JP2008515176A - ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ - Google Patents
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- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 179
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 title claims abstract description 83
- 230000000694 effects Effects 0.000 title claims abstract description 50
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract description 81
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 59
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 199
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 39
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 36
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 35
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 22
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 21
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000011572 manganese Substances 0.000 claims description 20
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 19
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 18
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910002182 La0.7Sr0.3MnO3 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002885 antiferromagnetic material Substances 0.000 claims description 11
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims description 8
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 7
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SZINCDDYCOIOJQ-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);octadecanoate Chemical compound [Mn+2].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O SZINCDDYCOIOJQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910017028 MnSi Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910019026 PtCr Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 claims description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000006870 function Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009471 action Effects 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 4
- 229910003286 Ni-Mn Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 3
- 229910002551 Fe-Mn Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 description 1
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 230000005307 ferromagnetism Effects 0.000 description 1
- 230000004807 localization Effects 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000006386 memory function Effects 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66984—Devices using spin polarized carriers
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/73—Bipolar junction transistors
- H01L29/737—Hetero-junction transistors
- H01L29/7371—Vertical transistors
- H01L29/7376—Resonant tunnelling transistors
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- Nanotechnology (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本発明は、ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタに関し、基板、エミッタ、ベース、コレクタ、第１トンネルバリア層および第２トンネルバリア層とを備え、第１トンネルバリア層が、エミッタとベースの間に設けられ、第２トンネルバリア層が、ベースとコレクターの間に設けられ、かつエミッタとベース間及びベースとコレクタ間に形成されたトンネル接合の接合面積が１〜１００００μｍ２であり、前記ベースの厚さが当該層材料の電子平均自由行程に匹敵し、前記エミッタ、ベースおよびコレクタの中でただ１つの極(pole)の磁化方向が自由である。ダブルバリア構造を採用するため、ベースとコレクタの間に発生したショットキーバリアを克服している。ベース電流は変調信号であり、ベース又はコレクタの磁化方向を変えることによって、共鳴トンネリング効果を発生し、適当な条件において増幅信号が得られる。
Description
本発明は、固体スイッチ素子及び増幅素子、即ちトランジスタ、特に、ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくスピントランジスタ素子に関する。
１９８８年に、磁気多層膜における巨大磁気抵抗効果(GMR)が発見されてから、物理と材料科学の研究及び応用に大きな進展があった。１９９３年に、ジョンソン(Johnson)は、強磁性金属エミッタと、厚さがスピンの拡散長より小さい非磁性金属ベースと、もう１つの強磁性金属コレクタからなる「強磁性金属／非磁性金属／強磁性金属」サンドイッチのオール金属スピントランジスタを提案している（M. Johnson, Science 260(1993)320）。
図１は、このオール金属スピントランジスタの概要図である。このオール金属トランジスタのスピードは、半導体Ｓｉ素子と近いが、エネルギー消費が１０〜２０倍低く、密度が約５０倍高く、且つ、耐放射線性があり、メモリ機能を備え、将来の量子コンピュータの各種ロジック回路や処理回路等を構成できる。
