JP2008538137A - エレクトロブロッティング装置、システム及びキット、並びにそれらの使用方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は広義にはゲルのブロッティングに関するものであり、具体的にはドライ式エレクトロブロッティング組成物及び方法に関する。
この特許出願は、米国仮特許出願第60/655,420号(2005年2月24日出願)の「Disposable Dry Electro−blotting Electrodes,Methods for their Use and Dry Blotting」、及び米国仮特許出願第(未通知)(2006年2月17日出願)の「Dry Electro−blotting Devices, Systems,and Kits,and Methods for their Use」(発明者:Ilana Margalit、Uri Yogev、SeIa Itay、Yuri Katz、Adam Sartiel及びTim Updyke)の優先権を主張する。これらの特許出願の全ての記載及び図面を含む全開示内容は、本願明細書に参照により援用される。
ゲル電気泳動を用いた分子の分離は公知技術である。多様な分子、特に蛋白質(ペプチド)、オリゴヌクレオチド、DNA及びリボゾームリボ核酸などを、分離ゲルの基材中で、特にそれらの電荷/質量比、サイズ特性及びその他の性能に基づいて電気泳動的に分離することができる。周知のように、等電点電気泳動の手法を分子の分離にも使用できる。
本発明は一つの側面において、電気泳動的転写に用いるイオンの貯蔵部を、エレクトロブロッティングシステムの陽極と分離ゲル/ブロッティング膜の転写スタックの一面との間に、並びに、エレクトロブロッティングシステムの陰極と転写スタックの他の面との間に位置するゲルマトリックスに存在させることにより、システム中の電極に隣接し、接触して配置されるゲルマトリックス基材中に存在する緩衝液以外の緩衝液なしで、エレクトロブロッティングを実施できるという発見に基づく。このドライ式ブロッティングシステムを用いることで、従来のエレクトロブロッティングよりも蛋白質、核酸及び他の生体分子を非常に能率的かつ急速に、分離ゲルからブロッティング膜へ転写し、また該エレクトロブロッティング法を実施するユーザーによる緩衝液の取り扱いの必要がない。例えば、本明細書に係るエレクトロブロッティングシステムを用いれば、エレクトロブロッティング転写をわずか5又は10分で実施できる。更に、本発明の具体的な態様における、エレクトロブロッティングシステムに設置される電極では、エレクトロブロッティングの際、気泡の生成が少ない。
特に記載のない限り、本明細書で用いる全ての専門用語及び科学用語は、通常本発明の技術分野に属する当業者に理解されるものと同じ語義を有する。通常、本明細書において以下用いる命名法及び製造若しくは実験手順は公知であり、従来技術において共通に使用される。これらの手順では、当該技術で一般の、及び様々な公知文献に記載されている従来法を用いる。例えば「上」や「下」、「上部」や「底部」又は「上部の」や「底部の」などの方向に関する用語は、装置の使用の際の部品の方向を指す。用語の単数形を用いる場合、本発明者はその用語の複数形を意図する。参照により援用する引用文献との間で、用語及び定義に関する不一致が生じた場合は、本明細書で用いる用語を本明細書における定義とする。本明細書全体にわたって、以下の用語は、特に明記しない限り以下の意味を有するものと理解される。
本発明はエレクトロブロッティング転写スタック、陽極、陽極とエレクトロブロッティング転写スタックの間に位置する陽極ゲルマトリックス基材、陰極、及び陰極の間に位置する陰極ゲルマトリックス基材を含んでなるドライ式エレクトロブロッティングシステムであって、陽極ゲルマトリックス及び陰極ゲルマトリックスは各々電気泳動的転写に用いるイオン源を含む。転写スタックには1つ以上の生体分子(例えば多糖類、蛋白質、ペプチド又は核酸)を含む1つ以上の分析ゲルと、分析ゲルに並設される1つ以上のブロッティング膜とが含まれる。幾つかの実施態様では、ドライ式エレクトロブロッティングシステムは、エレクトロブロッティングの前(転写スタックが設置される際)にシステムへのいかなる緩衝液の添加も行われない。幾つかの実施態様では、ドライ式エレクトロブロッティングシステムの1つ以上の構成要素(例えばブロッティング膜、又は分析ゲルとゲルマトリックス基材の間に配置されるか、又はブロッティング膜とゲルマトリックス基材の間に配置される1枚の濾紙)を、エレクトロブロッティングの前に浸漬させてもよい。しかしながら、本発明のドライ式エレクトロブロッティングシステムでは、ブロッティング膜又は濾紙などのシステム構成要素を水、界面活性剤、緩衝液又は溶液に浸漬することは、電気泳動的転写の実施に必要となるイオンの供給には必須ではない。幾つかの実施態様では、ゲルをエレクトロブロッティング前に緩衝液又は溶液で平衡化させてもよい。溶液又は緩衝液中でゲルを平衡させることは、ドライ式エレクトロブロッティングシステムにおける電気泳動的転写の実施に必要となるイオンの供給には必須ではない。
本発明は、ドライ式エレクトロブロッティングを実施するための電極回路(該電極回路は本明細書において記載されるようなイオン供給源を含有するゲルマトリックス基材を含む)、並びにゲルマトリックス基材に並設される導電性電極を提供する。
更に他の態様では、本明細書はドライ式エレクトロブロッティング用のキットを提供する。一実施態様では、キットは電気泳動に用いるイオン源を含む1つ以上のゲルマトリックス基材、及び1つ以上のブロッティング膜を含んでなる。ゲルマトリックス基材は本明細書に記載のような組成を有してもよく、好ましくは緩衝イオン源を含有する。キットにおいて一緒に提供されるゲルマトリックス基材及びブロッティング膜は、同じ又はほとんど同じ長さ及び幅の寸法を有してもよく、長さ及び幅に関して互いに例えば10%以内、5%以内、又は2%以内の範囲にある。
幾つかの態様では、本発明はドライ式ブロッティングゲル用の装置を提供し、該装置は電源、陽極電極回路を配置するための表面(該表面は陽極電極回路の陽極との接続用の電気接点を有する)、及び陰極電極回路の陰極との接続用の電気接点を有する裏面を含んでなり、装置の第1及び第2の表面を配置して陽極電極回路、陰極電極回路、並びに陽極及び陰極電極回路の間のゲルを保持し、装置には電気泳動的転写に用いる緩衝液を保持する貯蔵部が含まれず、保持されず又は連結されない。幾つかの態様では、本発明はエレクトロブロッティングシステムを提供し、該システムは既に挙げたようなドライ式エレクトロブロッティングに用いる装置を含んでなり、更に陽極電極回路及び陰極電極回路を含んでなる。陽極電極回路には陽極、1つ以上のイオン源を含む陽極ゲルマトリックス基材及び膜が含まれる。陰極電極回路は陰極及び1つ以上のイオン源を含む陰極ゲルマトリックス基材を含んでなる。幾つかの実施態様では、ドライ式エレクトロブロッティング装置はエレクトロブロッティング条件のメニューを含むソフトウェアを含んでなる。幾つかの実施態様では、ドライ式エレクトロブロッティング装置はAC/DCアダプタを含んでなる。幾つかの実施態様では、ドライ式エレクトロブロッティング装置は1つ以上の汎用シリアルバス(USB)ポートを含んでなる。
