ、
正しくプログラムされた1つかまたはそれ以上のメモリーセルのプログラミングをディスイネーブルし、
データの中の正しくプログラムすることに失敗した1つかまたはそれ以上のビットをプログラムするために、前記増加させたプログラミング電圧を印加し、
1つかまたはそれ以上の繰り返しサイクルを反復する、
ことによって、正しくプログラムすることに失敗した前記複数のメモリーセルの中のいずれかのメモリーセルにプログラムすることを試みるステップと、
をさらに備えた請求項1に記載の方法。 - 不揮発性メモリーデバイスを動作させる方法が、
プログラミングコマンドと複数のデータビットを含むプログラムデータとを前記不揮発性メモリーデバイスのインタフェース上で受信するステップと、
前記プログラムデータをデータキャッシュへ転送するステップと、
前記プログラムデータを書き込みデータラッチへ転送するステップと、
前記データキャッシュ内に保持された前記プログラムデータ内に含まれるプログラムされるべきビットの数を計算するステップと、
前記複数のデータビットをプログラムするために選択された複数のメモリーセルに初期プログラミング電圧を印加することによって、プログラミングサイクル中に、前記不揮発性メモリーアレイ内に前記複数のデータビットをプログラムするステップと、
前記不揮発性メモリーアレイの前記複数のメモリーセル内にプログラムされた前記複数のデータビットからなるプログラムデータを検証し、
正しくプログラムすることに失敗したメモリーセルの数を計算し、
前記データキャッシュ内に保持されたプログラムされるべき前記ビットの数に関連して前記複数のメモリーセル内に正しくプログラムするのに失敗した前記複数のデータビットの割合を計算し、
前記複数のメモリーセル内に正しくプログラムするのに失敗した前記複数のデータビットの割合との選択された関係に基づいて前記プログラミング電圧を増加させ、
正しくプログラムされた1つかまたはそれ以上のメモリーセルのプログラミングをディスイネーブルし、
データの中の正しくプログラムするのに失敗した1つかまたはそれ以上のビットをプログラムするために、前記増加させたプログラミング電圧を印加し、
1つかまたはそれ以上の繰り返しサイクルを反復する、
ことによって、正しくプログラムするのに失敗した前記複数のメモリーセルの中のいずれかのメモリーセルにプログラムすることを試みるステップと、
をさらに備えた請求項1に記載の方法。 - 不揮発性メモリーデバイスをプロファイリングする方法であって、
前記不揮発性メモリーデバイス内にプログラムされるデータビットの与えられた不合格割合に対するその後のプログラミングサイクルのための望ましいプログラミング電圧の増分を特定するために、前記不揮発性メモリーデバイスをプロファイリングするステップ、
を備えた方法。 - 前記不揮発性メモリーデバイス内にプログラムされるデータビットの与えられた不合格割合に対するその後のプログラミングサイクルのための望ましいプログラミング電圧の増分を特定するために前記不揮発性メモリーデバイスをプロファイリングするステップが、データビットの与えられた不合格割合に対する前記望ましいプログラミング電圧の増分/増加量のためのプロファイルを選択するために、前記不揮発性メモリーデバイスの製造プロセスに関する特性を決定すること、前記不揮発性メモリーデバイスの設計に関する特性を決定すること、特定のメモリーアレイに関する特性を決定すること、特定のメモリーアレイ領域に関する特性を決定すること、および、特定のメモリーセル摩損レベルに関する特性を決定することの中の1つによって、前記不揮発性メモリーデバイスをプロファイリングするステップをさらに備えた請求項14に記載の方法。
- 不揮発性メモリーデバイスであって、
不揮発性メモリーアレイと、
制御回路と、
を備え、
前記制御回路が、プログラミング動作中に、複数のデータビットを書き込むために選択された複数のメモリーセルに初期プログラミング電圧を印加することによって、かつ、
前記不揮発性メモリーアレイの前記複数のメモリーセル内にプログラムされた前記複数のデータビットを検証し、
前記複数のメモリーセル内に正しくプログラムすることに失敗した前記複数のデータビットの割合との選択された関係に基づいて前記プログラミング電圧を増加させ、
正しくプログラムされた1つかまたはそれ以上のメモリーセルのプログラミングをディスイネーブルし、
データの中の正しくプログラムするのに失敗した1つかまたはそれ以上のビットをプログラムするために、前記増加させたプログラミング電圧を印加し、
1つかまたはそれ以上の繰り返しサイクルを反復する、
ことによって、正しくプログラムするのに失敗した前記複数のメモリーセルの中のいずれかのメモリーセルにプログラムすることを試みることによって、複数のデータビットを前記不揮発性メモリーアレイ内にプログラムするように構成された、
不揮発性メモリーデバイス。 - 前記制御回路が、前記複数のデータビットのすべてが検証に合格するまで、または、繰り返しの最大回数に到達するまで、1つかまたはそれ以上の繰り返しサイクルを反復するように構成された請求項16に記載の不揮発性メモリーデバイス。
- 前記プログラミングサイクル中に前記不揮発性メモリーアレイの前記複数のメモリーセル内に正しくプログラムするのに失敗した前記複数のデータビットの割合との選択された関係に基づいて前記プログラミング電圧を増加させるように構成された前記制御回路が、全体的なプログラミング電圧レベルを所定の最大プログラミング電圧レベルに制限することをさらに備えた請求項16に記載の不揮発性メモリーデバイス。
- 前記制御回路が、データビットの与えられた不合格割合に対する前記望ましいプログラミング電圧の増分を特定する前記不揮発性メモリーアレイのプロファイルに基づいて、前記プログラミング電圧を増加させるように構成された請求項16に記載の不揮発性メモリーデバイス。
- 前記不揮発性メモリーデバイスが、NANDアーキテクチャーフラッシュメモリーデバイス、NORアーキテクチャーフラッシュメモリーデバイス、EEPROMメモリーデバイス、ポリマーメモリーデバイス、強誘電性ランダムアクセスメモリー(FeRAM)デバイス、Ovionics Unified Memory(OUM)デバイス、および、磁気抵抗ランダムアクセスメモリー(MRAM)、分子メモリーデバイスの中の1つである請求項16に記載の不揮発性メモリーデバイス。
- 前記不揮発性メモリーデバイスが、
複数のセンスアンプと、
I/Oバッファーと、
メモリーインタフェースと、
をさらに備え、
前記制御回路が、前記不揮発性メモリーアレイ、前記I/Oバッファー、前記複数のセンスアンプ、および、前記メモリーインタフェースに接続された制御ステートマシーンであり、前記制御ステートマシーンが、プログラミング動作中に、前記複数のデータビットをプログラムするために選択された複数の不揮発性メモリーセルに初期プログラミング電圧を印加することによって、かつ、
前記不揮発性メモリーアレイの前記複数のメモリーセル内にプログラムされた前記複数のデータビットを検証し、
前記複数のメモリーセル内に正しくプログラムするのに失敗した前記複数のデータビットの割合との選択された関係に基づいて前記プログラミング電圧を増加させ、
正しくプログラムされた1つかまたはそれ以上のメモリーセルのプログラミングをディスイネーブルし、
データの中の正しくプログラムするのに失敗した1つかまたはそれ以上のビットをプログラムするために、前記増加させたプログラミング電圧を印加し、
