JP2008530819A - 半導体ウエハ上に形成された構造体の光パルスを用いた光計測 - Google Patents
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Abstract
Description
1 光パルスを用いた光計測
図1を参照すると、光計測システム100は、ウエハ104上に形成された構造体102を検査及び解析するのに用いられて良い。たとえば光計測システム100は、ウエハ104上に形成された周期回折格子の特徴を決定するのに用いられて良い。先述のように、周期回折格子は、たとえばウエハ104上に形成された素子の隣のような、ウエハ104上の検査領域内に形成されて良い。あるいはその代わりに、周期回折格子は、素子の動作と干渉しない素子の領域内又はウエハ104上のスクライビングラインに沿って形成されて良い。
2 パルス発生装置
一の典型的実施例では、パルス発生装置106は超短パルスレーザーであって良い。超短パルスレーザーとはたとえば、モードロックレーザー、フェムト秒(fs)範囲のパルス長を有するダイオード励起チタンサファイアレーザー、イッテルビウム−タングステン酸(Yb:KGW)レーザー等である。非特許文献1、非特許文献2及び非特許文献3を参照のこと。パルスのチューニング(つまり波長を変化させること)は、光パラメトリック増幅(OPA)を用いることによって実現されて良い。この典型的実施例では、240nmから10μm範囲の波長が掃引されて良い。
3 パルス検出器
図1に図示されているように、入射パルス108は、構造体102から回折された回折パルス110となる。回折パルス110はパルス検出器112を用いて測定される。以降でより詳細に説明されるように、構造体102は入射パルス108の形状を変化させて良い。たとえば入射パルス108がガウシアン包絡関数を有するとき、入射パルス108は、構造体102から回折されるときに、伸張又は圧縮された回折パルス110となって良い。構造体102はまた、入射パルス108の周波数を変調させても良い。これは“チャープ”と呼ばれる。
3.1 分光計
上述したように、周波数領域では、スペクトルのFWHM帯域を測定するのに分光計が用いられて良い。一般的に分光計では、射出スリットを通り抜ける光は、光電検出器を用いて記録される。分光計は、光をその波長で分解し、かつその光のスペクトル強度分布を決定する。一般的に分光計は、入力コリメータ(入力スリット及び入力対物レンズ)、出力光学系(対物レンズ及び射出スリット)、及びそれらの間に波長選択素子(たとえばプリズム、回折格子又は干渉計)を有する。
3.2 自己相関器
上述したように、時間領域では、自己相関器が、自己相関関数(ACF)のFWHM−パルス間隔を測定するのに用いられて良い。一般的に、自己相関器の基本原理は、回折パルス110を2のパルスに分割し、その2のパルスに時間遅延を与え、かつそれらを重ね合わせることである。時間遅延を掃引しながら、回折パルス110の強度包絡関数に対応するACFが記録されて良い。非特許文献4も参照のこと。
3.3 スペクトル位相干渉計
上述したように、周波数及び時間領域では、ACF及びスペクトル位相を測定するのにスペクトル位相干渉計が用いられて良い。非特許文献5及び非特許文献6も参照のこと。
4.0 データ解析
次に光パルスを用いた光計測を行うにあたっての簡単な数学的基礎を供することにする。
4.1 数値的手法
次に入射パルスと構造体との相互作用を解析する数値的手法について説明する。
周波数領域では、畳み込み操作は次のようなかけ算となる。
ここでE0(ν)及びE(ν)は入射及び回折スペクトルで、G(ν)は構造体の周波数応答である。スペクトルX(ν)と時間関数X(t)とはフーリエ変換の対である(X=E,E0,G)。
G(t−τ)=F(G(ν)) (10)
である。ここでνは光の振動数である。波長λがc/νに対応するので、これはスペクトル応答に対応し、G(ν)は容易にG(λ)へ変換することができる。スペクトル応答G(λ)は、たとえば厳密結合波解析(RCWA)、機械学習システム等の数値解析手法を用いて生成されて良い。
4.2 数値的手法のモデリング
次に上述の数値的手法を行うシミュレーションについて説明する。このシミュレーションは、3fsのFWHM及び4THzのキャリア周波数(λ≒500nmに対応)を有するガウシアンビームが、シリコンにエッチングをして作製された2の異なる回折格子によって回折されるものと仮定する。その回折格子は、500nmの回折格子周期、200nmのエッチ深さ、及び、それぞれ250nmと240nmの線幅を有する。
