JP2008277055A - 光源装置 - Google Patents

光源装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008277055A
JP2008277055A JP2007117523A JP2007117523A JP2008277055A JP 2008277055 A JP2008277055 A JP 2008277055A JP 2007117523 A JP2007117523 A JP 2007117523A JP 2007117523 A JP2007117523 A JP 2007117523A JP 2008277055 A JP2008277055 A JP 2008277055A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
plate
light
source device
light source
conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007117523A
Other languages
English (en)
Inventor
Koji Takaku
浩二 田角
Yoshinobu Suehiro
好伸 末広
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Toyoda Gosei Co Ltd
Priority to JP2007117523A priority Critical patent/JP2008277055A/ja
Publication of JP2008277055A publication Critical patent/JP2008277055A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation

Landscapes

  • Arrangement Of Elements, Cooling, Sealing, Or The Like Of Lighting Devices (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】発光素子が的確に保護され、大量生産に適しており、かつ、放熱性に優れた光源装置を提供する。
【解決手段】LED素子111、このLED素子111が搭載され電極パターンが形成される搭載基板112及び搭載基板112上にてLED素子111を封止するガラス封止部113を有する複数の発光体110と、各発光体110へ電力を供給するための複数の導電板121,122及び各導電板の間に設けられる絶縁部材123を有する板状体120と、を備え、板状体120は各導電板121,122及び絶縁部材123により形成され所定方向へ延びる端面120aを含み、各電極パターンが各導電板121,122のいずれかと電気的に接続されるよう端面120aに各発光体110を所定方向へ並んで実装されるようにした。
【選択図】図1

Description

本発明は、複数の発光体が所定方向へ並んで配置される光源装置に関する。
従来から、発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)等の発光素子をガラスエポキシ基板に搭載し、発光素子をガラスエポキシ基板上にてエポキシ系等の樹脂封止材で封止した光源装置が知られている。しかしながら、この光源装置では、発光素子にて生じる熱に起因して、樹脂封止材が劣化により黄変して光量が経時的に低下したり、ガラスエポキシ基板と樹脂封止材とが剥離して電気的不具合を生ずるといった問題点がある。特に、小サイズのパッケージでは、基板と封止材の接合面積が小さくなるため、実装時の環境温度や発光素子の自発熱による基板と封止材の剥離が問題となりやすい。
このような問題点を解決すべく、発光素子をシリコン樹脂で封止した光源装置が提案されている。この光源装置では、エポキシ樹脂に比して封止材が劣化し難くなるが、シリコン樹脂は封止時に充填するための枠が必要であり小型とし難い。また、シリコン樹脂自体が劣化しなくとも、発光素子の熱及び光により枠が劣化し、装置から取り出される光量が低下する。
また、複数の発光素子を用いた光源装置として、2枚の導電板の間に絶縁板を挟み、一方の導電板の端面にLEDチップを直接搭載し、LEDチップの上面に形成されている電極と他方の導電板とをワイヤにより電気的に接続するものが提案されている(例えば、特許文献1参照)。この光源装置では、LEDチップ及びワイヤは封止されておらず、導電板を外側から覆う一対の反射板と、シリンドリカルレンズとにより、LEDチップ及びワイヤが隠蔽されるようになっている。
特開2001−177157号公報
しかしながら、特許文献1に記載の光源装置では、発光素子が封止材により封止されていないため、発光素子を物理的及び電気的に的確に保護することができない。従って、光源装置の製造時や取り扱い時に、発光素子が損傷したり電気的不具合が生じやすく、信頼性が低いものとなっている。さらに、発光素子が封止材により封止されていないため、発光素子内で発した光が、光吸収率の高い発光素子間に閉じ込められ、発光効率が低いものとなる。
また、一方の導電板の端面にLEDチップを直接搭載しているため、LEDチップを所期の位置に搭載することが困難である。これに加え、特許文献1に記載の光源装置は、LEDチップの電極と他方の導電板とをワイヤにより接続する作業も困難であり、他方の導電板にワイヤボンディングするスペースが必要となるため薄型とすることが困難である。従って、製造時に高い精度が要求されるとともに製造工数が嵩み、大量生産に適していない。
さらに、LEDチップにて生じた熱は、LEDチップが搭載されている一方の導電板に伝わるものの、他方の導電板は一方の導電板と絶縁板を介しているため、他方の導電板へ効率良く熱を伝えることができず、放熱性に関して改善の余地が残されている。
本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、発光素子が的確に保護され、大量生産に適しており、かつ、放熱性に優れた光源装置を提供することにある。
前記目的を達成するため、本発明では、発光素子、一面に前記発光素子が搭載され他面に一対の電極が形成される搭載基板、及び、前記搭載基板の一面上で前記発光素子を封止するガラス封止部を有する複数の発光体と、前記各発光体へ電力を供給するための複数の導電板、及び、前記各導電板の間に設けられる絶縁部材を有し、前記各導電板及び前記絶縁部材により形成され所定方向へ延びる端面を含み、前記各電極が前記各導電板のいずれかと電気的に接続されるよう前記端面に前記各発光体を前記所定方向へ並んで実装する板状体と、を備える光源装置が提供される。
この光源装置によれば、発光体と板状体とを別個に作製して、板状体の端面に発光体の搭載基板の他面を接続して製造することができる。すなわち、発光素子が既に封止されている発光体を板状体に接続すればよく、発光素子を導電板の端面に直接搭載する場合に比して、発光体の板状体への搭載が格段が容易である。