1つかまたはそれ以上の繰り返しサイクルを反復する、
ことによって、正しくプログラムするのに失敗した前記複数のメモリーセルの中のいずれかのメモリーセルにプログラムすることを試みることによって、前記メモリーインタフェースにおいて受信された前記複数のデータビットを前記不揮発性メモリーアレイ内にプログラムするように構成された、
請求項16に記載の不揮発性メモリーデバイス。 - 前記不揮発性メモリーデバイスが、システムをさらに備え、前記システムが、
前記不揮発性メモリーデバイスに接続されたホスト、
を備えた請求項16に記載の不揮発性メモリーデバイス。 - 前記ホストが、プロセッサーおよびメモリーコントローラの中の1つである請求項22に記載の不揮発性メモリーデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/156,223 US7239557B2 (en) | 2005-06-17 | 2005-06-17 | Program method with optimized voltage level for flash memory |
PCT/US2006/023086 WO2006138333A1 (en) | 2005-06-17 | 2006-06-13 | Program method for flash memory with optimized voltage level dependent of the number of bits detected to have failed programming |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008544435A true JP2008544435A (ja) | 2008-12-04 |
JP4640660B2 JP4640660B2 (ja) | 2011-03-02 |
Family
ID=37084634
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008517039A Expired - Fee Related JP4640660B2 (ja) | 2005-06-17 | 2006-06-13 | プログラミングに失敗したことが検出されたビットの数に応じて最適化された電圧レベルによってフラッシュメモリーにプログラムする方法。 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7239557B2 (ja) |
EP (1) | EP1894207B1 (ja) |
JP (1) | JP4640660B2 (ja) |
KR (1) | KR100956709B1 (ja) |
CN (1) | CN101268520B (ja) |
AT (1) | ATE425539T1 (ja) |
DE (1) | DE602006005664D1 (ja) |
TW (1) | TWI305918B (ja) |
WO (1) | WO2006138333A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010040144A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶システム |
JP2011513885A (ja) * | 2008-02-29 | 2011-04-28 | マイクロン テクノロジー, インク. | メモリ素子のプログラミング中の電荷損失補償 |
JP2012014808A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2021523511A (ja) * | 2018-05-01 | 2021-09-02 | シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSilicon Storage Technology, Inc. | 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリの高電圧生成のための方法及び装置 |
Families Citing this family (111)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7656710B1 (en) * | 2005-07-14 | 2010-02-02 | Sau Ching Wong | Adaptive operations for nonvolatile memories |
US7395466B2 (en) * | 2005-12-30 | 2008-07-01 | Intel Corporation | Method and apparatus to adjust voltage for storage location reliability |
US20070174641A1 (en) * | 2006-01-25 | 2007-07-26 | Cornwell Michael J | Adjusting power supplies for data storage devices |
US7702935B2 (en) * | 2006-01-25 | 2010-04-20 | Apple Inc. | Reporting flash memory operating voltages |
US7861122B2 (en) * | 2006-01-27 | 2010-12-28 | Apple Inc. | Monitoring health of non-volatile memory |
US7564718B2 (en) * | 2006-04-12 | 2009-07-21 | Infineon Technologies Flash Gmbh & Co. Kg | Method for programming a block of memory cells, non-volatile memory device and memory card device |
WO2007132453A2 (en) | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Anobit Technologies Ltd. | Distortion estimation and cancellation in memory devices |
WO2007132452A2 (en) | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Anobit Technologies | Reducing programming error in memory devices |
WO2007132456A2 (en) | 2006-05-12 | 2007-11-22 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with adaptive capacity |
US8156403B2 (en) | 2006-05-12 | 2012-04-10 | Anobit Technologies Ltd. | Combined distortion estimation and error correction coding for memory devices |