別の態様では、本発明はドライ式エレクトロブロッティングの実施方法を提供し、該方法には、1つ以上の生体分子を含有する分析ゲル、及び1つ以上のブロッティング膜を陽極電極回路と陰極電極回路との間に含む転写スタックを配置すること、並びに、陽極電極回路の陽極と陰極電極回路の陰極との間に電流を印加して、分析ゲルからブロッティング膜へ1つ以上の生体分子を転写することが含まれる。
E−PAGE 6% 96ゲル(Invitrogen社、カールズバッド、カナダ、カタログ番号EP096−06として市販)、及びEBase電気泳動装置(Invitrogen社、カタログ番号EBM−03として市販)を用い、14分間(プログラムEPによる)電気泳動した。5μLのE−PAGE See Bluepre−stained protein standard(Invitrogen社(USA)、カタログ番号LC5700)をEPAGEゲルカセットの各々のウェルにロードした。泳動終了後、カセットを開放しゲルを取り出した。
実施例1の陽極電極回路で用いた銅メッシュの編み物の代わりに、アルミニウム箔(3M社、カタログ番号1170、USA)から陽極電極回路の導電性電極を作製したことを除いて、上記の実施例1と同様にエレクトロブロッティングを実施した。かかるアルミニウム電極を使用するエレクトロブロッティングの結果、実施例1の結果よりブロッティングの効率が若干低下した。
陽極電極回路に用いるゲル基材の組成を以下の通りとしたことを除き、上記の実施例1と同様にエレクトロブロッティングを実施した。4%のアガロース、120mMのビストリス、95mMのトリシン、95mMのBES、0.3%のSDS及び20%のエチレングリコールを含んでなるゲルを、同体積の、ビストリスイオンをロードした湿式の繊維状セルロースリン酸系の陽イオン交換マトリクス(カタログ番号p11、Whatman International社製)と混合した。また、陰極電極回路の調製に用いたゲルの組成を以下の通りとした。4%のアガロース、120mMのビストリス、95mMのトリシン、95mMのBES、0.3%のSDS及び20%のエチレングリコールを含んでなるゲルを、同体積の、トリシンイオンをロードした、予め膨張させた微粒子状のジエチルアミノエチル(DEAE)セルロース系アニオン交換マトリクス(カタログ番号DE52、Whatman International社製)と混合した。実施例1で詳述したようにブロッティングを実施した。良好なブロッティング結果が得られた。
EPAGE(商標)48 8%ゲル(Invitrogen社、カタログ番号EP048−08)、プログラムEPをEBase電気泳動装置(Invitrogen社(USA)、カタログ番号EB−M03)を使用し、23分間電気泳動を行った。Benchmark protein ladder solution(Invitrogen社(USA)、カタログ番号10747−012)の5μLのサンプルを、E−PAGE(商標)48ゲルの幾つかのウェルにロードした。電気泳動完了後、ゲルをカセットから取り出し、実施例1で詳細に説明したように、5分間エレクトロブロッティングした。ブロッティングに用いる陽極電極回路は、上記の実施例1で用いた陽極電極回路と類似していた。但し、実施例4で用いる陽極電極回路の導電性電極は実施例1で用いた導電性電極と異なる点を除く。実施例4で用いる陽極電極回路の導電性電極を以下の通りに作製した。銅メッシュ電極はKiel銅pbn11ファブリック(Shildex社製、ドイツ)を裁断して12cmの長さ、8cmの幅に作製した銅メッシュの編み物を用いて作製した。銅メッシュの編み物の電極に銀エマルジョン(elcolit 370(Elosol社製、チューリッヒ、スイス))を塗布した。この電極と接触するゲルの基材は実施例1の陰極電極回路において用いるゲルの基材と同じ寸法及び同じ組成であった。実施例4で用いるブロッティング膜及び陰極電極回路には実施例1にて詳述したのと同様のものを使用した。
E−PAGE(商標)48 8%ゲル(Invitrogen社、カタログ番号EP048−08)、プログラムEPをEBase電気泳動装置(Invitrogen社(USA)、カタログ番号EB−M03)を使用し、23分間電気泳動を行った。Benchmark protein ladder solution(Invitrogen社(USA)、カタログ番号10747−012)の5μLのサンプルを、E−PAGE(商標)48ゲルの幾つかのウェルにロードした。電気泳動的完了後、ゲルをカセットから取り出し、実施例1で詳細に説明したように、5分間エレクトロブロッティングした。陽極電極回路を実施例1で詳細に説明したように作製した。陰極電極回路を以下の通りに調製した。陰極電極回路に用いるゲルマトリックス基材を、長さ12cm×8cmの幅×1.5mmの厚のゲルスラブとして、別に(銅メッシュ電極なし)作製した。このゲルスラブの組成を、上記実施例1の陰極電極回路に用いる陰極ゲルマトリックスと同様にした。
E−PAGE(商標)48 8%ゲル(Invitrogen社、カタログ番号EP048−08)、プログラムEPをEBase電気泳動装置(Invitrogen社(USA)、カタログ番号EB−M03)を使用し、23分間電気泳動を行った。Benchmark protein ladder solution(Invitrogen社(USA)、カタログ番号10747−012)の5μLのサンプルを、E−PAGE(商標)48ゲルの幾つかのウェルにロードした。電気泳動的完了後、ゲルをカセットから取り出し、実施例1で詳細に説明したように、5分間エレクトロブロッティングした。エレクトロブロッティングを25Vで5分間実施した。陽極電極回路を実施例1で詳細に説明したように作製した。陰極電極回路を以下の通りに調製した。陰極電極回路に用いるゲルマトリックス基材を、長さ12cm×8cmの幅×1.5mmの厚のゲルスラブとして、別に(銅メッシュ電極なし)作製した。このゲルスラブの組成を、上記実施例1の陰極電極回路に用いる陰極ゲルマトリックスと同様にした。
エチジウムブロミドを含有するEゲル48 2%ゲル(Invitrogen社(USA)、カタログ番号G8008−02)を、E−Base電気泳動装置(Invitrogen社(USA)、カタログ番号EB−M03)上のプログラムEGを使用して20分間電気泳動した。low mass ladder(Invitrogen社(USA)社製、カタログ番号10068−013)1μLのサンプル(15μlの総量でアプライ)をE−ゲルの幾つかのウェルそれぞれにロードした。電気泳動による分離完了後、ゲルをUVライトボックスを使用して視覚化し、エチジウムで染色したバンドが観察された。次いで、E−ゲルをE−ゲルカセットから取り出し、実施例1で詳細に説明したようにエレクトロブロッティングした。陰極電極回路及び陽極電極回路を実施例1にて説明したように作製した。実施例1で詳細に説明したように、気泡除去装置60を用いて、Eゲル48 2%ゲル、陽極電極回路及び陰極電極回路からブロッティング電極回路を作製した。エレクトロブロッティングを25Vで5分実施した。