また、搭載基板の他面に一対の電極が既に形成されている発光体が板状体に接続されるので、板状体の端面にワイヤを直接接続する場合に比して、発光体と板状体との電気的接続を簡単かつ確実に行うことができる。
さらに、各発光体についてみると、一対の電極がそれぞれ別個の導電板に接続されることから、使用時に発光体から生じた熱を2つの導電板へ放散することができる。すなわち、発光素子が1つの導電板に搭載される場合に比して、放熱性能が格段に向上する。
また、板状体の端面に複数の発光体が並んで実装されているので、各導電板に通電すると装置全体として線状に発光する。また、板状体の端面に各発光体を搭載しているので、装置全体を板状体の厚さ方向について薄型とすることができる。
また、上記光源装置において、前記発光素子と、前記ガラス封止部における前記搭載基板の前記一面上の外縁部と、の距離が0.5mm以内であり、前記搭載基板及び前記ガラス封止部は、10×10−6℃未満の熱膨張率の部材からなることが好ましい。
また、上記光源装置において、前記各発光体は、前記板状体の厚さ方向について、前記板状体と同じ寸法又は前記板状体より小さい寸法に形成されることが好ましい。
この光源装置によれば、各発光体が板状体から厚さ方向外側に大きく突出しないことから、光源装置の取り扱い時に各発光体が他物品等に引っ掛かるようなことはないし、装置全体の外観をすっきりしたものとできる。
また、上記光源装置において、前記絶縁部材は板状に形成され、前記導電板は、前記絶縁部材の厚さ方向外側に一対に配置されることが好ましい。
この光源装置によれば、板状体を板状の絶縁部材及び導電板を含む積層体として構成できるので、板状体の製造が簡単容易である。また、板状の絶縁部材を利用して一対の導電板を離隔させることができ、各導電板の絶縁を的確に行いつつ、各導電板を互いに正確に位置決めすることができる。
また、上記光源装置において、前記各発光体の前記搭載基板は、他面に放熱パターンが形成され、前記板状体は、一対の前記導電板の間に、前記放熱パターンと接続される放熱板を有する構成とすることができる。
この光源装置によれば、各電極パターンを介し導電板を利用した放熱作用に加え、放熱パターンを介し放熱板を利用した放熱作用をも得ることができ、放熱性能がさらに向上する。また、板状体を板状の絶縁部材、導電板及び放熱板を含む積層体として構成できるので、板状体の製造が簡単容易である。
また、上記光源装置において、前記各発光体の前記搭載基板は、一面に複数の前記発光素子が搭載されるようにしてもよい。
この光源装置によれば、使用時に発光体にて複数の発光素子で熱が発生することになるが、前述のように放熱性能が向上していることから、複数の発光素子が搭載されていても支障が生じるようなことはない。
また、上記光源装置において、前記板状体は、厚さ方向外側から前記導電板を覆う絶縁性の保護膜を有する構成とすることができる。
この光源装置によれば、保護膜により導電板が覆われることから、板状体が導電性の外部物品と接触して短絡したり損傷することを防止することができる。
また、上記光源装置において、前記各発光体は、互いに直列に接続される構成とすることができる。
この光源装置によれば、各導電板へ通電した際に、各発光体に流れる電流が等しくなる。これにより、各発光体の発光素子の駆動電圧が個体ごとにばらついたとしても、各発光体に流れる電流が等しいことから、各発光体の相対的な光量を所期の状態とすることができる。例えば、各発光体が同じ仕様である場合は、各発光体の発光時の光量を等しくすることができる。
本発明によれば、発光素子が的確に保護され、大量生産に適しており、かつ、放熱性に優れたものとできる。
図1から図5は本発明の第1の実施形態を示し、図1は光源装置の外観斜視図である。
図1に示すように、この光源装置100は、複数の発光体110が、板状体120の端面120aに並んで実装されている。本実施形態においては、各発光体110は直方体状に形成され、板状体120は一定の厚さ寸法D及び幅寸法Wで長手寸法Lだけ延びるよう形成されている。本実施形態においては、厚さ寸法Dは0.9mmであり、幅寸法Wは5.0mmであり、長手寸法Lは55mmである。そして、板状体120における所定方向へ延びる2つの端面120a,120bのうち、一方の端面120aに各発光体110が所定間隔で実装されている。
図2は、光源装置の一部正面図である。
図2に示すように、各発光体110は、端面120aの延在方向に等間隔に並んでいる。本実施形態においては、各発光体110は、LED素子111同士の間隔Iが5.0mmとなるよう並べられている。
図3は光源装置の側面図である。
図3に示すように、各発光体110は、板状体120の厚さ方向について、板状体120と同じ寸法に形成されている。各発光体110は、LED素子111と、上面にLED素子111が搭載される搭載基板112と、搭載基板112の上面上でLED素子111を封止するガラス封止部113と、を有している。搭載基板112の下面には一対の電極パターン112aが形成されている。
板状体120は、各発光体110へ電力を供給するための第1導電板121及び第2導電板122と、第1導電板121と第2導電板122の間に設けられる絶縁部材123と、を有している。本実施形態においては、絶縁部材123は板状に形成され、各導電板121,122が絶縁部材123の厚さ方向外側に一対に配置されている。図2に示すように、各発光体110の2つの電極パターン112aは、板状体120の厚さ方向に離隔して形成されており、それぞれ接続材130により第1導電板121及び第2導電板122と電気的に接続される。本実施形態においては、接続材130は金-すず(Au−Sn)合金からなる。尚、接続材130として、各種はんだ材を用いてもよい。
各導電板121,122は、銅(Cu)からなり、厚さ寸法が0.3mm、幅方向寸法が5.0mmである。ここで、各導電板121,122の材質は任意であり、例えば、鉄(Fe)、真鍮((Zn,Cu)(CO)(OH))等であってもよい。
また、絶縁部材123は、ポリイミドを母材とし表面にシリコン系の接着剤が塗布された両面テープが用いられる。絶縁部材123の材質は任意であり、例えば、フィラーを含有させたエポキシ系の接着剤を用いてもよい。絶縁部材123は、厚さ寸法が0.3mm、幅方向寸法が5.0mmであり、側面視にて各導電板121,122と幅方向端部が一致し、各導電板121,122とともに板状体120の端面120a,120bを形成している。
図4は、発光体の模式断面図である。
図4に示すように、発光体110は、GaN系半導体材料を有し青色光を発するフリップチップ型のLED素子111と、LED素子111が搭載される搭載基板112と、搭載基板112に形成されタングステン(W)−ニッケル(Ni)−金(Au)で構成される回路パターン114と、LED素子111を封止するとともに搭載基板112と接着されるガラス封止部113とを有する。
