JP2008530748A - 質量分析計 - Google Patents
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Abstract
【選択図】 図3
Description
Buryakovら、International Journal of Mass Spectrometry and Ion Processes 128,1993, pp 143-148.
1つ以上の第1の電極と、
1つ以上の第2の電極と、
使用時にイオンが走行する概してまたは実質的に平面に配置され、1つ以上の第1の電極と1つ以上の第2の電極との間に配置される1つ以上の層の中間電極と、
1つ以上の第1の電極、および/または1つ以上の層の中間電極、および/または1つ以上の第2の電極に非対称電圧波形を印加するように配置および適合される第1の電圧手段とを含む装置が提供される。
1つ以上の第1の電極と、1つ以上の第2の電極と、イオンが走行する概してまたは実質的に平面に配置され1つ以上の第1の電極と1つ以上の第2の電極との間に配置される1つ以上の層の中間電極とを含む装置を準備する工程と、
1つ以上の第1の電極、および/または1つ以上の層の中間電極、および/または1つ以上の第2の電極に非対称電圧波形を印加する工程とを含むイオン分離方法が提供される。
1つ以上の第1の電極と、
1つ以上の第2の電極と、
1つ以上の第1の電極および/または1つ以上の第2の電極に非対称電圧波形を印加するように配置および適合される第1の電圧手段とを含み、
使用時に、(i)<0.0001mbar、(ii)0.0001〜0.001mbar、(iii)0.001〜0.01mbar、(iv)0.01〜0.1mbar、(v)0.1〜1mbar、(vii)1〜10mbar、および(viii)10〜100mbarからなる群から選択される圧力に維持されるように配置および適合される装置が提供される。
1つ以上の第1の電極と1つ以上の第2の電極とを含む装置を準備する工程と、
1つ以上の第1の電極および/または1つ以上の第2の電極に非対称電圧波形を印加する工程と、
上記装置を、(i)<0.0001mbar、(ii)0.0001〜0.001mbar、(iii)0.001〜0.01mbar、(iv)0.01〜0.1mbar、(v)0.1〜1mbar、(vii)1〜10mbar、および(viii)10〜100mbarからなる群から選択される圧力に維持する工程とを含むイオン分離方法が提供される。
Claims (92)
- 1つ以上の第1の電極と、
1つ以上の第2の電極と、
使用時にイオンが走行する概してまたは実質的に平面に配置され、前記1つ以上の第1の電極と前記1つ以上の第2の電極との間に配置される1つ以上の層の中間電極と、
前記1つ以上の第1の電極、および/または前記1つ以上の層の中間電極、および/または前記1つ以上の第2の電極に非対称電圧波形を印加するように配置および適合される第1の電圧手段とを含む装置。 - 前記装置は、(i)高電界非対称波形イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ、(ii)イオン移動度セパレータまたはスペクトロメータ、(iii)気相電気泳動装置、(iv)微分型イオン移動度セパレータ、スペクトロメータ、または装置、(v)電界非対称性イオン移動度スペクトロメトリー(「FAIMS」)装置、(vi)気相イオンセパレータまたはスペクトロメータ、(vii)イオンを移動度に従って分離する装置、および(viii)電界強度を用いてイオン移動度の差または変化に従ってイオンを分離する装置からなる群から選択される請求項1に記載の装置。
- 前記非対称電圧波形は、第1のピーク振幅を有する少なくとも第1の電圧成分Vhighと第2のピーク振幅を有する少なくとも第2の電圧成分Vlowとを含み、前記第1のピーク振幅は、前記第2のピーク振幅とは実質的に異なる請求項1または2に記載の装置。
- 前記第1のピーク振幅は、正もしくは負であり、かつ/または前記第2のピーク振幅は、正もしくは負である請求項3に記載の装置。
- 前記第1のピーク振幅および/または前記第2のピーク振幅は、(i)<−1000V、(ii)−900〜−800V、(iii)−800〜−700V、(iv)−700〜−600V、(v)−600〜−500V、(vi)−500〜−400V、(vii)−400〜−300V、(viii)−300〜−200V、(ix)−200〜−100V、(x)−100〜−90V、(xi)−90〜−80V、(xii)−80〜−70V、(xiii)−70〜−60V、(xiv)−60〜−50V、(xv)−50〜−40V、(xvi)−40〜−30V、(xvii)−30〜−20V、(xviii)−20〜−10V、(xix)−10〜0V、(xx)0〜10V、(xxi)10〜20V、(xxii)20〜30V、(xxiii)30〜40V、(xiv)40〜50V、(xxv)50〜60V、(xxvi)60〜70V、(xxvii)70〜80V、(xxviii)80〜90V、(xxix)90〜100V、(xxx)100〜200V、(xxxi)200〜300V、(xxxii)300〜400V、(xxxiii)400〜500V、(xxxiv)500〜600V、(xxxv)600〜700V、(xxxvi)700〜800V、(xxxvii)800〜900V、(xxxviii)900〜1000V、および(xxxix)>1000Vからなる群から選択される請求項3または4に記載の装置。