iBlot(商標)エレクトロブロッティング装置は電子回路部品によって制御される電源ユニットであり、指定されたプログラム通りの電界を発生させることができる。ドライ式エレクトロブロッティング装置をイオン貯蔵部として働くドライ式エレクトロブロッティング電極回路用に設計した。このシステムでは、分離ゲルからサンプルを駆動させるのに必要なイオンは、緩衝液又は浸漬した濾紙の代わりにゲルマトリックス(陽極電極回路の場合イオン交換マトリクスを含む)に含まれており、そのため操作がクリーンで簡便なものとなり、必要となる手作業も最小限となる。転送速度は電極と内蔵電源との間の距離を短くし、フィールド強度及び高電流を創出することにより増加する。
材料:
iBlot(商標)ユニット
陽極電極回路(底部スタック)
陰極電極回路(上部スタック)
使い捨て可能なスポンジ
分離されたサンプルを有するユーザーの分離ゲル
iBlot(商標)のセットアップ
蓋を開き、両方の金属スペーサを上げた。ブロッティング面は清潔である必要がある。汚れている場合には部品を湿った布で拭く。直接底部スタックをブロッティング面(丸い蓋の下)に配置し、右側のストッパーに整列させた。膜と底部(陽極)ゲルとの間の気泡を注意深く除去する必要がある。底部(陽極)スタックの膜上に分離ゲルを置いた。その上に水で湿潤させた濾紙(濾紙はキットに含まれる)を置いた。キットに含まれる手のひらサイズローラーを用いて膜と分離ゲルとの間にトラップされた気泡を除去した。
E−PAGE(商標)8% 48ゲル(EP048−08、Invitrogen社、カールズバッド、CA)において、25分間(プログラムEP)、E−Base(商標)(Invitrogen社EBM−03)電源を使用して泳動を行った。5μLのSeeBlue(登録商標)Plus2で前染色した蛋白質スタンダード(LC5700、Invitrogen社、カールズバッド、CA)を全てのウェルにロードした。
Nu PAGE(登録商標)4−12%ゲル(Invitrogen社)を用い、製造業者の取扱説明書に従ってMES緩衝液を使用して電気泳動を行った。SeeBlue(登録商標)Plus2着色マーカーを5μLずつ、レーン1、2、3、11及び12において電気泳動させた。Magic Mark(商標)XPウェスタンブロットマーカーを1μLずつ、レーン4、5及び8にロードした。Magic Mark(商標)XPウェスタンブロットマーカーを1μLずつ、レーン6、7、9及び10にロードした。
E−PAGE(商標)8% 48ゲル(EP048−08、Invitrogen社、カールズバッド、CA)において、25分間(プログラムEP)、E−Base(商標)(Invitrogen社EBM−03)電源を使用して泳動を行った。サンプルを表5に従ってロードした。BSAはウシ血清アルブミンを指し、SB+2はプレステイン蛋白質スタンダードのSeeBlue(登録商標)Plus2を指し、MMXPはMagic Mark(商標)XPウェスタンブロットマーカーを指し、BMはBenchMark(商標)蛋白質ラダー(以上、全てInvitrogen社製、カールズバッド、CA)を指す。
E−PAGE(商標)8% 48ゲル(EP048−08、Invitrogen社、カールズバッド、CA)において、25分間(プログラムEP)、E−Base(商標)(Invitrogen社EBM−03)電源を使用して泳動を行った。サンプルを実施例11(表5)に従ってロードした。BSAはウシ血清アルブミンを指し、SB+2はプレステイン蛋白質スタンダードのSeeBlue(登録商標)Plus2を指し、MMXPはMagic Mark(商標)XPウェスタンブロットマーカーを指し、BMはBenchMark(商標)蛋白質ラダー(以上、全てInvitrogen社製、カールズバッド、CA)を指す。
2つの同一のNovex(登録商標)MIDIゲル(Invitrogen社)を用い、SeeBlue蛋白質スタンダード、M及びヒト結腸直腸癌細胞の溶菌液(SW480)を、製造の取り扱い説明書に従って電気泳動した。表6に従ってサンプルをロードした。
2つの同一のTris−酢酸3〜8%ゲル(Invitrogen社)を用い、表7に記載のサンプルを、製造の取扱説明書に従って電気泳動した。
Claims (175)
- 電源、陽極、この陽極に並設される陽極ゲルマトリックス基材、陰極及びこの陰極に並設される陰極ゲルマトリックス基材を含んでなるドライ式エレクトロブロッティングシステムであって、前記陽極ゲルマトリックス及び前記陰極ゲルマトリックスの各々が、電気泳動的転写に用いるイオン源を含む、ドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記電気泳動ゲル及び前記陰極ゲルマトリックス基材の間に位置する1つ以上の濾紙を更に含んでなる、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極が前記電源と一体化されている、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極が使い捨て可能である、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極がステンレス鋼、炭素、アルミニウム、銅、銀又は鉛を含んでなる、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極が電気化学的にイオン化可能な金属を含んでなる、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極が銅、銀又は鉛を含んでなる、請求項6記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極が前記電源と一体化されている、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極が使い捨て可能である、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極がステンレス鋼、炭素、アルミニウム、パラジウム、銅又は白金を含んでなる、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極がステンレス鋼、炭素、銅、アルミニウム、銀、白金又は鉛を含んでなる、請求項10記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極ゲルマトリックス基材がアガロースを含んでなる、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極ゲルマトリックス基材がアクリルアミドを含んでなる、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極ゲルマトリックス基材がアガロースを更に含んでなる、請求項13記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極ゲルマトリックス基材が1つ以上の緩衝液を含んでなる、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極ゲルマトリックス基材が有機緩衝液を含んでなる、請求項15記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