その後、ＩＢＭ実験グループは、金属（エミッタ）／アルミナ／強磁性金属（ベース）／半導体（コレクタ）からなるモノバリア磁気トンネル接合スピントランジスタを提案している。
しかしながら、このタイプのトランジスタは、ベースとコレクタの間にショットキー(shottky)バリアがあるため、以下のような不具合がある。（１）ベース−コレクタ間ポテンシャルエネルギーに対する制御が乏しい。（２）エミッタ−ベース間電圧が低下した場合、リーク電流が大きい。（３）コレクタ電流が比較的小さい。
１９９７年に、ツァン(Zhang)は、理論上、磁気ダブルバリアトンネル接合においてトンネル磁気抵抗(TMR)発振現象があることを予測した（X.D. Zhang, Phys. Rev. B56(1997)5484）。２００２年に、ユアサ(S.Yuasa)は、モノバリア磁気トンネル接合においてスピンポーラ共鳴トンネリング現象を発見した（S.Yuasa, Science 297(2002)234）。
ダブルバリアトンネル接合の共鳴トンネリング効果を利用して製造した共鳴トンネリングスピントランジスタは、上述のような問題を克服でき、大きなコレクタ電流、可変であるベース−コレクタ間電圧、比較的小さいリーク電流、という利点がある。同時に、磁気センサスイッチ、電流増幅素子、発振素子等に応用可能である。
しかし、ダブルバリアトンネル接合の研究が少ないため、完全なダブルバリアトンネル接合を製作することが困難であり、現時点では、ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくスピントランジスタ素子は未だ存在していない。
本発明の目的は、既存のモノバリア磁気トンネル接合スピントランジスタがベース−コレクタ間のポテンシャルエネルギーの制御が乏しく、低いエミッタ−ベース間電圧でのリーク電流が大きく、及びコレクタ電流が比較的小さいという不具合を克服することにある。
従って、大きなコレクタ電流、可変であるベース−コレクタ間電圧、そして小さいリーク電流を有し、磁気センサスイッチ、電流増幅素子、発振素子等に応用可能である、ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタを提供する。
本発明の目的は以下のように実現される：
図２に示すように、本発明に係るダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタは、基板１と、エミッタ３と、ベース５と、コレクタ７と、エミッタ３とベース５の間に設けられた第１トンネルバリア層４と、ベース５とコレクタ７の間に設けられた第２トンネルバリア層６とを備え、エミッタ３とベース５の間及びベース５とコレクタ７の間に形成されたトンネル接合の接合面積が１μｍ２〜１００００μｍ２であることを特徴とする。
さらに、前記ベース５の厚さは、当該層材料の電子平均自由行程（mean free path）に匹敵している。前記エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の中でただ１つの極(pole)の磁化方向が自由となっており、即ち、当該層の磁化の方向は印加される外部磁場によって変化する。
前記基板は、絶縁体または非絶縁体、あるいは半導体で形成される。前記絶縁体は、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４などであり、その基板の厚さは０．３ｍｍ〜５ｍｍである。
前記非絶縁体は、Ｃｕ，Ａｌなどである。
前記半導体は、Ｓｉ，Ｇａ，ＧａＮ，ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＡｓなどである。
前記技術手法において、基板が非絶縁体または半導体で形成された場合、基板の上には絶縁体層２が設けられ、当該絶縁体層２の厚さは１０〜５００ｎｍである。前記絶縁体層２は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、シリカ（ＳｉＯ２）又は窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）などであり、その厚さは５０〜５００ｎｍである。
前記技術手法において、さらに導電保護層８がエミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられる。当該導電保護層８は、金、白金、銀、アルミニウム、タンタル又は耐酸化金属導電材料で形成され、その厚さは０．５〜１０ｎｍである。
前記技術手法において、前記エミッタ３は、強磁性体ＦＭ、半金属磁性体ＨＭ、磁気半導体ＭＳＣ、または有機磁性体ＯＭ、半導体ＳＣ、非磁性金属材料ＮＭ、又は、金属Ｎｂ等、またはＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７などのＣｕ−Ｏシリーズの超伝導材料ＳＰで形成され、その厚さは２ｎｍ〜２０ｎｍである。
前記技術手法において、前記ベース５は、強磁性体ＦＭ、半金属磁性体ＨＭ、磁気半導体ＭＳＣ、または有機磁性体ＯＭ、非磁性金属材料ＮＭ、半導体ＳＣで形成され、当該ベース５の厚さは２ｎｍ〜２０ｎｍである。
前記技術手法において、前記コレクタ７は、強磁性体ＦＭ、半金属磁性体ＨＭ、磁気半導体ＭＳＣ、又は有機磁性体ＯＭ、非磁性金属材料ＮＭ、半導体ＳＣで形成され、当該コレクタ７の厚さは２ｎｍ〜２０ｎｍである。
前記強磁性体は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の３ｄ遷移磁性金属、Ｓｍ，Ｇｄ，Ｎｄ等の希土類金属、Ｃｏ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ，Ｎｉ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｙ等の強磁性合金などである。
前記技術手法において、強磁性の磁化方向が反強磁性層でピンニングされ、当該反強磁性層は、Ｉｒ，Ｆｅ，Ｒｈ，Ｐｔ又はＰｄと、Ｍｎとの合金材料で形成され、あるいは他のＣｏＯ，ＮｉＯ，ＰｔＣｒ等の反強磁性体で形成される。
前記半金属磁性体ＨＭは、Ｆｅ３Ｏ４，ＣｒＯ２，Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３やＣｏ２ＭｎＳｉ等のヒュスラー(Heussler)合金などである。
前記非磁性金属材料ＮＭは、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ａｌ，Ｃｒ又はこれらの合金などである。
前記磁気半導体ＭＳＣは、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｖ，ＭｎドープのＺｎＯ，ＴｉＯ２，ＨｆＯ２，ＳｎＯ２などであり、さらにＭｎドープのＧａＡｓ，ＩｎＡｓ，ＧａＮ，ＺｎＴｅなどである。
前記有機磁性体ＯＭは、メタロセン（ジシクロペンタジエン金属）高分子有機磁性体やステアリン酸マンガンなどである。
前記半導体ＳＣは、Ｓｉ，Ｇａ，ＧａＮ，ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＡｓなどである。
前記技術手法において、前記第１トンネルバリア層４と第２トンネルバリア層６が絶縁体で形成され、当該絶縁体は、金属酸化物絶縁膜、金属窒化物絶縁膜、有機又は無機材料絶縁膜、ダイヤモンドライク(diamond-like)膜、又はＥｕＳなどである。当該第１トンネルバリア層の厚さは０．５〜３．０ｎｍである。第２トンネルバリア層の厚さは０．５〜４．０ｎｍである。２つのトンネルバリア層の厚さと材料は、同一でもよく、相違してもよい。
前記技術手法において、前記金属酸化物絶縁膜および金属窒化物絶縁膜の金属は、金属元素Ａｌ，Ｍｇ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｂ，Ｇａから選ばれる。
当該構造におけるベースの厚さが、当該層材料の電子平均自由行程に相当しているため、電子がエミッタからコレクタにトンネリングした時、ベース５で受ける電子の散乱がかなり弱くなるため、電子のスピン位相メモリを保持できる。
以上のように構成されたダブルバリアトンネル接合共鳴トンネル効果ベースのトランジスタは、以下の原理によって動作する。
図３を例として説明すると、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７が接地していれば、エミッタ３、ベース５、コレクタ７、第１トンネルバリア層４および第２トンネルバリア層６は熱平衡状態となる。
