JP2008304945A - ディスプレイパネル、その駆動方法及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電圧降下を抑えること。
【解決手段】ＥＬディスプレイパネル１は、絶縁基板２と、絶縁基板２上にマトリクス状に配列された駆動トランジスタ２３と、駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇとともにパターニングされ、互いに平行となるよう配列された信号線Ｙ₁〜Ｙ_nと、信号線Ｙ₁〜Ｙ_n及び駆動トランジスタ２３を被覆した保護絶縁膜３２と、駆動トランジスタ２３それぞれのドレイン２３ｄに導通した画素電極２０ａと、画素電極２０ａそれぞれに成膜された有機ＥＬ層２０ｂと、有機ＥＬ層２０ｂを被覆した対向電極２０ｃと、隣り合う画素電極２０ａの間で信号線Ｙ₁〜Ｙ_nと平行となるよう保護絶縁膜３２上に形成され、保護絶縁膜３２に形成されたコンタクトホール５３を介して駆動トランジスタ２３のソース２３ｓに導通した給電配線９０と、を備える。
【選択図】 図５

Description

本発明は、電流が流れることにより自発光する発光素子を用いたディスプレイパネル、その駆動方法及びその製造方法に関する。

発光素子を用いたディスプレイパネルとして有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルがある。有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルは大きく分けてパッシブ駆動方式のものと、アクティブマトリクス駆動方式のものに分類することができるが、アクティブマトリクス駆動方式の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルが高コントラスト、高精細といった点でパッシブ駆動方式よりも優れている。例えば特許文献１に記載された従来のアクティブマトリクス駆動方式の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルにおいては、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という。）と、画像データに応じた電圧信号がゲートに印加されて有機ＥＬ素子に電流を流す駆動トランジスタと、この駆動トランジスタのゲートに画像データに応じた電圧信号を供給するためのスイッチングを行うスイッチ用トランジスタとが、画素ごとに設けられている。この有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルでは、走査線が選択されるとスイッチング用トランジスタがオンになり、その時に輝度を表すレベルの電圧が信号線を介して駆動トランジスタのゲートに印加される。これにより、駆動トランジスタがオンになり、ゲート電圧のレベルに応じた大きさの駆動電流が電源から駆動トランジスタのソース−ドレインを介して有機ＥＬ素子に流れ、有機ＥＬ素子が電流の大きさに応じた輝度で発光する。走査線の選択が終了してから次にその走査線が選択されるまでの間では、スイッチ用トランジスタがオフになっても駆動トランジスタのゲート電圧のレベルが保持され続け、有機ＥＬ素子が電圧に応じた駆動電流の大きさに従った輝度で発光する。

有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルを駆動するために、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの周辺に駆動回路を設け、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルに敷設された走査線、信号線、電源線等に電圧を印加することが行われている。

また、従来のアクティブマトリクス駆動方式の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルでは、有機ＥＬ素子に電流を流す電源線のような配線はスイッチ用トランジスタ、駆動トランジスタ等といった薄膜トランジスタの材料を用いて薄膜トランジスタのパターニング工程と同時にパターニングされる。即ち、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルを製造するにあたって、薄膜トランジスタの電極のもととなる導電性薄膜に対してフォトリソグラフィー法、エッチング法を行うことによって、その導電性薄膜から薄膜トランジスタの電極を形状加工するとともに、同時に電極に接続される配線も形状加工する。そのため、配線が導電性薄膜から形成されると、配線が薄膜トランジスタの電極の厚さと同じになる。
特開平８−３３０６００号公報

しかしながら、薄膜トランジスタの電極は、トランジスタとして機能することを前提に設計されているため、言い換えれば発光素子に電流を流すことを前提として設計していないため、その名の通り薄膜であり、このため、配線から複数の発光素子に電流を流そうとすると、配線の電気抵抗によって、電圧降下が発生したり、配線を通じた電流の流れの遅延が生じたりする。電圧降下及び電流遅延を抑えるために配線を低抵抗化することが望まれるが、そのためにトランジスタのソース、ドレインとなる金属層又はゲートとなる金属層を厚くしたり、これら金属層を電流が十分に流れる程度にかなり幅広にパターニングして低抵抗配線としたりすると、配線が他の配線及び導電体等と平面視して重なる面積が増えてしまい、それらの間で寄生容量が発生してしまい、電流の流れを遅くする要因を発生してしまっていた。特にトランジスタアレイ基板側からＥＬ光を出射するいわゆるボトムエミッション構造の場合、ＥＬ素子からの発光を配線が遮光してしまうので、発光面積の割合である開口率の低下を招いてしまっていた。また低抵抗化するために薄膜トランジスタのゲートを厚くすると、ゲートの段差を平坦化するための平坦化膜（例えば薄膜トランジスタが逆スタガ構造の場合、ゲート絶縁膜に相当）まで厚くしなければならず、トランジスタ特性が大きく変化してしまう恐れがあり、またソース、ドレインを厚くすると、ソース、ドレインのエッチング精度が低下してしまうため、やはりトランジスタの特性に悪影響を及ぼす恐れがある。

そこで、本発明は、表示特性を損なうことなく電圧降下・信号遅延を抑えることを目的とする。

以上の課題を解決するために、本発明のディスプレイパネルは、
基板と、
前記基板上にマトリクス状に配列された複数の駆動トランジスタと、
前記複数の駆動トランジスタのドレイン・ソースとゲートのうちの一方とともにパターニングされ、前記基板上において互いに平行となるよう配列された複数の信号線と、
前記複数の信号線及び前記複数の駆動トランジスタを被覆した保護絶縁膜と、
前記複数の駆動トランジスタそれぞれのソースとドレインの一方に導通した複数の画素電極と、
前記複数の画素電極それぞれに成膜された複数の発光層と、
前記信号線と平行となるよう前記保護絶縁膜上に形成され、前記保護絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記複数の駆動トランジスタのソースとドレインの他方に導通した給電配線と、を備える。

好ましくは、上記ディスプレイパネルが、前記給電配線を被覆した撥液性絶縁膜を更に備えている。

好ましくは、上記ディスプレイパネルが、前記複数の駆動トランジスタのドレイン・ソースとゲートの他方とともにパターニングされ、平面視して前記複数の信号線と直交するよう配列され、前記駆動トランジスタのソースとドレインの他方及び前記給電配線に導通した供給線を更に備えている。

本発明の駆動方法は、上記ディスプレイパネルを駆動する駆動方法であって、クロック信号を前記給電配線に出力することを特徴とする。

本発明によれば、駆動トランジスタを介して発光層に電流を供給する給電配線を、駆動トランジスタのドレイン・ソース・ゲートとは別に形成される。そのため、給電配線の幅を広くせずとも給電配線を厚くすることができ、給電配線を低抵抗化することができる。

また本発明のディスプレイパネルは、
基板と、
前記基板に設けられた複数の画素電極と、
前記画素電極間に配置された金属隔壁と、
前記金属隔壁に被膜された撥液性導通膜と、
前記画素電極上に成膜された発光層と、
を備える。

前記画素電極の表面は金属酸化物であることが好ましい。
前記撥液性導通膜は、金属に選択的に被膜することが好ましく、特に前記撥液性導通膜はトリアジン化合物を有することが好ましい。
前記発光層は、有機ＥＬ層を有することが好ましい。
前記有機ＥＬ層は、湿式塗布法により成膜されることが好ましい。
前記金属隔壁は、前記発光層に電流を流すための配線を有することが好ましい。

また本発明のディスプレイパネルの製造方法は、
基板に設けられ、表面に撥液性導通膜が被膜された複数の金属隔壁間に配置された画素電極上に、発光層となる有機化合物含有液を塗布する。

本発明のディスプレイパネルの製造方法は、パネルの上に画素電極をマトリクス状に配列するようパターニングし、金属からなる配線を前記画素電極の間を縫うように凸設し、前記パネルにトリアジン誘導体の水溶液を塗布することによって前記配線の表面処理を行って前記配線の濡れ性を向上させ、前記電極に有機化合物含有液を塗布することによって有機化合物層を成膜し、前記有機化合物層及び前記配線を被覆するように対向電極を成膜することを特徴とする。

本発明によれば、給電配線を厚くすることができるので、給電配線の低抵抗化することができる。

以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）という用語をＥＬと略称する。

［第１の実施の形態］
〔ＥＬディスプレイパネルの全体構成〕
図１には、アクティブマトリクス駆動方式のＥＬディスプレイパネル１の概略図が示されている。図１に示すように、ＥＬディスプレイパネル１は、光透過性を有する可撓性のシート状又は剛性の板状の絶縁基板２と、互いに平行となるよう絶縁基板２上に配列されたｎ本（複数本）の信号線Ｙ₁〜Ｙ_nと、絶縁基板２を平面視して信号線Ｙ₁〜Ｙ_nに対して直交するよう絶縁基板２上に配列されたｍ本（複数本）の走査線Ｘ₁〜Ｘ_mと、走査線Ｘ₁〜Ｘ_mのそれぞれの間において走査線Ｘ₁〜Ｘ_mと平行且つ互い違いとなるよう絶縁基板２上に配列されたｍ本（複数本）の供給線Ｚ₁〜Ｚ_mと、信号線Ｙ₁〜Ｙ_n及び走査線Ｘ₁〜Ｘ_mに沿ってマトリクス状となるよう絶縁基板２上に配列された（ｍ×ｎ）群の画素回路Ｐ_1,1〜Ｐ_m,nと、供給線Ｚ₁〜Ｚ_mに接続されるとともに平面視して信号線Ｙ₁〜Ｙ_nに対して平行方向になるように複数に分岐された給電配線９０，９０，…と、給電配線９０，９０，…のそれぞれの間において給電配線９０，９０，…に対して平行且つ互い違いに設けられた共通配線９１，９１，…と、を備える。