発光素子としてのLED素子111は、サファイア(Al)からなる成長基板の表面に、III族窒化物系半導体をエピタキシャル成長させることにより、バッファ層と、n型層と、MQW層と、p型層とがこの順で形成されている。このLED素子111は、700℃以上でエピタキシャル成長され、その耐熱温度は600℃以上であり、低融点の熱融着ガラスを用いた封止加工における加工温度に対して安定である。また、LED素子111は、p型層の表面に設けられるp側電極と、p側電極上に形成されるp側パッド電極と、を有するとともに、p型層からn型層にわたって一部をエッチングすることにより露出したn型層に形成されるn側電極を有する。p側パッド電極とn側電極には、それぞれAuバンプ111aが形成される。
LED素子111は、厚さ100μmで346μm角に形成されており、熱膨張率は7×10−6/℃である。ここで、LED素子111のGaN層の熱膨張率は5×10−6/℃であるが、大部分を占めるサファイアからなる成長基板の熱膨張率が7×10−6/℃であるため、LED素子111本体の熱膨張率は成長基板の熱膨張率と同等となっている。尚、各図においてはLED素子111の各部の構成を明確にするために実寸と異なるサイズで各部を示している。
ガラス封止部113は、ZnO−B−SiO−Nb−NaO−LiO系の熱融着ガラスからなる。尚、ガラスの組成はこれに限定されるものではなく、例えば、熱融着ガラスは、LiOを含有していなくてもよいし、任意成分としてZrO、TiO等を含んでいてもよい。図3に示すように、ガラス封止部113は、搭載基板112上に直方体状に形成され、厚さが0.5mmとなっている。ガラス封止部113の側面は、ホットプレス加工によって搭載基板112と接着された板ガラスが、搭載基板112とともにダイサー(dicer)でカットされることにより形成される。また、ガラス封止部113の上面は、ホットプレス加工によって搭載基板112と接着された板ガラスの一面である。この熱融着ガラスは、ガラス転移温度(Tg)が490℃で、屈伏点(At)が520℃であり、LED素子111のエピタキシャル成長層の形成温度よりも、ガラス転移温度(Tg)が十分に低くなっている。本実施形態においては、エピタキシャル成長層の形成温度よりも、ガラス転移温度(Tg)が200℃以上低くなっている。また、熱融着ガラスの100℃〜300℃における熱膨張率(α)は6×10−6/℃である。熱膨張率(α)は、ガラス転移温度(Tg)を超えるとこれより大きな数値となる。これにより、熱融着ガラスは約600℃で搭載基板112と接着し、ホットプレス加工が可能となっている。また、ガラス封止部113の熱融着ガラスの屈折率は1.7である。
尚、熱融着ガラスの組成は、ガラス転移温度(Tg)がLED素子2の耐熱温度よりも低く、熱膨張率(α)が搭載基板112と同等であれば任意である。ガラス転移温度が比較的低く、熱膨張率が比較的小さいガラスとしては、例えば、ZnO−SiO−RO系(RはLi、Na、K等のI族の元素から選ばれる少なくとも1種)のガラス、リン酸系のガラス及び鉛ガラスが挙げられる。これらのガラスでは、ZnO−SiO−RO系のガラスが、リン酸系のガラスに比して耐湿性が良好で、鉛ガラスのように環境的な問題が生じることがないので好適である。
ここで、熱融着ガラスとは加熱により溶融状態又は軟化状態として成形したガラスであり、ゾルゲル法により成形されるガラスと異なる。ゾルゲルガラスでは成形時の体積変化が大きいのでクラックが生じやすくガラスによる厚膜を形成することが困難であるところ、熱融着ガラスはこの問題点を回避することができる。また、ゾルゲルガラスでは細孔を生じるので気密性を損なうことがあるが、熱融着ガラスはこの問題点を生じることもなく、LED素子111の封止を的確に行うことができる。
また、熱融着ガラスは、一般に、樹脂において高粘度といわれるレベルより、桁違いに高い粘度で加工される。さらに、ガラスの場合には、屈伏点を数十℃超えても粘度が一般の樹脂封止レベルまで低くはならない。また、一般の樹脂成型時レベルの粘度にしようとすると、LED素子の結晶成長温度を超える温度を要するもの、あるいは金型に付着するものとなり、封止・成形加工が困難になる。このため、10ポアズ以上で加工することが好ましい。
搭載基板112は、アルミナ(Al)の多結晶焼結材料からなり、厚さ0.25mmで1.0mm角に形成されており、熱膨張率αが7×10−6/℃である。図3に示すように、搭載基板112の回路パターン114は、搭載基板112の一面に形成されLED素子111と電気的に接続される表面パターン114aと、搭載基板112の他面に形成され外部端子と接続可能な電極パターン112aと、を有している。表面パターン114a及び電極パターン112aは、搭載基板112の表面に形成されたW層114bと、W層114bの表面を覆う薄膜状のNi層114cと、Ni層114cの表面を覆う薄膜状のAu層114dと、を含んでいる。表面パターン114aと電極パターン112aは、搭載基板112を厚さ方向に貫通するビアホールに設けられWからなるビアパターン114eにより電気的に接続されている。
図5は、発光体の下面図である。
図5に示すように、一対の電極パターン112aは、それぞれ長方形状を呈し、搭載基板112の下面に互いに間隔をおいて形成されている。各電極パターン112aの短辺寸法は、各導電板112a,112bの厚さ寸法と等しく、0.3mmとなっている。各電極パターン112aの短辺はそれぞれ搭載基板112の外縁から0.1mmの距離であり、各電極パターン112aの長辺寸法は0.8mmとなっている。また、各電極パターン112aの内側の長辺同士は板状の絶縁部材123の厚さ寸法と等しい距離だけ離隔しており、各電極パターン112a同士の距離は0.3mmとなっている。各電極パターン112aの外側の長辺はそれぞれ搭載基板112の外縁から0.1mmの距離となっている。
以上のように構成された光源装置100では、各導電板121,122に通電すると、板状体120の端面120aに並んだ各発光体110が発光し、装置全体として線状に発光することとなる。この光源装置100では、板状体120の端面120aに各発光体110を搭載しているので、装置全体を板状体120の厚さ方向について薄型とすることができる。
また、LED素子111がガラスにより封止されているので、ガラス封止部113を樹脂等に比して劣化し難いものとすることができるし、LED素子111並びに電気的接続部位を的確に保護することができる。特に、ガラス封止部113にZnO−B−SiO−Nb−NaO−LiO系の熱融着ガラスを用いたので、ガラス封止部113の安定性及び耐候性を良好とすることができる。
また、LED素子11はフリップ実装されているので、ワイヤボンディングのように、LED素子111以外の箇所へボンディングのエリアを設ける必要はない。さらに、封止材をガラスとしているので、シリコン樹脂のように充填するための枠を設ける必要もない。この結果、LED素子111と、ガラス封止部113の側面との距離を0.5mm以下として、小型の発光体110とすることができる。ここで、本実施形態においてはガラス封止部113が直方体状に形成された例を示しているが、ガラス封止部113は直方体状に限定されるものではない。ガラス封止部113の形状によらず、要は、LED素子11と、ガラス封止部113における搭載基板112の一面上の外縁部と、の距離が0.5mm以内であれば、小型の発光体110とすることができる。