US20080036487A1 (en) * | 2006-08-09 | 2008-02-14 | Arm Limited | Integrated circuit wearout detection |
US8060806B2 (en) | 2006-08-27 | 2011-11-15 | Anobit Technologies Ltd. | Estimation of non-linear distortion in memory devices |
WO2008053472A2 (en) | 2006-10-30 | 2008-05-08 | Anobit Technologies Ltd. | Reading memory cells using multiple thresholds |
US7821826B2 (en) | 2006-10-30 | 2010-10-26 | Anobit Technologies, Ltd. | Memory cell readout using successive approximation |
US8037231B2 (en) * | 2006-11-28 | 2011-10-11 | Intel Corporation | Memory architecture for separation of code and data in a memory device |
US7924648B2 (en) | 2006-11-28 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Memory power and performance management |
WO2008068747A2 (en) | 2006-12-03 | 2008-06-12 | Anobit Technologies Ltd. | Automatic defect management in memory devices |
US20080141082A1 (en) * | 2006-12-06 | 2008-06-12 | Atmel Corporation | Test mode multi-byte programming with internal verify and polling function |
US7900102B2 (en) | 2006-12-17 | 2011-03-01 | Anobit Technologies Ltd. | High-speed programming of memory devices |
US7751240B2 (en) | 2007-01-24 | 2010-07-06 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with negative thresholds |
US8151166B2 (en) | 2007-01-24 | 2012-04-03 | Anobit Technologies Ltd. | Reduction of back pattern dependency effects in memory devices |
CN101715595A (zh) | 2007-03-12 | 2010-05-26 | 爱诺彼得技术有限责任公司 | 存储器单元读取阈的自适应估计 |
US8001320B2 (en) | 2007-04-22 | 2011-08-16 | Anobit Technologies Ltd. | Command interface for memory devices |
US20080288712A1 (en) | 2007-04-25 | 2008-11-20 | Cornwell Michael J | Accessing metadata with an external host |
US7913032B1 (en) | 2007-04-25 | 2011-03-22 | Apple Inc. | Initiating memory wear leveling |
KR100927119B1 (ko) * | 2007-05-10 | 2009-11-18 | 삼성전자주식회사 | 불 휘발성 반도체 메모리 장치 및 그것의 프로그램 방법 |
US8234545B2 (en) | 2007-05-12 | 2012-07-31 | Apple Inc. | Data storage with incremental redundancy |
US8429493B2 (en) | 2007-05-12 | 2013-04-23 | Apple Inc. | Memory device with internal signap processing unit |
US7925936B1 (en) | 2007-07-13 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with non-uniform programming levels |
US7697365B2 (en) * | 2007-07-13 | 2010-04-13 | Silicon Storage Technology, Inc. | Sub volt flash memory system |
US7729161B2 (en) * | 2007-08-02 | 2010-06-01 | Macronix International Co., Ltd. | Phase change memory with dual word lines and source lines and method of operating same |
US8259497B2 (en) | 2007-08-06 | 2012-09-04 | Apple Inc. | Programming schemes for multi-level analog memory cells |
US8174905B2 (en) | 2007-09-19 | 2012-05-08 | Anobit Technologies Ltd. | Programming orders for reducing distortion in arrays of multi-level analog memory cells |
US7773413B2 (en) | 2007-10-08 | 2010-08-10 | Anobit Technologies Ltd. | Reliable data storage in analog memory cells in the presence of temperature variations |
US8000141B1 (en) | 2007-10-19 | 2011-08-16 | Anobit Technologies Ltd. | Compensation for voltage drifts in analog memory cells |
WO2009050703A2 (en) | 2007-10-19 | 2009-04-23 | Anobit Technologies | Data storage in analog memory cell arrays having erase failures |
