JP2008309567A - 磁気センサ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】GMR素子とCVD酸化膜11oとの間には,GMRバー12a−2の表面を覆うように、基板11の全面に亘って非酸化性雰囲気で成膜したPVD絶縁膜11rが形成されていることを特徴とする。
【選択図】図3
Description
そして、特許文献1の磁気センサにおいては、同一の基板の表面に平坦面及び平坦面に対して傾斜する斜面が形成されると共に、これら平坦面上及び斜面上に前述の磁気抵抗効果素子がそれぞれ形成されており、これによって、二軸方向や三軸方向の磁界の強さを測定する磁気センサを構成することができる。
ところで、近年では、ピン層における耐強磁界性の向上を目的として、ピン層の磁性層にRu層を挟み込んだSAF(Synthetic antiferromagnetic)構造のGMR素子を磁気センサに用いることが知られている。
GMR素子のうち、GMRバーを構成するフリー層の形成材料が酸化してしまうと、フリー層の軟磁気特性が劣化してしまうため、磁化の向きの相対関係に応じた抵抗値を正確に出力できなくなってしまう。その結果、磁気ヒステリシスループが大きくなってしまい、磁気センサの特性(いわゆる、ヒステリシス特性)を悪化させてしまうという問題がある。
本発明の磁気センサの製造方法は、基板の上に、シリコン酸化膜により該基板の厚さ方向に直交する平坦面と該平坦面に対して傾斜する斜面とを形成する配置面形成工程と、前記平坦面上及び前記斜面上の少なくともいずれか一方にフリー層、導電層及びピン層を順次積層して磁気抵抗効果素子を形成する素子形成工程と、前記磁気抵抗効果素子の上にCVD法によりCVD酸化膜を形成するCVD膜形成工程とを有する磁気センサの製造方法において、前記素子形成工程と前記CVD膜形成工程との間に、前記磁気抵抗効果素子の上に非酸化性雰囲気下で行われるPVD法(Physical Vapor Deposition)によりPVD絶縁膜を形成するPVD膜形成工程を有することを特徴とする。
一方、本発明の磁気センサは、基板の上に、該基板の厚さ方向に直交する平坦面と該平坦面に対して傾斜する斜面とを形成してなるシリコン酸化膜が設けられるとともに、前記平坦面上及び前記斜面上の少なくともいずれか一方に、フリー層、導電層及びピン層を積層してなる磁気抵抗効果素子が設けられ、前記磁気抵抗効果素子の上にCVD酸化膜が形成される磁気センサにおいて、前記磁気抵抗効果素子と前記CVD酸化膜との間には非酸化性雰囲気で成膜したPVD絶縁膜が形成されていることを特徴とする。
また、非酸化性雰囲気で成膜されたPVD絶縁膜は、CVD酸化膜に比べ酸素原子欠損が多いため、CVD酸化膜に比べて膜の密度が粗く柔軟な層となる。つまり、CVD酸化膜と磁気抵抗効果素子との間にPVD絶縁膜を形成することで、CVD酸化膜から磁気抵抗効果素子に作用する応力を緩和することもできる。さらに、PVD絶縁膜の上に酸素元素欠損の少ないCVD酸化膜を形成することで、磁気抵抗効果素子を確実に保護して、磁気抵抗効果素子の耐水性、耐熱性、電気絶縁性等を確保することができる。
このように、スパッタリング法により不活性ガス雰囲気下でPVD絶縁膜を形成することで、磁気抵抗効果素子上に酸素が吸着することを防ぐことができる。
この磁気センサでは、平坦面及び斜面に配された磁気抵抗効果素子が相互に交差する軸方向の磁気を検出することができるため、二軸方向あるいは三軸方向の磁気を検出することが可能となる。
そして、上述したように、各磁気抵抗効果のフリー層の軟磁気特性の劣化を低減ことができるため、二軸方向あるいは三軸方向の磁気を精度よく検出することが可能となる。
また、非酸化性雰囲気で成膜されたPVD絶縁膜は、CVD酸化膜に比べ酸素原子欠損が多いため、CVD酸化膜に比べて膜の密度が粗く柔軟な層となる。つまり、CVD酸化膜と磁気抵抗効果素子との間にPVD絶縁膜を形成することで、CVD酸化膜から磁気抵抗効果素子に作用する応力を緩和することもできる。さらに、PVD絶縁膜の上に酸素元素欠損の少ないCVD酸化膜を形成することで、磁気抵抗効果素子を確実に保護して、磁気抵抗効果素子の耐水性、耐熱性、電気絶縁性等を確保することができる。
これにより、ヒステリシス特性に優れた磁気抵抗効果素子を製造することができる。
図1に示すように、本実施形態の三軸磁気センサ10は、平面視で互いに直交するX軸、及びY軸に沿った辺を有する正方形状であって、X軸及びY軸に直交するZ軸方向に小さな厚みを有する石英やシリコンからなる基板11を備えている。そして、この基板11の上に、それぞれ4個ずつのX軸GMR素子12a〜12d、Y1軸GMR素子12e〜12h(図1(a)の後述するGMRバーを示す実線の部分)、Y2軸GMR素子12i〜12l(図1(a)の後述するGMRバーを示す破線の部分)からなる合計で12個のGMR素子と、パッド部(配線から外部に出力を取り出す部分:図示せず)及びビア部(GMR素子から配線に接続する部分を指すが、このビア部は最終的には露出されない:図示せず)ならびに配線(図示せず)が作り込まれている。なお、基板11内には、LSIや配線層が作り込まれており、LSIが作り込まれた基板を用いたものにおいてはデジタル出力の磁気センサとなされており、配線層のみが作り込まれた基板を用いたものにおいてはアナログ出力の磁気センサとなされている。
PVD絶縁膜11rの上には、CVD酸化膜11oが形成されている。このCVD酸化膜11oは、SiOx(例えば、SiO2)膜等からなり、そのほとんどが化学両論的なSiO2として構成された酸素原子欠損の少ない酸化膜であり、例えば厚みが1500Åで形成されている。すなわち、PVD絶縁膜11rは、酸素原子欠損が多くCVD酸化膜11oに比べ膜の密度が粗く柔軟な酸化膜として形成され、一方、CVD酸化膜11oは酸素原子欠損がほとんどなくPVD絶縁膜11rと比べ膜の密度が緻密で硬質な酸化膜として形成されている。
なお、ここでは第1X軸GMR素子12aのGMRバー12a−2を例にして説明したが、他のGMRバー12a−1,12a−3,12a−4及び、他のX軸GMR素子12b〜12dのそれぞれのGMRバーの構成についてもこれと等しいので、その説明は省略する。
そして、Y1軸GMR素子の各GMRバー(例えば、12e−2)とY2軸GMR素子の各GMRバー(例えば、12k−2)とが1つの突部15で互に背中合わせになるように配置されている。この場合、Y1軸GMR素子12e〜12hの各GMRバーおよびY2軸GMR素子12i〜12lの各GMRバーは、その長手方向がX軸に対して平行(Y軸と垂直)になるように配列されている。
そして、スピンバルブ膜SVは、図6(a)に示すように、基板11の上に順次積層されたフリー層(自由層、自由磁化層)F、膜厚が2.8nm(28Å)のCuからなる導電性のスペーサ層(導電層)S、ピン層(固着層、固定磁化層)P、及び、膜厚が2.5nm(25Å)のタンタル(Ta)又はチタン(Ti)からなるキャッピング層Cによって構成されている。
ここで、CoZrNbアモルファス磁性層12a−21、NiFe磁性層12a−22及びCoFe層12a−23は軟質強磁性体薄膜層を構成している。また、CoFe層12a−23はNiFe層12a−22のNi、及び、スペーサ層SをなすCu層12a−24の拡散を防止するために設けられている。
なお、上述したフリー層F及びピン層Pを構成する各層や、スペーサ層S、キャッピング層Cの膜厚は、X軸GMR素子12a〜12dの場合のものであり、斜面15a,15bに形成されるY1軸GMR素子12e〜12h及びY2軸GMR素子12i〜12lの場合には、これらを構成する各層がX軸GMR素子12a〜12dの場合の70〜80%程度の膜厚となる。
したがって、図4(a)の矢印a1,b1方向に磁界が印加された場合には、第1X軸GMR素子12aおよび第2X軸GMR素子12bの抵抗値が磁界の大きさに比例して減少し、図4(a)の矢印a1,b1方向と反対方向に磁界が印加された場合に、第1X軸GMR素子12aおよび第2X軸GMR素子12bの抵抗値が磁界の大きさに比例して増大することとなる。
したがって、図4(a)の矢印c1,d1方向に磁界が印加された場合には、第3X軸GMR素子12cおよび第4X軸GMR素子12dの抵抗値は磁界の大きさに比例して減少し、図4(a)の矢印c1,d1と反対方向に磁界が印加された場合には、第3X軸GMR素子12cおよび第4X軸GMR素子12dの抵抗値が磁界の大きさに比例して増大することとなる。
したがって、図4(a),(b)の矢印e1,f1方向に成分を持つ磁界が印加された場合には、第1Y1軸GMR素子12eおよび第2Y1軸GMR素子12fの抵抗値が磁界の大きさに比例して減少し、図4(a),(b)の矢印e1,f1と反対方向に成分を持つ磁界が印加された場合には、第1Y1軸GMR素子12eおよび第2Y1軸GMR素子12fの抵抗値が磁界の大きさに比例して増大することとなる。
したがって、図4(a),(c)の矢印g1,h1方向に成分を持つ磁界が印加された場合には、第3Y1軸GMR素子12gおよび第4Y1軸GMR素子12hの抵抗値は磁界の大きさに比例して減少し、図4(a),(c)の矢印g1,h1と反対方向に成分を持つ磁界が印加された場合に、第3Y1軸GMR素子12gおよび第4Y1軸GMR素子12hの抵抗値は磁界の大きさに比例して増大することとなる。
したがって、図4(a)の矢印i1(j1)方向に成分を持つ磁界が印加された場合には、第1Y2軸GMR素子12iおよび第2Y2軸GMR素子12jの抵抗値が磁界の大きさに比例して減少し、図4(a)の矢印i1(j1)と反対方向に成分を持つ磁界が印加された場合には、第1Y2軸GMR素子12iおよび第2Y2軸GMR素子12jの抵抗値が磁界の大きさに比例して増大することとなる。
したがって、図4(a)の矢印k1(l1)方向に成分を持つ磁界が印加された場合に、第3Y2軸GMR素子12kおよび第4Y2軸GMR素子12lの抵抗値は磁界の大きさに比例して減少し、図4(a)の矢印k1(l1)と反対方向に成分を持つ磁界が印加された場合に、第3Y2軸GMR素子12kおよび第4Y2軸GMR素子12lの抵抗値は磁界の大きさに比例して増大することとなる。
Hx=2kx×Vxout・・・(1)
Hy=ky(Vy1out−Vy2out)/cosθ・・・(2)
Hz=kz(Vy1out+Vy2out)/sinθ・・・(3)
ただし、θは突部(堤部)15の各斜面15a,15bの傾斜角度であって、この場合のθは20°≦θ≦60°の関係を有する。また、kx,ky,kzは比例定数であって、各センサの感度が等しければ、kx=ky=kzとなる。
そして、このドライエッチングの終了後に残存するレジスト膜11jを除去することで、図14に示すように、GMR部に上層酸化膜11iからなる突部(堤部)15が形成されることになる。
この場合、突部(堤部)15の斜面15a,15bでのエッチングを適切に行い、突部(堤部)15の断面形状を整えるために熱処理を行ってレジストをテーパ化してもよい。なお、このエッチング終了後には上層酸化膜11i上に残存するレジストを除去する。
この素子形成工程においては、図6に示したように、基板11の上にフリー層(自由層、自由磁化層)F、膜厚が2.8nm(28Å)のCuからなる導電性のスペーサ層S、ピン層(固着層、固定磁化層)P、及び、膜厚が2.5nm(25Å)のタンタル(Ta)又はチタン(Ti)からなるキャッピング層Cを順次積層することで、前記GMR多層膜11nが形成されることになる。
さらに、この工程におけるピン層Pは、膜厚が3.2nm(32Å)の第1CoFe磁性層12a−25、膜厚が0.5nm(5Å)のRu層12a−26、膜厚が2.2nm(22Å)の第2CoFe磁性層12a−27、及び、Ptを45〜55mol%含むPtMn合金からなる膜厚が24nm(240Å)の反強磁性膜12a−28を順次積層することで形成される。
そして、GMR多層膜11nの表面上に、任意の厚さ、例えば平坦部で2μmの厚みとなるようにレジストを塗布し、このレジストの表面にマスクを配置して、焼き付け、現像処理を行って不必要なレジストを取り除き、後に得られるGMR多層膜11nと同じパターンを有するレジスト膜を形成する。その際、突部(堤部)15でのエッチングを適切に行い、突部(堤部)15の断面形状を整えるためにレジストをテーパ化する。この後、レジスト膜で保護されていない部分のGMR多層膜11nを、イオンミリングにより除去し、GMR多層膜11nを所定の形状(例えば、複数の狭幅の帯状体の形状)に形成する。また、イオンミリングによりGMR多層膜11nは各々分離され、この時露出される面が各GMR多層膜11nの周面(例えば、側面22a,22b,23a,23b)として形成されることとなる。なお、このイオンミリングでは、ビア部においてGMR多層膜11n及びリード膜11mの双方が残るようにしており、これによってビア部の縁におけるリード膜11mの断線を予防することができる。
ここで、スパッタリング法によりSiOX等からなる酸化膜を形成する際、通常、反応性スパッタリング法を用いている。つまり、ターゲットから削られ酸素原子欠損が生じている生成物と酸素原子とを結びつかせて化学両論的な酸化膜を得ることを目的として、チャンバー内に不活性ガスとともに酸素を充填して行うが、本実施形態においては、チャンバー内には酸素を充填せずに不活性ガスのみを充填している。
そして、図19に示すように、窒化膜11sの上にポリイミド膜11pを成膜する。このように、GMR多層膜11n上にPVD絶縁膜11r、CVD酸化膜11o、窒化膜11s、ポリイミド膜11pを成膜することにより、GMR多層膜11nの保護膜が形成されることになる。
すなわち、はじめに、隣接する永久棒磁石片の下端の極性が互いに異なるように格子状に配列された永久棒磁石アレー(マグネットアレー)16を用意する。この後、基板11の中心部上で永久棒磁石片16a(下端部がN極となる)が配列されるように、かつ、基板11の外側で永久棒磁石片16aの上下左右の領域上に永久棒磁石片16b,16c,16d,16e(下端部がS極となる)が配列されるように永久棒磁石アレー16を配置する。
なお、第1CoFe磁性層12a−25の磁化の向きは、規則化熱処理において付与する磁界Hと同じ向きに固定されるとしても構わない。
また、第3Y2軸GMR素子12kおよび第4Y2軸GMR素子12lにおいては、突部(堤部)15の第2斜面15bに沿うY軸正方向、すなわち、図4(b)の矢印k1,l1方向にピン層Pの磁化の向きが固定されることとなる。
図22,23のグラフは、各GMR素子のヒステリシス特性を示しており、その横軸は各GMR素子のヒステリシス値[μT]を示している。また、グラフの縦軸は各GMR素子の全体の試験数を100とした時の度数[%]を示す。ここで、ヒステリシス値とは、外部の磁場の強さを変化させた時の出力を示すヒステリシス曲線において、出力が0となる時の正の磁場と負の磁場の強さの差とする。
従来では、GMR素子上に、直接、CVD酸化膜を形成していたため、CVD酸化膜の成膜時に、チャンバー内でプラズマにより活性化された酸素がGMR素子に吸着して、GMR素子が酸化してしまう結果、ヒステリシス値が高く、バラツキも生じてしまっていたものと考えられる。
本実施形態では、CVD酸化膜との間に、チャンバー内に酸素を充填しない不活性ガス雰囲気下でPVD絶縁膜を形成しているため、CVD酸化膜の成膜時に、PVD絶縁膜によってチャンバー内で活性化された酸素がGMR素子に吸着することを防ぐことができるのではないかと考えられる。
そして、プラズマCVD法によりPVD絶縁膜11r上にCVD酸化膜11oを形成することで、プラズマにより反応ガスが活性化された雰囲気下でCVD酸化膜11oを形成しても、PVD絶縁膜11rによってGMR素子を保護することができる。したがって、活性化された酸素がGMR素子に吸着して、GMR素子のうち、GMRバーを構成するフリー層Fが酸化することによるフリー層Fの軟磁気特性の劣化を防ぐことができる。これにより、GMR素子のヒステリシスループ小さくすることができるため、ヒステリシス特性に優れたGMR素子を製造することができる。
Claims (4)
- 基板の上に、シリコン酸化膜により該基板の厚さ方向に直交する平坦面と該平坦面に対して傾斜する斜面とを形成する配置面形成工程と、
前記平坦面上及び前記斜面上の少なくともいずれか一方にフリー層、導電層及びピン層を順次積層して磁気抵抗効果素子を形成する素子形成工程と、
前記磁気抵抗効果素子の上にCVD法によりCVD酸化膜を形成するCVD膜形成工程とを有する磁気センサの製造方法において、
前記素子形成工程と前記CVD膜形成工程との間に、前記磁気抵抗効果素子の上に非酸化性雰囲気下で行われるPVD法によりPVD絶縁膜を形成するPVD膜形成工程を有することを特徴とする磁気センサの製造方法。 - 前記PVD法は、不活性ガス雰囲気下で行われるスパッタリング法であることを特徴とする請求項1記載の磁気センサの製造方法。
- 基板の上に、該基板の厚さ方向に直交する平坦面と該平坦面に対して傾斜する斜面とを形成してなるシリコン酸化膜が設けられるとともに、
前記平坦面上及び前記斜面上の少なくともいずれか一方に、フリー層、導電層及びピン層を積層してなる磁気抵抗効果素子が設けられ、
前記磁気抵抗効果素子の上にCVD酸化膜が形成される磁気センサにおいて、
前記磁気抵抗効果素子と前記CVD酸化膜との間には非酸化性雰囲気で成膜したPVD絶縁膜が形成されていることを特徴とする磁気センサ。 - 前記磁気抵抗効果素子が、前記平坦面上及び前記斜面上の両方にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項3に記載の磁気センサ。
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