極ゲルマトリックス基材が、2−(N−モルホリノ)−エタンスルホン酸(MES)、N−(2−アセトアミド)−2−アミノエタンスルホン酸(ACES)、ピペラジン−N,N’−2−エタンスルホン酸(PIPES)、2−(N−モルホリノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(MOPSO)、N,N−ビス−(ヒドロキシエチル)−2−アミノエタンスルホン酸(BES)、3−(N−モルホリノ)−プロパンスルホン酸(MOPS)、N−トリス−(ヒドロキシメチル)−2−エタンスルホン酸(TES)、N−2−ヒドロキシエチル−ピペラジン−N−2−エタンスルホン酸(HEPES)、3−(N−トリス−(ヒドロキシメチル)メチルアミノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(TAPSO)、3−(N,N−ビス[2−ヒドロキシエチル]アミノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(DIPSO)、N−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン−N’−(2−ヒドロキシプロパンスルホン酸)(HEPPSO)、4−(2−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジンプロパンスルホン酸(EPPS)、N−[トリス(ヒドロキシメチル)メチル]グリシン(トリシン)、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)グリシン(ビシン)、(2−ヒドロキシ−1,1−ビス(ヒドロキシメチル)エチル)アミノ]−1−プロパンスルホン酸(TAPS)、(N−(1,1−ジメチル−2−ヒドロキシエチル)−3−アミノ−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(AMPSO)、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン(トリス)、グリシン又はビス[2−ヒドロキシエチル]イミノトリス[ヒドロキシメチル]メタン(ビストリス)を含んでなる、請求項16記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極ゲルマトリックス基材がpKa6〜8の緩衝液を含んでなる、請求項15記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極ゲルマトリックス基材がpKa6.2〜7.2の緩衝液を含んでなる、請求項18記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極ゲルマトリックス基材が、3−(N−トリス−(ヒドロキシメチル)メチルアミノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(TAPSO)、N−[トリス(ヒドロキシメチル)メチル]グリシン(トリシン)、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)グリシン(ビシン)、(2−ヒドロキシ−1、1−ビス(ヒドロキシメチル)エチル)アミノ]−1−プロパンスルホン酸(TAPS)、N−(1,1−ジメチル−2−ヒドロキシエチル)−3−アミノ−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(AMPSO)、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン(トリス)、ビス−[2ヒドロキシエチル]イミノトリス[ヒドロキシメチル]メタン(ビストリス)又はN,N−ビス[2−ヒドロキシエチル]グリシンを含んでなる、請求項14記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックス基材がビストリスを含んでなる、請求項20記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記ビストリスが10mM〜1Mの濃度で存在する、請求項21記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記ビストリスが20mM〜500mMの濃度で存在する、請求項22記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記ビストリスが50mM〜300mMの濃度で存在する、請求項23記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックス基材がトリシンを更に含んでなる、請求項21記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記トリシンが10mM〜1Mの濃度で存在する、請求項25記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記トリシンが20mM〜500mMの濃度で存在する、請求項26記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記トリシンが50mM〜300mMの濃度で存在する、請求項27記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極ゲルマトリックスが、前記陰極ゲルマトリックスに存在しない1つ以上のアニオン性緩衝化合物を更に含んでなる、請求項15記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記アニオン性緩衝化合物がEDTA、コハク酸塩、クエン酸塩、マレイン酸塩、カコジラート、2−(N−モルホリノ)−エタンスルホン酸(MES)、N−(2−アセタミド)イミノ二酢酸(ADA)、N−(2−アセトアミド)−2‐アミノエタンスルホン酸(ACES)、ピペラジン−N,N’−2−エタンスルホン酸(PIPES)、2−(N−モルホリノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(MOPSO)、N,N−ビス−(ヒドロキシエチル)−2−アミノエタンスルホン酸(BES)、3−(N−モルホリノ)−プロパンスルホン酸(MOPS)又はN−トリス−(ヒドロキシメチル)−2−エタンスルホン酸(TES)である、請求項21記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記アニオン性緩衝化合物が両性イオン緩衝液である、請求項29記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記アニオン性化合物が2−(N−モルホリノ)−エタンスルホン酸(MES)、N−(2−アセトアミド)−2‐アミノエタンスルホン酸(ACES)、2−(N−モルホリノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(MOPSO)、N,N−ビス−(ヒドロキシエチル)−2‐アミノエタンスルホン酸(BES)又は3−(N−モルホリノ)−プロパンスルホン酸(MOPS)である、請求項31記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記アニオン性化合物がBESである、請求項32記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記BESが10mM〜1Mの濃度で存在する、請求項32記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記BESが20mM〜500mMの濃度で存在する、請求項34記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記BESが50mM〜300mMの濃度で存在する、請求項35記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陽極ゲルマトリックス基材がエチレングリコールを含んでなる、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックス基材がアクリルアミドを含んでなる、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックス基材がアガロースを含んでなる、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックス基材がイオン交換マトリクスを更に含んでなる、請求項39記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記イオン交換マトリクスがDEAEイオン交換マトリクスである、請求項40記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記イオン交換マトリクスがアニオンをロードされている、請求項40記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記イオン交換マトリクスがトリシンアニオンをロードされている、請求項42記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックス基材が1つ以上の緩衝液を含んでなる、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックス基材が有機緩衝液を含んでなる、請求項44記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックス基材が、2−(N−モルホリノ)−エタンスルホン酸(MES)、N−(2−アセトアミド)−2−アミノエタンスルホン酸(ACES)、ピペラジン−N,N’−2−エタンスルホン酸(PIPES)、2−(N−モルホリノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(MOPSO)、N,N−ビス−(ヒドロキシエチル)−2−アミノエタンスルホン酸(BES)、3−(N−モルホリノ)−プロパンスルホン酸(MOPS)、N−トリス−(ヒドロキシメチル)−2−エタンスルホン酸(TES)、N−2−ヒドロキシエチル−ピペラジン−N−2−エタンスルホン酸(HEPES)、3−(N−トリス−(ヒドロキシメチル)メチルアミノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(TAPSO)、3−(N,N−ビス[2−ヒドロキシエチル]アミノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(DIPSO)、N−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン−N’−(2−ヒドロキシプロパンスルホン酸)(HEPPSO)、4−(2−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジンプロパンスルホン酸(EPPS)、N−[トリス(ヒドロキシメチル)メチル]グリシン(トリシン)、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)グリシン(ビシン)、(2−ヒドロキシ−1,1−ビス(ヒドロキシメチル)エチル)アミノ]−1−プロパンスルホン酸(TAPS)、(N−(1,1−ジメチル−2−ヒドロキシエチル)−3−アミノ−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(AMPSO)、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン(トリス)、グリシン又はビス[2−ヒドロキシエチル]イミノトリス[ヒドロキシメチル]メタン(ビストリス)を含んでなる、請求項45記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックス基材がpKa6〜8の緩衝液を含んでなる、請求項45記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックス基材がpKa7〜8の緩衝液を含んでなる、請求項47記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックス基材が、3−(N−トリス−(ヒドロキシメチル)メチルアミノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(TAPSO)、N−[トリス(ヒドロキシメチル)メチル]グリシン(トリシン)、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)グリシン(ビシン)、(2−ヒドロキシ−1、1−ビス(ヒドロキシメチル)エチル)アミノ]−1−プロパンスルホン酸(TAPS)、N−(1,1−ジメチル−2−ヒドロキシエチル)−3−アミノ−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(AMPSO)、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン(トリス)、ビス−[2ヒドロキシエチル]イミノトリス[ヒドロキシメチル]メタン(ビストリス)又はN,N−ビス[2−ヒドロキシエチル]グリシンを含んでなる、請求項44記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックス基材がビストリスを含んでなる、請求項49記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記ビストリスが10mM〜1Mの濃度で存在する、請求項50記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記ビストリスが20mM〜500mMの濃度で存在する、請求項51記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記ビストリスが50mM〜300mMの濃度で存在する、請求項47記