JP2008283201A - コールドウォール型熱処理炉および絶縁膜形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この発明は、絶縁膜を形成するのに用いるコールドウォール型熱処理炉10において、反応管11内に配置した炭化珪素からなるサセプタ13を光照射により加熱し、サセプタ13上に載置した、最上層が炭化珪素である半導体基板14に熱処理を施して絶縁膜を形成することを特徴としている。
【選択図】図1
Description
G.Y.Chung et al.,Appl.Phys.Lett.76,1713(2000)
10 熱処理炉
11 反応管
12 赤外線ランプ
13 サセプタ
14 試料
20 ガス供給部
21,22,23 マスフローコントローラー
24 マニホールド
30 ガス排出部
31 NOガス除害装置
32 真空排気系
4 紫外線照射ユニット
4a 反射面
Claims (12)
- 反応管内に配置した炭化珪素からなるサセプタを光照射により加熱し、サセプタ上に載置した、最上層が炭化珪素である半導体基板に熱処理を施して絶縁膜を形成する、
ことを特徴とするコールドウォール型熱処理炉。 - 上記光照射は、波長が200nmから遠赤外線領域までの光の照射である、請求項1に記載のコールドウォール型熱処理炉。
- 上記熱処理は1200℃以上で行われ、熱処理後の降温は50℃/min以上の速さで行われる、請求項1または2に記載のコールドウォール型熱処理炉。
- 上記反応管内には、不活性ガスと一酸化窒素ガスとの混合ガスが供給される、請求項1から3の何れか1項に記載のコールドウォール型熱処理炉。
- 上記サセプタは、炭化珪素からなる高純度の単結晶、多結晶あるいは焼結体の何れかである、請求項1から4の何れか1項に記載のコールドウォール型熱処理炉。
- 上記反応管は合成石英からなる、請求項1から5の何れか1項に記載のコールドウォール型熱処理炉。
- 上記反応管は、冷却機構で外周壁が冷却される、請求項1から6の何れか1項に記載のコールドウォール型熱処理炉。
- 半導体基板に絶縁膜を形成する絶縁膜形成装置において、
内部に炭化珪素からなるサセプタが配置された反応管と、
上記反応管を外部から光照射により加熱して熱処理を行うとともにその熱処理温度を任意に制御可能な加熱手段と、
上記反応管に、不活性ガスと一酸化窒素ガスとの混合ガスを供給しその流量を制御するとともに、その混合ガス中の一酸化窒素ガスの濃度を任意に制御可能なガス供給手段と、を備え、
上記サセプタ上に、最上層が炭化珪素である半導体基板を載置し、反応管内に不活性ガスと一酸化窒素ガスとの混合ガスを供給して熱処理を行い、半導体基板に絶縁膜を形成する、
ことを特徴とする絶縁膜形成装置。 - 上記加熱手段による光照射は、波長が200nmから遠赤外線領域までの光の照射である、請求項8に記載の絶縁膜形成装置。
- 上記加熱手段による熱処理は、1200℃以上で行われ、熱処理後の降温は50℃/min以上の速さで行われる、請求項8または9に記載の絶縁膜形成装置。
- 上記ガス供給手段は、反応管内に、不活性ガスにより希釈された0.5%以上20%以下の一酸化窒素ガスを含む混合ガスを供給する、請求項8から10の何れか1項に記載の絶縁膜形成装置。
- 上記サセプタは、炭化珪素からなる高純度の単結晶、多結晶あるいは焼結体の何れかである、請求項8から11の何れか1項に記載の絶縁膜形成装置。
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