JP2008311580A - 基板処理装置、表示方法、プログラム及び記録媒体 - Google Patents

基板処理装置、表示方法、プログラム及び記録媒体 Download PDF

Info

Publication number
JP2008311580A
JP2008311580A JP2007160310A JP2007160310A JP2008311580A JP 2008311580 A JP2008311580 A JP 2008311580A JP 2007160310 A JP2007160310 A JP 2007160310A JP 2007160310 A JP2007160310 A JP 2007160310A JP 2008311580 A JP2008311580 A JP 2008311580A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
displayed
display
parts
display area
processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007160310A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryoji Sakai
良治 坂井
Hiroyuki Hosokawa
寛之 細川
Keiichi Ishikawa
佳一 石川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2007160310A priority Critical patent/JP2008311580A/ja
Publication of JP2008311580A publication Critical patent/JP2008311580A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】
システムが大型化し、しかも管理項目が増大してもメンテナンスがし易いメンテナンス画面を表示パネルに表示することが可能な基板処理装置、そのような基板処理装置のメンテナンス時における表示パネルの表示方法、プログラム及び記録媒体を提供する
【解決手段】
表示パネル301の第1の表示領域311aに例えば処理室140E内の模式的な構造を表示すると共に複数の部位A1〜部位A8を部位ごとに異なる色で表示する。そして、表示パネル301の第2の表示領域311bには、例えば第1の高周波電源40の電圧計、電流計などにより計測された複数のパラメータ値を複数の部位A1〜部位A8ごとに部位A1〜部位A8ごとの色に対応した色で列挙して表示している。
【選択図】 図5

Description

本発明は、例えば成膜処理(例えばプラズマCVD処理)やエッチング処理(例えばプラズマエッチング処理)等の半導体製造プロセスに用いられる基板処理装置、そのような基板処理装置のメンテナンス時における表示パネルの表示方法、プログラム及び記録媒体に関する。
近年の半導体製造装置等の基板処理装置は、半導体ウエハなどの基板の搬送系の周囲に基板への処理を実行する処理室を複数配置し、集約的に処理を実行する技術が主流になってきている。このようなシステムでは、形成パターンの微細化などに伴い、各処理室における温度や圧力などの各種のパラメータを各処理室の複数の部位ごとに精密に管理する必要がある。このようにシステムが大型化し、しかも管理項目が増大すると、そのためのメンテナンスも大掛かりになる。
このようなメンテナンスは、一般的にはGUI(Graphical User Interface)を使ったタッチパネルを用いて装置の情報(温度、圧力、ガス流量等)を入手し、その入手した情報に基づいて条件設定等を行っている。なお、このようなGUIに関しては、SEMIにおいてある程度規格化されている。
本発明者らは、SEMIのE95において規格化された程度のGUIではますます複雑化した基板処理装置のメンテナンスには不十分であると認識したが、その種の分野で技術文献は発見できなかった。
SEMIのE95規格:http://downloads.semi.org/PUBS/SEMIPUBS.NSF/6cb6b23858b3cded882565f6000badda/e4f362b2ff872d9f882568410061dddf?OpenDocument
従って、半導体製造装置などの基板処理装置の分野において、基板処理装置のメンテナンスのためのGUI画面の利便性を高めようとする課題自体が従来にない新規課題であり、本発明はその新規課題を解決しようとするものである。より具体的には、システムが大型化し、しかも管理項目が増大してくると、規格化された程度のGUIを使った画面の表示ではメンテナンスがし難い、という課題がある。
よって、本発明の目的は、システムが大型化し、しかも管理項目が増大してもメンテナンスがし易いメンテナンス画面を表示パネルに表示することが可能な基板処理装置、そのような基板処理装置のメンテナンス時における表示パネルの表示方法、プログラム及び記録媒体を提供することにある。
かかる課題を解決するため、本発明に係る基板処理装置は、基板を処理するための少なくとも1つの処理室を有する基板処理装置であって、前記処理室で基板を処理するための複数の部位におけるそれぞれの複数のパラメータを計測する計測手段と、表示パネルと、前記表示パネルの第1の表示領域に前記処理室内の模式的な構造を表示すると共に前記複数の部位を部位ごとに異なる色で表示し、第2の表示領域に前記計測手段により計測された複数のパラメータ値を前記複数の部位ごとに前記第1の表示領域における前記複数の部位ごとの色に対応した色で列挙して表示可能な表示制御部とを具備する。
本発明では、表示パネルの第1の表示領域に処理室内の模式的な構造を表示すると共に複数の部位を部位ごとに異なる色で表示する。そして、表示パネルの第2の表示領域には、計測された複数のパラメータ値を複数の部位ごとに第1の表示領域における複数の部位ごとの色に対応した色で列挙して表示している。例えば、処理室内の模式的な構造におけるある部位を「黄色」で表示し、その部位における計測されたパラメータ値を同色の「黄色」で表示可能としている。しかも、部位ごとに異なる色で表示している。従って、システムが大型化し、しかも管理項目が増大してもメンテナンスがし易いメンテナンス画面を表示パネルに表示することが可能となる。
本発明の一の形態によれば、前記表示制御部は、前記第2の表示領域に前記複数の部位ごとに当該部位の名称及び選択ボタンを表示し、前記選択ボタンの選択に応じてa)当該部位に対応する複数のパラメータ値を列挙して表示し、b)列挙して表示された複数のパラメータ値を消して当該部位の名称及び選択ボタンを表示する。これにより、例えば複数の部位ごとに部位の名称及び選択ボタンが表示されているときには、部位に対応する複数のパラメータ値が列挙して表示されているときに比べて、第1の表示領域の各部位に対応する第2の表示領域の選択ボタンが見つけ易くなる。この結果、メンテナンスをしようとする部位に対応する選択ボタンを容易に選択でき、この部位に対応する複数のパラメータ値を選択的に見てメンテナンスを行うことができる。また、ある部位のメンテナンスが終了したときに、メンテナンスが終了した複数のパラメータを消すことで、他の部位の選択ボタンを見易くして、次のメンテナンスを容易に行うことができる。
本発明の一の形態によれば、前記複数の部位におけるそれぞれの複数のパラメータを設定する設定手段を具備し、前記表示制御部は、前記第2の表示領域に前記計測手段により計測された複数のパラメータ値と共に前記設定手段により設定された複数のパラメータ値を前記計測された各パラメータに対応して表示可能である。これにより、第2の表示領域に計測手段により計測されたパラメータ値と、このパラメータ値に対応する設定手段により設定されたパラメータ値とを容易に比較することができる。この結果、例えば計測されたパラメータ値を見ながら設定手段により容易にパラメータを設定することができる。
本発明に係る表示方法は、基板を処理するための少なくとも1つの処理室を有する基板処理装置のメンテナンス時における表示パネルの表示方法であって、前記処理室で基板を処理するための複数の部位におけるそれぞれの複数のパラメータを計測し、前記表示パネルの第1の表示領域に前記処理室内の模式的な構造を表示すると共に前記複数の部位を部位ごとに異なる色で表示し、前記表示パネルの第2の表示領域に前記計測された複数のパラメータ値を前記複数の部位ごとに前記第1の表示領域における前記複数の部位ごとの色に対応した色で列挙して表示可能とする。