給電配線９０，９０，…の総数と共通配線９１，９１，…の総数の和は（ｎ＋１）本であり、各信号線Ｙ₁〜Ｙ_nの延在方向に対して各画素回路Ｐ_1,1〜Ｐ_m,nの左右両側を仕切るように給電配線９０か共通配線９１のいずれか一本が設けられている。

給電配線９０，９０，…は、絶縁基板２の一方の周縁に配置された引き回し配線９０ａによって互いに導通しているため、後述するように、外部からのクロック信号により等電位となっている。さらに、引き回し配線９０ａは、絶縁基板２の両端部においてそれぞれ配線端子９０ｂ、９０ｃと接続している。外部駆動回路から配線端子９０ｂ、９０ｃに印加される電圧はともに等電位のため、すみやかに給電配線９０，９０，…全体に電流を供給することができる。引き回し配線９０ａは後述するように、給電配線９０及び共通配線９１とともに有機ＥＬ層２０ｂを成膜時に仕切る金属隔壁としても機能している。

共通配線９１，９１，…は、絶縁基板２の配線９０ａが設けられている周縁と対向する周縁に配置された引き回し配線９１ａによって互いに接続され、コモン電圧Ｖcomが印加されている。引き回し配線９１ａは後述するように、給電配線９０及び共通配線９１とともに有機ＥＬ層２０ｂを成膜時に仕切る金属隔壁としても機能している。

以下では、信号線Ｙ₁〜Ｙ_nの延在した方向を垂直方向（列方向）といい、走査線Ｘ₁〜Ｘ_mの延在した方向を水平方向（行方向）という。また、ｍ，ｎは２以上の自然数であり、走査線Ｘに下付けした数字は図１において上からの配列順を表し、供給線Ｚに下付けした数字は図１において上からの配列順を表し、信号線Ｙに下付けした数字は図１において左からの配列順を表し、画素回路Ｐに下付けした数字の前側が上からの配列順を表し、後ろ側が左からの配列順を表す。すなわち、１〜ｍのうちの任意の自然数をｉとし、１からｎのうちの任意の自然数をｊとした場合に、走査線Ｘ_iは上からｉ行目であり、供給線Ｚ_iは左からｉ行目であり、信号線Ｙ_jは左からｊ列目であり、画素回路Ｐ_i,jは上からｉ行目、左からｊ列目であり、画素回路Ｐ_i,jは走査線Ｘ_i、供給線Ｚ_i及び信号線Ｙ_jに接続されている。

このＥＬディスプレイパネル１においては、走査線Ｘ₁〜Ｘ_mと信号線Ｙ₁〜Ｙ_nとでマトリクス状に区画されたそれぞれの領域が画素を構成し、画素回路Ｐ_1,1〜Ｐ_m,nが１つの領域につき１群だけ設けられている。

〔画素回路の回路構成〕
何れの画素回路Ｐ_1,1〜Ｐ_m,nも同一に構成されているので、画素回路Ｐ_1,1〜画素回路Ｐ_m,nのうち任意の画素回路Ｐ_i,jについて説明する。図２は画素回路Ｐ_i,jの等価回路図であり、図３は主に画素回路Ｐ_i,j及び画素回路Ｐ_i,j+1の電極を示した平面図である。

画素回路Ｐ_i,jは、画素としての有機ＥＬ素子２０と、有機ＥＬ素子２０の周囲に配置された三つのＮチャネル型の薄膜トランジスタ（以下単にトランジスタと記述する。）２１，２２，２３と、キャパシタ２４と、を備える。以下では、トランジスタ２１をスイッチトランジスタ２１と、トランジスタ２２を保持トランジスタ２２と、トランジスタ２３を駆動トランジスタ２３と称する。

図２に示すように、画素回路Ｐ_i,jでは、スイッチトランジスタ２１においては、ソース２１ｓが信号線Ｙ_jに導通し、ドレイン２１ｄが有機ＥＬ素子２０の画素電極２０ａ、駆動トランジスタ２３のソース２３ｓ及びキャパシタ２４の一方の電極２４Ｂに導通し、ゲート２１ｇが走査線Ｘ_i及び保持トランジスタ２２のゲート２２ｇに導通している。

保持トランジスタ２２においては、ソース２２ｓが駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇ及びキャパシタ２４の他方の電極２４Ａに導通し、ドレイン２２ｄが供給線Ｚ_i及び駆動トランジスタ２３のドレイン２３ｄに導通し、ゲート２２ｇがスイッチトランジスタ２１のゲート２１ｇ及び走査線Ｘ_iに導通している。

駆動トランジスタ２３においては、ソース２３ｓが有機ＥＬ素子２０の画素電極２０ａ、スイッチトランジスタ２１のドレイン２１ｄ及びキャパシタ２４の電極２４Ｂに導通し、ドレイン２３ｄが供給線Ｚ_i及び保持トランジスタ２２のドレイン２２ｄに導通し、ゲート２３ｇが保持トランジスタ２２のソース２２ｓ及びキャパシタ２４の電極２４Ａに導通している。

なお、ＥＬディスプレイパネル１全体を平面視して画素回路Ｐ_1,1〜Ｐ_m,nのスイッチトランジスタ２１だけに着目すると、複数のスイッチトランジスタ２１が絶縁基板２上にマトリクス状に配列され、平面視して画素回路Ｐ_1,1〜Ｐ_m,nの保持トランジスタ２２だけに着目すると、複数の保持トランジスタ２２が絶縁基板２上にマトリクス状に配列され、平面視して画素回路Ｐ_1,1〜Ｐ_m,nの駆動トランジスタ２３だけに着目すると、複数の駆動トランジスタ２３が絶縁基板２上にマトリクス状に配列されている。

〔ＥＬディスプレイパネルの層構造〕
ＥＬディスプレイパネル１の層構造について説明する。まず、トランジスタ２１〜２３の層構造について説明する。

図４は駆動トランジスタ２３の断面図である。図４に示すように、駆動トランジスタ２３は、絶縁基板２上に形成されたゲート２３ｇと、ゲート２３ｇ上に形成されたゲート絶縁膜３１と、ゲート絶縁膜３１上に形成された半導体膜２３ｃと、半導体膜２３ｃの中央部上に形成されたチャネル保護膜２３ｐと、半導体膜２３ｃの両端部上において互いに離間するよう形成され、チャネル保護膜２３ｐに一部重なった不純物半導体膜２３ａ，２３ｂと、不純物半導体膜２３ａ上に形成されたドレイン２３ｄと、不純物半導体膜２３ｂ上に形成されたソース２３ｓと、から構成されている。なお、ドレイン２３ｄ及びソース２３ｓは一層構造であっても良いし、二層以上の積層構造であっても良い。

スイッチトランジスタ２１及び保持トランジスタ２２も、駆動トランジスタ２３と同様の層構造となっているため、これらの断面図については省略する。

次に、トランジスタ２１〜２３及びキャパシタ２４の各層と信号線Ｙ₁〜Ｙ_n、走査線Ｘ₁〜Ｘ_m及び供給線Ｚ₁〜Ｚ_mとの関係について図４〜図６を用いて説明する。ここで、図５は、図３に示されたV−V線に沿って絶縁基板２の厚さ方向に切断した矢視断面図であり、図６は、図３に示されたVI−VI線に沿って絶縁基板２の厚さ方向に切断した矢視断面図である。

図４〜図６に示すように、スイッチトランジスタ２１のゲート２１ｇ、保持トランジスタ２２のゲート２２ｇ、駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇ及びキャパシタ２４の電極２４Ａ並びに信号線Ｙ₁〜Ｙ_nは、絶縁基板２上にべた一面に成膜された導電性膜をフォトリソグラフィー法・エッチング法によってパターニングしたものである。信号線Ｙ₁〜Ｙ_nは表示階調に応じた電流値の階調電流信号が流れる配線である。

ゲート絶縁膜３１は、スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３全てに共通した膜であり、面内にべた一面に成膜されている。このゲート絶縁膜３１は、キャパシタ２４の電極２４Ａと電極２４Ｂの間に介在する誘電体も兼ねており、更に信号線Ｙ₁〜Ｙ_nも被覆している。信号線Ｙ₁〜Ｙ_n上にはそれぞれ半導体膜２３ｃの元となる膜をパターニングしてなる保護膜３４が設けられ、保護膜３４上には不純物半導体膜２３ａ，２３ｂの元となる膜をパターニングしてなる保護膜３５が形成されている。保護膜３４及び保護膜３５は、ゲート絶縁膜３１にピンホールが形成されてしまったときに、ピンホールを介して信号線Ｙ₁〜Ｙ_nと、走査線Ｘ₁〜Ｘ_mのいずれか又は供給線Ｚ₁〜Ｚ_mのいずれかとがショートしないように保護するものである。

スイッチトランジスタ２１のドレイン２１ｄ・ソース２１ｓ、保持トランジスタ２２のドレイン２２ｄ・ソース２２ｓ、駆動トランジスタ２３のドレイン２３ｄ・ソース２３ｓ及びキャパシタ２４の電極２４Ｂ並びに走査線Ｘ₁〜Ｘ_m及び供給線Ｚ₁〜Ｚ_mは、ゲート絶縁膜３１上にべた一面に成膜された導電性膜をフォトリソグラフィー法・エッチング法によってパターニングしたものである。なお、図３に示すように、走査線Ｘ_iは、ゲート絶縁膜３１に形成されたコンタクトホール９２を介してスイッチトランジスタ２１のゲート２１ｇ及び保持トランジスタ２２のゲート２２ｇに接続されているコンタクト部Ｃ１に導通し、信号線Ｙ_jは、ゲート絶縁膜３１に形成されたコンタクトホール９４を介してスイッチトランジスタ２１のソース２１ｓに導通し、保持トランジスタ２２のソース２２ｓは、ゲート絶縁膜３１に形成されたコンタクトホール９３を介して駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇと接続されているコンタクト部Ｃ３に導通している。