図４は、実施形態１のダブルバリアトンネル接合電子共鳴トンネリングの概要図であり、トンネリング電子が、エミッタ３とコレクタ７の磁化方向に対して平行または反平行の２つ状態のトンネリング過程を示している。
平行状態では、エミッタ３におけるスピン方向がコレクタ７の磁化方向と同一である多数トンネリング電子は、バリアおよび中間金属層をトンネリングできるが、コレクタ７の磁化方向と反対方向の少数スピン電子又は不純物の散乱によってスピン方向が反転した電子は、コレクタ７にトンネリングできない。この場合、コレクタ７に比較的大きな電流が流れる。
一方、反平行状態になった場合、スピン方向がコレクタ７の磁化方向と同一である少数トンネリング電子だけが、コレクタ７にトンネリングできるが、スピン方向がコレクタ７の磁化方向と反対である多数トンネリング電子は、コレクタ７にトンネリングできない。この場合、コレクタ７に比較的小さい電流が流れる。このとき、エミッタ３の磁化方向は固定され、コレクタ７の磁化方向は磁場によって変化するため、コレクタ７の磁化方向を変化させることによって、コレクタ７の電流の大きさを変調することができる。
その形成過程について、ベース電流は変調信号であり、コレクタ７の磁化方向を変化させることによって、コレクタ７の信号はベース電流の変調モ―ドと類似するように変調され、即ち、共鳴トンネリング効果を発生し、増幅信号が適当な条件で得られる。
本発明は、ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタの製造方法を提供し、以下のステップがある。
（１）マグネトロンスパッタ装置又は他の成膜装置によって、シリコン基板１上に、厚さが４ｎｍである非磁性金属性層ＮＭ又は半導体層ＳＣ又は磁性体層（ＦＭ，ＨＭ，ＭＳＣ，ＯＭ）からなるベース５を作成する。
（２）次に、第１トンネルバリア層４および第２トンネルバリア層６を、ベース５の上に形成する。
（３）磁性体材料（強磁性体ＦＭ、又は半金属磁性体ＨＭ、磁気半導体ＭＳＣ、有機磁性体ＯＭなど）からなるエミッタ３とコレクタ７を、トンネルバリア層４，６の上に形成する。
（４）異なる保磁力の磁性体を用いてエミッタ３とコレクタ７を作成したり、又は微細加工技術でエミッタ３とコレクタ７の接合面積および形状の相対サイズを制御することによって、エミッタ３とコレクタ７が異なる反転磁場を持つようにする。これにより、一方の磁性電極の磁化方向が相対的に固定され、他方の磁性電極の磁化方向の反転が相対的に自由になる。
（５）最後に、金、白金等の耐酸化金属からなる導電保護層８が、ベース５、エミッタ３およびコレクタ７の上に設けられる。
本発明の利点は、以下のようになる。
本発明のダブルバリアトンネル接合トランジスタ素子がダブルバリア構造を採用することによって、ベースとコレクタの間に発生するショットキー(shottky)バリアを克服している。当該トランジスタは、比較的小さいリーク電流と、比較的大きいコレクタ電流を有する。同時に、この構造に基づく素子は、一定の電流又は電圧のゲインがある。即ち、小さい信号の入力でも比較的大きな出力を発生する。その際、ベース電流は変調信号であり、ベース又はコレクタの磁化方向を変えることによって、コレクタ信号はベース電流の変調モードと類似するように変調され、即ち、共鳴トンネリング効果を発生し、適当な条件で増幅信号が得られる。
以下、図面および実施形態を用いて、本発明をさらに詳細に説明する。
（実施形態１）
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタの構成は、厚さが０．４ｍｍであるＳｉ材料を基板１とし、Ｓｉ基板１の上に、ＳｉＯ２からなる１０ｎｍ厚さの絶縁層２を形成し、絶縁層２の上にエミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが１２ｎｍである反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎと８ｎｍのＦｅからなり、当該反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎは、エミッタ３の磁化方向を固定するために用いられる。
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタの構成は、厚さが０．４ｍｍであるＳｉ材料を基板１とし、Ｓｉ基板１の上に、ＳｉＯ２からなる１０ｎｍ厚さの絶縁層２を形成し、絶縁層２の上にエミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが１２ｎｍである反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎと８ｎｍのＦｅからなり、当該反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎは、エミッタ３の磁化方向を固定するために用いられる。
Ａｌ２Ｏ３材料からなる第１トンネルバリア層４が、エミッタ３の上に形成される。その第１トンネルバリア層４の厚さは、１ｎｍである。第１トンネルバリア層４の上に、厚さが８ｎｍであるベース５が形成される。当該ベース５は、非磁性金属Ｃｕからなる。
Ａｌ２Ｏ３層がベース５の上に形成され、第２トンネルバリア層６として機能し、その第２トンネルバリア層６の厚さは、１．６ｎｍである。
Ｃｏ−Ｆｅ磁性体層からなるコレクタ７が、第２トンネルバリア層６の上に形成され、その厚さは８ｎｍであり、当該コレクタ７の磁化方向は自由で、外部磁場によって変化する。
Ｐｔ又はＡｕ材料からなる導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、導電保護層８の厚さは１０ｎｍである。
本実施形態のトランジスタにおいて、エミッタ３とベース５の間、及びベース５とコレクタ７の間に形成されたトンネル接合の接合面積の大きさは、それぞれ１μｍ２である。
（実施形態２）
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタの構成は、厚さが０．６ｍｍであるＳｉ材料を基板１とし、Ｓｉ基板１の上に、ＳｉＯ２からなる１００ｎｍ厚の絶縁層２を形成し、絶縁層２の上にエミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが１５ｎｍである反強磁性層Ｆｅ−Ｍｎと４ｎｍのＬａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３からなり、当該エミッタ３の磁化方向は固定される。
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタの構成は、厚さが０．６ｍｍであるＳｉ材料を基板１とし、Ｓｉ基板１の上に、ＳｉＯ２からなる１００ｎｍ厚の絶縁層２を形成し、絶縁層２の上にエミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが１５ｎｍである反強磁性層Ｆｅ−Ｍｎと４ｎｍのＬａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３からなり、当該エミッタ３の磁化方向は固定される。
ＳｒＴｉＯ３材料からなる第１トンネルバリア層４が、エミッタ３の上に形成される。その第１トンネルバリア層４の厚さは、１．０ｎｍである。第１トンネルバリア層４の上に、厚さが４ｎｍであるベース５が形成される。当該ベース５は、非磁性金属Ｒｕからなる。
ＳｒＴｉＯ３層がベース５の上に形成され、第２トンネルバリア層６として機能し、その第２トンネルバリア層６の厚さは、１．３ｎｍである。
Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３磁性体層からなるコレクタ７が、第２トンネルバリア層６の上に形成され、その厚さは４ｎｍであり、当該コレクタ７の磁化方向は自由で、外部磁場によって変化する。
Ｐｔ又はＡｕ材料からなる導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、導電保護層８の厚さは６ｎｍである。
図５は、当該ダブルバリアトンネル接合電子共鳴トンネリングの概要図である。この構造において、Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３半金属磁性体は、１００％ほどのスピン分極率があるため、エミッタ３とコレクタ７の磁化方向が平行である場合、殆どあらゆる電子がコレクタ７にトンネリングし、この時、コレクタ７には大きな電流が通過する。