4.3 解析手法
次にパルスと構造体との相互作用を解析する解析手法について説明する。カールヘール(Karl Hehl)、”Phase and Phase Derivative Targets”、2000年6月の研究報告も参照のこと。しかし課せられた適用条件(ガウシアンパルス、べき級数展開)のため、上述の数値的手法に取って代わることはできない。
(つまりスペクトルは指数関数で表される)。φの実部及び虚部は、次式を介してAgと関連づけられる。
ここでAi(ω)は入射パルスの周波数スペクトル、A0(ω)は回折パルスの周波数スペクトルで、Ag(ω)は構造体の周波数スペクトルである。
式(16)をガウシアン入射パルス(式(4)参照)へ適用することで次式が得られる。
次に構造体からの回折パルスの応答振る舞いに係るある特性についてのモデル化の例について説明する。後述するモデル化の例はτ=3fs及びω0=4*1015Hzであると仮定した。これはλ≒500nmに対応する。
4.4.a 1次
構造体が入射パルスへ及ぼすことのできる一の1次効果は、回折パルスの時間シフト(T)である。Tの符号に依存して、回折パルスは前進又は遅延する。たとえば図7Aから図7Dは、構造体による入射パルスの時間シフトを図示している。構造体のスペクトル応答の振幅は、周波数範囲にわたり1で一定している。つまり反射効率はどこでも100%である。スペクトル位相の振る舞いは、図7A及び図7Cに図示されている。図7A及び図7Bに図示されているように、Tが正(T=5)のとき、その結果生じる回折パルスは前進する。図7Cに図示されているように、Tが負(T=−5)のとき、その結果生じる回折パルスは遅延する。
4.4.b 2次
純然たる2次の効果を示すため、1次の項Tはゼロに設定される。2次の項の効果は、Gの項(式19−21参照)によって支配される。繰り返しになるが、位相及び振幅の効果は分離しているものと考えられる。
5.ライブラリに基づいた処理
上述したように、一の典型的実施例では、検査される構造体のプロファイル特性を決定するため、測定された回折パルスは、その構造体の仮説プロファイルに関連するシミュレーションによる回折パルスと比較される。そのシミュレーションによる回折パルスの一部は、その構造体の仮説プロファイルに関連する、その構造体のスペクトル応答を得ることによって生成される。
6.回帰分析に基づく処理
ライブラリ1102を用いずに、スペクトル応答/シミュレーションによる回折スペクトル、及び関連する仮説プロファイルは、回帰分析に基づいた処理を用いることによって得ることが可能である。図13を参照すると、スペクトル応答/シミュレーションによる回折スペクトルが、スペクトル応答/シミュレーションによる回折信号発生装置1302を用いて生成されている。
7.数値解析手法
一の典型的実施例では、スペクトル応答/シミュレーションによる回折スペクトルは、マクスウエル方程式を適用し、かつそれを解く数値解析手法を用いることによって生成することが可能である。より詳細には、後述する典型的実施例ではRCWAが用いられる。しかしRCWA、モード解析、積分法、グリーン関数法、フレネル法、有限要素法等のバリエーションを含む様々な数値解析が利用可能であることに留意すべきである。
8.機械学習システム
図14を参照すると、一の典型的実施例では、スペクトル応答/シミュレーションによる回折スペクトルは、機械学習システム(MLS)1402を用いることによって生成することが可能である。MLS1402は、逆伝播、動径分布関数、サポートベクトル、カーネル回帰等の機械学習アルゴリズムを用いている。機械学習システム及びアルゴリズムのより詳細な説明については、非特許文献9及び特許文献4を参照のこと。
Claims (32)
- ウエハ上に形成された、プロファイルを有する構造体を検査する方法であって:
サブピコ秒光パルスである入射パルスを前記構造体へ導光する導光手順;
前記構造体から回折される前記入射パルスから生成される回折パルスを測定する測定手順;及び
前記測定された回折パルスに基づいて前記構造体の前記プロファイル特性を決定する決定手順;
を有する方法。 - 前記測定手順が前記回折パルスを自己相関させる自己相関手順を有する方法であって:
前記回折パルスを2のパルスに分割する手順;
前記パルスを時間遅延させる手順;及び