図４〜図６に示すように、スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３並びに走査線Ｘ₁〜Ｘ_m及び供給線Ｚ₁〜Ｚ_mは、べた一面に成膜された保護絶縁膜３２によって被覆されている。保護絶縁膜３２は、窒化シリコン又は酸化シリコンからなり、トランジスタ２１〜２３、走査線Ｘ₁〜Ｘ_m及び供給線Ｚ₁〜Ｚ_mを絶縁保護している。

保護絶縁膜３２上には平坦化膜３３が積層されており、スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３並びに走査線Ｘ₁〜Ｘ_m及び供給線Ｚ₁〜Ｚ_mによる凹凸が平坦化膜３３によって解消されている。つまり、平坦化膜３３の表面が平坦となっている。平坦化膜３３は、ポリイミド等の樹脂を硬化させたものである。

絶縁基板２から平坦化膜３３までの積層構造をトランジスタアレイ基板５０という。このトランジスタアレイ基板５０においては、平面視して、スイッチトランジスタ２１、保持トランジスタ２２及び駆動トランジスタ２３がマトリクス状に配列されている。

なお、このＥＬディスプレイパネル１をボトムエミッション型として用いる場合、すなわち、絶縁基板２から有機ＥＬ素子２０の光を出射して絶縁基板２を表示面として用いる場合には、ゲート絶縁膜３１、保護絶縁膜３２及び平坦化膜３３には透明な材料を用いる。

次に、トランジスタアレイ基板５０の表面に積層された層構造について説明する。トランジスタアレイ基板５０の表面上、即ち、平坦化膜３３の表面上には、画素電極２０ａが画素回路Ｐ_1,1〜Ｐ_m,n毎にマトリクス状に配列されている。平面視して、画素回路Ｐ_i,jの画素電極２０ａは、隣り合う走査線Ｘ_i及び供給線Ｚ_i並びに隣り合う信号線Ｙ_j及び信号線Ｙ_j+1によって区画された領域に形成されている。また、画素電極２０ａは、平坦化膜３３及び保護絶縁膜３２に形成されたコンタクトホールを介してキャパシタ２４の電極２４Ｂ、スイッチトランジスタ２１のドレイン２１ｄ及び駆動トランジスタ２３のソース２３ｓに導通している。

画素電極２０ａは、有機ＥＬ素子２０のアノードとして機能する電極である。即ち、画素電極２０ａの仕事関数が比較的高く、後述する有機ＥＬ層２０ｂへ正孔を効率よく注入するものが好ましい。また、画素電極２０ａは、可視光に対して透過性を有している。画素電極２０ａとしては、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）を主成分としたものがある。

なお、このＥＬディスプレイパネル１をトップエミッション型として用いる場合、すなわち、絶縁基板２の反対側を表示面として用いる場合には、画素電極２０ａと平坦化膜３３との間に、導電性且つ可視光反射性の高い反射膜を成膜すると良い。

これら画素電極２０ａは、平坦化膜３３上にべた一面に成膜された透明導電性膜をフォトリソグラフィー法・エッチング法によってパターニングしたものである。水平方向に隣り合う画素電極２０ａの間には、画素電極２０ａと電気的に離間して垂直方向に延在する導電性ライン５１が、信号線Ｙ_(j-2k)、…、Ｙ_(j-2)、Ｙ_j、Ｙ_(j+2)、…（ｋは自然数）というように、つまり給電配線９０と同様に、一列おきにパターニングされている。導電性ライン５１は、画素電極２０ａの元となる透明導電性膜をエッチングすることによって画素電極２０ａとともにパターニングされたものである。導電性ライン５１の左右両側の周縁部上には、垂直方向に長い溝状の絶縁ライン５７，５７，…がそれぞれ形成されている。絶縁ライン５７，５７間から露出している導電性ライン５１上には、それぞれ給電配線９０，９０，…が積層されている。

水平方向に隣り合う画素電極２０ａの間には、画素電極２０ａと電気的に絶縁して垂直方向に延在する絶縁ライン５２が、信号線Ｙ_(j-2k+1)…、Ｙ_(j-1)、Ｙ_(j+1)、Ｙ_(j+3)、…（ｋは自然数）というように、つまり共通配線９１と同様に、画素電極２０ａの一列おきにパターニングされている。これら絶縁ライン５２は、開口率を高くするために、両側が画素電極２０ａの周縁部に一部重なるよう設けられているが、画素電極２０ａの周縁部と重ならない構造であってもよい。これら絶縁ライン５２のうち導電性ライン５１に重なっていない絶縁ライン５２上には、共通配線９１が積層されている。絶縁ライン５２及び絶縁ライン５７は、窒化シリコンや酸化シリコンからなることが好ましい。

給電配線９０は、絶縁ライン５２よりも十分に厚く、絶縁ライン５２から隆起している。更に、給電配線９０は、メッキ法により形成されたものであるので、信号線Ｙ₁〜Ｙ_n、走査線Ｘ₁〜Ｘ_m及び供給線Ｚ₁〜Ｚ_m並びにトランジスタ２１〜２３のゲート、ソース及びドレインよりも十分に厚い。図３、図６に示すように、平面視して各給電配線９０と供給線Ｚ₁〜Ｚ_mとが交差する箇所においてコンタクトホール５３が平坦化膜３３及び保護絶縁膜３２に形成され、そのコンタクトホール５３に導電性パッド５８が埋められ、導電性パッド５８の上に導電性ライン５１及び給電配線９０が順に重なっている。そのため、図２の回路図に示すように、給電配線９０がコンタクト部Ｃ２で電気的に供給線Ｚ₁〜Ｚ_mに導通し、強いては供給線Ｚ_iを介して画素回路Ｚ_i,1〜Ｚ_i,nのトランジスタ２２，２３のドレイン２２ｄ，２３ｄに導通している。なお、コンタクトホール５３内の導電性パッド５８は、メッキ法により形成されたものである。

共通配線９１も、給電配線９０とともにメッキ法により形成されたものであるので、信号線Ｙ₁〜Ｙ_n、走査線Ｘ₁〜Ｘ_m及び供給線Ｚ₁〜Ｚ_m並びにトランジスタ２１〜２３のゲート、ソース及びドレインよりも十分に厚い。共通配線９１及び給電配線９０は、銅、金若しくはニッケル又はこれらの積層体からなる。

給電配線９０の表面には、撥水性・撥油性を有した撥液性絶縁膜５４が成膜されている。この撥液性絶縁膜５４はフッ素樹脂電着塗料からなり、電着塗装によって成膜されたものである。

共通配線９１の表面には、撥水性・撥油性を有した撥液性導通膜５５が成膜されている。撥液性導通膜５５は、次の化学式に示されたトリアジルトリチオールの１又は２のチオール基（−ＳＨ：メルカプト基と呼称する場合もある。）の水素原子（Ｈ）が還元離脱し、硫黄原子（Ｓ）が金属である共通配線９１の表面に酸化吸着したものである。

撥液性導通膜５５は、共通配線９１の表面に平面的に被膜され且つ共通配線９１の厚さ方向に単分子の厚さで配列された単分子膜であるか、或いは共通配線９１の表面に平面的に被膜され且つ共通配線９１の厚さ方向に極少ない複数の分子の厚さで配列された複数の分子膜である。つまり、撥液性導通膜５５はトリアジルトリチオール分子ユニットが共通配線９１の表面に規則正しく並んだ極薄い膜であるから、撥液性導通膜５５が非常に低抵抗であって、その厚さ方向に電気伝導性を失われることがない。このため、共通配線９１は、撥液性導通膜５５を介して後述する対向電極２０ｃと電気的に導通することができる。なお、撥水性・撥油性を顕著にするためにトリアジルトリチオールに代えて、トリアジルトリチオールの１又は２のチオール基がフッ化アルキル基に置換したトリアジンチオール誘導体でも良い。このようなトリアジル化合物は、撥液性導通膜５５のような金属に選択的に被膜し結合することができる。具体的には、６−ジメチルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール−ナトリウム塩を濃度１０^-3ｍｏｌ／ｌ水溶液に調整した後、液温２６℃、浸漬時間５分〜３０分の条件にて共通配線９１をその水溶液に浸漬したとき、表面が銅からなる共通配線９１の表面に膜厚０．７ｎｍ程度の撥液性導通膜５５が被膜される（膜厚はエリプソメータによる測定値）。また、６−ジドデシルアミノ−１，３，５−トリアジン−２，４−ジチオール−ナトリウム塩を濃度１０^-3ｍｏｌ／ｌ水溶液に調整した後、液温４６℃、浸漬時間５分〜３０分の条件にて表面が銅からなる共通配線９１をその水溶液に浸漬したとき、共通配線９１に膜厚１．８ｎｍ程度の撥液性導通膜５５が被膜される（膜厚はエリプソメータによる測定値）。

また次の化学式に示されたフッ化アルキル基を有するトリアジルチオール化合物を用いる場合、具体的には、水酸化ナトリウムとともに水に溶解して濃度２×１０^-3ｍｏｌ／ｌ水溶液とし、液温２６℃、浸漬時間５分〜３０分の条件にて表面が銅からなる共通配線９１をその水溶液に浸漬して、共通配線９１に撥液性導通膜５５が被膜される。

なお、撥液性導通膜５５の被膜構造を模式的に示すと、図７のようになる。図７において置換基Ｒは、例えばジメチルアミノ又はジドデシルアミノである。

画素電極２０ａは、共通配線９１の表面に撥液性導通膜５５を被膜する直前に、紫外線による親液化処理を行う。この親液化処理が行われた画素電極２０ａは、表面に液体が塗布されると液体の接触角が低く、表面に液体が平滑に塗布されることになる。紫外線照射装置（HMW-615-N-4 オーク製作所製）で、ランプ出力１００Ｗ、照射時間は１５秒〜３分として紫外線照射を行った。トランジスタアレイパネル５０の表面に向けて特に画素電極２０ａに向けて、紫外線を照射することによって、画素電極２０ａの表面の濡れ性を向上させて画素電極２０ａを親液化する。また画素電極２０ａ上にオゾン処理を行い、親水化処理してもよい。画素電極２０ａ上には、有機ＥＬ素子２０の有機ＥＬ層２０ｂが成膜されている。有機ＥＬ層２０ｂは広義の発光層であり、有機ＥＬ層２０ｂには、有機化合物である発光材料（蛍光体）が含有されている。有機ＥＬ層２０ｂは、画素電極２０ａから順に正孔輸送層、狭義の発光層の順に積層した二層構造である。正孔輸送層は、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ（ポリチオフェン）及びドーパントであるＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）からなり、狭義の発光層は、ポリフルオレン系発光材料からなる。また無機材料からなる電荷輸送層を有機ＥＬ層２０ｂと組み合わせてもよい。