これに対して、エミッタ３とコレクタ７の磁化方向が反対である場合、僅かなトンネリング電子が、散乱又は他の効果によってコレクタ７にトンネリングし、この場合、コレクタ７に比較的小さい電流が通過する。実施形態１で述べた原理と同様に、コレクタ７の磁化方向を変更することによって、エミッタ３とコレクタ７の間にトンネリング電子の共鳴トンネリングが発生し、適当の条件においてコレクタ７に増幅した電流が得られる。
本実施形態のトランジスタにおいて、エミッタ３とベース５の間、及びベース５とコレクタ７の間に形成されたトンネル接合の接合面積の大きさは、それぞれ１００μｍ２である。
（実施形態３）
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタの構成は、厚さが０．６ｍｍであるＳｉ材料を基板１とし、Ｓｉ基板１の上に、ＳｉＯ２からなる３００ｎｍ厚の絶縁層２を形成し、絶縁層２の上にエミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが４ｎｍであるＧａＭｎＡｓ磁気半導体層からなり、当該エミッタ３の磁化方向は、比較的自由であり、外部磁場によって変化可能である。
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタの構成は、厚さが０．６ｍｍであるＳｉ材料を基板１とし、Ｓｉ基板１の上に、ＳｉＯ２からなる３００ｎｍ厚の絶縁層２を形成し、絶縁層２の上にエミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが４ｎｍであるＧａＭｎＡｓ磁気半導体層からなり、当該エミッタ３の磁化方向は、比較的自由であり、外部磁場によって変化可能である。
ＭｇＯ材料からなる第１トンネルバリア層４が、エミッタ３の上に形成される。その第１トンネルバリア層４の厚さは、１．０ｎｍである。第１トンネルバリア層４の上に、厚さが５ｎｍであるベース５が形成される。当該ベース５は、非磁性金属材料Ｃｒからなる。
ＭｇＯ層がベース５の上に形成され、第２トンネルバリア層６として機能し、その第２トンネルバリア層６の厚さは、１．３ｎｍである。
ＧａＭｎＡｓ磁気半導体層からなるコレクタ７が、第２トンネルバリア層６の上に形成され、その厚さは８ｎｍである。厚さ２０ｎｍの反強磁性材料ＰｔＣｒが、コレクタ７の上に形成され、コレクタ７の磁化方向を固定するために使用される。
Ｐｔ又はＡｕ材料からなる導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、導電保護層８の厚さは６ｎｍである。
本実施形態のトランジスタにおいて、エミッタ３とベース５の間、及びベース５とコレクタ７の間に形成されたトンネル接合の接合面積の大きさは、それぞれ１０００μｍ２である。
（実施形態４）
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタの構成は、厚さが１ｍｍであるＡｌ２Ｏ３材料を基板１とし、Ａｌ２Ｏ３基板１の上に、エミッタ３が形成される。当該エミッタ３は、厚さが１５ｎｍである反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎと厚さが８ｎｍであるＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金材料層からなり、当該エミッタ３の磁化方向は固定される。
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタの構成は、厚さが１ｍｍであるＡｌ２Ｏ３材料を基板１とし、Ａｌ２Ｏ３基板１の上に、エミッタ３が形成される。当該エミッタ３は、厚さが１５ｎｍである反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎと厚さが８ｎｍであるＣｏ−Ｆｅ−Ｂ合金材料層からなり、当該エミッタ３の磁化方向は固定される。
ＭｇＯ材料からなる第１トンネルバリア層４が、エミッタ３の上に形成される。その第１トンネルバリア層４の厚さは、１．８ｎｍである。第１トンネルバリア層４の上に、厚さが４ｎｍであるベース５が形成される。当該ベース５は、保磁力が比較的大きなＣｏ−Ｆｅ磁性体層からなる。その磁化方向も比較的固定され、かつエミッタ３の磁化方向と平行である。
ＭｇＯ層がベース５の上に形成され、第２トンネルバリア層６として機能し、その第２トンネルバリア層６の厚さは、２．７ｎｍである。
保磁力が比較的小さいＮｉ−Ｆｅ磁性体層からなるコレクタ７が、第２トンネルバリア層６の上に形成され、その厚さは８ｎｍであり、当該コレクタ７の磁化方向は比較的自由で、外部磁場によって変化する。
Ｐｔ又はＡｕ材料からなる導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、導電保護層８の厚さは６ｎｍである。
このダブルバリアトンネル接合スピントランジスタの動作原理は以下とおりである。
図６は、このトランジスタのダブルバリアトンネル接合電子共鳴トンネリングの概要図である。ベース材料は磁性体であるため、その輸送特性はスピンに関係がある。従って、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の磁化方向が平行状態になった場合、エミッタ３において、上、中、下３つの電極の磁化方向と一致する多数電子がベース５と２つのバリア層を貫いてコレクタ７に進入する。しかし、エミッタ３において、上、中、下３つの電極の磁化方向と反対である少数電子が強い散乱作用を受けて、コレクタ７にトンネリングできない。しかしながら、この場合、コレクタ７の電流はやはり大きい。
コレクタ７の磁化方向がベース５の磁化方向と反対になった場合、エミッタ３において多数スピンバンドの電子が第１トンネルバリア層をトンネリングできるものの、コレクタ７の磁化方向と反対になるため、強い散乱作用（鏡面散乱に相当）を受けて、中間ベース５に局在化して発振が生じ、少数トンネリング電子が不純物散乱又は他の非弾性散乱作用を受けて、スピン反転が生じ、第２トンネルバリア層を通じてコレクタ７に進入する。この場合、コレクタ７の電流は比較的小さい。
前記実施形態の原理と同じように、コレクタ７の磁化方向を変えることによって、エミッタ３とコレクタ７の間にトンネリング電子の共鳴トンネリングを発生し、適当な条件においてコレクタ７に増幅した電流が得られる。
本実施形態のトランジスタにおいて、エミッタ３とベース５の間、及びベース５とコレクタ７の間に形成されたトンネル接合の接合面積の大きさは、それぞれ１００００μｍ２である。
（実施形態５）
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタの構成は、厚さが１ｍｍであるＳｉ３Ｎ４材料を基板１とし、Ｓｉ３Ｎ４基板１の上に、エミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが１５ｎｍである反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎと厚さが８ｎｍであるＬａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３半金属材料層からなる。当該エミッタ３の磁化方向は、固定される。
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタの構成は、厚さが１ｍｍであるＳｉ３Ｎ４材料を基板１とし、Ｓｉ３Ｎ４基板１の上に、エミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが１５ｎｍである反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎと厚さが８ｎｍであるＬａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３半金属材料層からなる。当該エミッタ３の磁化方向は、固定される。
ＳｒＴｉＯ３材料からなる第１トンネルバリア層４が、エミッタ３の上に形成される。その第１トンネルバリア層４の厚さは、１．０ｎｍである。第１トンネルバリア層４の上に、厚さが４ｎｍであるベース５が形成される。当該ベース５は、Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３半金属材料層からなる。その磁化方向も比較的固定され、エミッタ３の磁化方向と平行である。
ＳｒＴｉＯ３層がベース５の上に形成され、第２トンネルバリア層６として機能し、その第２トンネルバリア層６の厚さは、１．３ｎｍである。