- 前記第1の電圧成分は、第1の期間Thighの間印加されるかまたは存在し、前記第2の電圧成分は、第2の期間Tlowの間印加されるかまたは存在する請求項3、4および5のいずれかに記載の装置。
- 前記第1の期間Thighは、前記第2の期間Tlowよりも短いか、長いか、または実質的に同一である請求項6に記載の装置。
- 前記第1の期間Thighおよび/または前記第2の期間Tlowは、(i)<0.1μs、(ii)0.1〜0.5μs、(iii)0.5〜1μs、(iv)1〜2μs、(v)2〜3μs、(vi)3〜4μs、(vii)4〜5μs、(viii)5〜6μs、(ix)6〜7μs、(x)7〜8μs、(xi)8〜9μs、(xii)9〜10μs、(xiii)10〜11μs、(xiv)11〜12μs、(xv)12〜13μs、(xvi)13〜14μs、(xvii)14〜15μs、(xviii)15〜16μs、(xix)16〜17μs、(xx)17〜18μs、(xxi)18〜19μs、(xxii)19〜20μs、および(xxiii)>20μsからなる群から選択される請求項6または7に記載の装置。
- 前記非対称電圧波形は、(i)矩形、(ii)非矩形、(iii)曲線状、(iv)規則的、(v)不規則的、(vi)段階的、(vii)鋸歯状、および(viii)正弦波状からなる群から選択される波形を含む先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記1つ以上の第1の電極、および/または前記1つ以上の層の中間電極、および/または前記1つ以上の第2の電極にDC補償電圧を印加するように配置および適合される第2の電圧手段をさらに含む先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記DC補償電圧は、(i)<−1000V、(ii)−900〜−800V、(iii)−800〜−700V、(iv)−700〜−600V、(v)−600〜−500V、(vi)−500〜−400V、(vii)−400〜−300V、(viii)−300〜−200V、(ix)−200〜−100V、(x)−100〜−90V、(xi)−90〜−80V、(xii)−80〜−70V、(xiii)−70〜−60V、(xiv)−60〜−50V、(xv)−50〜−40V、(xvi)−40〜−30V、(xvii)−30〜−20V、(xviii)−20〜−10V、(xix)−10〜0V、(xx)0〜10V、(xxi)10〜20V、(xxii)20〜30V、(xxiii)30〜40V、(xiv)40〜50V、(xxv)50〜60V、(xxvi)60〜70V、(xxvii)70〜80V、(xxviii)80〜90V、(xxix)90〜100V、(xxx)100〜200V、(xxxi)200〜300V、(xxxii)300〜400V、(xxxiii)400〜500V、(xxxiv)500〜600V、(xxxv)600〜700V、(xxxvi)700〜800V、(xxxvii)800〜900V、(xxxviii)900〜1000V、および(xxxix)>1000Vからなる群から選択される請求項10に記載の装置。
- 動作モードにおいて、前記第2の電圧手段は、前記1つ以上の第1の電極、および/または前記1つ以上の層の中間電極、および/または前記1つ以上の第2の電極に印加される前記DC補償電圧を、掃引、変動、漸進的に変動、または切り替えるように配置および適合される請求項10または11に記載の装置。
- 前記第2の電圧手段は、概してまたは実質的に段階的、直線的、規則的、不規則的、周期的、または非周期的に前記DC補償電圧を、掃引、変動、漸進的に変動、または切り替えるように配置および適合される請求項12に記載の装置。
- 使用時に前記装置を流れるガス流を提供するように配置される手段をさらに含み、少なくともいくつかのイオンは、前記ガス流に同伴することによって前記装置を通って軸方向に前方移送されるように配置される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記1つ以上の第1の電極は、第1のアレイの電極を含む先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記第1のアレイの電極は少なくとも2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、または20より多い電極を含む請求項15に記載の装置。
- 少なくともいくつかのイオンを前記装置の軸方向長さの少なくとも一部を通っておよび/または当該部分に沿って駆り立て、推進、押し込み、または加速するために、1つ以上の電圧もしくは電位または1つ以上の電圧もしくは電位波形を、前記第1のアレイの電極に印加するように配置および適合されるさらなる電圧手段をさらに含む請求項15または16に記載の装置。
- 前記さらなる電圧手段は、少なくともいくつかのイオンを、前記装置の軸方向長さの少なくとも一部、または少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、もしくは100%を通ってかつ/または当該部分に沿って駆り立て、推進、押し込み、または加速するために、1つ以上の過渡DC電圧もしくは電位または1つ以上の過渡DC電圧もしくは電位波形を前記第1のアレイの電極に印加するように配置および適合される請求項17に記載の装置。