前記の遅延させたパルスを重ね合わせる手順;
を有する、
請求項1に記載の方法。 - 前記自己相関手順が、周波数分解光ゲート法を用いる手順を有する、請求項2に記載の方法。
- 前記自己相関手順が、直接電場再構築のためのスペクトル位相干渉計を用いる手順を有する方法であって:
前記回折パルスの複製を2つ生成する手順;
前記複製を互いにτだけ時間遅延させる手順;
別なパルス(チャープパルス)を、τより長い間隔に伸張する手順;
前記複製と前記チャープパルスとを非線形媒質中で混合させ、その結果として信号を発生させる手順;及び
前記の結果として発生した信号を分光計で分解する手順;
を有する、
請求項2に記載の方法。 - 前記測定手順が前記回折パルスを相互相関させる手順を有する方法であって:
参照パルスを測定する手順;及び
前記回折パルスと前記参照パルスとを比較する手順;
を有する、
請求項1に記載の方法。 - 前記参照パルスが前記入射パルスから測定される、請求項5に記載の方法。
- 前記決定手順が前記測定された回折パルスとシミュレーションによる回折パルスとを比較する手順を有する方法であって、
前記構造体の仮説プロファイルが前記シミュレーションによる回折パルスに関連し、かつ
前記パルスが一致基準の範囲内で一致するとき、前記のシミュレーションによる回折パルスに関連する構造体の仮説プロファイルは、前記の構造体のプロファイル特性を決定するのに用いられる、
請求項1に記載の方法。 - 前記入射パルスの時間信号(E0(t))を得る手順;及び
前記の入射パルスの時間信号(E0(t))と前記構造体のインパルス応答(G(t−τ))とを畳み込むことで、前記シミュレーションによる回折パルスを得る畳み込み手順;
をさらに有する、
請求項7に記載の方法。 - 前記畳み込み手順が:
前記の得られた時間信号のフーリエ変換を計算することで入射スペクトル(E0(ν))を生成する手順;
前記構造体の周波数応答(G(ν))を得る手順;
前記入射スペクトル(E0(ν))と前記周波数応答(G(ν))とを乗じることで、回折スペクトル(E(ν))を生成する手順;及び
前記回折スペクトル(E(ν))の逆フーリエ変換を計算することで、前記シミュレーションによる回折パルスを得る計算手順;
を有する、
請求項8に記載の方法。 - 前記構造体のスペクトル応答(G(λ))を得る手順;及び
前記スペクトル応答(G(λ))を前記周波数応答(G(ν))に変換する手順;
をさらに有する、
請求項9に記載の方法。 - 前記の構造体のスペクトル応答(G(λ))がスペクトル応答のライブラリから得られ、かつ
前記ライブラリ中の各スペクトル応答は前記構造体の各異なる仮説プロファイルに関連する、
請求項10に記載の方法。 - 前記の構造体のスペクトル応答(G(λ))は、前記シミュレーションによる回折パルスと前記測定された回折パルスとが比較される前に生成され、かつ
前記測定された回折パルスと前記シミュレーションによる回折パルスとが前記一致基準の範囲内で一致しないときには、前記構造体の異なる仮説プロファイルについての別なスペクトル応答が生成される、
請求項10に記載の方法。 - 前記スペクトル応答が、数値解析手法を用いることによって生成される、請求項10に記載の方法。
- 前記スペクトル応答が、機械学習システムを用いることによって生成される、請求項10に記載の方法。
- 前記決定手順が:
前記測定された回折パルスから測定された回折スペクトルを得る手順;及び
前記測定された回折スペクトルとシミュレーションによる回折スペクトルとを比較する手順;
を有し、
前記構造体の仮説プロファイルが前記シミュレーションによる回折スペクトルに関連し、かつ
前記スペクトルが一致基準の範囲内で一致するとき、前記のシミュレーションによる回折パルスに関連する構造体の仮説プロファイルは、前記の構造体のプロファイル特性を決定するのに用いられる、
請求項1に記載の方法。 - 測定された回折スペクトルを得る前記手順が:
前記入射パルスの時間信号(E0(t))を得る手順;
前記測定された回折パルスの時間信号(E(t))を得る手順;
前記の得られた入射パルス(E0(t))のフーリエ変換を計算することで入射スペクトル(E0(λ))を生成する手順;
前記測定された回折パルス(E(t))のフーリエ変換を計算することで回折スペクトル(E(λ))を生成する手順;及び
前記回折スペクトル(E(λ))と前記入射スペクトル(E0(λ))とを分離することで前記構造体の前記測定された回折スペクトルを生成する手順;