保磁力が比較的小さいＣｏ２ＭｎＳｉ半金属材料層からなるコレクタ７が第２トンネルバリア層６の上に形成され、その厚さは４ｎｍである。当該コレクタ７の磁化方向は比較的自由であり、外部磁場によって変えられる。
Ｐｔ又はＡｕ材料からなる導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、導電保護層８の厚さは６ｎｍである。
このダブルバリアトンネル接合スピントランジスタの動作原理は、実施形態４に類似している。
図７は、このトランジスタのダブルバリアトンネル接合電子共鳴トンネリングの概要図である。半金属磁性体は１００％ほどのスピン分極率があるため、エミッタ３およびベース５がコレクタ７の磁化方向に平行である場合、殆どあらゆる電子がコレクタ７にトンネリングし、この時、コレクタ７には比較的大きな電流が通過する。
これに対して、エミッタ３およびベース５がコレクタ７の磁化方向と反対になった場合、僅かなトンネリング電子が散乱又は他の作用によってコレクタ７にトンネリングし、この場合、コレクタ７に小さい電流が通過する。
前記実施形態１に述べた原理と同様に、コレクタ７の磁化方向を変更することによって、エミッタ３とコレクタ７の間にトンネリング電子の共鳴トンネリングが発生し、適当な条件においてコレクタ７に増幅した電流が得られる。
（実施形態６）
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。この構成は、厚さが１ｍｍであるＳｉ材料を基板１とし、Ｓｉ基板１の上に、ＳｉＯ２からなる５００ｎｍ厚の絶縁層２を形成し、絶縁層２の上にエミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが１５ｎｍである反強磁性層Ｎｉ−Ｍｎと厚さが４ｎｍであるＣｏドープのＺｎＯ磁気半導体層からなり、当該エミッタ３の磁化方向は、固定される。
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。この構成は、厚さが１ｍｍであるＳｉ材料を基板１とし、Ｓｉ基板１の上に、ＳｉＯ２からなる５００ｎｍ厚の絶縁層２を形成し、絶縁層２の上にエミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが１５ｎｍである反強磁性層Ｎｉ−Ｍｎと厚さが４ｎｍであるＣｏドープのＺｎＯ磁気半導体層からなり、当該エミッタ３の磁化方向は、固定される。
ＺｒＯ２材料からなる第１トンネルバリア層４が、エミッタ３の上に形成される。その第１トンネルバリア層４の厚さは、１．０ｎｍである。第１トンネルバリア層４の上に、厚さが４ｎｍであるベース５が形成される。当該ベース５は、ＣｏドープのＺｎＯ磁気半導体層からなる。その磁化方向は、比較的自由であり、外部磁場によって変えられる。
ＺｒＯ２層がベース５の上に形成され、第２トンネルバリア層６として機能し、その第２トンネルバリア層６の厚さは、１．３ｎｍである。
厚さが４ｎｍであるＣｏドープのＺｎＯ磁気半導体と厚さが１５ｎｍである反強磁性層Ｎｉ−Ｍｎからなるコレクタ７が、第２トンネルバリア層６の上に形成され、該コレクタ７の磁化方向は比較的固定され、かつエミッタ３の磁化方向と平行である。
Ｐｔ又はＴａ材料からなる導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、導電保護層８の厚さは６ｎｍである。
図８は、このトランジスタのダブルバリアトンネル接合電子共鳴トンネリングの概要図である。実施形態４と異なる点は、実施形態４では、コレクタ７の磁化方向を変更することによって、コレクタ７の電流を変更するのに対して、本実施形態では、エミッタ３とコレクタ７の磁化方向が比較的固定され、ベース５の磁化方向だけが自由であるため、ベース５の磁化方向を変更することによって、コレクタ７の電流を変えることができる。その動作原理は、実施形態４と同様であるため、ここで詳細な動作過程を省略する。
（実施形態７）
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該トランジスタの構造は、厚さが１ｍｍであるＧａＡｓ材料を基板１とし、ＧａＡｓ基板１の上に、ＳｉＯ２からなる２６０ｎｍ厚の絶縁層２を形成し、絶縁層２の上にエミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが１０ｎｍである反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎと厚さが８ｎｍであるステアリン酸マンガン有機磁性体層からなる。当該エミッタ３の磁化方向は、固定される。
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該トランジスタの構造は、厚さが１ｍｍであるＧａＡｓ材料を基板１とし、ＧａＡｓ基板１の上に、ＳｉＯ２からなる２６０ｎｍ厚の絶縁層２を形成し、絶縁層２の上にエミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが１０ｎｍである反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎと厚さが８ｎｍであるステアリン酸マンガン有機磁性体層からなる。当該エミッタ３の磁化方向は、固定される。
Ａｌ２Ｏ３材料からなる第１トンネルバリア層４が、エミッタ３の上に形成される。その第１トンネルバリア層４の厚さは、１．０ｎｍである。第１トンネルバリア層４の上に、厚さが４ｎｍであるベース５が形成される。当該ベース５は、ステアリン酸マンガン有機磁性体層からなる。その磁化方向は比較的自由で、外部磁場によって変えられる。
Ａｌ２Ｏ３層がベース５の上に形成され、第２トンネルバリア層６として機能し、その第２トンネルバリア層６の厚さは、１．３ｎｍである。
厚さが４ｎｍであるステアリン酸マンガン有機磁性体層と厚さが１５ｎｍである反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎからなるコレクタ７が、第２トンネルバリア層６の上に形成される。当該コレクタ７の磁化方向は比較的固定され、かつエミッタ３の磁化方向と平行である。
Ｐｔ又はＴａ材料からなる導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、導電保護層８の厚さは６ｎｍである。
その動作原理は、実施形態６と同様であるため、ここで詳細な動作過程を省略する。
（実施形態８）
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、厚さが１ｍｍであるＧａＡｓ材料を基板１とし、ＧａＡｓ基板１の上に、ＳｉＯ２からなる４００ｎｍ厚の絶縁層２を形成し、絶縁層２の上にエミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが１０ｎｍである反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎ、厚さが４ｎｍであるＣｏ−Ｆｅ、厚さが０．９ｎｍであるＲｕ、および厚さが４ｎｍであるＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性体層からなる。当該エミッタ３の磁化方向は固定される。
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、厚さが１ｍｍであるＧａＡｓ材料を基板１とし、ＧａＡｓ基板１の上に、ＳｉＯ２からなる４００ｎｍ厚の絶縁層２を形成し、絶縁層２の上にエミッタ３を形成する。当該エミッタ３は、厚さが１０ｎｍである反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎ、厚さが４ｎｍであるＣｏ−Ｆｅ、厚さが０．９ｎｍであるＲｕ、および厚さが４ｎｍであるＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性体層からなる。当該エミッタ３の磁化方向は固定される。
ＭｇＯ材料からなる第１トンネルバリア層４が、エミッタ３の上に形成される。その第１トンネルバリア層４の厚さは、１．８ｎｍである。第１トンネルバリア層４の上に、厚さが４ｎｍであるベース５が形成される。当該ベース５は、Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性体層からなる。その磁化方向は比較的自由であり、外部磁場によって変えられる。
ＭｇＯ層がベース５の上に形成され、第２トンネルバリア層６として機能し、その第２トンネルバリア層６の厚さは、２．５ｎｍである。