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックス基材がトリシンを更に含んでなる、請求項45記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記トリシンが10mM〜1Mの濃度で存在する、請求項54記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記トリシンが20mM〜500mMの濃度で存在する、請求項55記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記トリシンが50mM〜300mMの濃度で存在する、請求項56記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記陰極ゲルマトリックスがエチレングリコールを更に含んでなる、請求項44記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- ブロッティング膜を更に含んでなる、請求項1記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記ブロッティング膜がニトロセルロース、セルロース、ナイロン、PDVF又はその誘導体を含んでなる、請求項59記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 1つ以上の生体分子を含むゲルを更に含んでなる、請求項59記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 1つ以上の生体分子を含む前記ゲルが電気泳動ゲルである、請求項60記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記ゲルが1つ以上の蛋白質を含んでなる、請求項61記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- 前記ゲルが1つ以上の核酸分子を含んでなる、請求項61記載のドライ式エレクトロブロッティングシステム。
- ドライ式エレクトロブロッティングを実施するための電極回路であって、イオン供給源を含むゲルマトリックス基材及びゲルの基材に並設される電極を含んでなる電極回路。
- 前記電極が前記ゲルマトリックス基材中に少なくとも部分的に埋め込まれる、請求項65記載の電極回路。
- 前記電極が非金属導電性材料、非金属導電性材料を含むメッシュ、金属箔、金属メッシュ、金属で被覆された非導電性ポリマー層、金属で被覆された非導電性ポリマーメッシュ、導電性非金属で被覆された非導電性ポリマー層、導電性非金属で被覆された非導電性ポリマーメッシュ又はそれらの組み合わせを含んでなる層である、請求項65記載の電極回路。
- 前記電極が電気化学的にイオン化可能な金属を含んでなる、請求項65記載の電極回路。
- 前記電極が1つ以上の鉛、銅又は銀を含んでなる、請求項68記載の電極回路。
- 前記電極が銅を含んでなる、請求項69記載の電極回路。
- 前記電極が酸素ガスを吸収する金属を含んでなる、請求項65記載の電極回路。
- 前記電極がアルミニウムを含んでなる、請求項71記載の電極回路。
- 前記電極が水素ガスを吸収する金属を含んでなる、請求項65記載の電極回路。
- 前記電極がパラジウムを含んでなる、請求項73記載の電極回路。
- 前記電極回路が陽極電極回路である、請求項71記載の電極回路。
- 前記電極回路が陰極電極回路である、請求項73記載の電極回路。
- 前記イオン供給源が、前記ゲルマトリックス基材に含まれる緩衝液、前記ゲルマトリックス基材に含まれるイオン交換マトリクス又はそれらの組み合わせを含んでなる、請求項65記載の電極回路。
- 前記イオン供給源が前記ゲルマトリックス基材に含まれる緩衝液を含んでなる、請求項77記載の電極回路。
- 前記緩衝液が、2−(N−モルホリノ)−エタンスルホン酸(MES)、N−(2−アセトアミド)−2−アミノエタンスルホン酸(ACES)、ピペラジン−N,N’−2−エタンスルホン酸(PIPES)、2−(N−モルホリノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(MOPSO)、N,N−ビス−(ヒドロキシエチル)−2−アミノエタンスルホン酸(BES)、3−(N−モルホリノ)−プロパンスルホン酸(MOPS)、N−トリス−(ヒドロキシメチル)−2−エタンスルホン酸(TES)、N−2−ヒドロキシエチル−ピペラジン−N−2−エタンスルホン酸(HEPES)、3−(N−トリス−(ヒドロキシメチル)メチルアミノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(TAPSO)、3−(N,N−ビス[2−ヒドロキシエチル]アミノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(DIPSO)、N−(2−ヒドロキシエチル)ピペラジン−N’−(2−ヒドロキシプロパンスルホン酸)(HEPPSO)、4−(2−ヒドロキシエチル)−1−ピペラジンプロパンスルホン酸(EPPS)、N−[トリス(ヒドロキシメチル)メチル]グリシン(トリシン)、N,N−ビス(2−ヒドロキシエチル)グリシン(ビシン)、(2−ヒドロキシ−1,1−ビス(ヒドロキシメチル)エチル)アミノ]−1−プロパンスルホン酸(TAPS)、(N−(1,1−ジメチル−2−ヒドロキシエチル)−3−アミノ−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(AMPSO)、トリス(ヒドロキシメチル)アミノメタン(トリス)、グリシン又はビス[2−ヒドロキシエチル]イミノトリス[ヒドロキシメチル]メタン(ビストリス)の1つ以上を含んでなる、請求項77記載の電極回路。
- 前記イオン供給源が、トリスグリシン緩衝液、グリシン緩衝液、トリス酢酸緩衝液、トリスホウ酸緩衝液、ビストリス緩衝液、ビストリストリシン緩衝液、ビストリスビシン緩衝液、MES緩衝液、MOPS緩衝液又はMOPSO緩衝液を含んでなる、請求項79記載の電極回路。
- 前記イオン供給源がビストリストリシン緩衝液を含んでなる、請求項80記載の電極回路。
- 前記ビストリス緩衝液が10mM〜1Mの濃度で存在する、請求項81記載の電極回路。
- 前記ビストリス緩衝液が20mM〜500mMの濃度で存在する、請求項82記載の電極回路。
- 前記ビストリス緩衝液が50mM〜250mMの濃度で存在する、請求項83記載の電極回路。
- 前記トリシンが10mM〜1Mの濃度で存在する、請求項81記載の電極回路。
- 前記トリシンが20mM〜500mMの濃度で存在する、請求項85記載の電極回路。
- 前記トリシンが50mM〜250mMの濃度で存在する、請求項86記載の電極回路。
- N,N−ビス[ヒドロキシエチル]2‐アミノエタンスルホン酸(BES)を更に含んでなる、請求項81記載の電極回路。
- エチレングリコールを更に含んでなる、請求項80記載の電極回路。
- 前記エチレングリコールが1%〜50%の濃度で存在する、請求項89記載の電極回路。
- 前記エチレングリコールが5%〜35%の濃度で存在する、請求項90記載の電極回路。