本発明では、表示パネルの第1の表示領域に処理室内の模式的な構造を表示すると共に複数の部位を部位ごとに異なる色で表示する。そして、表示パネルの第2の表示領域には、計測された複数のパラメータ値を複数の部位ごとに第1の表示領域における複数の部位ごとの色に対応した色で列挙して表示する。例えば、処理室内の模式的な構造におけるある部位を「黄色」で表示し、その部位における計測されたパラメータ値を同色の「黄色」で表示可能としている。しかも、部位ごとに異なる色で表示している。従って、システムが大型化し、しかも管理項目が増大してもメンテナンスがし易いメンテナンス画面を表示パネルに表示することが可能となる。
本発明の一の形態によれば、前記第2の表示領域に前記複数の部位ごとに当該部位の名称及び選択ボタンを表示し、前記選択ボタンの選択に応じてa)当該部位に対応する複数のパラメータ値を列挙して表示し、b)列挙して表示された複数のパラメータ値を消して当該部位の名称及び選択ボタンを表示する。これにより、例えば複数の部位ごとに部位の名称及び選択ボタンが表示されているときには、部位に対応する複数のパラメータ値が列挙して表示されているときに比べて、第1の表示領域の各部位に対応する第2の表示領域の選択ボタンが見つけ易くなる。この結果、メンテナンスをしようとする部位に対応する選択ボタンを容易に選択でき、この部位に対応する複数のパラメータ値を選択的に見てメンテナンスを行うことができる。また、ある部位のメンテナンスが終了したときに、メンテナンスが終了した複数のパラメータを消すことで、他の部位の選択ボタンを見易くして、次のメンテナンスを容易に行うことができる。
本発明の一の形態によれば、前記複数の部位におけるそれぞれの複数のパラメータを設定する工程を更に有し、前記第2の表示領域に前記計測された複数のパラメータ値と共に前記設定された複数のパラメータ値を前記計測された各パラメータに対応して表示可能である。これにより、第2の表示領域に計測された複数のパラメータ値と、設定された複数のパラメータ値とを容易に比較することができる。この結果、例えば計測されたパラメータ値を見ながら容易にパラメータを設定することができる。
本発明に係るプログラムは、基板を処理するための少なくとも1つの処理室と、前記処理室で基板を処理するための複数の部位におけるそれぞれの複数のパラメータを計測する手段とを有する基板処理装置のメンテナンス時における表示パネルの表示をコンピュータに実行させるプログラムであって、前記表示パネルの第1の表示領域に前記処理室内の模式的な構造を表示させる共に前記複数の部位を部位ごとに異なる色で表示させ、前記表示パネルの第2の表示領域に前記計測された複数のパラメータ値を前記複数の部位ごとに前記第1の表示領域における前記複数の部位ごとの色に対応した色で列挙して表示可能とさせる。
本発明では、表示パネルの第1の表示領域に処理室内の模式的な構造を表示させると共に複数の部位を部位ごとに異なる色で表示させる。そして、表示パネルの第2の表示領域に、計測された複数のパラメータ値を複数の部位ごとに第1の表示領域における複数の部位ごとの色に対応した色で列挙して表示させている。例えば、処理室内の模式的な構造におけるある部位を「黄色」で表示させ、その部位における計測されたパラメータ値を同色の「黄色」で表示可能とさせている。しかも、部位ごとに異なる色で表示させている。従って、システムが大型化し、しかも管理項目が増大してもメンテナンスがし易いメンテナンス画面を表示パネルに表示させることが可能となる。
本発明に係る記録媒体は、基板を処理するための少なくとも1つの処理室と、前記処理室で基板を処理するための複数の部位におけるそれぞれの複数のパラメータを計測する手段とを有する基板処理装置のメンテナンス時における表示パネルの表示をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体であって、前記プログラムが、前記表示パネルの第1の表示領域に前記処理室内の模式的な構造を表示させる共に前記複数の部位を部位ごとに異なる色で表示させ、前記表示パネルの第2の表示領域に前記計測された複数のパラメータ値を前記複数の部位ごとに前記第1の表示領域における前記複数の部位ごとの色に対応した色で列挙して表示可能とさせる。
本発明では、プログラムが、表示パネルの第1の表示領域に処理室内の模式的な構造を表示させると共に複数の部位を部位ごとに異なる色で表示させる。そして、プログラムが、表示パネルの第2の表示領域に、計測された複数のパラメータ値を複数の部位ごとに第1の表示領域における複数の部位ごとの色に対応した色で列挙して表示させている。例えば、処理室内の模式的な構造におけるある部位を「黄色」で表示させ、その部位における計測されたパラメータ値を同色の「黄色」で表示可能とさせている。しかも、部位ごとに異なる色で表示させている。従って、システムが大型化し、しかも管理項目が増大してもメンテナンスがし易いメンテナンス画面を表示パネルに表示させることが可能となる。
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
(基板処理装置の構成例)
先ず、本発明の実施形態にかかる基板処理装置について図面を参照しながら説明する。図1は本発明の実施形態にかかる基板処理装置の概略構成を示す図である。この基板処理装置100は、被処理基板例えば半導体ウエハ(以下、単に「ウエハ」ともいう。)Wに対して成膜処理、エッチング処理等の各種の処理を行う複数の処理ユニット110と、この処理ユニット110に対してウエハWを搬出入させる搬送ユニット120とを備える。
先ず、搬送ユニット120の構成例について説明する。搬送ユニット120は図1に示すように基板収納容器例えばカセット容器132(132A〜132C)と処理ユニット110との間でウエハを搬出入する搬送室130を有している。搬送室130は、断面略多角形(例えば断面矩形)の箱体状に形成されている。搬送室130の断面矩形の長辺を構成する一側面には、複数のカセット台131(131A〜131C)が並設されている。これらカセット台131A〜131Cはそれぞれ、基板収納容器例えばカセット容器132A〜132Cを載置可能に構成されている。
各カセット容器132(132A〜132C)には、例えば最大25枚のウエハWを等ピッチで多段に載置して収容できるようになっており、内部は例えばNガス雰囲気で満たされた密閉構造となっている。そして、搬送室130はその内部へゲートバルブ133(133A〜133C)を介してウエハWを搬出入可能に構成されている。なお、カセット台131とカセット容器132の数は、図1に示す場合に限られるものではない。
上記搬送室130の端部、すなわち断面矩形の短辺を構成する一側面には、内部に回転載置台138とウエハWの周縁部を光学的に検出する光学センサ139とを備えた位置決め装置としてのオリエンタ(プリアライメントステージ)136が設けられている。このオリエンタ136では、例えばウエハWのオリエンテーションフラットやノッチ等を検出して位置合せを行う。
上記搬送室130内には、カセット容器132A〜132C、ロードロック室160M、160N、オリエンタ136の各室間でウエハWを搬出入させるための搬送ユニット側搬送装置(大気搬送装置)170が設けられている。搬送ユニット側搬送装置170は、旋回動作機構によって旋回動作可能に基台172に取付けられた搬送アームを備え、スライド動作機構によって搬送室130の長手方向に沿ってスライド動作可能に構成されている。搬送ユニット側搬送装置170の搬送アームは、例えば図1に示すように一対の多関節アームを備えるダブルアーム機構により構成されている。この図1に示す搬送アームは、伸縮動作可能な多関節アームよりなる第1アーム175A、第2アーム175Bを上下に並設して構成される。
搬送ユニット側搬送装置170のスライド動作機構は、例えばリニアモータを利用して次のように構成される。具体的には搬送室130内に長手方向に沿って案内レール176が設けられ、搬送アームが取付けられた基台172はこの案内レール176に沿ってスライド動作可能に設けられている。基台172と案内レール176にはそれぞれ、リニアモータの可動子と固定子とが設けられており、案内レール176の端部にはこのリニアモータを駆動するためのリニアモータ駆動機構178が設けられている。リニアモータ駆動機構178には、後述する図2に示す制御部200が接続されている。これにより、制御部200からの制御信号に基づいてリニアモータ駆動機構178が駆動し、搬送ユニット側搬送装置170が基台172とともに案内レール176に沿って矢印方向へ移動するようになっている。
なお、搬送ユニット側搬送装置170のスライド動作機構は、処理ユニット側搬送装置180と同様に、案内レール176に沿って設けたボールスクリューに基台172を螺合させて、ボールスクリューをスライド用モータで駆動することにより、基台172をスライド動作可能に構成してもよい。