- 前記さらなる電圧手段は、少なくともいくつかのイオンを、前記装置の軸方向長さの少なくとも一部、または少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、もしくは100%を通ってかつ/または当該部分に沿って駆り立て、推進、押し込み、または加速するために、1つ以上の実質的に一定のDC電圧または電位を前記第1のアレイの電極に印加するように配置および適合される請求項17または18に記載の装置。
- 前記さらなる電圧手段は、少なくともいくつかのイオンを、前記装置の軸方向長さの少なくとも一部、または少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、もしくは100%を通ってかつ/または当該部分に沿って駆り立て、推進、押し込み、または加速するために、2つ以上の位相シフトACまたはRF電圧を前記第1のアレイの電極に印加するように配置および適合される請求項17、18、または19に記載の装置。
- 前記第1のアレイの電極は、(i)プリント回路基板、プリント配線基板、もしくはエッチングされた配線基板、(ii)非導電性基板上に塗布もしくは積層された複数の導電性トレース、(iii)基板上に配置された複数の銅もしくは金属電極、(iv)スクリーン印刷された、写真製版された、エッチングされた、もしくはミル加工されたプリント回路基板、(v)フェノール樹脂を含浸した紙基板上に配置された複数の電極、(vi)エポキシ樹脂を含浸したガラス繊維マット上に配置された複数の電極、(vii)プラスチック基板上に配置された複数の電極、または(viii)基板上に配置された複数の電極を含む請求項15〜20のいずれかに記載の装置。
- 前記第1の電極の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(xii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される軸方向の中心と中心との間隔を有する先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記第1の電極の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(xii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される軸方向長さを有する先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記第1の電極の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(xii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される幅を有する先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記第1の電極は、(i)<0.01mm、(ii)0.01〜0.1mm、(iii)0.1〜0.2mm、(iv)0.2〜0.3mm、(v)0.3〜0.4mm、(vi)0.4〜0.5mm、(vii)0.5〜0.6mm、(viii)0.6〜0.7mm、(ix)0.7〜0.8mm、(x)0.8〜0.9mm、(xi)0.9〜1.0mm、(xii)1〜2mm、(xiii)2〜3mm、(xiv)3〜4mm、(xv)4〜5mm、および(xvi)>5mmからなる群から選択される厚さを有する先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記第1の電極の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、使用時に、前記中間電極の少なくともいくつかまたは全ての中間または平均電圧または電位に対して、第1のバイアスDC電圧または電位にバイアスされる先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記第1のDCバイアス電圧または電位は、(i)<−10V、(ii)−9〜−8V、(iii)−8〜−7V、(iv)−7〜−6V、(v)−6〜−5V、(vi)−5〜−4V、(vii)−4〜−3V、(viii)−3〜−2V、(ix)−2〜−1V、(x)−1〜0V、(xi)0〜1V、(xii)1〜2V、(xiii)2〜3V、(xiv)3〜4V、(xv)4〜5V、(xvi)5〜6V、(xvii)6〜7V、(xviii)7〜8V、(xix)8〜9V、(xx)9〜10V、および(xxi)>10Vからなる群から選択される請求項26に記載の装置。
- 前記1つ以上の第1の電極には、動作モードにおいて、(i)DCのみの電圧、(ii)ACもしくはRFのみの電圧、または(iii)DC電圧およびACもしくはRF電圧のいずれかが供給される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記1つ以上の第2の電極は、第2のアレイの第2の電極を含む先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記第2のアレイの電極は少なくとも2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、または20より多い電極を含む請求項29に記載の装置。