厚さが４ｎｍであるＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性体層、厚さが０．９ｎｍであるＲｕ、厚さが４ｎｍであるＣｏ−Ｆｅ、および厚さが１０ｎｍである反強磁性層Ｉｒ−Ｍｎからなるコレクタ７が、第２トンネルバリア層６の上に形成され、当該コレクタ７の磁化方向は比較的固定され、かつエミッタ３の磁化方向と平行である。
Ｐｔ又はＴａ材料からなる導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、導電保護層８の厚さは６ｎｍである。
ここで留意すべき点は、Ｃｏ−Ｆｅ／Ｒｕ／Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂは人工反強磁性体であり、本実施形態において反強磁性体Ｉｒ−ＭｎとＣｏ−Ｆｅ／Ｒｕ／Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂは人工反強磁性体を採用して、磁気層の磁化方向を固定した点であり、この構造は交換バイアス磁場を増加させるのに有利となり、これによりトランジスタの性能を改善できる。
その動作原理は、実施形態６と同様であるため、ここで詳細な動作過程を省略する。
（実施形態９）
図３ｂを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、ＳｉまたはＧａＡｓ半導体からなる基板１の上に、ＳｉＯ２又は他のＡｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４絶縁体からなる１２０ｎｍ厚の絶縁層２を形成する。この絶縁層は、ベース５とエミッタ３を絶縁するために使用され、当該半導体基板はエミッタ３として機能する。
図３ｂを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、ＳｉまたはＧａＡｓ半導体からなる基板１の上に、ＳｉＯ２又は他のＡｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４絶縁体からなる１２０ｎｍ厚の絶縁層２を形成する。この絶縁層は、ベース５とエミッタ３を絶縁するために使用され、当該半導体基板はエミッタ３として機能する。
Ａｌ２Ｏ３又はＭｇＯ材料からなる第１トンネルバリア層４が、エミッタ３の上に形成される。その第１トンネルバリア層４の厚さは、１．０ｎｍである。第１トンネルバリア層４の上に、厚さ６ｎｍのＮｉ−Ｆｅ磁性体層からなるベース５が形成される。当該Ｎｉ−Ｆｅ層の磁化方向は自由であり、外部磁場または電流によって変えられる。
Ａｌ２Ｏ３又はＭｇＯ材料からなる第２トンネルバリア層６がベース５の上に形成されその第２トンネルバリア層６の厚さは、１．６ｎｍである。
Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性体からなる厚さ６ｎｍのコレクタ７が、第２トンネルバリア層６の上に形成され、当該層の磁化方向は、反強磁性層Ｆｅ−Ｍｎによってピンニングされて固定される。
Ａｕ又はＰｔ材料からなる導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、導電保護層８の厚さは６ｎｍである。
図９は、このトランジスタのダブルバリアトンネル接合電子共鳴トンネリングの概要図である。この図は、トンネリング電子がベース５とコレクタ７の磁化方向に平行と反平行の２つの状態下のトンネリング過程を示している。
平行状態である場合、エミッタ３において、スピン方向とコレクタ７の磁化方向が同一である多数トンネリング電子が、バリアと中間ベース５をトンネリングできるが、コレクタ７の磁化方向と反対である少数スピン電子、又は不純物散乱によりスピン方向が反転した電子はコレクタ７にトンネリングできない。この場合、コレクタ７には比較的大きな電流が流れる。
一方、反平行状態になった場合、スピン方向がコレクタ７の磁化方向と同一である少数トンネリング電子だけが、コレクタ７にトンネリングできるが、スピン方向がコレクタ７の磁化方向と反対である多数トンネリング電子は、コレクタ７にトンネリングできない。この場合、コレクタ７には比較的小さい電流が流れる。同時に、コレクタ７の磁化方向が固定され、かつベース５の磁化方向が磁場によって変化するため、ベース５の磁化方向を変えることによって、コレクタ７の電流の大きさが変化する。
その形成過程は、ベース５の電流は変調信号であり、ベース５の磁化方向を変えることによって、コレクタ７の信号は、ベース５の電流の変調モデルに類似するように変調され、即ち、共鳴トンネリング効果が発生し、適当な条件において増幅信号が得られる。
（実施形態１０）
図３ｂを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、ＳｉまたはＧａＡｓ半導体からなる基板１の上に、ＳｉＯ２又は類似の材料からなる３６０ｎｍ厚の絶縁層２を形成する。絶縁層２の上に、厚さが１０ｎｍである超導体材料ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７からなるエミッタ３を形成する。
図３ｂを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、ＳｉまたはＧａＡｓ半導体からなる基板１の上に、ＳｉＯ２又は類似の材料からなる３６０ｎｍ厚の絶縁層２を形成する。絶縁層２の上に、厚さが１０ｎｍである超導体材料ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７からなるエミッタ３を形成する。
Ａｌ２Ｏ３材料からなる第１トンネルバリア層４が、エミッタ３の上に形成される。その第１トンネルバリア層４の厚さは、１．０ｎｍである。第１トンネルバリア層４の上に、厚さ３ｎｍのＳｍ磁性体層からなるベース５が形成される。当該Ｓｍ層の磁化方向は自由であり、外部磁場または電流によって変えられる。
Ａｌ２Ｏ３材料からなる第２トンネルバリア層６がベース５の上に形成されその第２トンネルバリア層６の厚さは、１．６ｎｍである。
Ｇｄ−Ｙ磁性体からなる厚さ６ｎｍのコレクタ７が、第２トンネルバリア層６の上に形成され、当該層の磁化方向は、反強磁性層Ｐｄ−ＭｎまたはＲｈ−Ｍｎによってピンニングされて固定される。
Ａｕ又はＴａ材料からなる導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、導電保護層８の厚さは５ｎｍである。
その動作原理は、実施形態９と同様であるため、ここで詳細な動作過程を省略する。
（実施形態１１）
図３ｃを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、ＳｉまたはＧａＡｓ半導体からなる基板１の上に、ＳｉＯ２又は類似の材料からなる３６０ｎｍ厚の絶縁層２を形成する。この絶縁層は、ベース５とコレクタ７を絶縁するために使用され、当該半導体基板はコレクタ７として機能する。
図３ｃを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、ＳｉまたはＧａＡｓ半導体からなる基板１の上に、ＳｉＯ２又は類似の材料からなる３６０ｎｍ厚の絶縁層２を形成する。この絶縁層は、ベース５とコレクタ７を絶縁するために使用され、当該半導体基板はコレクタ７として機能する。
Ａｌ２Ｏ３又はＭｇＯ材料からなる第１トンネルバリア層４が、コレクタ７の上に形成される。その第１トンネルバリア層４の厚さは、１．０ｎｍである。第１トンネルバリア層４の上に、厚さ４ｎｍのＮｉ−Ｆｅ磁性体層からなるベース５が形成される。当該Ｎｉ−Ｆｅ層の磁化方向は自由であり、外部磁場または電流によって変えられる。
Ａｌ２Ｏ３又はＭｇＯ材料からなる第２トンネルバリア層６がベース５の上に形成されその第２トンネルバリア層６の厚さは、１．６ｎｍである。
Ｃｏ−Ｆｅ磁性体からなる厚さ６ｎｍのエミッタ３が、第２トンネルバリア層６の上に形成され、当該層の磁化方向は、反強磁性層Ｐｔ−Ｍｎによってピンニングされて固定される。
Ａｕ又はＰｔ材料からなる導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、導電保護層８の厚さは６ｎｍである。
その動作原理は、実施形態６と同様であるため、ここで詳細な動作過程を省略する。
（実施形態１２）
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、ＧａＮまたはＧａＡｓ半導体からなる基板１の上に、ＳｉＯ２又は類似の材料からなる１００ｎｍ厚の絶縁層２を形成する。絶縁層２の上に、厚さが１０ｎｍである非磁性金属Ｃｕからなるエミッタ３を形成する。
