JP2008299940A - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 多値データを記憶したメモリセルを複数配列してなるメモリアレイに対して大きな動作マージンで高速にデータ読み出し可能な半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 第1入力ノードN11から選択メモリセルに流れるメモリセル電流を第1読み出し電圧に変換する第1電流電圧変換回路10、第2入力ノードN21から参照電流を参照電圧に変換する第2電流電圧変換回路20、第1読み出し電圧と参照電圧を比較する比較回路30を備え、第1電流電圧変換回路が第1入力ノードの電圧を所定の上限値以下に制限する第1電圧制限回路12と第1電圧制限回路に電流供給する第1負荷回路11を備え、第2電流電圧変換回路が第2入力ノードの電圧を同じ上限値以下に制限する第2電圧制限回路22と第2電圧制限回路に電流供給する第2負荷回路を備え、第1及び第2入力ノードの上限値の設定が、複数の参照電流の選択状態に応じて切り替え可能に構成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 第1入力ノードN11から選択メモリセルに流れるメモリセル電流を第1読み出し電圧に変換する第1電流電圧変換回路10、第2入力ノードN21から参照電流を参照電圧に変換する第2電流電圧変換回路20、第1読み出し電圧と参照電圧を比較する比較回路30を備え、第1電流電圧変換回路が第1入力ノードの電圧を所定の上限値以下に制限する第1電圧制限回路12と第1電圧制限回路に電流供給する第1負荷回路11を備え、第2電流電圧変換回路が第2入力ノードの電圧を同じ上限値以下に制限する第2電圧制限回路22と第2電圧制限回路に電流供給する第2負荷回路を備え、第1及び第2入力ノードの上限値の設定が、複数の参照電流の選択状態に応じて切り替え可能に構成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体記憶装置に関し、より詳細には、3値以上の多値データを記憶可能なメモリセルを備えてなる半導体記憶装置の読み出し動作マージンの改良及び読み出し速度の高速化技術に関する。
3値以上のデータを記憶可能なメモリセルを備えてなる半導体記憶装置の一例として、代表的な不揮発性半導体記憶装置のフラッシュメモリがある。フラッシュメモリは、ソース、ドレイン、浮遊ゲート、及び、制御ゲートからなるMOSFET構造を有するメモリセルをマトリクス状に配置してなるメモリアレイを備え、浮遊ゲートに保持される電荷量によってMOSFET構造における閾値電圧を調整することで、メモリセル当たり3値以上の多値データを記憶可能とすることで、記憶容量の大容量化を図っている。
メモリセル当たり2値データを記憶する場合には、メモリアレイ内の各メモリセルの閾値電圧は、図11に模式的に示すように、2つの領域に分かれて分布し、例えば、参照閾値電圧VREFより低い閾値電圧分布のメモリセルにデータ“1”を割り当て、参照閾値電圧VREFより高い閾値電圧分布のメモリセルにデータ“0”を割り当てることで、メモリセル数と同じビット数のデータが記憶できる。
これに対し、メモリセル当たり3値以上の多値データ、例えば、4値データを記憶する場合には、メモリアレイ内の各メモリセルの閾値電圧は、図12に模式的に示すように、4つの領域に分かれて分布し、例えば、参照閾値電圧VREFLより低い閾値電圧分布のメモリセルにデータ“11”を割り当て、参照閾値電圧VREFLより高く参照閾値電圧VREFMより低い閾値電圧分布のメモリセルにデータ“10”を割り当て、参照閾値電圧VREFMより高く参照閾値電圧VREFHより低い閾値電圧分布のメモリセルにデータ“01”を割り当て、参照閾値電圧VREFLより高い閾値電圧分布のメモリセルにデータ“00”を割り当てることで、メモリセル数の2倍のビット数のデータが記憶できる。
次に、図11または図12に例示するような閾値電圧分布のメモリセルに記憶されているデータを読み出す方法について簡単に説明する。
先ず、メモリセル当たり2値データが記憶されている場合の読み出し方法(2値読み出し方法)は、読み出し対象のメモリセルを選択し、選択されたメモリセルのソース・ドレイン間、ゲート・ソース間に、浮遊ゲートに保持されている電荷量が変化しない程度(つまり、データの誤消去・誤書き込みが生じない程度)の読み出し電圧を夫々印加して、一例として、ソースに0V,ドレインに1V、ゲートに5Vを印加することで、選択されたメモリセルの閾値電圧VCELLに応じたメモリセル電流ICELLがドレインからソースに流れる。一方、上記参照閾値電圧VREFの参照メモリセルに同じ読み出し電圧を各ノードに印加することで、参照メモリセルのドレインからソースに上記参照閾値電圧VREFに対応した参照電流IREFが流れる。従って、このメモリセル電流ICELLと参照電流IREFを、センスアンプで大小比較することで、メモリセルの閾値電圧VCELLが上記参照閾値電圧VREFに対して何れの閾値電圧分布範囲内に属するかの判定、つまり、データの0/1の判定が可能となる。
次に、メモリセル当たり多値データが記憶されている場合の読み出し方法(多値読み出し方法)の一例について、4値データの場合を例に説明する。2値読み出し方法と同様に、読み出し対象のメモリセルを選択し、選択されたメモリセルのソース・ドレイン間、ゲート・ソース間に、浮遊ゲートに保持されている電荷量が変化しない程度の読み出し電圧を夫々印加して、一例として、ソースに0V,ドレインに1V、ゲートに5Vを印加することで、選択されたメモリセルの閾値電圧VCELLに応じたメモリセル電流ICELLがドレインからソースに流れる。一方、上記中間の参照閾値電圧VREFMの第2参照メモリセルに同じ読み出し電圧を各ノードに印加することで、第2参照メモリセルのドレインからソースに上記参照閾値電圧VREFMに対応した参照電流IREFMが流れる。従って、このメモリセル電流ICELLと参照電流IREFMを、センスアンプで大小比較することで、メモリセルの閾値電圧VCELLが上記参照閾値電圧VREFMに対して何れの閾値電圧分布範囲内に属するかの判定、つまり、データ“11”と“10”、または、データ“01”と“00”の何れのグループに属するかの判定が可能となる。
次に、データ“11”と“10”のグループに属すると判定された場合は、参照メモリセルを参照閾値電圧VREFLの第1参照メモリセルに切り替え、同様の読み出し電圧を各ノードに印加することで、第1参照メモリセルのドレインからソースに上記参照閾値電圧VREFLに対応した参照電流IREFLが流れる。従って、このメモリセル電流ICELLと参照電流IREFLを、センスアンプで大小比較することで、メモリセルの閾値電圧VCELLが上記参照閾値電圧VREFLに対して何れの閾値電圧分布範囲内に属するかの判定、つまり、データ“11”とデータ“10”の何れであるかの判定が可能となる。逆に、データ“01”と“00”のグループに属すると判定された場合は、参照メモリセルを参照閾値電圧VREFHの第3参照メモリセルに切り替え、同様の読み出し電圧を各ノードに印加することで、第3参照メモリセルのドレインからソースに上記参照閾値電圧VREFHに対応した参照電流IREFHが流れる。従って、このメモリセル電流ICELLと参照電流IREFHを、センスアンプで大小比較することで、メモリセルの閾値電圧VCELLが上記参照閾値電圧VREFHに対して何れの閾値電圧分布範囲内に属するかの判定、つまり、データ“01”とデータ“00”の何れであるかの判定が可能となる。以上の2段階でのメモリセル電流と参照電流の比較によって、4値データ(2ビットデータ)の読み出しが可能となる。
尚、上記2値読み出し方法或いは多値読み出し方法に使用されるセンスアンプとしては、下記の特許文献1に開示された図13に示す回路構成のものがある。
以下、図13に示す従来の読み出し回路について簡単に説明する。従来の読み出し回路は、メモリセル電流ICELLと参照電流IREFを各別に電圧に変換する第1及び第2電流電圧変換回路40,50を備え、第1及び第2電流電圧変換回路40,50において夫々電圧に変換された第1読み出し電圧と参照電圧を比較して比較結果信号を出力する比較回路30を備える。
メモリセル電流ICELLは、フラッシュメモリセルを複数配列してなるメモリアレイ1(図13では読み出し対象のメモリセルのみを代表して表示している)の中から行選択回路2と列選択回路3によって選択された読み出し対象のメモリセルに、第1電流電圧変換回路40から供給される電流であり、第1電流電圧変換回路40から列選択回路3を介して選択メモリセルのドレインに印加されるドレイン電圧と、行選択回路2から選択メモリセルのゲートに印加されるゲート電圧と、選択メモリセルの閾値電圧に応じた電流値となる。
一方、参照電流IREFは、互いに閾値電圧が異なる参照用のフラッシュメモリセル(参照メモリセル)を3つ備えた参照セルアレイ4の中から参照セル選択回路5によって選択された1つの参照メモリセルに、第2電流電圧変換回路50から供給される電流であり、第2電流電圧変換回路50から参照セル選択回路5を介して参照メモリセルのドレインに印加されるドレイン電圧と、参照メモリセルのゲートに印加されるゲート電圧と、参照メモリセルの閾値電圧に応じた電流値となる。尚、3つの参照メモリセルの各閾値電圧は、図12に示す3つの参照閾値電圧VREFL、VREFM、VREFHに対応する。
第1及び第2電流電圧変換回路40,50は、等価な回路構成とすることで、メモリセル電流ICELLと参照電流IREFの比較を、夫々対応する電圧値に変換して比較回路30で行うことができる。第1電流電圧変換回路40は、図13に示すように、電源電圧ノードVccと第1入力ノードN41の間に、第1負荷回路41と第1電圧制限回路42を直列に接続して構成される。同様に、第2電流電圧変換回路50は、図13に示すように、電源電圧ノードVccと第2入力ノードN51の間に、第2負荷回路51と第2電圧制限回路52を直列に接続して構成される。
第1及び第2負荷回路41,51は、抵抗やMOSFET等で構成された同じ回路で、第1及び第2電圧制限回路42,52に夫々電流供給する。第1及び第2電圧制限回路42,52は、夫々、N型MOSFETからなるカスケードトランジスタ43,53とインバータ回路44,54を備えて構成された同じ回路である。カスケードトランジスタ43,53の各ドレインが第1及び第2負荷回路41,51と接続して、夫々、電流電圧変換された電圧を出力する第1及び第2出力ノードN42,N52となる。カスケードトランジスタ43,53の各ソースは、第1及び第2入力ノードN41,N51となる。カスケードトランジスタ43,53は、夫々、第1及び第2負荷回路41,51から供給される電流をメモリセル電流ICELLと参照電流IREFとして、第1及び第2入力ノードN41,N51を介して、選択メモリセル及び選択された参照メモリセルに供給する。カスケードトランジスタ43,53の各ゲートは、インバータ回路44,54の出力ノードと接続し、インバータ回路44,54の入力ノードは、第1及び第2入力ノードN41,N51に接続している。
選択メモリセルは、第1電流電圧変換回路40から列選択回路3を介して選択メモリセルのドレインに印加されるドレイン電圧と、行選択回路2から選択メモリセルのゲートに印加されるゲート電圧と、選択メモリセルの閾値電圧に応じたメモリセル電流ICELLを流すが、その電流値は、カスケードトランジスタ43を流れるドレイン・ソース間電流と等しい。つまり、選択メモリセルにメモリセル電流ICELLが流れる条件下では、第1入力ノードN41の電圧レベルが、インバータ回路44の入力反転レベル以下となり、インバータ回路44の出力レベルが、第1入力ノードN41の電圧レベルとカスケードトランジスタ43の閾値電圧の合計より高レベルに遷移して、カスケードトランジスタ43がオン状態になる。
カスケードトランジスタ43のドレイン電圧、つまり、第1出力ノードN42の電圧レベルによって、第1負荷回路41とカスケードトランジスタ43を流れる電流が変化するため、第1出力ノードN42の電圧レベルは、第1負荷回路41とカスケードトランジスタ43を流れる電流がメモリセル電流ICELLと等しくなるように自動的に調整され、メモリセル電流ICELLに依存して決定される電圧値となる。