- 少なくともいくつかのイオンを前記装置の軸方向長さの少なくとも一部を通っておよび/または当該部分に沿って駆り立て、推進、押し込み、または加速するために、1つ以上の電圧もしくは電位または1つ以上の電圧もしくは電位波形を、前記第2のアレイの電極に印加するように配置および適合されるさらなる電圧手段をさらに含む請求項29または30に記載の装置。
- 前記さらなる電圧手段は、少なくともいくつかのイオンを、前記装置の軸方向長さの少なくとも一部、または少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、もしくは100%を通ってかつ/または当該部分に沿って駆り立て、推進、押し込み、または加速するために、1つ以上の過渡DC電圧もしくは電位または1つ以上の過渡DC電圧もしくは電位波形を前記第2のアレイの電極に印加するように配置および適合される請求項31に記載の装置。
- 前記さらなる電圧手段は、少なくともいくつかのイオンを、前記装置の軸方向長さの少なくとも一部、または少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、もしくは100%を通ってかつ/または当該部分に沿って駆り立て、推進、押し込み、または加速するために、1つ以上の実質的に一定のDC電圧または電位を前記第2のアレイの電極に印加するように配置および適合される請求項31または32に記載の装置。
- 前記さらなる電圧手段は、少なくともいくつかのイオンを、前記装置の軸方向長さの少なくとも一部、または少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、もしくは100%を通ってかつ/または当該部分に沿って駆り立て、推進、押し込み、または加速するために、2つ以上の位相シフトACまたはRF電圧を前記第2のアレイの電極に印加するように配置および適合される請求項31、32、および33のいずれかに記載の装置。
- 前記第2のアレイの電極は、(i)プリント回路基板、プリント配線基板、もしくはエッチングされた配線基板、(ii)非導電性基板上に塗布もしくは積層された複数の導電性トレース、(iii)基板上に配置された複数の銅もしくは金属電極、(iv)スクリーン印刷された、写真製版された、エッチングされた、もしくはミル加工されたプリント回路基板、(v)フェノール樹脂を含浸した紙基板上に配置された複数の電極、(vi)エポキシ樹脂を含浸したガラス繊維マット上に配置された複数の電極、(vii)プラスチック基板上に配置された複数の電極、または(viii)基板上に配置された複数の電極を含む請求項29〜34のいずれかに記載の装置。
- 前記第2の電極の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(xii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される軸方向の中心と中心との間隔を有する先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記第2の電極の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(xii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される軸方向長さを有する先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記第2の電極の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(xii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される幅を有する先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記第2の電極は、(i)<0.01mm、(ii)0.01〜0.1mm、(iii)0.1〜0.2mm、(iv)0.2〜0.3mm、(v)0.3〜0.4mm、(vi)0.4〜0.5mm、(vii)0.5〜0.6mm、(viii)0.6〜0.7mm、(ix)0.7〜0.8mm、(x)0.8〜0.9mm、(xi)0.9〜1.0mm、(xii)1〜2mm、(xiii)2〜3mm、(xiv)3〜4mm、(xv)4〜5mm、および(xvi)>5mmからなる群から選択される厚さを有する先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記第2の電極の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、使用時に、前記中間電極の少なくともいくつかまたは全ての中間または平均電圧または電位に対して、第2のバイアスDC電圧または電位にバイアスされる先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記第2のDCバイアス電圧または電位は、(i)<−10V、(ii)−9〜−8V、(iii)−8〜−7V、(iv)−7〜−6V、(v)−6〜−5V、(vi)−5〜−4V、(vii)−4〜−3V、(viii)−3〜−2V、(ix)−2〜−1V、(x)−1〜0V、(xi)0〜1V、(xii)1〜2V、(xiii)2〜3V、(xiv)3〜4V、(xv)4〜5V、(xvi)5〜6V、(xvii)6〜7V、(xviii)7〜8V、(xix)8〜9V、(xx)9〜10V、および(xxi)>10Vからなる群から選択される請求項40に記載の装置。