- 前記エチレングリコールが20%の濃度で存在する、請求項91記載の電極回路。
- 前記イオン供給源が、前記ゲルマトリックス基材に含まれるイオン交換マトリクスを更に含んでなる、請求項78記載の電極回路。
- 前記イオン交換マトリクスがDEAEセルロースである、請求項93記載の電極回路。
- 前記イオン交換マトリクスが1つ以上の緩衝液を含むDEAEセルロースである、請求項94記載の電極回路。
- 前記イオン交換マトリクスがトリシンを含むDEAEセルロースである、請求項95記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材が、1つ以上の抗腐食化合物、1つ以上の抗黴剤、1つ以上の可溶化剤、1つ以上の色素、1つ以上の還元剤、1つ以上のキレート剤、1つ以上のブロッキング剤又は1つ以上のプロテアーゼを更に含んでなる、請求項65記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材が1つ以上の可溶化剤を更に含んでなる、請求項97記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材が界面活性剤を更に含んでなる、請求項98記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材がアニオン性界面活性剤を更に含んでなる、請求項98記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材がSDSを更に含んでなる、請求項100記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材が1つ以上の色素を更に含んでなる、請求項97記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材が蛋白質染色色素を更に含んでなる、請求項102記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材が、クーマシー染色、SyproRuby、Direct Blue71又は銅フタロシアンテトラスルホン酸染色を更に含んでなる、請求項103記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材がポリアクリルアミド系ゲル、アガロース系ゲル、又はアクリルアミド及びアガロースを含んでなるゲルである、請求項65記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材がアガロース系ゲルである、請求項105記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材が0.1%〜5%のアガロースである、請求項106記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材が0.5%〜4%のアガロースである、請求項107記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材が1%〜3%のアガロースである、請求項108記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材がアクリルアミド系ゲルである、請求項105記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材が2.5%〜30%のアクリルアミドである、請求項110記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材が5%〜20%のアクリルアミドである、請求項111記載の電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材が10%のアクリルアミドである、請求項112記載の電極回路。
- 前記アクリルアミドが40:1〜5:1までの比率でアクリルアミドとビスアクリルアミドを含んでなる、請求項110記載の電極回路。
- 前記アクリルアミドが30:1〜10:1までの比率でアクリルアミドとビスアクリルアミドを含んでなる、請求項114記載の電極回路。
- 前記アクリルアミドが19:1の比率でアクリルアミドとビスアクリルアミドを含んでなる、請求項115記載の電極回路。
- アガロースを更に含んでなる、請求項110記載の電極回路。
- 前記アガロースが0.1%〜2%の濃度で存在する、請求項117記載の電極回路。
- 前記アガロースが0.2%〜1%の濃度で存在する、請求項118記載の電極回路。
- 前記アガロースが0.5%の濃度で存在する、請求項119記載の電極回路。
- 1つ以上のブロッティング膜を更に含んでなり、前記ゲルマトリックス基材が前記電極に並設される第1面、及び1つ以上のブロッティング膜に並設される第2面を含んでなる、請求項65記載の電極回路。
- 前記1つ以上のブロッティング膜がナイロン系膜、ニトロセルロース系膜、ポリビニリデンジフルオライド(PVDF)系膜又は活性紙ブロッティング膜である、請求項121記載の電極回路。
- イオン供給源を含むゲルマトリックス基材及び前記ゲルマトリックス基材に並設される電極を含んでなる陰極電極回路。
- 前記イオン供給源が緩衝液を含んでなる、請求項123記載の陰極電極回路。
- 前記緩衝液がビストリストリシン緩衝液である、請求項124記載の陰極電極回路。
- 前記イオン供給源がイオン交換マトリクスを更に含んでなる、請求項124記載の陰極電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材がアガロースを含んでなる、請求項123記載の陰極電極回路。
- 前記電極が銅を含んでなる、請求項123記載の陰極電極回路。
- 前記電極が前記ゲルマトリックス基材に少なくとも部分的に埋め込まれる、請求項123記載の陰極電極回路。
- 密封容器に設けられる、請求項123記載の陰極電極回路。
- イオン供給源を含むゲルマトリックス基材、及び前記ゲルマトリックス基材の第1面に並設される電極を含んでなる、陽極電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材がアクリルアミドを含んでなる、請求項131記載の陽極電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材が、アガロースを更に含んでなる、請求項132記載の陽極電極回路。
- 前記イオン供給源が1つ以上の緩衝液を含んでなる、請求項133記載の陽極電極回路。
- 前記緩衝液がビストリストリシンである、請求項134記載の陽極電極回路。
- BESを更に含んでなる、請求項135記載の陽極電極回路。
- 前記電極が銅を含んでなる、請求項131記載の陽極電極回路。
- 前記ゲルマトリックス基材の第2面に並設されるブロッティング膜を更に含んでなる、請求項131記載の陽極電極回路。
- 前記ブロッティング膜がニトロセルロース、ナイロン又はPVDFを含んでなる、請求項138記載の陽極電極回路。
- 前記電極、前記ゲルマトリックス基材及び前記ブロッティング膜を保持するトレイを更に含んでなる、請求項138記載の陽極電極回路。