尚、第1入力ノードN41の電圧レベルが低下するとカスケードトランジスタ43のゲート電圧が上昇するため、第1負荷回路41とカスケードトランジスタ43を流れる電流が増加するので、メモリセル電流ICELLと等しくなるように第1入力ノードN41の電圧レベルの低下が抑制される。
また、第1入力ノードN41の電圧レベルがインバータ回路44の入力反転レベルを僅かに超えると、インバータ回路44の出力レベルが、第1入力ノードN41の電圧レベルとカスケードトランジスタ43の閾値電圧の合計以下となり、カスケードトランジスタ43がオフ状態になるので、第1入力ノードN41の電圧レベルの上限値は、インバータ回路44の入力反転レベルまたはその近傍値となる。従って、選択メモリセルのドレイン電圧は、インバータ回路44の入力反転レベルの設計値によって、所定の電圧レベル(例えば1V)以下に規制される。カスケードトランジスタ43がオフ状態は、メモリセル電流ICELLが流れない状態であるので、メモリアレイ1からメモリセルが選択されていない状態または選択メモリセルの閾値電圧が選択メモリセルのゲート電圧以上の場合が相当する。この場合、第1負荷回路41の電流供給も遮断されるため、第1出力ノードN42の電圧レベルは、第1負荷回路41がカットオフする最大値まで遷移する。第1負荷回路41が抵抗やP型MOSFETで構成されている場合には、電源電圧レベル(VCC)まで上昇する。
以上、図13に示す従来の読み出し回路における選択メモリセルと第1電流電圧変換回路40側の回路動作について説明したが、参照メモリセルと第2電流電圧変換回路50の回路動作についても全く同様であるので、重複する説明は割愛する。
以下、図13に示す従来の読み出し回路における問題点の理解を容易にすべく、選択メモリセルと第1電流電圧変換回路40の電流電圧特性(IV特性)について、図14に示すIV特性図を参照して説明する。
図14中のL1は、第1負荷回路41のIV特性を示しており、横軸が第1出力ノードN42の電圧を示し、縦軸が第1負荷回路41を流れる電流を示す。図14中のL2は、第1出力ノードN42の電圧を電源電圧レベル(VCC)とした場合の第1電圧制限回路42のIV特性を示しており、横軸が第1入力ノードN41の電圧を示し、縦軸が第1電圧制限回路42を流れる電流を示す。説明の簡単のために、L1及びL2のIV特性は直線で近似している。図14中のL3は、L1及びL2のIV特性を合成したIV特性を示しており、横軸が第1入力ノードN41の電圧を示し、縦軸が第1負荷回路41と第1電圧制限回路42を流れる電流を示す。図14中のL4とL5は、選択メモリセルのIV特性を示しており、横軸がドレイン電圧(第1入力ノードN41の電圧)を示し、縦軸がメモリセル電流ICELLを示す。ここで、L4は閾値電圧が低いメモリセル、L5は閾値電圧が高いメモリセルのIV特性を夫々示している。
図14の点Aは、第1入力ノードN41の電圧レベルの上限値(例えば1V)を示しており、点B(L3とL4の交点)及び点C(L3とL5の交点)は、夫々閾値電圧が低いメモリセルと閾値電圧が高いメモリセルにおける動作点を示しており、その各電圧レベルVb及びVcは第1入力ノードN41の電圧レベルを示している。
図14の点Dと点Eは、点Bと点Cの2つの動作点で規定される2つのメモリセル電流ICELLを流す場合の第1負荷回路41の各動作点を示しており、その各電圧レベルVd及びVeは第1出力ノードN42の電圧レベルを示している。つまり、電圧レベルVd及びVeは、閾値電圧が低いメモリセルと閾値電圧が高いメモリセルのメモリセル電流ICELLが第2電流電圧変換回路40で電流電圧変換され、第1出力ノードN42から比較回路30の一方入力端子に出力されることを表している。
以上、図14に示すIV特性図を参照して、従来の読み出し回路における選択メモリセルと第1電流電圧変換回路40のIV特性に静特性(動作点)について説明したが、参照メモリセルと第2電流電圧変換回路50の静特性(動作点)についても全く同様である。図14より、選択メモリセルまたは参照メモリセルの閾値電圧が低いと、そのドレイン電圧が低下することが分かる。
ここで、メモリセル当たり多値データが記憶されている場合、例えば、4値データの場合には、図12に例示するように、メモリセルの閾値電圧分布は4つの領域に分かれる。ここで、多値読み出し方法において使用する参照メモリセルの閾値電圧とメモリセルの閾値電圧分布の上端及び下端との電圧差を大きくすれば、メモリセル電流ICELLと参照電流IREFとの差が大きくなって、第1及び第2出力ノードN42,N52から出力される電圧差が大きくなり、読み出し動作マージンが大きく、高速読み出しが可能となる。
しかし、参照メモリセルの閾値電圧とメモリセルの閾値電圧分布の上端及び下端との電圧差を大きくするには、メモリセルの各閾値電圧分布の分布幅を狭くするか、3つの参照メモリセルの各閾値電圧(参照閾値電圧VREFL、VREFM、VREFH)の間隔を大きくする必要がある。前者の分布幅を狭くするには、メモリセルに印加する書き込み電圧の細かな制御が必要となり、メモリセルの書き込み時間の制約から困難となるため、後者の参照メモリセルの各閾値電圧の間隔を大きくする方法が採られる。
参照メモリセルの各閾値電圧(参照閾値電圧VREFL、VREFM、VREFH)の間隔を大きくすると第3参照メモリセルの閾値電圧(参照閾値電圧VREFH)が高電圧化するため、各参照メモリセル及び選択メモリセルのゲート電圧も同様に高電圧化する。この結果、図14に示す閾値電圧の低いメモリセル及び参照メモリセルのIV特性の電流値が大きくなるため、動作点Bはより低電圧化することになる。
動作点の低電圧化により、選択メモリセル或いは参照メモリセルの動作領域が、飽和領域から非飽和領域に移行し、メモリセル電流ICELL或いは参照電流IREFの電流値が、夫々のドレイン電圧の影響を大きく受けるようになる。つまり、選択メモリセル及び参照メモリセルのドレインの寄生抵抗成分の影響を受け易くなり、メモリアレイを大容量化する場合に、同一列のメモリセルのドレインに接続するビット線の長さが伸びることによって読み出し動作マージンが低下し、高速な読み出し動作が阻害されることになる。
斯かる読み出し動作における問題は、閾値電圧の高い第2または第3参照メモリセルが比較対象として選択されている場合は、選択メモリセルの閾値電圧が低くても、メモリセル電流ICELLと参照電流IREFの電流差が大きいため問題とならないが、閾値電圧の低い第1参照メモリセルが比較対象として選択されている場合は、選択メモリセルと第1参照メモリセルの閾値電圧がともに低く、メモリセル電流ICELLと参照電流IREFの電流差が大きくなく、しかも夫々のドレイン電圧のばらつきの影響を大きく受けるため、読み出し動作マージンの低下が懸念される。
ここで、閾値電圧の低い第1参照メモリセルが比較対象として選択されている場合に、選択メモリセルと第1参照メモリセルのゲート電圧をともに低下させることで、上記問題が解消されるが、この場合、第2参照メモリセルとの1回目の比較動作の後に、ゲート電圧を共通のワード線によって供給されている他の選択メモリセルがある場合に、他の選択メモリセルの1回目の比較動作の結果によって、2回目の比較動作が、第1参照メモリセルではなく第3参照メモリセルを使用する場合があるため、ゲート電圧は、1回目と2回目の比較動作で一定にする必要があり、また、ワード線電圧を読み出し動作の途中で変化させることは、読み出し動作の高速化に逆行することになり、採用できない。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、多値データを記憶したメモリセルを複数配列してなるメモリアレイに対して大きな動作マージンで高速にデータ読み出し可能な半導体記憶装置を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明に係る半導体記憶装置は、3値以上の多値データを記憶可能なメモリセルを複数配列してなるメモリアレイと、前記メモリアレイの中から読み出し対象のメモリセルを選択するメモリセル選択回路と、複数の参照電流を選択的に発生可能な参照電流発生回路と、第1入力ノードから前記メモリセル選択回路によって選択された選択メモリセルに流れるメモリセル電流を第1読み出し電圧に変換して第1出力ノードから出力する第1電流電圧変換回路と、第2入力ノードから前記参照電流発生回路に流れる前記複数の参照電流の1つを参照電圧に変換して第2出力ノードから出力する前記第1電流電圧変換回路と等価な回路構成の第2電流電圧変換回路と、前記第1読み出し電圧と前記参照電圧を比較して第3出力ノードから比較結果信号を出力する比較回路と、を備えてなり、
前記第1電流電圧変換回路が、前記第1出力ノードと前記第1入力ノードの間に前記第1入力ノードの電圧を所定の上限値以下に制限するとともに、前記第1入力ノードの電圧変動を抑制する第1電圧制限回路を備え、電源電圧ノードと前記第1出力ノードの間に前記第1電圧制限回路に電流供給する第1負荷回路を備えてなり、前記第2電流電圧変換回路が、前記第2出力ノードと前記第2入力ノードの間に前記第2入力ノードの電圧を前記上限値以下に制限するとともに、前記第2入力ノードの電圧変動を抑制する前記第1電圧制限回路と等価な第2電圧制限回路を備え、前記電源電圧ノードと前記第2出力ノードの間に前記第2電圧制限回路に電流供給する前記第1負荷回路と等価な第2負荷回路を備えてなり、前記第1電圧制限回路と前記第2電圧制限回路によって夫々制限される前記第1入力ノードと前記第2入力ノードの前記上限値の設定が、前記参照電流発生回路における前記複数の参照電流の選択状態に応じて切り替え可能に構成されていることを第1の特徴とする。
前記第1電流電圧変換回路が、前記第1出力ノードと前記第1入力ノードの間に前記第1入力ノードの電圧を所定の上限値以下に制限するとともに、前記第1入力ノードの電圧変動を抑制する第1電圧制限回路を備え、電源電圧ノードと前記第1出力ノードの間に前記第1電圧制限回路に電流供給する第1負荷回路を備えてなり、前記第2電流電圧変換回路が、前記第2出力ノードと前記第2入力ノードの間に前記第2入力ノードの電圧を前記上限値以下に制限するとともに、前記第2入力ノードの電圧変動を抑制する前記第1電圧制限回路と等価な第2電圧制限回路を備え、前記電源電圧ノードと前記第2出力ノードの間に前記第2電圧制限回路に電流供給する前記第1負荷回路と等価な第2負荷回路を備えてなり、前記第1電圧制限回路と前記第2電圧制限回路によって夫々制限される前記第1入力ノードと前記第2入力ノードの前記上限値の設定が、前記参照電流発生回路における前記複数の参照電流の選択状態に応じて切り替え可能に構成されていることを第1の特徴とする。
上記第1の特徴の半導体記憶装置によれば、図13に示す従来の読み出し回路と同様の多値読み出しが可能である。更に、第1電圧制限回路と第2電圧制限回路によって夫々制限される第1入力ノードと第2入力ノードの上限値の設定が、参照電流発生回路における複数の参照電流の選択状態に応じて切り替え可能に構成されているので、第1入力ノードと第2入力ノードの電圧レベルが低下することによって、読み出し動作マージンが低下する場合に、上限値の設定を高くすることで、第1電圧制限回路と第2電圧制限回路によって抑制される電圧レベルも上昇するため、読み出し動作マージンの低下する条件下において選択的に、読み出し動作マージンの低下を防止できる。
本発明に係る半導体記憶装置は、上記第1の特徴に加えて、更に、前記複数の参照電流が電流値の大小に応じて少なくとも2つのグループに分類され、前記上限値が、前記グループ毎に、前記グループの電流値が小さい程、高電圧となるように設定されていることを第2の特徴とする。
上記第2の特徴の半導体記憶装置によれば、参照電流の数が多い場合において、参照電流毎に上限値の設定を切り替えると、第1電圧制限回路と第2電圧制限回路の回路構成が複雑化するところ、一部の参照電流において、読み出し動作マージンの低下が顕著に発生する場合には、当該一部の参照電流において上限値の設定を切り替えることで、つまり、簡単な回路構成で、上記第1の特徴の作用効果を奏することができるようになる。