US8068360B2 (en) | 2007-10-19 | 2011-11-29 | Anobit Technologies Ltd. | Reading analog memory cells using built-in multi-threshold commands |
WO2009063450A2 (en) | 2007-11-13 | 2009-05-22 | Anobit Technologies | Optimized selection of memory units in multi-unit memory devices |
US8225181B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-07-17 | Apple Inc. | Efficient re-read operations from memory devices |
US8209588B2 (en) | 2007-12-12 | 2012-06-26 | Anobit Technologies Ltd. | Efficient interference cancellation in analog memory cell arrays |
US8456905B2 (en) | 2007-12-16 | 2013-06-04 | Apple Inc. | Efficient data storage in multi-plane memory devices |
US8085586B2 (en) | 2007-12-27 | 2011-12-27 | Anobit Technologies Ltd. | Wear level estimation in analog memory cells |
US8156398B2 (en) | 2008-02-05 | 2012-04-10 | Anobit Technologies Ltd. | Parameter estimation based on error correction code parity check equations |
US7924587B2 (en) | 2008-02-21 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Programming of analog memory cells using a single programming pulse per state transition |
US7864573B2 (en) | 2008-02-24 | 2011-01-04 | Anobit Technologies Ltd. | Programming analog memory cells for reduced variance after retention |
US8230300B2 (en) | 2008-03-07 | 2012-07-24 | Apple Inc. | Efficient readout from analog memory cells using data compression |
US8059457B2 (en) | 2008-03-18 | 2011-11-15 | Anobit Technologies Ltd. | Memory device with multiple-accuracy read commands |
US8400858B2 (en) | 2008-03-18 | 2013-03-19 | Apple Inc. | Memory device with reduced sense time readout |
US7633804B2 (en) * | 2008-03-20 | 2009-12-15 | Micron Technology, Inc. | Adjusting programming or erase voltage pulses in response to the number of programming or erase failures |
KR101506655B1 (ko) * | 2008-05-15 | 2015-03-30 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 메모리 데이터 오류 관리 방법 |
US7924613B1 (en) | 2008-08-05 | 2011-04-12 | Anobit Technologies Ltd. | Data storage in analog memory cells with protection against programming interruption |
US7995388B1 (en) | 2008-08-05 | 2011-08-09 | Anobit Technologies Ltd. | Data storage using modified voltages |
US8169825B1 (en) | 2008-09-02 | 2012-05-01 | Anobit Technologies Ltd. | Reliable data storage in analog memory cells subjected to long retention periods |
US8949684B1 (en) | 2008-09-02 | 2015-02-03 | Apple Inc. | Segmented data storage |
US8482978B1 (en) | 2008-09-14 | 2013-07-09 | Apple Inc. | Estimation of memory cell read thresholds by sampling inside programming level distribution intervals |
US8000135B1 (en) | 2008-09-14 | 2011-08-16 | Anobit Technologies Ltd. | Estimation of memory cell read thresholds by sampling inside programming level distribution intervals |
US8239734B1 (en) | 2008-10-15 | 2012-08-07 | Apple Inc. | Efficient data storage in storage device arrays |
US8261159B1 (en) | 2008-10-30 | 2012-09-04 | Apple, Inc. | Data scrambling schemes for memory devices |
US8208304B2 (en) | 2008-11-16 | 2012-06-26 | Anobit Technologies Ltd. | Storage at M bits/cell density in N bits/cell analog memory cell devices, M>N |
US8174857B1 (en) | 2008-12-31 | 2012-05-08 | Anobit Technologies Ltd. | Efficient readout schemes for analog memory cell devices using multiple read threshold sets |