- 前記トレイがプラスチックを含んでなる、請求項140記載の陽極電極回路。
- ドライ式エレクトロブロッティングの実施方法であって、1つ以上の生体分子を含む分析ゲルと1つ以上のブロッティング膜を含む転写スタックを陽極電極回路と陰極電極回路との間に配置することと、陽極電極回路の陽極と陰極電極回路の陰極との間で電流を流して分析ゲルからブロッティング膜へ1つ以上の生体分子を転写することとを含んでなる方法。
- 前記陽極が銅を含んでなり、前記電流を流す工程で用いる電流密度が、1つ以上の生体分子を含む前記ゲルの前記第1面1cm2当たり15mA以上である、請求項142記載の方法。
- 1つ以上の生体分子を含む前記分析ゲルが電気泳動ゲルである、請求項142記載の方法。
- 陽極ゲルマトリックスが、前記陰極ゲルマトリックス中に存在しないか又は顕著に少ない量で存在する1つ以上のアニオン性緩衝化合物を含んでなる、請求項142記載の方法。
- 前記アニオン性緩衝化合物が、EDTA、コハク酸、クエン酸塩、マレイン酸、カコジラート、2−(N−モルホリノ)−エタンスルホン酸(MES)、N−(2−アセトアミド)イミノ二酢酸(ADA)、N−(2−アセトアミド)−2‐アミノエタンスルホン酸(ACES)、ピペラジン−N,N’−2−エタンスルホン酸(PIPES)、2−(N−モルホリノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(MOPSO)、N,N−ビス−(ヒドロキシエチル)−2‐アミノエタンスルホン酸(BES)、3−(N−モルホリノ)−プロパンスルホン酸(MOPS)又はN−トリス−(ヒドロキシメチル)−2−エタンスルホン酸(TES)である、請求項145記載の方法。
- 前記アニオン性緩衝化合物が、2−(N−モルホリノ)−エタンスルホン酸(MES)、N−(2−アセトアミド)−2‐アミノエタンスルホン酸(ACES)、2−(N−モルホリノ)−2−ヒドロキシプロパンスルホン酸(MOPSO)、N,N−ビス−(ヒドロキシエチル)−2‐アミノエタンスルホン酸(BES)又は3−(N−モルホリノ)−プロパンスルホン酸(MOPS)である、請求項146記載の方法。
- 前記方法が前記陽極電極回路、前記陰極電極回路又は前記転写スタックへのいかなる緩衝液の添加も含まない、請求項142記載の方法。
- 陽極電極及び陰極電極間で電流を印加する前に、前記分離ゲル、前記陽極電極回路及び前記陰極電極回路の間にゲルセパレータ部材を有する消泡装置を通すことを更に含んでなり、前記分離ゲル、前記ブロッティング膜及び前記陰極ゲル基材との間への気泡のトラッピングが減少又は回避される、請求項142記載の方法。
- 前記ブロッティング膜上へエレクトロブロッティングされる1つ以上の生体分子の検出を更に含んでなる、請求項142記載の方法。
- 前記検出が核酸染色、核酸ハイブリダイゼーション、蛋白質染色又は免疫検出によるものである、請求項150記載の方法。
- 前記検出が免疫検出によるものである、請求項151記載の方法。
- 前記検出が化学発光検出、色素検出、放射性同位元素検出又は蛍光検出によるものである、請求項152記載の方法。
- ドライ式エレクトロブロッティング用のキットであって、イオン供給源を含むゲルマトリックス基材、及び前記ゲルマトリックス基材の第1面に並設される導電性電極を含む1つ以上の使い捨て可能な電極回路、並びに1つ以上のブロッティング膜を含んでなるキット。
- 前記1つ以上の使い捨て可能な電極回路が、1つ以上の陽極電極回路、1つ以上の陰極電極回路、又は1つ以上の陽極電極回路と1つ以上の陰極電極回路の組み合わせである、請求項154記載のキット。
- 前記1つ以上の陽極電極回路のイオン供給源が、緩衝液、イオン交換マトリクス、前記導電性電極又はそれらの組み合わせである、請求項154記載のキット。
- 前記1つ以上の陰極電極回路のイオン供給源が、緩衝液、イオン交換マトリクス又はそれらの組み合わせである、請求項154記載のキット。
- 電気泳動用のイオン供給源を含む陽極ゲルマトリックス基材、及び前記陽極ゲルマトリックス基材の第1面に並設される電極を含む1つ以上の使い捨て可能な陽極電極回路と、イオン供給源を含む陰極ゲルマトリックス基材、及び陰極ゲルマトリックス基材に並設される導電性電極を含む1つ以上の陰極電極回路とを含んでなる、ドライ式エレクトロブロッティング用キットであって、前記陽極ゲルマトリックス基材が、陰極ゲルマトリックス基材に含まれないか又は顕著に少ない量で含まれる1つ以上のアニオン性化合物を含むキット。
- 前記陽極電極が銅を含んでなる、請求項158記載のキット。
- 前記陰極電極が銅を含んでなる、請求項159記載のキット。
- 前記1つ以上の使い捨て可能な陽極電極回路がプラスチックトレイに設けられる、請求項158記載のキット。
- 1つ以上のブロッティング膜を更に含んでなる、請求項158記載のキット。
- 1つ以上の使い捨て可能なスポンジを更に含んでなる、請求項158記載のキット。
- 1つ以上の濾紙を更に含んでなる、請求項158記載のキット。
- 電気泳動用のイオン供給源を含む陽極ゲルマトリックス基材、陽極ゲルマトリックス基材の第1面に並設される電極及び陽極ゲルマトリックス基材の第1面に並設されるブロッティング膜を含む1つ以上の使い捨て可能な陽極電極回路と、イオン供給源を含む陰極ゲルマトリックス基材、及び陰極ゲルマトリックス基材に並設される導電性電極を含む1つ以上の陰極電極回路とを含んでなる、ドライ式エレクトロブロッティング用のキット。
- 前記陽極ゲルマトリックス基材が、前記陰極ゲルマトリックス基材に含まれないか又は顕著に少ない量で含まれる1つ以上のアニオン性化合物を含んでなる、請求項165記載のキット。
- 前記陽極電極が銅を含んでなる、請求項165記載のキット。
- 前記陰極電極が銅を含んでなる、請求項167記載のキット。
- 前記1つ以上の使い捨て可能な陽極電極回路がプラスチックトレイに設けられる、請求項165記載のキット。
- 1つ以上の使い捨て可能なスポンジを更に含んでなる、請求項165記載のキット。
- 1つ以上の濾紙を更に含んでなる、請求項165記載のキット。
- 前記1つ以上の陽極電極回路の各々、及び前記1以上陰極電極回路の各々が、密封容器中に封入される、請求項165記載のキット。
- 電気泳動用のイオン供給源を含むゲルマトリックス基材及びゲルマトリックス基材の第1面に並設される電極を含んでなる、使い捨て可能な電極回路。
- 電気泳動用のイオン供給源を含むゲルマトリックス基材、ゲルマトリックス基材の第1面に並設される電極及びゲルマトリックス基材の第2面に並設されるブロッティング膜を含んでなる、使い捨て可能な電極回路。
- 電気泳動用のイオン供給源を含む陽極ゲルマトリックス基材及び前記陽極ゲルマトリックス基材の第1面に並設される電極を含む1つ以上の使い捨て可能な陽極電極回路と、イオン供給源を含む陰極ゲルマトリックス基材及び陰極ゲルマトリックス基材に並設される導電性電極を含む1つ以上の陰極電極回路とを含んでなるドライ式エレクトロブロッティング用のキットであって、前記陽極ゲルマトリックス基材の組成と前記陰極ゲルマトリックス基材の組成が異なるキット。
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