図３ａを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、ＧａＮまたはＧａＡｓ半導体からなる基板１の上に、ＳｉＯ２又は類似の材料からなる１００ｎｍ厚の絶縁層２を形成する。絶縁層２の上に、厚さが１０ｎｍである非磁性金属Ｃｕからなるエミッタ３を形成する。
Ａｌ２Ｏ３又はＭｇＯ材料からなる第１トンネルバリア層４が、エミッタ３の上に形成される。その第１トンネルバリア層４の厚さは、１．０ｎｍである。第１トンネルバリア層４の上に、厚さ５ｎｍのＣｒＯ２磁性体層からなるベース５が形成される。当該Ｎｉ−Ｆｅ層の磁化方向は自由であり、外部磁場または電流によって変えられる。
Ａｌ２Ｏ３又はＭｇＯ材料からなる第２トンネルバリア層６がベース５の上に形成されその第２トンネルバリア層６の厚さは、１．６ｎｍである。
ＣｒＯ２半金属材料からなる厚さ６ｎｍのエミッタ３が、第２トンネルバリア層６の上に形成され、当該層の磁化方向は、反強磁性層Ｎｉ−Ｍｎによってピンニングされて固定される。
Ａｕ又はＴａ材料からなる導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、導電保護層８の厚さは５ｎｍである。
（実施形態１３）
図３ｄを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。ＩｎＧａＡｓ半導体からなる基板１の上に、厚さ１０ｎｍのＧａＡｓからなるベース５を形成する。
図３ｄを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。ＩｎＧａＡｓ半導体からなる基板１の上に、厚さ１０ｎｍのＧａＡｓからなるベース５を形成する。
Ａｌ２Ｏ３からなる第１トンネルバリア層４，６が、ベース５の上に形成される。厚さ８ｎｍであるＣｏ−Ｆｅからなるエミッタ３およびコレクタ７が第１トンネルバリア層４，６の上に形成され、その厚さは６ｎｍである。
フォトエッチング等の微細加工技術を用いて、エミッタ３とコレクタ７の接合エリアの相対大きさを制御し、これらの反転磁場を相違させる。これにより、一方の磁性電極の磁化方向が比較的固定され、他方の磁性電極が比較的自由になる。
Ａｕ材料からなる厚さ６ｎｍの導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、その厚さは８ｎｍである。そのうち、エミッタ３とコレクタ７の間の距離は５μｍ未満である。
（実施形態１４）
図３ｄを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、Ｓｉ半導体からなる基板１の上に、厚さ１０ｎｍのＣｏ−Ｆｅ−Ｂからなるベース５を形成する。
図３ｄを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、Ｓｉ半導体からなる基板１の上に、厚さ１０ｎｍのＣｏ−Ｆｅ−Ｂからなるベース５を形成する。
ＭｇＯからなる第１トンネルバリア層４，６が、ベース５の上に形成される。厚さ１５ｎｍである反強磁性材料Ｉｒ−Ｍｎと厚さ６ｎｍであるＬａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３からなるエミッタ３およびコレクタ７が、第１トンネルバリア層４，６の上に形成され、反強磁性材料Ｉｒ−ＭｎはＬａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３の上に形成した。
フォトエッチング等の微細加工技術を用いて、エミッタ３とコレクタ７の接合エリアの相対大きさを制御する。
Ａｕ材料からなる厚さ６ｎｍの導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、その厚さは８ｎｍである。そのうち、エミッタ３とコレクタ７の間の距離は１μｍ未満である。
（実施形態１５）
図３ｄを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、Ｓｉ半導体からなる基板１の上に、厚さ４ｎｍのＣｏ−Ｆｅ−Ｂからなるベース５を形成する。
図３ｄを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、Ｓｉ半導体からなる基板１の上に、厚さ４ｎｍのＣｏ−Ｆｅ−Ｂからなるベース５を形成する。
ＡｌＮからなる第１トンネルバリア層４，６が、ベース５の上に形成される。厚さ１５ｎｍである反強磁性材料ＮｉＯと厚さ６ｎｍであるＬａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３からなるエミッタ３およびコレクタ７が、第１トンネルバリア層４，６の上に形成され、反強磁性材料ＮｉＯはＬａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３の上に形成した。
フォトエッチング等の微細加工技術を用いて、エミッタ３とコレクタ７の接合エリアの相対大きさを制御する。
Ａｕ材料からなる厚さ６ｎｍの導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、その厚さは８ｎｍである。
（実施形態１６）
図３ｄを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、ＩｎＡｓ半導体からなる基板１の上に、厚さ４ｎｍのＣｏ−Ｆｅ−Ｂからなるベース５を形成する。
図３ｄを参照して、本発明のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果のスピントランジスタが提供される。当該スピントランジスタの構造は、ＩｎＡｓ半導体からなる基板１の上に、厚さ４ｎｍのＣｏ−Ｆｅ−Ｂからなるベース５を形成する。
ＥｕＳからなる第１トンネルバリア層４，６が、ベース５の上に形成される。厚さ１５ｎｍである反強磁性材料ＮｉＯと厚さ４ｎｍであるＭｎドープＨｆＯ２磁気半導体からなるエミッタ３およびコレクタ７が、第１トンネルバリア層４，６の上に形成され、反強磁性材料ＮｉＯはＭｎドープＨｆＯ２磁気半導体の上に形成した。
フォトエッチング等の微細加工技術を用いて、エミッタ３とコレクタ７の接合エリアの相対大きさを制御する。
Ａｕ材料からなる厚さ６ｎｍの導電保護層８が、エミッタ３、ベース５およびコレクタ７の上に設けられ、その厚さは８ｎｍである。
以上、図面とともに本発明を充分に説明したが、留意すべきは本分野の当業者にとって、各種の変更および修正が可能である。従って、この変更および修正が本発明の範囲を逸脱しない限り、これらは全て本発明の範囲に含まれる。
１ 基板
２ 絶縁層
３ エミッタ
４ 第１トンネルバリア層
５ ベース
６ 第２トンネルバリア層
７ コレクタ
８ 導電保護層
２ 絶縁層
３ エミッタ
４ 第１トンネルバリア層
５ ベース
６ 第２トンネルバリア層
７ コレクタ
８ 導電保護層
Claims (14)
- 基板（１）、エミッタ（３）、ベース（５）、コレクタ（７）および第１トンネルバリア層（４）を備え、第１トンネルバリア層（４）はエミッタ（３）とベース（５）の間に設けられたダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタにおいて、
第２トンネルバリア層（６）をさらに含み、
当該第２トンネルバリア層（６）は、ベース（５）とコレクタ（７）の間に設けられ、
エミッタ（３）とベース（５）の間、及びベース（５）とコレクタ（７）の間に形成されたトンネル接合の接合面積が、１μｍ２〜１００００μｍ２であり、
前記ベース（５）の厚さが、当該層材料の電子平均自由行程に匹敵しており、
前記エミッタ（３）、ベース（５）およびコレクタ（７）の中でただ１つの極(pole)の磁化方向が自由であることを特徴とするダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。 - 前記基板（１）は、絶縁体または非絶縁体、あるいは半導体で形成され、その基板（１）の厚さは０．３ｍｍ〜５ｍｍであり、
前記絶縁体は、Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＯ２，Ｓｉ３Ｎ４を含み、
前記非絶縁体は、Ｃｕ又はＡｌを含み、
前記半導体は、Ｓｉ，Ｇａ，ＧａＮ，ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＡｓを含むことを特徴とする請求項１記載のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。 - 前記基板（１）が非絶縁体または半導体で形成された場合、基板の上には絶縁体層（２）が設けられ、当該絶縁体層（２）の厚さは１０〜５００ｎｍであり、