US8248831B2 (en) | 2008-12-31 | 2012-08-21 | Apple Inc. | Rejuvenation of analog memory cells |
US8924661B1 (en) | 2009-01-18 | 2014-12-30 | Apple Inc. | Memory system including a controller and processors associated with memory devices |
US8228701B2 (en) | 2009-03-01 | 2012-07-24 | Apple Inc. | Selective activation of programming schemes in analog memory cell arrays |
JP2010211883A (ja) * | 2009-03-11 | 2010-09-24 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
US8259506B1 (en) | 2009-03-25 | 2012-09-04 | Apple Inc. | Database of memory read thresholds |
US8832354B2 (en) | 2009-03-25 | 2014-09-09 | Apple Inc. | Use of host system resources by memory controller |
US8238157B1 (en) | 2009-04-12 | 2012-08-07 | Apple Inc. | Selective re-programming of analog memory cells |
US8479080B1 (en) | 2009-07-12 | 2013-07-02 | Apple Inc. | Adaptive over-provisioning in memory systems |
US8495465B1 (en) | 2009-10-15 | 2013-07-23 | Apple Inc. | Error correction coding over multiple memory pages |
US8243520B2 (en) * | 2009-11-02 | 2012-08-14 | Infineon Technologies Ag | Non-volatile memory with predictive programming |
US8130553B2 (en) * | 2009-12-02 | 2012-03-06 | Seagate Technology Llc | Systems and methods for low wear operation of solid state memory |
US8677054B1 (en) | 2009-12-16 | 2014-03-18 | Apple Inc. | Memory management schemes for non-volatile memory devices |
US8694814B1 (en) | 2010-01-10 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Reuse of host hibernation storage space by memory controller |
US8572311B1 (en) | 2010-01-11 | 2013-10-29 | Apple Inc. | Redundant data storage in multi-die memory systems |
US8694853B1 (en) | 2010-05-04 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Read commands for reading interfering memory cells |
US8572423B1 (en) | 2010-06-22 | 2013-10-29 | Apple Inc. | Reducing peak current in memory systems |
US9741436B2 (en) | 2010-07-09 | 2017-08-22 | Seagate Technology Llc | Dynamically controlling an operation execution time for a storage device |
US8595591B1 (en) | 2010-07-11 | 2013-11-26 | Apple Inc. | Interference-aware assignment of programming levels in analog memory cells |
US9104580B1 (en) | 2010-07-27 | 2015-08-11 | Apple Inc. | Cache memory for hybrid disk drives |
US8767459B1 (en) | 2010-07-31 | 2014-07-01 | Apple Inc. | Data storage in analog memory cells across word lines using a non-integer number of bits per cell |
US8856475B1 (en) | 2010-08-01 | 2014-10-07 | Apple Inc. | Efficient selection of memory blocks for compaction |
US8310870B2 (en) * | 2010-08-03 | 2012-11-13 | Sandisk Technologies Inc. | Natural threshold voltage distribution compaction in non-volatile memory |
US8694854B1 (en) | 2010-08-17 | 2014-04-08 | Apple Inc. | Read threshold setting based on soft readout statistics |
KR101201582B1 (ko) * | 2010-09-06 | 2012-11-14 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이의 동작 방법 |
US9021181B1 (en) | 2010-09-27 | 2015-04-28 | Apple Inc. | Memory management for unifying memory cell conditions by using maximum time intervals |
US8842469B2 (en) * | 2010-11-09 | 2014-09-23 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for programming a multi-state non-volatile memory (NVM) |
TWI447731B (zh) * | 2010-12-01 | 2014-08-01 | Phison Electronics Corp | 資料讀取方法、記憶體儲存裝置及其控制器 |