本発明に係る半導体記憶装置は、上記第1または第2の特徴に加えて、更に、前記第1電圧制限回路が、ドレインが前記第1出力ノードに、ソースが前記第1入力ノードに夫々接続するN型MOSFETからなる第1カスケードトランジスタと、入力ノードが前記第1入力ノードに、出力ノードが前記第1カスケードトランジスタのゲートに夫々接続する第1インバータ回路と、を備えてなり、
前記第2電圧制限回路が、ドレインが前記第2出力ノードに、ソースが前記第2入力ノードに夫々接続するN型MOSFETからなる第2カスケードトランジスタと、
入力ノードが前記第2入力ノードに、出力ノードが前記第2カスケードトランジスタのゲートに夫々接続する第2インバータ回路と、を備えてなり、
前記第1カスケードトランジスタと前記第2カスケードトランジスタのトランジスタ特性が同じで、前記第1インバータ回路と前記第2インバータ回路が同じインバータ回路で構成され、前記上限値を規定する前記インバータ回路の入力反転レベルが、前記参照電流発生回路における前記複数の参照電流の選択状態に応じて切り替え可能に構成されていることを第3の特徴とする。
前記第2電圧制限回路が、ドレインが前記第2出力ノードに、ソースが前記第2入力ノードに夫々接続するN型MOSFETからなる第2カスケードトランジスタと、
入力ノードが前記第2入力ノードに、出力ノードが前記第2カスケードトランジスタのゲートに夫々接続する第2インバータ回路と、を備えてなり、
前記第1カスケードトランジスタと前記第2カスケードトランジスタのトランジスタ特性が同じで、前記第1インバータ回路と前記第2インバータ回路が同じインバータ回路で構成され、前記上限値を規定する前記インバータ回路の入力反転レベルが、前記参照電流発生回路における前記複数の参照電流の選択状態に応じて切り替え可能に構成されていることを第3の特徴とする。
尚、第1インバータ回路と第2インバータ回路は、活性化状態において、入力電圧レベルが低下すると出力電圧レベルが上昇し、逆に、入力電圧レベルが上昇すると出力電圧レベルが低下する電圧レベル反転回路であり、種々の回路構成のものが可能である。
上記第3の特徴の半導体記憶装置によれば、第1電圧制限回路と第2電圧制限回路の夫々が、N型MOSFETからなるカスケードトランジスタとインバータ回路で構成されるため、第1及び第2入力ノードの電圧を所定の上限値以下に制限するとともに、第1及び第2入力ノードの電圧変動を抑制する電圧制限回路が具体的に実現される。尚、詳細な回路動作については、以下の実施形態において具体例に基づいて説明する。
以下、本発明に係る半導体記憶装置(以下、適宜「本発明装置」と称す)の一実施形態につき、図面に基づいて具体的に説明する。尚、図13に示す従来の読み出し回路と共通する構成要素については同じ符号を付して説明する。
〈第1実施形態〉
図1に、本発明装置の概略のブロック構成を模式的に示す。本発明装置は、メモリセルを複数配列してなるメモリアレイ1と、メモリアレイ1の中から読み出し対象のメモリセルを選択する行選択回路2と列選択回路3(夫々がメモリセル選択回路に相当)と、複数の参照メモリセルを備えた参照セルアレイ4と、参照セルアレイ4の中から1つの参照メモリセルを選択する参照セル選択回路5と、行選択回路2と列選択回路3によって選択された読み出し対象の選択メモリセルに流れるメモリセル電流ICELLを第1読み出し電圧VOUT1に変換する第1電流電圧変換回路10と、参照セル選択回路5よって選択された参照メモリセルを流れる参照電流IREFを参照電圧VOUT2に変換する第2電流電圧変換回路20と、第1及び第2電流電圧変換回路10,20において夫々電圧に変換された第1読み出し電圧VOUT1と参照電圧VOUT2を比較して比較結果信号VREADを出力する比較回路30を備えて構成される。比較結果信号VREADの電圧レベルは、第1読み出し電圧VOUT1を更に増幅した第2読み出し電圧となる。
図1に、本発明装置の概略のブロック構成を模式的に示す。本発明装置は、メモリセルを複数配列してなるメモリアレイ1と、メモリアレイ1の中から読み出し対象のメモリセルを選択する行選択回路2と列選択回路3(夫々がメモリセル選択回路に相当)と、複数の参照メモリセルを備えた参照セルアレイ4と、参照セルアレイ4の中から1つの参照メモリセルを選択する参照セル選択回路5と、行選択回路2と列選択回路3によって選択された読み出し対象の選択メモリセルに流れるメモリセル電流ICELLを第1読み出し電圧VOUT1に変換する第1電流電圧変換回路10と、参照セル選択回路5よって選択された参照メモリセルを流れる参照電流IREFを参照電圧VOUT2に変換する第2電流電圧変換回路20と、第1及び第2電流電圧変換回路10,20において夫々電圧に変換された第1読み出し電圧VOUT1と参照電圧VOUT2を比較して比較結果信号VREADを出力する比較回路30を備えて構成される。比較結果信号VREADの電圧レベルは、第1読み出し電圧VOUT1を更に増幅した第2読み出し電圧となる。
メモリアレイ1を構成するメモリセル及び参照メモリセルとして、本実施形態では、3値以上の多値データを記憶可能なフラッシュメモリセルを想定する。フラッシュメモリセルは、ソース、ドレイン、浮遊ゲート、及び、制御ゲートからなるMOSFET構造を有し、浮遊ゲートに保持される電荷量によってMOSFET構造における閾値電圧が変化することで3値以上のデータを記憶可能な不揮発性メモリセルである。尚、メモリセル及び参照メモリセルは、フラッシュメモリセルに限定されるものではなく、例えば、保持される電荷量によって閾値電圧を制御する電荷蓄積領域が浮遊ゲートではなく、ONO(SiO2−SiN−SiO2)膜等の離散的な電荷トラップ領域を有する絶縁膜で構成される不揮発性メモリセルでも良く、本発明装置は、種々の記憶原理に基づくメモリセルに適用可能である。本実施形態では、メモリアレイ1内の各メモリセルは4値データ(図12参照)を記憶可能な場合を想定している。
また、図1では、メモリアレイ1中に読み出し対象のメモリセルのみを代表して表示しているが、実際には、メモリセルが行及び列方向にマトリクス状に配置され、同一行のメモリセルの制御ゲート(以下、単にゲートと称す)が共通のワード線WLに接続し、同一列のメモリセルのドレインが共通のビット線BLに接続する。各メモリセルのソースは、ソース線に接続され、メモリセルに対する読み出し、書き込み、消去の各動作において印加される電圧が異なるが、読み出し動作時には接地電圧が印加されるので、図1では接地電圧の印加状態を示している。行選択回路2は、入力される行アドレス信号(図示せず)に応じて、選択メモリセルに接続するワード線を選択して所定の読み出し用のワード線電圧(例えば、5V)を印加する。また、列選択回路3は、入力される列アドレス信号(図示せず)に応じて、選択メモリセルに接続するビット線BLを選択して、第1電流電圧変換回路10の第1入力ノードN11に接続し、第1電流電圧変換回路10から第1入力ノードN11を介して選択ビット線BLに所定の読み出し用のビット線電圧を印加する。これにより、第1電流電圧変換回路10から第1入力ノードN11を介して選択メモリセルに、読み出し用のワード線電圧とビット線電圧、及び、選択メモリセルの閾値電圧に応じたメモリセル電流ICELLが流れる。本実施形態では、後述するように、このビット線電圧の上限値の設定が、3つの参照メモリセルの何れを選択するかで切り替え可能となっている。
参照セルアレイ4は、4値データの読み出しに対応して3つの参照メモリセルを備えて構成され、各参照メモリセルは共通の参照ワード線WLrに接続され、読み出し動作時に選択ワード線と同じ電圧(参照ワード線電圧)が印加されるように構成されている。3つの参照メモリセルの閾値電圧は、メモリアレイ1中のメモリセルの4つの閾値電圧分布(図12参照)の夫々の中央に位置する3つの参照閾値電圧VREFL、VREFM、VREFHに予め各別に設定されている。3つの参照メモリセルは、閾値電圧の低い順に、第1、第2、第3参照メモリセルと便宜的に呼称する。参照セル選択回路5は、多値読み出しを制御する制御回路(図示せず)からの制御信号に基づいて第1乃至第3参照メモリセルの何れか1つを選択して、選択した参照メモリセルのドレインを第2電流電圧変換回路20の第2入力ノードN21に接続し、第2電流電圧変換回路20から第2入力ノードN21を介して選択した参照メモリセルのドレインに所定の参照ドレイン電圧を印加する。これにより、第2電流電圧変換回路20から第2入力ノードN21を介してした参照メモリセルに、読み出し用の参照ワード線電圧と参照ドレイン電圧、及び、選択した参照メモリセルの閾値電圧に応じた参照電流IREFが流れる。本実施形態では、後述するように、この参照ドレイン電圧の上限値の設定が、3つの参照メモリセルの何れを選択するかで切り替え可能となっている。本実施形態では、参照セルアレイ4と参照セル選択回路5が、複数の参照電流IREFを選択的に発生可能な参照電流発生回路として機能する。
比較回路30は、1対の差動入力ノードに入力した電圧差を差動増幅する差動増幅回路を用いて実現できる。差動増幅回路は、周知の多様な回路構成のものが利用可能であるので、詳細な説明は省略する。
尚、図1では、本発明装置の読み出し動作に関係する要部のみを表示している。図1で表示されない書き込み動作や消去動作に関係する回路や、アドレス入力信号、データ入出力信号、制御入力信号等のインターフェース回路は、一般的なフラッシュメモリと同様の回路構成が使用可能であるので、詳細な説明は省略する。
以下、本発明装置において特徴的な第1及び第2電流電圧変換回路10,20について詳細に説明する。
図1に示すように、第1及び第2電流電圧変換回路10,20は、相互に等価な回路構成となっており、メモリセル電流ICELLと参照電流IREFを、夫々対応する第1読み出し電圧VOUT1と参照電圧VOUT2に変換して、変換した各電圧値を比較回路30で比較することで、選択メモリセルのデータ読み出しが可能な構成となっている。第1電流電圧変換回路10は、電源電圧ノードVccと第1入力ノードN21の間に、第1負荷回路11と第1電圧制限回路12を直列に接続して構成される。同様に、第2電流電圧変換回路20は、電源電圧ノードVccと第2入力ノードN21の間に、第2負荷回路21と第2電圧制限回路22を直列に接続して構成される。第1及び第2負荷回路11,21は、抵抗やMOSFET等で構成された同じ回路で、第1及び第2電圧制限回路12,22に夫々電流供給する。
図2に示すように、第1及び第2電圧制限回路12,22は、夫々、N型MOSFETからなる第1及び第2カスケードトランジスタ13,23と、入力反転レベルが2つの選択信号SEL0、SEL1によって切り替え可能な第1及び第2インバータ回路14,24を備えて構成され、相互に全く等価な回路構成となっている。第1及び第2カスケードトランジスタ13,23の各ドレインが第1及び第2負荷回路11,21と夫々接続して、電流電圧変換された第1読み出し電圧VOUT1と参照電圧VOUT2を夫々出力する第1及び第2出力ノードN12,N22となる。第1及び第2カスケードトランジスタ13,23の各ソースは、第1及び第2入力ノードN11,N21となる。第1及び第2カスケードトランジスタ13,23は、夫々、第1及び第2負荷回路11,21から供給される電流をメモリセル電流ICELLと参照電流IREFとして、第1及び第2入力ノードN11,N21を介して、選択メモリセル及び選択された参照メモリセルに供給する。第1及び第2カスケードトランジスタ13,23の各ゲートは、第1及び第2インバータ回路14,24の出力ノードと夫々接続し、第1及び第2インバータ回路14,24の入力ノードは、第1及び第2入力ノードN11,N21に夫々接続している。