有機ＥＬ層２０ｂは、撥液性絶縁膜５４及び撥液性導通膜５５のコーティング後に湿式塗布法（例えば、インクジェット法）によって成膜される。湿式塗布法とは、有機ＥＬ層２０ｂとなる有機化合物を溶媒等に溶解又は分散させた溶液を塗布するか、或いは有機ＥＬ層２０ｂとなる有機化合物自体を液体の状態にして塗布する方法である。この場合、画素電極２０ａに有機ＥＬ層２０ｂとなる有機化合物を含有する有機化合物含有液を塗布するが、この有機化合物含有液の液面は、絶縁ライン５２の頭頂部及び絶縁ライン５７の頭頂部よりも高い。水平方向に隣り合う画素電極２０ａ間に頭頂部が絶縁ライン５２の頭頂部及び絶縁ライン５７の頭頂部よりも十分高い厚膜の給電配線９０及び共通配線９１が交互に設けられているから、画素電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が水平方向に対して隣の画素電極２０ａに漏れることがないように堰き止めている。また、画素電極２０ａは親液化され、給電配線９０には撥水性・撥油性の撥液性絶縁膜５４がコーティングされ、更には共通配線９１には撥水性・撥油性の撥液性導通膜５５がコーティングされているから、画素電極２０ａに塗布された有機ＥＬ層２０ｂとなる有機化合物を含有する有機化合物含有液が、画素電極２０ａ全面に広がり、撥液性絶縁膜５４及び撥液性導通膜５５ではじかれるので、画素電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が画素電極２０ａの中央に対して絶縁ライン５２の角部付近で極端に厚く堆積されなくなる。そのため、有機化合物含有液が乾燥してなる有機ＥＬ層２０ｂを均一な膜厚で成膜することができる。

このように有機ＥＬ層２０ｂを成膜することによって、図８に示すように、赤色に発光する有機ＥＬ層２０ｂが成膜された領域Ｒ、緑色に発光する有機ＥＬ層２０ｂが成膜された領域Ｇ、青色に発光する有機ＥＬ層２０ｂが成膜された領域Ｂのストライプ構造を構成し、同列の複数の画素は同色に発光する。

平面視した場合、塗布された有機化合物含有液は、左右をそれぞれ給電配線９０及び共通配線９１のいずれかに仕切られているため垂直方向に各列毎に一様に分布するので、垂直方向に配列された複数の有機ＥＬ層２０ｂは何れも同じ層構造であり、同じ色に発光する。一方、水平方向に一列に配列された複数の有機ＥＬ層２０ｂは、赤発光、緑発光、青発光の順に繰り返すように狭義の発光層が配列されている。正孔輸送層は異なる色に発光する画素同士で互いに同じ材料を用いてもよい。

なお、有機ＥＬ層２０ｂは、二層構造の他に、画素電極２０ａから順に正孔輸送層、狭義の発光層、電子輸送層となる三層構造であっても良いし、狭義の発光層からなる一層構造であっても良いし、これらの層構造において適切な層間に電子或いは正孔の注入層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であっても良い。

有機ＥＬ層２０ｂ上には、有機ＥＬ素子２０のカソードとして機能する対向電極２０ｃが成膜されている。対向電極２０ｃは、全ての画素に共通して形成された共通電極である。対向電極２０ｃがべた一面に成膜されることで、対向電極２０ｃが撥液性導通膜５５を挟んで共通配線９１を被覆するとともに撥液性絶縁膜５４を挟んで給電配線９０を被覆している。そのため、図２の回路図に示すように、対向電極２０ｃは共通配線９１に対して導通している。それに対して、対向電極２０ｃは給電配線９０に対して絶縁している。

図４〜図６に示すように、対向電極２０ｃは、画素電極２０ａよりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、インジウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金を有する低仕事関数の材料で形成されていることが好ましい。また、対向電極２０ｃは、上記各種材料の層が積層された積層構造となっていても良いし、以上の各種材料の層に加えてシート抵抗を低くするために酸化されにくい金属層が堆積した積層構造となっていても良く、具体的には、有機ＥＬ層２０ｂと接する界面側に設けられた低仕事関数の高純度のバリウム層と、バリウム層を被覆するように設けられたアルミニウム層との積層構造、下層にリチウム層、上層にアルミニウム層が設けられた積層構造が挙げられる。またトップエミッション構造の場合、対向電極２０ｃを上述のような低仕事関数の薄膜とその上にＩＴＯ等の透明導電膜を積層した透明電極としてもよい。

対向電極２０ｃ上には、封止絶縁膜５６が成膜されている。封止絶縁膜５６は対向電極２０ｃ全体を被覆し、対向電極２０ｃの劣化を防止するために設けられている無機膜又は有機膜である。

なお、従来、トップエミッション型構造のＥＬディスプレイパネルは、対向電極の少なくとも一部を金属酸化物のように抵抗値が高い透明電極を用いることになるが、このような材料は十分に厚くしなければシート抵抗が十分に低くならないので、厚くすることによって必然的に有機ＥＬ素子の透過率が下がってしまい、大画面になるほど面内で均一の電位になりにくく表示特性が低くなってしまっていた。しかしながら、本実施形態では、垂直方向に十分な厚さのために低抵抗な複数の共通配線９１，９１，…を設けているので、対向電極２０ｃと合わせて有機ＥＬ素子２０，２０，…のカソード電極全体のシート抵抗値を下げ、十分且つ面内で均一に大電流を流すことが可能となる。さらにこのような構造では、共通配線９１，９１，…がカソード電極としてのシート抵抗を下げているので、対向電極２０ｃを薄膜にして透過率を向上したりすることが可能である。なおトップエミッション構造では、画素電極２０ａを反射性の材料としてもよい。

〔ＥＬディスプレイパネルの駆動方法〕
ＥＬディスプレイパネル１をアクティブマトリクス方式で駆動するには、次のようになる。すなわち、図９に示すように、発振回路によって給電配線９０，９０，…及び供給線Ｚ₁〜Ｚ_mに対してクロック信号を出力する。また、走査側ドライバによって走査線Ｘ₁から走査線Ｘ_mへの順（走査線Ｘ_mの次は走査線Ｘ₁）にハイレベルのシフトパルスを順次出力することにより走査線Ｘ₁〜Ｘ_mを順次選択するが、走査側ドライバが走査線Ｘ₁〜Ｘ_mの何れか１つにシフトパルスを出力している時には発振回路のクロック信号がローレベルになる。また、走査側ドライバが各走査線Ｘ₁〜Ｘ_mを選択している時に、データ側ドライバが書込電流である引抜電流（電流信号）を駆動トランジスタ２３のソース−ドレイン間を介して全信号線Ｙ₁〜Ｙ_nに流す。なお、対向電極２０ｃ及び給電配線９０の一定のコモン電圧Ｖcom（例えば、接地＝０ボルト）に保たれている。

走査線Ｘ_iの選択期間においては、ｉ行目の走査線Ｘ_iにシフトパルスが出力されているから、スイッチトランジスタ２１及び保持トランジスタ２２がオン状態となる。各選択期間において、データ側ドライバ側の電位は、給電配線９０，９０，…及び供給線Ｚ₁〜Ｚ_mに出力されたクロック信号のローレベル以下で且つこのクロック信号のローレベルはコモン電圧Ｖcom以下に設定されている。したがってこの時、有機ＥＬ素子２０から信号線Ｙ₁〜Ｙ_nに流れることはないので図２に示すように、データ側ドライバによって階調に応じた電流値の書込電流（引抜電流）が矢印Ａの通り、信号線Ｙ₁〜Ｙ_nに流れ、画素回路Ｐ_i,jにおいては給電配線９０及び供給線Ｚ_iから駆動トランジスタ２３のソース−ドレイン間、スイッチトランジスタ２１のソース−ドレイン間を介して信号線Ｙ_jに向かった書込電流（引抜電流）が流れる。このように駆動トランジスタ２３のソース−ドレイン間を流れる電流の電流値は、データ側ドライバによって一義的に制御され、データ側ドライバは、外部から入力された階調に応じて書込電流（引抜電流）の電流値を設定する。書込電流（引抜電流）が流れている間、ｉ行目のＰ_i,1〜Ｐ_i,nの各駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇ−ソース２３ｓ間の電圧は、それぞれ信号線Ｙ₁〜Ｙ_nに流れる書込電流（引抜電流）の電流値、つまり駆動トランジスタ２３のＶg−Ｉds特性の経時変化にかかわらず駆動トランジスタ２３のドレイン２３ｄ−ソース２３ｓ間を流れる書込電流（引抜電流）の電流値に見合うように強制的に設定され、この電圧のレベルに従った大きさの電荷がキャパシタ２４にチャージされて、書込電流（引抜電流）の電流値が駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇ−ソース２３ｓ間の電圧のレベルに変換される。その後の発光期間では、走査線Ｘ_iがローレベルになり、スイッチトランジスタ２１及び保持トランジスタ２２がオフ状態となるが、オフ状態の保持トランジスタ２２によってキャパシタ２４の電極２４Ａ側の電荷が閉じ込められてフローティング状態になり、駆動トランジスタ２３のソース２３ｓの電圧が選択期間から発光期間に移行する際に変調しても、駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇ−ソース２３ｓ間の電位差がそのまま維持される。この発光期間のうち、いずれの行の選択期間でもない間、つまり、クロック信号が給電配線９０及び供給線Ｚ_iの電位が有機ＥＬ素子２０の対向電極２０ｃ及び給電配線９０の電位Ｖcomより高いハイレベルの間、より高電位の給電配線９０及び供給線Ｚ_iから駆動トランジスタ２３のソース−ドレイン間を介して有機ＥＬ素子２０に駆動電流が矢印Ｂの方向に流れ、有機ＥＬ素子２０が発光する。駆動電流の電流値は駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇ−ソース２３ｓ間の電圧に依存するため、発光期間における駆動電流の電流値は、選択期間における書込電流（引抜電流）の電流値に等しくなる。また発光期間において、いずれかの行の選択期間の間、つまりクロック信号がローレベルである時は、給電配線９０及び供給線Ｚ_iの電位が対向電極２０ｃ及び給電配線９０の電位Ｖcom以下であるので、有機ＥＬ素子２０に駆動電流は流れず発光しない。