搬送ユニット側搬送装置170の搬送アームである第1、第2アーム175A、175Bはそれぞれ先端にピック174A、174Bを備え、一度に2枚のウエハを取り扱うことができるようになっている。これにより、例えばカセット容器132、オリエンタ136、各ロードロック室160M、160Nに対してウエハを搬出入する際に、ウエハを交換するように搬出入することができる。なお、搬送ユニット側搬送装置170の搬送アームのアーム数は上記のものに限られず、例えば1つのみのアームを有するシングルアーム機構であってもよい。
また、搬送ユニット側搬送装置170は、搬送アームを旋回動作、伸縮動作させるための図示しない旋回動作用モータ、伸縮動作用モータを備える。搬送ユニット側搬送装置170を駆動するモータとしては、上記の他、搬送アームを昇降動作させる昇降動作用モータを設けるようにしてもよい。図示はしないが、各モータは上記制御部200に接続され、制御部200からの制御信号に基づいて搬送ユニット側搬送装置170の搬送アームの各動作制御を行うことができるようになっている。
次に、処理ユニット110の構成例について説明する。処理ユニット110は例えばクラスタツール型に構成される。処理ユニット110は図1に示すように一方向に長く形成された多角形状(例えば四角形状、五角形状、六角形状、八角形状など)の共通搬送室150の周囲に、ウエハWに例えば成膜処理(例えばプラズマCVD処理)やエッチング処理(例えばプラズマエッチング処理)などの所定の処理を施す複数の処理室140(140A〜140F)及びロードロック室160M、160Nが共通に接続されて構成される。
具体的には共通搬送室150はその対向する一対の一辺のみが、他の辺よりも長くなされて、多角形状(例えば扁平な六角形状)になっている。そして、この扁平六角形状の共通搬送室150の先端側の短い2辺にそれぞれ処理室140C、140Dが1つずつ接続され、基端側の短い2つの辺にそれぞれロードロック室160M、160Nが1つずつ接続される。また、共通搬送室150の一方の長い辺に2つの処理室140A、140Bが並べて接続され、他方の長い辺に処理室140E、140Fが並べて接続される。
各処理室140A〜140Fは、ウエハWに対して例えば同種の処理または互いに異なる異種の処理を施すようになっている。各処理室140(140A〜140F)内には、ウエハWを載置するための載置台142(142A〜142F)がそれぞれ設けられている。なお、処理室140の数は、図1に示す場合に限られるものではない。
上記共通搬送室150は、上述したような各処理室140A〜140Fの間、又は各処理室140A〜140Fと各ロードロック室160M、160Nとの間でウエハWを搬出入する機能を有する。共通搬送室150の周りには、上記各処理室140(140A〜140F)がそれぞれゲートバルブ144(144A〜144F)を介して接続されているとともに、ロードロック室160M、160Nの先端がそれぞれゲートバルブ(真空側ゲートバルブ)154M、154Nを介して接続されている。ロードロック室160M、160Nの基端は、それぞれゲートバルブ(大気側ゲートバルブ)162M、162Nを介して搬送室130における断面略矩形の長辺を構成する他側面に接続されている。
ロードロック室160M、160Nは、ウエハWを一時的に保持して圧力調整後に、次段へパスさせる機能を有している。ロードロック室160M、160Nの内部にはそれぞれ、ウエハWを載置可能な受渡台164M、164Nが設けられている。
ロードロック室160M、160Nは、残留物などのパーティクルのパージ及び真空排気可能に構成されている。具体的にはロードロック室160M、160Nはそれぞれ、例えば排気バルブ(排気制御バルブ)を有する排気管にドライポンプなどの真空ポンプを接続した排気系及びパージバルブ(パージガス制御バルブ)を有するガス導入管にガス導入源を接続したガス導入系が設けられている。このようなパージバルブ、排気バルブなどを制御することによって、パージガス導入による真空引きと大気開放を繰返すクリーニング処理や排気処理が行われる。
なお、上記共通搬送室150及び各処理室140A〜140Fも、残留物などのパーティクルのパージ及び真空排気可能に構成されている。例えば上記共通搬送室150には上述したようなパージガスを導入するガス導入系及び真空引き可能な排気系が配設されており、各処理室140A〜140Fには上述したようなパージガスの他、処理ガスも導入可能なガス導入系及び真空引き可能な排気系が配設されている。
このような処理ユニット110では、上述したように共通搬送室150と各処理室140A〜140Fとの間及び共通搬送室150と上記各ロードロック室160M、160Nとの間はそれぞれ気密に開閉可能に構成され、クラスタツール化されており、必要に応じて共通搬送室150内と連通可能になっている。また、上記各ロードロック室160M、160Nと上記搬送室130との間も、それぞれ気密に開閉可能に構成されている。
共通搬送室150内には、ロードロック室160M、160N、各処理室140A〜140Fの各室間でウエハWを搬出入させるための処理ユニット側搬送装置(真空搬送装置)180が設けられている。処理ユニット側搬送装置180は、旋回動作機構によって旋回動作可能に基台182に取付けられた搬送アームを備え、スライド動作機構によって共通搬送室150の長手方向に沿ってスライド動作可能に構成されている。処理ユニット側搬送装置180の搬送アームは、例えば図1に示すようなダブルアーム機構より構成されている。この搬送アームは具体的には伸縮動作可能な多関節アームからなる第1アーム185A、第2アーム185Bを左右に並設して構成される。
このように構成された基板処理装置100は制御部によって動作の制御が行われるようになっている。図2はこの制御部200の構成を示すブロック図である。
通常、制御部はコンピュータによって構成されるので、CPU、必要なメモリ、インターフェース部、表示部、入力部等により構成されるのであるが、図2では制御部200の構成を分かりやすくするために、所定のプログラムを実行するコンピュータを前提として制御部200を機能毎に区画する。
ここでは、図2に示すように、制御部200は、図1の各部(処理ユニット110を構成する各部、搬送ユニット120を構成する各部)の動作を制御するプロセスコントロール部210と、タッチパネル300との間でデータのやり取りを行う入出力制御部220とを備える。タッチパネル300は、制御部200と同様に基板処理装置100の構成に含まれるものである。
タッチパネル300は、表示パネル301と、表示パネル301の表面に設けられた選択部302とを備える。選択部302は、表示パネル301に表示された後述する選択ボタンをクリックするためのものである。なお、通常のコンピュータと同様にタッチパネル300の代わりに、液晶表示パネルなどの表示パネルとキーボードやマウス、トラックボールなどにより構成しても当然良いが、タッチパネル300を用いることでクリーンルーム内のように作業性が非常に悪い環境においても入力操作を支障なくして行うことができ、また特別な操作台なども不要になる。
入出力制御部220は、タッチパネル300上に画面を表示するための制御を行う表示制御部221と、タッチパネル300から入力されたデータを制御部200内に取り込むための入力制御部222とを備える。
図3は図1の基板処理装置100の処理室140Eの概略構成を示す断面図である。
この処理室140E(例えばプラズマCVD処理装置)は、例えば表面がアルマイト処理(陽極酸化処理)されたアルミニウムからなる円筒形状に成形されたチャンバー2を有しており、このチャンバー2は接地されている。チャンバー2内には、例えばシリコンからなり、その上に所定の膜が形成されたウエハWが水平に載置され、下部電極として機能するサセプタ5がサセプタ支持台4に支持された状態で設けられている。このサセプタ5にはハイパスフィルター(HPF)6が接続されている。チャンバー2の例えば上部、チャンバー2の側壁、チャンバー2の内の図示しないシャッタ、チャンバー2の内壁に設けられた図示しないデポシールドなどの温度は、図示しない温度計により計測される。
サセプタ支持台4の内部には、温度調節媒体室7が設けられており、導入管8を介して温度調節媒体室7に温度調節媒体が導入、循環され、サセプタ5を所望の温度に制御できるようになっている。例えばサセプタ5の温度、又はサセプタ支持台4の温度は、例えば図示しない温度計により計測される。
サセプタ5は、その上中央部が凸状の円板状に成形され、その上にウエハWと略同形の静電チャック11が設けられている。静電チャック11は、絶縁材の間に電極12が介在された構成となっており、電極12に接続された直流電源13から例えば1.5kVの直流電圧が印加されることにより、クーロン力によってウエハWを静電吸着する。