そして、ガラス封止部113と搭載基板112とは、樹脂と比較して熱膨張係数が1/10程度で10×10−6/℃未満の低熱膨張率部材である。これに加え、ガラス封止部113と搭載基板112とは、互いに同等の熱膨張率部材であることから、接合面積が小さくても、接合部の剥離が生じないものとできる。
このため、この小型の発光体110は、発光体110のはんだ(例えばAu−Sn等)を用いた実装時の周囲環境温度や、LED素子111の自発熱によって加熱された場合であっても、ガラス封止部113と搭載基板112の剥離や断線により不点灯が生じないものとできる。特に、発光体110はガラス封止パッケージであることから、従来の樹脂封止パッケージよりも定格を拡張した通電電流とすることが可能であり、LED素子111の自発熱が従来よりも大きくなる場合があるので、ガラス封止部113と搭載基板112の剥離や断線の防止に効果的である。また、各導電板121,122を比較的小型として装置全体をコンパクトな設計とし、各導電板121,122の放熱性能が装置にて生じる熱に対して余裕がない場合であっても、接合部の剥離や断線による不点灯が生じないものとできる。
また、板状体120を板状の絶縁部材123及び各導電板121,122を含む積層体として構成できるので、板状体120の製造が簡単容易である。また、板状の絶縁部材123を利用して一対の導電板121,122を離隔させることができ、各導電板121,122の絶縁を的確に行いつつ、各導電板121,122を互いに正確に位置決めすることができる。
また、光源装置100によれば、発光体110と板状体120とを別個に作製して、板状体120の端面120aに発光体110の搭載基板112の他面を接続して製造される。すなわち、LED素子111が既に封止されている発光体110を板状体120に接続すればよく、LED素子を導電板の端面に直接搭載する場合に比して、発光体110の板状体120への搭載が格段が容易である。
特に、板状体120の厚さ方向について、各発光体110と板状体120の寸法が等しいことから、板状体120に対する各発光体110の位置決めを簡単に行うことができる。また、各発光体110が板状体120から厚さ方向外側に大きく突出しないことから、光源装置100の取り扱い時に各発光体110が他物品等に引っ掛かるようなことはないし、装置全体の外観をすっきりしたものとできる。尚、各発光体110が、板状体120の厚さ方向について、板状体120より小さい寸法に形成されていてもよい。
また、搭載基板112の他面に一対の電極パターン112aが既に形成されている発光体110が板状体120に接続されるので、板状体の端面にワイヤを直接接続する場合に比して、発光体110と板状体120との電気的接続を簡単かつ確実に行うことができる。
さらに、各発光体110についてみると、一対の電極パターン112aがそれぞれ別個の導電板121,122に接続されることから、使用時に発光体110から生じた熱を2つの導電板121,122へ直接的に放散することができる。すなわち、LED素子が1つの導電板に搭載される場合に比して、放熱性能が格段に向上する。
図6及び図7は第1の実施形態の変形例を示し、図6は光源装置の正面図である。尚、以下の説明においては、既述した要素と同一の要素には同一符号を付し、重複する説明を適宜省略する。
図6に示すように、この光源装置200は、板状体220の厚さ方向外側に一対の保護膜224を設けた点で第1の実施形態と構成を異にしている。各保護膜224は、第1導電板121及び第2導電板122の厚さ方向外側を被覆するよう形成される。保護膜224は、例えば、各導電板121,122にアクリル樹脂等のコーティングを施すことにより形成することができる。各保護膜224は、板状体220の長手方向の一端に、各導電板121,122を露出させる開口部224aが形成されている。
図7は光源装置の側面図である。
図7に示すように、板状体220の端面220a,220bは、各導電板121,122、絶縁部材123に加えて各保護膜224によって形成されている。この光源装置200によれば、各保護膜224により各導電板121,122が覆われることから、板状体220が導電性の外部物品と接触して短絡したり損傷することを防止することができる。また、開口部224aを通じて各導電板121,122が露出するので、この露出部分を利用して外部電源と各導電板121,122とを電気的に接続することができる。
図8から図11は本発明の第2の実施形態を示し、図8は光源装置の正面図である。尚、以下の説明においては、既述した要素と同一の要素には同一符号を付し、重複する説明を適宜省略する。
図8に示すように、この光源装置300は、複数の発光体310が、板状体320の端面320aに並んで実装されている。本実施形態においては、各発光体310は直方体状に形成され、板状体320は一定の厚さ寸法D及び高さ寸法Hで長手寸法Lだけ延びるよう形成されている。そして、板状体320における所定方向へ延びる2つの端面320a,320bのうち、一方の端面320aに各発光体310が所定間隔で実装されている。
図9は光源装置の側面図である。
図9に示すように、各発光体310は、板状体320の厚さ方向について、板状体320とほぼ同じ寸法に形成されている。各発光体310は、複数のLED素子111と、上面に各LED素子111が搭載される搭載基板312と、搭載基板312の上面上で各LED素子111を封止するガラス封止部313と、を有している。搭載基板312の下面には、一対の電極パターン312aと、放熱パターン312bと、が形成されている。
板状体320は、各発光体310へ電力を供給するための第1導電板321及び第2導電板322と、第1導電板321と第2導電板322の間に設けられる絶縁部材123及び放熱板325と、を有している。本実施形態においては、板状の絶縁部材123が2つ設けられ、各絶縁部材123により放熱板325が挟まれるようになっている。そして、各導電板321,322が各絶縁部材123及び放熱板325の厚さ方向外側に一対に配置されている。図9に示すように、各発光体310の2つの電極パターン312aは、板状体320の厚さ方向に離隔して形成されており、それぞれ接続材330により第1導電板321及び第2導電板322と電気的に接続される。また、放熱パターン312bは、各電極パターン312aの間に形成されており、接続材330により放熱板325と接続される。本実施形態においては、接続材330は金-すず(Au−Sn)合金からなる。尚、接続材330として、各種はんだ材を用いてもよい。
各導電板321,322は、銅(Cu)からなり、厚さ寸法が0.5mm、幅方向寸法が5.0mmである。また、放熱板325は、銅(Cu)からなり、厚さ寸法が0.9mm、幅方向寸法が5.0mmである。ここで、各導電板321,322及び放熱板325の材質は任意であり、例えば、鉄(Fe)、真鍮((Zn,Cu)(CO)(OH))等であってもよい。尚、各絶縁部材123は、板状体320に2つ設けられている点を除いては、第1の実施形態と同様であるので説明を省略する。本実施形態においては、各導電板321,322、各絶縁部材123及び放熱板325により、板状体320の端面320a,320bを形成している。