即ち、選択期間中、スイッチトランジスタ２１は、駆動トランジスタ２３のソース２３ｓと信号線Ｙ_jとの間に書込電流（引抜電流）が流れるように電流路を形成し、保持トランジスタ２は、給電配線９０と駆動トランジスタ２３のドレイン２３ｄとの間に書込電流（引抜電流）が流れるように電流路を形成する。

そして、発光期間中、スイッチトランジスタ２１は、駆動トランジスタ２３のソース２３ｓから流れる駆動電流が信号線Ｙ_jに流れないように電流路を閉じ、保持トランジスタ２２は、駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇ―ソース２３ｓ間の電圧を保持して駆動電流の電流値を一定にするものである。そして、駆動トランジスタ２３は、発光期間中に供給線Ｚ_i及び給電配線９０がハイレベルになった時に、選択期間にゲート２３ｇ―ソース２３ｓ間にチャージされた電荷にしたがい、階調に応じた大きさの電流を有機ＥＬ素子２０に流して有機ＥＬ素子２０を駆動するものである。

〔給電配線及び共通配線の幅、断面積及び抵抗率〕
ここで、ＥＬディスプレイパネル１の画素数をＷＸＧＡ（７６８×１３６６）としたときに、給電配線９０及び共通配線９１の望ましい幅、断面積を定義する。図１０は、各画素回路Ｐ_1,1〜Ｐ_m,nの駆動トランジスタ２３及び有機ＥＬ素子２０の電流−電圧特性を示すグラフである。

図１０において、縦軸は１つの駆動トランジスタ２３のソース２３ｓ−ドレイン２３ｄ間を流れる書込電流の電流値又は１つの有機ＥＬ素子２０のアノード−カソード間を流れる駆動電流の電流値であり、横軸は１つの駆動トランジスタ２３のソース２３ｓ−ドレイン２３ｄ間の電圧（同時に１つの駆動トランジスタ２３のゲート２３ｇ−ドレイン２３ｄ間の電圧）である。図中、実線Ｉds maxは、最高輝度階調（最も明るい表示）のときの書込電流及び駆動電流であり、一点鎖線Ｉds midは、最高輝度階調と最低輝度階調との間の中間輝度階調のときの書込電流及び駆動電流であり、二点鎖線Ｖpoは駆動トランジスタ２３の不飽和領域（線形領域）と飽和領域との閾値つまりピンチオフ電圧であり、三点鎖線Ｖdsは駆動トランジスタ２３のソース２３ｓ−ドレイン２３ｄ間を流れる書込電流であり、破線Ｉelは有機ＥＬ素子２０のアノード−カソード間を流れる駆動電流である。

ここで電圧ＶP1は、最高輝度階調時の駆動トランジスタ２３のピンチオフ電圧であり、電圧ＶP2は、駆動トランジスタ２３が最高輝度階調の書込電流が流れるときのソース−ドレイン間電圧であり、電圧ＶELmax（電圧ＶP4−電圧ＶP3）は有機ＥＬ素子２０が最高輝度階調の書込電流と電流値が等しい最高輝度階調の駆動電流で発光するときのアノード−カソード間の電圧である。電圧ＶP2’は、駆動トランジスタ２３が中間輝度階調の書込電流が流れるときのソース−ドレイン間電圧であり、電圧（電圧ＶP4’−電圧ＶP3’）は有機ＥＬ素子２０が中間輝度階調の書込電流と電流値が等しい中間輝度階調の駆動電流で発光するときのアノード−カソード間電圧である。

駆動トランジスタ２３及び有機ＥＬ素子２０はいずれも飽和領域で駆動させるために、（給電配線９０の発光期間時の電圧ＶH）から（共通配線９１の発光期間時の電圧Ｖcom）を差し引いた値ＶXは下記の式（２）を満たす。

ＶX＝Ｖpo＋Ｖth＋Ｖm＋ＶEL ・・・・・（２）

Ｖth（最高輝度時の場合ＶP2−ＶP1に等しい）は駆動トランジスタ２３の閾値電圧であり、ＶEL（最高輝度時の場合ＶELmaxに等しい）は有機ＥＬ素子２０のアノード−カソード間電圧であり、Ｖmは、階調に応じて変位する許容電圧である。

図から明らかなように、電圧ＶXのうち、輝度階調が高くなる程、トランジスタ２３のソース−ドレイン間に要する電圧（Ｖpo＋Ｖth）が高くなるとともに有機ＥＬ素子２０のアノード−カソード間に要する電圧ＶELが高くなる。したがって、許容電圧Ｖmは、輝度階調が高くなるほど低くなり、最小許容電圧ＶmminはＶP3−ＶP2となる。

有機ＥＬ素子２０は低分子ＥＬ材料及び高分子ＥＬ材料にかかわらず一般的に経時劣化し、高抵抗化する。１００００時間後のアノード−カソード間電圧は初期時の１．４倍程度になることが確認されている。つまり、電圧ＶELは、同じ輝度階調時でも時間が経つ程高くなる。このため、駆動初期時の許容電圧Ｖmが高い程長期間にわたって動作が安定するので、電圧ＶELが８Ｖ以上、より望ましくは１３Ｖ以上となるように電圧ＶXを設定している。

この許容電圧Ｖmには、有機ＥＬ素子２０の高抵抗化ばかりでなく、さらに、給電配線９０による電圧降下の分も含まれる。

給電配線９０の配線抵抗のために電圧降下が大きいとＥＬディスプレイパネル１の消費電力が著しく増大してしまうため、給電配線９０の電圧降下は１Ｖ以下に設定することが特に好ましい。

行方向の一つの画素の長さである画素幅Ｗpと、行方向の画素数（１３６６）と、画素領域以外における引き回し配線９０ａから配線端子９０ｂまでの延長部分と、画素領域以外における引き回し配線９０ａから配線端子９０ｃまでの延長部分と、を考慮した結果、ＥＬディスプレイパネル１のパネルサイズが３２インチ、４０インチの場合、引き回し配線９０ａの全長はそれぞれ７０６．７ｍｍ、８９５．２ｍｍとなる。ここで、給電配線９０の線幅ＷL及び共通配線９１の線幅ＷLが広くなると、構造上有機ＥＬ層２０ｂの面積が小さくなり、さらに他の配線との重なり寄生容量を発生してさらなる電圧降下をもたらすため、給電配線９０の幅ＷL及び共通配線９１の線幅ＷLはそれぞれ画素幅Ｗpの５分の１以下に抑えることが望ましい。このようなことを考慮すると、ＥＬディスプレイパネル１のパネルサイズが３２インチ、４０インチの場合、幅ＷLはそれぞれ３４μｍ以内、４４μｍ以内となる。また給電配線９０及び共通配線９１の最大膜厚Ｈmaxはアスペクト比を考慮すると、トランジスタ２１〜２３の最小加工寸法４μｍの１．５倍、つまり６μｍとなる。したがって給電配線９０及び共通配線９１の最大断面積Ｓmaxは３２インチ、４０インチで、それぞれ２０４μｍ²、２６４μｍ²となる。

このような３２インチのＥＬディスプレイパネル１について、最大電流が流れるように全点灯したときの給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの最大電圧降下を１Ｖ以下にするためには図１１に示すように、給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの配線抵抗率ρ／断面積Ｓは４．７Ω／ｃｍ以下に設定される必要がある。図１２に３２インチのＥＬディスプレイパネル１の給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの断面積と電流密度の相関関係を表す。なお、上述した給電配線９０及び共通配線９１の最大断面積Ｓmax時に許容される抵抗率は、３２インチで９．６μΩｃｍ、４０インチで６．４μΩｃｍとなる。

そして、４０インチのＥＬディスプレイパネル１について、最大電流が流れるように全点灯したときの給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの最大電圧降下を１Ｖ以下にするためには図１３に示すように、給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの配線抵抗率ρ／断面積Ｓは２．４Ω／ｃｍ以下に設定される必要がある。図１４に４０インチのＥＬディスプレイパネル１の給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの断面積と電流密度の相関関係を表す。

給電配線９０及び共通配線９１の故障により動作しなくなる故障寿命ＭＴＦは、下記の式（３）を満たす。

ＭＴＦ＝Ａ ｅｘｐ（Ｅａ／Ｋ_bＴ）／ρＪ² ・・・・・（３）

Ｅａは活性化エネルギー、Ｋ_bＴ＝８．６１７×１０―⁵ｅＶ、ρは給電配線９０及び共通配線９１の抵抗率、Ｊは電流密度である。

給電配線９０及び共通配線９１の故障寿命ＭＴＦは抵抗率の増大及びエレクトロマイグレーションに律速する。給電配線９０及び共通配線９１をＡｌ系（ＡｌＴｉ及びＡｌＮｄ等の合金又はＡｌ単体）に設定し、ＭＴＦが１００００時間、８５℃の動作温度で試算すると、電流密度Ｊは２．１×１０⁴Ａ／ｃｍ²以下にする必要がある。同様に給電配線９０及び共通配線９１をＣｕに設定すると、２．８×１０⁶Ａ／ｃｍ²以下にする必要がある。なおＡｌ合金内のＡｌ以外の材料はＡｌよりも低い抵抗率であることを前提としている。