US8605531B2 (en) * | 2011-06-20 | 2013-12-10 | Intel Corporation | Fast verify for phase change memory with switch |
JP5950591B2 (ja) * | 2012-01-31 | 2016-07-13 | エスアイアイ・セミコンダクタ株式会社 | ボルテージレギュレータ |
US9355688B2 (en) | 2012-05-08 | 2016-05-31 | Intel Corporation | Adaptive voltage input to a charge pump |
KR101996004B1 (ko) | 2012-05-29 | 2019-07-03 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치의 프로그램 방법 및 그것의 메모리 시스템 |
US8724404B2 (en) | 2012-10-15 | 2014-05-13 | United Microelectronics Corp. | Memory, supply voltage generation circuit, and operation method of a supply voltage generation circuit used for a memory array |
KR102221752B1 (ko) | 2014-03-20 | 2021-03-02 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치의 프로그램 방법 및 이를 포함하는 데이터 독출 방법 |
KR20150130849A (ko) * | 2014-05-14 | 2015-11-24 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 장치의 동작 방법 |
KR102314135B1 (ko) | 2015-06-22 | 2021-10-18 | 삼성전자 주식회사 | 적응적인 루프를 수행하는 플래시 메모리 장치, 메모리 시스템 및 그 동작방법 |
KR102251815B1 (ko) | 2015-07-02 | 2021-05-13 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 메모리 시스템 |
US9489990B1 (en) * | 2015-11-17 | 2016-11-08 | Atmel Corporation | Adaptive non-volatile memory programming |
US10082964B2 (en) | 2016-04-27 | 2018-09-25 | Micron Technology, Inc | Data caching for ferroelectric memory |
KR20180096845A (ko) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 메모리 시스템 및 이의 동작 방법 |
CN110232945B (zh) * | 2018-03-06 | 2021-04-27 | 华邦电子股份有限公司 | 存储器装置以及其写入/擦除方法 |
JP2020009511A (ja) | 2018-07-05 | 2020-01-16 | キオクシア株式会社 | メモリシステム及び不揮発性半導体メモリ |
US10741256B2 (en) * | 2018-09-18 | 2020-08-11 | Western Digital Technologies, Inc. | Data storage systems and methods for improved recovery after a write abort event |
US10614898B1 (en) | 2018-09-19 | 2020-04-07 | Sandisk Technologies Llc | Adaptive control of memory cell programming voltage |
US11081170B2 (en) | 2018-12-19 | 2021-08-03 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and methods for programming memory cells responsive to an indication of age of the memory cells |
CN111951857B (zh) * | 2019-05-15 | 2023-06-09 | 兆易创新科技集团股份有限公司 | 一种非易失性存储器的编程方法及控制装置 |
CN111951870B (zh) * | 2019-05-15 | 2023-06-20 | 兆易创新科技集团股份有限公司 | 一种非易失性存储器的编程方法及控制装置 |
US10964402B1 (en) * | 2020-02-19 | 2021-03-30 | Sandisk Technologies Llc | Reprogramming memory cells to tighten threshold voltage distributions and improve data retention |
US11556416B2 (en) | 2021-05-05 | 2023-01-17 | Apple Inc. | Controlling memory readout reliability and throughput by adjusting distance between read thresholds |
US11749346B2 (en) * | 2021-05-19 | 2023-09-05 | Micron Technology, Inc. | Overwrite mode in memory programming operations |
WO2023272548A1 (en) * | 2021-06-30 | 2023-01-05 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Data protection for three-dimensional nand memory |
US11847342B2 (en) | 2021-07-28 | 2023-12-19 | Apple Inc. | Efficient transfer of hard data and confidence levels in reading a nonvolatile memory |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11176175A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2002025283A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-25 | Hynix Semiconductor Inc | フラッシュメモリ素子の消去方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5257225A (en) * | 1992-03-12 | 1993-10-26 | Micron Technology, Inc. | Method for programming programmable devices by utilizing single or multiple pulses varying in pulse width and amplitude |
