JP2008311665A - 光起電力シリコンウェファ上に導体路を形成する方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 光起電力セルのために設けられたシリコンウェファ(1)上に導体路(22、322、422、522)を形成する方法が記載される。電気的に導通する転写層(22)が、刻印箔(2)、特に熱刻印箔から、シリコンウェファ(1)の表面上に完全に、あるいは領域的に転写される。
【選択図】図1a
Description
全面または部分的に、たとえば老化および/または使用可能性に関する情報を与え、かつ色彩効果に基づかないインジケータを有する、終端層を設けることもできる。たとえば、インジケータは、RFIDタグとして形成することができる。
2 刻印箔
3 刻印父型
20 キャリア層
21 剥離層
22 転写層
322 導体路
422 導体路
522 導体路
Claims (26)
- 光起電力セルのために設けられたシリコンウェファ(1)上に導体路(322、422、522)を形成する方法において、
刻印箔(2)、特に熱刻印箔から、少なくとも1つの電気的に導通する転写層(22)を、全体的に、あるいは部分的に、シリコンウェファ(1)の表面上に転写することを特徴とする、導体路を形成する方法。 - 幾何学的に構造化された、電気的に導通する転写層(22)を有する刻印箔(2)が使用されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 全面的な、電気的に導通する転写層(22)を有する刻印箔(2)が使用され、かつ
転写層(22)が、シリコンウェファ(1)上に転写される際に構造父型(3)によって構造化されることを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 導体路(322、522)が、1つより多い刻印ステップにおいて形成されることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の方法。
- 異なる材料からなり、かつ/または異なる電気的導通性を有し、かつ/または異なる幾何学的構造を有し、かつ/または異なる横断面プロフィールを有する転写層を、次々と転写することを特徴とする請求項4に記載の方法。
- 2つまたはそれより多い転写層の転写によって、導通性勾配を、導体路内に形成することを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 導体路(322、422、522)の幾何学的構造および/または導通構造を、刻印父型(3)および/または刻印箔(2)の形成によって調節することを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の方法。
- 2つまたはそれより多い転写層の転写によって、導体路の付着が局所的に変化されることを特徴とする請求項4から7のいずれか1項に記載の方法。
- 少なくとも特性、たとえば厚みおよび/または柔軟性および/または材料の組成、において互いに異なるキャリア層(20)を有する刻印箔(2)が使用されることを特徴とする請求項4から8のいずれか1項に記載の方法。
- 1つまたは複数の転写層(22)の転写後に、焼結プロセスが実施されることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載の方法。
- 2つの互いに連続する刻印プロセスの間に、焼結プロセスが実施されることを特徴とする請求項10に記載の方法。
- 2つまたはそれより多い焼結プロセスが、異なる温度および/または滞留時間において実施されることを特徴とする請求項11に記載の方法。
- 焼結プロセスを、300℃から800℃の範囲の焼結温度で調節することを特徴とする請求項10から12のいずれか1項に記載の方法。
- 焼結温度を、450℃から550℃の範囲の焼結温度で調節することを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 導体路(322、422、522)が、少なくとも1つの保護層によって刻印されることを特徴とする請求項1から14のいずれか1項に記載の方法。
- 転写層が、光学的に変化する素子を有する終端層として設けられることを特徴とする請求項1から15のいずれか1項に記載の方法。
- 請求項1から16のいずれか1項に記載の方法を実施するための刻印箔、特に熱刻印箔において、
刻印箔(2)が、構造化された、電気的に導通する転写層(22)を有していることを特徴とする刻印箔。 - 転写層(22)が、幾何学的に構造化されていることを特徴とする請求項17に記載の刻印箔。
- 転写層(22)が、その横断面において構造化されていることを特徴とする請求項17または18に記載の刻印箔。
- 転写層(22)が、金属層として形成されていることを特徴とする請求項17から19のいずれか1項に記載の刻印箔。
- 金属層が、金属粒子から形成されていることを特徴とする請求項20に記載の刻印箔。
- 転写層が、炭素ナノチューブおよび/または電気的に導通するポリマーから形成されていることを特徴とする請求項17から19のいずれか1項に記載の刻印箔。
- 刻印箔(2)が、1つまたは複数の剥離層(21)を有していることを特徴とする請求項17から22のいずれか1項に記載の刻印箔。
- 刻印箔(2)が、1つまたは複数の下塗り層を有していることを特徴とする請求項17から23のいずれか1項に記載の刻印箔。
- 剥離層(21)および/または下塗り層が、全面で形成されていないことを特徴とする請求項23または24に記載の刻印箔。
- シリコンウェファのベース上の光起電力セルであって、その表面上に、特に請求項17から25のいずれか1項に記載の、刻印箔の電気的に導通する、構造化された転写層が適用されている、光起電力セル。
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