を有する、
請求項15に記載の方法。 - 前記シミュレーションによる回折スペクトルがシミュレーションによる回折スペクトルのライブラリから得られ、
前記ライブラリ中の各シミュレーションによる回折スペクトルは前記構造体の各異なる仮説プロファイルと関連する、
請求項15に記載の方法。 - 前記シミュレーションによる回折スペクトルは、前記シミュレーションによる回折スペクトルと前記測定された回折スペクトルとが比較される前に生成され、かつ
前記測定された回折スペクトルと前記シミュレーションによる回折スペクトルとが前記一致基準の範囲内で一致しないときには、前記構造体の異なる仮説プロファイルについての別なシミュレーションによる回折スペクトルが生成される、
請求項15に記載の方法。 - 前記シミュレーションによる回折スペクトルが数値解析手法を用いて生成される、請求項15に記載の方法。
- 前記シミュレーションによる回折スペクトルが機械学習システムを用いて生成される、請求項15に記載の方法。
- ウエハ上に形成された、プロファイルを有する構造体の検査システムであって:
サブピコ秒光パルスである入射パルスを前記構造体へ導光するように備えられたパルス発生装置;
前記構造体から回折される前記入射パルスから生成される回折パルスを測定するように備えられたパルス検出器;及び
前記測定された回折パルスに基づいて前記の構造体のプロファイル特性を決定するように備えられたプロセッサ;
を有するシステム。 - 前記構造体のスペクトル応答及び仮説プロファイルのライブラリをさらに有するシステムであって、
前記ライブラリ中の各スペクトル応答は前記構造体の各異なる仮説プロファイルと関連し、かつ
前記プロセッサは、前記ライブラリからのスペクトル応答を用いたシミュレーションによる回折パルスの生成、及び、前記測定された回折パルスと前記シミュレーションによる回折パルスとの比較を行うように備えられている、
請求項21に記載のシステム。 - 前記構造体のシミュレーションによる回折スペクトル及び仮説プロファイルのライブラリをさらに有するシステムであって、
前記ライブラリ中の各シミュレーションによる回折スペクトルは前記構造体の各異なる仮説プロファイルと関連し、かつ
前記プロセッサは、前記測定された回折パルスから測定された回折スペクトル得て、かつ、前記測定された回折スペクトルと前記ライブラリからのシミュレーションによる回折スペクトルとを比較するように備えられている、
請求項21に記載のシステム。 - スペクトル応答を発生させる装置をさらに有するシステムであって、前記プロセッサが、前記スペクトル応答を発生させる装置によって生成されたスペクトル応答を用いてシミュレーションによる回折パルスを生成し、かつ前記測定された回折パルスと前記シミュレーションによる回折パルスとを比較するように備えられた、請求項21に記載のシステム。
- シミュレーションによる回折信号を発生させる装置をさらに有するシステムであって、前記プロセッサが、前記回折パルスから測定された回折スペクトルを得て、かつ前記測定された回折スペクトルと前記シミュレーションによる回折信号を発生する装置によって生成されたシミュレーションによる回折信号とを比較するように備えられた、請求項21に記載のシステム。
- ウエハ上に形成された、プロファイルを有する構造体をコンピュータに検査させる、コンピュータでの実行が可能な命令を有するコンピュータでの読み取りが可能な記憶媒体であって:
サブピコ秒光パルスである入射パルスを前記構造体へ導光する導光命令;
前記構造体から回折される前記入射パルスから生成される回折パルスを測定する測定命令;及び
前記測定された回折パルスに基づいて前記構造体の前記プロファイル特性を決定する決定命令;
を有するコンピュータでの読み取りが可能な記憶媒体。 - 前記決定命令が前記測定された回折パルスとシミュレーションによる回折パルスとを比較する命令を有するコンピュータでの読み取りが可能な記憶媒体であって、
前記構造体の仮説プロファイルが前記シミュレーションによる回折パルスに関連し、かつ
前記パルスが一致基準の範囲内で一致するとき、前記のシミュレーションによる回折パルスに関連する構造体の仮説プロファイルは、前記の構造体のプロファイル特性を決定するのに用いられる、
請求項26に記載のコンピュータでの読み取りが可能な記憶媒体。 - 前記入射パルスの時間信号(E0(t))を得る命令;及び