そして、絶縁板3、サセプタ支持台4、サセプタ5、さらには静電チャック11には、被処理基板であるウエハWの裏面に、伝熱媒体、例えばHeガスなどを所定圧力(バックプレッシャー)にて供給するためのガス通路14が形成されており、この伝熱媒体を介してサセプタ5とウエハWとの間の熱伝達がなされ、ウエハWが所定の温度に維持されるようになっている。図示しない圧力計、流量計により所定の位置でのHeガスの圧力、流量が計測されている。
サセプタ5の上端周縁部には、静電チャック11上に載置されたウエハWを囲むように、環状のフォーカスリング15が配置されている。このフォーカスリング15は、セラミックスあるいは石英などの絶縁性材料からなり、プラズマ処理の均一性を向上させるように作用する。
サセプタ5の上方には、このサセプタ5と平行に対向して上部電極21が設けられている。この上部電極21は、絶縁材22を介して、チャンバー2の上部に支持されており、サセプタ5との対向面を構成し、多数の吐出孔23を有する、例えばアルミニウムからなる電極板24と、この電極板24を支持する導電性材料、例えば表面がアルマイト処理されたアルミニウムからなる電極支持体25とによって構成されている。なお、サセプタ5と上部電極21との間隔は、調節可能とされている。
上部電極21における電極支持体25の中央には、ガス導入口26が設けられ、さらにこのガス導入口26には、ガス供給管27が接続されており、さらにこのガス供給管27には、バルブ28並びにマスフローコントローラ29を介して、処理ガス供給源30が接続され、この処理ガス供給源30から、エッチングやレジスト剥離(アッシング)のための処理ガスが供給されるようになっている。なお、図3では、一つの処理ガス供給源30のみを代表的に図示しているが、処理ガス供給源30は複数設けられており、複数種類のガスを、それぞれ独立に流量制御して、チャンバー2内に供給できるよう構成されている。ここで、エッチング用ガスとしては、例えば、C、C、CF、CHF、CH、CHF等や、これらとN、Ar、O、He等との混合ガス等を用いることができる。また、アッシング用ガスとしては、例えば水素、窒素または酸素を含むガス、具体的には、CO、CO、N、H、O、NH等やこれらの混合ガス、さらには上記したガスとHe、Ar等の混合ガス等を用いることができる。
チャンバー2の底部には排気管31が接続されており、この排気管31には排気装置35が接続されている。排気装置35はターボ分子ポンプなどの真空ポンプやAPCバルブなどを備えており、これによりチャンバー2内を所定の減圧雰囲気、例えば1Pa以下の所定の圧力まで真空引き可能なように構成されている。また、チャンバー2の側壁には、ゲートバルブ32が設けられており、このゲートバルブ32を開にした状態でウエハWが隣接するロードロック室(図示せず)との間で搬送されるようになっている。
上部電極21には、第1の高周波電源40が接続されており、その給電線には整合器41が設けられている。また、上部電極21にはローパスフィルター(LPF)42が接続されている。この第1の高周波電源40は、50〜150MHzの範囲の周波数を有しており、このように高い周波数を印加することにより、チャンバー2内に好ましい解離状態で、かつ高密度のプラズマを形成することができ、低圧条件下でのプラズマ処理が可能となる。この第1の高周波電源40の周波数は、50〜80MHzが好ましく、典型的には図3中に示すように60MHzまたはその近傍の条件が採用される。第1の高周波電源40の電圧、電流は図示しない電圧計、電流計により計測される。
下部電極としてのサセプタ5には、第2の高周波電源50が接続されており、その給電線には整合器51が設けられている。この第2の高周波電源50は、数百kHz〜十数MHzの範囲の周波数を有しており、このような範囲の周波数の電力を印加することにより、ウエハWに対してダメージを与えることなく適切なイオン作用を与えることができる。第2の高周波電源50の周波数は、例えば図3に示すように13.56MHz、または800KHz等の条件が採用される。第2の高周波電源50の電圧、電流は図示しない電圧計、電流計により計測される。
図4は図1に示した基板処理装置100のタッチパネル300の画面を示す図である。
図4に示すように、表示制御部221はタッチパネル300上に以下の表示領域を有する画面を表示させる。
(1)ほぼ中央に横長の長方形のメイン画面を表示する第1の領域311(インフォメーション・パネル)なお、第1の領域311は、この領域の左側に設けられた第1の表示領域311aと、右側に設けられた第2の表示領域311bとを備えている。
(2)第1の領域311の下方の辺に沿って帯状に設けられた第2の領域312(サブインフォメーション・パネル)
(3)第1の領域311の右辺に沿って帯状に設けられた第3の領域313(コマンド・パネル)
(4)第2の領域312の下方に沿って帯状に設けられた第4の領域314(ナビゲーション・パネル)
(5)第1の領域311の上方の辺に沿って帯状に設けられた第5の領域315(タイトル・パネル)
(6)画面の右上角部に横長の長方形状に設けられた第6の領域316(タイトル・パネル)
第1の領域311〜第6の領域316について詳細を説明する。
1.第1の領域311について
第1の領域311には、1つまたは複数の情報・グラフィックを機能領域毎に表示するもので、少なくとも以下の画面が選択的に表示される。
(1)基板処理装置100の全体の状態を示す画面(図示を省略)
装置全体の概略的平面図、モジュール圧力、各処理室140(140A〜140F)などの詳細情報が表示可能とれている。
平面図上で処理室140(140A〜140F)をクリックすると、これ対応する処理室140(140A〜140F)のメンテナンスに必要な画面等に切り替わるようになっている。
(2)各処理室140(140A〜140F)のメンテナンスに必要な画面(図4〜図6参照)
(3)各処理室140(140A〜140F)の状態を示す画面
(4)アラーム画面
(5)パラメータ管理画面
(6)ログイン画面
(7)ユニット同期画面
2.第2の領域312について
第2の領域312には、選択ボタン(以下、タスク・ボタンと呼ぶ。)が例えば8つ配置される。タスク・ボタンは常に有効状態であり、画面名が表示されたタスク・ボタンを選択すると、選択した画面が第1の領域311上に表示される。第4の領域314、ブックマーク、その他様々な手段によりオープンされた画面は、全てタスク・ボタンに表示される。図4に示すように、第2の領域312では、タスク・ボタンは、各タスク・ボタンがクリックされた時間的な順番に応じた順番で左側から並べて表示される。つまり、タスク・ボタンの左側が常に最新の画面であり、第1の領域311に表示されている画面に対応するタスク・ボタンが表示される。その隣に次に時間的に近いタスク・ボタンが第2の領域312に表示され、以下の時間的な順番に応じてタスク・ボタンが第2の領域312に表示される。
3.第3の領域313について
第3の領域313は、現在表示している第1の領域311に対して使用するコマンド・ボタンを配置する領域である。コマンドとしては、例えば「閉じる」、「モジュール変更」、[初期化]、「大気開放」などがある。
つまり、プロセスコントロール部210に使用しているOS(Operating System)のコマンドを画面上より実行する。通常OSコマンドの実行は、OSのコンソール画面を起動し、キーボードを使用する必要がある。しかし本画面を使用することによりOSのコンソール画面を起動する必要なく、OSコマンドの実行を可能にする。
頻繁に使用されると思われるOSコマンドはテキストファイルに登録し、登録されたOSコマンドは画面から選択し実行する。またシステムから提供するソフトウェアキーボードからコマンドを直接入力し実行することも可能にする。実行結果は画面上に表示する。また実行結果をログとしてテキストファイルに保存する。そして、ユーザの操作により画面が切り替わると、その第1の領域311の画面に対応したコマンド・ボタン群を表示する。
1番目上部のコマンド・ボタンは、第1の領域311の画面を「閉じる」機能が必要な場合、必ずこの位置に「閉じる」ボタンを配置する。
4.第4の領域314
システムが持つ機能領域から第1の領域311に表示する画面を選択するためのパネルである。第4の領域314内にある下記の選択ボタン(ナビゲーション・ボタン)を押すとその機能領域の画面を第1の領域311に表示する。ただし、例外として右側に配置された「Helpボタン」を押した場合、第1の領域311上に「画面操作ヘルプ・ダイアログ・ボックス」を表示する。
(1)Jobs(ジョブ)
処理開始関連の操作、材料処理の進捗を表示、処理中の材料状態を表示する。
(2)Status(ステータス)
装置通常稼動状態での参照・操作を行う。装置全体、または装置を構成するデバイス等のステータスを表示する。
(3)Recipes(レシピ)
レシピに関連する操作、レシピ生成、レシピ編集、レシピ管理(保存、コピー等)を行う。
(4)Logs(ログ)
ログの表示やログの管理を行う。
(5)Setup(セットアップ)
装置運用の準備・設定・管理、装置運用に関連する項目、ユーザアカウント管理、ハードウェアコンフィグレーション、パラメータの設定、ホスト通信コントロールに関する設定を行う。
(6)Mainte(メンテナンス)
装置保守関連の操作、メンテナンス操作、マニュアル移動操作、マクロ操作、エンジニアリングレベルの操作を行う。
(7)System(システム)
装置運用にあまり使用されず、かつ影響のない操作を行う。システム稼動に関連する項目、M/Cステータス、装置立ち下げ、バージョン情報の表示を行う。
(8)(予備)
何も記載のないコマンド・ボタンであり、予備として設けられている。
(9)Help(ヘルプ)
インターフェースに関するヘルプ、オペレーションに関するヘルプ、装置マニュアルを表示する。
5.第5の領域315
第5の領域315は、画面最上部に位置し、全ての画面で共通に使用できる機能を持つ領域である。第5の領域315は、例えばユーザに対して情報の提示を行う目的であるダイアログ・ボックスが表示中であったとしても、常時ユーザが操作できるようにしなくてはならない。例えば、以下の画面を表示する。
(1)日付/時刻表示エリア
「日付/時刻」を表示する。
(2) 画面名称表示エリア
現在表示している画面名を表示する。
(3)ホスト通信状態表示エリア
現在のホスト通信ステータスを表示する。
(4)ログイン/ログアウト・ボタン
ログイン/ログアウト・ボタンを表示する。
(5)ロゴ表示エリア
本装置のメーカーのロゴを表示表示し、メーカー名をユーザに識別させる。
(6)アラーム・メッセージ・ボタン
最新の警告/アラームを表示する。ただし、複数の警告/アラームが発生している場合、最新のものよりも、重要度が高いものを優先して表示する。つまり、重要度が高いアラームが発生している状態の時に、重要度が低いアラームが新たに発生した場合、表示は低いアラームに切り替わらず、重要度が高いアラームが表示し続けていることになる。重要度が同じであるアラームが発生した場合、最新のものを表示する。
(7)ホーム画面遷移ボタン
本ボタンを押すことにより、ユーザ毎に登録されたホーム画面を表示する。
6.第6の領域316
装置全体状態表示を表示する。例えば図1に示したような平面図として装置全体を表示する。第1の領域311において特定の処理室のメンテナンス画面が選択されているときには、その選択された処理室を強調して表示する。これにより、ユーザは全体中からメンテナンスしている処理室を特定することができる。図4は、処理室140Eがメンテナンス状態にあることを示している。
[メンテナンス時の第1の領域311]
メンテナンスに必要な画面(図4)は、図示を省略した「モジュール」タブを画面上に備えている。図4は、この「モジュール」タブがクリックされたときの画面である。次に、メンテナンスに必要な画面(図4)における第1の領域311(第1の表示領域311a、第2の表示領域311b)についてその詳細を説明する。
<1 第1の表示領域311a>
図4に示すように、第1の表示領域311aには、処理室140Eの構造が模式的に表示されている。
例えば処理室140Eを構成する複数の部位である第1の高周波電源40、チャンバー2など、静電チャック11、第2の高周波電源50、ガス通路14を備えるヘリウムガス供給部、排気装置35に設けられた図示しないバルブ、温度調節媒体室7、排気装置(ターボ分子モータ)が、模式的に部位A1、A2・・・、A8として、部位ごとに異なる色で表示されている。
第1の表示領域311aにおける部位A1〜部位A8について説明する。
(1)部位A1は第1の高周波電源40に対応する部位である。部位A1は、例えば名称が「Top−Dc」と表示され、部位A1の領域が黄色で表示されている。
(2)部位A2は温度制御されるチャンバー2などに対応する部位である。部位A2は、例えば名称が「Temp」と表示され、部位A2の領域が青色で表示されている。
(3)部位A3は静電チャック11に対応する部位である。部位A3は、例えば名称が「ESC」と表示され、部位A3の領域が緑色で表示されている。
(4)部位A4は第2の高周波電源50に対応する部位である。部位A4は、例えば名称が「RF」と表示され、部位A4の領域が黄緑色で表示されている。
(5)部位A5はガス通路14などを備えた図示しないヘリウムガス供給部に対応する部位である。部位A5は、例えば名称が「B.P.He」と表示され、部位A5の領域が水色で表示されている。
(6)部位A6は排気装置35に備えられた図示しないバルブに対応する部位である。部位A6は、例えば名称が「APC」と表示され、部位A6の領域が茶色で表示されている。
(7)部位A7はサセプタ5の温度調節媒体室7に対応する部位である。部位A7は、例えば名称が「Chill」と表示され、部位A7の領域が白色で表示されている。
(8)部位A8は排気装置(ターボ分子モータ)35に対応する部位である。部位A8は、例えば名称が「TMP」と表示され、部位A8の領域が橙色で表示されている。
<2 第2の表示領域311b>
(1)第2の表示領域311bのクローズ状態
第2の表示領域311bには、マトリックス状のテーブルが表示されている。
テーブルの1行目には、1列目に「項目」、2列目に「設定値」、3列目に「モニタ値」が表示されている。なお、1列目は、項目の名称が表示される左側の列と、項目の後述するパラメータが表示される右側の列とからなる。縦方向(行方向)には部位A1〜部位A8に対応する項目の名称「Top−Dc」〜「TMP」と選択ボタンA1´〜A8´とが列挙して表示されている。選択ボタンA1´〜A8´をそれぞれ含む2行目〜9行目の各領域は、部位A1〜部位A8ごとの色に対応した色で表示されている。
例えば、第1の表示領域311aの部位A1の色が黄色のとき、第2の表示領域311bの選択ボタンA1´を含む2行目の領域の色も黄色になっている。部位A2の色が例えば青色のとき、選択ボタンA2´を含む3行目の領域の色も青色になっている。他の選択ボタンA3´〜選択ボタンA8´を含む4行目〜9行目についても同様である。すなわち、部位A4〜部位A8のそれぞれの色に対応して選択ボタンA4´〜選択ボタンA8´を含む4行目〜9行目の領域の色が表示されている。
この図4に示すクローズ状態では、項目の名称(例えば「Top−Dc」)が表示されているが、各項目の詳細な情報(後述するパラメータの設定値、モニタ値)が表示されていない。
(2)第2の表示領域311bのオープン状態
次に、図4に示したタッチパネル300の第2の表示領域311bの選択ボタンA1´〜選択ボタンA8´をタッチしたときの画面(オープン状態I、オープン状態II)について説明する。
(オープン状態I)
図5は、図4に示す画面において、第2の表示領域311bの選択ボタンA1´、A2´、A3´及びA4´をタッチした状態を示す画面である。選択ボタンA1´などがタッチされることにより、更に詳細な項目が展開(オープン)される。
(1)選択ボタンA1´
図5に示すように、選択ボタンA1´は、タッチされることにより、項目「Top−Dc」の隣(1列目中の右側の列)に第1の高周波電源40のパラメータである「電圧」、2列目にこの電圧のパラメータ値としての設定値、3列目にこの電圧のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。この電圧のモニタ値は、例えば図示しない電圧計により計測されている(以下、他の電流、温度などについても同様)。
選択ボタンA1´のタッチにより、選択ボタンA1´の下方に新たに行領域A11が展開され、1列目(中の右側の列)に第1の高周波電源40のパラメータである「電流」、2列目にこの電流のパラメータ値としての設定値、3列目にこの電流のパラメータ値としてのモニタ値が表示される。
(2)選択ボタンA2´
選択ボタンA2´は、タッチされることにより、項目「Temp」の隣(1列目中の右側の列)にチャンバー2の上部(例えばチャンバー2の蓋)の温度のパラメータである「Top」、2列目にこの上部の温度のパラメータ値としての設定値、3列目にこの上部の温度のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
選択ボタンA2´のタッチにより、選択ボタンA2´の下方に新たに行領域A21〜行領域A24が展開される。
行領域A21には、1列目(中の右側の列)に図示しないデポシールドの温度のパラメータである「Dopo」、2列目にこのデポシールドの温度のパラメータ値としての設定値、3列目にこのデポシールドの温度のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