図10は、発光体の模式断面図である。
図10に示すように、発光体310は、複数のLED素子111と、各LED素子111が搭載される搭載基板312と、搭載基板312に形成されタングステン(W)−ニッケル(Ni)−金(Au)で構成される回路パターン314と、各LED素子111を封止するとともに搭載基板312と接着されるガラス封止部313とを有する。また、各LED素子111と搭載基板312との間には、ガラスがまわりこまない中空部315が形成されている。
各LED素子111は縦横について3個×3個の配列で並べられ、合計9個のLED素子111が1つの搭載基板312に搭載されている。各LED素子111は、互いの縦横間の距離が600μmとなっている。尚、LED素子111の構成は、第1の実施形態と同様であるので、ここでは説明を省略する。
ガラス封止部313は、搭載基板312上に直方体状に形成され、厚さが0.5mmとなっている。ガラス封止部313の組成及び性状については、第1の実施形態のガラス封止部113と同様である。
搭載基板312は、アルミナ(Al)の多結晶焼結材料からなり、厚さ0.25mmで2.7mm角に形成されており、熱膨張率αが7×10−6/℃である。図8に示すように、搭載基板312の回路パターン314は、搭載基板312の一面に形成され各LED素子111と電気的に接続される表面パターン314aと、搭載基板312の他面に形成され外部端子と接続可能な電極パターン312aと、を有している。各LED素子111は、表面パターン314aにより電気的に直列に接続されている。表面パターン314a及び電極パターン312aは、搭載基板312の表面に形成されたW層114dと、W層114dの表面を覆う薄膜状のNi層114cと、Ni層114cの表面を覆う薄膜状のAu層114dと、を含んでいる。表面パターン314aと電極パターン312aは、搭載基板312を厚さ方向に貫通するビアホールに設けられWからなるビアパターン314eにより電気的に接続されている。
図11は、発光体の下面図である。
図11に示すように、一対の電極パターン312aと放熱パターン312bは、それぞれ長方形状を呈し、搭載基板312の下面に互いに間隔をおいて形成されている。各電極パターン312aの短辺寸法は、各導電板321,322の厚さ寸法と等しく、0.5mmとなっている。また、放熱パターン312bの短辺寸法は、放熱板325の厚さ寸法と等しく、0.9mmとなっている。各電極パターン312a及び放熱パターン312bの短辺はそれぞれ搭載基板312の外縁から0.1mmの距離であり、各電極パターン312aの長辺寸法は2.5mmとなっている。また、各電極パターン312aの内側の長辺と、放熱パターン312bの長辺とは、板状の各絶縁部材223の厚さ寸法と等しい距離だけ離隔しており、各電極パターン312aと放熱パターン312bの距離は0.3mmとなっている。各電極パターン312aの外側の長辺はそれぞれ搭載基板312の外縁から0.1mmの距離となっている。
以上のように構成された光源装置300によれば、第1の実施形態と同様の作用効果を得ることができることは勿論、各電極パターン312aを介し各導電板321,322を利用した放熱作用に加え、放熱パターン312bを介し放熱板325を利用した放熱作用をも得ることができ、放熱性能がさらに向上する。この光源装置300では、使用時に各発光体310にて複数のLED素子111で熱が発生することになるが、このように放熱性能が向上していることから、複数のLED素子111が搭載されていても支障が生じるようなことはなく、実用に際して極めて有利である。
また、板状体320を板状の各絶縁部材223、各導電板321,322及び放熱板325を含む積層体として構成できるので、板状体320の製造が簡単容易である。また、板状の各絶縁部材123を利用して各導電板321,322及び放熱板325を離隔させることができ、各導電板321,322の絶縁を的確に行いつつ、各導電板321,322及び放熱板325を互いに正確に位置決めすることができる。
図12から図14は本発明の第3の実施形態を示し、図12は光源装置の正面図である。尚、以下の説明においては、既述した要素と同一の要素には同一符号を付し、重複する説明を適宜省略する。
図12に示すように、この光源装置400は、複数の発光体110が、板状体420の端面420aに並んで実装されている。本実施形態の発光体110は、端面420aに向きを変えて搭載されている点を除いては、第1の実施形態と同様の構成である。板状体420における所定方向へ延びる2つの端面420a,420bのうち、一方の端面420aに各発光体110が所定間隔で実装されている。
図12に示すように、板状体420は、各発光体110へ電力を供給するために端部導電板421及び中間部導電板422を有している。端部導電板421は長手方向両端に配置され、中間部導電板422は長手方向中央側に長手方向へ並んで複数配置される。また、板状体420は、端部導電板421と中間部導電部422の間と、各中間部導電部422の間と、に設けられる絶縁部材423を有している。このように、本実施形態においては、各端部導電板421及び各中間部導電板422が、絶縁部材423を介して長手方向へ並べられている。
図12に示すように、各発光体110の2つの電極パターン112aは、板状体420の長手方向に離隔して形成されており、それぞれ接続材430により端部導電板421又は中間部導電板422と電気的に接続される。すなわち、各発光体111により隣り合う各導電板421,422が電気的に接続され、各発光体111は互いに直列に接続されている。本実施形態においては、接続材430は金-すず(Au−Sn)合金からなる。尚、接続材430として、各種はんだ材を用いてもよい。
各端部導電板421及び各中間部導電板422は、銅(Cu)からなり、厚さ寸法が1.0mm、幅方向寸法が5.0mmである。また、各端部導電板421の長手方向寸法は2.5mmであり、各中間部導電板422の長手方向寸法4.7mmとなっている。ここで、各導電板421,422の材質は任意であり、例えば、鉄(Fe)、真鍮((Zn,Cu)(CO)(OH))等であってもよい。
各絶縁部材423は、ガラスフリットからなり、各端部導電板421及び各中間部導電板422の幅方向へ延びる端面に封着されている。各絶縁部材423の長手方向寸法は0.3mmである。尚、絶縁部材423の材質は任意であり、例えば、フィラーを含有させたエポキシ系の接着剤、ポリイミドを母材とし表面にシリコン系の接着剤が塗布された両面テープ等を用いてもよい。本実施形態においては、各導電板421,422及び各絶縁部材423により、板状体420の端面420a,420bを形成している。
図13は光源装置の側面図である。
図13に示すように、各発光体110は、板状体420の厚さ方向について、板状体420と同じ寸法に形成されている。
図14は、発光体の下面図である。
図14に示すように、発光体110の各電極パターン112aの形状は、第1の実施形態と同様である。本実施形態においては、発光体110が搭載される向きが第1の実施形態と異なっており、各電極パターン112aの内側の長辺同士は絶縁部材423の長手方向寸法と等しい距離だけ離隔することとなる。