前記の入射パルスの時間信号(E0(t))と前記構造体のインパルス応答(G(t−τ))とを畳み込むことで、前記シミュレーションによる回折パルスを得る畳み込み命令;
をさらに有する、
請求項27に記載のコンピュータでの読み取りが可能な記憶媒体。 - 前記畳み込み命令が:
前記の得られた時間信号のフーリエ変換を計算することで入射スペクトル(E0(ν))を生成する命令;
前記構造体の周波数応答(G(ν))を得る命令;
前記入射スペクトル(E0(ν))と前記周波数応答(G(ν))とを乗じることで、回折スペクトル(E(ν))を生成する命令;及び
前記回折スペクトル(E(ν))の逆フーリエ変換を計算することで、前記シミュレーションによる回折パルスを得る計算命令;
を有する、
請求項28に記載のコンピュータでの読み取りが可能な記憶媒体。 - 前記構造体のスペクトル応答(G(λ))を得る命令;及び
前記スペクトル応答(G(λ))を前記周波数応答(G(ν))に変換する命令;
をさらに有する、
請求項29に記載のコンピュータでの読み取りが可能な記憶媒体。 - 前記決定命令が:
前記測定された回折パルスから測定された回折スペクトルを得る命令;及び
前記測定された回折スペクトルとシミュレーションによる回折スペクトルとを比較する命令;
を有し、
前記構造体の仮説プロファイルが前記シミュレーションによる回折スペクトルに関連し、かつ
前記スペクトルが一致基準の範囲内で一致するとき、前記のシミュレーションによる回折パルスに関連する構造体の仮説プロファイルは、前記の構造体のプロファイル特性を決定するのに用いられる、
請求項26に記載のコンピュータでの読み取りが可能な記憶媒体。 - 測定された回折スペクトルを得る前記命令が:
前記入射パルスの時間信号(E0(t))を得る命令;
前記測定された回折パルスの時間信号(E(t))を得る命令;
前記の得られた入射パルス(E0(t))のフーリエ変換を計算することで入射スペクトル(E0(λ))を生成する命令;
前記測定された回折パルス(E(t))のフーリエ変換を計算することで回折スペクトル(E(λ))を生成する命令;及び
前記回折スペクトル(E(λ))と前記入射スペクトル(E0(λ))とを分離することで前記構造体の前記測定された回折スペクトルを生成する命令;
を有する、
請求項31に記載のコンピュータでの読み取りが可能な記憶媒体。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/061,330 US7274465B2 (en) | 2005-02-17 | 2005-02-17 | Optical metrology of a structure formed on a semiconductor wafer using optical pulses |
PCT/US2006/004291 WO2006088698A2 (en) | 2005-02-17 | 2006-02-06 | Optical metrology of a structure formed on a semiconductor wafer using optical pulses |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008530819A true JP2008530819A (ja) | 2008-08-07 |
Family
ID=36815289
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007556183A Pending JP2008530819A (ja) | 2005-02-17 | 2006-02-06 | 半導体ウエハ上に形成された構造体の光パルスを用いた光計測 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7274465B2 (ja) |
JP (1) | JP2008530819A (ja) |
KR (1) | KR101300347B1 (ja) |
CN (1) | CN101115969B (ja) |
TW (1) | TWI292815B (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A521 | Written amendment |
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