JP2008293976A5 - - Google Patents

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Claims (13)

  1. 金属基体、その上に化学的に生成された、金属基体との関係で結晶学的に回転しないで成長した緩衝層及びその上に化学的に生成された超伝導性被覆よりなる、高温超伝導性薄膜ストリップ導体のための原料として二軸組織化された金属基体を加工する方法において、金属基体のカルコゲニド超格子を、緩衝層を生成する前に除くことを特徴とする、上記方法。
  2. 金属基体が、Ｒｑ＜５０ｎｍ、好ましくはＲｑ＜２０ｎｍで、特に好ましくはＲｑ＜１０ｎｍの自乗平均表面粗さ(ＲＭＳ粗さ)に加工される、請求項１又は２に記載の方法。
  3. 超格子が研磨によって除かれる請求項１又は２に記載の方法。
  4. 緩衝層のために、格子定数が金属基体の格子定数から±１５％より少なく、好ましくは±１０％より少なくしかずれていない材料を用いる、請求項１〜３のいずれか一つに記載の方法。
  5. 金属基体を超格子の除去後に清浄化する、請求項１〜４のいずれか一つに記載の方法。
  6. 金属基体を超音波浴中で清浄化する、請求項５に記載の方法。
  7. 金属基体を脱脂する、特にアセトン及びイソプロパノールを用いて脱脂する、請求項５又は６に記載の方法。
  8. 金属基体が少なくとも８５原子％、好ましくは９０原子％のニッケルを含有する、請求項１〜７のいずれか一つに記載の方法。
  9. 金属基体、その上に化学的に生成された、金属基体との関係で結晶学的に回転しないで成長した緩衝層及びその上に化学的に生成された超伝導性被覆よりなる、高温超伝導性薄膜ストリップ導体のための原料としての、カルコゲニド超格子を有さず、かつ、Ｒｑ＜５０ｎｍの自乗平均表面粗さ(ＲＭＳ粗さ)を有する二軸組織化された金属基体の使用。
  10. Ｒｑ＜２０ｎｍの自乗平均表面粗さ(ＲＭＳ粗さ)を有する請求項９に記載の使用。
  11. Ｒｑ＜１０ｎｍの自乗平均表面粗さ(ＲＭＳ粗さ)を有する請求項９に記載の使用。
  12. 緩衝層が、格子定数が金属基体の格子定数から±１５％より少なく、好ましくは±１０％より少なくしかずれていない材料よりなる、請求項８〜１１のいずれか一つに記載の金属基体の使用。
  13. 金属基体、その上に化学的に生成された緩衝層及びその上に化学的に生成された超伝導性被覆よりなる高温超伝導性薄膜ストリップ導体において、金属基体がＲｑ＜５０ｎｍの自乗平均表面粗さ(ＲＭＳ粗さ)を有しそして緩衝層が、金属基体の表面上にカルコゲニド中間層なしに直接的に、金属基体の結晶構造に対して回転しないで成長していることを特徴とする、上記高温超伝導性薄膜ストリップ導体。
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