以上のように構成された光源装置400では、各端部導電板421に電圧を印加し各導電板421,422に通電すると、板状体420の端面420aに並んだ各発光体110が発光し、装置全体として線状に発光することとなる。この光源装置400でも、板状体420の端面420aに各発光体110を搭載しているので、装置全体を板状体420の厚さ方向について薄型とすることができる。
また、絶縁部材423を利用して各導電板421,422を離隔させることができ、各導電板421,422の絶縁を的確に行いつつ、各導電板421,422を互いに正確に位置決めすることができる。
また、板状体420の厚さ方向について、各発光体110と板状体420の寸法が等しいことから、板状体420に対する各発光体110の位置決めを簡単に行うことができる。また、各発光体110が板状体420から厚さ方向外側に突出しないことから、光源装置400の取り扱い時に各発光体110が他物品等に引っ掛かるようなことはないし、装置全体の外観をすっきりしたものとできる。
また、この光源装置400によれば、各発光体110が直列に接続されているので、各導電板421,422へ通電した際に、各発光体110に流れる電流が等しくなる。これにより、各発光体110のLED素子111の駆動電圧が個体ごとにばらついたとしても、各発光体110に流れる電流が等しく、各発光体111が同じ仕様であるので、各発光体110の発光時の光量を等しくすることができる。従って、板状体420の長手方向にわたって均一な発光状態が実現される。
図15から図17は本発明の第4の実施形態の変形例を示し、図15は光源装置の正面図である。尚、以下の説明においては、既述した要素と同一の要素には同一符号を付し、重複する説明を適宜省略する。
この光源装置500は、各端部導電板521及び中間部導電板522の厚さ寸法を小さくし、板状体520の厚さ方向外側に一対の補強板526を設けた点で第3の実施形態と構成を異にしている。図15に示すように、板状体520の厚さ方向外側には補強板526が配置され、各導電板521,522及び絶縁部材523が隠蔽されている。
図16は光源装置の側面図である。
図16に示すように、各補強板526は、各導電板521,522及び各絶縁部材523を、接着部材527を介して板状体520の長手方向について外側から被覆するよう配置される。各補強板526は、例えば、アルミナ(Al)等のセラミック材やアルミニウム(Al)、銅(Cu)等の金属を用いることができる。また、各接着部材527は、絶縁性の材料であり、例えば、フィラーを含有させたエポキシ系の接着剤、ポリイミドを母材とし表面にシリコン系の接着剤が塗布された両面テープ等が用いられる。本実施形態においても、各発光体110は、板状体520の厚さ方向について、板状体520と同じ寸法に形成されている。
図17は板状体の上面図である。
図17に示すように、各導電板521,522、各接着部材526及び各補強板527の厚さの合計が、発光体110の寸法と等しくなっている。本実施形態においては、発光体110及び板状体520の厚さ方向の寸法が1.0mmであり、各導電板521,522の厚さ寸法が0.5mmであり、各接着部材526の厚さ寸法が0.05mmであり、各補強板527の厚さ寸法が0.2mmとなっている。
以上のように構成された光源装置500では、第3の実施形態の作用効果に加え、各補強板527を設けたことにより、板状体520の長手方向についての曲げ方向の剛性が格段に向上する。また、各補強板527により各導電板521,522が覆われることから、板状体520が導電性の外部物品と接触して短絡したり損傷することを防止することができる。
図18から図22は本発明の第5の実施形態の変形例を示し、図18は光源装置の正面図である。第5の実施形態の板状体は、第1の実施形態と同様に一対の導電板により絶縁部材を挟む構成であるが、各導電板に絶縁のためのスリットを形成して各発光体が直列に接続されるようにした点で第1の実施形態と構成を異にしている。尚、以下の説明においては、既述した要素と同一の要素には同一符号を付し、重複する説明を適宜省略する。
この光源装置600の板状体620は、各発光体110へ電力を供給するための第1導電板621及び第2導電板622と、第1導電板621と第2導電板622の間に設けられる絶縁部材123と、を有し、各導電板621,622及び絶縁部材123により端面620a,620bが形成されている。図18に示すように、各導電板621,622に、幅方向へ延びるスリット621a,622aが、各発光体110の中間に長手方向について互いに違いに設けられている。
図19は、光源装置の上面図である。
図19に示すように、本実施形態においても、絶縁部材123は板状に形成され、各導電板621,622が絶縁部材123の厚さ方向外側に一対に配置されている。各導電板621,622は、各発光体110の中間にて互い違いに絶縁されることから、各発光体110が直列に接続されることとなる。
次に、板状体620の製造方法を、図20から図22を参照して説明する。図20は、板状体の製造に用いられる部材を示し、(a)が第1導電板の側面図、(b)が絶縁部材の側面図、(c)が第2導電板の側面図である。
図20(a)に示すように、板状体620の端面620bの一部をなす第1導電板621の端面と間隔をおいて、長手方向へ延びる延在部621bを第1導電板621に予め形成しておく。この延在部621bは、スリット621aが長手方向に所定の間隔で形成されている第1導電板621の本体部分と、複数の連結部621cを介して連結されている。本実施形態においては、本体部分と延在部621bとを離隔させる離隔用隙間621dと、スリット621aとが連続的に形成されている。図20(a)に示すように、各連結部621cは長手方向について各スリット621aと互い違いとなるように形成され、第1導電板621の本体部分は各スリット621aにより分断されているものの、第1導電板621は各連結部621c及び延在部621bにより一体に形成された平板となっている。この第1導電板621は、例えば、プレス加工、エッチング加工等により作製される。
また、図20(b)に示すように、第1導電板621及び第2導電板622の本体部分と幅寸法が等しい絶縁部材123を用意する。
さらに、図20(c)に示すように、板状体620の端面620bの一部をなす第2導電板622の端面と間隔をおいて、長手方向へ延びる延在部622bを第2導電板622に予め形成しておく。この延在部622bは、スリット622aが長手方向に所定の間隔で形成されている第2導電板622の本体部分と、複数の連結部622cを介して連結されている。本実施形態においては、本体部分と延在部622bとを離隔させる離隔用隙間622dと、スリット622aとが連続的に形成されている。図20(c)に示すように、各連結部622cは長手方向について各スリット622aと互い違いとなるように形成されており、第2導電板622の本体部分は各スリット622aにより分断されているものの、第2導電板622は各連結部622c及び延在部622bにより一体に形成された平板となっている。この第2導電板622は、例えば、プレス加工、エッチング加工等により作製される。