これらのことを考慮して、３２インチのＥＬディスプレイパネル１では、全点灯状態で１００００時間に給電配線９０及び共通配線９１が故障しないようなＡｌ系の給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの断面積Ｓは、図１２から、５７μｍ²以上必要になり、同様にＣｕの給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの断面積Ｓは、図１２から、０．４３μｍ²以上必要になる。

そして４０インチのＥＬディスプレイパネル１では、全点灯状態で１００００時間に給電配線９０及び共通配線９１が故障しないようなＡｌ系の給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの断面積Ｓは、図１４から、９２μｍ²以上必要になり、同様にＣｕの給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの断面積Ｓは、図１４から、０．６９μｍ²以上必要になる。

Ａｌ系の給電配線９０及び共通配線９１では、Ａｌ系の抵抗率が４．００μΩｃｍとすると、３２インチのＥＬディスプレイパネル１では上述のように配線抵抗率ρ／断面積Ｓが４．７Ω／ｃｍ以下なので、最小断面積Ｓminは８５．１μｍ²となる。このとき上述のように給電配線９０及び共通配線９１の配線幅ＷLは３４μｍ以内なので給電配線９０及び共通配線９１の最小膜厚Ｈminは２．５０μｍとなる。

またＡｌ系の給電配線９０及び共通配線９１の４０インチのＥＬディスプレイパネル１では上述のように配線抵抗率ρ／断面積Ｓが２．４Ω／ｃｍ以下なので、最小断面積Ｓminは１６７μｍ²となる。このとき上述のように給電配線９０及び共通配線９１の配線幅ＷLは４４μｍ以内なので給電配線９０及び共通配線９１の最小膜厚Ｈminは３．８０μｍとなる。

Ｃｕの給電配線９０及び共通配線９１では、Ｃｕの抵抗率が２．１０μΩｃｍとすると、３２インチのＥＬディスプレイパネル１では上述のように配線抵抗率ρ／断面積Ｓが４．７Ω／ｃｍ以下なので、最小断面積Ｓminは４４．７μｍ²となる。このとき上述のように給電配線９０及び共通配線９１の配線幅ＷLは３４μｍ以内なので給電配線９０及び共通配線９１の最小膜厚Ｈminは１．３１μｍとなる。

またＣｕの給電配線９０及び共通配線９１の４０インチのＥＬディスプレイパネル１では上述のように配線抵抗率ρ／断面積Ｓが２．４Ω／ｃｍ以下なので、最小断面積Ｓminは８７．５μｍ²となる。このとき上述のように給電配線９０及び共通配線９１の配線幅ＷLは４４μｍ以内なので給電配線９０及び共通配線９１の最小膜厚Ｈminは１．９９μｍとなる。

以上のことから、ＥＬディスプレイパネル１を正常且つ消費電力を低く動作させるには、給電配線９０及び共通配線９１での電圧降下を１Ｖ以下にした方が好ましく、このような条件にするには、給電配線９０及び共通配線９１がＡｌ系の３２インチのパネルでは、膜厚Ｈが２．５０μｍ〜６μｍ、幅ＷLが１４．１μｍ〜３４．０μｍ、抵抗率が４．０μΩｃｍ〜９．６μΩｃｍとなり、給電配線９０及び共通配線９１がＡｌ系の４０インチのパネルでは、給電配線９０及び共通配線９１がＡｌ系の場合、膜厚Ｈが３．８０μｍ〜６μｍ、幅ＷLが２７．８μｍ〜４４．０μｍ、抵抗率が４．０μΩｃｍ〜９．６μΩｃｍとなる。

総じてＡｌ系の給電配線９０及び共通配線９１の場合、膜厚Ｈが２．５０μｍ〜６μｍ、幅ＷLが１４．１μｍ〜４４μｍ、抵抗率が４．０μΩｃｍ〜９．６μΩｃｍとなる。
同様に、給電配線９０及び共通配線９１がＣｕの３２インチのパネルでは、膜厚Ｈが１．３１μｍ〜６μｍ、幅ＷLが７．４５μｍ〜３４μｍ、抵抗率が２．１μΩｃｍ〜９．６μΩｃｍとなり、給電配線９０及び共通配線９１がＣｕの４０インチのパネルでは、給電配線９０及び共通配線９１がＣｕ系の場合、膜厚Ｈが１．９９μｍ〜６μｍ、幅ＷLが１４．６μｍ〜４４．０μｍ、抵抗率が２．１μΩｃｍ〜９．６μΩｃｍとなる。

総じてＣｕの給電配線９０及び共通配線９１の場合、膜厚Ｈが１．３１μｍ〜６μｍ、幅ＷLが７．４５μｍ〜４４μｍ、抵抗率が２．１μΩｃｍ〜９．６μΩｃｍとなる。

したがって、給電配線９０及び共通配線９１としてＡｌ系材料又はＣｕを適用した場合、ＥＬディスプレイパネル１の給電配線９０及び共通配線９１は、膜厚Ｈが１．３１μｍ〜６μｍ、幅ＷLが７．４５μｍ〜４４μｍ、抵抗率が２．１μΩｃｍ〜９．６μΩｃｍとなる。

以上のように、給電配線９０を流れる電流の大きさは一列の走査線Ｘ_iに接続されたｎ個の有機ＥＬ素子２０に流れる駆動電流の大きさの和になるので、ＶＧＡ以上の画素数で動画駆動するための選択期間に設定した場合、給電配線９０の寄生容量が増大してしまい、薄膜トランジスタのゲート又はソース、ドレインのような薄膜ではｎ個の有機ＥＬ素子２０に書込電流（つまり駆動電流）を流すには抵抗が高すぎるが、本実施形態では、画素回路Ｐ_1,1〜Ｐ_m,nの薄膜トランジスタのゲート、ソース及びドレインとは異なる導電層によって給電配線９０の少なくとも一部を構成しているので短い選択期間であっても遅延なく十分に書込電流（引抜電流）を流すことができる。そして、給電配線９０を厚くすることで給電配線９０を低抵抗化したので、給電配線９０の幅を狭くすることができる。そのため、ボトムエミッションの場合、画素開口率の減少を最小限に抑えることができる。

同様に、発光期間に共通配線９１に流れる駆動電流の大きさは、選択期間に給電配線９０に流れる書込電流（引抜電流）の大きさと同じなので、画素回路Ｐ_1,1〜Ｐ_m,nの薄膜トランジスタのゲート、ソース及びドレインとは異なる導電層を対向電極２０ｃに接続しているので、配線９１を厚膜にすることができ、共通配線９１を低抵抗化することができ、さらに対向電極２０ｃ自体が薄膜化してより高抵抗になっても対向電極２０ｃの電圧を面内で一様にすることができる。従って、仮に全ての画素電極２０ａに同じ電位を印加した場合でも、どの有機ＥＬ層２０ｂの発光強度もほぼ等しくなり、面内の発光強度を一様することができる。

また、ＥＬディスプレイパネル１をトップエミッション型として用いた場合、対向電極２０ｃをより薄膜化ことが可能なので、有機ＥＬ層２０ｂを発した光が対向電極２０ｃを透過中に減衰し難くなる。更に、平面視して水平方向に隣り合う画素電極２０ａの間に共通配線９１が設けられているため、画素開口率の減少を最小限に抑えることができる。

ＥＬディスプレイパネル１では、信号線Ｙ₁〜Ｙ_nは、マトリックス画素の構造上、走査線Ｘ₁〜Ｘ_mと必然的に交差しているのでいずれか一方をトランジスタ２１〜２３のゲート導電層とし、他方をトランジスタ２１〜２３のソース、ドレイン導電層としなければならない。信号線Ｙ₁〜Ｙ_nと直交する走査線Ｘ₁〜Ｘ_mが水平方向に延在しているため、供給線Ｚ₁〜Ｚ_mをそれぞれ独立して時間差的に当該選択期間のみローレベルとし、それ以外の期間をハイレベルにすると、供給線Ｚ₁〜Ｚ_mを水平方向に配置し、さらに、給電配線９０，９０，…を、行毎に設けられた供給線Ｚ₁〜Ｚ_mにそれぞれ接続しなければならないため、必然的に給電配線９０，９０，…を水平方向に延在しなければならなかった。

このように給電配線９０，９０，…を水平方向に延在し、これに合わせて共通配線９１を水平方向に延在させると、有機ＥＬ素子２０のＲＧＢの発光色の画素行数はｍ本となる。ＥＬディスプレイパネル１は一般的に縦横比では、横方向に長い。つまり、水平方向の画素数ｎは、垂直方向の画素数ｍより大きい。

対して本実施形態では、供給線Ｚ₁〜Ｚ_m及び給電配線９０，９０，…を共通電位にしているので給電配線９０，９０，…の延在方向を走査線Ｘ₁〜Ｘ_m及び供給線Ｚ₁〜Ｚ_mの延在方向に合わせる必要がなく、給電配線９０，９０，…を走査線Ｘ₁〜Ｘ_m及び供給線Ｚ₁〜Ｚ_mと直交するようにレイアウトできる。このため、給電配線９０，９０，…及び共通配線９１，９１，…を垂直方向に延在させて、これらを有機ＥＬ層２０ｂを左右に仕切る金属隔壁として用い、有機ＥＬ素子２０の同色に発光する有機ＥＬ層２０ｂを垂直方向に延在するストライプ形状としている。したがって、有機ＥＬ素子２０のＲＧＢの発光色の画素列数は、給電配線９０及び共通配線９１の延在方向を水平方向に設計した場合のＲＧＢの発光色の画素行数よりも多いため、より色分解能に優れた表示を行うことができる。

〔変形例１〕
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行っても良い。

上記実施形態では、共通配線９１と給電配線９０が交互に配列されているが、図１５に示したＥＬディスプレイパネル１０１のように、垂直方向に隣り合う画素電極２０ａの間が全て給電配線９０であっても良い。その場合、共通配線９１は給電配線９０と同一面に形成されているのではなく、給電配線９０の上方を絶縁する絶縁膜上に設ければ良いが、平面視して水平方向に各画素電極２０ａを仕切るように（ｍ＋１）本の共通配線９１を配置することが望ましい。共通配線９１，９１，…は画素毎に設けられたこの絶縁膜のコンタクトホールを介して各画素の対向電極２０ｃにそれぞれ接続されている。給電配線９０は、垂直方向に有機ＥＬ層２０ｂを仕切っている構造なので、画素回路Ｐ_1,j，Ｐ_2,j，Ｐ_3,j，…，Ｐ_m,jの有機ＥＬ素子２０となる領域に有機ＥＬ層２０ｂとなる溶液が塗着すると、溶液が水平方向に隣接する画素回路Ｐ_1,(j-1)，Ｐ_2,(j-1)，Ｐ_3,(j-1)，…，Ｐ_m,(j-1)やＰ_1,(j+1)，Ｐ_2,(j+1)，Ｐ_3,(j+1)，…，Ｐ_m,(j+1)の有機ＥＬ素子２０となる領域に行かないように堰き止める。なお、図１５に示されたＥＬディスプレイパネル１０１と図１に示されたＥＬディスプレイパネル１の間で互いに対応する部分に同一の符号を付す。

〔変形例２〕
また、上記実施形態、上記変形例では、供給線Ｚ₁〜Ｚ_mがあり、供給線Ｚ₁〜Ｚ_m及びコンタクトホール５３介して給電配線９０がトランジスタ２２，２３のドレイン２２ｄ，２３ｄに導通しているが、供給線Ｚ₁〜Ｚ_mがなく、給電配線９０がコンタクトホール５３を介してトランジスタ２２，２３のドレイン２２ｄ，２３ｄに導通しても良い。

〔変形例３〕
また、上記実施形態、上記各変形例では、トランジスタ２１〜２３がＮチャネル型の電界効果トランジスタとして説明を行った。トランジスタ２１〜２３がＰチャネル型の電界効果トランジスタであっても良い。その場合、図２の回路構成では、トランジスタ２１〜２３のソース２１ｓ，２２ｓ，２３ｓとトランジスタ２１〜２３のドレイン２１ｄ，２２ｄ，２３ｄの関係が逆になる。例えば、駆動トランジスタ２３がＰチャネル型の電界効果トランジスタの場合には、駆動トランジスタ２３のドレイン２３ｄが有機ＥＬ素子２０の画素電極２０ａに導通し、ソース２３ｓが供給線Ｚ_iに導通する。

〔変形例４〕
また、上記実施形態、上記各変形例では、信号線Ｙ₁〜Ｙ_nがゲート２１ｇ，２２ｇ，ゲート２３ｇの元となる導電性膜からパターニングされたものであるが、信号線Ｙ₁〜Ｙ_nがソース２１ｓ，２２ｓ，２３ｓ及びドレイン２１ｄ，２２ｄ，２３ｄの元となる導電性膜からパターニングされたものでも良い。この場合、走査線Ｘ₁〜Ｘ_m及び供給線Ｚ₁〜Ｚ_mがゲート２１ｇ，２２ｇ，ゲート２３ｇの元となる導電性膜からパターニングされたものとなり、信号線Ｙ₁〜Ｙ_nが走査線Ｘ₁〜Ｘ_m及び供給線Ｚ₁〜Ｚ_mよりも上層になる。

〔変形例５〕
また、上記実施形態、上記各変形例では、一画素につき３つのトランジスタ２１〜２３が設けられているが、有機ＥＬ素子にソース又はドレインが直列に接続された駆動トランジスタを備え付けたＥＬディスプレイパネルであれば、トランジスタの数、電流駆動、電圧駆動の制限なく本発明を適用することができる。

〔変形例６〕
また上記実施形態、上記各変形例では、各保持トランジスタ２２のドレイン２２ｄは供給線Ｚ₁〜Ｚ_mのいずれかに接続されているが、これに限らず、各画素回路Ｐ_i,1，Ｐ_i,2，Ｐ_i,3，……Ｐ_i,nの保持トランジスタ２２のドレイン２２ｄを走査線Ｘ_iに接続するようにしてもよい。
また上記変形例を複数組み合わせてもよい。

〔変形例７〕
また上記実施形態、上記各変形例では書込電流となる電圧ＶＬ及び駆動電流となる電圧ＶＨを、給電配線９０に配線端子９０ｂ、９０ｃの両方から供給して給電配線９０の電圧降下を低くしたが、電圧降下が高くてもよい設計であれば配線端子９０ｂ、９０ｃのいずれか片方のみから供給するようにしてもよい。

［第２の実施の形態］
第２実施形態として、ＥＬディスプレイの製造方法について図１６を用いて説明する。なお、第２実施形態と第１実施形態とのあいだで互いに対応する部分には同一の符号を付して説明する。本実施形態では、給電配線９０をトランジスタアレイパネル５０の平坦化膜３３内に埋設し、所定方向に配列している画素電極２０ａ間には、共通配線９１のみが介在している。

まず、絶縁基板２に対して気相成長法（例えば、スパッタリング）、フォトリソグラフィー法、エッチング法を適宜何回か行った後に、スピンコート法によって樹脂の平坦化膜３３を成膜することによって、トランジスタアレイパネル５０を製造する。

次に、トランジスタアレイパネル５０の表面に透明導電性膜を気相成長法により成膜し、その透明導電性膜をフォトリソグラフィー法・エッチング法によって形状加工することによって、複数の画素電極２０ａをマトリクス状に配列するよう形成する。

次に、気相成長法、フォトリソグラフィー法、エッチング法を順に行うことによって、網目状の絶縁膜５２Ａをパターニングする。絶縁膜５２Ａのパターニングに際しては、絶縁膜５２Ａにはマトリクス状の開口を形成し、絶縁膜５２Ａの各開口において画素電極２０ａを露出させるが、画素電極２０ａの縁部分を絶縁膜５２Ａによって覆う。

次に、画素電極２０ａの間を縫うように複数の共通配線９１を凸設させる。具体的には、メッキ法によって絶縁膜５２Ａ上に複数の共通配線９１を成長させる。ここで、水平方向に隣り合う画素電極２０ａの間において垂直方向に延在させるよう共通配線９１を形成する。メッキ法によって共通配線９１を成長させたので、共通配線９１の高さは絶縁膜５２Ａ、画素電極２０ａの厚みよりも大きい。共通配線９１の材料としては、銅、銀又は金を用いると良い。

次に、トランジスタアレイパネル５０の表面に向けて特に画素電極２０ａに向けて、紫外線を照射することによって、画素電極２０ａの表面の濡れ性を向上させて画素電極２０ａを親液化する。

次に、添加剤として水酸化ナトリムを加えたトリアジンチオール誘導体（例えば、次の化学式）の水溶液を調整する。ここで、溶媒を純水とし、水酸化ナトリウムを加えたトリアジンチオール誘導体の濃度を２．０×１０^-3ｍｏｌ／ｌとする。

次に、１５℃〜５０℃においてトリアジンチオール誘導体の水溶液にトランジスタアレイパネル５０を５分〜３０分間、浸漬する。トリアジンチオール誘導体のチオール基は、撥液性を示す程度に選択的に金属と化学結合するが、金属酸化物や絶縁膜に対して撥液性を示すほど化学結合することはない。したがって、共通配線９１の表面に撥液性を示す程度にトリアジンチール誘導体の撥液性導通膜５５を形成するが、表面がＩＴＯ等の透明な金属酸化物で形成された画素電極２０ａ及び無機化合物で形成された絶縁膜５２Ａの表面には撥液性を示す程度にトリアジンチオール誘導体の膜が形成されない。なお、例えば、浸漬時間を浸漬時間１０分にする。

次に、エタノールにてトランジスタアレイ基板５０に付着した余分なトリアジンチオール誘導体を除去する。このようにエタノールでトランジスタアレイ基板５０を洗浄することで、画素電極２０ａの表面に堆積した余分なトリアジンチオール誘導体を除去することができ、画素電極２０ａの濡れ性の低下を抑えることができる。なお、共通配線９１の表面の撥液性導通膜５５は化学結合により共通配線９１に固着しているのでエタノールでも除去されない。なお、洗浄効果があればメタノール等のアルコール類やアセトアルデヒド類等の有機溶剤でもよい。

次に、トランジスタアレイ基板５０を純水にて洗浄し、その後、窒素ガスといった不活性ガスをトランジスタアレイ基板５０に吹き付けることでトランジスタアレイ基板５０を乾燥させる。

次に、正孔注入材料（例えば、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を分散媒に分散した有機化合物分散液又は正孔注入材料を溶媒に溶解した有機化合物溶液を画素電極２０ａに塗布し、その後発光材料（例えば、ポリフルオレン系発光材料）の分散媒又は溶液をその上に塗布する。正孔注入材料の溶媒又は分散媒として純水が望ましく、発光材料の溶媒又は分散媒としてメシチレンが望ましい。このような塗布によって、それぞれの画素電極２０ａの上に有機化合物からなる有機ＥＬ層２０ｂを形成する。ここで、厚膜の共通配線９１が設けられているから、更には共通配線９１の表面に撥液性導通膜５５がコーティングされているから、隣り合う画素電極２０ａに塗布された溶液又は分散媒が共通配線９１を越えて混ざり合わない。そのため、画素電極２０ａ上に膜厚が均一な有機ＥＬ層２０ｂを形成することができる。なお、塗布方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。