本実施形態の第1及び第2インバータ回路14,24は、図2に示すように、入力反転レベルが、参照セル選択回路5における3つの参照メモリセルの選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能な第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1の入力によって切り替え可能な構成となっており、一般的なP型MOSFETとN型MOSFETを直列に接続したCMOSインバータを基本に変形した回路構成となっている。具体的には、第1インバータ回路14は、ソースが電源電圧ノードVccに、ゲートが第1入力ノードN11に夫々接続する第1のP型MOSトランジスタQp1と、ソースが第1のP型MOSトランジスタQp1のドレインに、ゲートが第1選択信号SEL0に、ドレインが第1インバータ回路14の出力ノードN13に夫々接続する第2のP型MOSトランジスタQp2と、ソースが電源電圧ノードVccに、ゲートが第1入力ノードN11に夫々接続する第3のP型MOSトランジスタQp3と、ソースが第3のP型MOSトランジスタQp3のドレインに、ゲートが第2選択信号SEL1に、ドレインが出力ノードN13に夫々接続する第4のP型MOSトランジスタQp4と、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが第1入力ノードN11に、ドレインが出力ノードN13に夫々接続する第1のN型MOSトランジスタQn1を備えて構成されている。第2インバータ回路24は、第1インバータ回路14と全く同じ回路構成で、ソースが電源電圧ノードVccに、ゲートが第2入力ノードN21に夫々接続する第1のP型MOSトランジスタQp1と、ソースが第1のP型MOSトランジスタQp1のドレインに、ゲートが第1選択信号SEL0に、ドレインが第2インバータ回路14の出力ノードN23に夫々接続する第2のP型MOSトランジスタQp2と、ソースが電源電圧ノードVccに、ゲートが第2入力ノードN21に夫々接続する第3のP型MOSトランジスタQp3と、ソースが第3のP型MOSトランジスタQp3のドレインに、ゲートが第2選択信号SEL1に、ドレインが出力ノードN23に夫々接続する第4のP型MOSトランジスタQp4と、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが第2入力ノードN21に、ドレインが出力ノードN23に夫々接続する第1のN型MOSトランジスタQn1を備えて構成されている。第1及び第2インバータ回路14,24の第1乃至第4のP型MOSトランジスタQp1〜Qp4及び第1のN型MOSトランジスタQn1は、夫々別個のトランジスタであるが、インバータ回路14,24間で対応するトランジスタ同士は全く同じトランジスタ特性を備えている。
第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1の信号レベルは、本実施形態では、参照閾値電圧VREFLの第1参照メモリセルが選択される場合に、第1選択信号SEL0が高レベルで、第2選択信号SEL1が低レベルとなる。逆に、参照閾値電圧VREFM、VREFHの第2または第3参照メモリセルが選択される場合に、第1選択信号SEL0が低レベルで、第2選択信号SEL1が高レベルとなる。尚、第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1の各信号レベルを、第1及び第2インバータ回路14,24の非活性時において共に高レベルにすることで、第2及び第4のP型MOSトランジスタQp2,Qp4をオフにして、第1及び第2インバータ回路14,24の直流パスを遮断できる。
図2に示す回路構成により、第1及び第2インバータ回路14,24の入力反転レベルを、第1参照メモリセルが選択される場合と、第2または第3参照メモリセルが選択される場合とで、選択的に切り替えることが可能となる。つまり、閾値電圧の高い第2または第3参照メモリセルが選択される場合は、第2のP型MOSトランジスタQp2がオンして、第4のP型MOSトランジスタQp4がオフするので、第1及び第2インバータ回路14,24の入力反転レベルは、第1及び第2のP型MOSトランジスタQp1,Qp2と第1のN型MOSトランジスタQn1の各トランジスタ特性(β値及び閾値電圧)で決まり、当該入力反転レベルを例えば、1V程度の第1入力反転レベルVti1に設定する。また、閾値電圧の低い第1参照メモリセルが選択される場合は、第2のP型MOSトランジスタQp2がオフして、第4のP型MOSトランジスタQp4がオンするので、第1及び第2インバータ回路14,24の入力反転レベルは、第3及び第4のP型MOSトランジスタQp3,Qp4と第1のN型MOSトランジスタQn1の各トランジスタ特性(β値及び閾値電圧)で決まり、当該入力反転レベルを例えば、第1入力反転レベルより高電圧の(1+Δ)V程度の第2入力反転レベルVti2に、トランジスタサイズを調整して設定する。ここで、第1入力反転レベルVti1と第2入力反転レベルVti2の電圧差Δは、「発明が解決しようとする課題」の項で図14に示すIV特性図を参照して説明した参照メモリセルの閾値電圧が低いと第2電流電圧変換回路から供給されるドレイン電圧が低下する分を補完できるように設定する。より具体的には、第1のP型MOSトランジスタQp1のゲート幅/ゲート長を、第3のP型MOSトランジスタQp1のゲート幅/ゲート長より小さくする。
選択メモリセルにメモリセル電流ICELLが流れる条件下では、第1入力ノードN11の電圧レベルが、第1インバータ回路14の入力反転レベル以下となり、第1インバータ回路14の出力レベルが、第1入力ノードN11の電圧レベルと第1カスケードトランジスタ13の閾値電圧の合計より高レベルに遷移して、第1カスケードトランジスタ13がオン状態になる。
第1カスケードトランジスタ13のドレイン電圧、つまり、第1出力ノードN12から出力される第1読み出し電圧VOUT1の電圧レベルによって、第1負荷回路11と第1カスケードトランジスタ13を流れる電流が変化するため、第1読み出し電圧VOUT1の電圧レベルは、第1負荷回路11と第1カスケードトランジスタ13を流れる電流がメモリセル電流ICELLと等しくなるように自動的に調整され、メモリセル電流ICELLに依存して決定される電圧値となる。
尚、第1入力ノードN11の電圧レベルが低下すると第1カスケードトランジスタ13のゲート電圧が上昇するため、第1負荷回路11と第1カスケードトランジスタ13を流れる電流が増加するので、メモリセル電流ICELLと等しくなるように第1入力ノードN11の電圧レベルの低下が抑制される。
また、第1入力ノードN11の電圧レベルが第1インバータ回路14の入力反転レベルを僅かに超えると、第1インバータ回路14の出力レベルが、第1入力ノードN11の電圧レベルと第1カスケードトランジスタ13の閾値電圧の合計以下となり、第1カスケードトランジスタ13がオフ状態になるので、第1入力ノードN11の電圧レベルの上限値は、第1インバータ回路14の入力反転レベルまたはその近傍値となる。従って、選択メモリセルのドレイン電圧(選択ビット線電圧)は、第1インバータ回路14の入力反転レベルの設計値によって、所定の電圧レベル(上記第1または第2入力反転レベル)以下に規制される。第1カスケードトランジスタ13がオフ状態は、メモリセル電流ICELLが流れない状態であるので、メモリアレイ1からメモリセルが選択されていない状態または選択メモリセルの閾値電圧が選択メモリセルのゲート電圧以上の場合が相当する。この場合、第1負荷回路11の電流供給も遮断されるため、第1出力ノードN12から出力される第1読み出し電圧VOUT1の電圧レベルは、第1負荷回路11がカットオフする最大値まで遷移する。第1負荷回路41が抵抗やP型MOSFETで構成されている場合には、電源電圧レベル(VCC)まで上昇する。
以上、図1及び図2に示す選択メモリセルと第1電流電圧変換回路10側の回路動作について説明したが、参照メモリセルと第2電流電圧変換回路20の回路動作についても全く同様であるので、重複する説明は割愛する。
次に、図1及び図2に示す3つの参照メモリセルと第2電流電圧変換回路20の電流電圧特性(IV特性)について、図3に示すIV特性図を参照して説明する。
図3中のL6は、第2負荷回路21のIV特性を示しており、横軸が第2出力ノードN22の電圧を示し、縦軸が第2負荷回路21を流れる電流を示す。図3中のL7は、閾値電圧が高い第2または第3参照メモリセルの選択時における第2出力ノードN22の電圧を電源電圧レベル(VCC)とした場合の第2電圧制限回路22のIV特性を示しており、図3中のL8は、閾値電圧が低い第1参照メモリセルの選択時における第2出力ノードN22の電圧を電源電圧レベル(VCC)とした場合の第2電圧制限回路22のIV特性を示しており、両方とも、横軸が第2入力ノードN21の電圧を示し、縦軸が第2電圧制限回路22を流れる電流を示す。説明の簡単のために、L6乃至L8のIV特性は直線で近似している。図3中のL9は、L6及びL7のIV特性を合成したIV特性を示しており、図3中のL10は、L6及びL8のIV特性を合成したIV特性を示しており、両方とも、横軸が第2入力ノードN21の電圧を示し、縦軸が第2負荷回路21と第2電圧制限回路22を流れる電流を示す。図3中のL11〜L13は、夫々第1、第2及び第3参照メモリセルの各IV特性を示しており、横軸が参照ドレイン電圧(第2入力ノードN21の電圧)を示し、縦軸が参照電流ICELLを示す。
図3の点Fは、閾値電圧が高い第2または第3参照メモリセルの選択時における第2インバータ回路24の第1入力反転レベルで規定される第2入力ノードN21の電圧レベルの上限値(例えば1V)を示しており、点Gは、閾値電圧が低い第1参照メモリセルの選択時における第2インバータ回路24の第2入力反転レベルで規定される第2入力ノードN21の電圧レベルの上限値(例えば(1+Δ)V)を示している。
点H(L9とL13の交点)と点I(L9とL12の交点)は、夫々閾値電圧が高い第3参照メモリセルと第2参照メモリセルにおける動作点を示しており、また、点J(L10とL11の交点)は、閾値電圧が低い第1参照メモリセルにおける動作点を示しており、その各電圧レベルVh、Vi及びVjは第2入力ノードN21の電圧レベル(各参照メモリのドレイン電圧に略等しい)を示している。ここで、第1参照メモリセルと第2参照メモリセルの各動作点I、Jの各電圧レベルVi及びVjは略同電圧に調整されている。
点K(L9とL11の交点)は、第2インバータ回路24の入力反転レベルの切り替えを行わずに、第1入力反転レベルに固定されている従来の読み出し回路における、閾値電圧が低い第1参照メモリセルの動作点を、比較例として示している。点Kと点Jの2つの動作点の電圧レベルVk、Vjを比較すると、第2インバータ回路24の入力反転レベルを第1入力反転レベルから第2入力反転レベルへと高くすることで、閾値電圧が低い第1参照メモリセルの選択時における第2入力ノードN21の電圧レベル(参照ドレイン電圧)が高くなり、第1参照メモリセルのゲート電圧レベルが高電圧化しても、その分、ドレイン電圧レベルも高電圧化できるため、閾値電圧の低い第1参照メモリセルの動作領域をより飽和動作領域に近づけることができる。つまり、図13に例示した従来の読み出し回路における動作点の低電圧化に起因する問題点が解消される。
〈第2実施形態〉
次に、本発明装置の第2実施形態について説明する。第2実施形態に係る本発明装置は、第1実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路15,25の回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路15,25以外の回路は、第1実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
次に、本発明装置の第2実施形態について説明する。第2実施形態に係る本発明装置は、第1実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路15,25の回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路15,25以外の回路は、第1実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