図21は、各導電板を絶縁部材に接着した状態を示す板状体の側面図である。
図21に示すように、各導電板621,622の本体部分を、各スリット621a,622aが互い違いとなるようにし、幅方向を揃えて絶縁部材123に接着する。このとき、各導電板621,622は、各延在部621b,622bを把持等して取り扱えばよい。
図22は各導電板の延在部及び各連結部を切り落とした状態の板状体を示し、(a)は側面図、(b)は上面図である。
図22(a)に示すように、各延在部621b,622b及び各連結部621c,622cを切り落とすことで板状体620が完成する。これにより、図22(b)に示すように、板状体620を互い違いに絶縁されるよう形成することができる。
以上のように構成された光源装置600では、第1の実施形態の作用効果に加え、各発光体110が直列に接続されているので、各導電板621,622へ通電した際に、各発光体110に流れる電流が等しくなる。これにより、各発光体110のLED素子111の駆動電圧が個体ごとにばらついたとしても、各発光体110に流れる電流が等しく、各発光体111が同じ仕様であるので、各発光体110の発光時の光量を等しくすることができる。従って、板状体620の長手方向にわたって均一な発光状態が実現される。
尚、第6の実施形態では、製造過程において、各連結部621c,622cが各スリット621a,622aと互い違いに形成されたものを示したが、例えば、図23に示すように、各連結部621c,622cが各スリット621a,622aと長手方向両側に隣接して形成されたものであってよい。これによれば、図23(a)及び(c)に示すように、各スリット621a,622aと、離隔用隙間621d,622dとが独立して形成されるので、各導電板621,622に比較的高い剛性が付与される。そして、図24に示すように、各導電板621,622を絶縁部材123に接着する際の位置決めが容易となるし、図25(a)に示すように各連結部621c,622c及び延在部621b,622bを切り落とす加工が容易となる。これによっても、図25(b)に示すように、板状体620を互い違いに絶縁されるよう形成することができる。
また、第1から第6の実施形態では、GaN系半導体材料からなるLED素子111を用いた発光体110,310について説明したが、LED素子はGaN系のLED素子111に限定されず、例えばZnSe系やSiC系のように他の半導体材料からなる発光素子であってもよく、また、発光波長についても任意である。
また、第1から第6の実施形態において、ガラス封止部113,313にLED素子111から出射した光の一部を波長変換する蛍光体を含有させてもよい。青色に発光するLED素子111を用いた場合、青色光により励起されると黄色領域にピーク波長を有する黄色光を発する黄色蛍光体を含有させると、白色の発光状態を実現することができる。黄色蛍光体としては、YAG(Yttrium Aluminum Garnet)、珪酸塩蛍光体等や、YAGと珪酸塩蛍光体を所定の割合で混合したものを用いることができる。
また、第1から第6の実施形態においては、搭載基板112がアルミナからなるものを示したが、例えば、酸化ベリリウム(BeO)等のようなアルミナ以外のセラミックから構成するようにしてもよい。また、搭載基板112として、例えばW−Cu基板を用いてもよい。
また、第1から第6の実施形態においては、発光素子としてLED素子111を用いた発光装置を説明したが、発光素子はLED素子に限定されるものではない。また、発光体110の搭載個数や、板状体120,220,320,420,520,620の寸法、形状等についても任意であるし、その他、具体的な細部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論である。
本発明の第1の実施形態を示す光源装置の外観斜視図である。 光源装置の一部正面図である。 光源装置の側面図である。 発光体の模式断面図である。 発光体の下面図である。 第1の実施形態の変形例を示す光源装置の正面図である。 第1の実施形態の変形例を示す光源装置の側面図である。 本発明の第2の実施形態を示す光源装置の正面図である。 光源装置の側面図である。 発光体の模式断面図である。 発光体の下面図である。 本発明の第3の実施形態を示す光源装置の正面図である。 光源装置の側面図である。 発光体の下面図である。 本発明の第4の実施形態の変形例を示す光源装置の正面図である。 光源装置の側面図である。 板状体の上面図である。 本発明の第5の実施形態の変形例を示す光源装置の正面図である。 光源装置の上面図である。 板状体の製造に用いられる部材を示し、(a)が第1導電板の側面図、(b)が絶縁部材の側面図、(c)が第2導電板の側面図である。 各導電板を絶縁部材に接着した状態を示す板状体の側面図である。 各導電板の延在部及び各連結部を切り落とした状態の板状体を示し、(a)は側面図、(b)は上面図である。 変形例を示すものであって、板状体の製造に用いられる部材を示し、(a)が第1導電板の側面図、(b)が絶縁部材の側面図、(c)が第2導電板の側面図である。 変形例を示すものであって、各導電板を絶縁部材に接着した状態を示す板状体の側面図である。 変形例を示すものであって、各導電板の延在部及び各連結部を切り落とした状態の板状体を示し、(a)は側面図、(b)は上面図である。
符号の説明
100 光源装置
110 発光体
111 LED素子
112 搭載基板
112a 電極パターン
113 ガラス封止部
114 回路パターン
114a 表面パターン
114b W層
114c Ni層
114d Au層
120 板状体
120a 端面
121 第1導電板
122 第2導電板
123 絶縁部材
130 接続材
200 光源装置
220 板状体
220a 端面
224 保護膜
300 光源装置
301 発光装置
310 発光体
312 搭載基板
312a 電極パターン
312b 放熱パターン
313 ガラス封止部
314 回路パターン
314a 表面パターン
314e ビアパターン
320 板状体
320a 端面
321 第1導電板
322 第2導電板
325 放熱板
330 接続材
330b 端面
400 光源装置
420 板状体
420a 端面
420b 端面
421 端部導電板
422 中間部導電板
423 絶縁部材
430 接続材
500 光源装置
520 板状体
520a 端面
520b 端面
521 端部導電板
522 中間部導電板
523 絶縁部材
526 補強板
527 接着部材
530 接続材
600 光源装置
620 板状体
620a 端面
620b 端面
621 第1導電板
621a スリット
621b 延在部
621c 連結部
621d 離隔用隙間
622 第2導電板
622a スリット
622b 延在部
621c 連結部
621d 離隔用隙間

Claims (8)

  1. 発光素子、一面に前記発光素子が搭載され他面に一対の電極パターンが形成される搭載基板、及び、前記搭載基板の一面上で前記発光素子を封止するガラス封止部を有する複数の発光体と、