- 前記1つ以上の第2の電極には、動作モードにおいて、(i)DCのみの電圧、(ii)ACもしくはRFのみの電圧、または(iii)DC電圧およびACもしくはRF電圧のいずれかが供給される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記1つ以上の層の中間電極は、1つ以上の層の平面、平板、またはメッシュ電極を含む先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 中間電極の各層は、1、2、または2つより多い長手方向電極を含む先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記長手方向電極の少なくともいくつかまたは全ては、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(xii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される間隔だけ、前記装置の幅方向に中心と中心とが離れている請求項44に記載の装置。
- 前記長手方向電極の少なくともいくつかまたは全ては、(i)<10mm、(ii)10〜20mm、(iii)20〜30mm、(iv)30〜40mm、(v)40〜50mm、(vi)50〜60mm、(vii)60〜70mm、(viii)70〜80mm、(ix)80〜90mm、(x)90〜100mm、(xi)100〜110mm、(xii)110〜120mm、(xiii)120〜130mm、(xiv)130〜140mm、(xv)140〜150mm、(xvi)150〜160mm、(xvii)160〜170mm、(xviii)170〜180mm、(xix)180〜190mm、(xx)190〜200mm、および(xxi)>200mmからなる群から選択される軸方向長さを有する請求項44または45に記載の装置。
- 前記長手方向電極の少なくともいくつかまたは全ては、(i)<1mm、(ii)1〜2mm、(iii)2〜3mm、(iv)3〜4mm、(v)4〜5mm、(vi)5〜6mm、(vii)6〜7mm、(viii)7〜8mm、(ix)8〜9mm、(x)9〜10mm、(xi)10〜11mm、(xii)11〜12mm、(xiii)12〜13mm、(xiv)13〜14mm、(xv)14〜15mm、(xvi)15〜16mm、(xvii)16〜17mm、(xviii)17〜18mm、(xix)18〜19mm、(xx)19〜20mm、および(xxi)>20mmからなる群から選択される幅を有する請求項44、45、または46に記載の装置。
- 前記長手方向電極の少なくともいくつかまたは全ては、(i)<0.01mm、(ii)0.01〜0.1mm、(iii)0.1〜0.2mm、(iv)0.2〜0.3mm、(v)0.3〜0.4mm、(vi)0.4〜0.5mm、(vii)0.5〜0.6mm、(viii)0.6〜0.7mm、(ix)0.7〜0.8mm、(x)0.8〜0.9mm、(xi)0.9〜1.0mm、(xii)1〜2mm、(xiii)2〜3mm、(xiv)3〜4mm、(xv)4〜5mm、および(xvi)>5mmからなる群から選択される厚さを有する請求項44〜47のいずれかに記載の装置。
- 1つの層の前記2つ以上の長手方向電極は、実質的に同一平面上にある請求項44〜48のいずれかに記載の装置。
- 1つの層の前記2つ以上の長手方向電極には、使用時に、二相または多相のACまたはRF電圧または信号の実質的に同一の相が供給される請求項44〜49のいずれかに記載の装置。
- 隣接または近接層の前記長手方向電極には、使用時に、二相または多相のACまたはRF電圧または信号の実質的に反対または異なる相が供給される請求項44〜50のいずれかに記載の装置。
- 使用時に前記長手方向電極に供給される前記ACまたはRF電圧または信号は、(i)<100kHz、(ii)100〜200kHz、(iii)200〜300kHz、(iv)300〜400kHz、(v)400〜500kHz、(vi)0.5〜1.0MHz、(vii)1.0〜1.5MHz、(viii)1.5〜2.0MHz、(ix)2.0〜2.5MHz、(x)2.5〜3.0MHz、(xi)3.0〜3.5MHz、(xii)3.5〜4.0MHz、(xiii)4.0〜4.5MHz、(xiv)4.5〜5.0MHz、(xv)5.0〜5.5MHz、(xvi)5.5〜6.0MHz、(xvii)6.0〜6.5MHz、(xviii)6.5〜7.0MHz、(xix)7.0〜7.5MHz、(xx)7.5〜8.0MHz、(xxi)8.0〜8.5MHz、(xxii)8.5〜9.0MHz、(xxiii)9.0〜9.5MHz、(xxiv)9.5〜10.0MHz、および(xxv)>10.0MHzからなる群から選択される周波数を有する請求項50または51に記載の装置。
- 使用時に前記長手方向電極に供給される前記ACまたはRF電圧または信号の振幅は、(i)<50Vピーク・トゥ・ピーク、(ii)50〜100Vピーク・トゥ・ピーク、(iii)100〜150Vピーク・トゥ・ピーク、(iv)150〜200Vピーク・トゥ・ピーク、(v)200〜250Vピーク・トゥ・ピーク、(vi)250〜300Vピーク・トゥ・ピーク、(vii)300〜350Vピーク・トゥ・ピーク、(viii)350〜400Vピーク・トゥ・ピーク、(ix)400〜450Vピーク・トゥ・ピーク、(x)450〜500Vピーク・トゥ・ピーク、および(xi)>500Vピーク・トゥ・ピークからなる群から選択される請求項50、51、または52に記載の装置。