行領域A22には、1列目(中の右側の列)にチャンバー2(チャンバー2の蓋と異なる部分)の温度のパラメータである「Chamber」、2列目にチャンバー2(チャンバー2の蓋と異なる部分)の温度のパラメータ値としての設定値、3列目にチャンバー2(チャンバー2の蓋と異なる部分)の温度のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
行領域A23には、1列目(中の右側の列)にチャンバー2の図示しないシャッタの温度のパラメータである「Shutter」、2列目にシャッタの温度のパラメータ値としての設定値、3列目にシャッタの温度のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
行領域A24には、1列目(中の右側の列)にチャンバー2の下部(例えばサセプタ支持台4)の温度のパラメータである「Bottom」、2列目にこの下部の温度のパラメータ値としての設定値、3列目にこの下部の温度のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。なお、例えばサセプタ支持台4の代わりにサセプタ5の温度をパラメータとしてもよい。
(3)選択ボタンA3´
選択ボタンA3´は、タッチされることにより、選択ボタンA3´の隣(1列目中の右側の列)に静電チャック11のパラメータである「電圧」、2列目に静電チャック11の電圧のパラメータ値としての設定値、3列目に静電チャック11の電圧のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
選択ボタンA3´のタッチにより、選択ボタンA3´の下方に新たに行領域A31が展開される。
行領域A31には、1列目(中の右側の列)に静電チャック11のパラメータである「電流」、2列目に静電チャック11の電流のパラメータ値としての設定値、3列目に静電チャック11の電流のパラメータ値としてのモニタ値が表示される。
(4)選択ボタンA4´
選択ボタンA4´は、タッチされることにより、選択ボタンA4´の隣(1列目中の右側の列)に第2の高周波電源50の高周波進行波の出力のパラメータである「H.F.Fwd」、2列目にこの出力のパラメータ値としての設定値、3列目にこの高周波進行波の出力のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
選択ボタンA4´は、タッチされることにより、選択ボタンA4´の下方に新たに行領域A41〜行領域A47が展開される。
行領域A41には、1列目(の右側の列)に第2の高周波電源50の高周波反射波の出力のパラメータである「H.F.Ref」、2列目にこの高周波反射波の出力のパラメータ値としての設定値、3列目にこの高周波反射波の出力のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
行領域A42には、1列目(の右側の列)に第2の高周波電源50の低周波進行波の出力のパラメータである「L.F.Fwd」、2列目にこの低周波進行波の出力のパラメータ値としての設定値、3列目にこの低周波進行波の出力のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
行領域A43には、1列目(の右側の列)に第2の高周波電源50の低周波反射波の出力のパラメータである「H.F.Ref」、2列目にこの低周波反射波の出力のパラメータ値としての設定値、3列目にこの低周波反射波の出力のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
行領域A44には、1列目(の右側の列)に第2の高周波電源50のピーク時電圧のパラメータである「VPP」、2列目にこのピーク時電圧のパラメータ値としての設定値、3列目にこのピーク時電圧のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
行領域A45には、1列目(の右側の列)に第2の高周波電源50のボルト電流のパラメータである「Vdc」、2列目にこのボルト電流のパラメータ値としての設定値、3列目にこのボルト電流のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
行領域A46には、1列目(の右側の列)に第2の高周波電源50の例えば高周波進行波の位相のパラメータである「Phase」、2列目にこの高周波進行波の位相のパラメータ値としての設定値、3列目にこの高周波進行波の位相のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
行領域A47には、1列目(の右側の列)に第2の高周波電源50の例えば高周波進行波の振幅のパラメータである「Mag」、2列目にこの高周波進行波の振幅のパラメータ値としての設定値、3列目にこの高周波進行波の振幅のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
図5に示すオープン状態のときに、選択ボタンA1´、オープン状態の選択ボタンA2´、オープン状態の選択ボタンA3´及びオープン状態の選択ボタンA4´を押すことにより、行領域A11、行領域A21〜行領域A24、行領域A31及び行領域A41〜行領域A47が閉じられ消え、図4に示すクローズ状態となる。
(オープン状態II)
図6は、図4に示す画面において、第2の表示領域311bの選択ボタンA5´、選択ボタンA6´をタッチした状態を示す画面である。選択ボタンA5´などがタッチされることにより、更に詳細な項目が展開される。
(1)選択ボタンA5´
図6に示すように、選択ボタンA5´は、タッチされることにより、項目「B.P.He」の隣(1列目中の右側の列)にガス通路14のパラメータである「Center圧力」、2列目にこのCenter圧力のパラメータ値としての設定値、3列目にこのCenter圧力のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
選択ボタンA5´のタッチにより、選択ボタンA5´の下方に新たに行領域A51〜行領域53が展開される。
行領域51には、1列目(中の右側の列)にガス通路14のパラメータである「Center流量」、2列目にこのCenter流量のパラメータ値としての設定値、3列目にこのCenter流量のパラメータ値としてのモニタ値が表示される。
行領域52には、1列目(中の右側の列)にガス通路14のパラメータである「Edge圧力」、2列目にこのEdge圧力のパラメータ値としての設定値、3列目にこのEdge圧力のパラメータ値としてのモニタ値が表示される。
行領域53には、1列目(中の右側の列)にガス通路14のパラメータである「Edge流量」、2列目にこのEdge流量のパラメータ値としての設定値、3列目にこのEdge流量のパラメータ値としてのモニタ値が表示される。
(2)選択ボタンA6´
図6に示すように、選択ボタンA6´は、タッチされることにより、項目「APC」の隣(1列目中の右側の列)に排気装置35の図示しないAPCバルブのパラメータである「角度」、2列目にこの角度のパラメータ値としての設定値、3列目にこの角度のパラメータ値としてのモニタ値がそれぞれ表示される。
選択ボタンA6´のタッチにより、選択ボタンA6´の下方に新たに行領域A61が展開され、1列目(中の右側の列)に図示しないAPCバルブのパラメータである「温度」、2列目にこの温度のパラメータ値としての設定値、3列目にこの温度のパラメータ値としてのモニタ値が表示される。
図6に示すオープン状態のときに、選択ボタンA5´、選択ボタンA6´を押すことにより、行領域A51〜行領域A53、行領域A61が閉じられ消え、図4に示すクローズ状態となる。
次に、処理室140Eのメンテナンス時における表示制御部221などの動作を図面を参照しながら説明する。
図7は、処理室140Eのメンテナンス時における表示制御部221などの動作を説明するためのフローチャートである。
まず、ウエハWのプラズマ処理時に、パラメータ値としてのモニタ値を計測する(S1)。例えば、第1の高周波電源40の電圧及び電流を図示しない電圧計及び電流計などを用いて計測したり、第2の高周波電源50の高周波進行波の出力を電流計及び電圧計などを用いて計測したりする。
次いで、第1の表示領域311aにおいて部位A1〜部位A8をそれぞれ異なる色で表示し、第2の表示領域311bに、部位A1〜部位A8ごとに第1の表示領域311aにおける部位A1〜部位A8ごとの色に対応した色で選択ボタンA1´〜部位A8´(の行)を列挙して表示する(図4参照)(S2)。
これにより、第1の表示領域311aの部位A1と、第2の表示領域311bの選択ボタンA1´(の行領域)とが同じ色で表示され、第1の表示領域311aの部位A2と、第2の表示領域311bの選択ボタンA2´(の行領域)とが同じ色で表示される(他の部位A3〜A8、選択ボタンA3´〜選択ボタンA8´についても同様)。