US5357463A (en) * | 1992-11-17 | 1994-10-18 | Micron Semiconductor, Inc. | Method for reverse programming of a flash EEPROM |
DE19542029C1 (de) * | 1995-11-10 | 1997-04-10 | Siemens Ag | Verfahren zum selbsttätigen Ermitteln der nötigen Hochspannung zum Programmieren/Löschen eines EEPROMs |
KR100208433B1 (ko) * | 1995-12-27 | 1999-07-15 | 김영환 | 플래쉬 메모리 소자 및 그를 이용한 프로그램 방법 |
US5768287A (en) * | 1996-10-24 | 1998-06-16 | Micron Quantum Devices, Inc. | Apparatus and method for programming multistate memory device |
US6188613B1 (en) * | 1998-10-08 | 2001-02-13 | Micron Technology, Inc. | Device and method in a semiconductor memory for erasing/programming memory cells using erase/program speeds stored for each cell |
US6493270B2 (en) * | 1999-07-01 | 2002-12-10 | Micron Technology, Inc. | Leakage detection in programming algorithm for a flash memory device |
JP4250325B2 (ja) * | 2000-11-01 | 2009-04-08 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
US6466480B2 (en) * | 2001-03-27 | 2002-10-15 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for trimming non-volatile memory cells |
KR100496866B1 (ko) * | 2002-12-05 | 2005-06-22 | 삼성전자주식회사 | 미프로그램된 셀들 및 과프로그램된 셀들 없이 균일한문턱 전압 분포를 갖는 플레쉬 메모리 장치 및 그프로그램 검증 방법 |
US6882567B1 (en) * | 2002-12-06 | 2005-04-19 | Multi Level Memory Technology | Parallel programming of multiple-bit-per-cell memory cells on a continuous word line |
US7392436B2 (en) * | 2003-05-08 | 2008-06-24 | Micron Technology, Inc. | Program failure recovery |
KR100505707B1 (ko) * | 2003-08-26 | 2005-08-03 | 삼성전자주식회사 | 프로그램 동작시 가변되는 비트 라인의 전압 레벨을조절하는 플래쉬 메모리 장치의 프로그램 제어회로 및 그제어방법 |
US6977842B2 (en) * | 2003-09-16 | 2005-12-20 | Micron Technology, Inc. | Boosted substrate/tub programming for flash memories |
US6898126B1 (en) * | 2003-12-15 | 2005-05-24 | Powerchip Semiconductor Corp. | Method of programming a flash memory through boosting a voltage level of a source line |
-
2005
- 2005-06-17 US US11/156,223 patent/US7239557B2/en active Active
-
2006
- 2006-06-13 DE DE602006005664T patent/DE602006005664D1/de active Active
- 2006-06-13 KR KR1020087001285A patent/KR100956709B1/ko active IP Right Grant
- 2006-06-13 WO PCT/US2006/023086 patent/WO2006138333A1/en active Application Filing
- 2006-06-13 AT AT06773108T patent/ATE425539T1/de not_active IP Right Cessation
- 2006-06-13 CN CN2006800299731A patent/CN101268520B/zh active Active
- 2006-06-13 JP JP2008517039A patent/JP4640660B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-06-13 EP EP06773108A patent/EP1894207B1/en active Active
- 2006-06-14 TW TW095121160A patent/TWI305918B/zh active
-
2007
- 2007-06-07 US US11/810,725 patent/US7453737B2/en active Active
-
2008
- 2008-11-17 US US12/272,281 patent/US7663934B2/en active Active
-
2010
- 2010-02-16 US US12/706,393 patent/US7876623B2/en active Active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11176175A (ja) * | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2002025283A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-25 | Hynix Semiconductor Inc | フラッシュメモリ素子の消去方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011513885A (ja) * | 2008-02-29 | 2011-04-28 | マイクロン テクノロジー, インク. | メモリ素子のプログラミング中の電荷損失補償 |