- 前記中間電極の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%には、ACまたはRF電圧または信号が供給される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記中間電極の層の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、互いに実質的に平行に配置される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記中間電極の層の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、実質的に平面または平坦であり、前記装置は、前記電極の面において湾曲している先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記中間電極の層の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、前記電極が軸方向長さに沿って湾曲するように、実質的に非平面または非平坦である先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記中間電極の層の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、互いに実質的に等距離に配置される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記中間電極の層の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、(i)5mmまたはそれ未満、(ii)4.5mmまたはそれ未満、(iii)4mmまたはそれ未満、(iv)3.5mmまたはそれ未満、(v)3mmまたはそれ未満、(vi)2.5mmまたはそれ未満、(vii)2mmまたはそれ未満、(viii)1.5mmまたはそれ未満、(ix)1mmまたはそれ未満、(x)0.8mmまたはそれ未満、(xi)0.6mmまたはそれ未満、(xii)0.4mmまたはそれ未満、(xiii)0.2mmまたはそれ未満、(xiv)0.1mmまたはそれ未満、および(xv)0.25mmまたはそれ未満からなる群から選択される距離だけ、互いに間隔をあけて配置される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記装置は、実質的に直線状、非直線状、規則的、不規則的、または曲線状のイオンガイド領域を有する先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記装置は、第1の軸に沿ったイオンを受け取る入射口と、第2の軸に沿った前記装置からイオンが出てくる出射口とを有し、前記第2の軸は前記第1の軸と角度θを形成し、θは(i)<10°、(ii)10〜20°、(iii)20〜30°、(iv)30〜40°、(v)40〜50°、(vi)50〜60°、(vii)60〜70°、(viii)70〜80°、(ix)80〜90°、(x)90〜100°、(xi)100〜110°、(xii)110〜120°、(xiii)120〜130°、(xiv)130〜140°、(xv)140〜150°、(xvi)150〜160°、(xvii)160〜170°、(xviii)170〜180°、および(xix)180°からなる群から選択される範囲にある先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記装置は、前記装置のイオン入射口と前記装置のイオン出射口との間に配置されるイオンガイド領域を含み、前記イオンガイド領域は、実質的に直線状、非直線状、規則的、不規則的、曲線状、「S」字形状、または1、2、もしくは2つより多い屈曲点を有する先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記装置は、イオンを受け取る1、2、3、または3より多い別々の入射口と、前記装置からイオンが出てくる1、2、3、または3より多い別々の出射口とを有する先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記装置は、第1の断面プロファイルおよび第1の断面積を有する入射口と、第2の断面プロファイルおよび第2の断面積を有する出射口とを有する先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記第1の断面プロファイルは前記第2の断面プロファイルと異なり、かつ/または前記第1の断面積は前記第2の断面積と異なる請求項64に記載の装置。
- 前記第1の断面プロファイルおよび/または前記第2の断面プロファイルは、実質的に円形、長円形、長方形、または正方形の断面を有する請求項64または65に記載の装置。
