JP2008543095A - 偏向プラズマビームを用いた下流プラズマエッチング - Google Patents
偏向プラズマビームを用いた下流プラズマエッチング Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008543095A JP2008543095A JP2008515057A JP2008515057A JP2008543095A JP 2008543095 A JP2008543095 A JP 2008543095A JP 2008515057 A JP2008515057 A JP 2008515057A JP 2008515057 A JP2008515057 A JP 2008515057A JP 2008543095 A JP2008543095 A JP 2008543095A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- substrate
- gas
- etching chamber
- radical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 title description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 127
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 35
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 100
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 235000012489 doughnuts Nutrition 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 230000001020 rhythmical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32357—Generation remote from the workpiece, e.g. down-stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
【解決手段】エッチングチャンバー(1)の外で印加されたプラズマを用いて、エッチングチャンバー(1)内で基板(3)をエッチングする方法であって、基板の表面にラジカル流を分布させるため、エッチング工程の間、基板(3)に照射するラジカル流(7)に向けて、少なくとも一時的に、少なくとも1つのガス噴流(10)を横方向から送る。
【選択図】図4
Description
ドライ化学プラズマエッチングは、2つのグループ、すなわち、ウェーハに隣接するチャンバー内で印加されたプラズマによる直接プラズマドライ化学プラズマエッチングと、プロセスチャンバーの外にプラズマが維持されるリモートプラズマドライ化学プラズマエッチングとに分類される。したがって、後者の処理においては、プラズマの生成とエッチングの場所が互いに離れている。リモートプラズマ処理とも呼ばれる、この処理においては、例えば、ガス、特にプロセスガスが導入されるチューブ内に、マイクロ波が導入されることによりプラズマが生成する。プラズマ内にラジカルが発生し、次いで、このラジカルはエッチングチャンバーの中を通って、エッチングすべき表面に向かう。
13 080 T2では、シャワーヘッドが提案されており、これは基板表面上のガス分布の均一性を高めると考えられている。このシャワーヘッドは、分配プレートと似ており、いくつかのガス注入口とガス流出口を有しており、これらは基板表面上に分布される形で配列されている。
異なる時間に始動又は作動するいくつかのノズルをエッチングチャンバーに設けることが好ましい。例えば、エッチングチャンバーの中央部に向けられた8個又は12個のノズルを設けることができる。例えば、ラジカル流の周囲に配列された8個のノズルのうち、対向する2個のノズルが始動すると、所定の時間経過後の後続する工程においては、これらのノズルは作動を停止し、他の2個の対向するノズルがガス噴流を導入するために使用される。対向する対のガス噴流を連続して交替で律動的に送ることにより、ラジカル流の下方に配置した基板の表面全体に対して均一なエッチング速度を得ることができる。
さらに、方法のパラメータは、所望するエッチングプロファイルを調節又は修飾するために使用することができ、特に噴流速度、プロセスガスの流速、エッチングチャンバーの圧力及びノズルの配置、特に流出口の直径、対向するノズルの相対的位置、及び基板/噴出/ラジカル源の高さの比率である。これらのパラメータは、あらゆる所望するプロファイルに対するシステム効率の微妙な調節に使用できる。
対向するノズルの対を、輪を描くように配列させると、対称のエッチングプロファイルがガス噴流軸に対して接線方向に作製される。輪を描くように配列されたノズル対によって、対称のプロファイルは重なり、完全に1回転すると、全領域は等しくエッチングされ、均一な結果物が作製される。
基板ホルダー2
基板3
プラズマ源4
チューブ5
上面6
ラジカル流7
ガスパイプ8
ノズル9
Claims (10)
- エッチングチャンバー(1)の外で印加されたプラズマを用いて、エッチングチャンバー(1)内で基板(3)をエッチングする方法であって、基板の表面にラジカル流を分布させるため、エッチング工程の間、基板(3)に照射するラジカル流(7)に向けて、少なくとも一時的に、少なくとも1つのガス噴流(10)を横方向から送ることを特徴とする方法。
- 少なくとも2つの対向するガス噴流(10)を使用することを特徴とする請求項1に記載の方法。
- ガス噴流(10)を水平に送る請求項1又は2に記載の方法。
- ガス噴流(10)を律動的に送ることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- ガス噴流(10)から基板(3)までの距離を、エッチングする基板(3)の大きさに基づいて変更することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- ガス噴流(10)のガスが、エッチング工程のプロセスガスに対して不活性であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- エッチングチャンバー(1)に横方向のガス噴流(10)を導入する少なくとも1個のノズル(9)を、基板ホルダー(2)とプラズマ源(4)の間に設けることを特徴とする、基板ホルダー(2)と、基板ホルダー(2)から離れたところにあるプラズマ源(4)とを備えた、基板(3)をエッチングするためのエッチングチャンバー。
- エッチングチャンバーは、少なくとも2個の対向するノズル(9)を有することを特徴とする請求項7に記載のエッチングチャンバー。
- エッチングチャンバーは、少なくとも2対の対向するノズル(9)を有し、一度に1対のノズル(9)を一時的に案内することができるコントロールユニットに連結していることを特徴とする請求項8に記載のエッチングチャンバー。
- ノズル(9)が、エッチングチャンバー(1)の側壁を通って、エッチングチャンバー(1)内に導入されていることを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載のエッチングチャンバー。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2005/010741 WO2007038967A1 (en) | 2005-10-05 | 2005-10-05 | Down-stream plasma etching with deflectable plasma beam |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008543095A true JP2008543095A (ja) | 2008-11-27 |
JP4897798B2 JP4897798B2 (ja) | 2012-03-14 |
Family
ID=35539368
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008515057A Expired - Fee Related JP4897798B2 (ja) | 2005-10-05 | 2005-10-05 | 偏向プラズマビームを用いた下流プラズマエッチング |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8187484B2 (ja) |
EP (1) | EP1949406B1 (ja) |
JP (1) | JP4897798B2 (ja) |
KR (1) | KR101165594B1 (ja) |
AT (1) | ATE491220T1 (ja) |
DE (1) | DE602005025263D1 (ja) |
TW (1) | TWI334175B (ja) |
WO (1) | WO2007038967A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102104018B1 (ko) * | 2013-03-12 | 2020-04-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 방위각 및 방사상 분배 제어되는 다중-구역 가스 주입 조립체 |
US10709497B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-07-14 | Covidien Lp | Electrosurgical tissue sealing device with non-stick coating |
US11207124B2 (en) | 2019-07-08 | 2021-12-28 | Covidien Lp | Electrosurgical system for use with non-stick coated electrodes |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02250976A (ja) * | 1989-03-25 | 1990-10-08 | Sony Corp | 成膜方法、エッチング方法及びプラズマ装置 |