JP2010040144A (ja) * | 2008-08-07 | 2010-02-18 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶システム |
US7952958B2 (en) | 2008-08-07 | 2011-05-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Non-volatile semiconductor storage system |
JP2012014808A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
JP2021523511A (ja) * | 2018-05-01 | 2021-09-02 | シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドSilicon Storage Technology, Inc. | 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリの高電圧生成のための方法及び装置 |
JP7288461B2 (ja) | 2018-05-01 | 2023-06-07 | シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッド | 深層学習人工ニューラルネットワークにおけるアナログニューラルメモリの高電圧生成のための方法及び装置 |
US11727989B2 (en) | 2018-05-01 | 2023-08-15 | Silicon Storage Technology, Inc. | Programming analog neural memory cells in deep learning artificial neural network |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200713284A (en) | 2007-04-01 |
KR100956709B1 (ko) | 2010-05-06 |
US20090073772A1 (en) | 2009-03-19 |
TWI305918B (en) | 2009-02-01 |
US20060285396A1 (en) | 2006-12-21 |
ATE425539T1 (de) | 2009-03-15 |
DE602006005664D1 (de) | 2009-04-23 |
EP1894207A1 (en) | 2008-03-05 |
US20080031047A1 (en) | 2008-02-07 |
CN101268520B (zh) | 2012-03-28 |
KR20080019713A (ko) | 2008-03-04 |
US20100142283A1 (en) | 2010-06-10 |
EP1894207B1 (en) | 2009-03-11 |
CN101268520A (zh) | 2008-09-17 |
WO2006138333A1 (en) | 2006-12-28 |
US7239557B2 (en) | 2007-07-03 |
US7453737B2 (en) | 2008-11-18 |
JP4640660B2 (ja) | 2011-03-02 |
US7876623B2 (en) | 2011-01-25 |
US7663934B2 (en) | 2010-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4640660B2 (ja) | プログラミングに失敗したことが検出されたビットの数に応じて最適化された電圧レベルによってフラッシュメモリーにプログラムする方法。 | |
USRE46264E1 (en) | Verification process for non-volatile storage | |
JP4901348B2 (ja) | 半導体記憶装置およびその制御方法 | |
US8085591B2 (en) | Charge loss compensation during programming of a memory device | |
EP2427885B1 (en) | Multiple level program verify in a memory device | |
US20080158980A1 (en) | Non-volatile storage system with initial programming voltage based on trial | |
US20130163344A1 (en) | Programming to mitigate memory cell performance differences | |
US8213233B2 (en) | Reduction of quick charge loss effect in a memory device | |
US20080158979A1 (en) | Method for programming with initial programming voltage based on trial | |
US8391080B2 (en) | Erase voltage reduction in a non-volatile memory device | |
US7733705B2 (en) | Reduction of punch-through disturb during programming of a memory device | |
US7468924B2 (en) | Non-volatile memory device capable of reducing threshold voltage distribution | |
US7944755B2 (en) | Erase verify in memory devices | |
US9343168B2 (en) | Multiple step programming in a memory device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100924 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20100924 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101102 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101118 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4640660 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131210 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |