JP2008294437A - ワイドバンドギャップ半導体デバイス用ゲート駆動部 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート電流制限抵抗器445は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、接合ゲートトランジスタのゲートに入力されるゲート電流を制限する。AC結合充電コンデンサ435は、使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合され、ゲート電流制限抵抗器445に並列に配置されている。ダイオード430は、ゲート電流制限抵抗器445及びAC結合充電コンデンサ435に、ゲート駆動チップの出力に結合されている。使用時に、ダイオード430は、ゲート電流制限抵抗器445を介してワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に印加され、ゲート駆動チップからのゲート電圧出力を低下させる。
【選択図】図4
Description
Claims (24)
- 使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合されるゲート電流制限抵抗器を備え、前記ゲート電流制限抵抗器は、前記接合ゲートトランジスタの前記ゲート入力に供給されるゲート電流を制限し、
使用時に前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合されるAC結合充電コンデンサを備え、前記AC結合充電コンデンサは、前記ゲート電流制限抵抗器に並列に配置され、
一端では前記ゲート電流制限抵抗器及び前記AC結合充電コンデンサに、他端ではゲート駆動チップの出力に結合されているダイオードを備え、前記ダイオードは、使用時に、前記ゲート電流制限抵抗器を介して前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタの前記ゲート入力に印加される、前記ゲート駆動チップからのゲート電圧出力を低下させる、
ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタ用ゲート駆動回路。 - 前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタをさらに備える請求項1のゲート駆動回路。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタは、ショットキーゲート又はP−N接合ゲートを備える請求項2のゲート駆動回路。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタは、接合電界効果トランジスタ(JFET)、垂直JFET(VJFET)、静電誘導トランジスタ(SIT)、金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)又はカスコードJFET回路である請求項2のゲート駆動回路。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体は、シリコンカーバイド、ガリウムナイトライド及びダイヤモンドからなる群から選ばれる請求項2のゲート駆動回路。
- 前記ゲート電流制限抵抗器は、周囲温度が上昇したときに前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタの前記ゲート入力へのゲート電流を制限する請求項2のゲート駆動回路。
- 前記ゲート駆動チップは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)又はIGBTを制御するために使用される制御チップである請求項1のゲート駆動回路。
- 前記ダイオードは、ツェナーダイオードである請求項1のゲート駆動回路
- 遮断電圧源と、
前記遮断電圧源に結合され、一端が前記ダイオード及び前記AC結合充電コンデンサに結合された遮断抵抗器とをさらに備え、
前記遮断電圧源及び前記遮断抵抗器は、ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタをオフにする請求項2のゲート駆動回路。 - ゲート駆動チップを備え、前記ゲート駆動チップは、入力信号を受信し、出力信号を出力し、
前記ゲート駆動チップの前記出力信号に結合されたダイオードと、
ゲート電流制限抵抗器を備え、前記ゲート電流制限抵抗器は、ゲート駆動回路の使用時に、前記ダイオード及びワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲートに結合され、
AC結合充電コンデンサを備え、前記AC結合充電コンデンサは、ゲート駆動回路の使用時に、前記ダイオードと、前記接合ゲートトランジスタの前記ゲートにおいて前記ゲート電流制限抵抗器に結合され、前記AC結合充電コンデンサは、前記ゲート電流制限抵抗器に並列である、
ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタ用ゲート駆動回路。 - 前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタをさらに備える請求項10のゲート駆動回路。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタは、ショットキーゲート又はP−N接合ゲートを備える請求項11のゲート駆動回路。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタは、接合電界効果トランジスタ(JFET)、垂直JFET(VJFET)、静電誘導トランジスタ(SIT)、金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)又はカスコードJFET回路である請求項11のゲート駆動回路。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体は、シリコンカーバイド、ガリウムナイトライド及びダイヤモンドからなる群から選ばれる請求項11のゲート駆動回路。
- 前記ゲート電流制限抵抗器は、周囲温度が上昇したときに前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力での最大値にゲート電流を制限する請求項11のゲート駆動回路。
- 前記ゲート駆動チップは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)又はIGBTを制御するために使用される制御チップである請求項10のゲート駆動回路。
- 前記ダイオードは、ツェナーダイオードである請求項10のゲート駆動回路
- 使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合されるゲート電流制限抵抗器を備え、前記ゲート電流制限抵抗器は、接合ゲートトランジスタのゲート入力に供給されるゲート電流を制限し、
使用時にワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタのゲート入力に結合されるAC結合充電コンデンサを備え、前記AC結合充電コンデンサは、前記ゲート電流制限抵抗器に並列に配置され、
ゲート駆動チップを備え、前記ゲート駆動チップは、前記ゲート電流制限抵抗器及びAC結合充電コンデンサに電圧を供給し、前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタは、ショットキーダイオード又はP−N接合ダイオードである、
ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタ用ゲート駆動回路。 - 前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタをさらに備える請求項18のゲート駆動回路。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体は、シリコンカーバイド、ガリウムナイトライド及びダイヤモンドからなる群から選ばれる請求項19のゲート駆動回路。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタは、接合電界効果トランジスタ(JFET)、垂直JFET(VJFET)、静電誘導トランジスタ(SIT)、金属半導体電界効果トランジスタ(MESFET)又はカスコードJFET回路である請求項19のゲート駆動回路。
- 前記ゲート駆動チップは、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ(MOSFET)又はIGBTを制御するために使用される制御チップである請求項18のゲート駆動回路。
- 一端では前記ゲート電流制限抵抗器及び前記AC結合充電コンデンサに、他端では前記ゲート駆動チップの出力に結合されているダイオードをさらに備え、前記ダイオードは、使用時に、前記ゲート電流制限抵抗器を介して前記ワイドバンドギャップ半導体接合ゲートトランジスタの前記ゲート入力に印加される、前記ゲート駆動チップからのゲート電圧出力を低下させる請求項18のゲート駆動回路。
- 前記ダイオードは、ツェナーダイオードである請求項23のゲート駆動回路。
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