次に、気相成長法により対向電極２０ｃをべた一面に成膜する。以上により、ＥＬディスプレイパネルが完成する。

以上のように本実施形態によれば、対向電極２０ｃが厚膜の共通配線９１に対して導電した状態でべた一面に成膜されているので、対向電極２０ｃ自体が薄膜化してより高抵抗になっても対向電極２０ｃの電圧を面内のどの箇所でも一様にすることができる。従って、仮に全ての画素電極２０ａに同じ電位を印加した場合でも、どの有機ＥＬ層２０ｂの発光強度もほぼ等しくなり、面内の発光強度を一様することができる。
また上記各実施形態では、給電配線９０及び共通配線９１の少なくとも一方はメッキ法によって形成されたが、これに限らず、形成すべき領域に開口部を設けたレジストの開口部に金属微粒子を含むインクを埋設後、乾燥、焼結して給電配線９０及び共通配線９１の少なくとも一方を形成するようにしてもよい。

以下、本発明の実施例について説明する。
Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、ＩＴＯ又はＳｉＮの薄膜上に上述の撥液性導通膜５５と同様に撥液性導通膜を成膜した場合、純水又はメシチレンに対する接触角を測定した。その結果を表１に示す。なお、Ｃｕ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｒ、ＩＴＯはスパッタリングによって成膜し、Ａｇはナノメタルインクをコーティングした後に焼成したものであり、ＳｉＮはプラズマＣＶＤ法によって成膜した。表１から明らかなように、純水の場合、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕでは接触角が１００°を越えて、その他では２０°未満である。また、メシチレンの場合には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕでは接触角が４０°を越え、強い撥液性を示した。他の導電膜では純水とメシチレンによる接触角に顕著な差がなかった。従って、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕが共通配線９１の材料として適し、また、画素電極２０ａ上に直接接触する有機ＥＬ層２０ｂとなる有機化合物を含有する有機化合物含有液の溶剤としてはメシチレンのような有機溶剤の方が好ましいことがわかる。

また比較例として、溶剤を塗布前にＯ_２プラズマ処理を行った例、Ｏ_２プラズマ処理及びＣＦ_４プラズマ処理を行った例、隔壁にフッ素コーティングを行った例において、溶剤との接触角を測定した。

Ｏ_２プラズマ処理では、共通配線９１のような金属隔壁と異なってポリイミドを隔壁として用いた場合、画素電極が親液化処理を行うことができたが、同時に隔壁も親液化処理化されてしまい、純水及びメシチレンを溶剤として成膜すると、隔壁や絶縁ライン寄りの画素電極の周縁で膜厚が厚く中央部で薄くなってしまっていた。
Ｏ_２プラズマ処理後にＣＦ_４プラズマ処理を行った場合、隔壁を選択的に撥液化できたが、純水及びメシチレンの接触角が本実施例のＣｕ、Ａｇ、Ａｕに比べて劣っていた。また隔壁が金属ではないので、隔壁を配線として利用できない。
Ａｕからなる隔壁にフッ素コーティング（KP801M 信越化学製）を行った場合、隔壁が撥液性を示したが、画素電極まで撥液性を示してしまい、画素電極上に均一な膜厚に塗布できなかった。
このように比較例では、撥液性を十分示さないか、隔壁と画素電極との選択性はあっても本願発明より劣るか、撥液性を示しても隔壁と画素電極との選択性がないことが確認された。

ＥＬディスプレイパネル１の回路構成を絶縁基板２とともに示した図面である。 ＥＬディスプレイパネル１の画素回路Ｐ_i,jの等価回路図である。 ＥＬディスプレイパネル１の画素回路Ｐ_i,j及び画素回路Ｐ_i,j+1の電極を示した平面図である。 駆動トランジスタ２３のチャネル幅に直交する面で破断した断面図である。 図３に示されたV−V線の矢視断面図である。 図３に示されたVI−VI線の矢視断面図である。 撥液性導通膜５５の被膜構造を示した模式図である。 ＥＬディスプレイパネル１の有機ＥＬ層のレイアウトを示す略平面図である。 ＥＬディスプレイパネル１の動作を説明するためのタイミングチャートである。 各画素回路Ｐ_1,1〜Ｐ_m,nの駆動トランジスタ２３及び有機ＥＬ素子２０の電流−電圧特性を示すグラフである。 ３２インチのＥＬディスプレイパネル１の給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの最大電圧降下と配線抵抗率ρ／断面積Ｓの相関を示すグラフである。 ３２インチのＥＬディスプレイパネル１の給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの断面積と電流密度の相関を示すグラフである。 ４０インチのＥＬディスプレイパネル１の給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの最大電圧降下と配線抵抗率ρ／断面積Ｓの相関を示すグラフである。 ４０インチのＥＬディスプレイパネル１の給電配線９０及び共通配線９１のそれぞれの断面積と電流密度の相関を示すグラフである。 変形例のＥＬディスプレイパネル１の回路構成を示した図面である。 第２の実施形態のＥＬディスプレイの概略断面図である。

符号の説明

１ ＥＬディスプレイパネル
２ 絶縁基板
２０ａ 画素電極
２０ｂ 有機ＥＬ層
２０ｃ 対向電極
２３ 駆動トランジスタ２３
２３ｄ ドレイン
２３ｓ ソース
２３ｇ ゲート
３２ 保護絶縁膜
５４ 撥液性絶縁膜
９０ 給電配線
Ｙ₁〜Ｙ_n 信号線
Ｚ₁〜Ｚ_m 供給線

Claims (24)

1. 基板と、
   前記基板上にマトリクス状に配列された複数の駆動トランジスタと、
   前記複数の駆動トランジスタのドレイン・ソースとゲートのうちの一方とともにパターニングされ、前記基板上において互いに平行となるよう配列された複数の信号線と、
   前記複数の信号線及び前記複数の駆動トランジスタを被覆した保護絶縁膜と、
   前記複数の駆動トランジスタそれぞれのソースとドレインの一方に導通した複数の画素電極と、
   前記複数の画素電極それぞれに成膜された複数の発光層と、
   前記信号線と平行となるよう前記保護絶縁膜上に形成され、前記保護絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記複数の駆動トランジスタのソースとドレインの他方に導通した給電配線と、を備えることを特徴とするディスプレイパネル。
2. 前記給電配線は複数本であり、互いに導通していることを特徴とする請求項１に記載のディスプレイパネル。
3. 前記保護絶縁膜上に、前記複数の給電配線と互い違いに配列された複数の共通配線を有することを特徴とする請求項２に記載のディスプレイパネル。
4. 前記発光層は、前記給電配線と前記共通配線との間に形成されていることを特徴とする請求項３に記載のディスプレイパネル。
5. 前記発光層は、前記給電配線に沿って前記画素電極のうちの複数に連続して形成されていることを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載のディスプレイパネル。
6. 前記給電配線を被覆した撥液性絶縁膜を更に備えていることを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載のディスプレイパネル。
7. 前記複数の駆動トランジスタのドレイン・ソースとゲートの他方とともにパターニングされ、平面視して前記複数の信号線と直交するよう配列され、前記駆動トランジスタのソースとドレインの他方及び前記給電配線に導通した供給線を更に備えていることを特徴とする請求項１から請求項６の何れか一項に記載のディスプレイパネル。
8. 前記給電配線の厚さが１．３１〜６μｍであることを特徴とする請求項１から請求項７の何れか一項に記載のディスプレイパネル。
9. 前記給電配線の幅が７．４５〜４４μｍであることを特徴とする請求項１から請求項８の何れか一項に記載のディスプレイパネル。
10. 前記給電配線の抵抗率が２．１〜９．６μΩｃｍであることを特徴とする請求項１から請求項９の何れか一項に記載のディスプレイパネル。
11. 請求項１から請求項１０の何れか一項に記載のディスプレイパネルを駆動する駆動方法であって、
    クロック信号を前記給電配線に出力することを特徴とするディスプレイパネルの駆動方法。
12. 基板と、
    前記基板に設けられた複数の画素電極と、
    前記画素電極間に配置された金属隔壁と、
    前記金属隔壁に被膜された撥液性導通膜と、
    前記画素電極上に成膜された発光層と、
    を備えることを特徴とするディスプレイパネル。
13. 前記画素電極の表面は金属酸化物であることを特徴とする請求項１２記載のディスプレイパネル。
14. 前記撥液性導通膜は、金属に選択的に被膜することを特徴とする請求項１２または１３に記載のディスプレイパネル。
15. 前記撥液性導通膜はトリアジン化合物を有することを特徴とする請求項１２から請求項１４の何れか一項に記載のディスプレイパネル。
16. 前記発光層は、有機ＥＬ層を有することを特徴とする請求項１２から請求項１５の何れか一項に記載のディスプレイパネル。
17. 前記有機ＥＬ層は、湿式塗布法により成膜されることを特徴とする請求項１６に記載のディスプレイパネル。
18. 前記金属隔壁は、前記発光層に電流を流すための配線を有することを特徴とする請求項１２から請求項１７の何れか一項に記載のディスプレイパネル。
19. 基板に設けられ、表面に撥液性導通膜が被膜された複数の金属隔壁間に配置された画素電極上に、発光層となる有機化合物含有液を塗布することを特徴とするディスプレイパネルの製造方法。
20. 前記画素電極の表面は金属酸化物であることを特徴とする請求項１９に記載のディスプレイパネルの製造方法。
21. 前記撥液性導通膜は、金属に選択的に被膜することを特徴とする請求項１９または２０に記載のディスプレイパネルの製造方法。
22. 前記撥液性導通膜はトリアジン化合物を有することを特徴とする請求項１９から請求項２１の何れか一項に記載のディスプレイパネルの製造方法。
23. 前記発光層は、有機ＥＬ層を有することを特徴とする請求項１９から請求項２２の何れか一項に記載のディスプレイパネルの製造方法。
24. 前記金属隔壁は、前記発光層に電流を流すための配線を有することを特徴とする請求項１９から請求項２３の何れか一項に記載のディスプレイパネルの製造方法。

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