- 前記装置は、(i)実質的に円形、正方形、長方形、または楕円形の断面プロファイルを有するイオン光学的構成体、(ii)実質的に円形または楕円形の断面プロファイルを有する四重極質量フィルタ/分析器、(iii)実質的に正方形または長方形の断面プロファイルを有する直交加速飛行時間質量分析器、(iv)実質的に長方形の断面プロファイルを有する扇形磁場分析器、(v)実質的に円形または楕円形の断面プロファイルを有するフーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴(「FTICR」)質量分析器、(vi)実質的に円形または楕円形の断面プロファイルを有する2D(直線)四重極イオントラップ、および(vii)実質的に円形または楕円形の断面プロファイルを有する3D(ポール)四重極イオントラップからなる群から選択されるイオン光学的構成体に連結されるように配置および適合される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記装置は、入射口と出射口との間に配置されるイオンガイド領域を含み、前記イオンガイド領域は、(i)イオンガイド領域の長さに沿ってサイズおよび/もしくは形状が変動する、または(ii)サイズが漸進的に先細りまたは拡大する幅および/もしくは高さを有する先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記装置は、使用時に、(i)>0.0001mbar、(ii)>0.001mbar、(iii)>0.01mbar、(iv)>0.1mbar、(v)>1mbar、(vi)>10mbar、(vii)>100mbar、(viii)>1000mbar、(ix)0.0001〜0.001mbar、(x)0.001〜0.01mbar、(xi)0.01〜0.1mbar、(xii)0.1〜1mbar、(xiii)1〜10mbar、(xiv)10〜100mbar、および(xv)100〜1000mbarからなる群から選択される圧力に維持される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記装置は、使用時に、(i)<0.0001mbar、(ii)<0.001mbar、(iii)<0.01mbar、(iv)<0.1mbar、(v)<1mbar、(vi)<10mbar、(vii)<100mbar、および(viii)<1000mbarからなる群から選択される圧力に維持される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記装置は、実質的に連続したイオンビームを受け取るように配置および適合され、イオンを複数のイオンパケットまたは集合体として放出または排出するように配置および適合される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記装置は、実質的に連続したイオンビームをパルス状または不連続のイオンビームへと変換するように配置および適合される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 動作モードにおいて、前記装置は、イオンガイドとして動作し、イオンの移動度に従ってイオンを分離することなく前方移送するように構成される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 動作モードにおいて、前記装置は、衝突、フラグメンテーション、または反応装置として動作するように構成される先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記衝突、フラグメンテーション、または反応装置は、衝突誘起解離(「CID」)衝突またはフラグメンテーション装置を含む請求項74に記載の装置。
- 前記衝突、フラグメンテーション、または反応装置は、(i)表面誘起解離(「SID」)フラグメンテーション装置、(ii)電子移動解離フラグメンテーション装置、(iii)電子捕獲解離フラグメンテーション装置、(iv)電子衝突または衝撃解離フラグメンテーション装置、(v)光誘起解離(「PID」)フラグメンテーション装置、(vi)レーザー誘起解離フラグメンテーション装置、(vii)赤外放射誘起解離装置、(viii)紫外放射誘起解離装置、(ix)ノズル−スキマ間インターフェースフラグメンテーション装置、(x)イオン源フラグメンテーション装置、(xi)イオン源衝突誘起解離フラグメンテーション装置、(xii)熱または温度源フラグメンテーション装置、(xiii)電場誘起フラグメンテーション装置、(xiv)磁場誘起フラグメンテーション装置、(xv)酵素消化または酵素分解フラグメンテーション装置、(xvi)イオン−イオン反応フラグメンテーション装置、(xvii)イオン−分子反応フラグメンテーション装置、(xviii)イオン−原子反応フラグメンテーション装置、(xix)イオン−メタステーブルイオン反応フラグメンテーション装置、(xx)イオン−メタステーブル分子反応フラグメンテーション装置、(xxi)イオン−メタステーブル原子反応フラグメンテーション装置、(xxii)イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−イオン反応装置、(xxiii)イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−分子反応装置、(xxiv)イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−原子反応装置、(xxv)イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−メタステーブルイオン反応装置、(xxvi)イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−メタステーブル分子反応装置、および(xxvii)イオンを反応させて付加または生成イオンを形成するイオン−メタステーブル原子反応装置からなる群から選択される請求項74に記載の装置。