第2実施形態の第1及び第2インバータ回路15,25は、図4に示すように、図2に示す第1実施形態の第1及び第2インバータ回路14,24の第1及び第3のP型MOSトランジスタQp1,Qp3のゲートの接続先を第1及び第2入力ノードN11,N21から夫々接地電圧ノード(図4(A)参照)または所定のバイアス電圧ノードVbias(図4(B)参照)に変更した回路構成となっている。第1実施形態と同様に、入力反転レベルが、参照セル選択回路5における3つの参照メモリセルの選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能な第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1の入力によって切り替え可能な構成となっている。
図4(B)に示すように、第1及び第3のP型MOSトランジスタQp1,Qp3のゲート電圧レベルを、電源電圧と接地電圧の中間レベルに設定して、第1及び第3のP型MOSトランジスタQp1,Qp3をより飽和領域近傍で動作させるようにすることで、電源電圧変動に対して第1及び第2インバータ回路15,25の入力反転レベルの変動をより抑制できるようになる。
尚、第1実施形態と第2実施形態で、第1及び第2インバータ回路15,25を構成するトランジスタの符号を共通にしているが、各トランジスタは、実施形態毎に独立であり、トランジスタサイズ等は、各実施形態において所望の入力反転レベルが得られるように調整される。以下の第3乃至第8実施形態においても同様である。
〈第3実施形態〉
次に、本発明装置の第3実施形態について説明する。第3実施形態に係る本発明装置は、第1実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路14a,24aの回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路14a,24a以外の回路は、第1実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
次に、本発明装置の第3実施形態について説明する。第3実施形態に係る本発明装置は、第1実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路14a,24aの回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路14a,24a以外の回路は、第1実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
第3実施形態の第1及び第2インバータ回路14a,24aは、図5に示すように、図2に示す第1実施形態の第1及び第2インバータ回路14,24に対して、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが第1及び第2インバータ回路14a,24aの非活性時に高レベルとなる第1制御信号CTLBに、ドレインが出力ノードN13,N23に、夫々接続する第2のN型MOSトランジスタQn2を追加した回路構成となっている。第1実施形態と同様に、入力反転レベルが、参照セル選択回路5における3つの参照メモリセルの選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能な第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1の入力によって切り替え可能な構成となっている。尚、第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1は、第1及び第2インバータ回路14a,24aの非活性時に前記選択状態に関係なく高レベルとなるように構成されている。
第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1と制御信号CTLBは、第1及び第2インバータ回路14a,24aで共通に使用される信号であり、第3選択信号SEL2と第4選択信号SEL3と第2制御信号CTLから生成される。第1選択信号SEL0は、第4選択信号SEL3と第2制御信号CTLを入力とする否定論理積回路31から出力され、第2選択信号SEL1は、第3選択信号SEL2と第2制御信号CTLを入力とする否定論理積回路32から出力され、第1制御信号CTLBは、第2制御信号CTLを入力とするインバータ回路33から出力される。ここで、第3選択信号SEL2の信号レベルは、参照閾値電圧VREFLの第1参照メモリセルが選択される場合に高レベル、参照閾値電圧VREFM、VREFHの第2または第3参照メモリセルが選択される場合に低レベルとなり、第4選択信号SEL3の信号レベルは、参照閾値電圧VREFLの第1参照メモリセルが選択される場合に低レベル、参照閾値電圧VREFM、VREFHの第2または第3参照メモリセルが選択される場合に高レベルとなり、第2制御信号CTLの信号レベルは、第1及び第2インバータ回路14a,24aの活性時に上記選択状態に関係なく高レベルとなる。
第3実施形態では、第1及び第2インバータ回路14a,24aの非活性時に、出力ノードN13,N23の電圧レベルが低レベルとなって、第1及び第2カスケードトランジスタ13,23が完全にオフ状態となるとともに、第1及び第2インバータ回路14a,24aの直流パスも完全に遮断される。
〈第4実施形態〉
次に、本発明装置の第4実施形態について説明する。第4実施形態に係る本発明装置は、第2実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路15a,25aの回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路15a,25a以外の回路は、第2実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
次に、本発明装置の第4実施形態について説明する。第4実施形態に係る本発明装置は、第2実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路15a,25aの回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路15a,25a以外の回路は、第2実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
第3実施形態の第1及び第2インバータ回路15a,25aは、図6に示すように、図4に示す第2実施形態の第1及び第2インバータ回路15,25に対して、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが第1及び第2インバータ回路15a,25aの非活性時に高レベルとなる第1制御信号CTLBに、ドレインが出力ノードN13,N23に、夫々接続する第2のN型MOSトランジスタQn2を追加した回路構成となっている。第2実施形態と同様に、入力反転レベルが、参照セル選択回路5における3つの参照メモリセルの選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能な第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1の入力によって切り替え可能な構成となっている。尚、第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1は、第1及び第2インバータ回路15a,25aの非活性時に前記選択状態に関係なく高レベルとなるように構成されている。
第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1と制御信号CTLBは、第3実施形態と同様に、第1及び第2インバータ回路15a,25aで共通に使用される信号であり、第3選択信号SEL2と第4選択信号SEL3と第2制御信号CTLから生成される。第1選択信号SEL0は、第4選択信号SEL3と第2制御信号CTLを入力とする否定論理積回路31から出力され、第2選択信号SEL1は、第3選択信号SEL2と第2制御信号CTLを入力とする否定論理積回路32から出力され、第1制御信号CTLBは、第2制御信号CTLを入力とするインバータ回路33から出力される。ここで、第3選択信号SEL2、第4選択信号SEL3、及び、第2制御信号CTLの各信号レベルは、第3実施形態と同じである。
第4実施形態では、第1及び第2インバータ回路15a,25aの非活性時に、出力ノードN13,N23の電圧レベルが低レベルとなって、第1及び第2カスケードトランジスタ13,23が完全にオフ状態となるとともに、第1及び第2インバータ回路15a,25aの直流パスも完全に遮断される。
〈第5実施形態〉
次に、本発明装置の第5実施形態について説明する。第5実施形態に係る本発明装置は、第1乃至第4実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路16,26の回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路16,26以外の回路は、第1実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
次に、本発明装置の第5実施形態について説明する。第5実施形態に係る本発明装置は、第1乃至第4実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路16,26の回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路16,26以外の回路は、第1実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
第5実施形態の第1及び第2インバータ回路16,26は、図7に示すように、ソースが電源電圧ノードVccに接続する第1のP型MOSトランジスタQp1と、ソースが第1のP型MOSトランジスタQp1のドレインに、ゲートが制御信号CTLBに、ドレインが第1及び第2インバータ回路16,26の出力ノードN13,N23に夫々接続する第2のP型MOSトランジスタQp2と、ソースが電源電圧ノードVccに、ゲートが第1のP型MOSトランジスタQp1のゲートに夫々接続する第3のP型MOSトランジスタQp3と、ソースが第3のP型MOSトランジスタQp3のドレイン及びゲートに、ゲートが制御信号CTLBに夫々接続する第4のP型MOSトランジスタQp4と、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが第1入力ノードN11に、ドレインが出力ノードN13,N23に夫々接続する第1のN型MOSトランジスタQn1と、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが第1選択信号SEL0に、ドレインが第4のP型MOSトランジスタQp4のドレインに夫々接続する第2のN型MOSトランジスタQn2と、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが第2選択信号SEL1に、ドレインが第4のP型MOSトランジスタQp4のドレインに夫々接続する第3のN型MOSトランジスタQn3と、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが制御信号CTLBに、ドレインが出力ノードN13,N23に夫々接続する第4のN型MOSトランジスタQn4を備えて構成されている。
第5実施形態の第1及び第2インバータ回路16,26では、第1及び第2のP型MOSトランジスタQp1,Qp2がカレントミラー接続して、第2及び第3のN型MOSトランジスタQn2,Qn3のオンオフの切り替えで、第1のP型MOSトランジスタQp1及び第1のN型MOSトランジスタQn1を流れる電流量を制御して、第1及び第2インバータ回路16,26の入力反転レベルを切り替え可能に構成されている。
第1実施形態と同様に、入力反転レベルが、参照セル選択回路5における3つの参照メモリセルの選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能な第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1の入力によって切り替え可能な構成となっている。更に、第1及び第2インバータ回路16,26の非活性時に、出力ノードN13,N23の電圧レベルが低レベルとなって、第1及び第2カスケードトランジスタ13,23が完全にオフ状態となるとともに、第1及び第2インバータ回路16,26の直流パスも完全に遮断される構成となっている。第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1は第1実施形態と同じであり、制御信号CTLBは、第3及び第4実施形態と同様に、第1及び第2インバータ回路16,26の非活性時に高レベルとなる制御信号である。
〈第6実施形態〉
次に、本発明装置の第6実施形態について説明する。第6実施形態に係る本発明装置は、第1乃至第5実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路17,27の回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路17,27以外の回路は、第1実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
次に、本発明装置の第6実施形態について説明する。第6実施形態に係る本発明装置は、第1乃至第5実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路17,27の回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路17,27以外の回路は、第1実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
第6実施形態の第1及び第2インバータ回路17,27は、図8に示すように、ソースが電源電圧ノードVccに接続する第1のP型MOSトランジスタQp1と、ソースが第1のP型MOSトランジスタQp1のドレインに、ゲートが制御信号CTLBに、ドレインが第1及び第2インバータ回路17,27の出力ノードN13,N23に夫々接続する第2のP型MOSトランジスタQp2と、ソースが電源電圧ノードVccに、ゲートが第1のP型MOSトランジスタQp1のゲートに夫々接続する第3のP型MOSトランジスタQp3と、ソースが第3のP型MOSトランジスタQp3のドレイン及びゲートに、ゲートが第1選択信号SEL0に夫々接続する第4のP型MOSトランジスタQp4と、ソースが第3のP型MOSトランジスタQp3のドレイン及びゲートに、ゲートが第2選択信号SEL1に夫々接続する第5のP型MOSトランジスタQp5と、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが第1入力ノードN11に、ドレインが出力ノードN13,N23に夫々接続する第1のN型MOSトランジスタQn1と、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが電源電圧ノードVcc(図8(A)参照)または所定のバイアス電圧ノードVbias(図8(B)参照)に、ドレインが第4のP型MOSトランジスタQp4のドレインに夫々接続する第2のN型MOSトランジスタQn2と、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが第2のN型MOSトランジスタQn2のゲートに、ドレインが第5のP型MOSトランジスタQp5のドレインに夫々接続する第3のN型MOSトランジスタQn3と、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが制御信号CTLBに、ドレインが出力ノードN13,N23に夫々接続する第4のN型MOSトランジスタQn4を備えて構成されている。尚、上記バイアス電圧ノードVbiasから供給されるバイアス電圧と、第2実施形態におけるバイアス電圧ノードVbiasから供給されるバイアス電圧は、夫々独立したバイアス電圧であり、個々の回路構成に適合した電圧値となる。
第6実施形態の第1及び第2インバータ回路17,27では、第1及び第2のP型MOSトランジスタQp1,Qp2がカレントミラー接続して、第4及び第5のP型MOSトランジスタQp4,Qp5のオンオフの切り替えで、第1のP型MOSトランジスタQp1及び第1のN型MOSトランジスタQn1を流れる電流量を制御して、第1及び第2インバータ回路17,27の入力反転レベルを切り替え可能に構成されている。
第1実施形態と同様に、入力反転レベルが、参照セル選択回路5における3つの参照メモリセルの選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能な第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1の入力によって切り替え可能な構成となっている。更に、第1及び第2インバータ回路17,27の非活性時に、出力ノードN13,N23の電圧レベルが低レベルとなって、第1及び第2カスケードトランジスタ13,23が完全にオフ状態となるとともに、第1及び第2インバータ回路17,27の直流パスも完全に遮断される構成となっている。第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1と制御信号CTLBは、第3及び第4実施形態と同様に、第1及び第2インバータ回路17,27で共通に使用される信号であり、第3選択信号SEL2と第4選択信号SEL3と第2制御信号CTLから生成され、第1及び第2インバータ回路17,27の非活性時に高レベルとなる。
〈第7実施形態〉
次に、本発明装置の第7実施形態について説明する。第7実施形態に係る本発明装置は、第1乃至第6実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路18,28の回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路18,28以外の回路は、第1実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
次に、本発明装置の第7実施形態について説明する。第7実施形態に係る本発明装置は、第1乃至第6実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路18,28の回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路18,28以外の回路は、第1実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
第7実施形態の第1及び第2インバータ回路18,28は、図9に示すように、ソースが電源電圧ノードVccに、ゲートが第1入力ノードN11に夫々接続する第1のP型MOSトランジスタQp1と、ソースが第1のP型MOSトランジスタQp1のドレインに、ゲートが制御信号CTLBに、ドレインが第1及び第2インバータ回路17,27の出力ノードN13,N23に夫々接続する第2のP型MOSトランジスタQp2と、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが第1入力ノードN11に夫々接続する第1のN型MOSトランジスタQn1と、ソースが第1のN型MOSトランジスタQn1のドレインに、ゲートが第1選択信号SEL0に、ドレインが出力ノードN13,N23に夫々接続する第2のN型MOSトランジスタQn2と、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが第1入力ノードN11に夫々接続する第3のN型MOSトランジスタQn3と、ソースが第3のN型MOSトランジスタQn3のドレインに、ゲートが第3選択信号SEL1に、ドレインが出力ノードN13,N23に夫々接続する第4のN型MOSトランジスタQn4と、ソースが接地電圧ノードに、ゲートが制御信号CTLBに、ドレインが出力ノードN13,N23に夫々接続する第5のN型MOSトランジスタQn5を備えて構成されている。
第1実施形態と同様に、入力反転レベルが、参照セル選択回路5における3つの参照メモリセルの選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能な第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1の入力によって切り替え可能な構成となっている。更に、第1及び第2インバータ回路18,28の非活性時に、出力ノードN13,N23の電圧レベルが低レベルとなって、第1及び第2カスケードトランジスタ13,23が完全にオフ状態となるとともに、第1及び第2インバータ回路18,28の直流パスも完全に遮断される構成となっている。第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1は第1実施形態と同じであり、制御信号CTLBは、第3及び第4実施形態と同様に、第1及び第2インバータ回路16,26の非活性時に高レベルとなる制御信号である。
〈第8実施形態〉
次に、本発明装置の第8実施形態について説明する。第8実施形態に係る本発明装置は、第7実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路15,25の回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路15,25以外の回路は、第1及び第7実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
次に、本発明装置の第8実施形態について説明する。第8実施形態に係る本発明装置は、第7実施形態とは、第1及び第2電流電圧変換回路10,20を構成する第1及び第2インバータ回路15,25の回路構成が異なる。第1及び第2インバータ回路15,25以外の回路は、第1及び第7実施形態と同じであるので、重複する説明は割愛する。
第8実施形態の第1及び第2インバータ回路19,29は、図10に示すように、図9に示す第7実施形態の第1及び第2インバータ回路18,28の第1のP型MOSトランジスタQp1のゲートの接続先を第1及び第2入力ノードN11,N21から夫々接地電圧ノード(図10(A)参照)または所定のバイアス電圧ノードVbias(図10(B)参照)に変更した回路構成となっている。第7実施形態と同様に、入力反転レベルが、参照セル選択回路5における3つの参照メモリセルの選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能な第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1の入力によって切り替え可能な構成となっている。尚、上記バイアス電圧ノードVbiasから供給されるバイアス電圧と、第2または第6実施形態におけるバイアス電圧ノードVbiasから供給されるバイアス電圧は、夫々独立したバイアス電圧であり、個々の回路構成に適合した電圧値となる。
図10(B)に示すように、第1のP型MOSトランジスタQp1のゲート電圧レベルを、電源電圧と接地電圧の中間レベルに設定して、第1のP型MOSトランジスタQp1をより飽和領域近傍で動作させるようにすることで、電源電圧変動に対して第1及び第2インバータ回路19,29の入力反転レベルの変動をより抑制できるようになる。
次に、本発明の別実施形態について説明する。
〈1〉上記各実施形態では、第1及び第2インバータ回路の入力反転レベルを、第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1の2つの選択信号の入力レベルによって切り替え可能な構成としたが、つまり、第1選択信号SEL0がゲート入力となるトランジスタと第2選択信号SEL1がゲート入力となるトランジスタとを択一的にオン状態として、オン状態となる一方のトランジスタによって形成される直流パスの電流量を変化させる構成としたが、1つの選択信号の入力レベルだけで、直流パスの電流量を変化させる構成としても構わない。例えば、第1選択信号SEL0と第2選択信号SEL1の何れか一方をゲート入力とするトランジスタを常時オン状態に固定しても良い。
更に、上記第5及び第6実施形態の第1及び第2インバータ回路の第4のN型MOSトランジスタQn4、或いは、上記第7及び第8実施形態の第1及び第2インバータ回路の第5のN型MOSトランジスタQn5は、必ずしも設けなくても構わない。この場合は、第1及び第2インバータ回路の非活性時に、出力ノードN13,N23の電圧レベルが低レベルとならずに、第1及び第2カスケードトランジスタ13,23が完全にオフ状態とならないが、第1及び第2インバータ回路の直流パスは完全に遮断される
更に、上記各実施形態では、第1及び第2電圧制限回路12,22は、夫々、N型MOSFETからなる第1及び第2カスケードトランジスタ13,23と、入力反転レベルが切り替え可能な第1及び第2インバータ回路14,24等を備えて構成されていたが、第1及び第2電圧制限回路12,22の回路構成は、第1及び第2入力ノードN11,N21の上限値を切り替え可能な所定の電圧レベルに規制でき、その電圧変動を抑制可能であれば、上記各実施形態で例示した回路構成以外にも、種々多様な回路構成が可能である。
〈2〉更に、上記各実施形態では、メモリアレイ1内の各メモリセルは4値データ(図12参照)を記憶可能な場合を想定していたが、各メモリセルが記憶する多値データは4値に限定されるものではない。
〈3〉更に、上記各実施形態では、3つの参照メモリセルを選択する場合に、閾値電圧が最も低い第1参照メモリセルを選択する場合にのみ、第1及び第2入力ノードN11,N21の上限値を上昇させる切り替え制御を行ったが、閾値電圧が最も低い第1参照メモリセル以外の次に閾値電圧が低い第2参照メモリセルを選択する場合にも、第1及び第2入力ノードN11,N21の上限値を上昇させる切り替え制御を行うのも好ましい。この場合、第1参照メモリセルと第2参照メモリセルの当該上限値の上昇幅を同じにしても良いし、閾値電圧が低い場合ほど、上昇幅を大きくしても構わない。更に、複数の参照メモリセルを、参照メモリセル数より小さい複数のグループに区分して、閾値電圧が最も大きいグループを除いてグループ単位で、上記上昇幅を個別に設定するようにしても構わない。上記各実施形態では、3つの参照メモリセルを、第1参照メモリセルの第1グループと、第2及び第3参照メモリセルの第2グループに区分した場合に相当する。
本発明は、半導体記憶装置に利用可能であり、3値以上の多値データを記憶可能なメモリセルを備えてなる半導体記憶装置の読み出し動作マージンの改良及び読み出し速度の高速化に有用である。
1: メモリアレイ
2: 行選択回路(メモリセル選択回路)
3: 列選択回路(メモリセル選択回路)
4: 参照セルアレイ(参照電流発生回路)
5: 参照セル選択回路(参照電流発生回路)
10: 第1電流電圧変換回路
11: 第1負荷回路
12: 第1電圧制限回路
13: 第1カスケードトランジスタ
14,14a: 第1インバータ回路(第1実施形態、第3実施形態)
15,15a: 第1インバータ回路(第2実施形態、第4実施形態)
16〜19: 第1インバータ回路(第5〜第8実施形態)
20: 第2電流電圧変換回路
21: 第2負荷回路
22: 第2電圧制限回路
23: 第2カスケードトランジスタ
24,24a: 第2インバータ回路(第1実施形態、第3実施形態)
25,25a: 第2インバータ回路(第2実施形態、第4実施形態)
26〜29: 第2インバータ回路(第5〜第8実施形態)
30: 比較回路
31、32: 否定論理積回路
33: インバータ回路
40: 第1電流電圧変換回路
41: 第1負荷回路
42: 第1電圧制限回路
43、53: カスケードトランジスタ
44、54: インバータ回路
50: 第2電流電圧変換回路
51: 第2負荷回路
52: 第2電圧制限回路
A〜K: 動作点
BL: ビット線
ICELL: メモリセル電流
IREF: 参照電流
L1〜L12: 電流電圧特性
N11: 第1入力ノード
N12: 第1出力ノード
N13: 第1インバータ回路の出力ノード
N21: 第2入力ノード
N22: 第2出力ノード
N23: 第2インバータ回路の出力ノード
N41: 第1入力ノード
N42: 第1出力ノード
N43: 第1インバータ回路の出力ノード
N51: 第2入力ノード
N52: 第2出力ノード
N53: 第2インバータ回路の出力ノード
Qp1〜Qp5: P型MOSFET
Qn1〜Qn5: N型MOSFET
SEL0: 第1選択信号
SEL1: 第2選択信号
SEL2: 第3選択信号
SEL3: 第4選択信号
CTLB: 第1制御信号
CTL: 第2制御信号
Vbias: バイアス電圧ノード
Va〜Vk: 動作点の電圧レベル
Vcc: 電源電圧ノード
VCC: 電源電圧レベル
VOUT1: 第1読み出し電圧
VOUT2: 参照電圧
VREAD: 比較結果信号
VREF、VREFL、VREFM、VREFH: 参照閾値電圧
WL: ワード線
WLr: 参照ワード線
2: 行選択回路(メモリセル選択回路)
3: 列選択回路(メモリセル選択回路)
4: 参照セルアレイ(参照電流発生回路)
5: 参照セル選択回路(参照電流発生回路)
10: 第1電流電圧変換回路
11: 第1負荷回路
12: 第1電圧制限回路
13: 第1カスケードトランジスタ
14,14a: 第1インバータ回路(第1実施形態、第3実施形態)
15,15a: 第1インバータ回路(第2実施形態、第4実施形態)
16〜19: 第1インバータ回路(第5〜第8実施形態)
20: 第2電流電圧変換回路
21: 第2負荷回路
22: 第2電圧制限回路
23: 第2カスケードトランジスタ
24,24a: 第2インバータ回路(第1実施形態、第3実施形態)
25,25a: 第2インバータ回路(第2実施形態、第4実施形態)
26〜29: 第2インバータ回路(第5〜第8実施形態)
30: 比較回路
31、32: 否定論理積回路
33: インバータ回路
40: 第1電流電圧変換回路
41: 第1負荷回路
42: 第1電圧制限回路
43、53: カスケードトランジスタ
44、54: インバータ回路
50: 第2電流電圧変換回路
51: 第2負荷回路
52: 第2電圧制限回路
A〜K: 動作点
BL: ビット線
ICELL: メモリセル電流
IREF: 参照電流
L1〜L12: 電流電圧特性
N11: 第1入力ノード
N12: 第1出力ノード
N13: 第1インバータ回路の出力ノード
N21: 第2入力ノード
N22: 第2出力ノード
N23: 第2インバータ回路の出力ノード
N41: 第1入力ノード
N42: 第1出力ノード
N43: 第1インバータ回路の出力ノード
N51: 第2入力ノード
N52: 第2出力ノード
N53: 第2インバータ回路の出力ノード
Qp1〜Qp5: P型MOSFET
Qn1〜Qn5: N型MOSFET
SEL0: 第1選択信号
SEL1: 第2選択信号
SEL2: 第3選択信号
SEL3: 第4選択信号
CTLB: 第1制御信号
CTL: 第2制御信号
Vbias: バイアス電圧ノード
Va〜Vk: 動作点の電圧レベル
Vcc: 電源電圧ノード
VCC: 電源電圧レベル
VOUT1: 第1読み出し電圧
VOUT2: 参照電圧
VREAD: 比較結果信号
VREF、VREFL、VREFM、VREFH: 参照閾値電圧
WL: ワード線
WLr: 参照ワード線
Claims (11)
- 3値以上の多値データを記憶可能なメモリセルを複数配列してなるメモリアレイと、
前記メモリアレイの中から読み出し対象のメモリセルを選択するメモリセル選択回路と、
複数の参照電流を選択的に発生可能な参照電流発生回路と、
第1入力ノードから前記メモリセル選択回路によって選択された選択メモリセルに流れるメモリセル電流を第1読み出し電圧に変換して第1出力ノードから出力する第1電流電圧変換回路と、
第2入力ノードから前記参照電流発生回路に流れる前記複数の参照電流の1つを参照電圧に変換して第2出力ノードから出力する前記第1電流電圧変換回路と等価な回路構成の第2電流電圧変換回路と、
前記第1読み出し電圧と前記参照電圧を比較して第3出力ノードから比較結果信号を出力する比較回路と、を備えてなり、
前記第1電流電圧変換回路が、前記第1出力ノードと前記第1入力ノードの間に前記第1入力ノードの電圧を所定の上限値以下に制限するとともに、前記第1入力ノードの電圧変動を抑制する第1電圧制限回路を備え、電源電圧ノードと前記第1出力ノードの間に前記第1電圧制限回路に電流供給する第1負荷回路を備えてなり、
前記第2電流電圧変換回路が、前記第2出力ノードと前記第2入力ノードの間に前記第2入力ノードの電圧を前記上限値以下に制限するとともに、前記第2入力ノードの電圧変動を抑制する前記第1電圧制限回路と等価な第2電圧制限回路を備え、前記電源電圧ノードと前記第2出力ノードの間に前記第2電圧制限回路に電流供給する前記第1負荷回路と等価な第2負荷回路を備えてなり、
前記第1電圧制限回路と前記第2電圧制限回路によって夫々制限される前記第1入力ノードと前記第2入力ノードの前記上限値の設定が、前記参照電流発生回路における前記複数の参照電流の選択状態に応じて切り替え可能に構成されていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記複数の参照電流が電流値の大小に応じて少なくとも2つのグループに分類され、
前記上限値が、前記グループ毎に、前記グループの電流値が小さい程、高電圧となるように設定されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1電圧制限回路が、
ドレインが前記第1出力ノードに、ソースが前記第1入力ノードに夫々接続するN型MOSFETからなる第1カスケードトランジスタと、
入力ノードが前記第1入力ノードに、出力ノードが前記第1カスケードトランジスタのゲートに夫々接続する第1インバータ回路と、を備えてなり、
前記第2電圧制限回路が、
ドレインが前記第2出力ノードに、ソースが前記第2入力ノードに夫々接続するN型MOSFETからなる第2カスケードトランジスタと、
入力ノードが前記第2入力ノードに、出力ノードが前記第2カスケードトランジスタのゲートに夫々接続する第2インバータ回路と、を備えてなり、
前記第1カスケードトランジスタと前記第2カスケードトランジスタのトランジスタ特性が同じで、
前記第1インバータ回路と前記第2インバータ回路が同じインバータ回路で構成され、前記上限値を規定する前記インバータ回路の入力反転レベルが、前記参照電流発生回路における前記複数の参照電流の選択状態に応じて切り替え可能に構成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体記憶装置。 - 前記インバータ回路が、
前記参照電流発生回路における前記複数の参照電流の選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能な第1選択信号と第2選択信号の入力を受け付け、
ソースが前記電源電圧ノードに、ゲートが前記インバータ回路の入力ノードに夫々接続する第1のP型MOSFETと、
ソースが前記第1のP型MOSFETのドレインに、ゲートが前記第1選択信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第2のP型MOSFETと、
ソースが前記電源電圧ノードに、ゲートが前記インバータ回路の入力ノードに、夫々接続する第3のP型MOSFETと、
ソースが前記第3のP型MOSFETのドレインに、ゲートが前記第2選択信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第4のP型MOSFETと、
ソースが接地電圧ノードに、ゲートが前記インバータ回路の入力ノードに、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第1のN型MOSFETと、を備えて構成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記インバータ回路が、
前記参照電流発生回路における前記複数の参照電流の選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能な第1選択信号と第2選択信号の入力を受け付け、
ソースが前記電源電圧ノードに、ゲートが接地電圧ノードまたは所定のバイアス電圧ノードに夫々接続する第1のP型MOSFETと、
ソースが前記第1のP型MOSFETのドレインに、ゲートが前記第1選択信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第2のP型MOSFETと、
ソースが前記電源電圧ノードに、ゲートが前記第1のP型MOSFETのゲートに、夫々接続する第3のP型MOSFETと、
ソースが前記第3のP型MOSFETのドレインに、ゲートが前記第2選択信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第4のP型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記インバータ回路の入力ノードに、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第1のN型MOSFETと、を備えて構成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1選択信号と前記第2選択信号が、前記インバータ回路の非活性時に前記選択状態に関係なく高レベルとなるように構成され、
前記インバータ回路が、更に、ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記インバータ回路の非活性時に高レベルとなる制御信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第2のN型MOSFETを備えて構成されていることを特徴とする請求項4または5に記載の半導体記憶装置。 - 前記インバータ回路が、
前記参照電流発生回路における前記複数の参照電流の選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能な第1選択信号と第2選択信号、及び、前記インバータ回路の非活性時に高レベルとなる制御信号の入力を受け付け、
ソースが前記電源電圧ノードに接続する第1のP型MOSFETと、
ソースが前記第1のP型MOSFETのドレインに、ゲートが前記制御信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第2のP型MOSFETと、
ソースが前記電源電圧ノードに、ゲートが前記第1のP型MOSFETのゲートに、夫々接続する第3のP型MOSFETと、
ソースが前記第3のP型MOSFETのドレイン及びゲートに、ゲートが前記制御信号に、夫々接続する第4のP型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記インバータ回路の入力ノードに、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第1のN型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記第1選択信号に、ドレインが前記第4のP型MOSFETのドレインに、夫々接続する第2のN型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記第2選択信号に、ドレインが前記第4のP型MOSFETのドレインに、夫々接続する第3のN型MOSFETと、を備えて構成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記インバータ回路が、
前記参照電流発生回路における前記複数の参照電流の選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能で、前記インバータ回路の非活性時に前記選択状態に関係なく高レベルとなる第1選択信号と第2選択信号、及び、前記インバータ回路の非活性時に高レベルとなる制御信号の入力を受け付け、
ソースが前記電源電圧ノードに接続する第1のP型MOSFETと、
ソースが前記第1のP型MOSFETのドレインに、ゲートが前記制御信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第2のP型MOSFETと、
ソースが前記電源電圧ノードに、ゲートが前記第1のP型MOSFETのゲートに、夫々接続する第3のP型MOSFETと、
ソースが前記第3のP型MOSFETのドレイン及びゲートに、ゲートが前記第1選択信号に、夫々接続する第4のP型MOSFETと、
ソースが前記第3のP型MOSFETのドレイン及びゲートに、ゲートが前記第2選択信号に、夫々接続する第5のP型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記インバータ回路の入力ノードに、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第1のN型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記電源電圧ノードまたは所定のバイアス電圧ノードに、ドレインが前記第4のP型MOSFETのドレインに、夫々接続する第2のN型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記第2のN型MOSFETのゲートに、ドレインが前記第5のP型MOSFETのドレインに、夫々接続する第3のN型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記制御信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第4のN型MOSFETと、を備えて構成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記インバータ回路が、
前記参照電流発生回路における前記複数の参照電流の選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能な第1選択信号と第2選択信号、及び、前記インバータ回路の非活性時に高レベルとなる制御信号の入力を受け付け、
ソースが前記電源電圧ノードに、ゲートが前記インバータ回路の入力ノードに、夫々接続する第1のP型MOSFETと、
ソースが前記第1のP型MOSFETのドレインに、ゲートが前記制御信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第2のP型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記インバータ回路の入力ノードに、夫々接続する第1のN型MOSFETと、
ソースが前記第1のN型MOSFETのドレインに、ゲートが前記第1選択信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第2のN型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記インバータ回路の入力ノードに、夫々接続する第3のN型MOSFETと、
ソースが前記第3のN型MOSFETのドレインに、ゲートが前記第2選択信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第4のN型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記制御信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第5のN型MOSFETと、を備えて構成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記インバータ回路が、
前記参照電流発生回路における前記複数の参照電流の選択状態に応じて高低2つの電圧レベル間を遷移可能な第1選択信号と第2選択信号、及び、前記インバータ回路の非活性時に高レベルとなる制御信号の入力を受け付け、
ソースが前記電源電圧ノードに、ゲートが接地電圧ノードまたは所定のバイアス電圧ノードに、夫々接続する第1のP型MOSFETと、
ソースが前記第1のP型MOSFETのドレインに、ゲートが前記制御信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第2のP型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記インバータ回路の入力ノードに、夫々接続する第1のN型MOSFETと、
ソースが前記第1のN型MOSFETのドレインに、ゲートが前記第1選択信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第2のN型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記インバータ回路の入力ノードに、夫々接続する第3のN型MOSFETと、
ソースが前記第3のN型MOSFETのドレインに、ゲートが前記第2選択信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第4のN型MOSFETと、
ソースが前記接地電圧ノードに、ゲートが前記制御信号に、ドレインが前記インバータ回路の出力ノードに、夫々接続する第5のN型MOSFETと、を備えて構成されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体記憶装置。 - 前記メモリセルが、ソース、ドレイン、電荷保持領域、及び、制御ゲートからなるMOSFET構造を有し、前記電荷蓄積領域に保持される電荷量によって前記MOSFET構造における閾値電圧が変化することで3値以上のデータを記憶可能な不揮発性メモリセルであることを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007143736A JP2008299940A (ja) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | 半導体記憶装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2007143736A JP2008299940A (ja) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | 半導体記憶装置 |
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JP2008299940A true JP2008299940A (ja) | 2008-12-11 |
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ID=40173327
Family Applications (1)
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JP2007143736A Withdrawn JP2008299940A (ja) | 2007-05-30 | 2007-05-30 | 半導体記憶装置 |
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JP (1) | JP2008299940A (ja) |
-
2007
- 2007-05-30 JP JP2007143736A patent/JP2008299940A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20100803 |