    前記各発光体へ電力を供給するための複数の導電板、及び、前記各導電板の間に設けられる絶縁部材を有し、前記各導電板及び前記絶縁部材により形成され所定方向へ延びる端面を含み、前記各電極パターンが前記各導電板のいずれかと電気的に接続されるよう前記端面に前記各発光体を前記所定方向へ並んで実装する板状体と、を備える光源装置。
  2. 前記発光素子と、前記ガラス封止部における前記搭載基板の前記一面上の外縁部と、の距離が0.5mm以内であり、
    前記搭載基板及び前記ガラス封止部は、10×10−6℃未満の熱膨張率の部材からなる請求項1に記載の光源装置。
  3. 前記各発光体は、前記板状体の厚さ方向について、前記板状体と同じ寸法又は前記板状体より小さい寸法に形成される請求項2に記載の光源装置。
  4. 前記絶縁部材は板状に形成され、
    前記導電板は、前記絶縁部材の厚さ方向外側に一対に配置される請求項3に記載の光源装置。
  5. 前記各発光体の前記搭載基板は、他面に放熱パターンが形成され、
    前記板状体は、一対の前記導電板の間に、前記放熱パターンと接続される放熱板を有する請求項4に記載の光源装置。
  6. 前記各発光体の前記搭載基板は、一面に複数の前記発光素子が搭載される請求項5に記載の光源装置。
  7. 前記板状体は、厚さ方向外側から前記導電板を覆う絶縁性の保護膜を有する請求項4に記載の光源装置。
  8. 前記各発光体は、互いに直列に接続される請求項3に記載の光源装置。
JP2007117523A 2007-04-26 2007-04-26 光源装置 Pending JP2008277055A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007117523A JP2008277055A (ja) 2007-04-26 2007-04-26 光源装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007117523A JP2008277055A (ja) 2007-04-26 2007-04-26 光源装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008277055A true JP2008277055A (ja) 2008-11-13

Family

ID=40054784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007117523A Pending JP2008277055A (ja) 2007-04-26 2007-04-26 光源装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2008277055A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011030463A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Toyoda Gosei Co Ltd 水中用照明とこれを用いた養殖装置
JP2011238819A (ja) * 2010-05-12 2011-11-24 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びパッケージ
JP2012151035A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Jvc Kenwood Corp 光源装置及び投射型表示装置
JP2014510376A (ja) * 2011-03-11 2014-04-24 ショット コーポレーション 導電性のヒートシンクを備えた発光ワンド

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011030463A (ja) * 2009-07-30 2011-02-17 Toyoda Gosei Co Ltd 水中用照明とこれを用いた養殖装置
JP2011238819A (ja) * 2010-05-12 2011-11-24 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置及びパッケージ
JP2012151035A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Jvc Kenwood Corp 光源装置及び投射型表示装置
JP2014510376A (ja) * 2011-03-11 2014-04-24 ショット コーポレーション 導電性のヒートシンクを備えた発光ワンド

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7391153B2 (en) Light emitting device provided with a submount assembly for improved thermal dissipation
KR102110554B1 (ko) 발광 장치
JP4961887B2 (ja) 固体素子デバイス
US7824937B2 (en) Solid element device and method for manufacturing the same
JP4979299B2 (ja) 光学装置及びその製造方法
US7491981B2 (en) Light-emitting device and glass seal member therefor
US7667223B2 (en) Solid-state optical device
JP2009059883A (ja) 発光装置
JP4142080B2 (ja) 発光素子デバイス
JP5061139B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP5407116B2 (ja) 発光装置
JP2009176961A (ja) 実装基板の製造方法及び線状光源の製造方法
JP2008277055A (ja) 光源装置
JP5287643B2 (ja) 光学装置の製造方法及び光学装置
JP6205894B2 (ja) 発光装置用パッケージ成形体およびそれを用いた発光装置
KR101764129B1 (ko) 반도체 발광소자 및 이를 제조하는 방법
JPWO2004082036A1 (ja) 固体素子デバイスおよびその製造方法
JP2010238866A (ja) 発光装置の製造方法
KR101492522B1 (ko) 소자 패키지
EP3465780B1 (en) Light-emitting device and method of manufacture
JP5457325B6 (ja) 固体素子デバイス
JP2009130205A (ja) 発光装置、基板装置及び発光装置の製造方法
JP2018101708A (ja) パッケージ、発光装置、発光装置の製造方法
JP2018041897A (ja) 発光装置
JPWO2014119146A1 (ja) 発光装置の製造方法及び発光装置