次に、第2の表示領域311bの選択ボタンA1´(〜選択ボタンA8´)がタッチされたか否かを判断する(S3)。
例えば選択ボタンA1´がタッチされたときには、選択ボタンA1´が既にオープン状態であるか否かを判断する(S4)。
ステップ4において、選択ボタンA1´が既にオープン状態であるときには(例えば図5に示す状態)、選択ボタンA1´を図4に示すように閉じ図5の行領域A11を消しクローズ状態にする(S6)。
ステップ4において、選択ボタンA1´がクローズ状態であるときには(例えば図4に示す状態)、選択ボタンA1´を図5に示すように展開し行領域A11を表示しオープン状態にする(S5)。これにより、例えば第1の高周波電源40(Top−Dc)の電圧の設定値、電圧のモニタ値、電流の設定値、及び電流のモニタ値が表示される。
次いで、例えばユーザなどにより電圧、電流の設定値が入力されたか否かを判断する(S7)。この設定値が入力されたか否かの判断は、例えば、設定値のボタンがタッチされたと判断したときに、設定値の入力のために図示しない設定値設定画面を表示し、この設定値設定画面で設定値が入力されたか否かを判断する、ことにより判断する。設定値のボタンは、例えば、第2の表示領域311bのテーブルのn行2列目の領域のボタンである(nは、テーブルの縦の行数である)。この設定値設定画面は、例えばダイアログ・ボックスやポップアップメニューである。
この設定値設定画面において、ユーザなどにより電圧、電流の設定値が入力されたと判断したときには、設定値を記憶する(S8)。入力されないときには入力されるまでステップ7に待機する。
そして、図4などに示す「閉じる」ボタンが押されたか否かを判断する(S9)。
「閉じる」ボタンが押されないときには、ステップ3に戻り、選択ボタンA1´〜選択ボタンA8´が押されるか否かを判断し、「閉じる」ボタンがおされたときには終了する。
以上説明したように本実施形態によれば、表示パネル301の第1の表示領域311aに例えば処理室140E内の模式的な構造を表示すると共に複数の部位A1〜部位A8を部位ごとに異なる色で表示する。そして、表示パネル301の第2の表示領域311bには、例えば第1の高周波電源40の電圧計、電流計などにより計測された複数のモニタ値を複数の部位A1〜部位A8ごとに部位A1〜部位A8ごとの色に対応した色で列挙して表示している。
このため、例えば、ユーザが処理室140Eのメンテナンスを行うときに、第1の表示領域311aに模式的に表示された図を参照して、処理室140Eの特定の部位を特定の色によって視覚的に捕らえると共に、この特定の部位に対応する第2の表示領域311bにおける選択ボタンやパラメータを特定の色により容易に特定することができる。従って、システムが大型化し、図5の第2の表示領域311bに示すように管理項目が増大してもメンテナンスがし易いメンテナンス画面を表示パネル301に表示することが可能となる。
また、制御部200(表示制御部221)は、第2の表示領域311bに複数の部位A1〜部位A8ごとに部位A1〜部位A8の項目の名称「Top−Dc」〜「TMP」及び選択ボタンA1´〜選択ボタンA8´を表示し、選択ボタンA1´〜選択ボタンA8´の選択に応じて、部位A1〜部位A8に対応する複数のモニタ値を列挙して表示したり(図5参照)、列挙して表示された複数のモニタ値を消して項目の名称「Top−Dc」〜「TMP」及び選択ボタンA1´〜選択ボタンA8´を表示したりする(図4)。
つまり、例えば、図4のクローズ状態のときには、図5のオープン状態のときに比べて、第1の表示領域311aの部位A1〜部位A8に対応する第2の表示領域311bの選択ボタンA1´〜選択ボタンA8´が見つけ易くなる。この結果、例えばメンテナンスをしようとする部位A1に対応する選択ボタンA1´を容易に選択でき、この部位A1に対応する複数のモニタ値を選択的に見てメンテナンスを行うことができる。また、例えば部位A1のメンテナンスが終了したときに、メンテナンスが終了した行領域A11を消すことで、他の部位の選択ボタンを見やすくして、次のメンテナンスを容易に行うことができる。
更に、例えば、表示制御部221は、第2の表示領域311bの設定値のボタンがタッチされたと判断したときに、図示しない設定値設定画面を表示するようになっている。設定値設定画面は、例えばダイアログ・ボックスやポップアップメニューである。これにより、テーブルの設定値とモニタ値とを見ながら容易に設定値を設定することができる。
また、表示制御部221は、図5に示すように、第2の表示領域311bに例えば計測された第1の高周波電源40(Top−Dc)のモニタ値である電圧値及び電流値と、設定された第1の高周波電源40(Top−Dc)の設定値である電圧値及び電流値とを、計測された「電圧」、「電流」に対応して表示する。これにより、第2の表示領域311bにおいてあのモニタ値と、このモニタ値に対応する設定値とを容易に比較することができる。この結果、例えば計測されたモニタ値を見ながら設定値設定画面で容易に設定値を設定することができる。
なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
例えば、上記の基板処理装置では、処理室が複数であることを前提にして説明したが、処理室が1つの基板処理装置に本発明を適用でき、また複数の処理室が搭載可能であっても1つの処理室のみを搭載した基板処理装置にも当然本発明を適用することができる。
上記の実施形態では、図4に示すように、第1の表示領域311aにおいて処理室140Eを部位A1〜部位A8に分割して表示し、これに対応するように、第2の表示領域311bにおいて選択ボタンA1´〜選択ボタンA8´を表示する例を示した。しかし、部位、部位のパラメータの数、種類、色などは限定されず例えば基板処理装置の構造に応じて適宜変更可能である。
本発明の一実施形態に係る基板処理装置の平面図である。 図1に示した基板処理装置の制御部の構成を示すブロック図である。 図1の基板処理装置の処理室の概略構成を示す断面図である。 図1に示した基板処理装置のタッチパネルの画面を示す図である。 図4の画面の第2の表示領域をタッチしたオープン状態1の図である。 図4の画面の第2の表示領域をタッチしたオープン状態2の図である。 メンテナンス時の表示制御部の動作を説明するためのフローチャートである。
符号の説明
2 チャンバー
40 第1の高周波電源
50 第2の高周波電源
100 基板処理装置
110 処理ユニット
120 搬送ユニット
130 搬送室
140、140A〜140F 処理室
200 制御部
210 プロセルコントロール部
220 入出力制御部
221 表示制御部
222 入力制御部
300 タッチパネル
301 表示パネル
311 第1の領域
311a 第1の表示領域
311b 第2の表示領域
312 第2の領域
313 第3の領域
W ウエハ
A1〜A8 部位
A1´〜A8´ 選択ボタン

Claims (8)

  1. 基板を処理するための少なくとも1つの処理室を有する基板処理装置であって、
    前記処理室で基板を処理するための複数の部位におけるそれぞれの複数のパラメータを計測する計測手段と、
    表示パネルと、
    前記表示パネルの第1の表示領域に前記処理室内の模式的な構造を表示すると共に前記複数の部位を部位ごとに異なる色で表示し、第2の表示領域に前記計測手段により計測された複数のパラメータ値を前記複数の部位ごとに前記第1の表示領域における前記複数の部位ごとの色に対応した色で列挙して表示可能な表示制御部と
    を具備することを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項1に記載の基板処理装置であって、
    前記表示制御部は、前記第2の表示領域に前記複数の部位ごとに当該部位の名称及び選択ボタンを表示し、前記選択ボタンの選択に応じて
    a)当該部位に対応する複数のパラメータ値を列挙して表示し、
    b)列挙して表示された複数のパラメータ値を消して当該部位の名称及び選択ボタンを表示する
    ことを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置であって、
    前記複数の部位におけるそれぞれの複数のパラメータを設定する設定手段を具備し、
    前記表示制御部は、前記第2の表示領域に前記計測手段により計測された複数のパラメータ値と共に前記設定手段により設定された複数のパラメータ値を前記計測された各パラメータに対応して表示可能であることを特徴とする基板処理装置。
  4. 基板を処理するための少なくとも1つの処理室を有する基板処理装置のメンテナンス時における表示パネルの表示方法であって、
    前記処理室で基板を処理するための複数の部位におけるそれぞれの複数のパラメータを計測し、
    前記表示パネルの第1の表示領域に前記処理室内の模式的な構造を表示すると共に前記複数の部位を部位ごとに異なる色で表示し、
    前記表示パネルの第2の表示領域に前記計測された複数のパラメータ値を前記複数の部位ごとに前記第1の表示領域における前記複数の部位ごとの色に対応した色で列挙して表示可能とする
    ことを特徴とする表示方法。
  5. 請求項4に記載の表示方法であって、
    前記第2の表示領域に前記複数の部位ごとに当該部位の名称及び選択ボタンを表示し、
    前記選択ボタンの選択に応じて
    a)当該部位に対応する複数のパラメータ値を列挙して表示し、
    b)列挙して表示された複数のパラメータ値を消して当該部位の名称及び選択ボタンを表示する
    ことを特徴とする表示方法。
  6. 請求項4又は請求項5に記載の表示方法であって、
    前記複数の部位におけるそれぞれの複数のパラメータを設定する工程を更に有し、
    前記第2の表示領域に前記計測された複数のパラメータ値と共に前記設定された複数のパラメータ値を前記計測された各パラメータに対応して表示可能であることを特徴とする表示方法。
  7. 基板を処理するための少なくとも1つの処理室と、前記処理室で基板を処理するための複数の部位におけるそれぞれの複数のパラメータを計測する手段とを有する基板処理装置のメンテナンス時における表示パネルの表示をコンピュータに実行させるプログラムであって、
    前記表示パネルの第1の表示領域に前記処理室内の模式的な構造を表示させる共に前記複数の部位を部位ごとに異なる色で表示させ、
    前記表示パネルの第2の表示領域に前記計測された複数のパラメータ値を前記複数の部位ごとに前記第1の表示領域における前記複数の部位ごとの色に対応した色で列挙して表示可能とさせる
    ことを特徴とするプログラム。
  8. 基板を処理するための少なくとも1つの処理室と、前記処理室で基板を処理するための複数の部位におけるそれぞれの複数のパラメータを計測する手段とを有する基板処理装置のメンテナンス時における表示パネルの表示をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体であって、
    前記プログラムが、
    前記表示パネルの第1の表示領域に前記処理室内の模式的な構造を表示させる共に前記複数の部位を部位ごとに異なる色で表示させ、
    前記表示パネルの第2の表示領域に前記計測された複数のパラメータ値を前記複数の部位ごとに前記第1の表示領域における前記複数の部位ごとの色に対応した色で列挙して表示可能とさせる
    ことを特徴とする記録媒体。
JP2007160310A 2007-06-18 2007-06-18 基板処理装置、表示方法、プログラム及び記録媒体 Pending JP2008311580A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007160310A JP2008311580A (ja) 2007-06-18 2007-06-18 基板処理装置、表示方法、プログラム及び記録媒体

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007160310A JP2008311580A (ja) 2007-06-18 2007-06-18 基板処理装置、表示方法、プログラム及び記録媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008311580A true JP2008311580A (ja) 2008-12-25

Family

ID=40238902

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007160310A Pending JP2008311580A (ja) 2007-06-18 2007-06-18 基板処理装置、表示方法、プログラム及び記録媒体

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008311580A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10649963B1 (en) * 2014-04-11 2020-05-12 Twitter, Inc. Multi-tenancy management within a distributed database
JPWO2021181852A1 (ja) * 2020-03-11 2021-09-16

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10649963B1 (en) * 2014-04-11 2020-05-12 Twitter, Inc. Multi-tenancy management within a distributed database
JPWO2021181852A1 (ja) * 2020-03-11 2021-09-16
WO2021181852A1 (ja) * 2020-03-11 2021-09-16 株式会社日立国際電気 端末装置及びrf電源装置
JP7281598B2 (ja) 2020-03-11 2023-05-25 株式会社日立国際電気 端末装置及びrf電源装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI659490B (zh) Substrate mounting device and substrate processing device
JP2006277298A (ja) 基板処理装置、履歴情報記録方法、履歴情報記録プログラム及び履歴情報記録システム
JP7339062B2 (ja) 載置台及び基板処理装置
JP2008135517A (ja) 基板処理装置の制御装置、制御方法および制御プログラムを記憶した記憶媒体
US20180286642A1 (en) Electrostatic chuck with flexible wafer temperature control
KR20190022358A (ko) 냉매용의 유로를 가지는 부재, 냉매용의 유로를 가지는 부재의 제어 방법 및 기판 처리 장치
KR102061373B1 (ko) 기판 처리 장치 및 그 메인터넌스 방법
US9925571B2 (en) Method of cleaning substrate processing apparatus
US9305814B2 (en) Method of inspecting substrate processing apparatus and storage medium storing inspection program for executing the method
KR20120049823A (ko) 플라즈마 처리 장치
JP4953427B2 (ja) 基板処理装置、表示方法、記録媒体及びプログラム
JP2008311580A (ja) 基板処理装置、表示方法、プログラム及び記録媒体
JP7076351B2 (ja) プラズマ処理装置、及びリング部材の厚さ測定方法
JP2011211067A (ja) 基板処理装置及びそれに用いられる基板離脱装置
TWI751224B (zh) 電漿處理裝置及噴頭
JP5571122B2 (ja) 基板処理装置および基板処理装置の制御方法
JPH01283934A (ja) エッチング装置およびその制御方法
KR20170055141A (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
US7655572B2 (en) Semiconductor device manufacturing method, semiconductor device manufacturing apparatus, control program and computer storage medium
CN113053717A (zh) 载置台、基板处理装置以及导热气体供给方法
JP2006179528A (ja) 基板処理装置の検査方法及び検査プログラム
JP5047644B2 (ja) プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP7515423B2 (ja) プラズマ処理装置の異常検知方法及びプラズマ処理装置
US20230029265A1 (en) Reactive cleaning of substrate support
JP2022112927A (ja) プラズマ処理装置の異常検知方法及びプラズマ処理装置