- 前記中間電極の1つ以上の層間に散在または介在する複数の絶縁層をさらに含む先行する請求項のいずれかに記載の装置。
- 前記中間電極の1つ以上の層の少なくとも5%、10%、15%、20%、25%、30%、35%、40%、45%、50%、55%、60%、65%、70%、75%、80%、85%、90%、95%、または100%は、前記絶縁層上に配置または堆積される請求項77に記載の装置。
- 先行する請求項のいずれかに記載の1つ以上の装置を含む質量分析計。
- イオン源をさらに含む請求項79に記載の質量分析計。
- 前記イオン源は、(i)エレクトロスプレーイオン化(「ESI」)イオン源、(ii)大気圧光イオン化(「APPI」)イオン源、(iii)大気圧化学イオン化(「APCI」)イオン源、(iv)マトリックス支援レーザー脱離イオン化(「MALDI」)イオン源、(v)レーザー脱離イオン化(「LDI」)イオン源、(vi)大気圧イオン化(「API」)イオン源、(vii)シリコン上脱離イオン化(「DIOS」)イオン源、(viii)電子衝撃(「EI」)イオン源、(ix)化学イオン化(「CI」)イオン源、(x)電界イオン化(「FI」)イオン源、(xi)電界脱離(「FD」)イオン源、(xii)誘導結合プラズマ(「ICP」)イオン源、(xiii)高速原子衝撃(「FAB」)イオン源、(xiv)液体二次イオン質量分析(「LSIMS」)イオン源、(xv)脱離エレクトロスプレーイオン化(「DESI」)イオン源、(xvi)ニッケル63放射性イオン源、(xvii)大気圧マトリックス支援レーザー脱離イオン化イオン源、および(xviii)熱スプレーイオン源からなる群から選択される請求項80に記載の質量分析計。
- 前記イオン源は、パルス化または連続イオン源を含む請求項80または81に記載の質量分析計。
- 前記装置の下流に配置される質量分析器をさらに含む請求項79〜82のいずれかに記載の質量分析計。
- 前記質量分析器は、(i)四重極質量分析器、(ii)2Dまたは直線四重極質量分析器、(iii)ポールまたは3D四重極質量分析器、(iv)ペニングトラップ質量分析器、(v)イオントラップ質量分析器、(vi)扇形磁場質量分析器、(vii)イオンサイクロトロン共鳴(「ICR」)質量分析器、(viii)フーリエ変換イオンサイクロトロン共鳴(「FTICR」)質量分析器、(ix)静電またはオービトラップ質量分析器、(x)フーリエ変換静電またはオービトラップ質量分析器、(xi)フーリエ変換質量分析器、(xii)飛行時間質量分析器、(xiii)軸方向加速飛行時間質量分析器、および(xiv)直交加速飛行時間質量分析器からなる群から選択される請求項83に記載の質量分析計。
- 前記装置の上流および/または下流に配置される1つ以上の質量もしくは質量電荷比フィルタおよび/または質量分析器をさらに含む請求項79〜84のいずれかに記載の質量分析計。
- 前記1つ以上の質量もしくは質量電荷比フィルタおよび/または質量分析器は、(i)四重極質量フィルタまたは分析器、(ii)ウィーンフィルタ、(iii)扇形磁場質量フィルタまたは分析器、(iv)速度フィルタ、(v)イオンゲート、および(vi)直交加速飛行時間質量分析器からなる群から選択される請求項85に記載の質量分析計。
- 1つ以上の第1の電極と、1つ以上の第2の電極と、イオンが走行する概してまたは実質的に平面に配置され前記1つ以上の第1の電極と前記1つ以上の第2の電極との間に配置される1つ以上の層の中間電極とを含む装置を準備する工程と、
前記1つ以上の第1の電極、および/または前記1つ以上の層の中間電極、および/または前記1つ以上の第2の電極に非対称電圧波形を印加する工程とを含むイオン分離方法。 - 請求項87に記載の方法を含む質量分析方法。
- 1つ以上の第1の電極と、
1つ以上の第2の電極と、
前記1つ以上の第1の電極および/または前記1つ以上の第2の電極に非対称電圧波形を印加するように配置および適合される第1の電圧手段とを含み、
使用時に、(i)<0.0001mbar、(ii)0.0001〜0.001mbar、(iii)0.001〜0.01mbar、(iv)0.01〜0.1mbar、(v)0.1〜1mbar、(vii)1〜10mbar、および(viii)10〜100mbarからなる群から選択される圧力に維持されるように配置および適合される装置。 - 請求項89に記載の装置を含む質量分析計。
- 1つ以上の第1の電極と1つ以上の第2の電極とを含む装置を準備する工程と、
前記1つ以上の第1の電極および/または前記1つ以上の第2の電極に非対称電圧波形を印加する工程と、
前記装置を、(i)<0.0001mbar、(ii)0.0001〜0.001mbar、(iii)0.001〜0.01mbar、(iv)0.01〜0.1mbar、(v)0.1〜1mbar、(vii)1〜10mbar、および(viii)10〜100mbarからなる群から選択される圧力に維持する工程とを含むイオン分離方法。 - 請求項91に記載の方法を含む質量分析方法。
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