前記絶縁体層（２）は、Ａｌ２Ｏ３又はＳｉ３Ｎ４を含み、その厚さは５０〜５００ｎｍであることを特徴とする請求項２記載のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。 - 導電保護層（８）をさらに備え、
当該導電保護層（８）は、エミッタ（３）、ベース（５）およびコレクタ（７）の上に設けられ、
当該導電保護層（８）は、金、白金、銀、アルミニウム、タンタル又は耐酸化金属導電材料で形成され、その厚さは０．５〜１０ｎｍであることを特徴とする請求項１または３記載のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。 - 前記エミッタ（３）、ベース（５）またはコレクタ（７）は、強磁性体、半金属磁性体、磁気半導体、有機磁性体、半導体または非磁性金属材料で形成され、
前記エミッタ（３）は、金属Ｎｂ、またはＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７のＣｕ−Ｏシリーズの超伝導材料ＳＰで形成され、
前記エミッタ（３）、ベース（５）またはコレクタ（７）の厚さは、２ｎｍ〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１，３または４記載のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。 - 前記強磁性体は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等の３ｄ遷移磁性金属、Ｓｍ，Ｇｄ，Ｎｄ等の希土類金属、Ｃｏ−Ｆｅ，Ｃｏ−Ｆｅ−Ｂ，Ｎｉ−Ｆｅ，Ｇｄ−Ｙ等の強磁性合金を含むことを特徴とする請求項５記載のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。
- 前記半金属磁性体は、Ｆｅ３Ｏ４，ＣｒＯ２，Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３又はＣｏ２ＭｎＳｉ等のヒュスラー(Heussler)を含むことを特徴とする請求項５記載のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。
- 前記磁気半導体は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｖ，ＭｎドープのＺｎＯ，ＴｉＯ２，ＨｆＯ２，ＳｎＯ２を含み、さらにＭｎドープのＧａＡｓ，ＩｎＡｓ，ＧａＮ，ＺｎＴｅを含むことを特徴とする請求項５記載のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。
- 前記有機磁性体は、メタロセン高分子有機磁性体やステアリン酸マンガンを含むことを特徴とする請求項５記載のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。
- 前記非磁性金属材料は、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ａｌ，Ｃｒ及び／又はこれらの合金を含むことを特徴とする請求項５記載のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。
- 前記半導体は、Ｓｉ，Ｇａ，ＧａＮ，ＧａＡｓ，ＧａＡｌＡｓ，ＩｎＧａＡｓ又はＩｎＡｓを含むことを特徴とする請求項５記載のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。
- 前記第１トンネルバリア層（４）と第２トンネルバリア層（６）が絶縁体で形成され、
当該絶縁体は、金属酸化物絶縁膜、金属窒化物絶縁膜、有機又は無機材料絶縁膜、ダイヤモンドライク(diamond-like)膜、又はＥｕＳを含み、
当該第１トンネルバリア層の厚さは０．５〜３．０ｎｍであり、第２トンネルバリア層の厚さは０．５〜４．０ｎｍであり、
２つのトンネルバリア層の厚さと材料は、同一または相違していることを特徴とする請求項１または４記載のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。 - 前記金属酸化物絶縁膜および金属窒化物絶縁膜の金属は、金属元素Ａｌ，Ｍｇ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｎｂ又はＧａから選ばれることを特徴とする請求項１２記載のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。
- 前記強磁性の磁化方向が反強磁性層でピンニングされ、
当該反強磁性層は、Ｉｒ，Ｆｅ，Ｒｈ，Ｐｔ又はＰｄと、Ｍｎとの合金材料で形成され、あるいはＣｏＯ，ＮｉＯ，ＰｔＣｒ等の反強磁性体で形成されることを特徴とする請求項６記載のダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNA2004100800164A CN1606170A (zh) | 2004-09-24 | 2004-09-24 | 基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管 |
| PCT/CN2005/000461 WO2006032180A1 (fr) | 2004-09-24 | 2005-04-08 | Transistor à effet tunnel résonant avec jonction de tunnel à double barrière |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008515176A true JP2008515176A (ja) | 2008-05-08 |
Family
ID=34765578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007532745A Withdrawn JP2008515176A (ja) | 2004-09-24 | 2005-04-08 | ダブルバリアトンネル接合共鳴トンネリング効果に基づくトランジスタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080246023A1 (ja) |
| JP (1) | JP2008515176A (ja) |
| CN (1) | CN1606170A (ja) |
| WO (1) | WO2006032180A1 (ja) |
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| WO2018029883A1 (ja) * | 2016-08-10 | 2018-02-15 | アルプス電気株式会社 | 交換結合膜ならびにこれを用いた磁気抵抗効果素子および磁気検出装置 |
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-
2005
- 2005-04-08 US US11/663,684 patent/US20080246023A1/en not_active Abandoned
- 2005-04-08 JP JP2007532745A patent/JP2008515176A/ja not_active Withdrawn
- 2005-04-08 WO PCT/CN2005/000461 patent/WO2006032180A1/zh active Application Filing
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20080246023A1 (en) | 2008-10-09 |
| WO2006032180A1 (fr) | 2006-03-30 |
| CN1606170A (zh) | 2005-04-13 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080401 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090402 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090402 |