JP2004307990A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Samsung Electronics Co Ltd | ガス供給装置 |
JP2005142568A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Samsung Electronics Co Ltd | ヘリカル共振器型のプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3203754B2 (ja) * | 1992-03-30 | 2001-08-27 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンドの製造法および製造装置 |
US5522934A (en) * | 1994-04-26 | 1996-06-04 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus using vertical gas inlets one on top of another |
US5614026A (en) * | 1996-03-29 | 1997-03-25 | Lam Research Corporation | Showerhead for uniform distribution of process gas |
US6706334B1 (en) | 1997-06-04 | 2004-03-16 | Tokyo Electron Limited | Processing method and apparatus for removing oxide film |
US6203657B1 (en) * | 1998-03-31 | 2001-03-20 | Lam Research Corporation | Inductively coupled plasma downstream strip module |
US6793733B2 (en) * | 2002-01-25 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Gas distribution showerhead |
EP1512771A1 (en) | 2002-03-08 | 2005-03-09 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Method and apparatus for production of metal film |
-
2005
- 2005-10-05 WO PCT/EP2005/010741 patent/WO2007038967A1/en active Application Filing
- 2005-10-05 DE DE602005025263T patent/DE602005025263D1/de active Active
- 2005-10-05 US US12/083,138 patent/US8187484B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-10-05 EP EP05788045A patent/EP1949406B1/en not_active Not-in-force
- 2005-10-05 KR KR1020087007960A patent/KR101165594B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-10-05 AT AT05788045T patent/ATE491220T1/de not_active IP Right Cessation
- 2005-10-05 JP JP2008515057A patent/JP4897798B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-10-04 TW TW095136874A patent/TWI334175B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02250976A (ja) * | 1989-03-25 | 1990-10-08 | Sony Corp | 成膜方法、エッチング方法及びプラズマ装置 |
JP2004307990A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Samsung Electronics Co Ltd | ガス供給装置 |
JP2005142568A (ja) * | 2003-11-04 | 2005-06-02 | Samsung Electronics Co Ltd | ヘリカル共振器型のプラズマ処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4897798B2 (ja) | 2012-03-14 |
TW200719407A (en) | 2007-05-16 |
EP1949406B1 (en) | 2010-12-08 |
EP1949406A1 (en) | 2008-07-30 |
US20090242514A1 (en) | 2009-10-01 |
ATE491220T1 (de) | 2010-12-15 |
WO2007038967A1 (en) | 2007-04-12 |
KR20080054390A (ko) | 2008-06-17 |
TWI334175B (en) | 2010-12-01 |
DE602005025263D1 (de) | 2011-01-20 |
KR101165594B1 (ko) | 2012-07-23 |
US8187484B2 (en) | 2012-05-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100782369B1 (ko) | 반도체 제조장치 | |
KR100712727B1 (ko) | 절연체를 이용한 샤워헤드 | |
JP4430003B2 (ja) | 高密度プラズマ化学気相蒸着装置 | |
JP2006507664A (ja) | 任意ガススイッチング法を用いた高アスペクト比/深いエッチングの側壁平滑化 | |
KR20110118704A (ko) | 에칭을 위한 방법 및 장치 | |
KR101682155B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US20030094903A1 (en) | Selectively controllable gas feed zones for a plasma reactor | |
KR102492797B1 (ko) | 샤워 헤드를 구비한 기판 처리 장치 | |
JP2003324072A (ja) | 半導体製造装置 | |
TW201113946A (en) | Side gas injector for plasma reaction chamber | |
US20110073564A1 (en) | Method and apparatus for high efficiency gas dissociation in inductive couple plasma reactor | |
JP4897798B2 (ja) | 偏向プラズマビームを用いた下流プラズマエッチング | |
JP2002217171A (ja) | エッチング装置 | |
CN101179022A (zh) | 气体注射装置 | |
US10522372B2 (en) | Plasma processing device | |
KR20010060128A (ko) | 반도체의 건식각 공정용 가스 공급 장치 | |
KR20070021637A (ko) | 샤워 헤드 및 샤워 헤드를 포함하는 기판 처리 장치 | |
JP4608827B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
JP5179658B2 (ja) | プラズマ処理装置およびそのクリーニング方法 | |
JP2006165173A (ja) | 半導体装置の製造装置および製造方法 | |
KR100453390B1 (ko) | 진공 증착장비용 가스 인젝터 노즐 | |
KR101751746B1 (ko) | 듀얼 에칭을 이용한 플라즈마 에칭 장치 | |
KR20020004623A (ko) | 반도체 플라즈마 식각 장비 | |
KR101048193B1 (ko) | 에칭가스 제어시스템 | |
JP2017076705A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101008 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101013 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110106 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110114 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110210 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110218 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110311 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110318 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110408 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111202 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111222 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |